JP7037168B2 - Residual stress reduction method for glass substrate and residual stress reduction device for glass substrate - Google Patents

Residual stress reduction method for glass substrate and residual stress reduction device for glass substrate Download PDF

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Description

本発明は、ガラス基板の残留応力低減方法及びガラス基板の残留応力低減装置に関する。 The present invention relates to a method for reducing residual stress on a glass substrate and a device for reducing residual stress on a glass substrate.

ガラスの基板を製品寸法に切り出すためには、ガラス基板にホイールによってスクライブラインを形成し、そしてガラス基板を曲げることでスクライブラインに沿ってガラス基板を分断している(例えば、特許文献1を参照)。
しかし、ホイール刃で印加された力及び分断時に加えられた応力が原因で、スクライブラインには残留応力が残る。したがって、ガラス基板の表面に水平方向にクラックが自然発生しやすく、また、時間が経過するとクラックが湿気等によってさらに成長する。
In order to cut a glass substrate into product dimensions, a scribe line is formed on the glass substrate by a wheel, and the glass substrate is divided along the scribe line by bending the glass substrate (see, for example, Patent Document 1). ).
However, residual stress remains in the scribe line due to the force applied by the wheel blade and the stress applied during the break. Therefore, cracks are likely to occur spontaneously on the surface of the glass substrate in the horizontal direction, and the cracks further grow due to moisture or the like over time.

また、ガラス基板の端面(エッジ)にレーザ光を照射して溶融面取りを行うことで、ガラス基板の端面の強度を向上させる技術が知られている(例えば、特許文献2を参照)。この溶融面取りでは、基板エッジの微細なクラックが消失し、端面強度が向上する。
しかしこの方法では、溶融部近傍には残留応力が生じる。そして、残留応力によって、基板が割れる可能性が高まる。具体的には、内部欠陥の経時的な成長や後発的な傷による破壊が生じる可能性が高まり、残留応力の大きさによっては、数十分以内に破壊が生じることがある。
Further, there is known a technique for improving the strength of the end face of a glass substrate by irradiating the end face (edge) of the glass substrate with a laser beam to perform melt chamfering (see, for example, Patent Document 2). In this melt chamfering, fine cracks on the edge of the substrate disappear and the end face strength is improved.
However, in this method, residual stress is generated in the vicinity of the molten portion. Then, the possibility that the substrate is cracked due to the residual stress increases. Specifically, there is an increased possibility that internal defects will grow over time and fracture due to subsequent scratches, and fracture may occur within several tens of minutes depending on the magnitude of residual stress.

特開平6-144875号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-144875 特許第5245819号公報Japanese Patent No. 5245819

以上を考慮して、従来からガラス基板のエッジの残留応力を低減する方法が開発されている。例えば、ガラス基板の残留応力を低減する方法では、昇温後に徐冷を行う。具体的には、最初に、ガラス基板全体をガラス転移点以上の温度まで均一に加熱し、次にそれを一定時間保持し、最後に常温まで徐冷する。一般には、加熱・保持・徐冷の工程に数時間以上の時間を要する。
この方法では、ガラス基板のエッジの残留応力をほぼ完全に除去できるという利点がある。また、炉で複数個のガラス基板を同時処理できるという利点がある。
In consideration of the above, a method for reducing the residual stress at the edge of the glass substrate has been conventionally developed. For example, in a method of reducing the residual stress of a glass substrate, slow cooling is performed after raising the temperature. Specifically, first, the entire glass substrate is uniformly heated to a temperature above the glass transition point, then it is held for a certain period of time, and finally it is slowly cooled to room temperature. Generally, it takes several hours or more for the heating, holding, and slow cooling steps.
This method has an advantage that the residual stress at the edge of the glass substrate can be almost completely removed. In addition, there is an advantage that a plurality of glass substrates can be processed simultaneously in the furnace.

しかし、基板全体をガラス転移点以上に加熱するので、例えば樹脂のような耐熱性の低い材料と一体になったガラス製品には適用できない。図30には、ガラス基板Gに樹脂材料P1、P2が一体に形成されたガラス製品を示している。
また、1回の残留応力低減処理に数時間以上の時間がかかるため、残留応力が発生した直後に残留応力を低減することはできない。そのため、高い残留応力によって数十分以内に破壊が生じる確率が高いガラス基板に適用するのが困難である。
However, since the entire substrate is heated above the glass transition point, it cannot be applied to glass products integrated with a material having low heat resistance such as resin. FIG. 30 shows a glass product in which resin materials P1 and P2 are integrally formed on a glass substrate G.
Further, since it takes several hours or more for one residual stress reduction process, it is not possible to reduce the residual stress immediately after the residual stress is generated. Therefore, it is difficult to apply it to a glass substrate having a high probability of fracture occurring within several tens of minutes due to high residual stress.

本発明の第一の目的は、樹脂のような耐熱性の低い材料と一体になったガラス基板の残留応力を低減できるようにすることにある。
本発明の第二の目的は、高い残留応力によって通常は数十分以内で破壊が生じるガラス基板に対しても、破壊が生じる前に残留応力を低減できるようにすることにある。
A first object of the present invention is to make it possible to reduce the residual stress of a glass substrate integrated with a material having low heat resistance such as resin.
A second object of the present invention is to make it possible to reduce the residual stress before the fracture occurs even for a glass substrate which is usually fractured within several tens of minutes due to a high residual stress.

以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。 Hereinafter, a plurality of aspects will be described as means for solving the problem. These aspects can be arbitrarily combined as needed.

本発明の一見地に係るガラス基板の残留応力低減方法は、下記のステップを備えている。
◎ガラス基板の残留応力が高い部分にレーザ光を照射して加熱するレーザ光照射ステップ。
◎レーザ光が照射されて加熱された部分を冷却する冷却ステップ。
この方法では、ガラス基板の残留応力が高い部分が加熱されるので、樹脂のような耐熱性の低い材料と一体になったガラス基板の残留応力を低減できるようになる。ガラス基板全体が加熱されないので、樹脂等に熱の影響が生じにくいからである。
また、この方法では、ガラス基板を1ピコ秒~100秒間程度加熱することで、加熱域において残留応力が低減されるので、通常は数十分以内で破壊が生じるガラス基板に対しても、破壊が生じる前に残留応力を低減できるようになる。
「残留応力が高い部分が加熱される」とは、ガラス基板には加熱されない部分があることを意味する。
「残留応力を低減する」とは、内部欠陥の経時的な成長が抑制され、外力を加えていないガラス基板が既定の時間内に割れない程度まで残留応力を低減することを意味する。
この方法では、レーザ光が照射されて加熱された領域が冷却されるので、比較的短い時間間隔で近接した領域に対する加熱を逐次行ったとしても、それら複数の加熱領域において残留応力を低減できる。冷却することで、高温になる領域が複数の加熱領域の並び方向に広がることがないので、残留応力低減効果が維持されるからである。この結果、タクトタイムが短縮される。
冷却は常に行われていてもよいし、レーザ光照射の後に行われてもよい。
冷却箇所は、加熱された部分だけでもよいし、加熱された部分を含むガラス基板全体であってもよい。
The method for reducing residual stress of a glass substrate according to a seemingly present invention includes the following steps.
◎ Laser light irradiation step to heat the part of the glass substrate with high residual stress by irradiating it with laser light.
◎ A cooling step that cools the heated part by being irradiated with laser light.
In this method, since the portion of the glass substrate having a high residual stress is heated, the residual stress of the glass substrate integrated with a material having low heat resistance such as resin can be reduced. This is because the entire glass substrate is not heated, so that the resin and the like are less likely to be affected by heat.
Further, in this method, the residual stress is reduced in the heating region by heating the glass substrate for about 1 picosecond to 100 seconds, so that even a glass substrate that normally breaks within several tens of minutes is broken. Residual stress can be reduced before
"The portion with high residual stress is heated" means that the glass substrate has a portion that is not heated.
"Reducing residual stress" means that the growth of internal defects over time is suppressed, and the residual stress is reduced to the extent that the glass substrate to which no external force is applied does not crack within a predetermined time.
In this method, since the heated region is cooled by being irradiated with the laser beam, the residual stress can be reduced in the plurality of heated regions even if the adjacent regions are sequentially heated at relatively short time intervals. This is because by cooling, the region that becomes hot does not expand in the direction in which the plurality of heating regions are arranged, so that the effect of reducing the residual stress is maintained. As a result, the takt time is shortened.
Cooling may be performed at all times or may be performed after laser light irradiation.
The cooling portion may be only the heated portion, or may be the entire glass substrate including the heated portion.

レーザ光照射ステップは、複数のレーザ光を複数箇所に同時に照射してもよい。
この方法では、短時間で残留応力低減を実現できる。
In the laser light irradiation step, a plurality of laser lights may be irradiated to a plurality of points at the same time.
With this method, residual stress can be reduced in a short time.

前記レーザ光照射ステップは、レーザ光を異なる箇所に照射することを繰り返し実行してもよい。
この方法では、レーザ照射される領域が増加する結果、残留応力が低減される領域の面積が増加する。
In the laser light irradiation step, the laser light may be repeatedly applied to different points.
In this method, as a result of increasing the area irradiated by the laser, the area of the area where the residual stress is reduced increases.

本発明の他の見地に係るガラス基板の残留応力低減装置は、レーザ装置と、冷却装置とを備えている。
レーザ装置は、ガラス基板の残留応力が高い部分にレーザ光を照射して加熱する。
冷却装置は、レーザ光が照射されて加熱された部分を冷却する。
この装置では、ガラス基板の残留応力が高い部分が加熱されるので、樹脂のような耐熱性の低い材料と一体になったガラス基板の残留応力を低減できるようになる。ガラス基板全体が加熱されないので、樹脂等に熱の影響が生じにくいからである。
また、この装置では、ガラス基板を1ピコ秒~100秒間程度加熱することで、加熱域において残留応力が低減されるので、通常は数十分以内で破壊が生じるガラス基板に対しても、破壊が生じる前に残留応力を低減できるようになる。
この装置では、レーザ光が照射されて加熱された領域が冷却されるので、比較的短い時間間隔で近接した領域に対する加熱を逐次行ったとしても、それら複数の加熱領域において残留応力を低減できる。冷却することで、高温になる領域が複数の加熱領域の並び方向に広がることがないので、残留応力低減効果が維持されるからである。この結果、タクトタイムが短縮される。
冷却は常に行われていてもよいし、レーザ光照射の後に行われてもよい。
冷却箇所は、加熱された部分だけでもよいし、加熱された部分を含むガラス基板全体であってもよい。
The residual stress reducing device for a glass substrate according to another aspect of the present invention includes a laser device and a cooling device.
The laser device irradiates a portion of the glass substrate with high residual stress with a laser beam to heat the glass substrate.
The cooling device cools the portion heated by being irradiated with the laser beam.
In this device, since the portion of the glass substrate having a high residual stress is heated, the residual stress of the glass substrate integrated with a material having low heat resistance such as resin can be reduced. This is because the entire glass substrate is not heated, so that the resin and the like are less likely to be affected by heat.
In addition, in this device, by heating the glass substrate for about 1 picosecond to 100 seconds, the residual stress is reduced in the heating region, so that even a glass substrate that normally breaks within several tens of minutes can be broken. Residual stress can be reduced before
In this device, since the heated region is cooled by being irradiated with the laser beam, the residual stress can be reduced in the plurality of heated regions even if the adjacent regions are sequentially heated at relatively short time intervals. This is because by cooling, the region that becomes hot does not expand in the direction in which the plurality of heating regions are arranged, so that the effect of reducing the residual stress is maintained. As a result, the takt time is shortened.
Cooling may be performed at all times or may be performed after laser light irradiation.
The cooling portion may be only the heated portion, or may be the entire glass substrate including the heated portion.

レーザ装置は、複数のレーザ光を複数箇所に同時に照射してもよい。
この装置では、短時間で残留応力低減を実現できる。
The laser apparatus may simultaneously irradiate a plurality of laser beams to a plurality of locations.
With this device, residual stress can be reduced in a short time.

レーザ装置は、レーザ光を異なる箇所に照射することを繰り返し実行してもよい。
この装置では、レーザ照射される領域が増加する結果、残留応力が低減される領域の面積が増加する。
The laser apparatus may repeatedly irradiate different points with the laser beam.
In this device, as the area irradiated by the laser increases, the area of the area where the residual stress is reduced increases.

本発明によれば、樹脂のような耐熱性の低い材料と一体になったガラス基板の残留応力を低減できるようになる。ガラス基板全体が加熱されないので、樹脂等に熱の影響が生じにくいからである。さらに、本発明によれば、高い残留応力によって通常は数十分以内で破壊が生じるガラス基板に対しても、破壊が生じる前に残留応力を低減できるようになる。ガラス基板の1箇所又は複数箇所を1ピコ秒~100秒間程度加熱し、この加熱を1回又は加熱位置をずらしながら複数回行うことで、加熱域において残留応力が低減されるからである。 According to the present invention, the residual stress of a glass substrate integrated with a material having low heat resistance such as resin can be reduced. This is because the entire glass substrate is not heated, so that the resin and the like are less likely to be affected by heat. Further, according to the present invention, it is possible to reduce the residual stress before the fracture occurs even for the glass substrate which is usually fractured within several tens of minutes due to the high residual stress. This is because the residual stress is reduced in the heating region by heating one or a plurality of places on the glass substrate for about 1 picosecond to 100 seconds and performing this heating once or a plurality of times while shifting the heating position.

本発明の第1実施形態のレーザ照射装置の模式図。The schematic diagram of the laser irradiation apparatus of 1st Embodiment of this invention. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. 溶融面取りされたガラス基板の断面写真。A cross-sectional photograph of a glass substrate that has been melt-chamfered. 溶融面取りされたガラス基板の端面から中央側に向かってのリタデーションの変化を示すグラフ。The graph which shows the change of the retardation from the end face of the melt chamfered glass substrate toward the center side. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. レーザスポットの形状のバリエーションを示す模式的平面図。Schematic plan view showing variations in the shape of the laser spot. レーザスポットの形状のバリエーションを示す模式的平面図。Schematic plan view showing variations in the shape of the laser spot. レーザスポットの形状のバリエーションを示す模式的平面図。Schematic plan view showing variations in the shape of the laser spot. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. 第2実施形態のレーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of the laser spot of 2nd Embodiment. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図。The schematic diagram of the glass substrate which shows the movement of a laser spot. 加熱領域の形状と間隔のバリエーションを示す模式的平面図。Schematic plan view showing variations in the shape and spacing of heated regions. 加熱領域の形状と間隔のバリエーションを示す模式的平面図。Schematic plan view showing variations in the shape and spacing of heated regions. 回折光学素子又は透過型空間光変調器を用いたレーザスポットの分岐を示す模式図。The schematic diagram which shows the branching of a laser spot using a diffractive optical element or a transmission type spatial light modulator. 反射型空間光変調器を用いたレーザスポットの分岐を示す模式図。The schematic diagram which shows the branching of a laser spot using a reflection type spatial light modulator. シリンドリカルレンズによるビーム形成を示す模式図。The schematic diagram which shows the beam formation by a cylindrical lens. ガルバノスキャナによるビーム形成を示す模式図。Schematic diagram showing beam formation by a galvano scanner. ポリゴンミラーによるビーム形成を示す模式図。The schematic diagram which shows the beam formation by a polygon mirror. 遮蔽板とガラス基板の位置関係を示す模式的平面図。Schematic plan view showing the positional relationship between the shielding plate and the glass substrate. 遮蔽板とガラス基板の位置関係を示す模式的正面図。Schematic front view showing the positional relationship between the shielding plate and the glass substrate. 第2実施形態の第2変形例のレーザ照射装置の模式的平面図。The schematic plan view of the laser irradiation apparatus of the 2nd modification of 2nd Embodiment. レーザ照射装置の模式的正面図。Schematic front view of the laser irradiation device. 3点のビームの形成を示す模式図。The schematic diagram which shows the formation of the beam of 3 points. 時間に対するレーザパルスと光線角度の変化を示すグラフ。A graph showing changes in laser pulse and ray angle over time. 耐熱性の低い材料と一体になった従来のガラス製品の模式的平面図。Schematic plan view of a conventional glassware integrated with a material with low heat resistance.

1.第1実施形態
(1)レーザ照射装置
図1に、本発明の一実施形態によるレーザ照射装置1の全体構成を示す。図1は、本発明の第1実施形態のレーザ照射装置の模式図である。
レーザ照射装置1は、ガラス基板Gの残留応力が高い部分を加熱することで端面近傍部分の残留応力を低減する機能を有している。
1. 1. 1st Embodiment (1) Laser Irradiation Device FIG. 1 shows an overall configuration of a laser irradiation device 1 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 is a schematic diagram of a laser irradiation device according to a first embodiment of the present invention.
The laser irradiation device 1 has a function of reducing the residual stress in the vicinity of the end face by heating the portion of the glass substrate G having a high residual stress.

ガラス基板Gは、ガラスのみからなるものと、ガラスに樹脂等の他の部材が組み合わせられたものを含む。ガラスの種類の代表的な例としては、ディスプレイやインパネ等に使われるソーダガラス、無アルカリガラスが挙げられるが、種類はこれらに限定されない。ガラスの厚さは、具体的には、3mm以下であり、例えば、0.004~3mmの範囲、好ましくは0.2~0.4mmの範囲である。 The glass substrate G includes one made of only glass and one in which other members such as resin are combined with glass. Typical examples of the types of glass include soda glass and non-alkali glass used for displays and instrument panels, but the types are not limited to these. Specifically, the thickness of the glass is 3 mm or less, for example, in the range of 0.004 to 3 mm, preferably in the range of 0.2 to 0.4 mm.

レーザ照射装置1は、レーザ装置3を備えている。レーザ装置3は、ガラス基板Gにレーザ光を照射するためのレーザ発振器15と、レーザ制御部17とを有している。レーザ制御部17はレーザ発振器15の駆動及びレーザパワーを制御できる。 The laser irradiation device 1 includes a laser device 3. The laser device 3 includes a laser oscillator 15 for irradiating the glass substrate G with laser light, and a laser control unit 17. The laser control unit 17 can control the drive of the laser oscillator 15 and the laser power.

レーザ装置3は、レーザ光を後述する機械駆動系側に伝送する伝送光学系5を有している。伝送光学系5は、例えば、集光レンズ19、複数のミラー(図示せず)、プリズム(図示せず)等を有する。
レーザ照射装置1は、集光レンズ19の位置を光軸方向に移動させることによって、レーザ光のスポットの大きさを変更する駆動機構11を有している。
The laser device 3 has a transmission optical system 5 that transmits laser light to the mechanical drive system side, which will be described later. The transmission optical system 5 includes, for example, a condenser lens 19, a plurality of mirrors (not shown), a prism (not shown), and the like.
The laser irradiation device 1 has a drive mechanism 11 that changes the size of a spot of laser light by moving the position of the condenser lens 19 in the optical axis direction.

レーザ照射装置1は、ガラス基板Gが載置される加工テーブル7を有している。加工テーブル7は、テーブル駆動部13によって移動される。テーブル駆動部13は、加工テーブル7をヘッド(図示せず)に対して水平方向に移動させる移動装置(図示せず)を有している。移動装置は、ガイドレール、モータ等を有する公知の機構である。 The laser irradiation device 1 has a processing table 7 on which the glass substrate G is placed. The machining table 7 is moved by the table drive unit 13. The table drive unit 13 has a moving device (not shown) that moves the machining table 7 in the horizontal direction with respect to the head (not shown). The moving device is a known mechanism having a guide rail, a motor, and the like.

レーザ照射装置1は、制御部9を備えている。制御部9は、プロセッサ(例えば、CPU)と、記憶装置(例えば、ROM、RAM、HDD、SSDなど)と、各種インターフェース(例えば、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェースなど)を有するコンピュータシステムである。制御部9は、記憶部(記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応)に保存されたプログラムを実行することで、各種制御動作を行う。
制御部9は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
The laser irradiation device 1 includes a control unit 9. The control unit 9 has a processor (for example, a CPU), a storage device (for example, ROM, RAM, HDD, SSD, etc.), and various interfaces (for example, an A / D converter, a D / A converter, a communication interface, etc.). It is a computer system. The control unit 9 performs various control operations by executing a program stored in the storage unit (corresponding to a part or all of the storage area of the storage device).
The control unit 9 may be composed of a single processor, or may be composed of a plurality of independent processors for each control.

制御部9は、レーザ制御部17を制御できる。制御部9は、駆動機構11を制御できる。制御部9は、テーブル駆動部13を制御できる。
制御部9には、図示しないが、ガラス基板Gの大きさ、形状及び位置を検出するセンサ、各装置の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。
The control unit 9 can control the laser control unit 17. The control unit 9 can control the drive mechanism 11. The control unit 9 can control the table drive unit 13.
Although not shown, the control unit 9 is connected to a sensor that detects the size, shape, and position of the glass substrate G, a sensor and a switch for detecting the state of each device, and an information input device.

図1には、ガラス基板Gの表側又は裏側から噴射エアで基板を冷却する基板冷却装置35が示されている。基板冷却装置35は、制御部9によって動作を制御される。なお、冷却のための冷却媒体は特に限定されない。
基板冷却装置は、ガラスが置かれるテーブルを水冷テーブルにすることで実現されてもよい。
レーザ照射装置1に基板冷却機構が搭載されてもよい。
FIG. 1 shows a substrate cooling device 35 that cools a substrate with jet air from the front side or the back side of the glass substrate G. The operation of the substrate cooling device 35 is controlled by the control unit 9. The cooling medium for cooling is not particularly limited.
The substrate cooling device may be realized by making the table on which the glass is placed a water-cooled table.
A substrate cooling mechanism may be mounted on the laser irradiation device 1.

(2)溶融面取り動作
ガラス基板Gに残留応力が生じる加工の例として、図2~図4を用いて、ガラス基板Gの端面を溶融面取りする動作を説明する。図2は、レーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図である。図3は、溶融面取りされたガラス基板の断面写真である。図4は、溶融面取りされたガラス基板の端面から中央側に向かってのリタデーションの変化を示すグラフである。
図2に示すように、ガラス基板Gに対して、レーザ光を、ガラス基板Gの端面近傍部分21に照射し、さらにレーザスポットSをガラス基板Gの端面20に沿って走査する。このとき、レーザスポットSが、ガラス基板Gの端面20から基板内側(中央側)に向かって例えば、10μm~150μm離れた位置にくるようにセットする。
(2) Melt chamfering operation As an example of processing in which residual stress is generated in the glass substrate G, an operation of melting chamfering the end face of the glass substrate G will be described with reference to FIGS. 2 to 4. FIG. 2 is a schematic diagram of a glass substrate showing the movement of a laser spot. FIG. 3 is a cross-sectional photograph of a glass substrate that has been melt chamfered. FIG. 4 is a graph showing the change in retardation from the end face of the melt-chamfered glass substrate toward the center side.
As shown in FIG. 2, a laser beam is applied to the glass substrate G in the vicinity of the end face portion 21 of the glass substrate G, and the laser spot S is further scanned along the end face 20 of the glass substrate G. At this time, the laser spot S is set so as to be at a position, for example, 10 μm to 150 μm away from the end surface 20 of the glass substrate G toward the inside (center side) of the substrate.

以上のようなレーザスポットSの照射及び走査によって、ガラス基板Gの端面近傍部分21が加熱される。特に、中赤外光のレーザ光を照射することによって、レーザ光はガラス基板Gの内部まで透過しながら吸収される。したがって、ガラス基板Gの端面20は、レーザ光の照射面である表面側のみではなく、ガラス基板Gの内部及び裏面側の全体にわたって比較的均一に加熱される。このため、ガラス基板Gの端面20は基板厚みの中央部が外側に膨らむように溶融し、その結果、図3に示すように、端面20が面取りされる。 By irradiating and scanning the laser spot S as described above, the portion 21 near the end face of the glass substrate G is heated. In particular, by irradiating the laser beam of mid-infrared light, the laser beam is absorbed while being transmitted to the inside of the glass substrate G. Therefore, the end surface 20 of the glass substrate G is heated relatively uniformly not only on the front surface side which is the irradiation surface of the laser beam but also on the inside and the entire back surface side of the glass substrate G. Therefore, the end surface 20 of the glass substrate G is melted so that the central portion of the substrate thickness bulges outward, and as a result, the end surface 20 is chamfered as shown in FIG.

以上の結果、図4に示すように、ガラス基板Gの端面近傍部分(例えば、端面20から200μmの領域)では、リタデーション(nm)が高くなる。リタデーションは、物体を透過した光に生じる位相差であり、物体内にはたらく応力に比例する値である。外力を加えていない物体のリタデーションが高いということは、残留応力が高くなっていることを意味する。 As a result of the above, as shown in FIG. 4, the retardation (nm) is high in the portion near the end face of the glass substrate G (for example, the region from the end face 20 to 200 μm). The retardation is a phase difference generated in the light transmitted through the object, and is a value proportional to the stress acting in the object. High retardation of an object to which no external force is applied means high residual stress.

(3)残留応力低減処理
図5~図8を用いて、残留応力低減処理を説明する。図5~図8は、第1実施形態のレーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図である。
(3) Residual stress reduction treatment The residual stress reduction treatment will be described with reference to FIGS. 5 to 8. 5 to 8 are schematic views of a glass substrate showing the movement of the laser spot of the first embodiment.

図5では、レーザスポットS1が端面近傍部分21の一点に照射されている。
図6では、レーザスポットS2が端面近傍部分21の異なる位置の他の一点に照射されている。
図7では、レーザスポットS3が端面近傍部分21の異なる位置の他の一点に照射されている。
図8では、レーザスポットS4が端面近傍部分21の異なる位置の他の一点に照射されている。
In FIG. 5, the laser spot S1 irradiates a point near the end face portion 21.
In FIG. 6, the laser spot S2 is irradiated to another point at a different position in the portion near the end face 21.
In FIG. 7, the laser spot S3 is irradiated to another point at a different position in the portion near the end face 21.
In FIG. 8, the laser spot S4 is irradiated to another point at a different position in the portion near the end face 21.

残留応力発生領域Z上の1点にレーザスポットが所定時間だけ照射されてガラス転移点以上の温度まで加熱されると、その領域において残留応力が低減される。したがって、図5~図8から明らかなように、1点を所定時間だけ加熱することを逐次行うことで、レーザスポットS1~S4は、端面方向に連続して隣接した位置に照射され、結果として端面近傍部分21に全体的に照射される。
ただし、レーザスポットの数、位置、照射される順序、端面近傍部分21に占める割合は、この実施形態に限定されない。
When a laser spot is irradiated to one point on the residual stress generation region Z for a predetermined time and heated to a temperature equal to or higher than the glass transition point, the residual stress is reduced in that region. Therefore, as is clear from FIGS. 5 to 8, by sequentially heating one point for a predetermined time, the laser spots S1 to S4 are continuously irradiated to adjacent positions in the end face direction, and as a result, the laser spots S1 to S4 are irradiated to the adjacent positions. The portion 21 near the end face is irradiated as a whole.
However, the number of laser spots, the position, the order of irradiation, and the proportion of the laser spots in the vicinity of the end face 21 are not limited to this embodiment.

この実施形態では、1点を所定時間だけ加熱すること、位置をずらして1点を所定時間だけ加熱することを繰り返すことで、残留応力発生領域Z(斜線領域)をガラス転移点以上の温度にして、端面近傍部分21全体の残留応力を下げる。
この実施形態では、レーザスポットSは、最終的には端面近傍部分21全体に照射されて、端面近傍部分21全体の残留応力を下げる。しかし、端面近傍部分21のうちの一部の領域だけにおいて残留応力を下げる場合には、レーザスポットSは、端面近傍部分21のうち特定領域だけに照射されてもよいし、端面近傍部分21全体の半分程度の領域だけに照射されてもよい。
In this embodiment, the residual stress generation region Z (shaded area) is set to a temperature equal to or higher than the glass transition point by repeating heating one point for a predetermined time and shifting the position to heat one point for a predetermined time. Therefore, the residual stress of the entire end face vicinity portion 21 is reduced.
In this embodiment, the laser spot S is finally irradiated to the entire end face vicinity portion 21 to reduce the residual stress of the entire end face vicinity portion 21. However, when the residual stress is reduced only in a part of the end face vicinity portion 21, the laser spot S may irradiate only a specific region of the end face near portion 21, or the entire end face vicinity portion 21. Only about half of the area may be irradiated.

(4)残留応力低減処理におけるレーザスポットの形状
本発明者らは、実験に基づき、残留応力低減処理においては、高温になる領域を、端面20に沿った方向の狭い範囲に抑えることが必要であることを見い出し、本発明に至った。
この実施形態では、端面近傍部分21の中の1点を所定時間だけ加熱することで、加熱された領域の残留応力を低減する。図9、図10及び図11は、レーザスポットSの形状のバリエーションを示す模式的平面図である。
図9には、円形のレーザスポットS100と、端面20に直交する方向に長い楕円形のレーザスポットS101が示されている。図10には、端面20に沿って長い楕円形のレーザスポットS102、S103が示されている。図11には、端面20全体を覆う、端面20に沿って長い形のレーザスポットS104が示されている。レーザスポットS100、S101、S102、S103を用いた場合は、レーザ出力及び加熱のための所定時間を調整すれば、加熱領域における残留応力が低減された。ただし、残留応力低減効果は、S100≒S101>S102>S103の順に高かった。レーザスポットS104を用いた場合、レーザ出力及び加熱のための所定時間を調整しても、残留応力が低減されなかった。
以上に示した実験結果を鑑み、本発明者らは、残留応力低減処理においては、高温になる領域を、端面20に沿った方向に狭い範囲に抑えることが必要であることを見い出し、本発明に至った。
(4) Shape of Laser Spot in Residual Stress Reduction Treatment Based on experiments, the present inventors need to suppress the high temperature region to a narrow range in the direction along the end face 20 in the residual stress reduction treatment. I found something and came up with the present invention.
In this embodiment, the residual stress in the heated region is reduced by heating one point in the end face vicinity portion 21 for a predetermined time. 9, 10 and 11 are schematic plan views showing variations in the shape of the laser spot S.
FIG. 9 shows a circular laser spot S100 and an elliptical laser spot S101 long in the direction orthogonal to the end face 20. FIG. 10 shows long elliptical laser spots S102, S103 along the end face 20. FIG. 11 shows a long laser spot S104 along the end face 20 that covers the entire end face 20. When the laser spots S100, S101, S102, and S103 were used, the residual stress in the heating region was reduced by adjusting the laser output and the predetermined time for heating. However, the residual stress reducing effect was higher in the order of S100≈S101>S102> S103. When the laser spot S104 was used, the residual stress was not reduced even if the laser output and the predetermined time for heating were adjusted.
In view of the experimental results shown above, the present inventors have found that it is necessary to suppress the high temperature region to a narrow range in the direction along the end face 20 in the residual stress reduction treatment, and the present invention has been made. It came to.

レーザスポットSは、円形の場合、例えば、直径4μm~20mmであることが好ましい。レーザスポットSの直径は大きいほど、加熱1回当たりの処理面積が広くなり、所定の面積の残留応力を低減するのに要する時間が短縮される。
図9及び図10に示したように、レーザスポットSは楕円形であってもよい。ただし、レーザスポットSの端面20に沿った方向の幅がレーザスポットSの端面20に交差する方向の幅に対して長いほど、残留応力低減効果が低下する。レーザスポットSの端面20に沿った方向の幅は、レーザスポットSの端面20に交差する方向の幅の10倍以下であることが好ましい。
When the laser spot S is circular, it is preferable that the laser spot S has a diameter of, for example, 4 μm to 20 mm. The larger the diameter of the laser spot S, the larger the processing area per heating, and the shorter the time required to reduce the residual stress in the predetermined area.
As shown in FIGS. 9 and 10, the laser spot S may be elliptical. However, the longer the width in the direction along the end face 20 of the laser spot S with respect to the width in the direction intersecting the end face 20 of the laser spot S, the lower the residual stress reducing effect. The width in the direction along the end face 20 of the laser spot S is preferably 10 times or less the width in the direction intersecting the end face 20 of the laser spot S.

加熱のための所定時間は、加熱中の加熱域の温度に依存する。つまり、高い出力で加熱するほど、加熱域の温度が高くなり、短時間で残留応力が低減される。高い出力で加熱するほど、加熱のための所定時間が短くてよく、タクトタイムは短い。
加熱のための所定時間は、例えば、1ピコ秒~100秒程度が好ましい。最小の所定時間は、ガラスの構造緩和に要する時間(緩和時間)の最小値として知られる1ピコ秒である。加熱域の温度が低い場合ほど緩和時間が長くなり、加熱域の温度がガラス転移点程度である場合には、加熱のための所定時間を緩和時間である100秒程度とするのが好ましい。
加熱のための所定時間を極端に短くするには、ガラス基板Gを短い時間で高温まで加熱する必要があり、必要な出力が大幅に増えるため、実用上は、タクトタイム短縮のメリットと出力上昇によるコスト増の兼ね合いで加熱条件が決められる。
The predetermined time for heating depends on the temperature of the heating region during heating. That is, the higher the output, the higher the temperature in the heating region, and the shorter the residual stress is. The higher the output, the shorter the predetermined time for heating and the shorter the takt time.
The predetermined time for heating is preferably, for example, about 1 picosecond to 100 seconds. The minimum predetermined time is 1 picosecond, which is known as the minimum value of the time (relaxation time) required for structural relaxation of glass. The lower the temperature in the heating region, the longer the relaxation time, and when the temperature in the heating region is about the glass transition point, it is preferable that the predetermined time for heating is about 100 seconds, which is the relaxation time.
In order to extremely shorten the predetermined time for heating, it is necessary to heat the glass substrate G to a high temperature in a short time, and the required output is significantly increased. Therefore, in practice, the merit of shortening the tact time and the increase in output are obtained. The heating conditions are determined in consideration of the cost increase due to the above.

レーザ出力は、ガラス転移点以上まで加熱できる値である必要がある。これは、レーザスポットのサイズ、レーザ波長、ガラスの種類や板厚によって適宜設定される。なお、ガラス基板Gの加熱部の温度がガラス転移点程度である場合、加熱部の変形はほとんど確認されない。加熱部の温度がより高い場合には、加熱部が溶融し、形状が変化する。レーザ出力が高いほど、加熱部の粘度が低下し、短い時間で大きく変形する。本発明によれば、レーザ出力が高く、ガラス基板Gの形状が変形する場合であっても、残留応力が低減される。ただし、ガラス基板Gの許容できる変形量に制約がある製品に本発明を適用する場合には、ガラス基板Gの粘度が低下して変形量が許容値を超えることがないよう、レーザ出力に上限が設定されるべきである。
厚さ200μmの無アルカリガラスを対象として所定時間加熱の条件例を説明する。スポットサイズ4mmのCO2レーザ(波長10.6μm)を用いて、3W、20sである。4W、4sの条件でもよい。6W、2sの条件でもよい。
The laser output needs to be a value that can be heated up to the glass transition point or higher. This is appropriately set according to the size of the laser spot, the laser wavelength, the type of glass, and the plate thickness. When the temperature of the heated portion of the glass substrate G is about the glass transition point, deformation of the heated portion is hardly confirmed. When the temperature of the heating portion is higher, the heating portion melts and the shape changes. The higher the laser output, the lower the viscosity of the heated portion, and the greater the deformation in a short time. According to the present invention, the residual stress is reduced even when the laser output is high and the shape of the glass substrate G is deformed. However, when the present invention is applied to a product in which the allowable amount of deformation of the glass substrate G is limited, the upper limit of the laser output is set so that the viscosity of the glass substrate G does not decrease and the amount of deformation does not exceed the allowable value. Should be set.
An example of conditions for heating a non-alkali glass having a thickness of 200 μm for a predetermined time will be described. 3W, 20s using a CO 2 laser (wavelength 10.6 μm) with a spot size of 4 mm. The conditions may be 4W and 4s. The conditions may be 6W and 2s.

レーザの種類(波長)は特に限定されない。
ガラス基板Gへの入熱方向は特に限定されない。ガラス基板Gの表面から入熱されても良いし、裏面から入熱されても良いし、端面20から入熱されてもよい。
前記実施形態では溶融面取りが終わった後に残留応力低減処理を行っていたが、溶融面取り加工と残留応力低減処理とを一つのガラス基板Gで並行して行ってもよい。具体的には、2本のレーザビームを用いることで溶融面取り動作の途中で残留応力低減処理が開始され、それ以後は両処理が同時に行われる。その場合は、全体の処理時間が短くなる。
なお、複数のレーザビームを用いるためには、レーザ発振器を複数用意してもよいし、1つのレーザ発振器からレーザビームを分岐させてもよい。
The type (wavelength) of the laser is not particularly limited.
The direction of heat input to the glass substrate G is not particularly limited. The heat may be input from the front surface of the glass substrate G, the heat may be input from the back surface, or the heat may be input from the end surface 20.
In the above embodiment, the residual stress reduction treatment is performed after the melt chamfering is completed, but the melt chamfering treatment and the residual stress reduction treatment may be performed in parallel on one glass substrate G. Specifically, by using two laser beams, the residual stress reduction treatment is started in the middle of the melt chamfering operation, and after that, both treatments are performed at the same time. In that case, the total processing time is shortened.
In order to use a plurality of laser beams, a plurality of laser oscillators may be prepared, or the laser beam may be branched from one laser oscillator.

以上の結果、ガラス基板Gの端面近傍部分21(つまり、残留応力発生領域Z)がガラス転移点以上まで加熱され、その結果、残留応力が低減する。
この方法では、ガラス基板Gの端面近傍部分21が加熱される(つまり、ガラス基板G全体が加熱されない)ので、樹脂のような耐熱性の低い材料と一体になったガラス基板Gの端面近傍部分21の残留応力を低減できるようになる。樹脂等に熱の影響が生じにくいからである。さらに、ガラス基板を1ピコ秒~100秒間程度加熱し、この加熱を1回又は位置をずらしながら複数回行うことで、加熱域において残留応力が低減されるため、高い残留応力によって通常は数十分以内で破壊が生じるガラス基板に対しても、破壊が生じる前に残留応力を低減できるようになる。
As a result of the above, the portion near the end face of the glass substrate G (that is, the residual stress generation region Z) is heated to the glass transition point or higher, and as a result, the residual stress is reduced.
In this method, the portion near the end face of the glass substrate G is heated (that is, the entire glass substrate G is not heated), so that the portion near the end face of the glass substrate G integrated with a material having low heat resistance such as resin is heated. The residual stress of 21 can be reduced. This is because the resin and the like are less likely to be affected by heat. Further, by heating the glass substrate for about 1 picosecond to 100 seconds and performing this heating once or multiple times while shifting the position, the residual stress is reduced in the heating region, so that the high residual stress usually causes several tens. Even for a glass substrate that breaks within minutes, the residual stress can be reduced before the break occurs.

(5)冷却によるタクトタイムの短縮
上記の所定時間加熱方式を位置をずらしながら行う場合、1回目加熱、ずらして2回目加熱、ずらして3回目加熱・・・・と、所定時加熱が逐次行われる。このとき、タクトタイムを短くするためには、加熱動作同士の時間間隔を短くする必要がある。しかし、例えば図12に示す加熱位置の順序では、直前の加熱領域に隣接する領域が次の加熱領域となっている。この場合、例えば2回目の加熱は、1回目の加熱部の温度が低下するまで待つ必要がある。その理由は、例えば2回目の加熱領域が、1回目の加熱領域と合わせて、前述した「ガラス基板Gの端面近傍部を加熱する場合のうちの高温部が端面に沿って長くなる場合」に対応するからである。
(5) Shortening of tact time by cooling When the above-mentioned predetermined time heating method is performed while shifting the position, heating at a predetermined time is performed sequentially, such as first heating, shifting for the second heating, shifting for the third heating, and so on. Will be. At this time, in order to shorten the tact time, it is necessary to shorten the time interval between the heating operations. However, for example, in the order of the heating positions shown in FIG. 12, the region adjacent to the immediately preceding heating region is the next heating region. In this case, for example, the second heating needs to wait until the temperature of the first heating portion drops. The reason is, for example, that the second heating region is combined with the first heating region and the above-mentioned "when the high temperature portion of the case where the portion near the end face of the glass substrate G is heated becomes longer along the end face". Because it corresponds.

上述のずらし照射を行う場合、基板の冷却を行うことで加熱動作同士の時間間隔を短くできる。図1には、ガラス基板Gの表側又は裏側から噴射エアで基板を冷却する基板冷却装置35が示されている。
この場合、1回目の加熱領域を空冷などで冷やした後に2回目の加熱を行う。これにより、図12に示す順番で加熱する場合でも、時間間隔を短くできる。
When the above-mentioned staggered irradiation is performed, the time interval between the heating operations can be shortened by cooling the substrate. FIG. 1 shows a substrate cooling device 35 that cools a substrate with jet air from the front side or the back side of the glass substrate G.
In this case, the first heating region is cooled by air cooling or the like, and then the second heating is performed. As a result, the time interval can be shortened even when heating is performed in the order shown in FIG.

上記のように時間間隔を短くできる理由は、レーザ光が照射されて加熱された部分が冷却された後に次のレーザ光が照射されるので、先に加熱された部分の近傍に次のレーザ光を照射したとしても、高温になる領域が冷却によって端面に沿った方向に広がっていないからである。つまり、この場合は、前述した「ガラス基板Gの端面近傍部分を加熱する場合のうちの高温部が端面に沿って狭く抑えられる場合」に対応しているからである。
冷却は常に行われていてもよいし、レーザ光照射の後に行われてもよい。
The reason why the time interval can be shortened as described above is that the next laser beam is irradiated after the heated portion is cooled by being irradiated with the laser beam, so that the next laser beam is in the vicinity of the previously heated portion. This is because the region that becomes hot does not expand in the direction along the end face due to cooling even if the irradiation is performed. That is, this is because it corresponds to the above-mentioned "case where the high temperature portion in the case of heating the portion near the end face of the glass substrate G is suppressed narrowly along the end face".
Cooling may be performed at all times or may be performed after laser light irradiation.

なお、冷却のための冷却媒体は特に限定されない。
基板冷却装置は、ガラスが置かれるテーブルを水冷テーブルにすることで実現されてもよい。
レーザ照射装置1に基板冷却機構が搭載されてもよい。
The cooling medium for cooling is not particularly limited.
The substrate cooling device may be realized by making the table on which the glass is placed a water-cooled table.
A substrate cooling mechanism may be mounted on the laser irradiation device 1.

2.第2実施形態
第1実施形態の所定時間照射方式は、1点ごとをレーザ照射する一点加熱方式を採用していたが、レーザ照射は多点を同時に照射してもよい。
図13~図16を用いて、そのような例を第2実施形態として説明する。この多点同時照射方式では、実質的な処理速度が速くなる。図13~図16は、第2実施形態のレーザスポットの移動を示すガラス基板の模式図である。
2. 2. 2nd Embodiment The predetermined time irradiation method of the 1st embodiment employs a one-point heating method in which each point is irradiated with a laser, but the laser irradiation may irradiate a plurality of points at the same time.
Such an example will be described as a second embodiment with reference to FIGS. 13 to 16. In this multi-point simultaneous irradiation method, the processing speed is substantially increased. 13 to 16 are schematic views of a glass substrate showing the movement of the laser spot of the second embodiment.

図13では、離散した2個のレーザスポットS1が端面近傍部分21に照射されている。
図14では、図13の動作によって端面近傍部分21において残留応力が低減した状況が示されている。
In FIG. 13, two discrete laser spots S1 are irradiated on the end face vicinity portion 21.
FIG. 14 shows a situation in which the residual stress is reduced in the portion near the end face 21 by the operation of FIG.

図15では、離散した2個のレーザスポットS2が端面近傍部分21に照射されている。このときに、2個のレーザスポットS2は先の2個のレーザスポットS1とは異なる位置につまりずらして照射されている。また、2個のレーザスポットS2は、残った残留応力発生領域Zに対応している。
図16では、図15の動作によって端面近傍部分21において残留応力が低減した状況が示されている。
In FIG. 15, two discrete laser spots S2 are irradiated on the end face vicinity portion 21. At this time, the two laser spots S2 are irradiated at positions different from those of the previous two laser spots S1, that is, they are shifted to each other. Further, the two laser spots S2 correspond to the remaining residual stress generation region Z.
FIG. 16 shows a situation in which the residual stress is reduced in the portion near the end face 21 by the operation of FIG.

多点同時加熱方式では、加熱領域の数がn点の場合、第1実施形態の一点加熱方式に比べてn倍の出力が必要になる。また、後述する遮蔽方式では、遮蔽部の面積に応じてさらに高い出力が必要になる。
1点当たりの加熱条件は、第1実施形態と同じである。
In the multi-point simultaneous heating method, when the number of heating regions is n points, n times the output is required as compared with the one-point heating method of the first embodiment. Further, in the shielding method described later, a higher output is required depending on the area of the shielding portion.
The heating conditions per point are the same as in the first embodiment.

加熱領域間の間隔は、加熱領域1点の幅の0.5倍以上が好ましい。加熱領域間の間隔が狭すぎる場合、複数の加熱域がつながり、残留応力発生領域Zに沿って長い1つのレーザスポットを照射することと等しくなる。つまり、前述した「加熱域の形状が残留応力発生領域Zに沿って長くなる場合」に対応し、残留応力低減効果が低くなる。図17及び図18を用いて、加熱領域の形状との間隔のバリエーションを示す。図17及び図18は、加熱領域の形状と間隔のバリエーションを示す模式的平面図である。 The interval between the heating regions is preferably 0.5 times or more the width of one heating region. If the spacing between the heating regions is too narrow, the plurality of heating regions will be connected, which is equivalent to irradiating one long laser spot along the residual stress generation region Z. That is, the effect of reducing the residual stress is lowered in response to the above-mentioned "when the shape of the heating region becomes long along the residual stress generation region Z". 17 and 18 are used to show variations in spacing from the shape of the heated region. 17 and 18 are schematic plan views showing variations in the shape and spacing of the heated regions.

図17には、3点の円形のレーザスポットS105が示されている。レーザスポットS105は、図9のレーザスポットS100と同じ形状であり、残留応力低減効果が高い。また、レーザスポットS105の間隔は、レーザスポットS105の幅と同程度に設定されている。
図18には、端面20に交差する方向に長い楕円形の3点のレーザスポットS106が示されている。レーザスポットS106は、図9のレーザスポットS101と同じ形状であり、残留応力低減効果が高い。また、レーザスポットS106の間隔は、レーザスポットS106の幅と同程度に設定されている。
レーザスポットの形状と間隔の組み合わせは上記以外にも多数ある。
FIG. 17 shows three circular laser spots S105. The laser spot S105 has the same shape as the laser spot S100 of FIG. 9, and has a high residual stress reducing effect. Further, the interval between the laser spots S105 is set to be about the same as the width of the laser spots S105.
FIG. 18 shows three elliptical laser spots S106 that are long in the direction intersecting the end face 20. The laser spot S106 has the same shape as the laser spot S101 of FIG. 9, and has a high residual stress reducing effect. Further, the interval between the laser spots S106 is set to be about the same as the width of the laser spots S106.
There are many combinations of laser spot shapes and intervals other than the above.

残留応力低減処理の処理速度は、加熱領域の数によって変わってくる。例えば、加熱領域の幅8mm、10点同時加熱、加熱時間1s、加熱領域1つ当たりの残留応力低下幅4mmの場合は、照射1回の処理速度は、4mmx10/1s=40mm/sになる。 The processing speed of the residual stress reduction treatment depends on the number of heating regions. For example, when the width of the heating region is 8 mm, 10 points are simultaneously heated, the heating time is 1 s, and the residual stress reduction width per heating region is 4 mm, the processing speed per irradiation is 4 mm × 10 / 1s = 40 mm / s.

図19及び図20を用いて、光分岐素子を用いて多点同時加熱を行う方式を説明する。図19は、回折光学素子又は透過型空間光変調器を用いたレーザスポットの分岐を示す模式図である。図20は、反射型空間光変調器を用いたレーザスポットの分岐を示す模式図である。
図19では、回折光学素子(Diffractive Optical Element,DOE)31又は透過型空間光変調器(Spatial Light Modulator,SLM)31が示されている。
図20では、反射型空間光変調器(SLM)33が示されている。また、2個のミラー34も示されている。
A method of simultaneously heating at multiple points using an optical branching element will be described with reference to FIGS. 19 and 20. FIG. 19 is a schematic diagram showing branching of a laser spot using a diffractive optical element or a transmission type spatial light modulator. FIG. 20 is a schematic diagram showing branching of a laser spot using a reflective spatial light modulator.
In FIG. 19, a diffractive optical element (DOE) 31 or a transmissive spatial light modulator (SLM) 31 is shown.
In FIG. 20, a reflective spatial light modulator (SLM) 33 is shown. Also shown are two mirrors 34.

図13~図16に示したような、多点同時加熱方式を位置をずらしながら行う場合、1回目加熱、ずらして2回目加熱、ずらして3回目加熱・・・・と、所定時間加熱が逐次行われる。このとき、タクトタイム短縮のためには、加熱動作同士の時間間隔を短くする必要がある。しかし、例えば複数箇所の2回目の加熱領域のいずれかが複数箇所の1回目の加熱領域のいずれかと隣接する領域になる場合は、その2回目の加熱は、1回目の加熱部の温度が低下するまで待つ必要がある。その理由は、例えば2回目の加熱領域が、1回目の加熱領域と合わせて、前述した「ガラス基板Gの端面近傍部分を加熱する場合のうちの高温部が端面に沿って長くなる場合」に対応するからである。 When the multi-point simultaneous heating method as shown in FIGS. 13 to 16 is performed while shifting the positions, the heating is sequentially performed for a predetermined time, such as the first heating, the second heating by shifting, the third heating by shifting, and so on. Will be done. At this time, in order to shorten the tact time, it is necessary to shorten the time interval between the heating operations. However, for example, when any of the second heating regions at a plurality of locations is adjacent to any of the first heating regions at a plurality of locations, the temperature of the first heating portion is lowered in the second heating. You have to wait until you do. The reason is, for example, that the second heating region is combined with the first heating region and the above-mentioned "when the high temperature portion of the case where the portion near the end face of the glass substrate G is heated becomes longer along the end face". Because it corresponds.

上述のずらし照射を行う場合、基板の冷却を行うことで加熱動作同士の時間間隔を短くできる。冷却には、第1実施形態の図1に示すように、ガラス基板Gの表側または裏側から噴射エアで基板を冷却する基板冷却装置35を用いる。この場合、1回目の加熱領域を空冷などで冷やした後に2回目の加熱を行うことになる。これにより、例えば、2回目の加熱領域が1回目の加熱領域と隣接する領域になる場合でも、時間間隔を短くできる。 When the above-mentioned staggered irradiation is performed, the time interval between the heating operations can be shortened by cooling the substrate. For cooling, as shown in FIG. 1 of the first embodiment, a substrate cooling device 35 that cools the substrate with jet air from the front side or the back side of the glass substrate G is used. In this case, the first heating region is cooled by air cooling or the like, and then the second heating is performed. Thereby, for example, even when the second heating region becomes a region adjacent to the first heating region, the time interval can be shortened.

上記のように時間間隔を短くできる理由は、レーザ光が照射されて加熱された部分が冷却された後に次のレーザ光が照射されるので、先に加熱された部分の近傍に次のレーザ光を照射したとしても、高温になる領域が冷却によって端面に沿った方向に広がらないからである。つまり、この場合は、前述した「ガラス基板Gの端面近傍部を加熱する場合のうちの高温部が端面に沿って狭く抑えられる場合」に対応するからである。
冷却は常に行われていてもよいし、レーザ光照射の後に行われてもよい。
第1実施形態と同様に、冷却装置の構成、冷却手段、配置位置は特に限定されない。
The reason why the time interval can be shortened as described above is that the next laser beam is irradiated after the heated portion is cooled by being irradiated with the laser beam, so that the next laser beam is in the vicinity of the previously heated portion. This is because the region that becomes hot does not expand in the direction along the end face due to cooling even if it is irradiated with. That is, this is because it corresponds to the above-mentioned "case where the high temperature portion of the case where the portion near the end surface of the glass substrate G is heated is suppressed narrowly along the end surface".
Cooling may be performed at all times or may be performed after laser light irradiation.
Similar to the first embodiment, the configuration, cooling means, and arrangement position of the cooling device are not particularly limited.

(1)第1変形例
第2実施形態では光分岐素子を用いて多点同時加熱を行う方式を説明したが、遮蔽方式で多点同時加熱を行ってもよい。図21~図25を用いて、遮蔽方式で多点同時加熱を行う方法を第1変形例として説明する。図21は、シリンドリカルレンズによるビーム形成を示す模式図である。図22は、ガルバノスキャナによるビーム形成を示す模式図である。図23は、ポリゴンミラーによるビーム形成を示す模式図である。図24は、遮蔽板とガラス基板の位置関係を示す模式的平面図である。図25は、遮蔽板とガラス基板の位置関係を示す模式的正面図である。
シリンドリカルレンズ41(図21)やガルバノスキャナ43(図22)やポリゴンミラー45(図23)などで端面20に沿った細長い形状のビームを形成する。
(1) First Modification Example In the second embodiment, a method of simultaneously heating at multiple points using an optical branching element has been described, but simultaneous heating at multiple points may be performed by a shielding method. A method of simultaneously heating multiple points by a shielding method will be described as a first modification with reference to FIGS. 21 to 25. FIG. 21 is a schematic diagram showing beam formation by a cylindrical lens. FIG. 22 is a schematic diagram showing beam formation by a galvano scanner. FIG. 23 is a schematic diagram showing beam formation by a polygon mirror. FIG. 24 is a schematic plan view showing the positional relationship between the shielding plate and the glass substrate. FIG. 25 is a schematic front view showing the positional relationship between the shielding plate and the glass substrate.
A cylindrical lens 41 (FIG. 21), a galvano scanner 43 (FIG. 22), a polygon mirror 45 (FIG. 23), or the like forms an elongated beam along the end face 20.

そして、図24及び図25に示すように、遮蔽板47を用いて、レーザビームBを部分的に遮蔽することで、複数のレーザスポットSを形成する。遮蔽板47は、端面方向に隙間を空けて配置された複数の遮蔽部47aを有している。
遮蔽板47は、レーザ光を反射又は吸収することが必要である。吸収する場合は、耐熱性を有することが必要である。レーザ光を吸収するが十分な耐熱性がない場合は、遮蔽板の強制冷却機構を備える必要がある。
なお、遮蔽板47をガラス基板Gの端面近傍部分21に沿って移動させる機構(図示せず)が設けられていてもよい。この場合は、複数のレーザスポットSの位置を変更でき、それを繰り返すことで端面近傍部分21全体にレーザスポットSを照射できる。
第2実施形態の第1変形例においても、1回目の加熱領域を空冷などで冷やした後に2回目の加熱を行うことにより、加熱動作同士の時間間隔を短くでき、残留応力低減処理のタクトタイムを短縮できる。
Then, as shown in FIGS. 24 and 25, the laser beam B is partially shielded by using the shielding plate 47 to form a plurality of laser spots S. The shielding plate 47 has a plurality of shielding portions 47a arranged with a gap in the end face direction.
The shielding plate 47 needs to reflect or absorb the laser beam. When absorbing, it is necessary to have heat resistance. If it absorbs laser light but does not have sufficient heat resistance, it is necessary to provide a forced cooling mechanism for the shielding plate.
A mechanism (not shown) for moving the shielding plate 47 along the end face portion 21 of the glass substrate G may be provided. In this case, the positions of the plurality of laser spots S can be changed, and by repeating this, the laser spots S can be irradiated to the entire end face vicinity portion 21.
Also in the first modification of the second embodiment, by cooling the first heating region by air cooling or the like and then performing the second heating, the time interval between the heating operations can be shortened, and the tact time of the residual stress reduction treatment can be shortened. Can be shortened.

(2)第2変形例
第2実施形態では光分岐素子を用いて多点同時加熱を行う方式を説明したが、レーザ光を1パルスずつスキャンする方式で多点同時加熱を行ってもよい。図26~図29を用いて、レーザ光を1パルスずつスキャンする方式で多点同時加熱を行う方法を第2変形例として説明する。図26は、第2実施形態の第2変形例のレーザ照射装置の模式的平面図である。図27は、レーザ照射装置の模式的正面図である。図28は、ガルバノスキャナ43を用いた、3点のレーザスポットの形成を示す模式図である。図29は、時間に対するレーザパルスと光線角度の変化を示すグラフである。
図26及び図27に示すように、レーザ照射装置1Aは、レーザ発振器15、ビームエキスパンダ49、集光レンズ19、ガルバノスキャナ43を有している。そして、レーザ照射装置1Aは、ガルバノスキャナ43を用いて、レーザ光の1パルスずつ照射位置を制御し、レーザ光を複数箇所に疑似的に同時に照射し、多点が同時に加熱される状態を作る。
(2) Second Modification Example In the second embodiment, a method of simultaneously heating at multiple points using an optical branching element has been described, but simultaneous heating at multiple points may be performed by a method of scanning laser light one pulse at a time. A method of simultaneously heating multiple points by scanning laser light one pulse at a time will be described as a second modification with reference to FIGS. 26 to 29. FIG. 26 is a schematic plan view of the laser irradiation device of the second modification of the second embodiment. FIG. 27 is a schematic front view of the laser irradiation device. FIG. 28 is a schematic diagram showing the formation of three laser spots using the galvano scanner 43. FIG. 29 is a graph showing changes in the laser pulse and the ray angle with respect to time.
As shown in FIGS. 26 and 27, the laser irradiation device 1A includes a laser oscillator 15, a beam expander 49, a condenser lens 19, and a galvano scanner 43. Then, the laser irradiation device 1A uses the galvano scanner 43 to control the irradiation position of each pulse of the laser light, and irradiates the laser light to a plurality of points at the same time in a pseudo manner to create a state in which multiple points are heated at the same time. ..

図28の例では、ガルバノスキャナによってレーザビームの光線角度を1°変えることで、試料面においてレーザスポットの位置が10mm移動する。図29のように500Hzで発振するレーザパルスに同期させて光線角度を変えた場合、レーザ光は周期12ミリ秒で20mmの領域を1往復し、3点のレーザスポットのそれぞれは、1周期(12ミリ秒)のうちの2ミリ秒間だけレーザ光が照射される。また、3点のレーザスポット同士の間の領域には、レーザ光が照射されない。この場合、レーザ光がスキャンされる周期が十分に早いため、この動作を所定の時間(例えば1秒間)繰り返して続ければ、3点が所定時間だけ同時に加熱されたことになる。
第2実施形態の第2変形例においても、1回目の加熱領域を空冷などで冷やした後に2回目の加熱を行うことにより、加熱動作同士の時間間隔を短くでき、残留応力低減処理のタクトタイムを短縮できる。
In the example of FIG. 28, the position of the laser spot is moved by 10 mm on the sample surface by changing the beam angle of the laser beam by 1 ° with the galvano scanner. When the light beam angle is changed in synchronization with the laser pulse oscillating at 500 Hz as shown in FIG. 29, the laser light reciprocates once in a 20 mm region with a period of 12 milliseconds, and each of the three laser spots has one cycle (1 cycle (1 cycle). The laser beam is irradiated only for 2 milliseconds out of 12 milliseconds). Further, the region between the three laser spots is not irradiated with the laser beam. In this case, since the cycle in which the laser beam is scanned is sufficiently fast, if this operation is repeated for a predetermined time (for example, 1 second), the three points are simultaneously heated for a predetermined time.
Also in the second modification of the second embodiment, by cooling the first heating region by air cooling or the like and then performing the second heating, the time interval between the heating operations can be shortened, and the tact time of the residual stress reduction treatment can be shortened. Can be shortened.

3.他の実施形態
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
本発明は溶融面取りが行われない場合も適用される。
本発明は、残留応力発生領域がガラス基板Gの端面近傍部分でない場合、例えば中央部分の場合にも適用される。
3. 3. Other Embodiments Although the plurality of embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the invention. In particular, the plurality of embodiments and modifications described herein can be arbitrarily combined as needed.
The present invention is also applied when melt chamfering is not performed.
The present invention is also applied when the residual stress generation region is not the portion near the end face of the glass substrate G, for example, the central portion.

本発明は、ガラス基板の残留応力低減方法及びガラス基板の残留応力低減装置に広く適用できる。 The present invention can be widely applied to a method for reducing residual stress on a glass substrate and a device for reducing residual stress on a glass substrate.

1 :レーザ照射装置
3 :レーザ装置
5 :伝送光学系
7 :加工テーブル
9 :制御部
11 :駆動機構
13 :テーブル駆動部
15 :レーザ発振器
17 :レーザ制御部
19 :集光レンズ
20 :端面
21 :端面近傍部分
35 :基板冷却装置
41 :シリンドリカルレンズ
43 :ガルバノスキャナ
45 :ポリゴンミラー
47 :遮蔽板
G :ガラス基板
S :レーザスポット
Z :残留応力発生領域
1: Laser irradiation device 3: Laser device 5: Transmission optical system 7: Processing table 9: Control unit 11: Drive mechanism 13: Table drive unit 15: Laser oscillator 17: Laser control unit 19: Condensing lens 20: End face 21: Near the end face 35: Substrate cooling device 41: Cylindrical lens 43: Galvano scanner 45: Polygon mirror 47: Shielding plate G: Glass substrate S: Laser spot Z: Residual stress generation region

Claims (6)

ガラス基板の残留応力を低減する方法であって、
前記ガラス基板の残留応力が高い部分の一部にレーザ光を照射して加熱するレーザ光照射ステップと、
前記レーザ光が照射されて加熱された部分を冷却する冷却ステップと、
を備え
前記レーザ光照射ステップは、1つ又は複数のレーザ光を異なる箇所に照射することを逐次実行し、
前記冷却ステップは、各レーザ光照射ステップ後に前記加熱された部分を冷却することを逐次実行する、
ガラス基板の残留応力低減方法。
It is a method to reduce the residual stress of the glass substrate.
A laser light irradiation step of irradiating a part of the portion of the glass substrate having a high residual stress with a laser light to heat the glass substrate.
A cooling step of cooling the portion heated by being irradiated with the laser beam,
Equipped with
The laser beam irradiation step sequentially executes irradiation of one or more laser beams to different points, and then performs the laser beam irradiation step.
The cooling step sequentially executes cooling of the heated portion after each laser light irradiation step .
A method for reducing residual stress on a glass substrate.
前記レーザ光照射ステップは、回折光学素子、透過型空間光変調器又は反射型空間光変調器を用いて分岐されたレーザ光を前記複数のレーザ光として複数箇所に同時に照射する、請求項1に記載のガラス基板の残留応力低減方法。 The laser light irradiation step according to claim 1, wherein a plurality of laser beams branched by using a diffractive optical element, a transmissive spatial light modulator, or a reflective spatial light modulator are simultaneously irradiated to a plurality of locations as the plurality of laser beams. The method for reducing residual stress on a glass substrate according to the above method. 前記ガラス基板は、樹脂と一体になったガラス基板である、請求項1又は2に記載のガラス基板の残留応力低減方法。 The method for reducing residual stress of a glass substrate according to claim 1 or 2, wherein the glass substrate is a glass substrate integrated with a resin . ガラス基板の残留応力を低減する装置であって、前記ガラス基板の残留応力が高い部分の一部にレーザ光を照射して加熱するレーザ装置と、前記レーザ光が照射されて加熱された部分を冷却する冷却装置と、を備え
前記レーザ装置は、1つ又は複数のレーザ光を異なる箇所に照射することを逐次実行し、
前記冷却装置は、前記レーザ光を異なる箇所に照射することが逐次実行された後に前記レーザ光が照射された部分を逐次冷却する、ガラス基板の残留応力低減装置。
A device that reduces the residual stress of the glass substrate, the laser device that irradiates a part of the part of the glass substrate with high residual stress to heat it, and the part that is heated by irradiating the laser light. Equipped with a cooling device to cool ,
The laser device sequentially executes to irradiate different spots with one or more laser beams.
The cooling device is a residual stress reducing device for a glass substrate that sequentially cools the portion irradiated with the laser beam after the laser beam is sequentially executed to irradiate different portions .
前記レーザ装置は、回折光学素子、透過型空間光変調器又は反射型空間光変調器を用いて分岐されたレーザ光を前記複数のレーザ光として複数箇所に同時に照射する、請求項4に記載のガラス基板の残留応力低減装置。 The fourth aspect of claim 4, wherein the laser apparatus simultaneously irradiates a plurality of locations as the plurality of laser beams with the laser beam branched by using a diffractive optical element, a transmission type spatial light modulator, or a reflection type spatial light modulator. Residual stress reduction device for glass substrates. 前記ガラス基板は、樹脂と一体と一体になったガラス基板である、請求項4又は5に記載のガラス基板の残留応力低減装置。 The residual stress reducing device for a glass substrate according to claim 4 or 5, wherein the glass substrate is a glass substrate integrally integrated with a resin .
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