JPH01182738A - Measurement of impurity in compound semiconductor crystal - Google Patents
Measurement of impurity in compound semiconductor crystalInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、引上げ法やブリッジマン法等により作製さ
れる化合物半導体結晶の微細な不均一性を評価するため
の不純物測定方法に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an impurity measurement method for evaluating fine non-uniformity in compound semiconductor crystals produced by the pulling method, Bridgman method, etc. .
［従来の技術］
化合物半導体結晶の不純物をｎ１定する方法としては、
（１）フォトルミネッセンストポグラフィによる方法、
（２）フォトルミネッセンススペクトルの測定による方
法、（３）カソードルミネッセンスの測定による方法な
どが従来からある。[Prior art] As a method for determining n1 of impurities in a compound semiconductor crystal,
(1) Method using photoluminescence topography,
(2) A method based on photoluminescence spectrum measurement, and (3) A method based on cathodoluminescence measurement, etc. are conventionally available.
フォトルミネッセンストポグラフィによる方法は、たと
えば応用物理第５６巻第１号昭和６２年ｐ、９３〜９４
に示されるような２Ｘ６ｍｍ２の領域内でのＧａＡｓに
ついての測定例があり、転位網に対応したフォトルミネ
ッセンストポグラフィが求められている。The method using photoluminescence topography is described, for example, in Applied Physics, Vol. 56, No. 1, 1988, p. 93-94.
There is an example of measurement of GaAs within a 2×6 mm 2 area as shown in Figure 2, and photoluminescence topography corresponding to the dislocation network is required.
フォトルミネッセンススペクトルの測定による方法とし
ては、たとえば、Ｊａｎ、Ｊ、ＡＩ）ｌ。As a method by measuring photoluminescence spectrum, for example, Jan, J. AI)l.
Ｐｈｙｓ、旦（１９８５）１５６５やＡｐｐｌ。Phys, Dan (1985) 1565 and Appl.
Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔ ｔ、４５ （１９８４）６４３１：
示されるような、数μｍの径の励起レーザビームを用い
た微小領域でのスペクトルの測定例が知られている。Phys, Let t, 45 (1984) 6431:
An example of measuring a spectrum in a minute area using an excitation laser beam with a diameter of several μm is known, as shown in FIG.
また、カソードルミネッセンスの測定による方法として
は、励起源としての電子ビームを用いた測定例が知られ
ている。Further, as a method of measuring cathodoluminescence, a measurement example using an electron beam as an excitation source is known.
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、以上のような従来の不純物測定方法では
、以下のような問題があった。[Problems to be Solved by the Invention] However, the conventional impurity measuring method as described above has the following problems.
微小領域でのフォトルミネッセンススペクトル測定によ
る方法では、ｎ１定対象が微小領域であるため、結晶基
板面上での測定箇所を特定するのが困難であるという問
題があった。たとえば、測定対象となる微小領域の転位
等の格子欠陥との相対的位置を知ることができなかった
。In the method of photoluminescence spectrum measurement in a minute area, the n1 constant target is a minute area, so there is a problem in that it is difficult to specify the measurement location on the crystal substrate surface. For example, it has not been possible to know the relative position of a microregion to be measured with respect to lattice defects such as dislocations.
また、フォトルミネッセンストポグラフィによる方法で
は、不純物や格子欠陥のおおよその濃度分布を知ること
は可能であるが、検出されるルミネッセンスは種々の不
純物によるものがすべて含まれるので、それぞれの不純
物についての濃度分布やその相対濃度を求めることがで
きないという問題があった。In addition, with the photoluminescence topography method, it is possible to know the approximate concentration distribution of impurities and lattice defects, but since the detected luminescence includes all types of impurities, it is not possible to determine the concentration distribution of each impurity. There was a problem in that it was not possible to determine the amount and relative concentration thereof.
カソードルミネッセンスの測定による方法は、分解能に
おいて上記のフォトルミネッセンスによる方法に比べ優
れているが、低温測定が困難であることから、異なる不
純物を分離して検出できず、また電子ビームにより試料
表面が損傷を受けるという問題があった。Methods based on cathodoluminescence measurements are superior to the photoluminescence methods described above in terms of resolution, but because low-temperature measurements are difficult, different impurities cannot be detected separately, and the sample surface may be damaged by the electron beam. There was a problem with receiving it.
この発明の目的は、測定対象の領域内の微小領域での不
純物の種類とその相対的濃度を求めることにより、測定
対象の領域内での不純物の濃度分布を求めることができ
る不純物測定方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide an impurity measurement method that can determine the concentration distribution of impurities within a region to be measured by determining the types of impurities and their relative concentrations in minute regions within the region to be measured. It's about doing.
［課題を解決するための手段］
この発明の不純物測定方法では、化合物半導体結晶の表
面上の所定領域に、化合物半導体結晶のバンドギャップ
より大きいエネルギを有する第１の励起光をほぼ均等に
照射して所定領域でのフォトルミネッセンストポグラフ
ィを観察しながら、所定領域内の微小領域に第２の励起
光を照射しフォトルミネッセンススペクトルを測定して
微小領域での不純物の種類とその相対的濃度を求め、次
に第２の励起光を所定領域内で掃引、すなわち走査して
各微小領域での不純物の種類とその相対的濃度を求めて
所定領域内での不純物の濃度分布を測定している。[Means for Solving the Problems] In the impurity measurement method of the present invention, a predetermined region on the surface of a compound semiconductor crystal is almost uniformly irradiated with first excitation light having an energy larger than the band gap of the compound semiconductor crystal. While observing the photoluminescence topography in a predetermined region, a second excitation light is irradiated to a micro region within the predetermined region and the photoluminescence spectrum is measured to determine the type of impurity and its relative concentration in the micro region, Next, the second excitation light is swept, that is, scanned, within a predetermined region to determine the type of impurity and its relative concentration in each minute region, thereby measuring the impurity concentration distribution within the predetermined region.
第４図は、この発明を説明するためのフォトルミネッセ
ンストポグラフィを示す図である。第４図に示される部
分は、第１の励起光としての第１励起用レーザビームが
照射された部分である。網目状の強発光部１は、転位網
に対応した発光強度の強い部分を示している。また、強
発光部２．３は、孤立転位に対応する発光強度の強い部
分を示している。第２励起レーザスポツト４は、フォト
ルミネッセンススペクトルを得るための第２の励起レー
ザの照射部分を示しており、その径は１〜２μｍ程度で
ある。なお、第４図に示される第１励起用レーザビーム
が照射される部分の径は、約０．２〜２ｍｍ程度である
。FIG. 4 is a diagram showing photoluminescence topography for explaining the present invention. The part shown in FIG. 4 is the part irradiated with the first excitation laser beam as the first excitation light. The mesh-like strong light emitting portion 1 indicates a portion with strong light emission intensity corresponding to a dislocation network. Further, the strong light emitting portion 2.3 indicates a portion with strong light emission intensity corresponding to an isolated dislocation. The second excitation laser spot 4 indicates a portion irradiated with the second excitation laser for obtaining a photoluminescence spectrum, and has a diameter of about 1 to 2 μm. The diameter of the portion irradiated with the first excitation laser beam shown in FIG. 4 is about 0.2 to 2 mm.
測定は、フォトルミネッセンストポグラフィを観察しな
がら、第２励起レーザスポツト４の位置を設定し、その
部分でのフォトルミネッセンススペクトルを測定して、
その位置での不純物の種類と相対的濃度を求める。次に
、第２励起レーザスポツト４を掃引して、それぞれの照
射部での不純物の種類とその相対的濃度を求め、不純物
の濃度分布を測定する。The measurement is performed by setting the position of the second excitation laser spot 4 while observing the photoluminescence topography, and measuring the photoluminescence spectrum at that part.
Determine the type and relative concentration of impurities at that location. Next, the second excitation laser spot 4 is swept to determine the type of impurity and its relative concentration at each irradiated portion, and the concentration distribution of the impurity is measured.
［作用］
フォトルミネッセンスは、化合物半導体結晶の表面にバ
ンドギャップより大きい光エネルギを有するレーザ光を
照射して、電子・ホール対を生成し、それらが再結合す
る際に放射する光であり、この放射光の波長から不純物
や格子欠陥の種類の同定をすることができ、その強度か
ら相対的濃度を求めることができる。[Operation] Photoluminescence is the light emitted when the surface of a compound semiconductor crystal is irradiated with a laser beam with optical energy greater than the band gap to generate electron/hole pairs and when they recombine. The type of impurity or lattice defect can be identified from the wavelength of the emitted light, and the relative concentration can be determined from the intensity.
第５図は、半導体の電子帯構造を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the electronic band structure of a semiconductor.
第５図に示されるように、半導体の電子帯構造は、電子
で満された価電子帯と電気伝導度に主として寄与する伝
導帯からなっており、不純物が入ると禁止帯（通常は電
子が存在し得ないエネルギ帯）中にドナー準位やアクセ
プタ準位ができる。As shown in Figure 5, the electronic band structure of a semiconductor consists of a valence band filled with electrons and a conduction band that mainly contributes to electrical conductivity. A donor level and an acceptor level are created in an energy band that cannot exist.
第６図は、電子の励起および電子とホールの再結合過程
を示す図である。レーザを照射すると、価電子帯中の電
子が伝導帯に励起され、価電子帯にはホールが生成する
（過程Ａ）。この電子とホールは、直接（過程Ｂ）ある
いは不純物や格子欠陥によってできる禁止帯内の準位を
介して（過程Ｃ−Ｅ）再結合する。このとき、それぞれ
のエネルギの差に等しい波長の光を放射する。禁止帯中
にできる準位は、不純物の種類に対応しているので、こ
の放射光（ルミネッセンス）のスペクトルを測定するこ
とにより、どのような種類の不純物が含まれているかを
知ることができる。FIG. 6 is a diagram showing the excitation of electrons and the recombination process of electrons and holes. When irradiated with a laser, electrons in the valence band are excited to the conduction band, and holes are generated in the valence band (process A). These electrons and holes recombine directly (process B) or via levels within the forbidden band created by impurities or lattice defects (process C-E). At this time, light with a wavelength equal to the difference in energy is emitted. The level formed in the forbidden band corresponds to the type of impurity, so by measuring the spectrum of this emitted light (luminescence), it is possible to know what type of impurity is contained.
第７図は、このようなルミネッセンススペクトルを示す
図であり、横軸にルミネッセンス波長（Ａ）をとり、縦
軸に発光強度をとっている。発光強度は、不純物濃度が
大きいほど一般に強い。FIG. 7 is a diagram showing such a luminescence spectrum, in which the horizontal axis represents the luminescence wavelength (A) and the vertical axis represents the emission intensity. Generally, the higher the impurity concentration, the stronger the emission intensity.
したがって、不純物濃度が結晶基板面内で不均一である
と、フォトルミネッセンスにおける発光強度は面内でば
らつき、分布を持つことになる。Therefore, if the impurity concentration is non-uniform within the plane of the crystal substrate, the intensity of photoluminescence will vary within the plane and will have a distribution.
この発明では、０．２〜２ｍｍ径の領域内でのフォトル
ミネッセンスの強度分布を、フォトルミネッセンストポ
グラフィによって観察し、さらに微小な領域内でのフォ
トルミネッセンスの強度分布をレーザビームをμｍのオ
ーダに絞ったフォトルミネッセンス測定技術により測定
している。このように、この発明ではフォトルミネッセ
ンストポグラフィ技術とフォトルミネッセンス測定技術
とを同時に利用することにより、転位等の格子欠陥の近
傍での不純物濃度の不均一性を測定可能にしている。In this invention, the intensity distribution of photoluminescence within a 0.2 to 2 mm diameter area is observed by photoluminescence topography, and the intensity distribution of photoluminescence within a minute area is further narrowed down to the order of μm using a laser beam. It is measured using photoluminescence measurement technology. In this way, the present invention makes it possible to measure impurity concentration non-uniformity in the vicinity of lattice defects such as dislocations by simultaneously utilizing photoluminescence topography technology and photoluminescence measurement technology.
［実施例］
第１図は、この発明の一実施例を説明するための装置を
示す概略構成図である。化合物半導体結晶である試料１
４は、クライオスタット１１の液体ヘリウム槽１２の底
部に取付けられている。液体ヘリウム槽１２のまわりに
は、液体窒素槽１３が設けられている。クライオスタッ
ト１１は、Ｘ−’Ｙステージ１５の上に載せられ、Ｘ軸
方向およびＹ軸方向に試料１４を移動することができる
ようにされている。[Embodiment] FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for explaining an embodiment of the present invention. Sample 1, which is a compound semiconductor crystal
4 is attached to the bottom of the liquid helium tank 12 of the cryostat 11. A liquid nitrogen tank 13 is provided around the liquid helium tank 12. The cryostat 11 is mounted on an X-'Y stage 15, and is capable of moving the sample 14 in the X-axis direction and the Y-axis direction.
アルゴンレーザ２８からは、４８８ ｎ ｍまたは５１
４．５ｎｍの波長のレーザビームが放射される。このレ
ーザビームは、クララセンフィルタ２１により、余分な
螢光が除去され、ビームスプリッタ２０により２本のビ
ームにスプリットされる。From the argon laser 28, 488 nm or 51
A laser beam with a wavelength of 4.5 nm is emitted. Excess fluorescence is removed from this laser beam by a Clarasen filter 21, and the laser beam is split into two beams by a beam splitter 20.
そのうちの１本のビームである第１励起用ビーム３０は
、ビームエキスパンダ１７によって、ビーム径が１ｍｍ
程度から１０ｍｍ程度に拡大され、鏡胴に導入され、ハ
ーフミラ−１８および対物レンズ１６を通して試料１４
に照射される。この第１励起用ビーム３０により発生し
たフォトルミネッセンスは、対物レンズ１６により集光
され、映像増強管２９で検出される。ごの映像増強管２
９により、第１の励起光である第１励起用ビーム３０で
照射された２００μｍ〜２ｍｍ径の試料１４面上でのフ
ォトルミネッセンストポグラフィを得ることができる。One of the beams, the first excitation beam 30, has a beam diameter of 1 mm by the beam expander 17.
The sample 14 is magnified from about 10 mm to about 10 mm, introduced into the lens barrel, and passed through the half mirror 18 and objective lens 16.
is irradiated. Photoluminescence generated by the first excitation beam 30 is focused by the objective lens 16 and detected by the image intensifier tube 29. Video intensifier tube 2
9, it is possible to obtain photoluminescence topography on the surface of the sample 14 with a diameter of 200 μm to 2 mm irradiated with the first excitation beam 30 that is the first excitation light.
ビームスプリッタ２０によりスプリットされた他方の１
本である第２励起用ビーム３１は、ハーフミラ−１９を
通して、試料１４に照射される。The other one split by the beam splitter 20
The second excitation beam 31 is irradiated onto the sample 14 through the half mirror 19 .
照射される位置は、上述の映像増強管２９によるフォト
ルミネッセンストポグラフィによりモニタすることがで
きる。第２励起用ビーム３１による試料１４からのフォ
トルミネッセンスは、カットフィルタ２２およびミラー
２７を通り分光器２４に導入され分光されてフォトルミ
ネッセンススペクトルとなり、光電子倍増管２５および
増幅器２６により検出され、記録計２３で記録される。The irradiated position can be monitored by photoluminescence topography using the image intensifier tube 29 described above. Photoluminescence from the sample 14 caused by the second excitation beam 31 is introduced into the spectroscope 24 through the cut filter 22 and the mirror 27, where it is separated into photoluminescence spectra, which is detected by the photomultiplier tube 25 and the amplifier 26, and then recorded by the recorder. Recorded at 23.
−第２図は、第１図に示す装置における第１励起用レー
ザビーム照射部および第２励起用レーザビーム照射部を
示す平面図である。第３図は、同じく第１図に示す装置
における第１励起用レーザビーム照射部および第２励起
用レーザビーム照射部を示す側面図である。第２図およ
び第３図において、３０ａは第１励起用レーザビーム照
射部を示しており、３１ａは第２励起用レーザビーム照
射部を示している。第３図に示すように、第１励起用ビ
ーム３０は、対物レンズ１６および光学窓３５を通り試
料１４に大きなビーム径で照射される。- FIG. 2 is a plan view showing a first excitation laser beam irradiation section and a second excitation laser beam irradiation section in the apparatus shown in FIG. 1. FIG. 3 is a side view showing a first excitation laser beam irradiation section and a second excitation laser beam irradiation section in the apparatus similarly shown in FIG. 1. In FIGS. 2 and 3, 30a indicates a first excitation laser beam irradiation section, and 31a indicates a second excitation laser beam irradiation section. As shown in FIG. 3, the first excitation beam 30 passes through the objective lens 16 and the optical window 35 and is irradiated onto the sample 14 with a large beam diameter.
第２励起用ビーム３１は、対物レンズ１６および光学窓
３５を通り、試料１４に小さなビーム径で照射される。The second excitation beam 31 passes through the objective lens 16 and the optical window 35 and is irradiated onto the sample 14 with a small beam diameter.
第１励起用レーザビーム照射部３０ａから放射されたフ
ォトルミネッセンスは、上述のように映像増強管２９に
よりフォトルミネッセンストポグラフィとして、不純物
や格子欠陥のおおよその濃度分布の情報を与える。これ
により、たとえば格子欠陥のおおよその位置を知ること
ができるので、格子欠陥近傍の位置に第２励起用ビーム
３１を当て、その照射部から放射されるフォトルミネッ
センスを分光器２４で分光してスペクトルとし、格子欠
陥近傍での不純物濃度の不均一性を測定することができ
る。The photoluminescence emitted from the first excitation laser beam irradiation section 30a is converted into a photoluminescence topography by the image intensifier tube 29, as described above, and provides information on the approximate concentration distribution of impurities and lattice defects. This makes it possible to know, for example, the approximate position of a lattice defect, so the second excitation beam 31 is applied to a position near the lattice defect, and the photoluminescence emitted from the irradiated part is separated by a spectrometer 24 to obtain a spectrum. It is possible to measure the non-uniformity of impurity concentration near lattice defects.
なお、この実施例では、具体的な装置を例示して説明し
たが、この発明の方法はこの装置による方法に限定され
るものではない。Although this embodiment has been described using a specific device as an example, the method of the present invention is not limited to the method using this device.
［発明の効果］
以上説明したように、この発明の不純物測定方法によれ
ば、化合物半導体結晶の不純物の種類やその相対濃度を
ミクロンの精度でその測定位置を特定して求めることが
できる。したがって、引上げ法やブリッジマン法により
作製されるたとえば■−ｖ族化合物半導体の微細な不純
物分布測定に応用することができる。[Effects of the Invention] As described above, according to the impurity measurement method of the present invention, the type of impurity in a compound semiconductor crystal and its relative concentration can be determined with micron precision by specifying the measurement position. Therefore, it can be applied to the measurement of fine impurity distribution in, for example, a ■-v group compound semiconductor manufactured by the pulling method or the Bridgman method.
また、半導体基板中のミクロな不純物濃度の不均一性は
、たとえばＧａＡｓ基板に直接イオンインプランテーシ
ョンでドナーを注入してＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆ
ｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を作製したとき、そ
のＦＥＴの特性に大きな影響を及ぼす。したがって、こ
のような半導体基板にこの発明を応用することにより、
その測定結果を結晶成長技術に直ちにフィードバックす
ることができ、より品質の優れたＦＥＴを作製すること
が可能になる。In addition, microscopic non-uniformity in impurity concentration in a semiconductor substrate can be solved by directly injecting donors into a GaAs substrate by ion implantation to create an FET (Field Efficiency Device).
ect transistor), it has a great influence on the characteristics of the FET. Therefore, by applying this invention to such a semiconductor substrate,
The measurement results can be immediately fed back to the crystal growth technology, making it possible to manufacture FETs with even better quality.
第１図は、この発明の一実施例を説明するための装置を
示す概略構成図である。第２図は、第１図に示す装置に
おける第１励起用レーザビーム照射部および第２励起用
レーザビーム照射部を示す平面図である。第３図は、第
１図に示す装置における第１励起用レーザビーム照射部
および第２励起用レーザビーム照射部を示す側面図であ
る。第４図は、この発明を説明するためのフォトルミネ
ッセンストポグラフィを示す図である。第５図は、半導
体の電子帯構造を示す図である。第６図は、電子の励起
および電子とホールの再結合過程を示す図である。第７
図は、ルミネッセンススペクトルの一例を示す図である
。
図において、１は強発光部、２は強発光部、３は強発光
部、４は第２励起レーザスポツト、１１はクライオスタ
ット、１２は液体ヘリウム槽、１３は液体窒素槽、１４
は試料、１５はＸ−Ｙステージ、１６は対物レンズ、１
７はビームエキスパンダ、１８はハーフミラ−１１９は
ハーフミラ−１２０はビームスプリッタ、２１はクララ
センフィルタ、２２はカットフィルタ、２３は記録計、
２４は分光器、２５は光電子増倍管、２６は増幅器、２
７はミラー、２８はアルゴンレーザ、２９は映像増強管
、３０は第１励起用ビーム、３１は第２励起用ビームを
示す。
第１図
第２図
第３図
第４図
第Ｓ図FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an apparatus for explaining one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view showing a first excitation laser beam irradiation section and a second excitation laser beam irradiation section in the apparatus shown in FIG. 1. FIG. 3 is a side view showing the first excitation laser beam irradiation section and the second excitation laser beam irradiation section in the apparatus shown in FIG. 1. FIG. 4 is a diagram showing photoluminescence topography for explaining the present invention. FIG. 5 is a diagram showing the electronic band structure of a semiconductor. FIG. 6 is a diagram showing the excitation of electrons and the recombination process of electrons and holes. 7th
The figure is a diagram showing an example of a luminescence spectrum. In the figure, 1 is a strong light emitting part, 2 is a strong light emitting part, 3 is a strong light emitting part, 4 is a second excitation laser spot, 11 is a cryostat, 12 is a liquid helium tank, 13 is a liquid nitrogen tank, 14
is the sample, 15 is the X-Y stage, 16 is the objective lens, 1
7 is a beam expander, 18 is a half mirror, 119 is a half mirror, 120 is a beam splitter, 21 is a Clarasen filter, 22 is a cut filter, 23 is a recorder,
24 is a spectrometer, 25 is a photomultiplier tube, 26 is an amplifier, 2
7 is a mirror, 28 is an argon laser, 29 is an image intensifier tube, 30 is a first excitation beam, and 31 is a second excitation beam. Figure 1 Figure 2 Figure 3 Figure 4 Figure S
Claims (1)
合物半導体結晶のバンドギャップより大きいエネルギを
有する第１の励起光をほぼ均等に照射して前記所定領域
でのフォトルミネッセンストポグラフィを観察しながら
、前記所定領域内の微小領域に第２の励起光を照射しフ
ォトルミネッセンススペクトルを測定して前記微小領域
での不純物の種類とその相対的濃度を求め、次に前記第
２の励起光を前記所定領域内で掃引して各微小領域での
不純物の種類とその相対的濃度を求めて前記所定領域内
での不純物の濃度分布を測定する、化合物半導体結晶の
不純物測定方法。(1) While irradiating a predetermined region on the surface of a compound semiconductor crystal almost uniformly with first excitation light having an energy larger than the band gap of the compound semiconductor crystal and observing photoluminescence topography in the predetermined region, , irradiate a second excitation light to a minute region within the predetermined region and measure the photoluminescence spectrum to determine the type of impurity and its relative concentration in the minute region; A method for measuring impurities in a compound semiconductor crystal, comprising sweeping within a predetermined region to determine the type of impurity and its relative concentration in each minute region, and measuring the concentration distribution of impurities within the predetermined region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP651888A JPH01182738A (en) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | Measurement of impurity in compound semiconductor crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP651888A JPH01182738A (en) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | Measurement of impurity in compound semiconductor crystal |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01182738A true JPH01182738A (en) | 1989-07-20 |
Family
ID=11640620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP651888A Pending JPH01182738A (en) | 1988-01-13 | 1988-01-13 | Measurement of impurity in compound semiconductor crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01182738A (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251537A (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Wafer photoluminescence mapping apparatus |
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-
1988
- 1988-01-13 JP JP651888A patent/JPH01182738A/en active Pending
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