JP7373644B2 - 透過及び反射光を組み合わせた半導体素子の内部クラックの撮像 - Google Patents
透過及び反射光を組み合わせた半導体素子の内部クラックの撮像 Download PDFInfo
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Description
本出願は、2019年7月23日出願の米国仮特許出願第62/877,675号に対する優先権を主張するものであり、その開示内容を本明細書に引用している。
Claims (19)
- 真空ポンプと、
前記真空ポンプと流体連通するノズルであってワークピースを保持すべく構成されたノズルと、
前記ノズルを移動すべく構成されたノズルアクチュエータと、
検査モジュールであって、
第1の光源と、
第2の光源と、
前記第1の光源から光を受光すべく配置された第1の鏡であって前記第1の光源からの光をワークピースの外表面へ向ける第1の鏡と、
前記第2の光源からの光を受光すべく配置された第2の鏡であって前記第2の光源からの光をワークピースの外表面へ向ける第2の鏡と、
前記第1の光源と前記第1の鏡の間に配置された第1のハーフミラーであって前記ワークピースの外表面から反射された前記第1の光源からの光、及び前記ワークピースを貫通して透過された前記第2の光源からの光を受光する第1のハーフミラーと、
前記第2の光源と前記第2の鏡の間に配置された第2のハーフミラーであって前記ワークピースの外表面から反射された前記第2の光源からの光、及び前記ワークピースを貫通して透過された前記第1の光源からの光を受光する第2のハーフミラーと、
前記第1の光源及び前記第2の光源からの光を受光するカメラと、
前記第1のハーフミラーからの光を前記カメラへ向けるべく配置された第3の鏡と、
前記第2のハーフミラーからの光を前記カメラへ向けるべく配置された第4の鏡を含む検査モジュールを含むシステム。 - 前記第1の光源及び前記第2の光源がLEDである、請求項1に記載のシステム。
- 前記カメラと前記第3の鏡と前記第4の鏡の間に配置された少なくとも1個の光学レンズから更に含んでいる、請求項1に記載のシステム。
- 前記カメラを前記第3の鏡及び前記第4の鏡に相対的に移動させるべく構成されたカメラアクチュエータを更に含んでいる、請求項1に記載のシステム。
- 前記第1の鏡及び前記第2の鏡が前記ワークピースの外表面の両側面に対向して配置されている、請求項1に記載のシステム。
- 2つの鏡を有する第2の検査モジュールを更に含み、前記第2の検査モジュール内の前記2つの鏡が、それぞれ前記検査モジュールの前記第1の鏡及び前記第2の鏡に対して90°の角度に配置されている、請求項1に記載のシステム。
- 前記ノズルアクチュエータが、前記ワークピースを前記検査モジュールと前記第2の検査モジュールの間で移動させるべく構成されている、請求項6に記載のシステム。
- 第1の光源からの光を第1の検査モジュール内のワークピースの外表面へ向けるステップと、
前記ワークピースの外表面から反射された前記第1の光源からの光をカメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースの外表面から反射された前記第1の光源からの光が第1の鏡及び第1のハーフミラーを介して前記カメラへ向けられるステップと、
前記ワークピースを貫通して透過された前記第1の光源からの光をカメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースを貫通して透過された前記第1の光源からの光が第2の鏡及び第2のハーフミラーを介して前記カメラへ向けられるステップを含み、
第2の光源からの光を前記第1の検査モジュール内の前記第1の光源から180°に位置するワークピースの外表面上の点へ向けるステップと、
前記ワークピースの外表面から反射された前記第2の光源からの光を前記カメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースの外表面から反射された前記第2の光源からの光が前記第2の鏡及び前記第2のハーフミラーを介して前記カメラへ向けられるステップと、
前記ワークピースを貫通して透過された前記第2の光源からの光を前記カメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースを貫通して透過された前記第2の光源からの光が前記第1の鏡及び前記第1のハーフミラーを介してカメラへ向けられるステップを更に含む方法。 - 前記カメラを用いて、前記ワークピースの外表面から反射された前記第1の光源からの光の画像と、前記ワークピースを貫通して透過された前記第1の光源からの光の画像を前記カメラのセンサの1回の露光で取得するステップを更に含んでいる、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の検査モジュール内で第2の光源からの光を前記第1の光源から180°に位置するワークピースの外表面上の点へ向けるステップを更に含み、前記第2の光源から光を向けるステップが、前記第1の光源から光を向けるステップと同時であり、前記第2の光源からの光の強度は前記第1の光源の光よりも低い、請求項8に記載の方法。
- 前記カメラを用いて、前記ワークピースの外表面から反射された前記第2の光源からの光の画像と、前記ワークピースを貫通して透過された前記第2の光源からの光の画像を前記カメラのセンサの1回の露光で取得するステップを更に含んでいる、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の光源からの光を前記第1の検査モジュール内の前記第2の光源から180°に位置するワークピースの外表面上の点へ向けるステップにおいて、前記第1の光源から光を向けるステップが前記第2の光源から光を向けるステップと同時であり、前記第1の光源からの光の強度が第2の光源からの光よりも低い、請求項8に記載の方法。
- 前記カメラ及び/又は前記第1の鏡、前記第1のハーフミラー、及び前記第1の光源の位置を調整することにより前記ワークピース内に焦点面を配置するステップを更に含んでいる、請求項8に記載の方法。
- 前記第1の光源からの光の波長を調整することにより前記ワークピース内の前記第1の光源からの光の進入深さを調整するステップを更に含んでいる、請求項8に記載の方法。
- 前記ワークピースを真空ポンプと流体連通するノズルに配置するステップと、ノズルアクチュエータを用いて前記ノズル上で前記ワークピースを前記第1の鏡に相対的に移動させるステップを更に含んでいる、請求項8に記載の方法。
- 前記ワークピースを前記第1の検査モジュールから第2の検査モジュールへ移動させるステップを更に含んでいる、請求項15に記載の方法。
- 第1の光源からの光を第2の検査モジュール内の前記ワークピースの外表面へ向けるステップと、
前記ワークピースの外表面から反射された前記第1の光源からの光を前記第2の検査モジュール内の前記カメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースの外表面から反射された前記第1の光源からの光が前記第2の検査モジュール内の第1の鏡及び第1のハーフミラーを介して前記第2の検査モジュール内の前記カメラへ向けられるステップと、
前記ワークピースを貫通して透過された前記第1の光源からの光を前記第2の検査モジュール内の前記カメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースを貫通して透過された前記第1の光源からの光が前記第2の検査モジュール内の第2の鏡及び第2のハーフミラーを介して前記第2の検査モジュール内の前記カメラへ向けられるステップを更に含み、
前記第2の検査モジュールの前記第1の鏡及び前記第2の鏡が各々、前記第1の検査モジュールの前記第1の鏡及び前記第2の鏡に対して90°の角度に配置されている、請求項16に記載の方法。 - 第2の光源からの光を前記第2の検査モジュール内の前記第1の光源から180°に位置するワークピースの外表面上の点へ向けるステップと、
前記ワークピースの外表面から反射された前記第2の光源からの光を前記第2の検査モジュール内の前記カメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースの外表面から反射された前記第2の光源からの光が前記第2の検査モジュール内の前記第2の鏡及び前記第2のハーフミラーを介して第2の検査モジュール内の前記カメラへ向けられるステップと、
前記ワークピースを貫通して透過された前記第2の光源からの光を前記第2の検査モジュール内の前記カメラで受光するステップにおいて、前記ワークピースを貫通して透過された前記第2の光源からの光が前記第2の検査モジュール内の前記第1の鏡及び前記第1のハーフミラーを介して前記第2の検査モジュール内の前記カメラへ向けられるステップを更に含んでいる、請求項17に記載の方法。 - 前記ワークピースがシリコン、窒化ガリウム、又はヒ化ガリウムのいずれかで作られている、請求項8に記載の方法。
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20210288195A1 (en) * | 2020-03-13 | 2021-09-16 | SWIR Vision Systems Inc. | Colloidal Quantum Dot (CQD) Photodetectors and Related Devices |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294604A (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 外観検査装置及び外観検査方法 |
JP2008267851A (ja) | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Ushio Inc | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
JP2009192249A (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Hoya Corp | 被検レンズの透過波面収差測定方法及び装置 |
WO2009139189A1 (ja) | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 株式会社ニコン | 位置検出装置、基板重ね合わせ装置、及び光軸合わせ方法 |
JP2017166903A (ja) | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社大真空 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2018088423A1 (ja) | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 光学検査装置 |
JP2019109081A (ja) | 2017-12-15 | 2019-07-04 | キヤノン株式会社 | 積層膜の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63133046A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 検査用照明器具 |
JPH0221251A (ja) * | 1988-07-08 | 1990-01-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面検査装置 |
JP3673626B2 (ja) | 1997-10-24 | 2005-07-20 | Hoya株式会社 | 透光性物質の不均一性検査方法及びその装置 |
JP3883153B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2007-02-21 | 松下電器産業株式会社 | X線基板検査装置 |
JP3014684B1 (ja) * | 1998-12-01 | 2000-02-28 | シーシーエス株式会社 | 側面検査装置 |
JP3548138B2 (ja) | 2001-07-11 | 2004-07-28 | ミネベア株式会社 | リニアアクチェータ用のリードスクリュー |
CN1510413A (zh) * | 2002-12-26 | 2004-07-07 | 南开大学 | 光学参数测量装置 |
DE102004029212B4 (de) * | 2004-06-16 | 2006-07-13 | Leica Microsystems Semiconductor Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur optischen Auf- und/oder Durchlichtinspektion von Mikrostrukturen im IR |
JP4884738B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2012-02-29 | 株式会社日本マイクロニクス | 液晶パネル検査装置 |
JP2007187630A (ja) * | 2006-01-16 | 2007-07-26 | Sony Corp | パターンの欠陥検出方法およびパターンの欠陥検出装置 |
JP2011033449A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Sumco Corp | ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
JP2011038947A (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-24 | Lasertec Corp | 欠陥検査装置及び画像表示方法 |
CN101650155A (zh) | 2009-08-14 | 2010-02-17 | 秦拓微电子技术(上海)有限公司 | 等光程五面视觉检测技术 |
DE102009050711A1 (de) * | 2009-10-26 | 2011-05-05 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Detektion von Rissen in Halbleitersubstraten |
TWI412736B (zh) | 2009-12-04 | 2013-10-21 | Delta Electronics Inc | 基板內部缺陷檢查裝置及方法 |
JP2013007588A (ja) * | 2011-06-23 | 2013-01-10 | Aisin Seiki Co Ltd | 欠陥検出装置およびその方法 |
JP5824984B2 (ja) * | 2011-09-06 | 2015-12-02 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池セル検査装置 |
US9509112B2 (en) * | 2013-06-11 | 2016-11-29 | Kla-Tencor Corporation | CW DUV laser with improved stability |
JP6226319B2 (ja) * | 2013-10-04 | 2017-11-08 | レーザーテック株式会社 | 検査装置 |
JP6491425B2 (ja) * | 2014-05-21 | 2019-03-27 | Towa株式会社 | 電子部品パッケージ側面撮影装置 |
KR102386192B1 (ko) | 2014-12-05 | 2022-04-12 | 케이엘에이 코포레이션 | 워크 피스들에서의 결함 검출을 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품 |
EP3281219B1 (en) | 2015-06-05 | 2021-09-29 | KLA - Tencor Corporation | Apparatus, method and computer program product for inspection of at least side faces of semiconductor devices |
DE102016011497B4 (de) * | 2016-09-21 | 2019-01-24 | Mühlbauer Gmbh & Co. Kg | Optische Untersuchungseinrichtung und optisches Untersuchungsverfahren mit sichtbarem und infrarotem Licht für Halbleiterbauteile |
KR101755615B1 (ko) | 2016-11-14 | 2017-07-19 | 주식회사 인스풀 | 광학 장치 및 이를 포함하는 광학 검사 장치 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294604A (ja) | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 外観検査装置及び外観検査方法 |
JP2008267851A (ja) | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Ushio Inc | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
JP2009192249A (ja) | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Hoya Corp | 被検レンズの透過波面収差測定方法及び装置 |
WO2009139189A1 (ja) | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 株式会社ニコン | 位置検出装置、基板重ね合わせ装置、及び光軸合わせ方法 |
JP2017166903A (ja) | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社大真空 | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
WO2018088423A1 (ja) | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 光学検査装置 |
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