JPH01119873A - 線図形の近似方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 線図形の近似方式、特に線図形を直線で近似する線図形
の近似方式に関し、 線図形を細線化する際に生じる歪を除去し、細線化され
た被細線化線図形を直線で近似する際の不要な計算処理
を防止し、線図形の近似処理を高速で行なうことを目的
とし、線図形を細線化する細線化手段と、該細線化手段
より得られる被細線化線図形を構成する画素列を追跡す
る追跡手段と、画素列の変化点データを用いて被細線化
線図形を直線で近似することにより線図形の近似処理を
行なう直線近似手段とを有する線図形の近似方式におい
て、所定数の種類のｎ行ｎ列（ただし、ｎは３以上の奇
数）の画素パターンを予めテーブルとして格納している
テーブル記憶手段と、追跡された画素列の画素が直線近
似に必要であるか否かを判定する判定手段とを備え、該
追跡手段は、画素列を追跡する際に追跡の対象となる各
画素をこれを中心とするｎ行ｎ列の画素パターンに変換
してから該判定手段へ供給し、該判定手段は、該追跡手
段からの連続するｎ個の画素パターンを該テーブル記憶
手段に格納されている画素パターンと順次照合して前記
連続するｎ個の画素パターンの種類を判定すると共に、
前記連続するｎ個の画素パターンの種類が所定種類の順
列の場合にのみｍ個（ただし、ｍ＞ｎ）の連続する画素
よりなる画素列を直線部分を表わす画素列に補正するよ
うに構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は線図形の近似方式、特に線図形を直線で近似す
る線図形の近似方式に関する。

一般に、例えば第５図に示す如き地図や回路図等の線図
形を直線で近似する場合、先ず第５図の線図形をその中
心点を求めることにより細線化して第６図に示す被細線
化線図形を求める。次に、この被細線化線図形を直線で
近似する。

〔従来の技術〕

第７図は、従来の線図形の近似方式の原理説明図である
。同図中、３１は第６図に示す被細線化線図形を求める
細線化手段、３２は被細線化線図形を直線で近似する直
線近似手段である。

直線近似手段３２は、先ず第６図中被細線化線図形をそ
の始端Ａと終端Ｂとを結ぶ破線で示す直線ＡＢで近似化
する。又、被細線化線図形の直進していない屈曲部Ｃ１
，Ｃ２については、屈曲部Ｃ１，Ｃ２の直線ΔＢからの
直線ＡＢと直交する方向上の距１１ｔＬ１．１２を計算
する。直線近似手段３２は、この計算結果に基づいて被
細線化線図形の屈曲部Ｃ１，Ｃ２を直線で近似して、同
様の方法で被細線化線図形の各線分を直線で近似覆る。

なお、元となる線図形の太さのゆらぎから、水平線を細
線化手段３１で細線化すると例えば第８図（ａ）、（ｂ
）に「＊」印で示す如き歪が生じ、垂直線を細線化する
と例えば第８図（Ｃ）、（ｄ）に「＊」印で示す如き歪
が生じる。

従来方式では、第８図（ａ）〜（ｄ）に「＊」印で示す
如き元となる線図形の太さのゆらぎによって生じた歪も
直線近似手段３２では屈曲部として判断され、上記の如
き計算を行ない歪の部分を直線で近似する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来方式では、細線化処理の際に生じる歪に対しても直
線で近似するための計算処理が行なわれており、実際に
は不要な割算処理が行なわれるために線図形の近似処理
を高速で行なえないという問題が生じていた。又、細線
化処理の際に生じる歪は本来除去されるべきものである
が、従来方式で歪を除去するには、直線で近似して得た
最終的な線図形申合屈曲部が歪であるか否かの判定を更
に計算処理により行なって判定の結果歪の部分は実質的
に除去するといった追加の処理が必要であり、線図形の
近似処理速度を更に低下させてしまうという問題も生じ
ていた。

本発明は、線図形を細線化する際に生じる歪を除去し、
細線化された被細線化線図形を直線で近似する際の不要
なｔ４算処理を防止し、線図形の近似処理を高速で行な
うことのできる線図形の近似方式を提供することを目的
とする。

τ問題点を解決するための手段〕 第１図は、本発明の原理説明図である。同図中、１は線
形図を細線化する細線化手段、２は細線化手段１より得
られる被細線化線図形を構成する画素列を追跡する追跡
手段、５は画素列の変化点データを用いて被細線化線図
形を直線で近似することにより線図形の近似処理を行な
う直線近似手段である。

又、３は所定数の種類のｎ行ｎ列（ただし、ｒｌは３以
上の奇数）の画素パターンを予めテーブルとして格納し
ているテーブル記憶手段、４は追跡された画素列の画素
が直線近似に必要であるか否かを判定する判定手段であ
る。

〔作用〕

追跡手段２は、画素列を追跡する際に追跡の対象となる
各画素をこれを中心とするｎ行ｎ列の画素パターンに変
換してから判定手段へ供給する。

又、判定手段４は、追跡手段２からの連続するｎ個の画
素パターンをテーブル記憶手段３に格納されている画素
パターンと順次照合して前記連続するｎ個の画素パター
ンの種類を判定すると共に、前記連続するｎ個の画素パ
ターンの種類が所定種類の順列の場合にのみｍ個（ただ
し、ｍ＞ｎ）の連続する画素よりなる画素列を直線部分
を表わす画素列に補正する。

従って、線図形をｌ線化する際に生じる歪は除去され、
細線化された被細線化線図形を直線で近似する際の不要
な８１算処理が防止され、線図形の近似処理を高速で行
なえる。

〔実施例〕

第２図は、本発明方式の一実施例を適用された線図形の
直線近似装置を示す。同図中、１０は線図形を細線化す
る細線化部、１１は細線化部１０より得られる被細線化
線図形を格納するメモリである。１２は画素列追跡部で
あり、メモリ１１に格納されている被細線化線図形の画
素列を順次追跡して画素列の端点及び分岐点を探す。１
３はテーブルメモリであり、３行３列（以下３×３と言
う）の画素パターンの種類を示す判別コードを予め格納
している。従って、画素列追跡部１２は、追跡の対象と
なる各画素をこれを中心とする３×３の画素パターンに
変換してからテーブルメモリ１３をアクセスして判別コ
ードを読み出すことにより、画素パターンの種類を知る
ことができる。

画素列追跡部１２は、画素パターンの種類を知ることに
より画素列の端点及び分岐点を探すことかできる。

なお、画素パターンへの変換は、３つの連続する画素の
中心画素に３×３のマスクをかける周知の方法で行なう
ことができる。

画素パターンとしては、例えば第３図（ａ）〜（ｐ）に
示すものがあり、各画素パターンには判別コードが付さ
れている。同図中、斜線は画素を示す。説明の便宜上、
第３図（ａ）、（ｂ）及びその回転された画素パターン
には判別コード＃１、第３図（Ｃ）〜（ｆ）の画素パタ
ーンには判別コード＃２、第３図（ｇ）〜（ｊ）の画素
パターンには判別コード＃３、第３図（ｋ＞及びその回
転されたパターンを含む画素パターンには判別コード＃
４、第３図（１）、（ｍ）の画素パターンには判別コー
ド＃５、第３図（ｎ）、（ｏ）の画素パターンには判別
コード＃６、第３図（ｐ）のパターンを含む＃１〜＃６
以外の画素パターンには判別コード＃７を夫々付す。判
別コード＃７は、端点又は分岐点の場合の画素パターン
である。

１４は判定部である。端点又は分岐点が探し出されると
、画素列追跡部１２はその端点又は分岐点から順に画素
列を追跡して行き、各画素の座標（位置）及びそれを中
心とする３×３の画素パタ−ンの種類を示す前記判別コ
ードを判定部１４に供給する。判定部１４は、画素列追
跡部１２より連続して得られる判別コードの順列、即ち
、画素パターンの連鎖に基づいて、各画素のデータが後
段にて行なわれる直線近似処理に必要か否かを判定する
。そして、直線近似処理に必要と判定された画素のデー
タ、即ち、座標は画素列メモリ１５に古き込まれる。判
定部１４は、端点又は分岐点を示す判別コードが入来す
ると判定処理を停止し、その端点又は分岐点を示す座標
を画素列メモリ１５に書き込み、更に、直線近似部１６
を起動する。これにより、直線近似部１６は、画素列メ
モリ１５より読み出した座標を用いて端点又は分岐点と
端点又は分岐点との間の画素列を直線で近似し、直線近
似結果を出力する。

なお、先に分岐点が探し出されている場合、画素列追跡
部１２は次の端点又は分岐点が探し出されると追跡を停
止して先の分岐点まで戻り、再び先の分岐点より前回と
は異なる方向へ画素列を追跡する。この様な動作は、分
岐の数に応じて繰り返される。

第４図は、判定部１４の一実施例を示す。判定部１４は
、連鎖テーブルメモリ２１と、シフトレジスタ２２．２
３と、制御部２４とよりなる。シフトレジスタ２２．２
３には、画素列追跡部１２からの３つの連続する画素に
対する判別コード及び座標が夫々格納される。連鎖テー
ブルメモリ２１は、次の表に示す如き情報を判別コード
に応じてテーブルとして予め格納している。ただし、表
中「×」は任意の判別コードで良いことを表わす。

表 従って、例えばシフトレジスタ２２の内容がｒ＃２．＃
５．＃２Ｊの場合、この内容により連鎖テーブルメモリ
２１をアクセスするとシフトレジスタ２２の内容をｒ＃
１．＃１．＃ＩＪに書き換えるための指示が読み出され
て制御部２４へ供給され、制御部２４はシフトレジスタ
２２の内容を「＃１．＃１．＃ＩＪに書き換える。この
結果、連鎖テーブルメモリ２１からは何もしないための
指示が読み出され、制御８（１２４は画素列メモリ１５
に対して書き込み許可を発生しない。

他方、例えばシフトレジスタ２２の内容がｒ＃４．＃７
．＃７Ｊの場合、連鎖テーブルメモリ２１からは３つの
連続する画素のうち最初の画素の座標を画素列メモリ１
５に書き込むための指示が読み出されて制御部２４へ供
給される。この結果、制御部２４はこの最初の画素の座
標に対する書き込み許可を出力し、シフトレジスタ２３
内の上記最初の画素の座標が画素列メモリ１５に書き込
まれる。

シフトレジスタ２２．２３内の判別コード及び座標は、
順次１画素分シフトされて」−記と同様な動作が繰り返
される。

なお、最後の画素に対する判別コード及び座標がシフト
レジスタ２２．２３に夫々取り込まれた後は、ダミーデ
ータを２画素分各シフトレジスタ２２．２３に取り込め
ば良い。

上述の如く、本実施例では、直線近似部１６において直
線近似処理が行なわれる前の段階で線図形の細線化時に
生じる歪を除去しているので、直線近似部１６において
不要な４算処理が行なわれることはない。

以上本発明を実施例により説明したが、本発明は本発明
の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明からこれ
らを排除するものではない。

〔発明の効果〕

本発明によれば、追跡手段は、画素列を追跡する際に追
跡の対象となる各画素をこれを中心とするｎ行ｎ列の画
素パターンに変換してから判定手段へ供給し、判定手段
は、追跡手段からの連続するｎ個の画素パターンをテー
ブル記憶手段に格納されている画素パターンと順次照合
して前記連続するｎ個の画素パターンの種類を判定する
と共に、前記連続するｎ個の画素パターンの種類が所定
種類の順列の場合にのみｍ個（ただし、ｍ＞ｎ）の連続
する画素よりなる画素列を直線部分を表わす画素列に補
正するので、線図形を細線化する際に生じる歪は除去さ
れ、細線化された被細線化線図形を直線で近似する際の
不要な泪算処即が防止され、線図形の近似処理を高速で
行なうことが可能であり、実用的には極めて有用である
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の原理説明図、 第２図は本発明方式の一実施例を適用された線図形の直
線近似装置のブロック系統図、第３図（ａ）〜（ｐ）は
画素パターンを示す図、第４図は判定部の一実施例を示
すブロック系統図、 第５図は線図形の一例を示す図、 第６図は細線化された線図形を示す図、第７図は従来方
式の原理説明図、 第８図（ａ）〜（ｄ）は線図形の細線化時に生じる歪を
説明するための図である。 第１図〜第４図において、 １は細線化手段、 ２は追跡手段、 ３はテーブル記憶手段、 ４は判定手段、 ５は直線近似手段、 １０は細線化部、 １１はメモリ、 １２は画素列追跡部、 １３はテーブルメモリ、 １４は判定部、 １５は画素列メモリ、 １６は直線近似部、 ２１は連鎖テーブルメモリ、 ２２．２３はシフトレジスタ、 ２４は制御部 を示す。 第４図 オ（薄しｒＸの原理挙０川図 第７図 （ａ） 第６図 （ｃ）　　　　　（ｄ） 壺に１彫のｆＦＥＪ帽婢＋ユ宝Ｃ゛峯覆］１説）目すＪ
九お円図第８因

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）線図形を細線化する細線化手段（１）と、該細線
   化手段より得られる被細線化線図形を構成する画素列を
   追跡する追跡手段（２）と、画素列の変化点データを用
   いて被細線化線図形を直線で近似することにより線図形
   の近似処理を行なう直線近似手段（５）とを有する線図
   形の近似方式において、 所定数の種類のｎ行ｎ列（ただし、ｎは３以上の奇数）
   の画素パターンを予めテーブルとして格納しているテー
   ブル記憶手段（３）と、 追跡された画素列の画素が直線近似に必要であるか否か
   を判定する判定手段（４）とを備え、該追跡手段は、画
   素列を追跡する際に追跡の対象となる各画素をこれを中
   心とするｎ行ｎ列の画素パターンに変換してから該判定
   手段へ供給し、該判定手段は、該追跡手段からの連続す
   るｎ個の画素パターンを該テーブル記憶手段に格納され
   ている画素パターンと順次照合して前記連続するｎ個の
   画素パターンの種類を判定すると共に、前記連続するｎ
   個の画素パターンの種類が所定種類の順列の場合にのみ
   ｍ個（ただし、ｍ＞ｎ）の連続する画素よりなる画素列
   を直線部分を表わす画素列に補正することを特徴とする
   線図形の近似方式。
2. （２）前記判定手段（４）は、前記連続するｎ個の画素
   パターンの種類が前記所定種類以外の特定種類の順列の
   場合には前記ｍ個の連続する画素のうち最初の画素のデ
   ータを前記変化点データとして格納するメモリ手段を有
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の線図
   形の近似方式。
3. （３）前記メモリ手段は、前記連続するｎ個の画素パタ
   ーンの種類が前記所定種類を含む前記特定種類以外の種
   類の順列の場合前記ｍ個の連続する画素のいずれのデー
   タも格納しないことを特徴とする特許請求の範囲第２項
   記載の線図形の近似方式。
4. （４）前記ｍ、ｎは夫々５と３に選定されていることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項〜第３項のうちいずれ
   か一項記載の線図形の近似方式。