JP7216040B2 - パターン形成方法、及び、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
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Description
グレースケール露光を行う態様としては、まず、基板上にレジスト膜を形成し、次にそのレジスト膜に対してグレースケール露光を行うことで、3次元構造(例えば、階段状構造)を有するパターンを形成し、ドライエッチングを行うことにより、レジスト膜の除去と基板のエッチングを行い、基板表面に3次元構造を有する3次元パターン領域を形成する方法が開示されている。
本発明者らが従来方法について検討を行った所、グレースケール露光を行うと、製造ロット間において基板上に形成されるレジストパターンの3次元構造中の厚みずれが生じやすく、結果として3次元パターン形成体の歩留りが低下することを知見している。より具体的には、例えば、基板上に階段状構造を有するレジストパターンを形成しようとした場合、製造ロット間において露光量が規定値よりずれることがあり、結果として、製造されたレジストパターンの製造ロット間において各階段の高さが異なるなど、3次元構造を有するレジストパターン間において厚みのバラツキが生じることを知見している。
また、本発明は、上記パターン形成方法に適用できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することも目的とする。
すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
膜を露光する工程Bと、
露光された膜を、現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程Cと、を有する、パターン形成方法であって、
工程Aにおいて形成された膜が、下記条件1及び条件2の少なくとも一方を満たす、パターン形成方法。
条件1:膜の厚みTが800nm以上の場合、γの値が10000未満である。
条件2:膜の厚みTが800nm未満の場合、γの値が5000未満である。
なお、γは、後述するγ算出方法により求められるものである。
(2) 工程Aにおいて形成された膜が条件1を満たし、
工程Aで形成した膜の波長248nmでの透過率が12%以下である、(1)に記載のパターン形成方法。
(3) 樹脂が、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である、又は、
感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸の作用によって現像液に対する溶解性が変化する樹脂と異なる樹脂であり、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である樹脂を更に含む、(1)又は(2)に記載のパターン形成方法。
(4) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、酸発生剤とは異なる化合物であり、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超であり、かつ、分子量が2000以下である化合物を含む、(1)~(3)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(5) 樹脂が、酸分解性基として第3級アルキルエステル基を含む、(1)~(4)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(6) 酸発生剤が、発生酸のpKaが-2以上である酸発生剤を含む、(1)~(5)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(7) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、更に酸拡散制御剤を含み、
酸拡散制御剤の含有量が、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分に対して、0.2質量%以上である、(1)~(6)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(8) 工程Bでの露光がグレースケール露光である、(1)~(7)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(9) 工程Bの後で工程Cの前に、膜に対して加熱処理を施す工程Dを更に備え、
加熱処理での温度が115℃以下である、(1)~(8)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(10) 工程Bでの露光が、KrF光によって行われる、(1)~(9)のいずれかに記載のパターン形成方法。
(11) (1)~(10)のいずれかに記載のパターン形成方法にて用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
また、本発明によれば、上記パターン形成方法に適用できる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供することもできる。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書における「活性光線」又は「放射線」とは、例えば、水銀灯の輝線スペクトル及びエキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線(EUV光)、X線、並びに、電子線(EB)等を意味する。また、本発明において光とは、活性光線又は放射線を意味する。
また、本明細書における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯及びエキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線、X線、並びに、EUV光などによる露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画も露光に含める。
また、本明細書において、(メタ)アクリレートはアクリレート及びメタクリレートを表し、(メタ)アクリルはアクリル及びメタクリルを表す。
本発明のパターン形成方法について説明する。
本発明のパターン形成方法は、以下の工程A~Cを少なくとも有する。
工程A:感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に厚みTの膜(いわゆる、レジスト膜に該当)を形成する工程
工程B:膜を露光する工程(露光工程)
工程C:露光された膜を、現像液を用いて現像し、パターン(いわゆるレジストパターン)を形成する工程(現像工程)
本発明のパターン形成方法は、工程Bの後で工程Cの前に、工程D(加熱工程)を含むことが好ましい。
本発明のパターン形成方法は、露光工程を、複数回含んでいてもよい。
本発明のパターン形成方法は、加熱工程を、複数回含んでいてもよい。
以下、各工程の手順について詳述する。
工程Aは、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に膜(以下、「レジスト膜」とも称する)を形成する工程である。
本工程で使用される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(以後、単に「組成物」「本発明の組成物」とも称する)の詳細については、後段で詳述する。
本工程で使用される基板は特に限定されるものではなく、シリコン、SiN、SiO2及びSiN等の無機基板、SOG(Spin on Glass)等の塗布系無機基板、並びに、IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造工程、更にはその他のフォトファブリケーションのリソグラフィー工程で一般的に用いられる基板を用いることができる。
更に、必要に応じて、レジスト膜と基板の間に反射防止膜を形成させてもよい。反射防止膜としては、公知の有機系又は無機系の反射防止膜を適宜用いることができる。
また、パターンの用途によって、膜はいわゆる薄膜であってもよい。なお、ここで薄膜とは厚みTが800nm未満であることを意図する。薄膜の場合の厚みTの範囲は特に制限されないが、50~500nmが好ましい。
なお、上記厚みは平均値であり、少なくとも5箇所以上の任意の点における膜の厚みを測定して、それらを算術平均した値である。
条件1:膜の厚みTが800nm以上の場合、γ<10000(γの値が10000未満)である。
条件2:膜の厚みTが800nm未満の場合、γ<5000(γの値が5000未満)である。
上記条件1及び2に記載のγは、後述する方法により算出することができるパラメータであるが、主に、レジスト膜の露光量に対する感度を表すものである。γの値が大きい場合、レジスト膜の露光量に対する感度が高く、露光量の少しの違いでも、現像処理後のパターンの厚みが大きく異なる。それに対して、γの値が小さい場合、レジスト膜の露光量に対する感度が低く、露光量のバラツキがあっても、現像処理後のパターンの厚みの差異が生じにくく、本発明の効果を奏しやすい。
なお、条件1の好適態様としては、形成されるパターン間の厚みのバラツキがより小さい点(以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する)で、γの値は8000以下であることが好ましく、5000以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、生産性の点から、100以上が好ましく、500以上がより好ましい。
また、条件2の好適態様としては、本発明の効果がより優れる点で、γの値は4000以下であることが好ましく、3000以下であることがより好ましい。下限は特に制限されないが、生産性の点から、100以上が好ましく、500以上がより好ましい。
まず、図1(A)に示すように、基板10上に厚みTの膜12を形成する。使用される基板としては、ヘキサメチルジシラザン処理を施したSi基板(Advanced Materials Technology社製)を用いる。
膜の製造方法としては、基板上に組成物をスピンコート法により塗布して、140℃で60秒間ベーク(PreBake)処理(加熱処理)を行い、厚みTの膜を製造する。
次に、KrFエキシマレーザーを用い、得られた膜に対して、露光量を1mJ/cm2から0.8mJ/cm2毎増加させながら露光を99箇所行う。つまり、膜表面の異なる99箇所の位置に対して、異なる露光量の露光をそれぞれ行う。その際、各露光箇所での露光量は、1mJ/cm2から0.8mJ/cm2毎増加させる。より具体的には、図1(B)に示すように、白抜き矢印で表されるように、膜の異なる箇所に露光量を変えた露光を行う。なお、図1(B)では、膜12の3か所の異なる位置に、露光を行っている。図1(B)中の一番左側の露光では露光量AmJ/cm2での露光が行われ、真ん中の露光では露光量(A+0.8)mJ/cm2での露光が行われ、一番右側の露光では露光量(A+1.6)mJ/cm2での露光が行われる。このように、露光箇所毎に、露光量を0.8mJ/cm2毎増加させながら、露光を行う。
その後、露光処理が施された膜を120℃で60秒間ベーク(Post Exposure Bake;PEB)する。
その後、得られた膜に対して、現像処理を行う。現像処理の方法としては、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%:「水溶液中における、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%」)で60秒間現像し、純水で30秒間リンスした後、スピン乾燥を行う。現像処理を行うと、露光箇所において膜が除去される。その際の除去量は露光量によって異なる。例えば、図1(C)は図1(B)で示された膜に対して現像処理を実施した後の図であり、一番左側の露光箇所の膜の厚みが最も厚く、一番右側の露光箇所の膜の厚みが最も薄くなる。つまり、T1>T2>T3の関係となる。図1(C)においては、3点の膜厚のみを記載しているが、実際は99点の露光箇所での膜厚を測定する。
次に、各露光箇所での露光量と膜厚とのデータを用いて、プロット図を作成する。具体的には、膜厚を縦軸とし露光量の常用対数値を横軸とした直交座標に、各露光箇所での膜厚及び露光量の常用対数値に対応する点をプロットする。つまり、各露光箇所での膜厚を縦軸に、各露光箇所での露光量の常用対数値を横軸にして、グラフを作成する。なお、縦軸の単位はnmであり、露光量の単位はmJ/cm2とする。図2に、プロット図の一例を示す。なお、図2中の各黒丸が、各露光箇所での結果(膜厚と露光量の常用対数値)に該当する。なお、図2では、説明を容易にするため、黒丸のプロット数は実際の99点よりも少なくしている。
次に、得られたプロット図中の各プロットされた点を結んで線を作成する。得られた線上の縦軸の厚みの値が0.8×T(Tの80%の厚み)の点であるA点、及び、縦軸の厚みの値が0.4×T(Tの40%の厚み)の点であるB点を選択し、このA点及びB点を結ぶ直線の傾きの絶対値を算出し、γとする。
例えば、厚みTが2000nmである場合、0.8Tは1600nmであり、0.4Tは800nmに該当する。ここで、図2に示すように、縦軸の厚みが1600nmである点の横軸の値をX、縦軸の厚みが800nmである点の横軸の値をYとした場合、この2点の傾きは(800-1600)/(Y-X)として算出され、その絶対値をγとする。
(I)膜の透過率を所定値以下にする。
(II)感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれる材料(例えば、樹脂、酸発生剤、酸拡散制御剤、吸光剤)の種類及び使用量を調整する。
(III)パターンを形成する際の方法を調整する。
上記(I)に関しては、膜の透過率を低減させることにより、膜中に含まれる酸発生剤の分解を抑制し、膜の感度を低下させ、γの値を低減させることができる。なお、透過率を低減させる方法としては、後段で詳述するように、吸光剤を用いる方法が挙げられる。
また、上記(II)においては、例えば、使用する樹脂中に含まれる酸分解性基の種類を調整することにより、分解の程度を制御することができる。より具体的には、酸分解性基として第3級アルキルエステル基を用いることにより、酸分解をしづらくさせて、γの値を低減させることができる。また、使用する酸発生剤として、発生酸のpKaが所定値超のものを使用して、発生する酸の強度を弱めて、γの値を低減させることもできる。また、使用する酸拡散制御剤の使用量を増やし、酸の拡散を防止し、γの値を低減させることもできる。また、上述したように、所定の種類の吸光剤を用いて、γの値を調整することができる。
また、上記(III)に関しては、例えば、後述する工程Bと工程Cとの間に設ける加熱工程(工程D:露光後加熱)(PEB;Post Exposure Bake)の温度が所定値以下にすることにより、酸の拡散を抑制し、γの値を低減させることもできる。
なお、γの値を調整する際には、膜の厚みによって最適な方法が選択される。例えば、膜の厚みが厚い場合(厚みTが800nm以上の厚膜の場合)、上記(I)で述べた膜の透過率を調整する方法、又は、上記(II)で述べた所定の樹脂(所定の酸分解性基を有する樹脂)を使用する方法などが好適に採用される。
また、膜の厚みが薄い場合(厚みTが800nm未満の薄膜の場合)、上記(II)で述べた所定の酸発生剤を使用する方法、上記(II)で述べた酸拡散制御剤を所定量以上使用する方法、又は、上記(III)で述べた露光後加熱を所定の温度以下にて実施する方法などが好適に採用される。
上記透過率の測定方法としては、調製した組成物を石英ガラス基板上にスピンコートにより塗布し、140℃で60秒間プリベークを行って厚みTのレジスト膜を形成し、その膜の波長248nmの透過率を吸光光度計(島津社製、UV-2500PC)を用いて測定する。
加熱温度は70~130℃で行うことが好ましく、80~120℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
工程Bは、膜を露光する工程である。
本工程において使用される露光装置に用いられる光源波長に制限はないが、赤外光、可視光、紫外光、遠紫外光、極紫外光、X線、及び、電子線等を挙げることができ、好ましくは250nm以下、より好ましくは220nm以下、更に好ましくは1~200nmの波長の遠紫外光、具体的には、KrFエキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレーザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157nm)、X線、EUV(Extreme Ultraviolet)(13nm)、及び、電子線等であり、KrFエキシマレーザー、ArFエキシマレーザー、EUV又は電子線が好ましく、KrFエキシマレーザー、又は、ArFエキシマレーザーがより好ましい。つまり、露光光としてKrF光を用いることが好ましい。
グレースケール露光とは、所望の形状が得られるように、所定の光透過率を有するように所定の網点が形成されたマスクを介してレジスト膜に露光処理を施すものである。つまり、微小な開口をもつマスクに光を照射することにより、得られるパターン(レジストパターン)の高さに階調をもたせることができる露光処理である。
液浸露光を行う場合には、(1)基板上に膜を形成した後、露光する工程の前に、及び/又は、(2)液浸液を介して膜に露光する工程の後、膜を加熱する工程の前に、膜の表面を水系の薬液で洗浄する工程を実施してもよい。
液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう、屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー(波長:193nm)である場合には、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水が好ましい。
水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤(液体)を僅かな割合で添加してもよい。この添加剤はウエハ上のレジスト膜を溶解させず、かつレンズ素子の下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。
このような添加剤としては、例えば、水とほぼ等しい屈折率を有する脂肪族系のアルコールが好ましく、具体的にはメチルアルコール、エチルアルコール、及び、イソプロピルアルコール等が挙げられる。水とほぼ等しい屈折率を有するアルコールを添加することにより、水中のアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液体全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。
液浸液として用いる水の電気抵抗は、18.3MQcm以上であることが望ましく、TOC(有機物濃度)は20ppb以下であることが望ましく、脱気処理をしていることが望ましい。
レジスト膜の後退接触角は温度23±3℃、湿度45±5%において70°以上であることが好ましく、このような場合、液浸媒体を介して露光する場合に好適である。また、75°以上であることがより好ましく、75~85°であることが更に好ましい。
トップコートを構成する材料としては、具体的には、炭化水素ポリマー、アクリル酸エステルポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリビニルエーテル、シリコン含有ポリマー、及び、フッ素含有ポリマーなどが挙げられる。トップコートから液浸液へ不純物が溶出すると光学レンズを汚染するという観点からは、トップコートに含まれるポリマーの残留モノマー成分は少ない方が好ましい。トップコートは、塩基性化合物を含んでいてもよい。
トップコートと液浸液との間には屈折率の差がない方が、解像力が向上する。液浸液として水を用いる場合には、トップコートは液浸液の屈折率に近いことが好ましい。屈折率を液浸液に近くするという観点からは、トップコート中にフッ素原子を有することが好ましい。また、透明性及び屈折率の観点から薄膜の方が好ましい。
トップコートは、膜と混合せず、更に液浸液とも混合しないことが好ましい。この観点から、液浸液が水の場合には、トップコートに使用される溶剤は、本発明の組成物に使用される溶剤に難溶で、かつ非水溶性の媒体であることが好ましい。更に、液浸液が有機溶剤である場合には、トップコートは水溶性であっても非水溶性であってもよい。
トップコートの形成は、液浸露光の場合に限定されず、ドライ露光(液浸液を介さない露光)の場合に行ってもよい。トップコートを形成することにより、例えば、アウトガスの発生を抑制できる。
以下、トップコートの形成に用いられるトップコート組成物について説明する。
溶剤が有機溶剤である場合、レジスト膜を溶解しない溶剤であることが好ましい。使用しうる溶剤としては、アルコール系溶剤、フッ素系溶剤、又は、炭化水素系溶剤が好ましく、非フッ素系のアルコール系溶剤がより好ましい。アルコール系溶剤としては、塗布性の観点からは1級のアルコールが好ましく、より好ましくは炭素数4~8の1級アルコールである。炭素数4~8の1級アルコールとしては、直鎖状、分岐状、及び、環状のアルコールを用いることができるが、好ましくは、例えば、1-ブタノール、1-ヘキサノール、1-ペンタノール、3-メチル-1-ブタノール、2-エチルブタノール及びパーフルオロブチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。
また、トップコート組成物用の樹脂としては、特開2009-134177号、特開2009-91798号に記載の酸性基を有する樹脂も、好ましく用いることができる。
樹脂の重量平均分子量は特に制限されないが、2000から100万が好ましく、より好ましくは5000から50万、更に好ましくは1万から10万である。ここで、樹脂の重量平均分子量は、GPC(Gel permeation chromatography)(キャリア:テトラヒドロフラン(THF)あるいはN-メチル-2-ピロリドン(NMP))によって測定したポリスチレン換算分子量を示す。
トップコート組成物のpHは、特に制限はないが、好ましくは0~10、より好ましくは0~8、更に好ましくは1~7である。
トップコート組成物は、光酸発生剤及び含窒素塩基性化合物などの添加剤を含有してもよい。含窒素塩基性化合物を含有するトップコート組成物の例としては、米国公開特許公報US2013/0244438A号を挙げることができる。
トップコート組成物の固形分濃度は、0.1~10質量%であることが好ましく、0.2~6質量%であることがより好ましく、0.3~5質量%であることが更に好ましい。固形分濃度を上記範囲とすることで、トップコート組成物をレジスト膜上に均一に塗布することができる。
トップコートを形成する方法は特に制限されないが、上記レジスト膜の形成方法と同様の手段によりトップコート組成物を塗布、乾燥し、トップコートを形成できる。
トップコートを上層に有するレジスト膜に、通常はマスクを通して、活性光線又は放射線を照射し、好ましくはベーク(加熱)を行い、現像する。これにより良好なパターンを得ることができる。
工程Cは、露光された膜を、現像液を用いて現像し、パターンを形成する工程である。
本工程において使用する現像液の種類は特に限定されないが、例えば、アルカリ現像液又は有機溶剤を含有する現像液(以下、有機系現像液とも言う)が挙げられ、アルカリ現像液が好ましい。
アルカリ現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、及び、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミン、及び、n-プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルアミン、及び、ジ-n-ブチルアミン等の第二アミン類、トリエチルアミン、及び、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、及び、トリエタノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドドキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド等のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、及び、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、並びに、ピロール、及び、ピヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ水溶液を使用することができる。更に、上記アルカリ水溶液にアルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。アルカリ現像液のアルカリ濃度は、通常0.1~20質量%である。アルカリ現像液のpHは、通常10.0~15.0である。アルカリ現像液のアルカリ濃度及びpHは、適宜調製して用いることができる。アルカリ現像液は、界面活性剤や有機溶剤を添加して用いてもよい。
アルカリ現像の後に行うリンス処理におけるリンス液としては、純水を使用し、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。
上記の溶剤は、複数混合してもよいし、上記以外の溶剤や水と混合し使用してもよい。但し、本発明の効果を十二分に奏するためには、現像液全体としての含水率が10質量%未満であることが好ましく、実質的に水分を含有しないことがより好ましい。
すなわち、有機系現像液に対する有機溶剤の使用量は、現像液の全量に対して、90質量%以上100質量%以下であることが好ましく、95質量%以上100質量%以下であることが好ましい。
界面活性剤としては特に限定されないが、例えば、イオン性若しくは非イオン性のフッ素系界面活性剤、及び/又は、シリコン系界面活性剤が挙げられる。これらのフッ素系界面活性剤及び/又はシリコン系界面活性剤として、例えば特開昭62-36663号公報、特開昭61-226746号公報、特開昭61-226745号公報、特開昭62-170950号公報、特開昭63-34540号公報、特開平7-230165号公報、特開平8-62834号公報、特開平9-54432号公報、特開平9-5988号公報、米国特許第5405720号明細書、同5360692号明細書、同5529881号明細書、同5296330号明細書、同5436098号明細書、同5576143号明細書、同5294511号明細書、同5824451号明細書記載の界面活性剤を挙げることができ、好ましくは、非イオン性の界面活性剤である。非イオン性の界面活性剤としては特に限定されないが、フッ素系界面活性剤又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。
このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜及びレジストパターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。
なお、現像液の吐出圧(mL/sec/mm2)は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。
また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶剤に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。
本発明において、有機溶剤現像工程によって露光強度の弱い部分が除去されるが、更にアルカリ現像工程を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、通常より微細なパターンを形成できる(特開2008-292975号公報<0077>と同様のメカニズム)。
本発明のパターン形成方法においては、アルカリ現像工程及び有機溶剤現像工程の順序は特に限定されないが、アルカリ現像を、有機溶剤現像工程の前に行うことがより好ましい。
有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。リンス液としては、炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤からなる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いることが好ましい。
炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものが挙げられる。
炭化水素系溶剤を含有するリンス液としては、炭素数6~30の炭化水素化合物が好ましく、炭素数8~30の炭化水素化合物がより好ましく、炭素数7~30の炭化水素化合物が更に好ましく、炭素数10~30の炭化水素化合物が特に好ましい。中でも、デカン及び/又はウンデカンを含むリンス液を用いることにより、パターン倒れが抑制される。
リンス液としてエステル系溶剤を用いる場合には、エステル系溶剤(1種又は2種以上)に加えて、グリコールエーテル系溶剤を用いてもよい。この場合の具体例としては、エステル系溶剤(好ましくは、酢酸ブチル)を主成分として、グリコールエーテル系溶剤(好ましくはプロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME))を副成分として用いることが挙げられる。これにより、残渣欠陥が抑制される。
リンス液中の含水率は、10質量%以下が好ましく、より好ましくは5質量%以下、更に好ましくは3質量%以下である。含水率を10質量%以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。
リンス工程においては、リンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、及び、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)が挙げられ、この中でも回転塗布法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。
また、上記工程Bの後で工程Cの前に、膜に対して加熱処理を施す工程(工程D)を設けることが好ましい。
この加熱工程における温度は特に制限されないが、160℃以下である場合が多く、本発明の効果がより優れる点で、115℃以下であることが好ましく、115℃未満であることがより好ましく、110℃以下であることが更に好ましい。下限は特に制限されないが、50℃以上の場合が多い。
加熱時間は30~300秒が好ましく、30~180秒がより好ましく、30~90秒が更に好ましい。
加熱は通常の露光・現像機に備わっている手段で行うことができ、ホットプレート等を用いて行ってもよい。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
以下、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に含まれてもよい各成分について詳述する。通常、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物には、樹脂(A)(酸の作用によって現像液に対する溶解性が変化する樹脂)、酸発生剤(活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物)、及び、溶剤などが含まれる。
本発明の組成物に含有される樹脂は、酸の作用によって、現像液に対する溶解性が変化する樹脂(例:酸の作用によってアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂)であり、例えば、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大し、又は、酸の作用により有機溶剤を主成分とする現像液に対する溶解性が減少する樹脂であることが好ましく、樹脂の主鎖又は側鎖、又は、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有することが好ましい。樹脂(A)は、酸の作用により分解して極性基を生じる基を有することが好ましい。
樹脂(A)は、好ましくはアルカリ現像液に不溶又は難溶性である。
なお、上記モル吸光係数εの好適範囲としては、5000L・mol-1・cm-1以上であることが好ましく、10000L・mol-1・cm-1以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、50000L・mol-1・cm-1以下の場合が多い。
上記モル吸光係数εの測定方法としては、樹脂(A)を0.1g量り、アセトニトリル1000mLに完全に溶解させ、分光光度計(島津社製、UV-2500PC)を用いてこの溶液の吸光度を測定し、以下の式からモル吸光係数εを算出する。なお、この測定で用いたセルの光路長は1cmである。
式:A=ε・C・l
(A:吸光度、C:濃度(mol/L)、l:光路長(cm))
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、及び、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
好ましいアルカリ可溶性基としては、カルボキシル基、フッ素化アルコール基(好ましくはヘキサフルオロイソプロパノール基)、又は、スルホン酸基が挙げられる。
酸で脱離する基としては、例えば、-C(R36)(R37)(R38)、-C(R36)(R37)(OR39)、及び、-C(R01)(R02)(OR39)等が挙げられる。
式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
酸分解性基としては好ましくは、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタール基、アセタールエステル基、又は、第3級アルキルエステル基等である。より好ましくは、第3級アルキルエステル基である。
樹脂(A)が含有し得る、酸分解性基を有する繰り返し単位としては、下記一般式(AI)で表される繰り返し単位が好ましい。
Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Tは、単結合又は2価の連結基を表す。
Rx1~Rx3は、各々独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tの2価の連結基としては、アルキレン基、-COO-Rt-基、及び、-O-Rt-基等が挙げられる。式中、Rtは、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表す。
Tは、単結合又は-COO-Rt-基が好ましい。Rtは、炭素数1~5のアルキレン基が好ましく、-CH2-基、-(CH2)2-基、又は、-(CH2)3-基がより好ましい。
Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基がより好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
一般式(AI)で表される繰り返し単位は、例えば、Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
酸分解性基を有する繰り返し単位の合計としての含有量は、樹脂(A)中の全繰り返し単位に対し、20~90mol%であることが好ましく、25~85mol%であることがより好ましく、30~80mol%であることが更に好ましい。
具体例中、Rx、Xa1は、水素原子、CH3、CF3、又はCH2OHを表す。Rxa、Rxbは各々炭素数1~4のアルキル基を表す。Zは、極性基を含む置換基を表し、複数存在する場合は各々独立である。pは0又は正の整数を表す。Zにより表される極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基を有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。分岐アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。
R31は、水素原子又はアルキル基を表す。
R32は、アルキル基又はシクロアルキル基を表し、その具体例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、sec-ブチル基、tert-ブチル基、及び、シクロヘキシル基などが挙げられる。
R33は、R32が結合している炭素原子とともに単環の脂環炭化水素構造を形成するのに必要な原子団を表す。脂環炭化水素構造は、環を構成する炭素原子の一部が、ヘテロ原子、又は、ヘテロ原子を有する基で置換されていてもよい。
R32は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、tert-ブチル基又はシクロヘキシル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、イソプロピル基又はtert-ブチル基であることがより好ましい。
R33が炭素原子とともに形成する単環の脂環炭化水素構造は、3~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。
R33が炭素原子とともに形成する単環の脂環炭化水素構造において、環を構成し得るヘテロ原子としては、酸素原子、及び、硫黄原子等が挙げられ、ヘテロ原子を有する基としては、カルボニル基等が挙げられる。ただし、ヘテロ原子を有する基は、エステル基(エステル結合)ではないことが好ましい。
R33が炭素原子とともに形成する単環の脂環炭化水素構造は、炭素原子と水素原子とのみから形成されることが好ましい。
ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5~7員環のラクトン構造又はスルトン構造であり、5~7員環のラクトン構造又はスルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1-1)~(LC1-17)、一般式(SL1-1)及び一般式(SL1-2)のいずれかで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造又はスルトン構造としては一般式(LC1-1)、一般式(LC1-4)、一般式(LC1-5)、又は一般式(LC1-8)であり、一般式(LC1-4)であることがより好ましい。特定のラクトン構造又はスルトン構造を用いることでラインウィズスラフネス(LWR)、現像欠陥が良好になる。
R2c~R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c~R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c~R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)において、更に好ましくは、R2c~R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
これにより、本発明の組成物に用いられる樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アルカリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着性、及び、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能となる。
その他にも、上記種々の繰り返し構造単位に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽和化合物であれば、共重合されていてもよい。
本発明の組成物に用いられる樹脂(A)において、各繰り返し構造単位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、更にはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱性、感度等を調節するために適宜設定される。
このような樹脂としては、具体的には、下記一般式(A)で表される繰り返し単位を有する樹脂が挙げられる。
n個のYは、各々独立に、水素原子又は酸の作用により脱離する基を表す。但し、Yの少なくとも1つは、酸の作用により脱離する基を表す。
nは、1~4の整数を表し、1~2が好ましく、1がより好ましい。
アルコキシカルボニル基に含まれるアルキル基としては、上記R01~R03におけるアルキル基と同様のものが好ましい。
シクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。好ましくは、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等の炭素数3~8の単環のシクロアルキル基が挙げられる。なお、これらシクロアルキル基は、置換基を有していてもよい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、フッ素原子がより好ましい。
Ar1としての芳香環基は、炭素数6~14のものが好ましく、例えば、ベンゼン環、トルエン環又はナフタレン環が挙げられる。なお、これら芳香環基は、置換基を有していてもよい。
酸の作用により脱離する基Yとしては、例えば、-C(R36)(R37)(R38)、-C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38)、-C(R01)(R02)(OR39)、-C(R01)(R02)-C(=O)-O-C(R36)(R37)(R38)又は-CH(R36)(Ar)により表される基が挙げられる。
式中、R36~R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して、環構造を形成していてもよい。
R01及びR02は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
Arは、アリール基を表す。
R36~R39、R01、又はR02としてのシクロアルキル基は、単環のシクロアルキル基であってもよく、多環のシクロアルキル基であってもよい。単環のシクロアルキル基としては、炭素数3~8のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基及びシクロオクチルが挙げられる。多環のシクロアルキル基としては、炭素数6~20のシクロアルキル基が好ましく、例えば、アダマンチル基、ノルボルニル基、イソボロニル基、カンファニル基、ジシクロペンチル基、α-ピナニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロドデシル基及びアンドロスタニル基が挙げられる。なお、シクロアルキル基中の炭素原子の一部は、酸素原子等のヘテロ原子によって置換されていてもよい。
R36~R39、R01、R02、又はArとしてのアリール基は、炭素数6~10のアリール基であることが好ましく、例えば、フェニル基、ナフチル基及びアントリル基が挙げられる。
R36~R39、R01、又はR02としてのアラルキル基は、炭素数7~12のアラルキル基であることが好ましく、例えば、ベンジル基、フェネチル基及びナフチルメチル基が好ましい。
R36~R39、R01、又はR02としてのアルケニル基は、炭素数2~8のアルケニル基であることが好ましく、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基及びシクロへキセニル基が挙げられる。
上記各基は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アミノ基、アミド基、ウレイド基、ウレタン基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、チオエーテル基、アシル基、アシロキシ基、アルコキシカルボニル基、シアノ基及びニトロ基が挙げられる。これら置換基は、炭素数が8以下であることが好ましい。
式(Y1):-C(Rx1)(Rx2)(Rx3)
式(Y2):-C(=O)O(Rx1)(Rx2)(Rx3)
式(Y3):-C(R36)(R37)(OR38)
式(Y4):-C(Rn)(H)(Ar)
より好ましくは、一般式(A)で表される繰り返し単位は、Rx1~Rx3が各々独立に、直鎖又は分岐のアルキル基を表す繰り返し単位であり、更に好ましくは、Rx1~Rx3が各々独立に、直鎖のアルキル基を表す繰り返し単位である。
Rx1~Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Rx1~Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、イソブチル基、及び、t-ブチル基などの炭素数1~4のものが好ましい。
Rx1~Rx3のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、及び、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5~6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rx1~Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基は、例えば、環を構成するメチレン基の1つが、酸素原子等のヘテロ原子、又は、カルボニル基等のヘテロ原子を有する基で置き換わっていてもよい。
一般式(Y1)、(Y2)で表される基は、例えば、Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
Mは、単結合又は2価の連結基を表す。
Qは、アルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいシクロアルキル基、ヘテロ原子を含んでいてもよいアリール基、アミノ基、アンモニウム基、メルカプト基、シアノ基又はアルデヒド基を表す。
L1及びL2うち少なくとも1つは水素原子であり、少なくとも1つはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、又はアルキレン基とアリール基とを組み合わせた基であることが好ましい。
Q、M、L1の少なくとも2つが結合して環(好ましくは、5員若しくは6員環)を形成してもよい。
パターン倒れ性能の向上にはL2が2級又は3級アルキル基であることが好ましく、3級アルキル基であることがより好ましい。2級アルキル基としては、イソプロピル基、シクロヘキシル基又はノルボルニル基が挙げられ、3級アルキル基としては、tert-ブチル基又はアダマンタン基が挙げられる。これらの態様では、Tg又は活性化エネルギーが高くなるため、膜強度の担保に加え、かぶりの抑制ができる。
本発明の組成物に用いられる樹脂(A)として好ましくは、繰り返し単位のすべてが(メタ)アクリレート系繰り返し単位で構成されたものである。この場合、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがアクリレート系繰り返し単位であるもの、繰り返し単位のすべてがメタクリレート系繰り返し単位とアクリレート系繰り返し単位とによるもののいずれのものでも用いることができるが、アクリレート系繰り返し単位が全繰り返し単位の50mol%以下であることが好ましい。また、酸分解性基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20~50モル%、ラクトン基を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位20~50モル%、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する(メタ)アクリレート系繰り返し単位5~30モル%、更にその他の(メタ)アクリレート系繰り返し単位を0~20モル%含む共重合ポリマーも好ましい。
重合反応は窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で行われることが好ましい。重合開始剤として市販のラジカル開始剤(アゾ系開始剤、パーオキサイドなど)を用いて、重合を開始させる。ラジカル開始剤としてはアゾ系開始剤が好ましく、エステル基、シアノ基、又は、カルボキシル基を有するアゾ系開始剤が好ましい。好ましい開始剤としては、アゾビスイソブチロニトリル、アゾビスジメチルバレロニトリル、及び、ジメチル2,2‘-アゾビス(2-メチルプロピオネート)などが挙げられる。所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は5~50質量%であり、好ましくは10~30質量%である。反応温度は、通常10~150℃であり、好ましくは30~120℃、より好ましくは60~100℃である。
樹脂(A)及び化合物(C)に関して、重量平均分子量(Mw)、数平均分子量(Mn)及び分散度(Mw/Mn)は、GPC測定によるポリスチレン換算値を示す。重量平均分子量及び数平均分子量は、HLC-8120(東ソー(株)製)を用い、カラムとしてTSK gel Multipore HXL-M(東ソー(株)製、7.8mmID×30.0cm)を溶離液としてTHF(テトラヒドロフラン)を用いることによって算出される。
分散度(分子量分布)は、通常1.0~3.0であり、好ましくは1.0~2.6、より好ましくは1.0~2.0、更に好ましくは1.1~2.0の範囲のものが使用される。分子量分布の小さいものほど、解像度、レジスト形状が優れ、且つレジストパターンの側壁がスムーズであり、ラフネス性に優れる。
また、樹脂(A)は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
本発明の組成物に含有される酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(以下、「化合物(B)」、「酸発生剤」又は「酸発生剤(B)」とも言う)であれば特に制限されない。
化合物(B)は、活性光線又は放射線の照射により有機酸を発生する化合物であることが好ましい。
化合物(B)が、低分子化合物の形態である場合、分子量が3000以下であることが好ましく、2000以下であることがより好ましく、1000以下であることが更に好ましい。
化合物(B)が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合、前述した樹脂(A)の一部に組み込まれてもよく、樹脂(A)とは異なる樹脂に組み込まれてもよい。化合物(B)が、重合体の一部に組み込まれた形態である場合の具体例としては、例えば、特開2013-54196の段落<0191>~<0209>を挙げることができる。
例えば、酸発生剤としては、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、イミドスルホネート、オキシムスルホネート、ジアゾジスルホン、ジスルホン、及び、o-ニトロベンジルスルホネートを挙げることができる。
pKa(酸強度)とは、酸の強さを定量的に表すための指標のひとつであり、酸性度定数と同義である。酸から水素イオンが放出される解離反応を考え、その平衡定数Kaをその負の常用対数pKaによって表したものである。pKaが小さいほど強い酸であることを示す。本発明では、ACD(Advanced Chemistry Development)社製解析ソフト、ACD/pKa DB V8.0を用いた計算によりに算出される。
R201、R202及びR203は、各々独立に、有機基を表す。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1~30、好ましくは1~20である。
また、R201~R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、又は、カルボニル基を含んでいてもよい。R201~R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
Z-は、非求核性アニオンを表す。
Z-としての非求核性アニオンとしては、例えば、スルホン酸アニオン、カルボン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、及び、トリス(アルキルスルホニル)メチルアニオン等を挙げることができる。
スルホン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、及び、カンファースルホン酸アニオンなどが挙げられる。
カルボン酸アニオンとしては、例えば、脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、及び、アラルキルカルボン酸アニオンなどが挙げられる。
脂肪族スルホン酸アニオン及び芳香族スルホン酸アニオンにおけるアルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、置換基を有していてもよい。
その他の非求核性アニオンとしては、例えば、フッ素化燐(例えば、PF6 -)、フッ素化硼素(例えば、BF4 -)、フッ素化アンチモン等(例えば、SbF6 -)を挙げることができる。
Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
R7及びR8は、各々独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基、又は、少なくとも一つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し、複数存在する場合のR7及びR8は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
Lは、2価の連結基を表し、複数存在する場合のLは同一でも異なっていてもよい。
Aは、環状構造を含む有機基を表す。
xは、1~20の整数を表し、yは、0~10の整数を表す。zは、0~10の整数を表す。
Xfとして、好ましくは、フッ素原子又は炭素数1~4のパーフルオロアルキル基である。具体的には、フッ素原子、CF3、C2F5、C3F7、C4F9、C5F11、C6F13、C7F15、C8F17、CH2CF3、CH2CH2CF3、CH2C2F5、CH2CH2C2F5、CH2C3F7、CH2CH2C3F7、CH2C4F9、及び、CH2CH2C4F9が挙げられ、中でもフッ素原子、又は、CF3が好ましい。特に、双方のXfがフッ素原子であることが好ましい。
Riについてのアルキル基の具体例及び好ましい例としては、一般式(1)におけるR1~R4として前述した具体例及び好ましい例と同様のものが挙げられる。
脂環基としては、単環でも多環でもよく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、及び、シクロオクチル基などの単環のシクロアルキル基、並びに、ノルボルニル基、ノルボルネン-イル基、トリシクロデカニル基(例えば、トリシクロ[5.2.1.0(2,6)]デカニル基)、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、及び、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましく、アダマンチル基がより好ましい。また、ピペリジン基、デカヒドロキノリン基、及び、デカヒドロイソキノリン基等の窒素原子含有脂環基も好ましい。中でも、ノルボルニル基、トリシクロデカニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基、デカヒドロキノリン基、及び、デカヒドロイソキノリン基といった炭素数7以上のかさ高い構造を有する脂環基が、PEB(露光後加熱)工程での膜中拡散性を抑制できる点から好ましい。中でも、アダマンチル基、デカヒドロイソキノリン基が特に好ましい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナンスレン環、及び、アントラセン環が挙げられる。中でも193nmにおける光吸光度の観点から低吸光度のナフタレンが好ましい。
複素環基としては、フラン環、チオフェン環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、及び、ピリジン環が挙げられる。中でもフラン環、チオフェン環、ピリジン環が好ましい。その他の好ましい複素環基として、下記に示す構造を挙げることができる(式中、Xはメチレン基又は酸素原子を表し、Rは1価の有機基を表す)。
なお、環状構造を含む有機基を構成する炭素(環形成に寄与する炭素)はカルボニル炭素であっても良い。
ジスルホニルイミド酸アニオンとしては、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンであることが好ましい。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1~5のアルキル基が好ましい。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおける2つのアルキル基が互いに連結してアルキレン基(好ましくは炭素数2~4)をなし、イミド基及び2つのスルホニル基とともに環を形成していてもよい。ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンが形成していてもよい上記の環構造としては、5~7員環であることが好ましく、6員環であることがより好ましい。
これらのアルキル基、及び2つのアルキル基が互いに連結して成すアルキレン基が有し得る置換基としては、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換されたアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルオキシスルホニル基、アリールオキシスルホニル基、及び、シクロアルキルアリールオキシスルホニル基等が挙げられ、フッ素原子又はフッ素原子で置換されたアルキル基が好ましい。
なお、一般式(ZI)で表される構造を複数有する化合物であってもよい。例えば、一般式(ZI)で表される化合物のR201~R203の少なくとも1つが、一般式(ZI)で表されるもうひとつの化合物のR201~R203の少なくとも一つと、単結合又は連結基を介して結合した構造を有する化合物であってもよい。
化合物(ZI-1)は、上記一般式(ZI)のR201~R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基又はシクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及び、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基又はシクロアルキル基は、炭素数1~15の直鎖又は分岐アルキル基及び炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、及び、シクロヘキシル基等が挙げられる。
化合物(ZI-2)は、式(ZI)におけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を有さない有機基を表す化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を含有する芳香族環も包含するものである。
R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。
R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又は、ビニル基であり、より好ましくは直鎖又は分岐の2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、又は、アルコキシカルボニルメチル基、更に好ましくは直鎖又は分岐2-オキソアルキル基である。
R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1~5)、水酸基、シアノ基、又は、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
化合物(ZI-3)とは、以下の一般式(ZI-3)で表される化合物であり、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物である。
R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、シクロアルキルカルボニルオキシ基、ハロゲン原子、水酸基、ニトロ基、アルキルチオ基又はアリールチオ基を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、シアノ基又はアリール基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、2-オキソアルキル基、2-オキソシクロアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリル基又はビニル基を表す。
上記環構造としては、芳香族若しくは非芳香族の炭化水素環、芳香族若しくは非芳香族の複素環、又は、これらの環が2つ以上組み合わされてなる多環縮合環を挙げることができる。環構造としては、3~10員環を挙げることができ、4~8員環であることが好ましく、5又は6員環であることがより好ましい。
R5cとR6c、及び、R5cとRxが結合して形成する基としては、単結合又はアルキレン基であることが好ましく、アルキレン基としては、メチレン基、及び、エチレン基等を挙げることができる。
Zc-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)におけるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。
R1c~R5cとしてのアルキルカルボニルオキシ基及びアルキルチオ基におけるアルキル基の具体例は、上記R1c~R5cとしてのアルキル基の具体例と同様である。
R1c~R5cとしてのシクロアルキルカルボニルオキシ基におけるシクロアルキル基の具体例は、上記R1c~R5cとしてのシクロアルキル基の具体例と同様である。
R1c~R5cとしてのアリールオキシ基及びアリールチオ基におけるアリール基の具体例は、上記R1c~R5cとしてのアリール基の具体例と同様である。
化合物(ZI-4)は、下記一般式(ZI-4)で表される。
R13は水素原子、フッ素原子、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
R14は、複数存在する場合は各々独立して、水酸基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルキルカルボニル基、アルキルスルホニル基、シクロアルキルスルホニル基、又はシクロアルキル基を有する基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。
R15は各々独立して、アルキル基、シクロアルキル基又はナフチル基を表す。これらの基は置換基を有してもよい。2個のR15が互いに結合して環を形成してもよい。2個のR15が互いに結合して環を形成するとき、環骨格内に、酸素原子、窒素原子などのヘテロ原子を含んでもよい。一態様において、2個のR15がアルキレン基であり、互いに結合して環構造を形成することが好ましい。
lは0~2の整数を表す。
rは0~8の整数を表す。
Z-は、非求核性アニオンを表し、一般式(ZI)におけるZ-と同様の非求核性アニオンを挙げることができる。
本発明における一般式(ZI-4)で表される化合物のカチオンとしては、特開2010-256842号公報の段落<0121>、<0123>、<0124>、及び、特開2011-76056号公報の段落<0127>、<0129>、<0130>等に記載のカチオンを挙げることができる。
一般式(ZII)、(ZIII)中、R204~R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204~R207のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基が好ましく、より好ましくはフェニル基である。R204~R207のアリール基は、酸素原子、窒素原子、又は、硫黄原子等を有する複素環構造を有するアリール基であってもよい。複素環構造を有するアリール基の骨格としては、例えば、ピロール、フラン、チオフェン、インドール、ベンゾフラン、及び、ベンゾチオフェン等が挙げられる。
R204~R207におけるアルキル基及びシクロアルキル基としては、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)、又は、炭素数3~10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基)が挙げられる。
酸発生剤として、更に、下記一般式(ZIV)、(ZV)、(ZVI)で表される化合物も挙げられる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
R208、R209及びR210のアルキル基及びシクロアルキル基の具体例としては、各々、上記一般式(ZI-2)におけるR201、R202及びR203としてのアルキル基及びシクロアルキル基の具体例と同様のものを挙げることができる。
Rb3~Rb5は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rb3とRb4が結合して環構造を形成してもよい。
Rb3~Rb5として、好ましくは、炭素数1~4のパーフロロアルキル基であり、より好ましくは、炭素数1~3のパーフロロアルキル基である。
Rb3とRb4が結合して形成される基としては、アルキレン基、アリーレン基が挙げられる。
Rb3とRb4が結合して形成される基として、好ましくは、炭素数2~4のパーフロロアルキレン基であり、より好ましくは、パーフロロプロピレン基である。Rb3とRb4が結合して環構造を形成することで環構造を形成しないものと比べて酸性度が向上し、組成物の感度が向上する。
Rc6は、パーフロロアルキレン基を表し、より好ましくは、炭素数2~4のパーフロロアルキレン基である。
Axは、単結合又は2価の連結基(好ましくは、-O-、-CO2-、-S-、-SO3-、-SO2N(Rd1)-)を表す。Rd1は、水素原子又はアルキル基を表し、Rc7と結合して環構造を形成してもよい。
Rc7は、水素原子、フッ素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。Rc7のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基は、置換基としてフッ素原子を有さないことが好ましい。
R201、R202及びR203は、各々独立に有機基を表す。
Xd-は、一般式(III)又は(IV)で表される酸のアニオンを表す。
アリールスルホニウム化合物は、R201~R203の全てがアリール基でもよいし、R201~R203の一部がアリール基で、残りがアルキル基、シクロアルキル基でもよい。
アリールスルホニウム化合物としては、例えば、トリアリールスルホニウム化合物、ジアリールアルキルスルホニウム化合物、アリールジアルキルスルホニウム化合物、ジアリールシクロアルキルスルホニウム化合物、及び、アリールジシクロアルキルスルホニウム化合物が挙げられる。
アリールスルホニウム化合物のアリール基としては、フェニル基及びナフチル基などのアリール基、又は、インドール残基及びピロール残基などのヘテロアリール基が好ましく、より好ましくはフェニル基又はインドール残基である。アリールスルホニウム化合物が2つ以上のアリール基を有する場合に、2つ以上あるアリール基は同一であっても異なっていてもよい。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているアルキル基は、炭素数1~15の直鎖、分岐アルキル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、及び、t-ブチル基等を挙げることができる。
アリールスルホニウム化合物が必要に応じて有しているシクロアルキル基は、炭素数3~15のシクロアルキル基が好ましく、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、及び、シクロヘキシル基等を挙げることができる。
R201~R203のアリール基、アルキル基、及び、シクロアルキル基は、アルキル基(例えば炭素数1~15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3~15)、アリール基(例えば炭素数6-から14)、アルコキシ基(例えば炭素数1~15)、ハロゲン原子、水酸基、又は、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好ましい置換基としては、炭素数1~12の直鎖、分岐アルキル基、炭素数3~12のシクロアルキル基、炭素数1~12の直鎖、又は、分岐又は環状のアルコキシ基であり、より好ましくは炭素数1~4のアルキル基、炭素数1~4のアルコキシ基である。置換基は、3つのR201~R203のうちのいずれか1つに置換していてもよいし、3つ全てに置換していてもよい。また、R201~R203がアリール基の場合に、置換基はアリール基のp-位に置換していることが好ましい。
アリールスルホニウムカチオンとして、好ましくは、置換していてもよいトリフェニルスルホニウムカチオン、置換していてもよいナフチルテトラヒドロチオフェニウムカチオン、置換していてもよいフェニルテトラヒドロチオフェニウムカチオンである。
化合物(ZI-2a)は、一般式(ZIa)におけるR201~R203が、各々独立に、芳香環を含有しない有機基を表す場合の化合物である。ここで芳香環とは、ヘテロ原子を有する芳香族環も包含するものである。
R201~R203としての芳香環を含有しない有機基は、一般的に炭素数1~30、好ましくは炭素数1~20である。
R201~R203は、各々独立に、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又は、ビニル基であり、より好ましくは直鎖、分岐状、又は環状2-オキソアルキル基、若しくは、アルコキシカルボニルメチル基、更に好ましくは直鎖又は分岐状2-オキソアルキル基である。
R201~R203としてのシクロアルキル基としては、炭素数3~10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基)が好ましい。R201~R203としてのシクロアルキル基は、環状2-オキソアルキル基であることがより好ましい。
R201~R203における直鎖、分岐、環状の2-オキソアルキル基は、好ましくは、上記のアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
R201~R203としてのアルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基としては、好ましくは炭素数1~5のアルコキシ基(メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基)を挙げることができる。
R201~R203は、ハロゲン原子、アルコキシ基(例えば炭素数1~5)、水酸基、シアノ基、ニトロ基によって更に置換されていてもよい。
R1c~R5cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。
R6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rx及びRyは、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリル基、又はビニル基を表す。
R1c~R5c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合して環構造を形成してもよく、この環構造は、酸素原子、硫黄原子、エステル結合、又は、アミド結合を含んでいてもよい。R1c~R5c中のいずれか2つ以上、及びRxとRyが結合して形成する基としては、ブチレン基、及び、ペンチレン基等を挙げることができる。
Xd-は、一般式(III)又は(IV)で表される酸のアニオンを表し、一般式(ZIa)における、Xd-と同様のものである。
R1c~R7cとしてのシクロアルキル基は、例えば、炭素数3~20個のシクロアルキル基、好ましくは、炭素数3~8個のシクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げることができる。
R1c~R5cとしてのアルコキシ基は、直鎖、分岐、及び、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1~10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1~5の直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブトキシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3~8の環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。
好ましくはR1c~R5cのうちいずれかが直鎖、分岐アルキル基、シクロアルキル基又は直鎖、分岐、若しくは環状アルコキシ基であり、更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2~15である。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時にパーティクルの発生が抑制される。
Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、R1c~R7cとしてのシクロアルキル基と同様のものを挙げることができる。Rx及びRyとしてのシクロアルキル基は、環状2-オキソアルキル基であることがより好ましい。
直鎖、分岐、又は環状2-オキソアルキル基としては、R1c~R7cとしてのアルキル基、シクロアルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることができる。
アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコキシ基については、R1c~R5cとしてのアルコキシ基と同様のものを挙げることができる。
Rx、Ryは、好ましくは炭素数4個以上のアルキル基であり、より好ましくは6個以上、更に好ましくは8個以上のアルキル基である。
R204~R205は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
R204~R205のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基が好ましく、より好ましくはフェニル基である。
R204~R205としてのアルキル基は、直鎖、及び、分岐状のいずれであってもよく、好ましくは、炭素数1~10の直鎖又は分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基)を挙げることができる。
R204~R205としてのシクロアルキル基は、好ましくは、炭素数3~10のシクロアルキル基(シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基)を挙げることができる。
R204~R207が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基(例えば炭素数1~15)、シクロアルキル基(例えば炭素数3~15)、アリール基(例えば炭素数6~15)、アルコキシ基(例えば炭素数1~15)、ハロゲン原子、水酸基、及び、フェニルチオ基等を挙げることができる。
酸発生剤は、公知の方法で合成することができ、例えば、特開2007-161707号公報に記載の方法に準じて合成することができる。
酸発生剤は、1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
また、酸発生剤が上記一般式(ZI-3)又は(ZI-4)により表される場合(複数種存在する場合はその合計)には、その含有量は、組成物の全固形分を基準として、0.1~35質量%が好ましく、0.5~30質量%がより好ましく、0.5~30質量%が更に好ましく、0.5~25質量%が特に好ましい。
酸発生剤の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
本発明の組成物は、疎水性樹脂を含有してもよい。なお、疎水性樹脂は樹脂(A)とは異なることが好ましい。
疎水性樹脂は前述のように界面に偏在するように設計されることが好ましいが、界面活性剤とは異なり、必ずしも分子内に親水基を有する必要はなく、極性/非極性物質を均一に混合することに寄与しなくてもよい。
疎水性樹脂を添加することの効果として、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角の制御、液浸液追随性の向上、アウトガスの抑制などを挙げることができる。
疎水性樹脂が、フッ素原子及び/又は珪素原子を含む場合、疎水性樹脂における上記フッ素原子及び/又は珪素原子は、樹脂の主鎖中に含まれていてもよく、側鎖中に含まれていてもよい。
フッ素原子を有するアルキル基(好ましくは炭素数1~10、より好ましくは炭素数1~4)は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された直鎖又は分岐アルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するシクロアルキル基は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換された単環又は多環のシクロアルキル基であり、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
フッ素原子を有するアリール基としては、フェニル基、ナフチル基などのアリール基の少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたものが挙げられ、更にフッ素原子以外の置換基を有していてもよい。
R57~R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57~R61の少なくとも1つ、R62~R64の少なくとも1つ、及びR65~R68の少なくとも1つは、各々独立に、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1~4)を表す。
R57~R61及びR65~R67は、全てがフッ素原子であることが好ましい。R62、R63及びR68は、少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1~4)が好ましく、炭素数1~4のパーフルオロアルキル基であることがより好ましい。R62とR63は、互いに連結して環を形成してもよい。
一般式(F3)で表される基の具体例としては、US2012/0251948A1〔0500〕に例示されたものを挙げることができる。
一般式(F4)で表される基の具体例としては、例えば、-C(CF3)2OH、-C(C2F5)2OH、-C(CF3)(CH3)OH、及び、-CH(CF3)OH等が挙げられ、-C(CF3)2OHが好ましい。
フッ素原子を含む部分構造は、主鎖に直接結合してもよく、更に、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合及びウレイレン結合よりなる群から選択される基、或いはこれらの2つ以上を組み合わせた基を介して主鎖に結合してもよい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、特開2013-178370号公報の段落<0304>~<0307>に記載された部分構造などを挙げることができる。
フッ素原子又は珪素原子を有する繰り返し単位の例としては、US2012/0251948A1〔0519〕に例示されたものを挙げることができる。
ここで、疎水性樹脂中の側鎖部分が有するCH3部分構造は、エチル基、及び、プロピル基等が有するCH3部分構造を包含するものである。
一方、疎水性樹脂の主鎖に直接結合しているメチル基(例えば、メタクリル酸構造を有する繰り返し単位のα-メチル基)は、主鎖の影響により疎水性樹脂の表面偏在化への寄与が小さいため、CH3部分構造に包含されないものとする。
一方、C-C主鎖から何らかの原子を介して存在するCH3部分構造は、本発明におけるCH3部分構造に該当するものとする。例えば、R11がエチル基(CH2CH3)である場合、本発明におけるCH3部分構造を「1つ」有するものとする。
R11~R14は、各々独立に、側鎖部分を表す。
側鎖部分のR11~R14としては、水素原子、1価の有機基などが挙げられる。
R11~R14についての1価の有機基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルオキシカルボニル基、シクロアルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルアミノカルボニル基、シクロアルキルアミノカルボニル基、及び、アリールアミノカルボニル基などが挙げられ、これらの基は、更に置換基を有していてもよい。
Xb1は、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
R2としては、1つ以上のCH3部分構造を有する、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、及び、アラルキル基が挙げられる。上記のシクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アリール基、及び、アラルキル基は、更に、置換基としてアルキル基を有していてもよい。
R2は、1つ以上のCH3部分構造を有する、アルキル基又はアルキル置換シクロアルキル基が好ましい。
R2としての1つ以上のCH3部分構造を有する酸に安定な有機基は、CH3部分構造を2個以上10個以下有することが好ましく、2個以上8個以下有することがより好ましい。
一般式(II)で表される繰り返し単位の好ましい具体例を以下に挙げる。なお、本発明はこれに限定されるものではない。
以下、一般式(III)で表される繰り返し単位について詳細に説明する。
Xb2のアルキル基は、炭素数1~4のものが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基、及び、トリフルオロメチル基等が挙げられるが、水素原子である事が好ましい。
Xb2は、水素原子であることが好ましい。
R3は、酸に対して安定な有機基であるため、より具体的には、上記樹脂(A)において説明した“酸分解性基”を有さない有機基であることが好ましい。
R3としての1つ以上のCH3部分構造を有する酸に安定な有機基は、CH3部分構造を1個以上10個以下有することが好ましく、1個以上8個以下有することがより好ましく、1個以上4個以下有することが更に好ましい。
nは1から5の整数を表し、1~3の整数を表すことがより好ましく、1又は2を表すことが更に好ましい。
疎水性樹脂が珪素原子を有する場合、珪素原子の含有量は、疎水性樹脂の重量平均分子量に対し、2~50質量%であることが好ましく、2~30質量%であることがより好ましい。また、珪素原子を含む繰り返し単位は、疎水性樹脂に含まれる全繰り返し単位中、10~100モル%であることが好ましく、20~100モル%であることがより好ましい。
また、疎水性樹脂は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
疎水性樹脂の組成物中の含有量は、本発明の組成物中の全固形分に対し、0.01~1
0質量%が好ましく、0.05~8質量%がより好ましく、0.1~7質量%が更に好ましい。
反応溶剤、重合開始剤、反応条件(温度、濃度等)、及び、反応後の精製方法は、樹脂(A)で説明した内容と同様であるが、疎水性樹脂の合成においては、反応の濃度が30~50質量%であることが好ましい。
本発明の組成物は、酸拡散制御剤(D)を含有することが好ましい。酸拡散制御剤(D)は、露光時に酸発生剤等から発生する酸をトラップし、余分な発生酸による、未露光部における酸分解性樹脂の反応を抑制するクエンチャーとして作用するものである。酸拡散制御剤(D)としては、塩基性化合物、窒素原子を有し酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物、又は、酸発生剤に対して相対的に弱酸となるオニウム塩を使用することができる。
酸拡散制御剤の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分に対して、0.01質量%以上であることが好ましく、0.2質量%以上であることがより好ましい。上限は特に制限されないが、2.0質量%以下の場合が多い。
なお、酸拡散制御剤は、1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1~20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3~20)又はアリール基(炭素数6~20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。
R203、R204、R205及びR206は、同一でも異なってもよく、炭素数1~20個のアルキル基を表す。
これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
好ましい化合物の具体例としては、US2012/0219913A1 <0379>に例示された化合物を挙げることができる。
好ましい塩基性化合物として、更に、フェノキシ基を有するアミン化合物、フェノキシ基を有するアンモニウム塩化合物、スルホン酸エステル基を有するアミン化合物及びスルホン酸エステル基を有するアンモニウム塩化合物を挙げることができる。
また、下記化合物も塩基性化合物として好ましい。
9〕、国際公開パンフレットWO2011/158687A1〔0416〕~〔0438〕に記載されている化合物等を使用することもできる。
これらの塩基性化合物は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
酸の作用により脱離する基として、アセタール基、カルボネート基、カルバメート基、3級エステル基、3級水酸基、又は、ヘミアミナールエーテル基が好ましく、カルバメート基、又は、ヘミアミナールエーテル基がより好ましい。
化合物(D-1)の分子量は、100~1000が好ましく、100~700がより好ましく、100~500が更に好ましい。
化合物(D-1)は、窒素原子上に保護基を有するカルバメート基を有してもよい。カルバメート基を構成する保護基としては、下記一般式(d-1)で表すことができる。
Rbは、各々独立に、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1~10)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3~30)、アリール基(好ましくは炭素数3~30)、アラルキル基(好ましくは炭素数1~10)、又はアルコキシアルキル基(好ましくは炭素数1~10)を表す。Rbは相互に連結して環を形成していてもよい。
Rbが示すアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、ヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基、アルコキシ基、又は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。Rbが示すアルコキシアルキル基についても同様である。
2つのRbが相互に連結して形成する環としては、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、複素環式炭化水素基若しくはその誘導体等が挙げられる。
一般式(d-1)で表される基の具体的な構造としては、US2012/0135348 A1 <0466>に開示された構造を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
Rbは、上記一般式(d-1)におけるRbと同義であり、好ましい例も同様である。
lは0~2の整数を表し、mは1~3の整数を表し、l+m=3を満たす。
一般式(6)において、Raとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基は、Rbとしてのアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基が置換されていてもよい基として前述した基と同様な基で置換されていてもよい。
本発明における特に好ましい化合物(D-1)の具体的としては、US2012/0135348 A1 <0475>に開示された化合物を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
本発明において、化合物(D-1)は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。
プロトンアクセプター性は、pH測定を行うことによって確認することができる。
Qは、-SO3H、-CO2H、又は-W1NHW2Rfを表す。ここで、Rfは、アルキル基(好ましくは炭素数1~20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3~20)又はアリール基(好ましくは炭素数6~30)を表し、W1及びW2は、各々独立に、-SO2-又は-CO-を表す。
Aは、単結合又は2価の連結基を表す。
Xは、-SO2-又は-CO-を表す。
nは、0又は1を表す。
Bは、単結合、酸素原子、又は-N(Rx)Ry-を表す。ここで、Rxは水素原子又は1価の有機基を表し、Ryは単結合又は2価の有機基を表す。Rxは、Ryと結合して環を形成していてもよく、Rと結合して環を形成していてもよい。
Rは、プロトンアクセプター性官能基を有する1価の有機基を表す。
Aにおける2価の連結基としては、好ましくは炭素数2~12の2価の連結基であり、例えば、アルキレン基、フェニレン基等が挙げられる。より好ましくは少なくとも1つのフッ素原子を有するアルキレン基であり、好ましい炭素数は2~6、より好ましくは炭素数2~4である。アルキレン鎖中に酸素原子、硫黄原子などの連結基を有していてもよい。アルキレン基は、特に水素原子数の30~100%がフッ素原子で置換されたアルキレン基が好ましく、Q部位と結合した炭素原子がフッ素原子を有することがより好ましく、パーフルオロアルキレン基が更に好ましく、パーフロロエチレン基、パーフロロプロピレン基、又は、パーフロロブチレン基が特に好ましい。
Rxにおけるアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数1~20の直鎖及び分岐アルキル基であり、アルキル鎖中に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。
Rxにおけるシクロアルキル基としては、置換基を有していてもよく、好ましくは炭素数3~20の単環シクロアルキル基又は多環シクロアルキル基であり、環内に酸素原子、硫黄原子、窒素原子を有していてもよい。
Rxにおけるアリール基としては、置換基を有してもよく、好ましくは炭素数6~14のものが挙げられ、例えば、フェニル基及びナフチル基等が挙げられる。
Rxにおけるアラルキル基としては、置換基を有してもよく、好ましくは炭素数7~20のものが挙げられ、例えば、ベンジル基及びフェネチル基等が挙げられる。
Rxにおけるアルケニル基は、置換基を有してもよく、直鎖状であってもよく、分岐状であってもよい。このアルケニル基の炭素数は、3~20であることが好ましい。このようなアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基及びスチリル基等が挙げられる。
RxとRyが互いに結合して形成してもよい環構造としては、窒素原子を含む5~10員の環、特に好ましくは6員の環が挙げられる。
このような構造を有する有機基として、好ましい炭素数は4~30の有機基であり、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、及び、アルケニル基などを挙げることができる。
単環式構造としては、窒素原子を含む4員環、5員環、6員環、7員環、及び、8員環等を挙げることができる。多環式構造としては、2又は3以上の単環式構造の組み合わせから成る構造を挙げることができる。
Qは、酸基の親水性の観点から、-SO3H又は-CO2Hであることが特に好ましい。
一般式(PA-1)で表される化合物の内、Q部位がスルホン酸である化合物は、一般的なスルホンアミド化反応を用いることで合成できる。例えば、ビススルホニルハライド化合物の一方のスルホニルハライド部を選択的にアミン化合物と反応させて、スルホンアミド結合を形成した後、もう一方のスルホニルハライド部分を加水分解する方法、あるいは環状スルホン酸無水物をアミン化合物と反応させ開環させる方法により得ることができる。
化合物(PA)として、好ましくは下記一般式(4)~(6)で表される化合物が挙げられる。
C+はカウンターカチオンを示す。
カウンターカチオンとしては、オニウムカチオンが好ましい。より詳しくは、酸発生剤において、一般式(ZI)におけるS+(R201)(R202)(R203)として説明されているスルホニウムカチオン、一般式(ZII)におけるI+(R204)(R205)として説明されているヨードニウムカチオンが好ましい例として挙げられる。
化合物(PA)の具体例としては、US2011/0269072A1 <0280>に例示された化合物を挙げることができる。
mは1又は2を表し、nは1又は2を表す。但し、Aが硫黄原子の時、m+n=3、Aがヨウ素原子の時、m+n=2である。
Rは、アリール基を表す。
RNは、プロトンアクセプター性官能基で置換されたアリール基を表す。X-は、対アニオンを表す。
X-の具体例としては、前述した酸発生剤のアニオンと同様のものを挙げることができる。
R及びRNのアリール基の具体例としては、フェニル基が好ましく挙げられる。
以下に、カチオン部にプロトンアクセプター部位を有するイオン性化合物の具体例としては、US2011/0269072A1 <0291>に例示された化合物を挙げることができる。
なお、このような化合物は、例えば、特開2007―230913号公報及び特開20
09―122623号公報などに記載の方法を参考にして合成できる。
酸発生剤と、酸発生剤から生じた酸に対して相対的に弱酸(好ましくはpKaが-1超の弱酸)である酸を発生するオニウム塩を混合して用いた場合、活性光線性又は放射線の照射により酸発生剤から生じた酸が未反応の弱酸アニオンを有するオニウム塩と衝突すると、塩交換により弱酸を放出して強酸アニオンを有するオニウム塩を生じる。この過程で強酸がより触媒能の低い弱酸に交換されるため、見かけ上、酸が失活して酸拡散の制御を行うことができる。
一般式(d1‐2)で表される化合物のアニオン部の好ましい例としては、特開2012-242799号公報の段落〔0201〕に例示された構造を挙げることができる。
一般式(d1‐3)で表される化合物のアニオン部の好ましい例としては、特開2012-242799号公報の段落〔0209〕及び〔0210〕に例示された構造を挙げることができる。
化合物(D-2)としては、下記一般式(C-1)~(C-3)のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
R1、R2、R3は、炭素数1以上の置換基を表す。
L1は、カチオン部とアニオン部を連結する2価の連結基又は単結合を表す。
-X-は、-COO-、-SO3 -、-SO2 -、-N--R4から選択されるアニオン部を表す。R4は、隣接するN原子との連結部位に、カルボニル基:-C(=O)-、スルホニル基:-S(=O)2-、スルフィニル基:-S(=O)-を有する1価の置換基を表す。
R1、R2、R3、R4、L1は互いに結合して環構造を形成してもよい。また、(C-3)において、R1~R3のうち2つを合わせて、N原子と2重結合を形成してもよい。
一般式(C-1)で表される化合物の好ましい例としては、特開2013-6827号公報の段落〔0037〕~〔0039〕及び特開2013-8020号公報の段落〔0027〕~〔0029〕に例示された化合物を挙げることができる。
一般式(C-2)で表される化合物の好ましい例としては、特開2012-189977号公報の段落〔0012〕~〔0013〕に例示された化合物を挙げることができる。
一般式(C-3)で表される化合物の好ましい例としては、特開2012-252124号公報の段落〔0029〕~〔0031〕に例示された化合物を挙げることができる。
本発明の組成物は、通常、溶剤を含有する。
組成物を調製する際に使用することができる溶剤としては、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキルエステル、アルコキシプロピオン酸アルキル、環状ラクトン(好ましくは炭素数4~10)、環を有してもよいモノケトン化合物(好ましくは炭素数4~10)、アルキレンカーボネート、アルコキシ酢酸アルキル、及び、ピルビン酸アルキル等の有機溶剤を挙げることができる。
これらの溶剤の具体例は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書[0441]~<0455>に記載のもの、及び、酢酸イソアミル、ブタン酸ブチル、2-ヒドロキシイソ酪酸メチルを挙げることができる。
水酸基を含有する溶剤、水酸基を含有しない溶剤としては前述の例示化合物が適宜選択可能であるが、水酸基を含有する溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル等が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME、別名1-メトキシ-2-プロパノール)、乳酸エチルがより好ましい。また、水酸基を含有しない溶剤としては、アルキレングリコールモノアルキルエーテルアセテート、アルキルアルコキシプロピオネート、環を含有してもよいモノケトン化合物、環状ラクトン、酢酸アルキルなどが好ましく、これらの内でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA、別名1-メトキシ-2-アセトキシプロパン)、エチルエトキシプロピオネート、2-ヘプタノン、γ-ブチロラクトン、シクロヘキサノン、又は、酢酸ブチルがより好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、又は、2-ヘプタノンが更に好ましい。
水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤との混合比(質量)は、1/99~99/1、好ましくは10/90~90/10、より好ましくは20/80~60/40である。水酸基を含有しない溶剤を50質量%以上含有する混合溶剤が塗布均一性の点で特に好ましい。
溶剤は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含むことが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独溶剤、又は、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを含有する2種類以上の混合溶剤であることが好ましい。
本発明の組成物は、吸光剤を含有していてもよい。組成物中に吸光剤が含有されることにより、レジスト膜の光透過率を低減させて、酸発生剤の分解がしづらくなる。結果として、露光量が規定値から多少ズレても、レジスト膜の感度が大きく変化せず、厚みのバラツキが生じにくくなる。なお、吸光剤は、上述した樹脂(A)、酸発生剤(B)とは異なる化合物である。
使用される吸光剤の種類は特に制限されず、公知の吸光剤が用いられる。また、吸光剤は1種のみを用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。
なかでも、本発明の効果がより優れる点で、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である化合物X(吸光剤)が好ましい。化合物としては、高分子化合物(樹脂)であっても、低分子化合物であってもよい。なお、高分子化合物とは分子量が2000超の化合物を意図し、低分子化合物とは分子量が2000以下の化合物を意図する。
つまり、上記化合物Xとしては、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である樹脂、又は、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超であり、かつ、分子量が2000以下である化合物が挙げられる。
なお、高分子化合物が所定の繰り返し単位を有する樹脂であり、分子量分布がある場合は、上記分子量は重量平均分子量として読み替える。
上記モル吸光係数εの測定方法としては、化合物Xを0.1g量り、アセトニトリル1000mLに完全に溶解させ、分光光度計(島津社製、UV-2500PC)を用いてこの溶液の吸光度を測定し、以下の式からモル吸光係数εを算出する。なお、この測定で用いたセルの光路長は1cmである。
式:A=ε・C・l
(A:吸光度、C:濃度(mol/L)、l:光路長(cm))
Aは、1価の置換基を表す。
Xは、単結合又は2価の連結基を表す。
Wは、ラクトン環を有する基、若しくは、式(V1)~(V4)のいずれかで表される基を表す。
mは、0以上の整数を表す。
nは、1以上の整数を表す。
A、X及びWのそれぞれについて、複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
なお、複数の一般式(I)で表される化合物が、単結合、A及びWの少なくともいずいれかを介して、結合していてもよい。すなわち、A又はWで表される基を共有する形で、複数の一般式(I)で表される化合物が結合していてもよい。
Zは、単結合又は2価の連結基を表し、Zの2価の連結基は、一般式(I)における、Xと同様のものである。Zは、単結合、アルキレン基が好ましい。Ra、Rb及びRcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
Rdは、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。
また、Ra、Rb及びRcの内の2つの基、又はRa、Rb及びRdの内の2つの基が結合して3~8個の炭素原子からなる環構造を形成してもよいし、更にはこれらにヘテロ原子を含んでなる環構造を形成してもよい。
組み合わせの例としては、アルキレン基とカルボニル基、スルホニル基、-COO-、-CONH-、-SO2NH-、スルフィド基、又は、-O-が好ましい。
Xとしての連結基の原子数は、好ましくは1から10以下である。
Wがラクトン環を有する基である場合、現像時に加水分解し、カルボキシル基(アルカリ可溶性基)を生じるため、特に現像欠陥低減に寄与する。
式(V1)で表される基であって、Ra、Rb及びRc、それぞれが、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアルケニル基を表す場合、又は式(V2)で表される基である場合には、Wは、酸分解性基を有する基であり、露光により酸発生剤から発生した酸により脱保護反応が進行し、アルカリ可溶性基を生じるため、特に現像欠陥低減に寄与する。
式(V3)又は(V4)で表される基は、チオール基又はカルボキシル基などの酸基を有する基であり、アルカリ可溶性基であるため、特に現像欠陥低減の向上に寄与する。
-X-Wで表される基は、アントラセン環の中央のベンゼン環に結合していることが好ましい。
mは、0以上の整数を表し、0~3が好ましく、0が特に好ましい。
nは、1以上の整数を表し、1~3が好ましく、1が特に好ましい。
Wとしてのラクトン環を有する基が有するラクトン環は、4~8員環が好ましく、5~7員環がより好ましい。ラクトン環中に二重結合を有していてもよい。
ラクトン環が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アシル基、オキシ基(>C=O)、水酸基、またAとしての置換基と同様のものなどが挙げられ、置換基が他の置換基で置換された基であってもよい。
n2は、0~4の整数を表す。n2が2以上の整数である場合、複数存在する置換基(Rb2)は、互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。また、この場合、複数存在する置換基(Rb2)同士が互いに結合して、環構造を形成してもよい。
より具体的には、例えば、以下のラクトン構造が挙げられる。
Zは、単結合又は2価の連結基を表し、Zの2価の連結基は、一般式(I)における、Xと同様のものである。Zは、単結合、又は、アルキレン基(例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基)が好ましい。式(V1)及び(V2)において、Zは、単結合、メチレン基が好ましく、式(V4)において、Zは、メチレン基が好ましい。
Ra、Rb及びRcは、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアルケニル基を表す。
Rdは、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。
なお、式(V1)で表される基については、Ra、Rb及びRc、それぞれが、アルキル基、シクロアルキル基若しくはアルケニル基を表す場合、即ち、酸の作用により、-C(Ra)(Rb)(Rc)で表される基が脱離し、カルボキシル基を生じる、酸分解性基を有する基である場合が好ましい。
形成する環構造としては、好ましくは炭素数3~15、より好ましくは炭素数3~8であり、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、1-シクロヘキセニル基、アダマンチル基、2-テトラヒドロフラニル基、及び、2-テトラヒドロピラニル基等が挙げられる。
Ra~Rdのアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、メチル基、エチル基、プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、及び、オクチル基のような炭素数1~8個のものが挙げられる。
シクロアルキル基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基のような炭素数3~8個のものが挙げられる。
アルケニル基としては、好ましくは置換基を有していてもよい、ビニル基、プロペニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、及び、シクロヘキセニル基の様な炭素数2~6個のものが挙げられる。
化合物(A)は、公知の方法で合成してもよいし、市販のものを用いてもよい。例えば、以下のようにして合成することができる。以下において、Xは一般式(I)におけるものと同義である。
本発明の組成物は、カルボン酸オニウム塩を含有してもしなくてもよい。このようなカルボン酸オニウム塩は、米国特許出願公開2008/0187860号明細書<0605>~<0606>に記載のものを挙げることができる。
これらのカルボン酸オニウム塩は、スルホニウムヒドロキシド、ヨードニウムヒドロキシド、アンモニウムヒドロキシドとカルボン酸とを、適当な溶剤中酸化銀と反応させることによって合成できる。
本発明の組成物には、必要に応じて更に、酸増殖剤、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤、アルカリ可溶性樹脂、溶解阻止剤及び現像液に対する溶解性を促進させる化合物(例えば、分子量1000以下のフェノール化合物、カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物)等を含有させることができる。
カルボキシル基を有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコール酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他のレジスト成分の質量の質量百分率である。
各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過を挙げることができる。フィルター孔径としては、ポアサイズ10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましく、3nm以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、これらの材質とイオン交換メディアを組み合わせた複合材料であってもよい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び/又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用しても良い。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であっても良い。
また、各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、装置内をテフロン(登録商標)でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
本発明のパターン形成方法は、DSA(Directed Self-Assembly)におけるガイドパターン形成(例えば、ACS Nano Vol.4 No.8 Page4815-4823参照)にも用いることができる。
また、上記の方法によって形成されたレジストパターンは、例えば特開平3-270227及び特開2013-164509に開示されたスペーサープロセスの芯材(コア)として使用できる。
配管に通す溶剤としては、レジストを溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば上述した有機溶剤が挙げられ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-ヘプタノン、乳酸エチル、1-プロパノール、及び、アセトン等を用いることができる。中でも好ましくは、PGMEA、PGME、及び、シクロヘキサノンを用いることができる。
樹脂(XA)の含有量は、トップコート組成物に含まれる全固形分を基準として、0.01~30質量%が好ましく、0.1~10質量%がより好ましく、0.1~8質量%が更に好ましく、0.1~5質量%が特に好ましい。樹脂(XB)の含有量は、トップコート組成物に含まれる全固形分を基準として、50.0~99.9質量%が好ましく、60~99.9質量%がより好ましく、70~99.9質量%が更に好ましく、80~99.9質量%が特に好ましい。
樹脂(XA)に含有されるフッ素原子及び珪素原子の含有量の好ましい範囲は、樹脂(X)がフッ素原子を有する場合及び樹脂(X)が珪素原子を有する場合の好ましい範囲と同様である。
樹脂(XB)としては、フッ素原子及び珪素原子を実質的に含有しない形態が好ましく、この場合、具体的には、フッ素原子を有する繰り返し単位及び珪素原子を有する繰り返し単位の合計の含有量が、樹脂(XB)中の全繰り返し単位に対して0~20モル%が好ましく、0~10モル%がより好ましく、0~5モル%が更に好ましく、0~3モル%が特に好ましく、理想的には0モル%、すなわち、フッ素原子及び珪素原子を含有しない。
下記表1に示す成分を同表に示す割合(組成物全質量中の質量%)で溶剤に溶解させ、それぞれについてのレジスト溶液を調製し、これを1.0μmのポアサイズを有するUPE(ultra high molecular weight polyethylene)フィルターで濾過した。これにより、固形分濃度14.2質量%の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(レジスト組成物)を調製した。
また、表1中、「条件1又は条件2」欄は、上述した条件1又は条件2のいずれを満たすかを示す。両方を満たさない場合は「-」と表す。
また、A-1~A-5のモル吸光係数の測定方法は、上述の通りである。
なお、以下のA-2及びA-3は、波長243nmにおいてアセトニトリル中のモル吸光係数εが200超である樹脂に該当する。
なお、以下のB-1から生じる酸(発生酸)のpKaは-6であり、B-2から生じる酸(発生酸)のpKaは-1であり、B-3から生じる酸(発生酸)のpKaは-2であり、B-4から生じる酸(発生酸)のpKaは1である。
F-1:PGMEA/PGME=80/20
(γ評価)
ヘキサメチルジシラザン処理を施したSi基板(Advanced Materials Technology社製)上に、上記で調製したレジスト組成物を塗布し、140℃で60秒間ベーク(PreBake)を行い、各実施例及び各比較例において表1に記載の厚みTのレジスト膜を形成した。次に、KrFエキシマレーザースキャナー(NA0.80)を用い、露光マスクを介さずに、レジスト膜が形成されたウエハに対して、露光量を1mJ/cm2から0.8mJ/cm2毎増やしながら99点露光を行った。その後、120℃で60秒間ベーク(Post Exposure Bake;PEB)した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で60秒間現像し、純水で30秒間リンスした後、スピン乾燥した。99点の露光部の膜厚を測定し、膜厚(nm)を縦軸とし露光量(mJ/cm2)の常用対数値を横軸とした直交座標に、各露光箇所での膜厚及び露光量の常用対数値に対応する点をプロットし、プロット図を作製した(図2参照)。
得られたプロット図において、プロットされた点を結んで得られる線を作成し、線上の縦軸が厚みT×0.8の点と縦軸が厚みT×0.4の点とを結ぶ直線の傾きの絶対値をγとして算出した。各実施例及び各比較例のγの値を、表1にまとめて示す。
ヘキサメチルジシラザン処理を施したSi基板(Advanced Materials Technology社製)上に、上記で調製したレジスト組成物を塗布し、140℃で60秒間ベーク(PreBake)を行い、各実施例及び各比較例において表1に記載の厚みTのレジスト膜を形成した。次に、KrFエキシマレーザースキャナー(NA0.80)を用い、露光マスクを介さずに、レジスト膜が形成されたウエハに対して、同一露光量で99点露光を行った。このときの露光量は、上記(γ評価)において得られたプロット図中の線上の0.5T(T×0.5)nmとなる露光量を用いた。
その後、各実施例及び各比較例において表1に記載の温度で60秒間ベーク(Post Exposure Bake;PEB)した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で60秒間現像し、純水で30秒間リンスした後、スピン乾燥した。99点の露光部の膜厚を測定し、3σを算出した。この3σの値を膜厚バラツキ(表1中の「バラツキ」に該当)とした。
また、各実施例及び各比較例にて得られた膜厚バラツキ(nm)の値を、各実施例及び各比較例のレジスト膜の厚みTで除して100を掛け合わせて、バラツキ率(%)を算出した。結果を表1にまとめて示す。このバラツキ率が小さいほど、膜厚均一性に優れる。
調製したレジスト組成物を石英ガラス基板上にスピンコートにより塗布し、140℃で60秒間プリベークを行って各実施例及び各比較例において表1に記載の厚みTのレジスト膜を形成し、その膜の波長248nmの透過率を測定した。透過率の測定には、吸光光度計(島津社製)を用いた。
また、この結果より、グレースケール露光などを行った際に、製造ロット間において露光量のバラツキがある場合にも、形成される処理膜の厚みのバラツキが生じにくいことが把握できる。よって、例えば、グレースケール露光により階段状構造を有するパターンを形成する場合、製造ロット間において露光量のバラツキが合っても、製造ロット間でパターン中の各階段の高さの差が生じにくく、製造歩留まりに優れることが分かる。
なかでも、実施例1~3の比較より、膜厚が2000nm以上の場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例1、4、5の比較より、PEBの温度が115℃以下の場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例1、6、7の比較より、吸光度が8%以下の場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例1、8~12の比較より、樹脂の波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超の場合、より効果が優れることが確認された。
また、実施例1、13~14の比較より、発生酸のpKaが-2以上である酸発生剤を使用した場合、より効果が優れることが確認された。
また、条件1又は条件2を満たしていない比較例1~5においては、膜厚のバラツキが大きく、所望の効果が得られなかった。
12 膜(レジスト膜)
Claims (12)
- 酸の作用によってアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)及び酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に厚みTの膜を形成する工程Aと、
前記膜を露光する工程Bと、
前記露光された膜を、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて現像し、パターンを形成する工程Cと、を有する、パターン形成方法であって、
前記工程Aにおいて形成された前記膜が、下記条件1及び条件2の少なくとも一方を満たし、
前記工程Bでの前記露光が、KrF光によって行われ、
前記工程Bの後で前記工程Cの前に、前記膜に対して加熱処理を施す工程Dを更に備え、
前記工程Dの加熱処理での温度が120℃以下である、パターン形成方法であって、
前記樹脂(A)の波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超であるか、又は、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記樹脂(A)とは異なる樹脂であって、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である樹脂(B)を更に含む、パターン形成方法。
条件1:前記膜の厚みTが800nm以上の場合、γの値が10000未満である。
条件2:前記膜の厚みTが800nm未満の場合、γの値が5000未満である。
なお、前記γは、以下のγ算出方法により求められるものである。
γ算出方法:前記基板上に形成された前記厚みTの膜に対して、KrFエキシマレーザーを用いて露光量を1mJ/cm2から0.8mJ/cm2毎増加させながら露光を99箇所行い、露光後の膜に対して120℃で60秒間ベーク処理を施し、その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で60秒間現像処理を施し、現像処理後の膜の各露光箇所での膜厚を算出し、膜厚を縦軸とし露光量の常用対数値を横軸とした直交座標に、各露光箇所での膜厚及び露光量の常用対数値に対応する点をプロットし、前記プロットされた点を結んで得られる線を作成し、前記線上の縦軸が厚みT×0.8の点と縦軸が前記厚みT×0.4の点とを結ぶ直線の傾きの絶対値をγとする。 - 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記酸発生剤とは異なる化合物であり、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超であり、かつ、分子量が2000以下である化合物を更に含む、請求項1に記載のパターン形成方法。
- 酸の作用によってアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)及び酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に厚みTの膜を形成する工程Aと、
前記膜を露光する工程Bと、
前記露光された膜を、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて現像し、パターンを形成する工程Cと、を有する、パターン形成方法であって、
前記工程Aにおいて形成された前記膜が、下記条件1及び条件2の少なくとも一方を満たし、
前記工程Aにおいて形成された前記膜が下記条件1を満たす場合、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、前記樹脂(A)及び前記酸発生剤とは異なる化合物であって、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である化合物を更に含み、
前記工程Aにおいて形成された前記膜が下記条件2を満たす場合、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、前記化合物を含まず、
前記工程Bの後で前記工程Cの前に、前記膜に対して加熱処理を施す工程Dを更に備え、
前記工程Dの加熱処理での温度が120℃以下である、パターン形成方法であって、
前記樹脂(A)の波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超であるか、又は、前記工程Aにおいて形成された前記膜が下記条件1を満たす場合、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、前記化合物として、前記樹脂(A)とは異なる樹脂であって、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である樹脂(B)を含む、パターン形成方法。
条件1:前記膜の厚みTが800nm以上の場合、γの値が10000未満である。
条件2:前記膜の厚みTが800nm未満の場合、γの値が5000未満である。
なお、前記γは、以下のγ算出方法により求められるものである。
γ算出方法:前記基板上に形成された前記厚みTの膜に対して、KrFエキシマレーザーを用いて露光量を1mJ/cm2から0.8mJ/cm2毎増加させながら露光を99箇所行い、露光後の膜に対して120℃で60秒間ベーク処理を施し、その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で60秒間現像処理を施し、現像処理後の膜の各露光箇所での膜厚を算出し、膜厚を縦軸とし露光量の常用対数値を横軸とした直交座標に、各露光箇所での膜厚及び露光量の常用対数値に対応する点をプロットし、前記プロットされた点を結んで得られる線を作成し、前記線上の縦軸が厚みT×0.8の点と縦軸が前記厚みT×0.4の点とを結ぶ直線の傾きの絶対値をγとする。 - 酸の作用によってアルカリ現像液に対する溶解性が増大する樹脂(A)及び酸発生剤を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて、基板上に厚みTの膜を形成する工程Aと、
前記膜を露光する工程Bと、
前記露光された膜を、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液を用いて現像し、パターンを形成する工程Cと、を有する、パターン形成方法であって、
前記工程Aにおいて形成された前記膜が、下記条件1及び条件2の少なくとも一方を満たし、
前記工程Bの後で前記工程Cの前に、前記膜に対して加熱処理を施す工程Dを更に備え、
前記工程Dの加熱処理での温度が120℃以下であり、
前記樹脂(A)が、クミルエステル基、エノールエステル基、アセタール基、アセタールエステル基及び第3級アルキルエステル基からなる群より選択される少なくとも1つの酸分解性基を含む、パターン形成方法であって、
前記樹脂(A)の波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超であるか、又は、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、前記樹脂(A)とは異なる樹脂であって、波長243nmにおけるモル吸光係数εが200L・mol-1・cm-1超である樹脂(B)を更に含む、パターン形成方法。
条件1:前記膜の厚みTが800nm以上の場合、γの値が10000未満である。
条件2:前記膜の厚みTが800nm未満の場合、γの値が5000未満である。
なお、前記γは、以下のγ算出方法により求められるものである。
γ算出方法:前記基板上に形成された前記厚みTの膜に対して、KrFエキシマレーザーを用いて露光量を1mJ/cm2から0.8mJ/cm2毎増加させながら露光を99箇所行い、露光後の膜に対して120℃で60秒間ベーク処理を施し、その後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの濃度が2.38質量%であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液で60秒間現像処理を施し、現像処理後の膜の各露光箇所での膜厚を算出し、膜厚を縦軸とし露光量の常用対数値を横軸とした直交座標に、各露光箇所での膜厚及び露光量の常用対数値に対応する点をプロットし、前記プロットされた点を結んで得られる線を作成し、前記線上の縦軸が厚みT×0.8の点と縦軸が前記厚みT×0.4の点とを結ぶ直線の傾きの絶対値をγとする。 - 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、下記一般式(I)で表される化合物を更に含む、請求項1~4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
一般式(I)において、Aは、1価の置換基を表す。Xは、単結合又は2価の連結基を表す。Wは、ラクトン環を有する基、又は、下記式(V1)~(V4)のいずれかで表される基を表す。mは、0以上の整数を表す。nは、1以上の整数を表す。A、X及びWのそれぞれについて、複数存在するときは、同じでも異なっていてもよい。
式(V1)~(V4)において、Zは、単結合又は2価の連結基を表す。Ra、Rb及びRcは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。Rdは、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。なお、Ra、Rb及びRcの内の2つの基、又は、Ra、Rb及びRdの内の2つの基は、結合して3~8個の炭素原子からなる環構造、又は、3~8個の炭素原子及びヘテロ原子からなる環構造を形成してもよい。 - 前記樹脂(A)が、クミルエステル基及びエノールエステル基からなる群より選択される少なくとも1つの酸分解性基を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記樹脂(A)が、酸分解性基として第3級アルキルエステル基を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記工程Aにおいて形成された膜が条件1を満たし、
前記工程Aで形成した膜の波長248nmでの透過率が12%以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記酸発生剤が、発生酸のpKaが-2以上である酸発生剤を含む、請求項1~7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、更に酸拡散制御剤を含み、
前記酸拡散制御剤の含有量が、前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物中の全固形分に対して、0.2質量%以上である、請求項1~9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 前記工程Dの加熱処理での温度が115℃以下である、請求項1~10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記工程Bでの前記露光が、KrF光によって行われる、請求項3又は4に記載のパターン形成方法。
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