JP6928396B2 - 日射計測装置ならびにこれを使用する照射状態分析装置および光分布測定装置 - Google Patents
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
2 ケースの蓋部
3 光電変換センサモジュール
4 基板
5 サーミスタ
6 抵抗
7 バイパスダイオード
11,12 開口部
30 光電変換センサモジュール群
31,31a,31b,31z,32,31a,32b,32z,3ia,3ib,3iz 光電変換センサ
101,102 日照計測装置
100,200,300,400 日射状態分析装置または日射計測装置
Claims (15)
- 単一の光電変換センサ、複数の光電変換センサにより形成される光電変換センサ群、または該光電変換センサ群を直列もしくは並列に接続してなる光電変換センサモジュールと、
前記光電変換センサ、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュール、または前記光電変換センサモジュールを直列もしくは直並列に接続してなる光電変換センサモジュール群の中から選択された1つ以上の両端に接続された抵抗と、該抵抗に対して直列または並列に接続されたサーミスタとを備え、
前記抵抗および前記サーミスタによって出力抵抗を形成し、該出力抵抗の両端に発生する電圧からオームの法則に基づく略短絡電流値を得るとともに、該略短絡電流値の変化量により日射を計測する日射計測装置において、
前記光電変換センサ、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュール、または光電変換センサモジュール群は、ケース内部に収納されており、該ケースは、波長300nm以上における波長帯域の光が透過可能である透光面を有しており、前記光電変換センサの受光面、または前記光電変換センサ群を構成する個々の光電変換センサの各受光面が、前記透光面に向かって配置されており、
前記サーミスタは、前記ケース内部に収容される前記光電変換センサ、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュールまたは光電変換センサモジュール群の裏面、および、前記ケースの壁面から選択された少なくとも1以上の面に当接した状態で配置され、同じ種類の面に複数設けられたものであることを特徴とする日射計測装置。 - 前記サーミスタは、温度上昇に伴って抵抗値が減少するNTCサーミスタである請求項1に記載の日射計測装置。
- 前記光電変換センサは、太陽電池、フォトダイオード、フォトトランジスタ、焦電素子または光電セルの1種以上である請求項1または2に記載の日射計測装置。
- 前記日射は、日射強度(W/m2)、日射量(J/m2)、照度(lx)、光量子束密度(μmol・m-2・s-1)、太陽光依存性抵抗(Ω)、太陽光発電電力(kW/m2)または太陽熱集熱量(kW/m2)の1つ以上である請求項1ないし3のいずれかに記載の日射計測装置。
- 前記光電変換センサモジュール群は、日射を計測すべき対象区画内に2個以上の前記光電変換センサモジュールを、間隔を有して接続されたものであり、個々の光電変換センサモジュールの光電変換センサまたは光電変換センサ群にはバイパスダイオードが配置されている請求項1ないし4のいずれかに記載の日射計測装置。
- 前記光電変換センサの受光面、または前記光電変換センサ群を構成する個々の光電変換センサの各受光面は、特定波長帯域の光を限定的に透過するバンドパスフィルタを備え、または前記透光面が、特定波長帯域の光を限定的に透過するバンドパスフィルタによって構成されている請求項5に記載の日射計測装置。
- 請求項6に記載の日射計測装置を用いた照射状態分析装置であって、複数の前記日射計測装置を個別に配置するとともに、各日射計測装置に使用される前記バンドパスフィルタが、透過光の波長帯域を相互に異ならせたものであることを特徴とする照射状態分析装置。
- 前記複数の日射計測装置は、波長300nm以上2800nm未満の波長帯域の光を透過するバンドパスフィルタが使用される全域計測装置と、波長300nm〜2800nmの範囲を複数に分割した波長帯域の光を透過するバンドパスフィルタが使用される特定領域計測装置とに区分されるものである請求項7に記載の照射状態分析装置。
- 単一の光電変換センサ、複数の光電変換センサにより形成される光電変換センサ群、または該光電変換センサ群を直列もしくは並列に接続してなる光電変換センサモジュールと、
前記光電変換センサ、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュール、または前記光電変換センサモジュールを直列もしくは直並列に接続してなる光電変換センサモジュール群の中から選択された1つ以上の両端に接続された抵抗と、該抵抗に対して直列または並列に接続されたサーミスタとを備え、
前記抵抗および前記サーミスタによって出力抵抗を形成し、該出力抵抗の両端に発生する電圧からオームの法則に基づく略短絡電流値を得るとともに、該略短絡電流値の変化量により日射を計測する日射計測装置において、
前記光電変換センサ、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュール、または光電変換センサモジュール群は、ケース内部に収納されており、該ケースは、波長300nm以上における波長帯域の光が透過可能である透光面を有しており、前記光電変換センサの受光面、または前記光電変換センサ群を構成する個々の光電変換センサの各受光面が、前記透光面に向かって配置されており、
前記光電変換センサモジュール群は、日射を計測すべき対象区画内に2個以上の前記光電変換センサモジュールを、間隔を有して接続されたものであり、個々の光電変換センサモジュールの光電変換センサまたは光電変換センサ群にはバイパスダイオードが配置されており、
前記光電変換センサの受光面、または前記光電変換センサ群を構成する個々の光電変換センサの各受光面は、特定波長帯域の光を限定的に透過するバンドパスフィルタを備え、または前記透光面が、特定波長帯域の光を限定的に透過するバンドパスフィルタによって構成されている日射計測装置を用いた照射状態分析装置であって、
複数の前記日射計測装置を個別に配置するとともに、各日射計測装置に使用される前記バンドパスフィルタが、透過光の波長帯域を相互に異ならせたものであり、
前記複数の日射計測装置は、波長300nm以上2800nm未満の波長帯域の光を透過するバンドパスフィルタが使用される全域計測装置と、波長300nm〜2800nmの範囲を複数に分割した波長帯域の光を透過するバンドパスフィルタが使用される特定領域計測装置とに区分されるものであることを特徴とする照射状態分析装置。 - 前記サーミスタは、前記ケース内部に収容される前記光電変換センサ、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュールまたは光電変換センサモジュール群の裏面、および、前記ケースの壁面から選択された少なくとも1以上の面に当接した状態で配置されている請求項9に記載の照射状態分析装置。
- 前記特定領域計測装置は、5nm〜100nmを単位として複数に区分されるものである請求項8ないし10のいずれかに記載の照射状態分析装置。
- 前記特定領域計測装置により計測される透過光の積算値を算出し、日射を計測すべき対象区画内における特定波長帯域の光の照射総量を検出するものである請求項8ないし10のいずれかに記載の照射状態分析装置。
- 請求項6に記載の日射計測装置を複数使用する光分布測定装置であって、前記日射計測装置を単位として、個々の日射計測装置を構成する光電変換センサの受光面または透光面が、異なる角度で設置されていることを特徴とする光分布測定装置。
- 前記日射計測装置は、前記光電変換センサ群、前記光電変換センサモジュールまたは光電変換センサモジュール群であり、これらを構成する複数の光電変換センサの受光面または透光面が同一平面上に配置されるとともに、前記日射計測装置を単位として光電変換センサの受光面が異なる角度で設置されている請求項13に記載の光分布測定装置。
- 前記複数の日射計測装置のうち、いずれか一つの日射計測装置が日射の直射光に対するものとし、他の日射計測装置は、散乱光に対するものである請求項13または14に記載の光分布測定装置。
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