JP7420713B2 - 固体撮像素子、固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子、固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7420713B2 JP7420713B2 JP2020525583A JP2020525583A JP7420713B2 JP 7420713 B2 JP7420713 B2 JP 7420713B2 JP 2020525583 A JP2020525583 A JP 2020525583A JP 2020525583 A JP2020525583 A JP 2020525583A JP 7420713 B2 JP7420713 B2 JP 7420713B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- solid
- image sensor
- state image
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 53
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 298
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 195
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 129
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 60
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 33
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 232
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 125
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 56
- 239000000463 material Substances 0.000 description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 16
- 230000006870 function Effects 0.000 description 15
- 238000002674 endoscopic surgery Methods 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 9
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 8
- 101100191136 Arabidopsis thaliana PCMP-A2 gene Proteins 0.000 description 7
- 101100048260 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) UBX2 gene Proteins 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- -1 polyphenylene vinylene Polymers 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 6
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001356 surgical procedure Methods 0.000 description 5
- 101710170230 Antimicrobial peptide 1 Proteins 0.000 description 4
- 101100041125 Arabidopsis thaliana RST1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100443250 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) DIG1 gene Proteins 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 4
- PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N subphthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(=N3)N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C3=N1 PMJMHCXAGMRGBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000005646 Pneumoperitoneum Diseases 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010336 energy treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N tevenel Chemical compound NS(=O)(=O)C1=CC=C([C@@H](O)[C@@H](CO)NC(=O)C(Cl)Cl)C=C1 HODRFAVLXIFVTR-RKDXNWHRSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N Indole Chemical compound C1=CC=C2NC=CC2=C1 SIKJAQJRHWYJAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012327 Ruthenium complex Substances 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 2
- RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N [1]benzothiolo[2,3-g][1]benzothiole Chemical compound C1=CC=C2C3=C(SC=C4)C4=CC=C3SC2=C1 RWBMMASKJODNSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N azulene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC2=C1 CUFNKYGDVFVPHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004204 blood vessel Anatomy 0.000 description 2
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001893 coumarin derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M indocyanine green Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CCCCN1C2=CC=C3C=CC=CC3=C2C(C)(C)C1=CC=CC=CC=CC1=[N+](CCCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=C(C=CC=C3)C3=C2C1(C)C MOFVSTNWEDAEEK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960004657 indocyanine green Drugs 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000000434 metal complex dye Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N phenoxazin-1-one Chemical class C1=CC=C2N=C3C(=O)C=CC=C3OC2=C1 FIZIRKROSLGMPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000001007 phthalocyanine dye Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 125000004309 pyranyl group Chemical class O1C(C=CC=C1)* 0.000 description 2
- XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N quinoxaline Chemical compound N1=CC=NC2=CC=CC=C21 XSCHRSMBECNVNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical compound C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N trans-dipyrrin Chemical class C=1C=CNC=1/C=C1\C=CC=N1 OVTCUIZCVUGJHS-VQHVLOKHSA-N 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene Chemical class C1=CC=C2SC=CC2=C1 FCEHBMOGCRZNNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 2-methylpyridine Chemical compound CC1=CC=CC=N1 BSKHPKMHTQYZBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100422768 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100540541 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) VOA1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100540540 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) big1 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001251 acridines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004442 acylamino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004390 alkyl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004414 alkyl thio group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000001000 anthraquinone dye Substances 0.000 description 1
- 229940058303 antinematodal benzimidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027998 antiseptic and disinfectant acridine derivative Drugs 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005104 aryl silyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005163 aryl sulfanyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004391 aryl sulfonyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 125000003785 benzimidazolyl group Chemical class N1=C(NC2=C1C=CC=C2)* 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000005392 carboxamide group Chemical group NC(=O)* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000002073 fluorescence micrograph Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N indole Natural products CC1=CC=CC2=C1C=CN2 PZOUSPYUWWUPPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N indolenine Natural products C1=CC=C2CC=NC2=C1 RKJUIXBNRJVNHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002537 isoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002791 naphthoquinones Chemical class 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000002988 phenazines Chemical class 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N phosphine group Chemical group P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003039 picenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003216 pyrazines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 125000005353 silylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical class S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N triallylamine Chemical class C=CCN(CC=C)CC=C VPYJNCGUESNPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
- H10K39/30—Devices controlled by radiation
- H10K39/32—Organic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
- H01L27/14612—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements involving a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14634—Assemblies, i.e. Hybrid structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14638—Structures specially adapted for transferring the charges across the imager perpendicular to the imaging plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
1. 本発明者らが本開示に係る実施形態を創作するに至った背景
2. 第1の実施形態
2.1 固体撮像素子10の積層構造について
2.2 固体撮像装置1の概略構成について
2.3 固体撮像素子10の等価回路について
2.4 固体撮像素子10のレイアウト構成について
3. 第2の実施形態
4. 第3の実施形態
5. 第4の実施形態
6. 第5の実施形態
7. 第6の実施形態
8. 第7の実施形態
9. 第8の実施形態
9.1 固体撮像素子10c、10dの積層構造について
9.2 固体撮像素子10c、10dのレイアウト構成について
10. 第9の実施形態
11. 第10の実施形態
12. 第11の実施形態
13. まとめ
14. 移動体への応用例
15. 内視鏡手術システムへの応用例
16. 補足
まずは、本開示に係る各実施形態の詳細を説明する前に、本発明者らが本開示に係る実施形態を創作するに至った背景について、図39及び図40を参照して説明する。なお、図39は比較例に係る固体撮像素子90の断面図であり、図40は比較例に係る固体撮像素子90aの断面図である。ここで、比較例とは、本発明者らが本開示の実施形態をなす前に、検討を重ねていた固体撮像素子のことを意味するものとする。
<2.1 固体撮像素子10の積層構造について>
まずは、図1を参照して、本開示の第1の実施形態に係る固体撮像素子10の積層構造について説明する。図1は、本実施形態に係る固体撮像素子10の断面図であり、詳細には、図1においては、固体撮像素子10に対して光が入射する入射面が上となるように固体撮像素子10が図示されている。以下の説明においては、固体撮像素子10の下側に位置する半導体基板500から、半導体基板500の上方に位置する光電変換素子(PD)200(第1の光電変換部)、PD100(第2の光電変換部)に向かう順に従って、固体撮像素子10における積層構造を説明する。
次に、図2を参照して、上述した複数の固体撮像素子10を有する固体撮像装置1の概略構成について説明する。図2は、本実施形態に係る固体撮像装置1の模式的平面図である。
画素アレイ部2は、半導体基板500(図示省略)上にマトリックス状に2次元配置された複数の固体撮像素子10を有する。各固体撮像素子10は、積層されたPD100、200、300と、複数の画素トランジスタ(例えばMOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタ)(図示省略)とを有している。さらに詳細には、当該画素トランジスタは、例えば、転送トランジスタ、選択トランジスタ、リセットトランジスタ、及び、増幅トランジスタ等を含むことができる。なお、各固体撮像素子10における等価回路(接続構成)の詳細については、後述する。
垂直駆動回路部32は、例えばシフトレジスタによって形成され、画素駆動配線を選択し、選択された画素駆動配線に、固体撮像素子10を駆動するためのパルスを供給し、行単位で固体撮像素子10を駆動する。すなわち、垂直駆動回路部32は、画素アレイ部2の各固体撮像素子10を行単位で順次垂直方向(図2中の上下方向)に選択走査し、各固体撮像素子10のPD100、200、300の受光量に応じて生成された電荷に基づく画素信号を、垂直信号線を通して後述するカラム信号処理回路部36に供給する。
カラム信号処理回路部36は、固体撮像素子10の列ごとに配置されており、1行分の固体撮像素子10のPD100、200、300から出力される画素信号に対して列ごとにノイズ除去等の信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路部36は、固体撮像素子10固有の固定パターンノイズを除去するためにCDS(Correlated Double Sampling:相関2重サンプリング)及びAD(Analog-Degital)変換等の信号処理を行う。
次に、本実施形態に係る固体撮像素子10の等価回路について、図3を参照して説明する。図3は、本実施形態に係る固体撮像素子10の等価回路図である。すなわち、図2において矩形によって示される固体撮像素子10内は、図3示す等価回路で構成される。
次に、本実施形態に係る固体撮像素子10のレイアウト構成について、図4を参照して説明する。図4は、本実施形態に係る固体撮像素子10のレイアウト図であり、詳細には、固体撮像素子10の積層構造における各層を、入射面の上方から見た場合の図である。すなわち、図4の左側には、固体撮像素子10の積層構造の一番上に位置するPD100のレイアウトが示され、図4の中央には、積層構造の真ん中に位置するPD200のレイアウトが示され、図4の右側には、積層構造の一番下に位置するPD300のレイアウトが示されている。
次に、図5を参照して、上述の第1の実施形態を変形した、本開示の第2の実施形態に係る固体撮像素子10aの積層構造について説明する。図5は、本実施形態に係る固体撮像素子10aの断面図である。なお、以下の説明においては、上述した第1の実施形態と共通する点については説明を省略し、当該第1の実施形態と異なる点について説明する。
次に、図6を参照して、上述の第1の実施形態を変形した、本開示の第6の実施形態に係る固体撮像素子10bの積層構造について説明する。図6は、本実施形態に係る固体撮像素子10bの断面図である。なお、以下の説明においては、上述した第1の実施形態と共通する点については説明を省略し、当該第1の実施形態と異なる点について説明する。
ここで、本開示の第4の実施形態として、上述した第1及び第3の実施形態を踏まえて、固体撮像素子10の積層構造を検討する。以下の説明においては、図7、図8A及び図8Bを参照して、各種の固体撮像素子10の積層構造を検討する。図7は、本実施形態に係る固体撮像素子10、10bの積層構造の模式図であり、詳細には、3つのPD100、200、300を有する固体撮像素子10、10bの積層構造の模式図を、比較例に係る固体撮像素子90aと対比させて示している。また、図8A及び図8Bは、本実施形態に係る固体撮像素子12、12b、12c、12dの積層構造の模式図であり、詳細には、4つのPD100、200、300、400を有する固体撮像素子12、12b、12c、12dの積層構造の模式図を、比較例に係る固体撮像素子92aと対比させて示している。
次に、図9から図18を参照して、本開示の第5の実施形態として、上述の第1の実施形態に係る固体撮像素子10の製造方法について説明する。図9から図18は、本実施形態に係る固体撮像素子10の製造方法を説明するための説明図である。
次に、本開示の第6の実施形態として、上述の第5の実施形態に係る製造方法とは異なる、固体撮像素子10の製造方法について説明する。
ところで、PD100及びPD200においては、例えば、共通電極102、202等のように同じ配線に接続される場合がある(図3参照)。例えば、PD200の共通電極202に電気的に接続された配線430(図21参照)は、PD100の共通電極102と電気的に接続されるために、共通電極202からその上方に向かって延伸するように設けられることがある。このような場合、上記配線430の形成により、上方に位置するPD100の光電変換膜104や半導体層106にダメージが与えられる可能性がある。そこで、このようなダメージを避けるために、以下に説明するように、PD100の端部を階段状に形成して、上記配線430がPD100の光電変換膜104や半導体層106を貫通するような形状になることを避けることが考えられる。
ここで、本開示の各実施形態に係る固体撮像素子10における上方に位置するPD100と電気的に接続される画素トランジスタの配置について検討する。先に説明したように、固体撮像素子10の特性を向上させるためには、上方に位置するPD100と下方に位置するPD300との距離をより短くすることが好ましい。従って、PD100と電気的に接続される画素トランジスタや配線等は、PD100とPD200との間ではなく、PD100の上方に設けられることが好ましい。そこで、以下に説明する本実施形態においては、PD100と電気的に接続される画素トランジスタ等をPD100の上方に設けた、固体撮像素子10c、10dについて説明する。
まずは、図24及び図25を参照して、本実施形態に係る固体撮像素子10c、10dの積層構造について説明する。図24は、本実施形態に係る固体撮像素子10cの断面図であり、図25は、本実施形態に係る固体撮像素子10dの断面図である。
次に、本実施形態に係る固体撮像素子10c、10dのレイアウト構成について、図26及び図27を参照して説明する。図26は、本実施形態に係る固体撮像素子10cのレイアウト図であり、図27は、本実施形態に係る固体撮像素子10dのレイアウト図である。
次に、図28から図30を参照して、本開示の第9の実施形態として、上述の第8の実施形態に係る固体撮像素子10cの製造方法について説明する。図28から図30は、本実施形態に係る固体撮像素子10cの製造方法を説明するための説明図である。
ところで、光電変換膜104、204は、先に説明したように、熱に弱いため、上述のように、PD100の上方に、画素トランジスタ/配線層700を形成した場合には、画素トランジスタ/配線層700を形成する際に印加される熱により、光電変換膜104、204にダメージが与えられる恐れがある。そこで、本実施形態においては、別の半導体基板760(図31参照)上に形成した、複数の画素トランジスタ710(図31参照を含む画素トランジスタ/配線層700を、PD100等が積層された半導体基板500に貼りあわせる方法を提案する。このような方法を採用することにより、本実施形態においては、画素トランジスタ/配線層700に含まれる画素トランジスタ710を半導体基板500とは異なる工程で予め形成することができることから、高温プロセスが使用することができる。その結果、本実施形態によれば、画素トランジスタ710の品質を向上させることができる。
上述した本開示の実施形態に係る固体撮像装置1は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に固体撮像素子を用いる複写機等、画像取込部に撮像装置を用いる電子機器全般に対して適用可能である。さらに、本開示の実施形態は、上述の固体撮像装置1を含むロボット、ドローン、自動車、医療機器(内視鏡)等にも適用可能である。なお、本実施形態に係る固体撮像装置1は、ワンチップとして形成された形態であってもよく、撮像部と信号処理部又は光学系とが1つにパッケージングされた撮像機能を有するモジュールの形態であってもよい。以下に、上述した固体撮像装置1を有する撮像装置902を含む電子機器900の一例を、本開示の第11の実施形態として、図38を参照して説明する。図38は、本実施形態に係る電子機器900の一例を示す説明図である。
以上説明したように、本開示の実施形態によれば、特性向上を可能にする、固体撮像素子、固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法を提供することができる。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
本開示に係る技術(本技術)は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
(1)
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を有する積層構造を備え、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
固体撮像素子。
(2)
前記第1の光電変換部の前記光電変換積層構造は、前記第2の光電変換部の前記光電変換積層構造を、前記垂直面を軸として反転させた構造を有する、上記(1)に記載の固体撮像素子。
(3)
前記光電変換積層構造は、
前記光電変換膜と前記読み出し電極とに挟まれた半導体層をさらに有する、
上記(1)又は(2)に記載の固体撮像素子。
(4)
前記光電変換積層構造は、
絶縁膜を介して、前記光電変換膜の、前記共通電極とは反対側に位置する第1の面と対向する、蓄積電極をさらに有する、
上記(1)~(3)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(5)
前記光電変換積層構造は、
前記絶縁膜を介して、前記第1の面と対向する、電荷の転送を制御する転送電極をさらに有する、
上記(4)に記載の固体撮像素子。
(6)
前記光電変換積層構造は、
前記絶縁膜を介して、前記第1の面と対向する、シールド電極をさらに有する、
上記(4)又は(5)に記載の固体撮像素子。
(7)
前記第1の光電変換部の前記光電変換積層構造は、
第1の読み出し電極と、
前記第1の読み出し電極の上方に設けられた第1の光電変換膜と、
前記第1の光電変換膜の上方に設けられた第1の共通電極と、
を有し、
前記第2の光電変換部の前記光電変換積層構造は、
第2の共通電極と、
前記第2の共通電極の上方に設けられた第2の光電変換膜と、
前記第2の光電変換膜の上方に設けられた第2の読み出し電極と、
を有する、
上記(1)~(6)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(8)
前記第1の共通電極及び前記第2の共通電極は、前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とに共通する一体の電極である、上記(7)に記載の固体撮像素子。
(9)
前記積層構造は、
前記第1の光電変換部の下方に設けられた、光を電荷に変換する第3の光電変換部をさらに有する、
上記(7)又は(8)に記載の固体撮像素子。
(10)
前記積層構造は、
前記第2の光電変換部の上方に設けられ、前記第2の光電変換部と電気的に接続された複数の画素トランジスタを含む第1の制御部をさらに有する、
上記(9)に記載の固体撮像素子。
(11)
前記第1の制御部は、他の半導体層を含み、
前記他の半導体層は、入射面の上方から見た場合、前記第2の光電変換部の一部を露出する開口部を有する、
上記(10)に記載の固体撮像素子。
(12)
前記積層構造は、
前記第2の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第3の光電変換部と、
前記第2の光電変換部と前記第3の光電変換部とに挟まれるように設けられ、前記第2及び第3の光電変換部と電気的に接続された複数の画素トランジスタを含む第2の制御部と、をさらに有する、
上記(7)又は(8)に記載の固体撮像素子。
(13)
前記第3の光電変換部は、
第3の読み出し電極と、
前記第3の読み出し電極の上方に設けられた第3の光電変換膜と、
前記第3の光電変換膜の上方に設けられた第3の共通電極と、
を有する、
上記(9)~(12)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(14)
前記第1、第2及び第3の光電変換膜は、有機系光電変換膜からなる、上記(13)に記載の固体撮像素子。
(15)
前記第2の共通電極は、前記第2の光電変換膜と比べて、前記垂直面の延伸する方向の沿って長く延び、
積層する前記第2の光電変換膜と前記第2の共通電極とは、端部において階段形状をなす、
上記(7)に記載の固体撮像素子。
(16)
前記半導体基板は、光を電荷に変換する第4の光電変換部を含む、上記(1)~(15)のいずれか1つに記載の固体撮像素子。
(17)
複数の固体撮像素子を備える固体撮像装置であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を有する積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
固体撮像装置。
(18)
複数の固体撮像素子を有する固体撮像装置を含む電子機器であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
を有する積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
電子機器。
(19)
第1の基板の上方に、第1の読み出し電極と、第1の光電変換膜と、第1の共通電極とを順次積層し、
第2の基板の上方に、第2の読み出し電極と、第2の光電変換膜と、第2の共通電極とを順次積層し、
前記第1及び第2の共通電極が互いに向かい合うように、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼りあわせる、
ことを含む、固体撮像素子の製造方法。
(20)
光を電荷に変換する第1及び第2の光電変換部が積層された第3の基板と、複数の画素トランジスタが形成された第4の基板とを貼りあわせ、
所定の領域に位置する前記複数の画素トランジスタを除去する、
ことを含む、固体撮像素子の製造方法。
(21)
前記第3の基板の平面上に、第1の間隔で、複数の前記第2の光電変換部を形成し、
前記第4の基板の平面上に、前記第1の間隔に比べて短い第2の間隔で、前記複数の画素トランジスタを形成する、
ことをさらに含む、上記(20)に記載の固体撮像素子の製造方法。
2 画素アレイ部
10、10a、10b、10c、10d、12、12b、12c、12d、90、90a、92a 固体撮像素子
32 垂直駆動回路部
36 カラム信号処理回路部
100、200、300、400 光電変換素子
102、202 共通電極
104、204 光電変換膜
106、206、702 半導体層
108、208 読み出し電極
110、210 蓄積電極
120、220 転送電極
130、230 シールド電極
210a 透明導電膜
250 オンチップレンズ
252 高屈折率層
340、342、344、346、346a、346b、540、542、642、740 絶縁膜
402 反射防止膜
430、522、530、630、730 配線
500、600、750、760 半導体基板
500a、600a 貼りあわせ面
502、512、514、714 半導体領域
514a フローティングディフュージョン部
520 貫通電極
532、632、732 電極
700 画素トランジスタ/配線層
710 画素トランジスタ
800、802、804 開口部
900 電子機器
902 撮像装置
910 光学レンズ
912 シャッタ機構
914 駆動回路ユニット
916 信号処理回路ユニット
950 領域
Claims (18)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の下方に設けられた、光を電荷に変換する第3の光電変換部と、
前記第2の光電変換部の上方に設けられ、前記第2の光電変換部と電気的に接続された複数の画素トランジスタを含む第1の制御部と、
を有する積層構造を備え、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
固体撮像素子。 - 前記第1の光電変換部の前記光電変換積層構造は、前記第2の光電変換部の前記光電変換積層構造を、前記垂直面を軸として反転させた構造を有する、請求項1に記載の固体撮像素子。
- 前記光電変換積層構造は、
前記光電変換膜と前記読み出し電極とに挟まれた半導体層をさらに有する、
請求項1又は2に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換積層構造は、
絶縁膜を介して、前記光電変換膜の、前記共通電極とは反対側に位置する第1の面と対向する、蓄積電極をさらに有する、
請求項1~3のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換積層構造は、
前記絶縁膜を介して、前記第1の面と対向する、電荷の転送を制御する転送電極をさらに有する、
請求項4に記載の固体撮像素子。 - 前記光電変換積層構造は、
前記絶縁膜を介して、前記第1の面と対向する、シールド電極をさらに有する、
請求項4又は5に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の光電変換部の前記光電変換積層構造は、
第1の読み出し電極と、
前記第1の読み出し電極の上方に設けられた第1の光電変換膜と、
前記第1の光電変換膜の上方に設けられた第1の共通電極と、
を有し、
前記第2の光電変換部の前記光電変換積層構造は、
第2の共通電極と、
前記第2の共通電極の上方に設けられた第2の光電変換膜と、
前記第2の光電変換膜の上方に設けられた第2の読み出し電極と、
を有する、
請求項1~6のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記第1の共通電極及び前記第2の共通電極は、前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とに共通する一体の電極である、請求項7に記載の固体撮像素子。
- 前記第1の制御部は、他の半導体層を含み、
前記他の半導体層は、入射面の上方から見た場合、前記第2の光電変換部の一部を露出する開口部を有する、
請求項1~8のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
前記第2の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第3の光電変換部と、
前記第2の光電変換部と前記第3の光電変換部とに挟まれるように設けられ、前記第2及び第3の光電変換部と電気的に接続された複数の画素トランジスタを含む第2の制御部と、
を有する積層構造を備え、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
固体撮像素子。 - 前記第3の光電変換部は、
第3の読み出し電極と、
前記第3の読み出し電極の上方に設けられた第3の光電変換膜と、
前記第3の光電変換膜の上方に設けられた第3の共通電極と、
を有する、
請求項1~10のいずれか1項に記載の固体撮像素子。 - 前記第1、第2及び第3の光電変換膜は、有機系光電変換膜からなる、請求項11に記載の固体撮像素子。
- 前記第2の共通電極は、前記第2の光電変換膜と比べて、前記垂直面の延伸する方向の沿って長く延び、
積層する前記第2の光電変換膜と前記第2の共通電極とは、端部において階段形状をなす、
請求項7に記載の固体撮像素子。 - 前記半導体基板は、光を電荷に変換する第4の光電変換部を含む、請求項1~13のいずれか1項に記載の固体撮像素子。
- 複数の固体撮像素子を備える固体撮像装置であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の下方に設けられた、光を電荷に変換する第3の光電変換部と、
前記第2の光電変換部の上方に設けられ、前記第2の光電変換部と電気的に接続された複数の画素トランジスタを含む第1の制御部と、
を有する積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
固体撮像装置。 - 複数の固体撮像素子を有する固体撮像装置を含む電子機器であって、
前記各固体撮像素子は、
半導体基板の上方に設けられた、光を電荷に変換する第1の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の上方に設けられた、光を電荷に変換する第2の光電変換部と、
前記第1の光電変換部の下方に設けられた、光を電荷に変換する第3の光電変換部と、
前記第2の光電変換部の上方に設けられ、前記第2の光電変換部と電気的に接続された複数の画素トランジスタを含む第1の制御部と、
を有する積層構造を有し、
前記第1及び第2の光電変換部が、互いに、前記積層構造の積層方向に対して垂直な垂直面を対称軸とした線対称の関係となるように、前記第1及び第2の光電変換部は、共通電極と、光電変換膜と、読み出し電極とが積層された光電変換積層構造を有する、
電子機器。 - 光を電荷に変換する第1及び第2の光電変換部が積層された第3の基板と、複数の画素トランジスタが形成された第4の基板とを貼りあわせ、
所定の領域に位置する前記複数の画素トランジスタを除去する、
ことを含む、固体撮像素子の製造方法。 - 前記第3の基板の平面上に、第1の間隔で、複数の前記第2の光電変換部を形成し、
前記第4の基板の平面上に、前記第1の間隔に比べて短い第2の間隔で、前記複数の画素トランジスタを形成する、
ことをさらに含む、請求項17に記載の固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2024002223A JP2024045201A (ja) | 2018-06-15 | 2024-01-11 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018114469 | 2018-06-15 | ||
JP2018114469 | 2018-06-15 | ||
PCT/JP2019/023068 WO2019240121A1 (ja) | 2018-06-15 | 2019-06-11 | 固体撮像素子、固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024002223A Division JP2024045201A (ja) | 2018-06-15 | 2024-01-11 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019240121A1 JPWO2019240121A1 (ja) | 2021-07-08 |
JP7420713B2 true JP7420713B2 (ja) | 2024-01-23 |
Family
ID=68841970
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020525583A Active JP7420713B2 (ja) | 2018-06-15 | 2019-06-11 | 固体撮像素子、固体撮像装置、電子機器、及び、固体撮像素子の製造方法 |
JP2024002223A Pending JP2024045201A (ja) | 2018-06-15 | 2024-01-11 | 固体撮像素子 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2024002223A Pending JP2024045201A (ja) | 2018-06-15 | 2024-01-11 | 固体撮像素子 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11974444B2 (ja) |
EP (1) | EP3809466A4 (ja) |
JP (2) | JP7420713B2 (ja) |
CN (1) | CN112088430B (ja) |
WO (1) | WO2019240121A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US12009379B2 (en) * | 2017-05-01 | 2024-06-11 | Visera Technologies Company Limited | Image sensor |
JP2022049487A (ja) * | 2020-09-16 | 2022-03-29 | ソニーグループ株式会社 | 固体撮像装置及び電子機器 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288404A (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Olympus Corp | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
JP2014116380A (ja) | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Sony Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器 |
JP2017037952A (ja) | 2015-08-10 | 2017-02-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2017098513A (ja) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社ニコン | 撮像素子、撮像装置および焦点調節装置 |
JP2017157816A (ja) | 2016-03-01 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP2017183992A (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | リコーイメージング株式会社 | 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4255527B2 (ja) * | 1997-10-20 | 2009-04-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2005268479A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像装置 |
US7400023B2 (en) * | 2004-03-18 | 2008-07-15 | Fujifilm Corporation | Photoelectric converting film stack type solid-state image pickup device and method of producing the same |
JP2005353626A (ja) | 2004-06-08 | 2005-12-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法 |
JP2006269922A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 単板式カラー固体撮像素子 |
JP2007067194A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
TW200919758A (en) * | 2007-10-22 | 2009-05-01 | Univ Nat Taiwan | An organic light emitting diode display device with energy-recycling capability |
EP2404483B1 (en) * | 2009-03-05 | 2019-08-28 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | Organic light emitting diode device comprising a sequence of serially connected organic light emitting diode segments |
JP2013055252A (ja) | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
WO2014027588A1 (ja) | 2012-08-14 | 2014-02-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置および電子機器 |
JP6317548B2 (ja) | 2013-04-10 | 2018-04-25 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
JP2016058559A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器 |
JP6926450B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2021-08-25 | ソニーグループ株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置 |
JP7027175B2 (ja) * | 2018-01-16 | 2022-03-01 | キヤノン株式会社 | 半導体装置および機器 |
-
2019
- 2019-06-11 JP JP2020525583A patent/JP7420713B2/ja active Active
- 2019-06-11 US US16/973,272 patent/US11974444B2/en active Active
- 2019-06-11 WO PCT/JP2019/023068 patent/WO2019240121A1/ja active Application Filing
- 2019-06-11 CN CN201980029961.6A patent/CN112088430B/zh active Active
- 2019-06-11 EP EP19819237.9A patent/EP3809466A4/en active Pending
-
2024
- 2024-01-11 JP JP2024002223A patent/JP2024045201A/ja active Pending
- 2024-04-09 US US18/630,800 patent/US20240260285A1/en active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008288404A (ja) | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Olympus Corp | 光電変換膜積層型固体撮像素子 |
JP2014116380A (ja) | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Sony Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器 |
JP2017037952A (ja) | 2015-08-10 | 2017-02-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2017098513A (ja) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 株式会社ニコン | 撮像素子、撮像装置および焦点調節装置 |
JP2017157816A (ja) | 2016-03-01 | 2017-09-07 | ソニー株式会社 | 撮像素子、積層型撮像素子及び固体撮像装置、並びに、固体撮像装置の駆動方法 |
JP2017183992A (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | リコーイメージング株式会社 | 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3809466A4 (en) | 2021-07-28 |
TW202018927A (zh) | 2020-05-16 |
EP3809466A1 (en) | 2021-04-21 |
CN112088430B (zh) | 2024-08-16 |
US11974444B2 (en) | 2024-04-30 |
US20240260285A1 (en) | 2024-08-01 |
JPWO2019240121A1 (ja) | 2021-07-08 |
WO2019240121A1 (ja) | 2019-12-19 |
JP2024045201A (ja) | 2024-04-02 |
CN112088430A (zh) | 2020-12-15 |
US20210249474A1 (en) | 2021-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7359766B2 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像装置、及び、固体撮像素子の読み出し方法 | |
JP7524082B2 (ja) | 撮像素子および撮像装置 | |
US20240313013A1 (en) | Solid-state imaging element and manufacturing method thereof | |
US20240260285A1 (en) | Solid-state image sensor, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing solid-state image sensor | |
WO2020022349A1 (ja) | 固体撮像素子、固体撮像装置及び固体撮像素子の製造方法 | |
US11990497B2 (en) | Solid-state imaging element and electronic device | |
WO2022249595A1 (ja) | 光電変換素子および撮像装置 | |
JP7441785B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
TWI846699B (zh) | 固體攝像元件、固體攝像裝置、電子機器及固體攝像元件之製造方法 | |
WO2021100605A1 (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 | |
WO2024048488A1 (ja) | 固体撮像装置 | |
CN118575604A (zh) | 光电转换元件、光检测器和电子设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230704 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240111 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7420713 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |