JP7165853B2 - 放射性フッ素標識前駆体化合物及びそれを用いた放射性フッ素標識化合物の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、新規な放射性フッ素標識前駆体化合物、及び、該前駆体化合物を用いた放射性フッ素標識化合物の製造方法に関する。
従来、放射性フッ素標識反応は、標的基質のフッ素標識部位に脱離基を結合させた化合物を標識前駆体化合物として用意し、この標識前駆体化合物に放射性フッ化物イオンFを反応させる求核置換反応により行われることが多い。そして、この反応は、一般的に、大量の標識前駆体化合物に少量の放射性フッ化物イオンFを用いて行われる。したがって、得られる放射性フッ素標識化合物の精製は、HPLC法により、多量の未反応の標識前駆体化合物と分離することにより行われることが通常である。
しかしながら、HPLC法は、煩雑で時間を要するものであり、放射性フッ素の半減期110分を考慮すると、目的化合物の収量の低下を招く要因となる。HPLC精製を要しない代替的戦略として、特許文献1及び2は、上記標識前駆体化合物の脱離基の部分を化合物M(精製部分)で修飾した化合物を標識前駆体化合物として用意し、この化合物に放射性フッ化物イオンFなど求核剤を反応させて、精製部分Mを含有する種を、精製部分Mを含有しない他の種から容易に分離できるようにすることを提案している。
また、本出願人は、従来の脱離基とは異なる新規な脱離基を使用した標識前駆体化合物及び標識方法を既に特許出願している(特許文献3)。
国際公開第2009/127372号公報 国際公開第2011/006610号公報 特開2017-52713号公報
特許文献1に記載された方法は、放射性フッ素化反応後、前駆体化合物の精製部分Mに対し、樹脂に固定された活性基を化学的に作用させることをコンセプトとしている。このため、放射性フッ素化率に悪影響を与えたり、特殊な活性基を導入するなど樹脂の調製が必要だったり、放射性フッ素化反応後に加熱や試薬添加等の更なる反応条件の付加が必要になったりするなどの問題があった。
特許文献2に記載された方法は、標識前駆体化合物のlogDと放射性標識化合物のlogDとの差を1.5以上とすることにより、放射性標識化合物の分離を行いやすくすることをコンセプトとしている。しかし、特許文献2に開示された脱離基の種類は限られていて個々の基質の特性に合わせた設計が難しく、また、劇物の塩化スルホン酸を使用しなければならないなど合成上の問題もあった。また、分離された放射性標識化合物の純度についても更なる改善が求められていた。
また、特許文献3の方法は、基質がネオペンチル基を有する化合物に限られており、ネオペンチル基を有しない化合物への応用には着目していなかった。
本発明は、柔軟な脱離基設計を可能とし、放射性フッ素化率を従来法と同程度に維持しつつ、放射性フッ素化反応後に簡便な精製方法で放射性フッ素標識化合物を未反応の前駆体化合物と分離精製できる方法を提供することを目的とする。
本発明者等は、上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、ベンゼンスルホニルオキシ基からなる脱離基のベンゼン環に、任意の疎水性のアミドタグを導入することにより、放射性フッ素化率を従来法と同程度に維持しつつ、放射性フッ素化反応後に放射性フッ素標識化合物を簡便な精製方法で未反応の前駆体化合物と分離精製できる方法が提供できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明は、一局面によれば、
下記一般式(1):
Figure 0007165853000001

〔式中、
Sは基質を示し、
Lは炭素数1~6のエーテル基を含んでもよい直鎖のアルキル基を示す。〕
で表わされる、放射性フッ素標識化合物の標識前駆体化合物であって、
下記一般式(2):
Figure 0007165853000002

〔式中、
S及びLは、前記一般式(1)と同じであり、
及びRは、それぞれ独立に、炭素数1~30の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、又は、置換若しくは非置換の単環若しくは縮合多環アリール基を示し、
は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基、又は、炭素数1~4のアルコキシ基を示し、
pは0~4の整数を示す。〕
で表わされる、標識前駆体化合物を提供する。
また、本発明は、さらに他の局面によれば、上記の標識前駆体化合物を、[18F]フッ化物イオンと反応させ、上記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物を得る工程を含む、放射性フッ素標識化合物の製造方法を提供する。
本発明によれば、放射性フッ素標識反応の標識前駆体化合物として、上記一般式(2)で表わされる化合物、すなわち、脱離基であるベンゼンスルホニルオキシ基のベンゼン環に疎水性のアミド置換基を導入した化合物を使用することとしたので、放射性フッ素化率を従来法と同程度に維持しつつ、放射性フッ素化反応後に放射性フッ素標識化合物を簡便な精製方法で未反応の前駆体化合物と分離精製することができる。
1.放射性フッ素標識前駆体化合物
本発明の放射性フッ素標識前駆体化合物は、上記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物の前駆体化合物であり、上記一般式(2)に示す構造を備えるものである。上記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物のclogP(clogP(1))は
-1.4~5.0であることが好ましく、2.0~5.0であることがより好ましい。この標識前駆体化合物は、上記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物のclogP(clogP(1))と上記一般式(2)で表わされる前駆体化合物のclogP(clogP(2))との差(clogP(2)-clogP(1))が、2以上となるように設計されることが好ましく、より好ましくは3以上であり、更に好ましくは5以上であり、8以上が特に好ましい。上限は特に限定されないが、上記clogPの差(clogP(2)-clogP(1))は、50以下が好ましく、前駆体化合物の反応液への溶解性を考慮すると、30以下がより実用的である。こうすることで、放射性フッ素標識反応後、逆相カートリッジカラムなどの簡易カラムクロマトグラフィーで簡便かつ短時間に未反応の前駆体化合物と、標的とする放射性フッ素標識化合物とを分離することができる。
本発明において、R及びRのアルキル基としては炭素数1~30の直鎖又は分岐鎖のアルキル基が挙げられるが、炭素数は、好ましくは4~24、より好ましくは8~18であり、直鎖のアルキル基が好ましい。R及びRの単環アリール基としてはフェニル基が挙げられ、縮合多環アリール基としてはナフチル基、アントラセニル基などが挙げられる。当該アルキル基並びに単環及び縮合多環アリール基は、水素原子がアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等によって置換されていてもよい。R及びRは、同一でも異なっていてもよいが、同一の基であることが好ましい。本発明の前駆体化合物の―CONRで示される基はフェニル基のメタ位、オルト位及びパラ位の何れに結合していてもよいが、パラ位に結合していることが好ましい。
なお、本明細書において、ハロゲンとは、フッ素、塩素、臭素又はヨウ素のいずれかをいう。
本発明において、Rのアルキル基としては、例えば、炭素数1~4の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基が挙げられ、Rのアルコキシ基としては、例えば、炭素数1~4の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基が挙げられる。本発明の前駆体化合物においては、pは0~4の整数を示すが、pが0である場合、すなわち、上記一般式(2)の化合物のフェニル基が―CONR以外で置換されていない場合が好ましい。
本発明の放射性フッ素標識前駆体化合物は、好ましくは、一般式(2)中、-CONR(R及びRは、それぞれ独立に、炭素数1~30の直鎖アルキル基、又は、置換若しくは非置換の縮合多環アリール基が好ましい)がパラ位に結合し、pが0であるものである。
本発明において、Lは、炭素数1~6のエーテル基を含んでもよい直鎖のアルキル基(リンカー)を示す。Lは、例えば、*-O(CH-、*-(CH-又は*-(OCHCH-で表わされる基〔nは、1~5の整数であり、mは、1~3の整数であり、*がSとの結合部位を示す。〕とすることができる。
本発明において、Sとしては、前記一般式(1)で示される化合物が、放射性医薬品として使用されるものを適宜採用することができるが、例えば、下記式(S-1)で示される基や、下記式(S-2)で表わされる基とすることができる。
Figure 0007165853000003

〔上記式(S-1)中、S’はSの一部であり、qは0又は1であり、アスタリスクがLとの結合部位である。〕
Figure 0007165853000004

〔上記式(S-2)中、S’はSの一部であり、X及びXは、各々独立して、水素原子又はハロゲン原子を示し、Xは、水素原子、ハロゲン原子又はニトリル基を示すが、X、X及びXの少なくとも1つはハロゲン原子であり、アスタリスクがLとの結合部位である。〕
本発明において、上記式(S-1)で表わされる基の具体例として、例えば、下記式(S-3)、(S-4)、(S-5)及び(S-6)で表わされる基が挙げられる。
Figure 0007165853000005

〔式中、qは、上記式(S-1)と同じであり、R11は、ハロゲン原子であり、アスタリスクは、Lとの結合部位を示す。〕
Figure 0007165853000006

〔式中、qは、上記式(S-1)と同じであり、Jは、O、S、NH又はNMeであり、アスタリスクは、Lとの結合部位を示す。ここで、Meはメチル基を示す。〕
Figure 0007165853000007

〔式中、qは、上記式(S-1)と同じであり、Zは、炭素又は窒素であり、Meはメチル基を示し、アスタリスクは、Lとの結合部位を示す。〕
Figure 0007165853000008

〔式中、qは、上記式(S-1)と同じであり、Pgはアミノ基の保護基を示し、Pgはカルボキシル基の保護基を示し、アスタリスクは、Lとの結合部位を示す。〕
上記式(S-3)中、qは1が好ましい。また、Sが上記式(S-3)で表わされる基の場合、Lは、*-O(CH-で表わされる基〔*は、上記式(S-3)との結合部位であり、nは、1~5の整数であり、好ましくは、2~4の整数である〕が好ましい。
上記式(S-4)中、qは0が好ましく、JはOが好ましい。また、Sが上記式(S-4)で表わされる基の場合、Lは、*-O(CH-で表わされる基〔*は、上記式(S-4)との結合部位であり、nは、1~5の整数であり、好ましくは、2である〕が好ましい。
上記式(S-5)中、qは0が好ましい。また、Sが上記式(S-5)で表わされる基の場合、Lは、*-(OCHCH-で表わされる基〔*は、上記式(S-5)との結合部位であり、mは、1~3の整数であり、好ましくは、3である〕が好ましい。
上記式(S-6)中、qは0が好ましい。また、Sが上記式(S-6)で表わされる基の場合、Lは、*-(CH-で表わされる基〔*は、上記式(S-6)との結合部位であり、nは、1~5の整数であり、好ましくは、2である〕が好ましい。
また、本発明において、上記式(S-2)で表わされる基の具体例として、例えば、下記式(S-7)で表わされる基が挙げられる。
Figure 0007165853000009

〔式中、X、X及びXは、上記式(S-2)と同じであり、R12は、水素原子、ハロゲン原子、又はCOを示し、Rは、炭素数1~10のアルキル基を示し、アスタリスクは、Lとの結合部位を示す。〕
上記式(S-7)中、R12は、水素原子が好ましく、Xは、水素原子又はハロゲン原子が好ましく、Xは、Xとは独立してハロゲン原子が好ましく、Xは、水素原子が好ましい。また、Sが上記式(S-7)で表わされる基の場合、Lは、*-(CH-で表わされる基〔*は、上記式(S-7)との結合部位であり、nは、1~5の整数であり、好ましくは、2又は3である〕が好ましい。
また、基質Sとして採用できる他の例には、下記式(S-8)で表わされる基が挙げられる。
Figure 0007165853000010

〔式中、Xは、ハロゲン原子又はメチル基、R13は水素原子又は炭素数1~6のアルキル基であり、アスタリスクは、Lとの結合部位を示す。〕
上記式(S-8)中、Xはハロゲン原子が好ましく、R13はメチル基が好ましい。また、Sが上記式(S-7)で表わされる基の場合、Lは、*-(CH-で表わされる基〔*は、上記式(S-7)との結合部位であり、nは、1~5の整数であり、好ましくは、nは3である〕が好ましい。
本発明の標識前駆体化合物から得られる上記一般式(1)の放射性標識化合物としては、放射性医薬品、好ましくは、陽電子放出断層撮影法(PET)による診断薬として用いられるものが種々挙げられるが、例えば、基質Sとして上記式(S-3)を採用する場合には、国際公開2007/135890に開示されるアミロイド親和性化合物が挙げられる。また、基質Sとして上記式(S-4)を採用する場合には、国際公開2005/079391に開示される心筋灌流イメージング化合物(例えば、Flurpiridazなど)が挙げられる。また、基質Sとして上記式(S-5)を採用する場合には、FlorbetapirやFlorbetabenなどのアミロイドイメージング化合物、基質Sとして上記式(S-6)を採用する場合には、O-(2-フルオロエチル)-L-チロシン(FET)などの腫瘍イメージング化合物が挙げられる。また、基質Sとして上記式(S-7)を採用する場合には、国際公開2015/199205に開示される副腎疾患の画像診断用化合物が挙げられる。また、基質Sとして上記式(S-7)を採用する場合には、国際公開99/01184に開示されるモノアミン再取り込部位のマッピング用化合物(例えば、FP-CIT)が挙げられる。
本発明の放射性フッ素標識前駆体化合物は、例えば、下記SCHEME 1に示されるように、放射性フッ素を導入する部位に水酸基が結合した化合物(OH体)に対し、脱離基に対応するスルホニルフルオリドとジアザビシクロウンデセン(DBU)を作用させることにより製造することができる。なお、下記SCHEME 1において、S、L、R~R及びpは上記一般式(2)に関し上記したものと同じであり、Xは、ハロゲン原子である。
Figure 0007165853000011
2.放射性フッ素標識前駆体化合物を用いた放射性フッ素標識化合物の製造方法
本発明によれば、上記一般式(2)で表わされる放射性フッ素標識前駆体化合物を、[18F]フッ化物イオンと反応させる工程(放射性フッ素標識反応工程)に供することにより、上記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物を製造することができる。
上記放射性フッ素標識反応は、不活性溶媒中、塩基の存在下で行うのが好ましい。具体的には、[18F]フッ化物イオンとしてサイクロトロンにより[18O]水から製造された[18F]フッ化物イオン水溶液を用い、塩基として、例えば、テトラブチルアンモニウム、又は、炭酸カリウム/クリプトフィックス222を用いて、アセトニトリル、N,N-ジメチルホルムアミド又はジメチルスルホキシドのような非プロトン性溶媒等の適当な溶媒中に、20~120℃の温度下で反応させて、上記一般式(1)の化合物を得ることができる。この放射性フッ素標識反応は、反応容器及び遮蔽体を備えた合成装置で実施することができる。また、この合成装置は、全ての工程を自動化した自動合成装置としてもよい。
前記反応工程では、標的化合物である上記一般式(1)の化合物以外に、副生成物として、未反応の前駆体化合物(即ち、上記一般式(2)で示される化合物)、下記一般式(3)で示されるOH体などが混在する。
Figure 0007165853000012

(式中、S及びLは、上記一般式(1)と同じ。)
標的化合物である上記一般式(1)の化合物の精製は、逆相カートリッジカラムを用いた固相抽出法に従って行うことができる。具体的には、通常、標的化合物である上記一般式(1)の化合物よりも、未反応の前駆体化合物(即ち、上記一般式(2)で表わされる化合物)の方が脂溶性が高く、換言すれば、疎水性が高い。したがって、この疎水性の差を利用した方法、例えば、上記放射性フッ素標識反応工程で得られた反応混合物を、オクタデシルシリカゲルなどを充填した逆相カートリッジカラムに添加して[18F]フッ化物イオンを分離後、該カラムに適切な溶出溶媒を通液して目的化合物である前記一般式(1)の化合物を溶離させて分離回収することができる。溶出溶媒としては、例えば、アセトニトリル、エタノール、t-ブタノール、メタノール等の水溶性溶媒、又は、これらと水との混合液が挙げられる。回収された標的化合物である上記一般式(1)の化合物は、必要に応じて脱保護などを行い、目的の化合物とすることができる。
以下、実施例により、本発明を更に具体的に説明するが、本発明は下記の実施例のみに限定されるものではない。
なお、下記実施例において、実験に供する各化合物の名称を、表1のように定義した。
Figure 0007165853000013
実施例中、各化合物の分子構造は、NMRスペクトルで同定した。NMR装置として、AVANCEIII HD(BRUKER社製)を使用し、溶媒は、重クロロホルムを使用した。H-NMRは、共鳴周波数500MHzで測定した。13C-NMRは、共鳴周波数125MHzで測定した。全ての化学シフトはデルタスケール(δ)上のppmであり、そしてシグナルの微細分裂については、略号(s:シングレット、d:ダブレット、t:トリプレット、dd:ダブルダブレット、dt:ダブルトリプレット、dq:ダブルカルテット、m:マルチプレット、br:ブロード)を用いて示した。
以下、実施例において「室温」は、25℃である。
各化合物の合成例において、化合物合成における各ステップは、必要に応じて複数回繰り返し行い、他の合成において中間体等として用いる際に必要な量を確保した。
(実施例1)前駆体化合物1の合成
下記スキームに従い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジブチルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物1)を合成した。
Figure 0007165853000014
Step1:4-(ジブチルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物の合成
ジブチルアミン(280μL、1.60mmol)をジクロロメタン(12mL)に溶解し、トリエチルアミン(0.25mL、1.8mmol)を加え、0℃に冷却した後、4-フルオロスルホニル安息香酸塩化物(233mg、1.05mmol)を加え0℃で5時間撹拌した。反応終了後、反応液を1mol/L塩酸に加え、酢酸エチルで2回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=3:1)にて精製を行い、4-(ジブチルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(191mg、0.61mmol)を得た。
H-NMR:δ 8.06(d,2H,J=8.5Hz),7.59(d,2H,J=8.0Hz),3.51(t,2H,J=7.5Hz),3.13(t,2H,J=7.5Hz),1.69-1.63(m,2H),1.58(m,2H),1.52-1.46(m,2H),1.43-1.38(m,2H),1.19-1.11(m,2H),0.99(t,3H,J=7.5Hz),0.81(t,3H,J=7.5Hz)
Step2:2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタノールの合成
t-ブトキシカリウム(444mg、4.4mmol)をエチレングリコール(4.4mL、78.9mmol)に溶解し、4-(ブロモメチル)-1,1’-ビフェニル(1.8g、4.386mmol)をテトラヒドロフラン(20mL)に溶解した溶液を添加し、65℃で6.5時間撹拌した。t-ブトキシカリウム(101mg、1.1mmol)添加し、65℃で1.5時間撹拌した。反応終了後、反応液を0.1mol/L塩酸に加え、酢酸エチルで2回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=3:1)にて精製を行い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタノール(967mg、4.24mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.60-7.58(m,4H),7.46-7.41(m,4H),7.37-7.34(m,1H),4.61(s,2H),3.79(dd,2H,J=6.0,4.0Hz),3.64(dd,2H,J=6.0,4.0Hz)
Step3:前駆体化合物1の合成
2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタノール(52mg、0.22mmol)をアセトニトリル(2.0mL)に溶解し、0℃に冷却した後、ジアザビシクロウンデセン(79μL、0.50mmol)と4-(ジブチルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(88mg、0.26mmol)を加え,室温で1時間攪拌した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルで2回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=75/25)にて精製を行い、前駆体化合物1(70mg、0.14mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.95(d,2H,J=8.5Hz),7.60-7.56(m,4H),7.49(d,2H,J=8.5Hz),7.46-7.43(m,2H),7.37-7.35(m,3H),4.54(s,2H),4.25(t,2H,J=4.5Hz),3.70(t,2H,J=4.5Hz),3.49(t,2H,J=7.5Hz),3.11(t,2H,J=7.5Hz),1.68-1.60(m,2H),1.49-1.36(m,4H),1.18-1.08(m,2H)0.98(t,3H,J=7.3Hz),0.78(t,3H,J=7.3Hz)
(実施例2)前駆体化合物2の合成
下記スキームに従い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジヘキシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物2)を合成した。
Figure 0007165853000015
Step1:4-(ジヘキシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物の合成
ジヘキシルアミン(176μL、0.75mol)をジクロロメタン(12mL)に溶解し、トリエチルアミン(0.13mL、1.25mmol)を加え、0℃に冷却した後、4-フルオロスルホニル安息香酸塩化物(151mg、0.68mmol)を加え0℃で3時間撹拌した。反応終了後、反応液を1mol/L塩酸に加え、酢酸エチルで2回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=3:1)にて精製を行い、4-(ジヘキシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(181mg、0.49mmol)を得た。
δ 8.06(d,2H,J=8.5Hz),7.59(d,2H,J=8.0Hz),3.49(t,2H,J=7.5Hz),3.12(t,2H,J=7.5Hz),1.70-1.64(m,2H),1.52-1.48(m,2H),1.40-1.32(m,6H)1.25-1.18(m,2H),1.18-1.08(m,4H),0.93-0.90(m,3H),0.84(t,3H,J=7.3z)
Step2:前駆体化合物2の合成
2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタノール(50mg、0.22mmol)をアセトニトリル(2.0mL)に溶解し、0℃に冷却した後、ジアザビシクロウンデセン(79μL、0.50mmol)と4-(ジブチルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(85mg、0.22mmol)を加え,室温で1時間攪拌した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルで2回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、水及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=3:1)にて精製を行い、前駆体化合物2(83mg、0.14mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.96(d,2H,J=8.5Hz),7.60-7.57(m,4H),7.48(d,2H,J=8.5Hz),7.46-7.42(m,2H),7.37-7.33(m,3H),4.54(s,2H),4.25(t,2H,J=4.8Hz),3.70(t,2H,J=4.8Hz),3.47(t,2H,J=7.8Hz),3.10(t,2H,J=7.5Hz),1.68-1.60(m,2H),1.49-1.30(m,6H),1.25-1.17(m,2H),1.17-1.08(m,4H)0.93-0.90(m,3H),0.83(t,3H,J=7.3z)
(実施例3)前駆体化合物3の合成
下記スキームに従い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物3)を合成した。
Figure 0007165853000016
Step1:4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物の合成
ジドデシルアミン(500mg、2.70mmol)をジクロロメタン(23mL)に溶解し、トリエチルアミン(0.63mL、4.50mmol)を加え、0℃に冷却した後、4-フルオロスルホニル安息香酸塩化物(500mg、2.25mmol)を加え、室温で18時間撹拌した。反応終了後、反応液に1mol/L塩酸を加え、酢酸エチルで3回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液及び飽和食塩水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:トルエン/酢酸エチル=40:1)にて精製を行い、4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(627mg、1.16mmol)を得た。
H-NMR:δ 8.05(d,2H,J=8.3Hz),7.59(d,2H,J=8.3Hz),3.49(t,2H,J=7.6Hz),3.11(t,2H,J=7.4Hz),1.65(br,2H),1.49(br,2H),1.35-1.09(m,36H),0.88(t,6H,J=6.7Hz)
Step2:2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物3)の合成
2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタノール(32mg、0.14mmol)をジクロロメタン(1.4mL)に溶解し、0℃に冷却した後、ジアザビシクロウンデセン(50μL、0.33mmol)と4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(90mg、0.17mmol)を加え、室温で18時間攪拌した。反応終了後、水を加え、クロロホルムで3回抽出を行なった。合わせた酢酸エチル層を、無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム)にて精製を行い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(54mg、0.07mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.96-7.94(m,2H),7.60-7.57(m,4H),7.49-7.42(m,4H),7.37-7.35(m,3H),4.54(s,2H),4.25(t,2H,J=4.6Hz),3.70(t,2H,J=4.6Hz),3.47(t,2H,J=7.6Hz),3.09(t,2H,J=7.2Hz),1.63(br,2H),1.46(br,2H),1.35-1.07(m,36H),0.88―0.87(m,6H)
(実施例4)前駆体化合物4の合成
下記スキームに従い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジオクタデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物4)を合成した。
Figure 0007165853000017
Step1:4-(ジオクタデシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物の合成
ジオクタデシルアミン(282mg、0.54mmol)をジクロロメタン(1mL)に溶解し、トリエチルアミン(0.13mL、0.90mmol)を加え、0℃に冷却した後、4-フルオロスルホニル安息香酸塩化物(100mg、0.45mmol)を加え、室温で18時間撹拌した。反応終了後、反応液に水を加え、クロロホルムで3回抽出を行なった。合わせたクロロホルム層を、無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=5/1)にて精製を行い、4-(ジオクタデシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(208mg、0.29mmol)を得た。
H-NMR:δ 8.05(d,2H,J=8.4Hz),7.60(d,2H,J=8.4Hz),3.49(t,2H,J=7.6Hz),3.11(t,2H,J=7.6Hz),1.66(br,2H),1.49(br,2H),1.36-1.10(m,60H),0.88(t,6H,J=7.0)
Step2:2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジオクタデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物4)の合成
2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタン-1-オール(30mg、0.13mmol)をジクロロメタン(1.3mL)に溶解し、0℃に冷却した後、ジアザビシクロウンデセン(47μL、0.32mmol)と4-(ジオクタデシルカルバモイル)ベンゼンスルホン酸フッ化物(112mg、0.16mmol)を加え、室温で18時間攪拌した。反応終了後、水を加え、クロロホルムで3回抽出を行なった。合わせたクロロホルム層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム)にて精製を行い、2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-(ジオクタデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(63mg、0.07mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.96-7.94(m,2H),7.60-7.57(m,4H),7.49-7.42(m,4H),7.37-7.35(m,3H),4.54(s,2H),4.25(t,2H,J=4.7Hz),3.70(t,2H,J=4.7Hz),3.50-3.45(m,2H),3.10-3.08(m,2H),1.64-1.62(m,2H),1.47-1.46(m,2H),1.34-1.04(m,60H),0.88(t,6H,J=6.75Hz)
(比較例1)2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル-4-メチルベンゼンスルホネートの合成(前駆体化合物5)の合成
下記スキームに従い、前駆体化合物5を合成した。
Figure 0007165853000018
Step1:2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル―4-メチルベンゼンスルホネートの合成
2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタノール(55mg、0.24mmol)をジクロロメタン(2mL)に溶解し、1,4-ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(86mg、0.77mmol)とp-トルエンスルホニルクロリド(69mg、0.36mmol)を加え、室温で4.5時間攪拌した。反応終了後、水を加え、酢酸エチルで2回抽出を行った。合わせた酢酸エチル層を、無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=3:1)にて精製を行い4-メチルベンゼンスルホン酸2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル(64mg、0.17mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.81(d,2H,J=8.0Hz),7.60-7.54(m,4H),7.47-7.43(m,2H),7.37-7.30(m,5H),4.53(s,2H),4.22(t,2H,J=4.8Hz),3.70(t,2H,J=4.8Hz),2.43(s,3H)
(比較例2)前駆体化合物6の合成
下記スキームに従い、4-(2-シクロヘキシルエチル)ベンゼンスルホン酸2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル(前駆体化合物6)を合成した。
Figure 0007165853000019
Step4:前駆体化合物6の合成
2-([1,1’-ジフェニル]-4-イルメトキシ)-エタノール(50.6mg、0.222mmol)をジクロロメタン(2.0mL)に溶解し、0℃に冷却した後、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(37.4mg、0.333mmol)、及び国際公開パンフレットWO2011/006610の実施例1に記載された方法に従ってStep1~3を実行することで得られた4-(2-シクロヘキシル-エチル)-ベンゼンスルホニル塩化物(76.4mg、0.266mmol)をジクロロメタン(2.0mL)に溶解した溶液を加えた。30分間撹拌した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止し、ジクロロメタンで3回抽出した。合わせたジクロロメタン層を、水及び飽和食塩水により洗浄した後、硫酸ナトリウム上で乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=4:1)にて精製を行い、4-(2-シクロヘキシルエチル)ベンゼンスルホン酸2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エチル(75.6mg、0.158mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.81(d,2H,J=8.4Hz),7.59-7.55(m,4H),7.44(t,2H,J=7.6Hz),7.37-7.30(m,5H),4.53(s,2H),4.23(t,2H,J=4.8Hz),3.70(t,2H,J=4.8Hz),2.67(t,2H,J=8.2Hz),1.74-1.64(m,5H),1.51-1.47(m,2H),1.25-1.13(m,4H),0.96-0.88(m,2H)
(参考例1)非標識体化合物1の合成
下記スキームに従い、4-([2-フルオロエトキシ]メチル)-1,1’-ビフェニル(非標識体化合物1)を合成した。
Figure 0007165853000020
Step1:4-([2-フルオロエトキシ]メチル)-1,1’-ビフェニルの合成
2-フルオロエタノール(86mg、0.77mmol)をテトラヒドロフラン(1.4mL)に溶解し、0℃に冷却した後、水素化ナトリウム(3.2mg、0.14mmoL)を加え、10分間撹拌した。続けて,4-(ブロモメチル)-1,1’-ビフェニル(50mg、0.20mmol)を加えた後、室温で18時間撹拌した。反応終了後、飽和塩化アンモニウム水を加え、クロロホルムで3回抽出を行った。合わせたクロロホルム層を、水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥後減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ヘキサン/酢酸エチル=10/1)にて精製を行い、4-([2-フルオロエトキシ]メチル)-1,1’-ビフェニル(5.8mg、0.03mmol)を得た。
H-NMR:δ 7.60-7.58(m,4H),7.45-7.42(m,4H),7.36-7.33(m,1H),4.65(s,2H),4.61(dt,2H,J=47.7Hz,4.2Hz),3.76(dt,2H,J=29.4Hz,4.2Hz)
(実施例5)前駆体化合物1~4を用いた放射性フッ素化4-[(2-[ 18 F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルの調製
18F]フッ化物イオン含有[18O]水に、炭酸カリウム水溶液(50μmol/L、0.2mL)及びクリプトフィックス222(商品名、メルク社製)(12mg、37.2μmol)のアセトニトリル(0.6mL)溶液を添加した。これをアルゴンガスの通気下110℃に加熱して水を蒸発させた後、アセトニトリル(0.5mL×3)を加えて共沸させ乾固させた。ここに実施例1~6に示す方法に従って合成した前駆体化合物1~6(8μmol)を溶解したアセトニトリル溶液(0.5mL)を各々加え、90℃で5分加熱した。反応終了後、下記条件でTLC分析した後、注射用水(10mL)を加え、Sep-Pak(登録商標)C18 Plas(商品名、日本ウォーターズ株式会社製)に通液し、4-[(2-[18F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルを当該カラムに吸着捕集した。このカラムを水(10mL)で洗浄した後、水/アセトニトリル=1:3混液(4mL)を通液して4-[(2-[18F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルを溶出させた。
上記操作で得られた4-[(2-[18F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルを下記条件でHPLC分析した。なお、同定は、参考例1で合成した4-[(2-フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルの非標識体と、TLCプレート上のRf値が同じであることを確認することにより行った。
[TLC条件]
プレート:TLCガラスプレート シリカゲル60F254
展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=3:1
[HPLC条件]
カラム:CAPCELLPAKC18MGII(商品名、資生堂社製、粒子径:5μm、サイズ:4.6mmφ×150mm)
移動相:20mmol/L酢酸アンモニウム緩衝液(pH=6.0)/アセトニトリル=70/30→30/70(0→30分),30/70(30→45分),30/70→1/99(45→46分),1/99(46→100分)
流速:1.0mL/分
検出器:紫外可視吸光光度計(検出波:254nm)
(比較例3)従来の前駆体化合物を用いた放射性フッ素化:4-[(2-[ 18 F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルの調製
前駆体化合物として比較例1、2に示す方法で合成した前駆体化合物5、6を用いた以外は、実施例5と同様にして行った。
[評価1]フッ素標識化合物の標識反応評価
実施例5及び比較例3において使用した放射能量、並びに、得られた生成物(4-[(2-[18F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニル)の放射能量及び[18F]フッ素化率を表2に示す。反応終了後に実施したTLC分析の4-[(2-[18F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニルのピーク面積率を[18F]フッ素化率とした。
表2に示すとおり、実施例の前駆体化合物1~4を用いることにより、従来の前駆体化合物5及び6とほぼ同程度の[18F]フッ素化率が得られた。
Figure 0007165853000021
[評価2]不純物評価
実施例5及び比較例3において得られた4-[(2-[18F]フルオロエトキシ)メチル]-1,1’-ビフェニル)中の非放射性不純物の量をHPLC分析により評価した結果を表3に示す。前駆体化合物の混入量は、標準試料で検量線を作成することにより定量した。また、回収率は、放射性フッ素化反応に使用した前駆体化合物量に対する回収率を示した。構造未知の不純物量は、OH体(2-([1,1’-ビフェニル]-4-イルメトキシ)エタン-1-オール)量に換算して評価した。
その結果、表3に示すとおり、実施例の前駆体化合物1~4は、従来の前駆体化合物5及び6に対して、いずれも前駆体の混入量が少なかった。また、前駆体化合物1、3、4については、構造未知の非放射性不純物量も従来の化合物より少なかった。
Figure 0007165853000022
(実施例6)前駆体化合物7の合成
下記スキームに従い、2-(4-(6-イミダゾ[1,2-a]ピリジン-2-イル)フェノキシ)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物7)を合成した。
Figure 0007165853000023
Step6:前駆体化合物7の合成
国際公開パンフレットWO2007/135890の実施例II-14に記載された方法に従ってStep1~5を実行することで得られた2-[4’-(2-ヒドロキシエトキシ)フェニル]-6-ヨードイミダゾ[1,2-a]ピリジン(100mg、0.263mmol)をアセトニトリル(10.0mL)に溶解し、0℃に冷却した後、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン(78.6μL、0.526mmol)、及び実施例3に記載された方法に従ってStep1を実行することで得られた4-ジドデシルカルバモイルベンゼンスルホン酸フッ化物(185mg、0.342mmol)をアセトニトリル(2.0mL)に溶解した溶液を加えた。室温に昇温して3時間撹拌した後、水を加えて反応を停止し、酢酸エチルで3回抽出した。合わせた酢酸エチル層を、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液,水及び飽和食塩水により洗浄した後、硫酸ナトリウム上で乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム)にて精製を行い、2-(4-(6-イミダゾ[1,2-a]ピリジン-2-イル)フェノキシ)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物7)(198mg、0.220mmol)を得た。
H-NMR:δ 8.37(s,1H),7.98(d,2H,J=8.4Hz),7.84(d,2H,J=8.8Hz),7.7(s,1H),7.52(d,2H,J=8.4Hz),7.40(d,1H,J=9.4Hz),7.32(d,1H,J=9.4Hz),6.88(d,2H,J=8.8Hz),4.42(t,2H,J=4.6Hz),3.48(t,2H,J=4.6Hz),3.48(t,2H,J=7.6Hz),3.11(t,2H,J=7.6Hz),1.65-1.45(m,12H),1.36-1.08(m,29H),0.89-0.86(m,5H)
(実施例7)アミロイドベータイメージング剤の合成
実施例6に示す方法で合成した前駆体化合物7を用いて、アミロイドベータイメージング剤の2-[4’-(2’’-[18F]フルオロエトキシ)フェニル]-6-ヨードイミダゾ[1,2-a]ピリジン(国際公開WO2007/135890号公報の化合物1-9の18F標識体)を製造した。
18F]フッ化物イオン含有[18O]水(放射能量533MBq、合成開始時補正値)に、炭酸カリウム水溶液(66μmol/L、0.3mL)及びクリプトフィックス222(商品名、メルク社製)(15mg、39.9μmol)のアセトニトリル(1.5mL)溶液を添加した。これをアルゴンガスの通気下110℃に加熱して水を蒸発させた後、アセトニトリル(0.5mL×3)を加えて共沸させ乾固させた。ここに上記実施例にて合成した前駆体化合物7(30mg、33μmol)を溶解したジメチルスルホキシド溶液(0.5mL)を加え、110℃で10分加熱した。反応終了後、注射用水(10mL)を加え、Sep-Pak(登録商標)C18 Plas(商品名、日本ウォーターズ株式会社製)に通液し、このカラムを水(10mL)と水/アセトニトリル=1:1混液(2mL)で洗浄した後、水/アセトニトリル=1:3混液(3mL)で2-[4’-(2’’-[18F]フルオロエトキシ)フェニル]-6-ヨードイミダゾ[1,2-a]ピリジンを溶出させた。得られた放射能量は186MBq(合成開始後58分)であった。また、下記の条件によるHPLC分析を行ったところ、未反応の前駆体化合物7が4μg/mL混入したことを確認した。脱離基として、本発明のアルキルアミドタグを導入したスルホン酸エステル基に代えて、トルエンスルホン酸エステル基を用いた場合の未反応の前駆体化合物の混入量は、650μg/mLであり、本発明により、HPLC精製しなくても未反応の前駆体化合物の混入が少ないアミロイドベータイメージング剤を合成できたことを確認した。
[HPLC条件]
カラム:YMC-Pack Pro C8(商品名、YMC社製、粒子径:5μm、サイズ:4.6mmφ×150mm)
移動相:10mmol/Lギ酸アンモニウム緩衝液(pH3)/アセトニトリル=100/0→70/30(0→20分),70/3→10/90(20→30分),10/90(30→70分)
流速:1.0mL/分
検出器:紫外可視吸光光度計(検出波:260nm)
(実施例8)前駆体化合物8の合成
下記スキームに従い,2-(2-{5-[(1H-イミダゾール-1-イル)メチル]ピリジン-3-イル}-6-クロロ-5-フルオロ-1H-ベンゾイミダゾール-1-イル)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物8)を合成した。
Figure 0007165853000024

Step1:前駆体化合物8の合成
国際公開パンフレットWO2015/199205の実施例2に記載された方法に従ってStep1~10を実行することで得られた2-{6-クロロ-5-フルオロ-2-[5-(イミダゾール-1-イルメチル)ピリジン-3-イル]ベンゾイミダゾール-1-イル}エタノール(57.3mg、0.154mmol)をジクロロメタン(0.54mL)に溶解し、0℃に冷却した後、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン(55.3μL、0.370mmol)、及び実施例3に記載された方法に従ってStep1を実行することで得られた4-ジドデシルカルバモイルベンゼンスルホン酸フッ化物(100mg、0.185mmol)をジクロロメタン(1.0mL)に溶解した溶液を加えた。室温に昇温して1時間撹拌した後、水を加えて反応を停止し、ジクロロメタンで3回抽出した。合わせたジクロロメタン層を、水及び飽和食塩水により洗浄した後、硫酸ナトリウム上で乾燥し、減圧下で濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:ジクロロメタン)にて精製を行い、2-(2-{5-[(1H-イミダゾール-1-イル)メチル]ピリジン-3-イル}-6-クロロ-5-フルオロ-1H-ベンゾイミダゾール-1-イル)エチル-4-(ジドデシルカルバモイル)ベンゼンスルホネート(前駆体化合物8)(94mg、0.105mmol)を得た。
H-NMR:δ 8.85(d,1H,J=2.1Hz),8.63(d,1H,J=2.1Hz),7.84(dd,1H,J=2.1,2.1Hz),7.66(d,2H,J=8.4Hz),7.66(s,1H),7.59(d,1H,J=9.0Hz),7.43(d,2H,J=8.4Hz),7.40(d,1H,J=6.1Hz),7.14(t,1H,J=1.2Hz),7.00(t,1H,J=1.2Hz),5.29(s,2H),4.47(t,2H,5.2Hz)4.25(t,2H,J=5.2Hz),3.47(t,2H,J=7.5Hz),3.07(t,2H,J=7.5Hz),1.65(br,2H),1.47-1.43(m,2H),1.36-1.06(m,36H),0.88-0.86(m,6H)
(実施例9)アルドステロン合成酵素イメージング剤の合成
実施例8に示す方法で合成した前駆体化合物8を用いて、アルドステロン合成酵素イメージング剤の6-クロロ-5-フルオロ-1-(2-[18F]フルオロエチル)-2-[5-(イミダゾール-1-イルメチル)ピリジン-3-イル]ベンゾイミダゾール(国際公開2015/199205の化合物100の18F標識体)を製造した。
18F]フッ化物イオン含有[18O]水(放射能量533MBq、合成開始時補正値)に、炭酸カリウム水溶液(50μmol/L、0.25mL)及びクリプトフィックス222(商品名、メルク社製)(14mg、37.2μmol)のアセトニトリル(0.7mL)溶液を添加した。これをアルゴンガスの通気下110℃に加熱して水を蒸発させた後、アセトニトリル(0.5mL×3)を加えて共沸させ乾固させた。ここに上記実施例にて合成した前駆体化合物7(8.5mg、9.5μmol)を溶解したジメチルスルホキシド溶液(0.5mL)を加え、110℃で10分加熱した。反応終了後、注射用水(10mL)を加え、Sep-Pak(登録商標)C18 Plas(商品名、日本ウォーターズ株式会社製)に通液し、このカラムを水(10mL)で洗浄した後、水/アセトニトリル=1:1混液(5mL)で6-クロロ-5-フルオロ-1-(2-[18F]フルオロエチル)-2-[5-(イミダゾール-1-イルメチル)ピリジン-3-イル]ベンゾイミダゾールを溶出させた。得られた放射能量は141MBq(合成開始後44分)であった。また、下記の条件によるHPLC分析を行ったところ、未反応の前駆体化合物8が検出限界値未満に除去できたことを確認した。脱離基として、本発明のアルキルアミドタグを導入したスルホン酸エステル基に代えて、トルエンスルホン酸エステル基を用いた場合の未反応の前駆体化合物の混入量は、115μg/mLであり、本発明により、HPLC精製しなくても未反応の前駆体化合物の混入が少ないアルドステロン合成酵素イメージング剤を合成できたことを確認した。
[HPLC条件]
カラム:XBridge Phenyl(商品名、Waters社製、粒子径:3.5μm、サイズ:4.6mmφ×100mm)
移動相:10mmol/L炭酸アンモニウム溶液/メタノール=50/50→35/65(0→10分),35/65→0/100(10→25分),0/100(25→50分),
流速:1.0mL/分
検出器:紫外可視吸光光度計(検出波:254nm)
この出願は、2017年3月7日に出願された日本出願特願2017-042783号を基礎とする優先権を主張し、その開示の総てをここに取り込む。

Claims (5)

  1. 下記一般式(1):
    Figure 0007165853000025


    〔式中、
    Sは基質を示し、
    Lは炭素数1~6のエーテル基を含んでもよい直鎖のアルキル基を示す。〕
    で表わされる、放射性フッ素標識化合物の標識前駆体化合物であって、
    下記一般式(2):
    Figure 0007165853000026


    〔式中、
    S及びLは、前記一般式(1)と同じであり、
    及びRは、それぞれ独立に、炭素数24非置換の鎖のアルキル基、又は、置換若しくは非置換の単環若しくは縮合多環アリール基を示し、
    は、それぞれ独立に、炭素数1~4のアルキル基、又は、炭素数1~4のアルコキシ基を示し、
    pは0~4の整数を示す。〕
    で表わされる、標識前駆体化合物。
  2. 前記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物のclogPが-1.4~5.0であり、前記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物と、前記一般式(2)で表わされる前駆体化合物とのclogPの差が、2以上である、請求項1に記載の標識前駆体化合物。
  3. 前記一般式(1)及び(2)中、
    Sは、下記式(S-1)又は(S-2)で表わされる基である、請求項1又は2に記載の標識前駆体化合物。
    Figure 0007165853000027


    〔上記式(S-1)中、S’はSの一部であり、qは0又は1であり、アスタリスクがLとの結合部位である。〕
    Figure 0007165853000028


    〔上記式(S-2)中、S’はSの一部であり、X及びXは、各々独立して、水素原子又はハロゲン原子を示し、Xは、水素原子、ハロゲン原子又はニトリル基を示すが、X、X及びXの少なくとも1つはハロゲン原子であり、アスタリスクがLとの結合部位である。〕
  4. 請求項1乃至3いずれか一項に記載の標識前駆体化合物を、[18F]フッ化物イオンと反応させ、下記一般式(1):
    Figure 0007165853000029


    〔式中、
    Sは基質を示し、
    Lは炭素数1~6のエーテル基を含んでもよい直鎖のアルキル基を示す。〕
    で表わされる放射性フッ素標識化合物を得る工程を含む、放射性フッ素標識化合物の製造方法。
  5. 前記標識前駆体化合物を、[18F]フッ化物イオンと反応させることにより、得られる前記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物を含む反応混合物を逆相カートリ
    ッジカラムに添加する工程と、
    前記一般式(1)で表わされる放射性フッ素標識化合物を前記逆相カートリッジカラムから溶出させる工程と、
    をさらに含む、請求項4に記載の製造方法。
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