JPH01108727A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents
絶縁膜の形成方法Info
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- JPH01108727A JPH01108727A JP26676587A JP26676587A JPH01108727A JP H01108727 A JPH01108727 A JP H01108727A JP 26676587 A JP26676587 A JP 26676587A JP 26676587 A JP26676587 A JP 26676587A JP H01108727 A JPH01108727 A JP H01108727A
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Links
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は艶！を膜の形成方法に関し、特にＭＯ３形半導
体集積回路に於ける容量の形成方法、具体的にはダイナ
ミックＲＡＭのメモリ容量の形成にかかわるものである
。
体集積回路に於ける容量の形成方法、具体的にはダイナ
ミックＲＡＭのメモリ容量の形成にかかわるものである
。
従来の技術
第２図に従来の技術を示す。Ｓｔ基板１の上面に８１０
２膜等の絶縁膜２を形成する。更に、高濃度に燐や砒素
又はボｃｒ７等の不純物を含む多結晶Ｓｉ膜ａ３を島状
に形成し、その表面に電気炉やランプアニール装置を用
いた加熱酸化法を用いて５ｉ０２膜ａ４を形成する。こ
の時、多結晶Ｓｉ膜ａ３は第２図すに示すように、多結
晶Ｓｉ膜ａ３の表面は高濃度に不純物を拡散するための
９００℃以上の熱処理によシ結晶粒径が大きく成長して
表面の凹凸が大きくなるとともに、結晶粒界への不純物
の偏析により不純物濃度の不均一が生ずる。
２膜等の絶縁膜２を形成する。更に、高濃度に燐や砒素
又はボｃｒ７等の不純物を含む多結晶Ｓｉ膜ａ３を島状
に形成し、その表面に電気炉やランプアニール装置を用
いた加熱酸化法を用いて５ｉ０２膜ａ４を形成する。こ
の時、多結晶Ｓｉ膜ａ３は第２図すに示すように、多結
晶Ｓｉ膜ａ３の表面は高濃度に不純物を拡散するための
９００℃以上の熱処理によシ結晶粒径が大きく成長して
表面の凹凸が大きくなるとともに、結晶粒界への不純物
の偏析により不純物濃度の不均一が生ずる。
従って、ＳｉＯ２膜ａ４は表面の凹凸が大きく、且つ膜
厚の不均一性が極めて大きく、且つ、高濃度に不純物を
含む５１ｏ２膜となる。この様な５ｌｏ２膜ａ４の上面
に高濃度に不純物を含む多結晶５ｔｆｌｌｂｓを島状に
形成して容量を形成する。
厚の不均一性が極めて大きく、且つ、高濃度に不純物を
含む５１ｏ２膜となる。この様な５ｌｏ２膜ａ４の上面
に高濃度に不純物を含む多結晶５ｔｆｌｌｂｓを島状に
形成して容量を形成する。
発明が解決しようとする問題点
従来例では第２図すに示すようにＳ ｚ ０２膜ａ４の
表面凹凸が大きく、膜厚の不均一性が大きく、且つ多結
晶Ｓｉ膜ａ３の表面凹凸のため電界集中が発生しやすい
ため耐圧特性の優れた良質の５ｉｏ２ｐＩ！ａ４が得ら
れない。
表面凹凸が大きく、膜厚の不均一性が大きく、且つ多結
晶Ｓｉ膜ａ３の表面凹凸のため電界集中が発生しやすい
ため耐圧特性の優れた良質の５ｉｏ２ｐＩ！ａ４が得ら
れない。
問題点を解決するための手段
高濃度に不純物を含む表面凹凸の極めて大きい多結晶Ｓ
ｉ膜ａ３上にＳ ｚ Ｏ２膜を形成するために、その５
１０２膜質の劣化・不均一性と電界集中による耐圧劣化
が生じているので、本発明では、高濃度に不純物を含む
多結晶ｓｉ膜膜部部は全部を不純物を含まないか又は不
純物濃度の低い（例えば１ｏ１６．、−３以下）結晶粒
径の小さく、表面の平滑な多結晶Ｓｉ膜で覆い、この上
に５１０２膜を形成する。
ｉ膜ａ３上にＳ ｚ Ｏ２膜を形成するために、その５
１０２膜質の劣化・不均一性と電界集中による耐圧劣化
が生じているので、本発明では、高濃度に不純物を含む
多結晶ｓｉ膜膜部部は全部を不純物を含まないか又は不
純物濃度の低い（例えば１ｏ１６．、−３以下）結晶粒
径の小さく、表面の平滑な多結晶Ｓｉ膜で覆い、この上
に５１０２膜を形成する。
作 用
本発明によれば、多結晶Ｓｉ膜を酸化することにより、
表面凹凸のない、均一な膜厚で、Ｓ ｚ Ｏ２膜中に高
濃度の不純物を含まない良質で耐圧特性の優れたＳ ｉ
０２膜を形成することが可能となる。
表面凹凸のない、均一な膜厚で、Ｓ ｚ Ｏ２膜中に高
濃度の不純物を含まない良質で耐圧特性の優れたＳ ｉ
０２膜を形成することが可能となる。
実施例
本発明の実施例を第１図ａ ％ ｄに示す。半導体ｓｉ
ｉ板１上に絶縁膜２を形成する。更に、その上面に高濃
度に不純物を含む多結晶Ｓｉ膜ａ３と不純物を含まない
か又は、低不純物濃度の多結晶Ｓ１膜Ｃ６の２層膜を島
状に形成する。この２層膜を電気炉やランプアニール装
置を用いた加熱酸化法を用いてＳｉｏ２膜Ｃ７全Ｃ７す
る。この場合、多結晶Ｓｔ膜哀３の露出する側面には５
１０２膜と４が形成される。高不純物濃度の多結晶Ｓｉ
膜ａの熱酸化膜は、多結晶Ｓｉ膜Ｃの熱酸化膜に比べて
厚く形成される。８１０２膜ａ、ｃの上面に高濃度に不
純物を含む多結晶Ｓｉ膜ｂ６を島状に形成して容量の電
極とする（第１図ａ）。
ｉ板１上に絶縁膜２を形成する。更に、その上面に高濃
度に不純物を含む多結晶Ｓｉ膜ａ３と不純物を含まない
か又は、低不純物濃度の多結晶Ｓ１膜Ｃ６の２層膜を島
状に形成する。この２層膜を電気炉やランプアニール装
置を用いた加熱酸化法を用いてＳｉｏ２膜Ｃ７全Ｃ７す
る。この場合、多結晶Ｓｔ膜哀３の露出する側面には５
１０２膜と４が形成される。高不純物濃度の多結晶Ｓｉ
膜ａの熱酸化膜は、多結晶Ｓｉ膜Ｃの熱酸化膜に比べて
厚く形成される。８１０２膜ａ、ｃの上面に高濃度に不
純物を含む多結晶Ｓｉ膜ｂ６を島状に形成して容量の電
極とする（第１図ａ）。
別の実施例を第１図すに示す。従来と同様に多結晶Ｓｉ
膜ａ３を島状に形成した後、更に多結晶３１膜Ｃを多結
晶Ｓｉ膜ａを覆うように島状に形成する。その後、多結
晶Ｓｉ膜Ｃ６の上面にＳ ｚ Ｏ２膜ｂ７を全面に形成
し、更にその上面に多結晶Ｓｉ膜ｂ６を島状に形成して
容量の電極とする。この場合には、５ｉ０２膜Ｃ７は多
結晶Ｓｉ膜Ｃよ多形成されるので均一な膜厚で、均質な
膜のＳｉｏ２膜が得られる。
膜ａ３を島状に形成した後、更に多結晶３１膜Ｃを多結
晶Ｓｉ膜ａを覆うように島状に形成する。その後、多結
晶Ｓｉ膜Ｃ６の上面にＳ ｚ Ｏ２膜ｂ７を全面に形成
し、更にその上面に多結晶Ｓｉ膜ｂ６を島状に形成して
容量の電極とする。この場合には、５ｉ０２膜Ｃ７は多
結晶Ｓｉ膜Ｃよ多形成されるので均一な膜厚で、均質な
膜のＳｉｏ２膜が得られる。
他の実施例を第１図Ｃに示す。″＄１図ａと同様に多結
晶Ｓｉ膜ａと多結晶Ｓ１膜Ｃの２層膜を島状に形成した
後に、露出した側面に選択的に不純物を含まないか又は
低不純物濃度の多結晶Ｓｉ膜Ｃ８を形成する。この多結
晶Ｓｉ膜Ｃ８の形成には２層膜形成後に全面に多結晶Ｓ
ｉ膜Ｃを被覆して、異方性のドライエッチ技術を用いて
その膜厚に等しい膜厚をエッチすると２層膜の側面のみ
に多結晶Ｓｉ膜ｃ８が形成できる。第１図Ｃの場合も、
Ｓ ｉＯ２膜ｃ７は多結晶Ｓｉ膜ａ（６，８）の表面に
形成されるので均一で均質な５ｉｎ２膜Ｃ７が形成でき
る。
晶Ｓｉ膜ａと多結晶Ｓ１膜Ｃの２層膜を島状に形成した
後に、露出した側面に選択的に不純物を含まないか又は
低不純物濃度の多結晶Ｓｉ膜Ｃ８を形成する。この多結
晶Ｓｉ膜Ｃ８の形成には２層膜形成後に全面に多結晶Ｓ
ｉ膜Ｃを被覆して、異方性のドライエッチ技術を用いて
その膜厚に等しい膜厚をエッチすると２層膜の側面のみ
に多結晶Ｓｉ膜ｃ８が形成できる。第１図Ｃの場合も、
Ｓ ｉＯ２膜ｃ７は多結晶Ｓｉ膜ａ（６，８）の表面に
形成されるので均一で均質な５ｉｎ２膜Ｃ７が形成でき
る。
尚、実施例では加熱酸化膜でＳｉＯ２膜を形成したが、
本発明によれば、多結晶Ｓｉ膜Ｃの表面を平滑に、且つ
電界集中の発生しないようにできるため、加熱酸化法以
外の絶巖膜形成方法１例えばＣＶＤ法や蒸着法で形成し
た絶縁膜に対しても有効である。
本発明によれば、多結晶Ｓｉ膜Ｃの表面を平滑に、且つ
電界集中の発生しないようにできるため、加熱酸化法以
外の絶巖膜形成方法１例えばＣＶＤ法や蒸着法で形成し
た絶縁膜に対しても有効である。
発明の効果
本発明によれば、Ｓ ｚ ０２膜は高濃度不純物を含む
多、諸晶ｓｉ膜上の不純物を含まないか又は低不純物濃
度の多結晶Ｓｉ膜に形成される。この多結晶Ｓｉ膜は結
晶粒径も小さく、表面が平滑に形成されるので、５ｔＯ
３膜の表面も平滑で、且つ膜厚も均一に形成され、電界
集中も起こらない耐圧特性の優れた５ｌｏ２膜が得られ
る。
多、諸晶ｓｉ膜上の不純物を含まないか又は低不純物濃
度の多結晶Ｓｉ膜に形成される。この多結晶Ｓｉ膜は結
晶粒径も小さく、表面が平滑に形成されるので、５ｔＯ
３膜の表面も平滑で、且つ膜厚も均一に形成され、電界
集中も起こらない耐圧特性の優れた５ｌｏ２膜が得られ
る。
第１図は本発明方法の一実施例の工程断面図、第２図は
従来方法の工程断面図である。 ３．６・・・・・・高濃度不純物を含む多結晶Ｓｉ膜ａ
、４・・・・・・多結晶Ｓｉ３，５の５１０２膜ａ、６
．８−・・・・・不純物を含まないか低不純物濃度の多
結晶Ｓｉ膜Ｃ１７・・・・・・多結晶Ｓｉ 膜ｅ 、
８０Ｓｉ０２ＭＩＩａ−代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか１名Ｑ ℃
従来方法の工程断面図である。 ３．６・・・・・・高濃度不純物を含む多結晶Ｓｉ膜ａ
、４・・・・・・多結晶Ｓｉ３，５の５１０２膜ａ、６
．８−・・・・・不純物を含まないか低不純物濃度の多
結晶Ｓｉ膜Ｃ１７・・・・・・多結晶Ｓｉ 膜ｅ 、
８０Ｓｉ０２ＭＩＩａ−代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか１名Ｑ ℃
Claims (1)
- 高濃度に不純物を含む第１の多結晶Ｓｉ膜上に、不純
物を含まないか又は低濃度の不純物を含む第２の多結晶
Ｓｉ膜を形成する工程と、上記第２の多結晶Ｓｉ膜表面
にＳｉＯ＿２膜を形成する工程を有する絶縁膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26676587A JPH01108727A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26676587A JPH01108727A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01108727A true JPH01108727A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17435392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26676587A Pending JPH01108727A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01108727A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162628A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP26676587A patent/JPH01108727A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04162628A (ja) * | 1990-10-26 | 1992-06-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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