JP7281247B1 - Substrate alignment method - Google Patents

Substrate alignment method Download PDF

Info

Publication number
JP7281247B1
JP7281247B1 JP2023047116A JP2023047116A JP7281247B1 JP 7281247 B1 JP7281247 B1 JP 7281247B1 JP 2023047116 A JP2023047116 A JP 2023047116A JP 2023047116 A JP2023047116 A JP 2023047116A JP 7281247 B1 JP7281247 B1 JP 7281247B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
light source
imaging unit
alignment
imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023047116A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2023138939A (en
Inventor
大木敬介
任潮群
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Xinhuilian Semiconductor Technology Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Xinhuilian Semiconductor Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Xinhuilian Semiconductor Technology Co Ltd filed Critical Suzhou Xinhuilian Semiconductor Technology Co Ltd
Application granted granted Critical
Publication of JP7281247B1 publication Critical patent/JP7281247B1/en
Publication of JP2023138939A publication Critical patent/JP2023138939A/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

【課題】撮像部の撮像精度を高めて、基板同士の接合精度を向上できる基板のアライメント方法を提供する。【解決手段】第１基板１４が撮像部２２の焦点深度の範囲内であり、かつ第２基板１６が上記焦点深度の範囲外とした状態で、かつ第１光源２３を点灯させた状態で、撮像部２２が第１基板１４のアライメントマークを撮像して第１基板１４をプリ・アライメントする工程と、第１基板１４が撮像部２２の焦点深度の範囲外であり、かつ第２基板１６が上記焦点深度の範囲内とした状態で、かつ第２光源３４を点灯させた状態で、第２基板１６のアライメントマークを撮像して第２基板１６をプリ・アライメントする工程と、を含む。【選択図】 図４Kind Code: A1 A method of aligning substrates is provided that can improve the bonding accuracy between substrates by increasing the imaging accuracy of an imaging unit. A first substrate (14) is within the depth of focus range of an imaging unit (22), a second substrate (16) is outside the depth of focus range, and a first light source (23) is turned on, a step of pre-aligning the first substrate 14 by imaging the alignment mark of the first substrate 14 by the imaging unit 22; and pre-aligning the second substrate 16 by imaging the alignment marks of the second substrate 16 while the depth of focus is within the range and the second light source 34 is turned on. [Selection drawing] Fig. 4

Description

本発明は、例えば半導体ウェハやガラス基板等の基板同士を接合する基板のアライメント方法に関する。 The present invention relates to a substrate alignment method for bonding substrates such as semiconductor wafers and glass substrates.

従来から半導体ウェハやガラス基板等の基板同士を接合する技術が知られている。例えば、接合装置は、第１保持部と、第２保持部と、チャンバと、撮像部と、光源と、水平位置調整部と、制御部と、を備えている。第１保持部は、第１基板を吸着保持する。第２保持部は、第１基板に接合される第２基板を吸着保持する。撮像部は、チャンバの外部に配置され、チャンバの外部からチャンバ及び第１保持部に形成された貫通孔を介して第１基板及び第２基板に設けられたアライメントマークを撮像する。光源は、チャンバの外部に配置され、チャンバの外部からチャンバ及び第２保持部に形成された貫通孔を介して光を照射する。制御部は、チャンバの内部を減圧した状態で第１基板及び第２基板のアライメントマークを撮像する撮像処理を撮像部に対して実行させ、その後、撮像部の撮像結果に基づいて第１保持部の水平位置を調整する調整処理を水平位置調整部に対して実行させる。 2. Description of the Related Art Techniques for bonding substrates such as semiconductor wafers and glass substrates are conventionally known. For example, the bonding apparatus includes a first holding section, a second holding section, a chamber, an imaging section, a light source, a horizontal position adjusting section, and a control section. The first holding part sucks and holds the first substrate. The second holding part sucks and holds the second substrate bonded to the first substrate. The imaging unit is arranged outside the chamber, and images the alignment marks provided on the first substrate and the second substrate from the outside of the chamber through the through holes formed in the chamber and the first holding unit. The light source is arranged outside the chamber, and emits light from outside the chamber through the through holes formed in the chamber and the second holder. The control unit causes the imaging unit to perform an imaging process of imaging the alignment marks of the first substrate and the second substrate in a state in which the inside of the chamber is depressurized, and then controls the first holding unit based on the imaging result of the imaging unit. The horizontal position adjusting unit is caused to perform adjustment processing for adjusting the horizontal position of the .

特開２０１６－１３４４５９号公報JP 2016-134459 A

しかしながら、撮像部は、少なくともＺ軸方向に移動する構成であり、当該移動に伴い撮像精度が悪くなる傾向がある。この結果、基板同士の接合精度が低下する技術的課題があった。 However, the imaging unit is configured to move at least in the Z-axis direction, and there is a tendency for the imaging accuracy to deteriorate along with the movement. As a result, there is a technical problem that the bonding accuracy between the substrates is lowered.

そこで、本発明は、上記問題に鑑み、撮像部の撮像精度を高めて、基板同士の接合精度を向上できる基板のアライメント方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a substrate alignment method capable of improving the bonding accuracy between substrates by increasing the imaging accuracy of an imaging unit.

本発明は、第１基板と第２基板を接合させる基板のアライメント方法であって、撮像部の第１の位置で、前記第１基板が前記撮像部の焦点深度の範囲内であり、かつ前記第２基板が前記撮像部の焦点深度の範囲外とした状態で、かつ第１光源を点灯させた状態で、前記撮像部が前記第１基板のアライメントマークを撮像して前記第１基板をプリ・アライメントする第１基板のプリ・アライメント工程と、前記撮像部の第２の位置で、前記第１基板が前記撮像部の焦点深度の範囲外であり、かつ前記第２基板が前記撮像部の焦点深度の範囲内とした状態で、かつ第２光源を点灯させた状態で、前記第２基板のアライメントマークを撮像して前記第２基板をプリ・アライメントする第２基板のプリ・アライメント工程と、を含む。 The present invention provides a substrate alignment method for bonding a first substrate and a second substrate, wherein at a first position of an imaging unit, the first substrate is within a range of depth of focus of the imaging unit, and With the second substrate out of the range of the depth of focus of the imaging unit and with the first light source turned on, the imaging unit images the alignment marks of the first substrate to preprint the first substrate. In a pre-alignment step of the first substrate to be aligned and the second position of the imaging unit, the first substrate is outside the range of the depth of focus of the imaging unit, and the second substrate is in the imaging unit. a second substrate pre-alignment step of pre-aligning the second substrate by imaging alignment marks of the second substrate while the depth of focus is within the range and the second light source is turned on; ,including.

本発明によれば、撮像部の撮像精度を高めて、基板同士の接合精度を向上できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imaging precision of an imaging part can be improved, and the joining precision of board|substrates can be improved.

本発明の接合装置のプッシュピン構造が用いられる接合装置の構成図である。1 is a configuration diagram of a joining device in which the push pin structure of the joining device of the present invention is used; FIG. 本発明の接合装置のプッシュピン構造が設けられる第２保持部の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a second holding part provided with a push pin structure of the joining device of the present invention; 本発明の接合装置のプッシュピン構造が設けられる第２保持部の各プレートの分解図である。FIG. 4 is an exploded view of each plate of the second holding part provided with the push pin structure of the bonding device of the present invention; 本発明の接合装置で実行される基板の接合処理のフロー図である。FIG. 4 is a flowchart of substrate bonding processing performed by the bonding apparatus of the present invention.

本発明の一実施形態に係る接合装置のプッシュピン構造について説明する。 A push pin structure of a joining device according to an embodiment of the present invention will be described.

図１に示すように、接合装置１０は、半導体ウェハやガラス基板等の基板同士を接合させるための装置である。接合装置１０は、主として、筐体となるフレーム１２と、フレーム１２に設けられ第１基板１４を保持する第１保持部１８と、フレーム１２に設けられた撮像部２２と、第２基板１６を保持する第２保持部２０と、第２保持部２０に設けられ第２基板１６を第１基板１４側に押圧する押圧部２４（図２、図３参照）と、これらを制御する制御部（図示省略）と、を有している。なお、図１では第１基板１４と第２基板１６とが接合した状態を示す。 As shown in FIG. 1, a bonding apparatus 10 is an apparatus for bonding substrates such as semiconductor wafers and glass substrates. The bonding apparatus 10 mainly includes a frame 12 serving as a housing, a first holding section 18 provided on the frame 12 to hold the first substrate 14, an imaging section 22 provided on the frame 12, and a second substrate 16. a second holding portion 20 for holding; a pressing portion 24 (see FIGS. 2 and 3) provided in the second holding portion 20 for pressing the second substrate 16 toward the first substrate 14; (not shown). Note that FIG. 1 shows a state in which the first substrate 14 and the second substrate 16 are bonded.

第１基板１４及び第２基板１６は、例えば、半導体ウェハやガラス基板等の基板であるが、特に限定されるものではない。 The first substrate 14 and the second substrate 16 are, for example, substrates such as semiconductor wafers and glass substrates, but are not particularly limited.

フレーム１２は、接合装置１０の筐体となる構造体である。 The frame 12 is a structure that serves as a housing for the joining device 10 .

第１保持部１８は、フレーム１２に固定されて設けられている。第１保持部１８は、第１基板１４を保持する第１保持面１８Ａを有している。第１保持部１８による第１基板１４を保持する原理は、従来の接合装置における基板の吸着原理と同様である。 The first holding portion 18 is fixed to the frame 12 . The first holding portion 18 has a first holding surface 18A that holds the first substrate 14 . The principle of holding the first substrate 14 by the first holding part 18 is the same as the principle of adsorption of the substrate in the conventional bonding apparatus.

なお、第１保持面１８Ａは、本発明の「保持面」の一実施態様である。 The first holding surface 18A is one embodiment of the "holding surface" of the present invention.

具体的には、第１保持部１８は、例えば、静電チャック、加熱部、冷却部（いずれも図示省略）等を備えている。静電チャックは、内部電極と誘電体とを有し、内部電極に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて第１基板１４を第１保持面１８Ａに吸着させる。このため、当該第１保持面１８Ａは、第１基板１４の吸着面として機能する。 Specifically, the first holding unit 18 includes, for example, an electrostatic chuck, a heating unit, a cooling unit (all not shown), and the like. The electrostatic chuck has an internal electrode and a dielectric, and uses an electrostatic force generated by applying a voltage to the internal electrode to attract the first substrate 14 to the first holding surface 18A. Therefore, the first holding surface 18A functions as a suction surface for the first substrate 14 .

加熱部は、例えばセラミックヒータなどのヒータであり、静電チャックに内蔵されている。加熱部が静電チャックを加熱することにより、静電チャックに保持された第１基板１４を加熱する。 The heating unit is a heater such as a ceramic heater, and is built in the electrostatic chuck. The heating unit heats the electrostatic chuck, thereby heating the first substrate 14 held by the electrostatic chuck.

冷却部は、既存のものであり、第１基板１４と第２基板１６の接合後、第１基板１４と第２基板１６が接合して生成された重合基板を冷却する。 The cooling unit is an existing one, and after bonding the first substrate 14 and the second substrate 16, cools the superposed substrate formed by bonding the first substrate 14 and the second substrate 16 together.

第１保持部１８には、孔又は隙間で形成された光路部２８が設けられている。このため、光路部２８は第１保持部１８を鉛直方向に貫通しており、後述する第２光源３４から出射された赤外光が光路部２８を通って撮像部２２に入射可能となる。 The first holding portion 18 is provided with an optical path portion 28 formed of a hole or gap. Therefore, the optical path portion 28 penetrates the first holding portion 18 in the vertical direction, and infrared light emitted from a second light source 34 described later can enter the imaging portion 22 through the optical path portion 28 .

撮像部２２は、第１駆動機構２６を介してフレーム１２に設けられている。撮像部２２は、第１基板１４及び第２基板１６に設けられたアライメントマークを撮像する。撮像部２２は、第１保持部１８の吸着面側と鉛直方向（Ｚ方向）の反対側に位置している。このため、撮像部２２は、第１保持部１８に設けられた光路部２８を介して、第１基板１４及び第２基板１６に設けられたアライメントマークを撮像可能となる。 The imaging unit 22 is provided on the frame 12 via a first driving mechanism 26 . The imaging unit 22 images the alignment marks provided on the first substrate 14 and the second substrate 16 . The imaging unit 22 is positioned on the side opposite to the adsorption surface side of the first holding unit 18 in the vertical direction (Z direction). Therefore, the imaging unit 22 can image the alignment marks provided on the first substrate 14 and the second substrate 16 via the optical path unit 28 provided on the first holding unit 18 .

撮像部２２は、例えば、赤外線カメラ（ＩＲカメラ）が用いられる。撮像部２２の焦点深度は、例えば６μｍである。また、撮像部２２は、撮像データなどに基づいてアライメント処理又は接合処理が可能な制御部を内蔵している構成でもよい。また、撮像部２２は、外部の制御システムに撮像データを送信し、外部の制御システムにより基板のアライメント処理又は接合処理が実行されるように構成してもよい。 For example, an infrared camera (IR camera) is used as the imaging unit 22 . The depth of focus of the imaging unit 22 is, for example, 6 μm. Further, the imaging unit 22 may have a built-in control unit capable of performing alignment processing or bonding processing based on imaging data or the like. Further, the imaging unit 22 may be configured to transmit imaging data to an external control system so that the external control system executes substrate alignment processing or bonding processing.

撮像部２２は、例えば赤外光を出射する第１光源２３を備えている。第１光源２３は、例えば撮像部２２に内蔵されており、少なくとも第１基板１４のプリ・アライメント時において点灯し、撮像可能としている。このように、撮像部２２は、同軸照明が可能となる。 The imaging unit 22 includes a first light source 23 that emits infrared light, for example. The first light source 23 is built in the imaging unit 22, for example, and is lit at least at the time of pre-alignment of the first substrate 14 to enable imaging. In this way, the imaging unit 22 can perform coaxial illumination.

なお、第１光源２３は、従来から知られている赤外線ＬＥＤ素子又はハロゲンランプなどが用いられる。また、第１光源２３は、例えば１０００～１２００ナノメートル（ｎｍ）の波長の光を出射する。第１光源２３は、シリコンウェハを含む半導体ウェハ等の基板を透過できる波長の光を出射できるものが用いられる。 For the first light source 23, conventionally known infrared LED elements, halogen lamps, or the like are used. Also, the first light source 23 emits light with a wavelength of, for example, 1000 to 1200 nanometers (nm). As the first light source 23, one capable of emitting light having a wavelength that can pass through a substrate such as a semiconductor wafer including a silicon wafer is used.

第１駆動機構２６は、Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向に沿って撮像部２２を移動可能にするものである。例えば、Ｘ方向とは図１に示す水平方向、Ｙ方向とは図１に示す垂直方向、Ｚ方向とは図１に示す鉛直方向を指す。 The first drive mechanism 26 enables the imaging section 22 to move along the X, Y and Z directions. For example, the X direction is the horizontal direction shown in FIG. 1, the Y direction is the vertical direction shown in FIG. 1, and the Z direction is the vertical direction shown in FIG.

なお、第１駆動機構２６は、駆動機構として従来から知られている技術が用いられる。 The first drive mechanism 26 employs a conventionally known technology as a drive mechanism.

第２保持部２０は、ステージ３０に設けられている。第２保持部２０は、第２基板１６を保持する第２保持面２０Ａを有している。第２保持部２０による第２基板１６を保持する原理は、従来の接合装置における基板の吸着原理と同様である。 The second holding part 20 is provided on the stage 30 . The second holding part 20 has a second holding surface 20A that holds the second substrate 16 . The principle of holding the second substrate 16 by the second holding part 20 is the same as the principle of adsorption of the substrate in the conventional bonding apparatus.

具体的には、第２保持部２０は、例えば、静電チャック、加熱部、冷却部（いずれも図示省略）等を備えている。静電チャックは、内部電極と誘電体とを有し、内部電極に電圧を印加することによって発生する静電気力を用いて第２基板１６を第２保持面２０Ａに吸着させる。このため、当該第２保持面２０Ａは、第２基板１６の吸着面として機能する。 Specifically, the second holding unit 20 includes, for example, an electrostatic chuck, a heating unit, a cooling unit (all not shown), and the like. The electrostatic chuck has an internal electrode and a dielectric, and uses an electrostatic force generated by applying a voltage to the internal electrode to attract the second substrate 16 to the second holding surface 20A. Therefore, the second holding surface 20</b>A functions as a suction surface for the second substrate 16 .

加熱部は、例えばセラミックヒータなどのヒータであり、静電チャックに内蔵されている。加熱部が静電チャックを加熱することにより、静電チャックに保持された第２基板１６を加熱する。 The heating unit is a heater such as a ceramic heater, and is built in the electrostatic chuck. The heating unit heats the electrostatic chuck, thereby heating the second substrate 16 held by the electrostatic chuck.

冷却部は、既存のものであり、第１基板１４と第２基板１６の接合後、第１基板１４と第２基板１６が接合して生成された重合基板を冷却する。 The cooling unit is an existing one, and after bonding the first substrate 14 and the second substrate 16, cools the superposed substrate formed by bonding the first substrate 14 and the second substrate 16 together.

ステージ３０は、フレーム１２側に機械的に連結されている。ステージ３０は、第２駆動機構３２によりＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に沿って移動可能となるように構成されている。例えば、Ｘ方向とは図１に示す水平方向、Ｙ方向とは図１に示す垂直方向、Ｚ方向とは図１に示す鉛直方向を指す。加えて、第２駆動機構３２は、モータ及び回転軸を有し、モータの回転駆動力を受けて回転軸が回転する。これにより、ステージ３０がＺ軸回りに回転駆動し、第２保持部２０のＺ軸回りの回転が可能になる。 The stage 30 is mechanically connected to the frame 12 side. The stage 30 is configured to be movable along the X, Y and Z directions by the second drive mechanism 32 . For example, the X direction is the horizontal direction shown in FIG. 1, the Y direction is the vertical direction shown in FIG. 1, and the Z direction is the vertical direction shown in FIG. In addition, the second drive mechanism 32 has a motor and a rotating shaft, and the rotating shaft rotates under the rotational driving force of the motor. As a result, the stage 30 is rotationally driven around the Z-axis, and the rotation of the second holding part 20 around the Z-axis becomes possible.

なお、第２駆動機構３２は、駆動機構として、従来から知られている技術が用いられる。 The second drive mechanism 32 uses a conventionally known technology as a drive mechanism.

第２保持部２０は、鉛直下方に配置されたステージ３０により支持されている。このため、第２保持部２０は、ステージ３０と共にＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に沿って移動可能になる。加えて、第２保持部２０は、ステージ３０と共に、Ｚ軸回りに回転する。 The second holding section 20 is supported by a stage 30 arranged vertically downward. Therefore, the second holding part 20 can move along the X direction, the Y direction and the Z direction together with the stage 30 . In addition, the second holding section 20 rotates together with the stage 30 around the Z axis.

図２及び図３に示すように、第２保持部２０は、相互に分離可能な第１プレート３６と第２プレート３８とを有している。第１プレート３６は第１保持部１８側に位置しており、第２プレート３８はステージ３０（第２駆動機構３２）側に位置している。このため、第１プレート３６と第２プレート３８とは水平方向に沿って形成された接合面４０を境界として鉛直方向（Ｚ方向）に分離可能となる。 As shown in FIGS. 2 and 3, the second holding portion 20 has a first plate 36 and a second plate 38 that are separable from each other. The first plate 36 is positioned on the first holding section 18 side, and the second plate 38 is positioned on the stage 30 (second driving mechanism 32) side. Therefore, the first plate 36 and the second plate 38 can be separated in the vertical direction (Z direction) with the joint surface 40 formed along the horizontal direction as a boundary.

第１プレート３６と第２プレート３８は、ボルト及びナット等の固着具により相互に固定され、又は分離可能となっている。 The first plate 36 and the second plate 38 are fixed to each other or separable by fasteners such as bolts and nuts.

第１プレート３６の内部には、押圧部２４が配置されている。具体的には、第１プレート３６には鉛直方向（Ｚ方向）に貫通した開孔部４２が形成されている。この開孔部４２には、押圧部２４が配置されている。 A pressing portion 24 is arranged inside the first plate 36 . Specifically, an opening 42 is formed through the first plate 36 in the vertical direction (Z direction). The pressing portion 24 is arranged in the opening portion 42 .

押圧部２４は、いわゆるプッシュロッド（プッシュピンともいう）であり、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って昇降するように構成されている。押圧部２４の先端部は、赤外光等を透過可能な透明の石英で形成されている。透明の石英で構成される部位は、押圧部２４の先端部に限られるものではなく、押圧部２４の筐体のすべての部位が透明の石英で形成されていてもよい。また、赤外光を透過する透明部材であれば、石英の材質に限定されるものではない。 The pressing portion 24 is a so-called push rod (also referred to as a push pin) and is configured to move up and down along the vertical direction (Z direction). The tip portion of the pressing portion 24 is made of transparent quartz that can transmit infrared light and the like. The portion made of transparent quartz is not limited to the tip portion of the pressing portion 24, and the entire portion of the casing of the pressing portion 24 may be made of transparent quartz. Further, the material is not limited to quartz as long as it is a transparent member that transmits infrared light.

押圧部２４には、図示しない駆動部が機械的に接続されている。駆動部は、押圧部２４を鉛直方向（Ｚ方向）に沿って駆動させるものである。これにより、押圧部２４は、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って昇降することが可能になる。駆動部は、例えば第１プレート３６に設けられている。 A driving section (not shown) is mechanically connected to the pressing section 24 . The driving section drives the pressing section 24 along the vertical direction (Z direction). This allows the pressing portion 24 to move up and down along the vertical direction (Z direction). The driving section is provided on, for example, the first plate 36 .

なお、駆動部は、例えば、空気圧シリンダ又は油圧シリンダ若しくはモータ及びピエゾアクチュエータ等が用いられる。 In addition, for example, a pneumatic cylinder, a hydraulic cylinder, a motor, a piezo actuator, or the like is used as the drive unit.

第２プレート３８の内部には、第２光源３４が配置されている。具体的には、第２プレート３８には鉛直方向（Ｚ方向）に貫通した空間部４４が形成されている。この空間部４４に第２光源３４が配置されている。第１プレート３６と第２プレート３８が接合したときに、第１プレート３６側の開孔部４２と第２プレート３８側の空間部４４が鉛直方向に連通してひとつの部屋が形成される。 A second light source 34 is arranged inside the second plate 38 . Specifically, a space 44 is formed through the second plate 38 in the vertical direction (Z direction). The second light source 34 is arranged in this space 44 . When the first plate 36 and the second plate 38 are joined together, the opening 42 on the first plate 36 side and the space 44 on the second plate 38 side communicate in the vertical direction to form one chamber.

第２光源３４は、第２プレート３８の内部であって撮像部２２の鉛直下方側に位置している。このため、撮像部２２と、第１プレート３６側の開孔部４２と第２プレート３８側の空間部４４が鉛直方向に沿って連通し、さらには第１保持部１８の光路部２８と連通した状態になるため、第２光源３４から照射された赤外光が撮像部２２に入射可能になる。 The second light source 34 is located inside the second plate 38 and vertically below the imaging section 22 . Therefore, the imaging unit 22, the opening 42 on the first plate 36 side, and the space 44 on the second plate 38 side communicate in the vertical direction, and further communicate with the optical path portion 28 of the first holding portion 18. As a result, the infrared light emitted from the second light source 34 can enter the imaging section 22 .

第２プレート３８の内部には、第２光源３４を固定するための光源固定部４６が設けられている。第２光源３４は、光源固定部４６に着脱可能となるように配置されている。また、光源固定部４６には電力が供給されており、光源固定部４６に電気的に接続された第２光源３４から赤外光が出射される。 A light source fixing portion 46 for fixing the second light source 34 is provided inside the second plate 38 . The second light source 34 is arranged so as to be detachable from the light source fixing portion 46 . Electric power is supplied to the light source fixing portion 46 , and infrared light is emitted from the second light source 34 electrically connected to the light source fixing portion 46 .

このように、押圧部２４の先端部の透明部位から、第２光源３４から出射された赤外光が撮像部２２に向かって照射されるため、押圧部２４に照明機能を兼備させた構成となる。換言すれば、押圧部２４の収納スペースの一部を利用して第２光源３４が配置しているため、第２光源３４を配置するための専用スペースを装置の内部に別途設ける必要がなくなり、接合装置１０を小型化することができる。 In this way, since the infrared light emitted from the second light source 34 is irradiated toward the imaging unit 22 from the transparent portion at the tip of the pressing portion 24, the pressing portion 24 is also configured to have an illumination function. Become. In other words, since the second light source 34 is arranged using part of the storage space of the pressing part 24, there is no need to separately provide a dedicated space inside the device for arranging the second light source 34. The size of the joining device 10 can be reduced.

加えて、押圧部２４に照明機能を兼備させた構成となることから、撮像部２２と第２光源３４との離間距離が小さくなるため、第２光源３４から出射された赤外光が途中の障害物等で干渉されずに、撮像部２２に入射する。これにより、撮像部２２に入射する赤外光の光量を十分に確保することができるため、撮像部２２での撮像精度が高くなる。この結果、基板同士の接合精度を高めることができる。 In addition, since the pressing portion 24 also has an illumination function, the separation distance between the imaging portion 22 and the second light source 34 becomes small. The light enters the imaging unit 22 without being interfered by obstacles or the like. This makes it possible to secure a sufficient amount of infrared light incident on the imaging section 22, so that the imaging accuracy of the imaging section 22 is improved. As a result, the bonding accuracy between the substrates can be improved.

第１プレート３６と第２プレート３８が接合面４０を境にして分離可能になるが、第１プレート３６が第２プレート３８に対して接合面４０で分離されたときに、第２光源３４が第２プレート３８の接合面４０上に露出するように構成されている。これにより、第２光源３４の交換作業が容易になる。 The first plate 36 and the second plate 38 can be separated at the joint surface 40, and when the first plate 36 is separated from the second plate 38 at the joint surface 40, the second light source 34 It is configured to be exposed on the joint surface 40 of the second plate 38 . This facilitates the replacement work of the second light source 34 .

なお、第２光源３４は、従来から知られている赤外線ＬＥＤ素子又はハロゲンランプなどが用いられる。また、第２光源３４は、例えば１０００～１２００ナノメートル（ｎｍ）の波長の光を出射する。第２光源３４は、シリコンウェハを含む半導体ウェハ等の基板を透過できる波長の光を出射できるものが用いられる。 For the second light source 34, conventionally known infrared LED elements, halogen lamps, or the like are used. Also, the second light source 34 emits light with a wavelength of, for example, 1000 to 1200 nanometers (nm). As the second light source 34, one capable of emitting light having a wavelength that can pass through a substrate such as a semiconductor wafer including a silicon wafer is used.

次に、接合装置１０を用いた基板の接合処理について説明する。 Next, a substrate bonding process using the bonding apparatus 10 will be described.

図４に示すように、基板の接合処理は、主として、第１基板１４のプリ・アライメント工程Ｓ１００と、第２基板１６のプリ・アライメント工程Ｓ２００と、位置ずれ確認工程Ｓ３００と、各基板１４、１６の同時撮像工程Ｓ６００と、各基板１４、１６の接合工程Ｓ７００と、を有している。 As shown in FIG. 4, the substrate bonding process mainly includes a pre-alignment step S100 for the first substrate 14, a pre-alignment step S200 for the second substrate 16, a misregistration confirmation step S300, each substrate 14, 16 simultaneous imaging steps S600 and bonding steps S700 of the substrates 14 and 16 are provided.

なお、第１基板１４が第１保持部１８で保持され、第２基板１６が第２保持部２０で保持された状態を前提に説明する。 The description will be made on the assumption that the first substrate 14 is held by the first holding portion 18 and the second substrate 16 is held by the second holding portion 20 .

第１基板１４のプリ・アライメント工程Ｓ１００では、撮像部２２の基本設定位置で、撮像部２２の軸線が第１基板１４に設けられたアライメントマーク上に位置し、かつ第１基板１４を撮像部２２の焦点深度の範囲内であって第２基板１６を撮像部２２の焦点深度の範囲外とした状態で、第１光源２３が点灯して赤外光を出射して、第１基板１４上のアライメントマークを撮像し、第１基板１４のプリ・アライメントを実行する。 In the pre-alignment step S100 of the first substrate 14, the axis of the imaging unit 22 is positioned on the alignment mark provided on the first substrate 14 at the basic setting position of the imaging unit 22, and the first substrate 14 is positioned on the imaging unit. 22 and the second substrate 16 is outside the range of the depth of focus of the imaging unit 22, the first light source 23 is turned on to emit infrared light, and the first substrate 14 , and pre-alignment of the first substrate 14 is performed.

なお、第１基板１４のプリ・アライメント工程Ｓ１００では、撮像部２２が第１駆動機構２６によりＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動し、基本設定位置に到達する。 In the pre-alignment step S100 of the first substrate 14, the imaging section 22 is moved in the X, Y and Z directions by the first driving mechanism 26 and reaches the basic setting position.

第２基板１６のプリ・アライメント工程Ｓ２００では、撮像部２２が第１駆動機構２６によりＺ方向に移動して、第１基板１４が撮像部２２の焦点深度の範囲外とし、かつ第２基板１６が撮像部２２の焦点深度の範囲内に位置した状態となる。そして、第２光源３４が点灯して赤外光を出射した状態で、第２保持部２０で保持された第２基板１６がＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動し、さらにはＺ軸回りに適宜回転しながら、第１基板１４のプリ・アライメント工程Ｓ１００で認識された第１基板１４のアライメントマークの中心位置に、第２基板１６上のアライメントマークを位置させる。そして、撮像部２２で第２基板１６上のアライメントマークを撮像し、第２基板１６のプリ・アライメントを実行する。 In the pre-alignment step S200 of the second substrate 16, the imaging unit 22 is moved in the Z direction by the first driving mechanism 26 so that the first substrate 14 is out of the range of the depth of focus of the imaging unit 22, and the second substrate 16 is moved. is positioned within the range of the depth of focus of the imaging unit 22 . Then, in a state where the second light source 34 is turned on to emit infrared light, the second substrate 16 held by the second holding portion 20 moves in the X direction, the Y direction, and the Z direction, and further moves around the Z axis. The alignment mark on the second substrate 16 is positioned at the center position of the alignment mark on the first substrate 14 recognized in the pre-alignment step S100 of the first substrate 14, while rotating appropriately. Then, the alignment mark on the second substrate 16 is imaged by the imaging unit 22, and pre-alignment of the second substrate 16 is performed.

第２基板１６のプリ・アライメント工程Ｓ２００では、第２光源３４から出射された赤外光は、押圧部２４の先端部の透明部位を透過して、第１プレート３６側の開孔部４２と第２プレート３８側の空間部４４で形成された部屋を通過する。当該部屋を通過した赤外光は、第１基板１４及び第２基板１６を透過して第１保持部１８に形成された光路部２８を通り、撮像部２２に入射する。これにより、第２基板１６の位置を鮮明かつ明確に撮像することができる。 In the pre-alignment step S200 of the second substrate 16, the infrared light emitted from the second light source 34 passes through the transparent portion at the tip of the pressing portion 24, and passes through the opening portion 42 on the first plate 36 side. It passes through the room formed by the space 44 on the second plate 38 side. The infrared light that has passed through the room passes through the first substrate 14 and the second substrate 16 , passes through the optical path portion 28 formed in the first holding portion 18 , and enters the imaging portion 22 . Thereby, the position of the second substrate 16 can be imaged clearly and clearly.

なお、第２基板１６のプリ・アライメント工程Ｓ２００では、ステージ３０の駆動は、第２駆動機構３２により行う。 In the pre-alignment step S200 of the second substrate 16, the stage 30 is driven by the second driving mechanism 32. FIG.

位置ずれ確認工程Ｓ３００では、撮像部２２が鉛直方向（Ｚ方向）に移動して基本設定位置に戻り、第１基板１４上のアライメントマークを撮像し、第１基板１４のプリ・アライメント工程Ｓ１００における撮像結果と比較して位置ずれを確認する。位置ずれ確認工程Ｓ３００では、第１光源２３のみが点灯して赤外光を出射した状態で行われる。位置ずれが認められれば、以下の位置ずれ補正工程Ｓ４００において、当該位置ずれを補正する。 In the positional deviation confirmation step S300, the imaging unit 22 moves in the vertical direction (Z direction) and returns to the basic set position, images the alignment marks on the first substrate 14, and The positional deviation is confirmed by comparing with the imaging result. The positional deviation confirmation step S300 is performed in a state where only the first light source 23 is turned on and infrared light is emitted. If the positional deviation is recognized, the positional deviation is corrected in the following positional deviation correction step S400.

位置ずれ補正工程Ｓ４００では、撮像部２２の基本設定位置における第１基板１４のアライメントマーク位置のズレ量を認識してデータとして保管し、第２駆動機構により第２保持部２０のステージ３０を当該ズレ量だけＸ方向又はＹ方向に移動し、第１基板１４のアライメントマークと第２基板１６のアライメントマークを合わせる。これにより、第１基板１４のアライメントマークの中心と第２基板１６のアライメントマークの中心が合致したことにより、位置ずれが解消する。位置ずれ補正工程Ｓ４００では、第１光源２３と第２光源３４がそれぞれ点灯して赤外光を出射した状態、又は第２光源３４のみが点灯して赤外光を出射した状態で行われる。いずれの状態で位置ずれ補正工程Ｓ４００を行うかについては、第１基板１４又は第２基板１６の状態を考慮して所定の基準に基づいて接合装置１０の制御部又は撮像部２２の制御部が判断する。 In the positional deviation correction step S400, the amount of deviation of the alignment mark position of the first substrate 14 from the basic setting position of the imaging unit 22 is recognized and stored as data, and the stage 30 of the second holding unit 20 is moved by the second driving mechanism. The alignment mark of the first substrate 14 and the alignment mark of the second substrate 16 are aligned by moving in the X direction or the Y direction by the amount of deviation. As a result, the center of the alignment mark on the first substrate 14 and the center of the alignment mark on the second substrate 16 are aligned, thereby eliminating the positional deviation. The positional deviation correction step S400 is performed with the first light source 23 and the second light source 34 turned on to emit infrared light, or with only the second light source 34 turned on to emit infrared light. In which state the positional deviation correction step S400 is to be performed is determined by the control unit of the bonding apparatus 10 or the control unit of the imaging unit 22 based on a predetermined standard in consideration of the state of the first substrate 14 or the second substrate 16. to decide.

なお、位置ずれ補正工程４００は、同時撮像工程Ｓ５００の終了後であって接合工程Ｓ６００の直前に実行してもよい。 Note that the positional deviation correction step 400 may be performed after the simultaneous imaging step S500 and immediately before the bonding step S600.

同時撮像工程Ｓ５００では、第１基板１４と第２基板１６が共に撮像部２２の焦点深度の範囲内となるように近接させ、撮像部２２により第１基板１４上のアライメントマークと第２基板１６上のアライメントマークを同時に撮像する。同時撮像工程Ｓ５００では、第１光源２３と第２光源３４がそれぞれ点灯して赤外光を出射した状態、又は第２光源３４のみが点灯して赤外光を出射した状態で行われる。いずれの状態で同時撮像工程Ｓ５００を行うかについては、第１基板１４又は第２基板１６の状態を考慮して所定の基準に基づいて接合装置１０の制御部又は撮像部２２の制御部が判断する。 In the simultaneous imaging step S500, the first substrate 14 and the second substrate 16 are brought close to each other within the depth of focus of the imaging unit 22, and the alignment marks on the first substrate 14 and the second substrate 16 are aligned by the imaging unit 22. The upper alignment mark is imaged at the same time. The simultaneous imaging step S500 is performed with the first light source 23 and the second light source 34 turned on to emit infrared light, or with only the second light source 34 turned on to emit infrared light. The control unit of the bonding apparatus 10 or the control unit of the imaging unit 22 determines in which state the simultaneous imaging step S500 is performed based on a predetermined standard in consideration of the state of the first substrate 14 or the second substrate 16. do.

ここで、第１基板１４と第２基板１６との離間距離は、例えば２～５マイクロメートル（μｍ）である。 Here, the distance between the first substrate 14 and the second substrate 16 is, for example, 2 to 5 micrometers (μm).

第１基板１４と第２基板１６との近接は、第２基板１６側を第１基板１４に近づけることにより行われる。第２基板１６を第１基板１４に近づける方法としては、第２駆動機構３２によりステージを鉛直方向（Ｚ方向）に移動し、又は／及び押圧部２４を鉛直方向に駆動することにより実行される。 The proximity of the first substrate 14 and the second substrate 16 is achieved by bringing the second substrate 16 side closer to the first substrate 14 . As a method for bringing the second substrate 16 closer to the first substrate 14, the second drive mechanism 32 moves the stage in the vertical direction (Z direction) and/or drives the pressing portion 24 in the vertical direction. .

接合工程Ｓ６００では、押圧部２４で第２基板１６を鉛直方向（Ｚ方向）に沿って押し上げ、第１基板１４と第２基板１６を接合する。これにより、重合基板が生成される。接合工程Ｓ６００では、第１光源２３と第２光源３４がそれぞれ点灯して赤外光を出射した状態、又は第２光源３４のみが点灯して赤外光を出射した状態で行われる。いずれの状態で接合工程Ｓ６００を行うかについては、第１基板１４又は第２基板１６の状態を考慮して所定の基準に基づいて接合装置１０の制御部又は撮像部２２の制御部が判断する。 In the bonding step S600, the pressing portion 24 pushes up the second substrate 16 along the vertical direction (Z direction) to bond the first substrate 14 and the second substrate 16 together. This produces a polymerized substrate. The joining step S600 is performed in a state in which the first light source 23 and the second light source 34 are respectively turned on to emit infrared light, or only the second light source 34 is turned on to emit infrared light. In which state the bonding step S600 is to be performed is determined by the control unit of the bonding apparatus 10 or the control unit of the imaging unit 22 based on a predetermined standard in consideration of the state of the first substrate 14 or the second substrate 16. .

以上のように、本実施形態の各基板の接合方法によれば、撮像部２２の移動の影響をほとんど受けないため、基板同士の接合精度を格段に向上することができる。 As described above, according to the bonding method of the substrates of the present embodiment, the substrates are hardly affected by the movement of the imaging unit 22, so that the bonding accuracy between the substrates can be significantly improved.

次に、接合装置１０に設けられた第２光源３４を交換するときのメンテナンス方法について説明する。 Next, a maintenance method when replacing the second light source 34 provided in the bonding apparatus 10 will be described.

第２光源３４を交換する場合には、固着具を解除して、第１プレート３６を第２プレート３８から分離する。第１プレート３６を第２プレート３８から分離すると、第２プレート３８側の接合面４０上に第２光源３４が露出する。第２光源３４を光源固定部４６から取り外し、新しい光源を光源固定部４６に取り付けることにより、第２光源３４の交換作業が可能となる。これにより、接合装置１０のメンテナンスが格段に容易になる。 When replacing the second light source 34 , the fasteners are released to separate the first plate 36 from the second plate 38 . When the first plate 36 is separated from the second plate 38, the second light source 34 is exposed on the joint surface 40 on the second plate 38 side. By removing the second light source 34 from the light source fixing portion 46 and attaching a new light source to the light source fixing portion 46, the second light source 34 can be replaced. As a result, maintenance of the bonding apparatus 10 is significantly facilitated.

なお、本実施形態及び実施例は、本発明の一態様を示したものであり、本発明がこれに限られるものではない。本実施形態及び実施例に対する設計変更程度の差異は、当然に、本発明の技術的思想の範囲内に含まれる。 It should be noted that the present embodiment and examples show one aspect of the present invention, and the present invention is not limited thereto. Naturally, the difference in the degree of design change with respect to the present embodiment and examples is included within the scope of the technical concept of the present invention.

１０ 接合装置
１２ フレーム
１４ 第１基板
１６ 第２基板
１８ 第１保持部
１８Ａ 第１保持面
２０ 第２保持部
２０Ａ 第２保持面
２２ 撮像部
２３ 第1光源（光源）
２４ 押圧部
２６ 第１駆動機構
２８ 光路部
３０ ステージ
３２ 第２駆動機構
３４ 第２光源（光源）
３６ 第１プレート
３８ 第２プレート
４０ 接合面
４２ 開孔部
４４ 空間部
４６ 光源固定部 10 Joining device 12 Frame 14 First substrate 16 Second substrate 18 First holding part 18A First holding surface 20 Second holding part 20A Second holding surface 22 Imaging unit 23 First light source (light source)
24 pressing portion 26 first driving mechanism 28 optical path portion 30 stage 32 second driving mechanism 34 second light source (light source)
36 first plate 38 second plate 40 joint surface 42 opening 44 space 46 light source fixing portion

Claims (3)

第１基板と第２基板との接合前に実行する基板のアライメント方法であって、
撮像部の第１の位置で、前記第１基板が前記撮像部の焦点深度の範囲内であり、かつ前記第２基板が前記撮像部の焦点深度の範囲外とした状態で、かつ第１光源を点灯させた状態で、前記撮像部が前記第１基板のアライメントマークを撮像して前記第１基板をプリ・アライメントする第１基板のプリ・アライメント工程と、
前記撮像部の第２の位置で、前記第１基板が前記撮像部の焦点深度の範囲外であり、かつ前記第２基板が前記撮像部の焦点深度の範囲内とした状態で、かつ第２光源を点灯させた状態で、前記第２基板のアライメントマークを撮像して前記第２基板をプリ・アライメントする第２基板のプリ・アライメント工程と、
を含む、基板のアライメント方法。 A substrate alignment method performed before bonding a first substrate and a second substrate, comprising:
at a first position of the imaging unit, in a state where the first substrate is within the range of the depth of focus of the imaging unit and the second substrate is outside the range of the depth of focus of the imaging unit, and a first light source; a first substrate pre-alignment step in which the imaging unit images the alignment marks of the first substrate and pre-aligns the first substrate in a state where the is turned on;
at a second position of the imaging unit, in a state where the first substrate is outside the range of the depth of focus of the imaging unit and the second substrate is within the range of the depth of focus of the imaging unit; a second substrate pre-alignment step of capturing an image of an alignment mark of the second substrate and pre-aligning the second substrate with a light source turned on;
A method of aligning a substrate, comprising: 前記第１基板と前記第２基板が共に前記撮像部の焦点深度の範囲内となるように近接した状態で、かつ前記第１光源及び前記第２光源、又は前記第２光源のみを点灯させた状態で、前記撮像部が前記第１基板のアライメントマークと前記第２基板のアライメントマークを同時に撮像する同時撮像工程を含む、請求項１に記載の基板のアライメント方法。 The first and second light sources, or only the second light source, are turned on in a state in which both the first substrate and the second substrate are close to each other within the range of the depth of focus of the imaging unit. 2. The substrate alignment method according to claim 1, further comprising a simultaneous imaging step in which said imaging unit simultaneously images said alignment marks of said first substrate and said alignment marks of said second substrate. 前記撮像部の前記第１の位置で、かつ前記第１光源を点灯させた状態で、前記第１基板のアライメントマークを撮像して、前記第１基板のプリ・アライメント工程でアライメントマークを撮像した結果と比較して位置ずれを確認する位置ずれ確認工程をさらに有し、
前記位置ずれ確認工程において前記位置ずれを確認した場合に、かつ前記第１光源及び前記第２光源、又は前記第２光源のみを点灯させた状態で、前記第２基板を前記位置ずれのズレ量だけ移動し、前記第１基板のアライメントマークと前記第２基板のアライメントマークとを合わせる位置ずれ補正工程をさらに有する、請求項２に記載の基板のアライメント方法。

An alignment mark of the first substrate is imaged at the first position of the imaging unit with the first light source turned on, and the alignment mark is imaged in a pre-alignment process of the first substrate. Further having a positional deviation confirmation step of comparing the result and confirming the positional deviation,
When the positional deviation is confirmed in the positional deviation confirmation step, and with the first light source and the second light source, or only the second light source turned on, the second substrate is measured by the amount of deviation of the positional deviation. 3. The substrate alignment method according to claim 2, further comprising a misregistration correcting step of moving the alignment mark of the first substrate and the alignment mark of the second substrate.
JP2023047116A 2022-03-21 2023-03-23 Substrate alignment method Active JP7281247B1 (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210274777.1 2022-03-21
CN202210274777.1A CN114373686B (en) 2022-03-21 2022-03-21 Method for bonding substrates
JP2023002605A JP7261533B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Substrate bonding method

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023002605A Division JP7261533B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Substrate bonding method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP7281247B1 true JP7281247B1 (en) 2023-05-25
JP2023138939A JP2023138939A (en) 2023-10-03

Family

ID=81145259

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022098470A Active JP7125190B6 (en) 2022-03-21 2022-06-17 Substrate bonding method
JP2022124325A Active JP7148197B1 (en) 2022-03-21 2022-08-03 Push pin structure of joining device
JP2022146264A Active JP7182826B1 (en) 2022-03-21 2022-09-14 Maintenance method of bonding equipment
JP2022182964A Active JP7217417B1 (en) 2022-03-21 2022-11-15 Welding equipment
JP2023002605A Active JP7261533B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Substrate bonding method
JP2023002537A Active JP7249723B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Welding equipment
JP2023002470A Active JP7261532B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Welding equipment
JP2023047116A Active JP7281247B1 (en) 2022-03-21 2023-03-23 Substrate alignment method

Family Applications Before (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022098470A Active JP7125190B6 (en) 2022-03-21 2022-06-17 Substrate bonding method
JP2022124325A Active JP7148197B1 (en) 2022-03-21 2022-08-03 Push pin structure of joining device
JP2022146264A Active JP7182826B1 (en) 2022-03-21 2022-09-14 Maintenance method of bonding equipment
JP2022182964A Active JP7217417B1 (en) 2022-03-21 2022-11-15 Welding equipment
JP2023002605A Active JP7261533B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Substrate bonding method
JP2023002537A Active JP7249723B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Welding equipment
JP2023002470A Active JP7261532B1 (en) 2022-03-21 2023-01-11 Welding equipment

Country Status (2)

Country Link
JP (8) JP7125190B6 (en)
CN (2) CN115312438A (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7530538B1 (en) 2024-02-19 2024-08-08 エスエイチダブリュウテクノロジーズ（シャンハイ）ユウゲンコウシ Semiconductor wafer bonding apparatus and bonding method

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272707A (en) 2009-05-22 2010-12-02 Panasonic Corp Alignment method for joining
JP2014165331A (en) 2013-02-25 2014-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Alignment device and alignment method
JP2016503589A (en) 2013-12-06 2016-02-04 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー Apparatus and method for aligning substrates
WO2017115684A1 (en) 2015-12-28 2017-07-06 株式会社ニコン Substrate bonding device and substrate bonding method
JP2020194865A (en) 2019-05-28 2020-12-03 東京エレクトロン株式会社 Bonding device and bonding method

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07335512A (en) * 1994-06-08 1995-12-22 Canon Inc Joining method and device, and joined object
JP5045184B2 (en) * 2007-03-28 2012-10-10 カシオ計算機株式会社 Thermocompression bonding equipment
JP5448791B2 (en) * 2009-12-24 2014-03-19 三菱重工業株式会社 Joining method and joining device control device
JP6120286B2 (en) * 2014-11-26 2017-04-26 ボンドテック株式会社 Joining apparatus and joining method
JP6353374B2 (en) * 2015-01-16 2018-07-04 東京エレクトロン株式会社 Joining apparatus, joining system, and joining method
JP7066559B2 (en) * 2018-07-13 2022-05-13 東京エレクトロン株式会社 Joining device and joining method
JP7065725B2 (en) * 2018-08-02 2022-05-12 三菱電機株式会社 Joining device and joining method
EP3968359A4 (en) * 2019-05-08 2023-01-25 Tokyo Electron Limited Bonding device, bonding system, and bonding method
JP7437987B2 (en) * 2020-03-23 2024-02-26 ファスフォードテクノロジ株式会社 Die bonding equipment and semiconductor device manufacturing method
CN214588751U (en) * 2020-11-30 2021-11-02 东京毅力科创株式会社 Joining system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010272707A (en) 2009-05-22 2010-12-02 Panasonic Corp Alignment method for joining
JP2014165331A (en) 2013-02-25 2014-09-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Alignment device and alignment method
JP2016503589A (en) 2013-12-06 2016-02-04 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー Apparatus and method for aligning substrates
WO2017115684A1 (en) 2015-12-28 2017-07-06 株式会社ニコン Substrate bonding device and substrate bonding method
JP2020194865A (en) 2019-05-28 2020-12-03 東京エレクトロン株式会社 Bonding device and bonding method

Also Published As

Publication number Publication date
JP7182826B1 (en) 2022-12-05
JP2023138897A (en) 2023-10-03
JP2023138896A (en) 2023-10-03
JP7125190B1 (en) 2022-08-24
JP2023138901A (en) 2023-10-03
JP7261532B1 (en) 2023-04-20
JP7261533B1 (en) 2023-04-20
CN115312438A (en) 2022-11-08
CN114373686B (en) 2022-06-14
JP7249723B1 (en) 2023-03-31
JP2023138939A (en) 2023-10-03
JP2023138903A (en) 2023-10-03
JP7148197B1 (en) 2022-10-05
JP2023138905A (en) 2023-10-03
JP7125190B6 (en) 2022-10-03
JP2023138900A (en) 2023-10-03
JP7217417B1 (en) 2023-02-03
JP2023138904A (en) 2023-10-03
CN114373686A (en) 2022-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7281247B1 (en) Substrate alignment method
JPH09115812A (en) Method and apparatus for projecting and exposing work having alignment mark on reverse surface thereof
WO2006057299A1 (en) Stage apparatus and exposure apparatus
JP2005093654A (en) Stage device, aligner using the same, and device manufacturing method using aligner
JP2002365810A (en) Divided sequential proximity exposure device
JP3719965B2 (en) Alignment apparatus and alignment method
JP2000150970A (en) Light emitting device bonding method and equipment
JP2010283010A (en) Alignment device, mounting device therewith, and alignment method
JP6604793B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
JPH09211872A (en) Master plate, holding device for master plate, exposure device using the device, and production of device
JP2005086093A (en) Aligner and method of controlling stage apparatus
JP3448960B2 (en) Light emitting device assembling apparatus and assembling method
JP3995521B2 (en) Imaging unit assembly device
JP2004294770A (en) Exposure method and exposure system
JP5473793B2 (en) Proximity exposure apparatus and gap control method for proximity exposure apparatus
JP2006269952A (en) Proximity exposure device
JP4127986B2 (en) Alignment fixing method and alignment fixing device
WO2024057887A1 (en) Mounting device
WO2015151137A1 (en) Device for producing semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP3042762B2 (en) Device bonding method and device
TW202422642A (en) Installation device
JP2006098774A (en) Proximity exposure apparatus
JP2012252233A (en) Proximity exposure apparatus, alignment method for proximity exposure apparatus, and method for manufacturing panel substrate for display
JP2632416B2 (en) Exposure equipment
JP2000173907A (en) Work position controlling device for mask

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230323

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230323

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230513

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7281247

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150