JP6990498B2

JP6990498B2 - ニッケルめっき材およびその製造方法

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Publication number: JP6990498B2
Application number: JP2016072277A
Authority: JP
Inventors: 峻史菅; 智胤青山; 宏人成枝; 章菅原
Original assignee: Dowa Metaltech Co Ltd
Current assignee: Dowa Metaltech Co Ltd
Priority date: 2016-03-31
Filing date: 2016-03-31
Publication date: 2022-01-12
Anticipated expiration: 2036-03-31
Also published as: JP2017179550A

Description

本発明は、ニッケルめっき材およびその製造方法に関し、特に、パワーモジュールなどに使用する電子部品搭載基板用放熱板の材料として使用するのに適したニッケルめっき材およびその製造方法に関する。

パワーモジュールなどに使用する電子部品搭載基板用放熱板は、半導体素子などの電子部品から発生する熱を効率良く放散する必要があることから、熱伝導性に優れていることが求められており、このような放熱板として、銅や銅合金などの熱伝導性に優れた金属からなる放熱板が広く使用されている。

また、パワーモジュールなどに使用する電子部品搭載基板用放熱板は、パワーモジュールなどの組み立て時にキズが付き易く、このようなキズが目立たないようにするのが望ましく、また、電子部品搭載基板に半田付けするために、半田付け面の半田濡れ性が良好であるのが望ましい。

このような放熱板として、銅または銅合金板の表面にＮｉまたはＮｉ合金めっきを施しためっき材からなる放熱板が提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。

特開２０００－６４０８４号公報（段落番号００１２）特開２０００－２１９９９６号公報（段落番号０００７）

パワーモジュールなどに使用する電子部品搭載基板用放熱板としてニッケルめっき材を使用する場合、パワーモジュールなどの外部に露出したニッケルめっき材の表面の反射濃度が（無光沢ニッケルめっきのように）低過ぎたり、（光沢ニッケルめっきのように）高過ぎると、パワーモジュールなどの組み立て時にキズが付き易く、外観品質に劣ることがわかった。

また、ニッケルめっき材の半田付け面は、その面に形成するニッケルめっき皮膜の厚さを薄くして製造コストを抑えても、十分な半田濡れ性を有するとともに、半田レジストの密着性が良好であることが望まれている。

しかし、ニッケルめっき材の半田付け面の反射濃度が低過ぎたり、高過ぎると、半田濡れ性が悪くなったり、半田レジストの密着性が悪くなり易いことがわかった。

したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、外観品質が良好で半田濡れ性および半田レジストの密着性が良好なニッケルめっき材およびその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、ニッケルめっき浴を使用して電気めっきを行って金属基材の両面にニッケルめっき皮膜を形成するニッケルめっき材の製造方法において、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５になり且つ他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９になるように電気めっきを行うことにより、外観品質が良好で半田濡れ性および半田レジストの密着性が良好なニッケルめっき材を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明によるニッケルめっき材の製造方法は、ニッケルめっき浴を使用して電気めっきを行って金属基材の両面にニッケルめっき皮膜を形成するニッケルめっき材の製造方法において、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５になり且つ他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９になるように電気めっきを行うことを特徴とする。

このニッケルめっき材の製造方法において、ニッケルめっき浴内に、金属基材を配置するとともに、この金属基材の一方の面から離間してその一方の面に略平行に対向するように陽極板を配置し、この陽極板から金属基材の他方の面に向かって流れる電気力線の量を低減するように遮蔽板を配置して、電気めっきを行うのが好ましい。

上記のニッケルめっき材の製造方法において、電気めっきは、光沢剤を添加したニッケルめっき浴を使用することによって行われるのが好ましく、０．５～１２ｍＬ／Ｌの光沢剤を添加した半光沢ニッケルめっき浴使用することによって行われるのがさらに好ましい。また、金属基材の一方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さに対する他方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さの比が０．３以下であるのが好ましい。金属基材の一方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さは３～８μｍであるのが好ましく、他方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さは０．１～１．５μｍであるのが好ましい。金属基材の表面の算術平均粗さＲａは０．０５～０．２５μｍであるのが好ましく、最大高さＲｙは０．５～２．５μｍであるのが好ましい。また、金属基材の両面にニッケルめっき皮膜を形成する前に、金属板を研磨して金属基材を用意するのが好ましい。この研磨は、機械研磨および化学研磨の少なくとも一方であるのが好ましい。また、金属基材は銅または銅合金からなる板材であるのが好ましい。

また、本発明によるニッケルめっき材は、金属基材の両面にニッケルめっき皮膜が形成され、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５であり且つ他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９であることを特徴とする。

このニッケルめっき材において、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さに対する他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さの比が０．３以下であるのが好ましい。金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さは３～８μｍであるのが好ましく、他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さは０．１～１．５μｍであるのが好ましい。金属基材の両面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面の算術平均粗さＲａは０．０５～０．２５μｍであるのが好ましく、最大高さＲｙは０．５～２．５μｍであるのが好ましい。金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面のビッカース硬さＨＶは５００以上であるのが好ましい。また、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜を♯１２００の耐水研磨紙により研磨圧力０．０３Ｎ／ｍｍ^２で研磨した後の反射濃度が研磨前の反射濃度の８５～１１５％であるのが好ましい。また、金属基材は銅または銅合金からなる板材であるのが好ましい。

また、本発明による放熱板は、上記のニッケルめっき材からなり、金属基材の他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜上に電子部品搭載基板が半田付けされていることを特徴とする。この放熱板において、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜上に放熱部材を固定してもよい。

本発明によれば、外観品質が良好で半田濡れ性および半田レジストの密着性が良好なニッケルめっき材を製造することができる。

本発明によるニッケルめっき材の製造方法の実施の形態に使用するニッケルめっき装置を概略的に示す平面図である。図１のニッケルめっき装置のＩＩ－ＩＩ線断面図である。図１のニッケルめっき装置のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面図である。本発明によるニッケルめっき材の実施の形態を電子部品搭載基板用放熱板の材料として使用した状態を示す図である。

本発明によるニッケルめっき材の製造方法の実施の形態では、ニッケルめっき浴を使用して電気めっきを行って金属基材（母材）の両面にニッケルめっき皮膜を形成するニッケルめっき材の製造方法において、金属基材の一方の面（ニッケルめっき材を放熱板として使用する場合に放熱部材固定面として使用する面）に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５になり且つ他方の面（ニッケルめっき材を放熱板として使用する場合に半田付け面として使用する面）に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９になるように電気めっきを行う。

このように金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５になり且つ他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９になるように電気めっきを行うために、図１～図３に示すように、めっき槽１０内にニッケルめっき液１２を入れたニッケルめっき浴内に、陰極板（カソード）として金属基材１４を配置するとともに、この金属基材１４の一方の面から離間してその一方の面に略平行に対向するように陽極板（アノード）１６を配置し、この陽極１６板から金属基材１４の他方の面に向かって流れる電気力線の量を低減するように一対の遮蔽板１８を配置して、電気めっきを行うのが好ましい。金属基材１４と陽極板１６と遮蔽板１８は、上方から吊り下げられてニッケルめっき浴内に配置されるのが好ましく、遮蔽板１８は、金属基材１４の両側面に当接（または近接）して、金属基材１４の両側面とめっき槽１０の内面との間を流れる電気力線を低減するように配置されるのが好ましい。なお、図３には、図１の断面図に加えて、電源（整流器）２０も示している。

上記のニッケルめっき材の製造方法において、電気めっきは、光沢剤を添加したニッケルめっき浴を使用することによって行われるのが好ましく、０．５～１２ｍＬ／Ｌ（好ましくは０．５～１０ｍＬ／Ｌ）の光沢剤を添加した半光沢ニッケルめっき浴使用することによって行われるのがさらに好ましい。また、金属基材の一方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さに対する他方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さの比が０．３以下（好ましくは０．０１～０．２５）であるのが好ましい。金属基材の一方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さは、３～８μｍであるのが好ましく、３～７μｍであるのがさらに好ましい。また、金属基材の他方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さは、０．１～１．５μｍであるのが好ましく、０．２～１．５μｍであるのがさらに好ましい。金属基材の表面の算術平均粗さＲａは、０．０５～０．２５μｍであるのが好ましく、０．１～０．２２μｍであるのがさらに好ましい。金属基材の表面の最大高さＲｙは、０．５～２．５μｍであるのが好ましく、０．５～２μｍであるのがさらに好ましい。

また、ニッケルめっき皮膜を形成する金属基材の表面の表面粗さが大きくならないように、前処理として金属板を研磨して表面の算術平均粗さＲａが０．０５～０．２５μｍの金属基材を用意してもよい。この研磨として、バフ研磨などの機械研磨と、エッチング液を使用したエッチングなどの化学研磨との少なくとも一方を行うのが好ましい。また、電気めっきを行う前に、金属基材の浸漬脱脂や電解脱脂などの脱脂を行うのが好ましく、金属基材を（硫酸などを含む酸活性液で）酸活性するのが好ましい。また、金属基材は、プレス加工などにより形成された銅または銅合金からなる板材であるのが好ましく、板厚が１～５ｍｍ程度であるのが好ましい。

また、本発明によるニッケルめっき材の実施の形態では、金属基材の両面にニッケルめっき皮膜が形成され、金属基材の一方の面（ニッケルめっき材を放熱板として使用する場合に放熱部材固定面として使用する面）に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５（半光沢ニッケルめっきの範囲内）であり且つ他方の面（ニッケルめっき材を放熱板として使用する場合に半田付け面として使用する面）に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９（半光沢ニッケルめっきの範囲内）である。

このニッケルめっき材において、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さに対する他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さの比が０．３以下（好ましくは０．０１～０．２５）であるのが好ましい。金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さは、３～８μｍであるのが好ましく、３～７μｍであるのがさらに好ましい。また、金属基材の他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さは、０．１～１．５μｍであるのが好ましく、０．２～１．５μｍであるのがさらに好ましい。金属基材の両面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面の算術平均粗さＲａは、０．０５～０．２５μｍであるのが好ましく、０．１～０．２μｍであるのがさらに好ましい。金属基材の両面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面の最大高さＲｙは、０．５～２．５μｍであるのが好ましく、０．５～２μｍであるのがさらに好ましい。なお、ニッケルめっき皮膜の表面の算術平均粗さＲａや最大高さＲｙが大き過ぎると、半田濡れ性が低下する。また、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面のビッカース硬さＨＶは５００以上であるのが好ましい。また、金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜を♯１２００の耐水研磨紙により研磨圧力０．０３Ｎ／ｍｍ^２で研磨した後の反射濃度が研磨前の反射濃度の８５～１１５％であるのが好ましく、９０～１１０％であるのがさらに好ましい。また、金属基材は銅または銅合金からなる板材であるのが好ましい。

このようなニッケルめっき材は、上述したニッケルめっき材の製造方法の実施の形態により製造することができる。

ニッケルめっき材を電子部品搭載基板用放熱板として使用する場合に放熱部材固定面として使用する面は、（電子部品搭載基板を放熱板に取り付けてパワーモジュールなどを組み立てる際に付き易い）キズを光沢により見え難くして外観品質を向上させることが望まれており、放熱部材固定面として使用する面に形成されたニッケルめっき皮膜の光沢度を一定の範囲内にするのが望ましい。すなわち、放熱部材固定面として使用する面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が（無光沢ニッケルめっきのように）低過ぎたり、（光沢ニッケルめっきのように）高過ぎると、キズが目立ち易く、外観品質に劣るので、反射濃度が半光沢となる範囲内であるのが望ましく、１．０～１．５であるのが好ましく、１．０～１．４８であるのがさらに好ましい。また、放熱部材固定面として使用する面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面の硬度が低過ぎると、キズが付き易くなるので、その表面のビッカース硬さＨＶが５００以上であるのが好ましい。

一方、ニッケルめっき材を放熱板として使用する場合に半田付け面として使用する面は、その面に形成するニッケルめっき皮膜の厚さを薄くして製造コストを低下させても、十分な半田濡れ性（好ましくは、半田濡れ性の良好な無光沢ニッケルめっきと同等の半田濡れ性）を有するとともに、半田レジストの密着性が良好であるのが望ましい。すなわち、半田付け面として使用する面に形成するニッケルめっき皮膜の反射濃度が高過ぎると、半田レジストの密着性が悪くなり、一方、反射濃度が低過ぎると、半田濡れ性が悪くなるので、反射濃度が（無光沢寄りの）半光沢となる範囲内であるのが望ましく、０．４～０．９であるのが好ましく、０．４２～０．８８であるのがさらに好ましい。

本発明によるニッケルめっき材の実施の形態を電子部品搭載基板用放熱板の材料として使用する場合には、図４に示すように、金属基材１０２の両面にニッケルめっき皮膜１０４が形成されたニッケルめっき材１００の一方の面（金属基材１０２の一方の面の側の面）に放熱部材１０６を固定し、ニッケルめっき材１００の他方の面（金属基材１０２の他方の面の側の面）に電子部品搭載基板１０８を半田付けするのが好ましい。

以下、本発明によるニッケルめっき材およびその製造方法の実施例について詳細に説明する。

［実施例１］
まず、１００ｍｍ×６０ｍｍ×３ｍｍの大きさの純銅の圧延板材からなる基材をアルカリ溶液に浸漬して脱脂し、水洗した後、電解脱脂し、水洗した。

次に、１２０ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム水溶液からなるエッチング液に脱脂後の基材を浸漬してエッチングし、水洗した後、酸活性し、水洗した。

なお、この酸活性後の基材を乾燥した後、その基材（ニッケルめっき前の基材）の表面粗さとして、接触式表面粗さ計（株式会社小坂研究所製のサーフコーダＳＥ４０００）により測定した結果から、ＪＩＳＢ０６０１に基づいて表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出した。その結果、酸活性後の基材の一方の面（放熱部材固定面として使用する面（以下、「放熱面」という））の算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、最大高さＲｙは１．２２μｍであり、他方の面（半田付け面として使用する面（以下、「半田面」という））の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．１０μｍであった。

次に、縦１５０ｍｍ×横１５０ｍｍ×深さ１５０ｍｍの大きさのガラス製の角型容器（容量２．７Ｌ）内に、１ｍＬ／Ｌの光沢剤（スルホン酸系の一次光沢剤））を添加した水溶液からなるスルファミン酸ニッケルめっき液を入れたスルファミン酸ニッケルめっき浴（スルファミン酸半光沢ニッケルめっき浴）中に、カソード（陰極板）として上記の酸活性後の基材を容器の底面および液面から約１ｃｍ離間し且つ容器の内壁から５０ｍｍ離間して略垂直に配置し、１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．５ｍｍの大きさのニッケルからなるアノード（陽極板）を容器の底面および液面から約１ｃｍ離間して略垂直に且つカソードの一方の面から７０ｍｍ離間してカソードに対向するように略平行に配置するとともに、カソードの両側面の各々に対向してカソードと一列になるように１００ｍｍ×４０ｍｍ×１ｍｍの大きさの塩化ビニル樹脂からなる遮蔽板を配置して、液温５３℃、電流密度３．５Ａ／ｄｍ^２で電気めっきを１１分間行った後、水洗し、乾燥して、ニッケルめっき材を得た。

このニッケルめっき材のニッケルめっき皮膜の厚さを、蛍光Ｘ線膜厚計（ＳＩＩナノテクノロジー社製の蛍光Ｘ線膜厚計ＳＦＴ３２００）により測定したところ、基材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは４．４６μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．７１μｍであり、膜厚比（他方の面の膜厚／一方の面の膜厚）は０．１５９であった。

得られたニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さＨＶを、マイクロビッカース硬度計（株式会社ミツトヨ製のＨＭ－２００）を使用して、測定荷重を０．０１ｋｇｆとして、ＪＩＳＺ２２４４に準じて測定したところ、ＨＶ５２３であった。

また、得られたニッケルめっき材の光沢度として、反射濃度計（マクベス社製のＲＤ９１８）を使用してブラックフィルタにより反射濃度を測定したところ、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．１６、半田面の反射濃度は０．５６であった。また、回転研磨機（ストルアス社製のＬａｂｏＰｏｌ－５）を使用して、基材の放熱面を耐水研磨紙（♯１２００）により研磨圧力０．０３Ｎ／ｍｍ^２で研磨した後、上記と同様に反射濃度を測定したところ、反射濃度は１．１０であり、研磨前後の光沢比（研磨後の反射濃度×１００／研磨前の反射濃度）は９５％であった。また、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。

また、得られたニッケルめっき材の表面粗さとして、接触式表面粗さ計（株式会社小坂研究所製のサーフコーダＳＥ４０００）により測定した結果から、ＪＩＳＢ０６０１に基づいて表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１４μｍ、最大高さＲｙは１．１３μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、最大高さＲｙは１．１２μｍであった。

また、得られたニッケルめっき材の半田濡れ性を評価するために、ニッケルめっき材の半田面の半田濡れ性を評価する１０ｍｍ×１０ｍｍの部分以外の部分に半田レジストを形成し、大気中において２４５℃のオーブン内で２分間加熱し、放冷後、半田濡れ性を評価する部分に半田ペースト（共晶半田）を厚さ約０．５ｍｍに塗布した。次に、大気中において２００℃のホットプレート上で３分間加熱し、放冷後、半田濡れ性を評価する部分の面積（１００ｍｍ^２）に対して溶融半田が濡れて占有する面積の割合（半田の濡れ広がり率）を測定した。なお、半田の濡れ広がり率の評価基準として、半田の濡れ広がり率が９５％以上の場合に半田濡れ性が良好であるとし、９５％未満の場合に半田濡れ性が不良であるとした。その結果、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であった。

また、得られたニッケルめっき材と半田レジストの密着性を評価するために、ニッケルめっき材の半田面に半田レジストを形成した後、ＪＩＳＨ８５０４に準じてテープ剥離試験を行ったところ、テープの粘着面への半田レジストの付着が認められず、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例２］
エッチングの際に１５０ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム水溶液からなるエッチング液を使用し、光沢剤の添加量を３ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸半光沢ニッケルめっき浴を使用して、電気めっきの時間を９分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．３３μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１８μｍ、最大高さＲｙは１．１２μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは３．３８μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．３４μｍ、膜厚比は０．１０１であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５４０であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．１０であり、半田面の反射濃度は０．４３であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．０１、研磨前後の光沢比は９２％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．２３μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．３６μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例３］
エッチングの際に１８０ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム水溶液からなるエッチング液を使用し、光沢剤の添加量を６ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸半光沢ニッケルめっき浴を使用して、電気めっきの時間を１３分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．６６μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、最大高さＲｙは１．０３μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは５．０２μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．９３μｍ、膜厚比は０．１８５であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５３３であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．０１であり、半田面の反射濃度は０．４７であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は０．９３、研磨前後の光沢比は９２％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．２７μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、最大高さＲｙは１．１５μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例４］
基材の脱脂を行う前に基材をロール（♯２０００）により研磨し、エッチングを行わず、電気めっきの時間を１５分間とした以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１４μｍ、最大高さＲｙは１．２２μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．２０μｍ、最大高さＲｙは１．５１μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは６．０４μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは１．０２μｍ、膜厚比は０．１６９であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５１５であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．２６であり、半田面の反射濃度は０．７９であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．１８、研磨前後の光沢比は９４％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、最大高さＲｙは１．３５μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１９μｍ、最大高さＲｙは１．４６μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例５］
基材の脱脂を行う前に基材をロール（♯２０００）により研磨し、光沢剤の添加量を２ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸半光沢ニッケルめっき浴を使用し、エッチングを行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．２０μｍ、最大高さＲｙは１．７７μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．２１μｍ、最大高さＲｙは１．８０μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは４．６５μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．５３μｍ、膜厚比は０．１１４であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５４２であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．３３であり、半田面の反射濃度は０．７６であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．２５、研磨前後の光沢比は９４％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．４９μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．２０μｍ、最大高さＲｙは１．４３μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例６］
基材の脱脂を行う前に基材をロール（♯２０００）により研磨し、光沢剤の添加量を４ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸半光沢ニッケルめっき浴を使用し、エッチングを行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．６０μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、最大高さＲｙは１．０５μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは４．５７μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．６４μｍ、膜厚比は０．１４０であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５２８であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．４１であり、半田面の反射濃度は０．８０であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．３６、研磨前後の光沢比は９６％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．２１μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１２μｍ、最大高さＲｙは０．８９μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例７］
電気めっきの時間を１１分間とし、エッチングを行わなかった以外は、実施例２と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、最大高さＲｙは１．５６μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１３μｍ、最大高さＲｙは１．３６μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは４．７７μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．４４μｍ、膜厚比は０．０９２であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５２２であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．４５であり、半田面の反射濃度は０．８５であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．４０、研磨前後の光沢比は９５％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１４μｍ、最大高さＲｙは１．４１μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１１μｍ、最大高さＲｙは１．２０μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例８］
光沢剤の添加量を１０ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸光沢ニッケルめっき浴を使用し、電気めっきの時間を９分間とし、エッチングを行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１０μｍ、最大高さＲｙは１．２０μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．０８μｍ、最大高さＲｙは０．６３μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは３．９９μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．４４μｍ、膜厚比は０．１１０であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５１７であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．５０であり、半田面の反射濃度は０．９０であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．３０、研磨前後の光沢比は８７％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．０９μｍ、最大高さＲｙは１．１２μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．０５μｍ、最大高さＲｙは０．４７μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［実施例９］
基材の脱脂を行う前に基材をロール（♯２０００）により研磨し、光沢剤の添加量を５ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸半光沢ニッケルめっき浴を使用し、カソードと容器の内壁の間の間隔を５ｍｍとし、遮蔽板を使用せず、電気めっきの時間を１１分間とした以外は、実施例２と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１８μｍ、最大高さＲｙは１．９８μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．４７μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは５．５０μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．５１μｍ、膜厚比は０．０９３であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５０９であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．０５であり、半田面の反射濃度は０．４５であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は０．９５、研磨前後の光沢比は９０％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．８８μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．３５μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

［比較例１］
光沢剤の添加量を２０ｍＬ／Ｌとしたスルファミン酸光沢ニッケルめっき浴を使用し、電気めっきの時間を１３分間とし、エッチングを行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１２μｍ、最大高さＲｙは１．３３μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．０７μｍ、最大高さＲｙは１．１０μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは５．１２μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．６１μｍ、膜厚比は０．１１９であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５４１であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．６３であり、半田面の反射濃度は０．９６であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．３５、研磨前後の光沢比は８３％であり、研磨後の放熱面にキズが目立ち、外観品質が良好でなかった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．０８μｍ、最大高さＲｙは１．０２μｍであり、半田の面の算術平均粗さＲａは０．０７μｍ、最大高さＲｙは１．１０μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であったが、半田レジストの密着性はやや良好でなかった。

［比較例２］
実施例１と同様のカソードを容器の中央部に配置し、実施例１と同様のアノードを２枚使用して、それぞれのアノードをカソードの各々の面から７０ｍｍ離間して配置した以外は、実施例１と同様にカソードとアノードを配置するとともに、遮蔽板を使用しなかった以外は、実施例２と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．９２μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．６４μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱の面のニッケルめっき皮膜の厚さは６．５７μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは５．４５μｍ、膜厚比は０．８３０であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５３９であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．２０であり、半田面の反射濃度は１．１６であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．１０、研磨前後の光沢比は９２％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１９μｍ、最大高さＲｙは１．８４μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．７７μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であったが、テープ剥離試験では、テープの粘着面への半田レジストの付着が認められ、半田レジストの密着性は良好でなかった。

［比較例３］
遮蔽板を使用せず、電気めっきの時間を１１分間、電流密度を６Ａ／ｄｍ^２とした以外は、実施例２と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．１６μｍ、最大高さＲｙは１．２１μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、最大高さＲｙは１．１９μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは４．８１μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは１．９１μｍ、膜厚比は０．３９７であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ５１９であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は１．３０であり、半田面の反射濃度は１．０１であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は１．２４、研磨前後の光沢比は９５％であり、研磨後の放熱面の外観品質は良好であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．３２μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１５μｍ、最大高さＲｙは１．２４μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であったが、テープ剥離試験では、テープの粘着面への半田レジストの付着が認められ、半田レジストの密着性は良好でなかった。

［比較例４］
基材の脱脂を行う前に基材をロール（♯２０００）により研磨し、エッチングの際に３００ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム水溶液からなるエッチング液に脱脂後の基材を１８０秒間浸漬し、電気めっきの時間を１１分間とした以外は、実施例２と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．３０μｍ、最大高さＲｙは２．９４μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．３５μｍ、最大高さＲｙは３．３７μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは４．８６μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．８７μｍ、膜厚比は０．１７９であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ４８９であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は０．８８であり、半田面の反射濃度は０．３５であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は０．７０、研磨前後の光沢比は８０％であり、研磨後の放熱面にキズが目立ち、外観品質が良好でなかった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．２７μｍ、最大高さＲｙは２．８７μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．３３μｍ、最大高さＲｙは３．２４μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好でなかったが、半田レジストの密着性は良好であった。

［比較例５］
基材の脱脂を行う前に基材をロール（♯２０００）により研磨し、光沢剤を添加しないスルファミン酸無光沢ニッケルめっき浴を使用し、電気めっきの時間を１３分間とし、エッチングを行わなかった以外は、実施例１と同様の方法により、ニッケルめっき材を得た。なお、ニッケルめっき前の基材について、実施例１と同様の方法により、表面粗さを示すパラメータである算術平均粗さＲａおよび最大高さＲｙを算出したところ、放熱面の算術平均粗さＲａは０．２１μｍ、最大高さＲｙは１．６４μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１７μｍ、最大高さＲｙは１．６９μｍであった。

このようにして得られたニッケルめっき材について、ニッケルめっき皮膜の厚さ、ビッカース硬さＨＶ、反射濃度、表面粗さを求めるとともに、半田濡れ性および半田レジストの密着性を評価した。その結果、ニッケルめっき材の放熱面のニッケルめっき皮膜の厚さは５．２９μｍ、半田面のニッケルめっき皮膜の厚さは０．７５μｍ、膜厚比は０．１４２であり、ニッケルめっき材の放熱面のビッカース硬さはＨＶ３１２であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の反射濃度は０．３６であり、半田面の反射濃度は０．６８であった。また、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の反射濃度は０．７８、研磨前後の光沢比は２１７％であり、研磨後の放熱面にキズが目立ち、外観品質が良好でなかった。また、ニッケルめっき材の放熱面の算術平均粗さＲａは０．２０μｍ、最大高さＲｙは１．７０μｍであり、半田面の算術平均粗さＲａは０．１９μｍ、最大高さＲｙは１．８８μｍであった。また、ニッケルめっき材の半田濡れ性は良好であり、半田レジストの密着性は良好であった。

これらの実施例および比較例のニッケルめっき材の製造条件および特性を表１～表４に示す。なお、表３において、ニッケルめっき材の放熱面の研磨後の外観品質が良好な場合を○、良好でなかった場合を×で示している。また、表４において、ニッケルめっき材の半田濡れ性および半田レジストの密着性が良好であった場合を○、やや良好でなかった場合を△、良好でなかった場合を×で示している。

１０めっき槽
１２ニッケルめっき液
１４金属基材（陰極板）
１６陽極板
１８遮蔽板
２０電源（整流器）

Claims

ニッケルめっき浴を使用して電気めっきを行って金属基材の両面にニッケルめっき皮膜を形成するニッケルめっき材の製造方法において、表面の算術平均粗さＲａが０．０５～０．２５μｍである金属基材の放熱部材固定面として使用する一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５になり且つ半田付け面として使用する他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９になるように電気めっきを行うことを特徴とする、ニッケルめっき材の製造方法。
前記ニッケルめっき浴内に、前記金属基材を配置するとともに、この金属基材の一方の面から離間してその一方の面に略平行に対向するように陽極板を配置し、この陽極板から前記金属基材の他方の面に向かって流れる電気力線の量を低減するように遮蔽板を配置して、前記電気めっきを行うことを特徴とする、請求項１に記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記電気めっきが、光沢剤を添加したニッケルめっき浴を使用することによって行われることを特徴とする、請求項１または２に記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記電気めっきが、０．５～１２ｍＬ／Ｌの光沢剤を添加した半光沢ニッケルめっき浴使用することによって行われることを特徴とする、請求項１または２に記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記金属基材の一方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さに対する他方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さの比が０．３以下であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記金属基材の一方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さが３～８μｍであり、前記金属基材の他方の面に形成されるニッケルめっき皮膜の厚さが０．１～１．５μｍであることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれかに記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記金属基材の表面の最大高さＲｙが０．５～２．５μｍであることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれかに記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記金属基材の両面にニッケルめっき皮膜を形成する前に、金属板を研磨して前記金属基材を用意することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれかに記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記研磨が機械研磨および化学研磨の少なくとも一方であることを特徴とする、請求項８に記載のニッケルめっき材の製造方法。
前記金属基材が銅または銅合金からなる板材であることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれかに記載のニッケルめっき材の製造方法。
金属基材の両面に算術平均粗さＲａが０．０５～０．２５μｍのニッケルめっき皮膜が形成され、金属基材の放熱部材固定面として使用する一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が１．０～１．５であり且つ半田付け面として使用する他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の反射濃度が０．４～０．９であることを特徴とする、ニッケルめっき材。
前記金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さに対する他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さの比が０．３以下であることを特徴とする、請求項１１に記載されたニッケルめっき材。
前記金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さが３～８μｍであり、前記金属基材の他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の厚さが０．１～１．５μｍであることを特徴とする、請求項１１または１２に記載のニッケルめっき材。
前記金属基材の両面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面の最大高さＲｙが０．５～２．５μｍであることを特徴とする、請求項１１乃至１３のいずれかに記載のニッケルめっき材。
前記金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜の表面のビッカース硬さＨＶが５００以上であることを特徴とする、請求項１１乃至１４のいずれかに記載のニッケルめっき材。
前記金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜を♯１２００の耐水研磨紙により研磨圧力０．０３Ｎ／ｍｍ^２で研磨した後の反射濃度が研磨前の反射濃度の８５～１１５％であることを特徴とする、請求項１１乃至１５のいずれかに記載されたニッケルめっき材。
前記金属基材が銅または銅合金からなる板材であることを特徴とする、請求項１１乃至１６のいずれかに記載のニッケルめっき材。
請求項１１乃至１７のいずれかに記載のニッケルめっき材からなり、前記金属基材の他方の面に形成されたニッケルめっき皮膜上に電子部品搭載基板が半田付けされていることを特徴とする、放熱板。
前記金属基材の一方の面に形成されたニッケルめっき皮膜上に放熱部材が固定されていることを特徴とする、請求項１８に記載の放熱板。