JP7470087B2 - 窒化物半導体装置 - Google Patents
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Description
図1は、本実施形態に係る窒化物半導体装置を示す平面図である。
図2(a)は図1に示すA-A’線による断面図であり、(b)は図1に示すB-B’線による断面図であり、(c)は図1に示すC-C’線による断面図である。
本実施形態に係る窒化物半導体装置1は、例えば、電流制御用のスイッチング素子であり、例えば、一方向スイッチである。
図3は、本実施形態に係る窒化物半導体装置における各部の接続関係を模式的に示す図である。
本実施形態においては、基板10の電位を、ソース電極46の電位とドレイン電極56の電位の中間の電位とすることができる。これにより、基板10の電位を安定させて、窒化物半導体装置1の動作を安定させることができる。
図4は、本実施形態に係る窒化物半導体装置を示す平面図である。
図5は、図4に示すD-D’線による断面図である。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、第1の実施形態と同様である。
図6は、本実施形態に係る窒化物半導体装置を示す平面図である。
図7は、本実施形態に係る窒化物半導体装置における各部の接続関係を模式的に示す図である。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、第1の実施形態と同様である。
図8は、本実施形態に係る窒化物半導体装置を示す平面図である。
図9は、図8に示すE-E’線による断面図である。
本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、第3の実施形態と同様である。
10:基板
20:窒化物半導体層
21:貫通孔
30:絶縁膜
40、41:ソースパッド
46、47:ソース電極
50:ドレインパッド
56:ドレイン電極
60、61:ゲートパッド
66、67:ゲート電極
70:ガードリング
71:第1容量電極
72:第2容量電極
80:配線
81、82:ビア
91:第1抵抗体
92:第2抵抗体
C1:第1容量
C2:第2容量
GND:接地電位
R1:第1抵抗
R2:第2抵抗
Rc:セル領域
VDD:電源電位
Claims (10)
- 導電性の基板と、
前記基板上に設けられた窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に設けられ、前記窒化物半導体層に接続された第1電極と、
前記窒化物半導体層上に設けられ、前記窒化物半導体層に接続された第2電極と、
前記窒化物半導体層上であって、上方から見て、前記第1電極と前記第2電極の間に設けられた第1制御電極と、
前記窒化物半導体層上であって、前記第1電極、前記第2電極及び前記第1制御電極が配置された領域の周囲に設けられ、前記第1電極との間に第1容量が形成され、前記第2電極との間に第2容量が形成されるガードリングと、
前記ガードリングを前記基板に接続する接続部材と、
を備えた窒化物半導体装置。 - 前記窒化物半導体層上であって、上方から見て、前記第1制御電極と前記第2電極の間に設けられた第2制御電極をさらに備えた請求項1に記載の窒化物半導体装置。
- 前記窒化物半導体層上に設けられ、前記第1電極、前記第2電極、及び、前記第1制御電極を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第1電極と接続された第1パッドと、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第2電極と接続された第2パッドと、
前記ガードリングに接続され、前記第1パッドの直下に配置され、前記絶縁膜の一部を介して前記第1パッドと対向する第1容量電極と、
前記ガードリングに接続され、前記第2パッドの直下に配置され、前記絶縁膜の一部を介して前記第2パッドと対向する第2容量電極と、
をさらに備え、
前記第1容量は前記第1パッドと前記第1容量電極との間に形成され、前記第2容量は前記第2パッドと前記第2容量電極との間に形成される請求項1または2に記載の窒化物半導体装置。 - 前記窒化物半導体層には開口部が形成されており、
前記接続部材は前記開口部を介して前記基板に接続された請求項1~3のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。 - 上方から見て、前記開口部は前記窒化物半導体層を囲む請求項4に記載の窒化物半導体装置。
- 前記第1電極と前記ガードリングとの間に接続された第1抵抗体と、
前記第2電極と前記ガードリングとの間に接続された第2抵抗体と、
をさらに備えた請求項1~5のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。 - 前記第1容量の大きさは前記第2容量の大きさと等しい請求項1~6のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 前記窒化物半導体層はガリウム及び窒素を含む請求項1~7のいずれか1つに記載の窒化物半導体装置。
- 導電性の基板と、
前記基板上に設けられた窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に設けられ、前記窒化物半導体層に電気的に接続された第1電極と、
前記窒化物半導体層上に設けられ、前記窒化物半導体層に電気的に接続された第2電極と、
前記窒化物半導体層上であって、上方から見て、前記第1電極と前記第2電極の間に設けられた第1制御電極と、
前記窒化物半導体層上であって、前記第1電極、前記第2電極及び前記第1制御電極が配置された領域の周囲に設けられるガードリングと、
前記ガードリングを前記基板に接続する接続部材と、
前記ガードリングに接続され、上方から見て、前記ガードリングから前記ガードリングの内側に向かって延出している電極と、
を備えた窒化物半導体装置。 - 前記窒化物半導体層上に設けられ、前記第1電極、前記第2電極、及び、前記第1制御電極を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第1電極と接続された第1パッドと、
をさらに備え、
前記電極は、前記第1パッドの直下に配置され、前記絶縁膜の一部を介して前記第1パッドと対向する請求項9に記載の窒化物半導体装置。
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