JP6893430B2

JP6893430B2 - Liquid crystal display panel and liquid crystal display device using it

Info

Publication number: JP6893430B2
Application number: JP2017054684A
Authority: JP
Inventors: 茂昭野海; 正美林
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2017-03-21
Filing date: 2017-03-21
Publication date: 2021-06-23
Anticipated expiration: 2037-03-21
Also published as: JP2018156028A

Description

本発明は、表示装置に用いられる液晶表示パネルならびに表示装置に関するものである。 The present invention relates to a liquid crystal display panel and a display device used in a display device.

近年、表示装置はさまざまな機器において、観察者への情報表示手段として使用されている。現在は、従来の主流であったブラウン管に代わって、液晶、プラズマ、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro Luminescence）、ＦＥＤ（Field Emission Display）等を利用した新しい薄型表示装置が登場している。特に、液晶表示装置は、小型から大型の機種まで製造でき、現在の代表的な薄型表示装置となっている。 In recent years, display devices have been used as information display means for observers in various devices. Currently, a new thin display device using liquid crystal, plasma, electroluminescence (EL), FED (Field Emission Display), etc. has appeared in place of the conventional mainstream CRT. In particular, liquid crystal display devices can be manufactured from small to large models, and are currently typical thin display devices.

このような薄型表示装置には、複数の画素がマトリクス状に配置された表示領域が構成されている。画素にはスイッチング素子が設けられている。スイッチング素子として現在主流なのは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。 In such a thin display device, a display area in which a plurality of pixels are arranged in a matrix is configured. A switching element is provided on the pixel. Thin film transistors (TFTs) are currently the mainstream switching elements.

そして近年、視野角の広いディスプレイが求められるようになり、In−Plane−Switching構造やFringe−Field−Switching構造を含む横電界方式の液晶パネルを用いたディスプレイが作られるようになってきた。一般に液晶パネルは、ＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板（アレイ基板）と、液晶を介してＴＦＴ基板と対向する対向基板とを有するが、横電界方式の液晶パネルにおいては、液晶を介して画素電極との間に電界を生じる対向電極をＴＦＴ基板上に形成したことを特徴としている。 In recent years, there has been a demand for a display having a wide viewing angle, and a display using a lateral electric field type liquid crystal panel including an In-Plane-Switching structure and a Fringe-Field-Switching structure has been made. Generally, a liquid crystal panel has a TFT substrate (array substrate) on which a TFT is formed and a counter substrate facing the TFT substrate via a liquid crystal, but in a transverse electric field type liquid crystal panel, a pixel electrode is provided via the liquid crystal. It is characterized in that a counter electrode that generates an electric field between the two is formed on the TFT substrate.

In−Plane−Switching構造の場合、静電気等の外部からの帯電により表示ムラが発生するおそれがあるため、対向基板の裏面（表示装置に組み込んだ際に外側となる面）に形成された導電膜をＧＮＤ電位（グラウンド電位、接地電位、基準電位とも呼ぶ）に固定するようにしている。 In the case of the In-Plane-Switching structure, display unevenness may occur due to external charging such as static electricity, so a conductive film formed on the back surface of the opposite substrate (the outer surface when incorporated into the display device). Is fixed to the GND potential (also called ground potential, ground potential, or reference potential).

その手法の一つとして、ＧＮＤ電位が供給されるＧＮＤパッド（ＧＮＤ端子、ＧＮＤ電極）をＴＦＴ基板の額縁領域に設け、当該パッドと対向基板の裏面側（表示装置の表示面側）に形成された帯電防止用の導電膜とを銀ペーストや導電性テープ等の導電性材料により電気的に接続するという手法がある。（特許文献１、２） As one of the methods, a GND pad (GND terminal, GND electrode) to which a GND potential is supplied is provided in the frame region of the TFT substrate, and the pad and the opposite substrate are formed on the back surface side (display surface side of the display device). There is a method of electrically connecting the antistatic conductive film with a conductive material such as a silver paste or a conductive tape. (Patent Documents 1 and 2)

特開２００９−１０９５６２号公報JP-A-2009-109562 特開２００９−２４４３０３号公報JP-A-2009-244303

特許文献２に記載のように、表示装置の小型化、特に表示領域の周辺部である額縁領域を狭くするうえで、かかるＧＮＤパッドの面積は極力小さくしたいニーズがある。しかし、銀ペーストをＧＮＤパッドからはみ出ないように塗布し、しかも確実な電気的接続をとろうとすると、マージンを含めてＧＮＤパッドの面積はある程度の大きさを必要としていた。 As described in Patent Document 2, there is a need to make the area of the GND pad as small as possible in order to reduce the size of the display device, particularly to narrow the frame area which is the peripheral portion of the display area. However, when the silver paste was applied so as not to protrude from the GND pad and an attempt was made to establish a reliable electrical connection, the area of the GND pad including the margin required a certain size.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、銀ペーストのはみ出しを抑制し、必要エリアを縮小、ひいては、パネル額縁サイズを小さくすることができる液晶表示パネルおよびそれを用いた表示装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and uses a liquid crystal display panel capable of suppressing the protrusion of silver paste, reducing the required area, and reducing the panel frame size. The purpose is to provide a display device that has been used.

本発明にかかる横電界方式の液晶表示パネルは、第１の基板と第２の基板とが液晶を封入するように貼り合わされており、前記第１の基板上には、ゲート信号線と、前記ゲート信号線と交差するソース信号線と、前記液晶を駆動するための画素電極と対向電極と、接地電位を入力される端子と、が形成されており、前記第２の基板が前記液晶と接する面の反対側の面には透明導電膜が形成されており、前記第１の基板と前記第２の基板とに亘って、前記透明導電膜と前記端子とを電気的に接続する導電性材料が形成されており、前記端子は前記第１の基板の表面に対して突起する凸形状パターンが複数形成されている領域を有し、前記凸部パターンは幅が３μｍ以上１０μｍ以下である閉じた線形状を有し、前記凸部パターンの一方は他方を内包し、前記凸部パターン同士の間隔は３μｍ以上１０μｍ以下であり、前記導電性材料は前記領域内に形成されていることを特徴とする液晶表示パネルである。 In the transverse electric field type liquid crystal display panel according to the present invention, the first substrate and the second substrate are bonded so as to enclose the liquid crystal, and the gate signal line and the gate signal line are formed on the first substrate. A source signal line intersecting with the gate signal line, a pixel electrode and a counter electrode for driving the liquid crystal, and a terminal for inputting a ground potential are formed, and the second substrate is in contact with the liquid crystal. A transparent conductive film is formed on the surface opposite to the surface, and a conductive material that electrically connects the transparent conductive film and the terminal over the first substrate and the second substrate. The terminal has a region in which a plurality of convex patterns protruding with respect to the surface of the first substrate are formed, and the convex pattern has a width of 3 μm or more and 10 μm or less and is closed. It has a linear shape, one of the convex patterns includes the other, the distance between the convex patterns is 3 μm or more and 10 μm or less, and the conductive material is formed in the region. It is a liquid crystal display panel.

液晶表示パネルの額縁サイズを小さくでき、かつ、ＧＮＤ端子からの銀ペーストをはみ出すことなく、ＧＮＤ端子と帯電防止膜との間に良好な電気的接続を得ることができる。 The frame size of the liquid crystal display panel can be reduced, and a good electrical connection can be obtained between the GND terminal and the antistatic film without the silver paste sticking out from the GND terminal.

実施の形態１に係る液晶パネルの一構成例を示した図The figure which showed one configuration example of the liquid crystal panel which concerns on Embodiment 1. 実施の形態１に係る液晶パネルの断面図Sectional drawing of the liquid crystal panel which concerns on Embodiment 1. 実施の形態１に係る液晶パネルのアレイ基板の平面図Top view of the array substrate of the liquid crystal panel according to the first embodiment 実施の形態１に係る液晶パネルのアレイ基板の断面図Sectional drawing of the array substrate of the liquid crystal panel which concerns on Embodiment 1. 実施の形態１に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の平面図Top view of the GND electrode of the liquid crystal panel according to the first embodiment. 実施の形態１に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の断面図Sectional drawing of GND electrode of liquid crystal panel which concerns on Embodiment 1. 実施の形態２に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の平面図Top view of the GND electrode of the liquid crystal panel according to the second embodiment. 実施の形態２に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の断面図Sectional drawing of GND electrode of liquid crystal panel which concerns on Embodiment 2. 実施の形態３に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の平面図Top view of the GND electrode of the liquid crystal panel according to the third embodiment. 実施の形態３に係る液晶パネルのＧＮＤ電極の断面図Cross-sectional view of the GND electrode of the liquid crystal panel according to the third embodiment.

実施の形態１．
まず、本実施の形態に係る液晶表示装置を説明する。ここでは、液晶表示装置の一例として、In-Plane-Switchingモードの液晶表示装置について説明する。後述するように液晶表示装置は、液晶表示パネル、バックライトユニット、駆動回路等を備えるものである。図１に液晶表示パネル１の平面図を示す。図２に液晶表示パネル１の断面図を示す。なお、図２は図１中のＡ−Ａで示した箇所の断面図である。 Embodiment 1.
First, the liquid crystal display device according to the present embodiment will be described. Here, as an example of the liquid crystal display device, the liquid crystal display device in the In-Plane-Switching mode will be described. As will be described later, the liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel, a backlight unit, a drive circuit, and the like. FIG. 1 shows a plan view of the liquid crystal display panel 1. FIG. 2 shows a cross-sectional view of the liquid crystal display panel 1. Note that FIG. 2 is a cross-sectional view of the portion shown by AA in FIG.

液晶表示パネル１は、アレイ基板１１０とアレイ基板１１０に対向配置される対向基板１２０と、両基板を接着するシール材８との間の空間に液晶層ＬＣが形成された構成を有している。両基板の間は、図示しないスペーサによって、所定の間隔となるように維持されている。 The liquid crystal display panel 1 has a configuration in which a liquid crystal layer LC is formed in a space between an array substrate 110, a facing substrate 120 arranged to face the array substrate 110, and a sealing material 8 for adhering both substrates. .. The space between the two substrates is maintained at a predetermined distance by a spacer (not shown).

また、図１に示すように、アレイ基板１１０は、対向基板１２０よりも平面寸法が大きく形成されている。アレイ基板１１０の一端は、対向基板１２０から突出するように配置されるが、これ以降、この突出する領域を突出領域２と呼ぶ。後で詳しく説明するが、突出領域２には、アレイ基板１１０上に形成された電極へ走査信号、表示信号などを伝送する出力配線や出力配線に連なる電極端子などが形成される。 Further, as shown in FIG. 1, the array substrate 110 is formed to have a larger plane dimension than the facing substrate 120. One end of the array substrate 110 is arranged so as to protrude from the facing substrate 120, and the protruding region is hereinafter referred to as a protruding region 2. As will be described in detail later, in the protruding region 2, an output wiring for transmitting a scanning signal, a display signal, and the like to an electrode formed on the array substrate 110, an electrode terminal connected to the output wiring, and the like are formed.

第１基板としてのアレイ基板１１０においては、絶縁性基板上に、複数のゲート信号線（走査信号線）ＧＬと複数のソース信号線（表示信号線）ＳＬとが形成されている。図１において、複数のゲート信号線ＧＬは水平方向に平行に設けられている。同様に、図１において複数のソース信号線ＳＬは垂直方向に平行に設けられている。すなわち、ゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは、互いに交差するように形成されている。後で説明するが、ゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは絶縁膜を介して交差している。そして、隣接するゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとで囲まれた領域（点線で図示した領域）が画素ＰＸとなる。従って、アレイ基板１１０上には、画素ＰＸがマトリクス状に配列される。 In the array substrate 110 as the first substrate, a plurality of gate signal lines (scanning signal lines) GL and a plurality of source signal lines (display signal lines) SL are formed on the insulating substrate. In FIG. 1, a plurality of gate signal lines GL are provided in parallel in the horizontal direction. Similarly, in FIG. 1, a plurality of source signal lines SL are provided in parallel in the vertical direction. That is, the gate signal line GL and the source signal line SL are formed so as to intersect each other. As will be described later, the gate signal line GL and the source signal line SL intersect with each other via an insulating film. Then, the region surrounded by the adjacent gate signal line GL and the source signal line SL (the region shown by the dotted line) becomes the pixel PX. Therefore, the pixels PX are arranged in a matrix on the array substrate 110.

このように、画素ＰＸがマトリクス状に形成された領域が表示領域３である。また、表示領域３の外側が額縁領域４である。額縁領域４は、一部に突出領域２を有する。 In this way, the region in which the pixels PX are formed in a matrix is the display region 3. Further, the outside of the display area 3 is the frame area 4. The frame area 4 has a protruding area 2 in a part thereof.

まず、表示領域３について簡単に説明する。前述の通り、表示領域３内においてはゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとが交差して画素ＰＸを形成する。１つの画素ＰＸ内には、少なくとも１つのスイッチング素子（図示しない）が形成される。スイッチング素子としては、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いることができる。スイッチング素子はソース信号線ＳＬやゲート信号線ＧＬと接続されており、各配線からは各々走査信号電位と表示信号電位とが印加される。 First, the display area 3 will be briefly described. As described above, in the display area 3, the gate signal line GL and the source signal line SL intersect to form the pixel PX. At least one switching element (not shown) is formed in one pixel PX. As the switching element, for example, a thin film transistor (TFT) can be used. The switching element is connected to the source signal line SL and the gate signal line GL, and a scanning signal potential and a display signal potential are applied from each wiring.

詳しくは後述するが、１つの画素ＰＸ内には画素電極と対向電極も形成される。画素電極はスイッチング素子と接続しており、スイッチング素子を介して表示信号電位が画素電極に印加される。また、対向電極には共通配線ＣＬを介して共通電位が印加されている。画素電極と対向電極間の電位差が液晶ＬＣに印加されることにより液晶分子が駆動されて表示がなされる。表示領域３内の動作については構成も含めて、後で詳細に説明する。 As will be described in detail later, a pixel electrode and a counter electrode are also formed in one pixel PX. The pixel electrode is connected to a switching element, and a display signal potential is applied to the pixel electrode via the switching element. Further, a common potential is applied to the counter electrode via the common wiring CL. The liquid crystal molecules are driven and displayed by applying the potential difference between the pixel electrode and the counter electrode to the liquid crystal LC. The operation in the display area 3 will be described in detail later, including the configuration.

次に、額縁領域４と突出領域２について説明する。表示領域３内においてスイッチング素子と接続するゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは、各々、額縁領域４における引き出し配線ＤＬにつながる。ここで、ゲート信号線ＧＬとソース信号線ＳＬとは、引き出し配線ＤＬと一体に形成されてもよい。引き出し配線ＤＬは突出領域２まで引き出されて、その先には電極端子６が形成される。そして、ドライバーＬＳＩ５がＣＯＧ方式によって電極端子６に接続されている。 Next, the frame area 4 and the protruding area 2 will be described. The gate signal line GL and the source signal line SL connected to the switching element in the display area 3 are respectively connected to the lead-out wiring DL in the frame area 4. Here, the gate signal line GL and the source signal line SL may be integrally formed with the lead-out wiring DL. The lead-out wiring DL is pulled out to the protruding region 2, and the electrode terminal 6 is formed at the tip of the lead-out wiring DL. Then, the driver LSI 5 is connected to the electrode terminal 6 by the COG method.

液晶表示パネル１は、外部から入力される走査信号、表示信号等に基づいて、画像の表示に必要な各種の制御信号、走査電圧及び表示電圧等を出力するドライバーＬＳＩ５によって駆動される。なお、ドライバーＬＳＩ５を実装したＦＰＣ７を液晶表示パネル１に接続する場合もある。 The liquid crystal display panel 1 is driven by a driver LSI 5 that outputs various control signals, scanning voltage, display voltage, and the like necessary for displaying an image based on scanning signals, display signals, and the like input from the outside. The FPC 7 on which the driver LSI 5 is mounted may be connected to the liquid crystal display panel 1.

また、ＦＰＣ７は、ドライバーＬＳＩ５の外側、より詳細にはアレイ基板１１０の突出領域２端辺近傍に接着される。ＦＰＣ７には、制御回路等が実装されている。制御回路には、ドライバーＬＳＩ５に走査信号、表示信号、各種の制御信号などを供給するコントローラや、電源電圧、基準電圧などを供給する電源回路などが設けられる。そして、制御回路等から出力される走査信号、表示信号や各種の制御信号は、ＦＰＣ７を介してドライバーＬＳＩ５に入力される。ドライバーＬＳＩ５は、入力される走査信号、表示信号や制御信号に基づいて、表示領域の各電極に所定のタイミングで電圧を供給する。つまり、表示領域３内の画素電極やスイッチング素子に印加される電位はドライバーＬＳＩ５を介してＦＰＣ７の制御回路から供給される。 Further, the FPC 7 is adhered to the outside of the driver LSI 5, more specifically, near the two end edges of the protruding region of the array substrate 110. A control circuit and the like are mounted on the FPC 7. The control circuit is provided with a controller that supplies scanning signals, display signals, various control signals, and the like to the driver LSI 5, and a power supply circuit that supplies power supply voltage, reference voltage, and the like. Then, the scanning signal, the display signal, and various control signals output from the control circuit and the like are input to the driver LSI 5 via the FPC 7. The driver LSI 5 supplies a voltage to each electrode in the display area at a predetermined timing based on the input scanning signal, display signal, and control signal. That is, the potential applied to the pixel electrodes and the switching element in the display region 3 is supplied from the control circuit of the FPC 7 via the driver LSI 5.

次に、表示領域３内の画素ＰＸにおけるスイッチング素子、画素電極、各配線について、図３、図４を用いて説明する。図３はアレイ基板上の画素の平面図であり、図４は図３でＢ−Ｂで示す箇所における断面図である。 Next, the switching element, the pixel electrode, and each wiring in the pixel PX in the display area 3 will be described with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a plan view of the pixels on the array substrate, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.

図３において、ガラスや樹脂等の絶縁材からなる基板１００の表面上に、金属膜からなるゲート信号線ＧＬと共通配線ＣＬとが形成され、それらを覆うように窒化珪素膜や酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜ＧＩが形成される。ゲート信号線ＧＬ上にゲート絶縁膜ＧＩを介して、珪素やＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ等の酸化物半導体からなる半導体層ＳＥが形成される。ゲート絶縁膜ＧＩ上にはゲート信号線ＧＬと交差するように透明導電膜と金属膜との積層からなるソース信号線ＳＬが形成され、その一部は半導体層ＳＥ上にまで延びている。半導体層ＳＥ上においては、ソース信号線ＳＬと対向して画素電極ＰＥも形成されている。ここで、ゲート信号線ＧＬ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体層ＳＥはスイッチング素子のＭＯＳ構造をなしており、点線で囲んだ領域がスイッチング素子ＴＦＴに相当する。 In FIG. 3, a gate signal line GL made of a metal film and a common wiring CL are formed on the surface of a substrate 100 made of an insulating material such as glass or resin, and a silicon nitride film or a silicon oxide film is formed so as to cover them. The gate insulating film GI is formed. A semiconductor layer SE made of an oxide semiconductor such as silicon or In-Ga-Zn-O is formed on the gate signal line GL via the gate insulating film GI. A source signal line SL composed of a laminated transparent conductive film and a metal film is formed on the gate insulating film GI so as to intersect the gate signal line GL, and a part of the source signal line SL extends onto the semiconductor layer SE. On the semiconductor layer SE, a pixel electrode PE is also formed so as to face the source signal line SL. Here, the gate signal line GL, the gate insulating film GI, and the semiconductor layer SE have a MOS structure of a switching element, and the region surrounded by the dotted line corresponds to the switching element TFT.

画素電極ＰＥはスイッチング素子からゲート信号線ＧＬ外に延びており、ゲート信号線ＧＬ外では平面視で櫛歯形状を有している。画素電極ＰＥと互いに噛み合うような櫛歯形状を有する対向電極ＣＥも形成されており、対向電極ＣＥはゲート絶縁膜ＧＩに開口するコンタクトホールＣＨを介して共通配線ＣＬと接続する。ここで、表示領域３内の各画素ＰＸにおける共通電極ＣＥにも共通配線ＣＬにも共通電位が印加されている。なお、画素電極ＰＥ、対向電極ＣＥ、ソース信号線ＳＬとは同時に形成されていてもよい。 The pixel electrode PE extends from the switching element to the outside of the gate signal line GL, and has a comb-teeth shape in a plan view outside the gate signal line GL. A counter electrode CE having a comb-tooth shape that meshes with the pixel electrode PE is also formed, and the counter electrode CE is connected to the common wiring CL via a contact hole CH that opens in the gate insulating film GI. Here, a common potential is applied to both the common electrode CE and the common wiring CL in each pixel PX in the display area 3. The pixel electrode PE, the counter electrode CE, and the source signal line SL may be formed at the same time.

このような構造において、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってスイッチング素子がオン状態になると、ソース信号線ＳＬから画素電極ＰＥに表示電圧が印加される。そして、画素電極ＰＥと、共通電極ＣＥとの間に、表示電圧に応じた電界が生じる。図３に示すようなIn-Plane-Switching方式の場合、アレイ基板１１０上に画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥともに形成されているため、基板の面方向（横方向）に電界が生じる。そして、液晶分子は基板１００と平行な面内で回転する。なお、図３ではIn-Plane-Switching方式のアレイ構造を基にして説明したが、これに限定する必要は無く、例えばFringe-Field-Switching方式のアレイ構造でもよく、後述のＧＮＤ電極についても同様に適用できる。 In such a structure, when the switching element is turned on by the scanning signal from the gate signal line GL, a display voltage is applied from the source signal line SL to the pixel electrode PE. Then, an electric field corresponding to the display voltage is generated between the pixel electrode PE and the common electrode CE. In the case of the In-Plane-Switching method as shown in FIG. 3, since both the pixel electrode PE and the common electrode CE are formed on the array substrate 110, an electric field is generated in the surface direction (lateral direction) of the substrate. Then, the liquid crystal molecules rotate in a plane parallel to the substrate 100. Although the description is based on the array structure of the In-Plane-Switching method in FIG. 3, it is not necessary to limit the array structure to this. For example, the array structure of the Fringe-Field-Switching method may be used, and the same applies to the GND electrode described later. Can be applied to.

次に、再度、図１と図２を用いて、突出領域２内に設けられる他の端子についても説明する。図１より、突出領域２には、引き出し配線やドライバーＬＳＩ以外に、ＧＮＤ端子１１（ＧＮＤ電極ともいう）も形成される。ＧＮＤ電極１１からはＧＮＤ配線１２がＦＰＣ７まで延びて接続されている。ここで、ＧＮＤ電極１１にはＧＮＤ配線１２とともに後述する基準電位が印加されている。言い換えると、ＧＮＤ電極１１は接地されている。 Next, with reference to FIGS. 1 and 2, other terminals provided in the protruding region 2 will also be described. From FIG. 1, in addition to the lead-out wiring and the driver LSI, a GND terminal 11 (also referred to as a GND electrode) is also formed in the protruding region 2. A GND wiring 12 extends from the GND electrode 11 to the FPC 7 and is connected to the GND electrode 11. Here, a reference potential described later is applied to the GND electrode 11 together with the GND wiring 12. In other words, the GND electrode 11 is grounded.

図２においてＧＮＤ配線１２とＧＮＤ電極１１とは一体として形成されており、言い換えれば、ＧＮＤ配線１２はその端部にＧＮＤ電極１１を有している。ＧＮＤ電極１１はゲート信号線ＧＬと同じレイヤーに形成されていてもよいし、ソース信号線ＳＬと同じレイヤーに形成されていてもよい。 In FIG. 2, the GND wiring 12 and the GND electrode 11 are integrally formed, in other words, the GND wiring 12 has a GND electrode 11 at its end. The GND electrode 11 may be formed on the same layer as the gate signal line GL, or may be formed on the same layer as the source signal line SL.

かかるＧＮＤ電極１１は、対向基板１２０の、アレイ基板１１０と対向する面とは反対側の面に形成されている導電膜１７と導電性材料であるＡｇペースト１５を介して電気的に接続されている。その接続により、ＧＮＤ電極１１も導電膜１７も基準電位となり接地されていることになる。以下、この接続関係について説明する。 The GND electrode 11 is electrically connected to the conductive film 17 formed on the surface of the opposing substrate 120 opposite to the surface facing the array substrate 110 via the Ag paste 15 which is a conductive material. There is. Due to the connection, both the GND electrode 11 and the conductive film 17 have a reference potential and are grounded. This connection relationship will be described below.

第２基板としての対向基板１２０は、例えば、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）であり、液晶表示装置においては視認側に配置される基板である。対向基板１２０にカラーフィルタＣＦを形成する場合、アレイ基板１１０と対向する側、つまり液晶ＬＣと接する側に形成する。 The opposed substrate 120 as the second substrate is, for example, a color filter substrate (CF substrate), and is a substrate arranged on the visual recognition side in the liquid crystal display device. When the color filter CF is formed on the facing substrate 120, it is formed on the side facing the array substrate 110, that is, the side in contact with the liquid crystal LC.

一方で、対向基板１２０においてアレイ基板１１０と対向する面とは反対側の面上、すなわち対向基板１２０のカラーフィルタＣＦ等の形成面とは反対側の面上に、導電膜１７が形成される。導電膜１７は対向基板１２０の略全体に形成される。導電膜１７上の一部において表示領域３に対応する領域には偏光板ＰＰが形成されている。偏光板ＰＰはアレイ基板１１０にも形成されている。 On the other hand, the conductive film 17 is formed on the surface of the facing substrate 120 opposite to the surface facing the array substrate 110, that is, on the surface of the opposing substrate 120 opposite to the surface on which the color filter CF or the like is formed. .. The conductive film 17 is formed on substantially the entire facing substrate 120. A polarizing plate PP is formed in a region corresponding to the display region 3 in a part of the conductive film 17. The polarizing plate PP is also formed on the array substrate 110.

導電膜１７としては、主にインジウムから構成されるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜を用いることができる。前述の通り、この導電膜１７は、導電性材料としてのＡｇペースト１５を介してＧＮＤ電極１１と接続され、基準電位となっている。なお、ここでは、Ａｇペーストを説明に用いたが、その他の導電性樹脂等の導電性材料を用いてもよい。Ａｇペースト１５は、ＧＮＤ電極１１及び導電膜１７に接する。 As the conductive film 17, a transparent conductive film such as ITO (Indium Tin Oxide) mainly composed of indium can be used. As described above, the conductive film 17 is connected to the GND electrode 11 via the Ag paste 15 as a conductive material and has a reference potential. Although Ag paste is used in the description here, other conductive materials such as a conductive resin may be used. The Ag paste 15 is in contact with the GND electrode 11 and the conductive film 17.

前述の通り、液晶表示装置においてはアレイ基板１１０よりも対向基板１２０の方が視認側に近く、さらに導電膜１７を形成した面は視認側に最も近い。そのため、通常は外部からの静電気の影響を最も受けやすいが、図２からわかるようにその面には導電膜１７が形成され、しかも基準電位に固定されている。この構造において導電膜１７に外部から電荷が流入したとしても、基準電位の電源に流出するため外部からの電界の影響を抑制することができる。 As described above, in the liquid crystal display device, the facing substrate 120 is closer to the viewing side than the array substrate 110, and the surface on which the conductive film 17 is formed is closest to the viewing side. Therefore, it is usually most susceptible to the influence of static electricity from the outside, but as can be seen from FIG. 2, a conductive film 17 is formed on the surface thereof and is fixed at a reference potential. In this structure, even if an electric charge flows into the conductive film 17 from the outside, it flows out to a power source having a reference potential, so that the influence of an electric field from the outside can be suppressed.

このように、対向基板１２０上に形成された導電膜１７の電位を基準電位とすることにより静電遮蔽効果を奏し、外部からの電界による表示への悪影響を抑制することができる。具体的には、外部からの電界の影響を抑制することができ、液晶ＬＣの配向状態の乱れを抑制することができる。そして、液晶表示装置の表示特性を向上させることができる。 In this way, by using the potential of the conductive film 17 formed on the facing substrate 120 as the reference potential, the electrostatic shielding effect can be exerted, and the adverse effect on the display due to the electric field from the outside can be suppressed. Specifically, the influence of an electric field from the outside can be suppressed, and the disorder of the orientation state of the liquid crystal LC can be suppressed. Then, the display characteristics of the liquid crystal display device can be improved.

なお、導電膜１７は、外部からの電界の影響を抑制することができ、Ａｇペースト１５を介して、ＧＮＤ電極１１と電気的に接続することができれば、どのように形成してもよい。例えば、導電膜１７を対向基板１２０のアレイ基板１１０側の面上に形成してもよいし、導電膜１７を略全面に形成しなくてもよい。 The conductive film 17 may be formed in any way as long as it can suppress the influence of an electric field from the outside and can be electrically connected to the GND electrode 11 via the Ag paste 15. For example, the conductive film 17 may be formed on the surface of the facing substrate 120 on the array substrate 110 side, or the conductive film 17 may not be formed on substantially the entire surface.

次に、図２に示すＧＮＤ電極と導電性材料との接続方法について説明する。アレイ基板１１０と対向基板１２０とが内部の液晶ＬＣを密封するようにシール材ＳＥＡＬを介して貼り合わされた後、対向基板１２０上に形成された導電膜１７と、アレイ基板１１０上に形成されたＧＮＤ電極１１とを導通させるために、Ａｇペースト１５をディスペンサーで塗布する。Ａｇペースト１５は、対向基板１２０の導電膜１７上及びＧＮＤ電極１１上に一体的に形成される。 Next, a method of connecting the GND electrode shown in FIG. 2 and the conductive material will be described. The array substrate 110 and the opposing substrate 120 were bonded to each other via the sealing material SEAL so as to seal the internal liquid crystal LC, and then formed on the conductive film 17 formed on the opposing substrate 120 and on the array substrate 110. Ag paste 15 is applied with a dispenser in order to conduct the GND electrode 11. The Ag paste 15 is integrally formed on the conductive film 17 of the facing substrate 120 and on the GND electrode 11.

なお、Ａｇペースト１５は、希釈剤中にＡｇ粒子を分散させたものだが、容易に希釈剤とＡｇ粒子とが分離しやすいので、シリンジの周囲を温調ヒーターにて一定の温度に保っておいたほうがよい。塗布した後に、オーブンにて一定時間加熱し、Ａｇペースト１５を硬化させる。 In the Ag paste 15, Ag particles are dispersed in a diluent, but since the diluent and Ag particles are easily separated, the circumference of the syringe is kept at a constant temperature with a temperature control heater. You should stay. After coating, heat in an oven for a certain period of time to cure the Ag paste 15.

このように、Ａｇペーストを塗布する際は、対向基板１２０の導電膜１７とＧＮＤ電極１１とを確実に電気的に接続するために十分な量のＡｇペーストが必要である。一方、Ａｇペーストが多すぎるとＧＮＤ電極１１からあふれ出てしまい、他の電極・端子との短絡等の不良を引き起こす。そのため、ＧＮＤ電極１１を小型化した場合にＡｇペースト１５を塗布する際は、塗布量のマージンが狭く精密な制御が必要であった。 As described above, when applying the Ag paste, a sufficient amount of Ag paste is required to reliably electrically connect the conductive film 17 of the opposing substrate 120 and the GND electrode 11. On the other hand, if the amount of Ag paste is too large, it overflows from the GND electrode 11 and causes a defect such as a short circuit with other electrodes / terminals. Therefore, when the Ag paste 15 is applied when the GND electrode 11 is miniaturized, the margin of the application amount is narrow and precise control is required.

実施の形態１に係る液晶表示パネルのＧＮＤ電極の構造を図５、図６に示す。図５は平面図であり、図５中でＣ−Ｃで示す箇所の断面図が図６である。 The structure of the GND electrode of the liquid crystal display panel according to the first embodiment is shown in FIGS. 5 and 6. FIG. 5 is a plan view, and FIG. 6 is a cross-sectional view of a portion indicated by CC in FIG.

図５、図６から、絶縁性基板１００上にＧＮＤ配線１２が形成されており、前述の通り、導電性材料たるＡｇペースト１５との接続領域に着目する際にはＧＮＤ配線の端部をＧＮＤ電極と呼ぶこともある。このＧＮＤ電極１１を覆うようにゲート絶縁膜ＧＩが形成されている。ゲート絶縁膜ＧＩの上層にはＧＮＤ電極コンタクトパターン１４が形成されており、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４はゲート絶縁膜ＧＩに開口する開口部１３を介してＧＮＤ電極１１と接続している。 From FIGS. 5 and 6, the GND wiring 12 is formed on the insulating substrate 100, and as described above, when focusing on the connection region with the Ag paste 15 which is a conductive material, the end of the GND wiring is GND. Sometimes called an electrode. A gate insulating film GI is formed so as to cover the GND electrode 11. A GND electrode contact pattern 14 is formed on the upper layer of the gate insulating film GI, and the GND electrode contact pattern 14 is connected to the GND electrode 11 via an opening 13 that opens into the gate insulating film GI.

さらに、ＧＮＤ電極１１は、複数の額縁状の矩形パターン１６が多重的に入れ子状態になるように配設されている領域を有しており、導電性材料であるＡｇペースト１５もこの領域内に形成されている。図６からわかるように、この複数の矩形パターン１６はＧＮＤ電極１１と同層に形成されて基板１００の表面に対して凸形状となる凸形状パターンからなる。矩形パターン１６は前述の通り、複数の凸形状パターンのうち一方が他方を内包するような入れ子状態で配設されているため、矩形パターン１６の有無により凹凸が生じている。そのため、矩形パターン１６の上層のゲート絶縁膜ＧＩもＧＮＤ電極コンタクトパターン１４もその凹凸を反映した凹凸形状を有している。 Further, the GND electrode 11 has a region in which a plurality of frame-shaped rectangular patterns 16 are arranged in a plurality of nested states, and the Ag paste 15 which is a conductive material is also in this region. It is formed. As can be seen from FIG. 6, the plurality of rectangular patterns 16 are formed of a convex pattern formed in the same layer as the GND electrode 11 and having a convex shape with respect to the surface of the substrate 100. As described above, since the rectangular pattern 16 is arranged in a nested state in which one of the plurality of convex patterns includes the other, unevenness is generated depending on the presence or absence of the rectangular pattern 16. Therefore, both the gate insulating film GI on the upper layer of the rectangular pattern 16 and the GND electrode contact pattern 14 have an uneven shape that reflects the unevenness.

本実施の形態１においては、矩形パターンの幅Ｌを３μｍ以上１０μｍ以下とし、各矩形パターン間の間隔Ｓも３μｍ以上１０μｍ以下としている。そのため、Ａｇペーストを塗布する表面であるＧＮＤ電極コンタクトパターン１４においても幅と間隔が１０μｍ以下の凹凸が形成されていることになる。微細な幅と間隔で凹凸を形成した表面は、平坦な表面に比較して疎水性を有し、さらにその効果を示すための臨界上限値は１０μｍである。そのため、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４の表面は凹凸に起因する疎水性を有していることになる。 In the first embodiment, the width L of the rectangular patterns is set to 3 μm or more and 10 μm or less, and the interval S between the rectangular patterns is also set to 3 μm or more and 10 μm or less. Therefore, even in the GND electrode contact pattern 14, which is the surface on which the Ag paste is applied, irregularities having a width and an interval of 10 μm or less are formed. The surface having irregularities formed with a fine width and spacing has hydrophobicity as compared with a flat surface, and the critical upper limit value for further exhibiting the effect is 10 μm. Therefore, the surface of the GND electrode contact pattern 14 has hydrophobicity due to unevenness.

かかるＧＮＤ電極１１にＡｇペースト１５を塗布する際、その量が多すぎたとしても、過剰なＡｇペースト１５はＧＮＤ電極コンタクトパターン１４表面の疎水性のため、矩形パターン１６枠内で盛り上がるように蓄積される。しかも、この疎水性はプロセス変動で制御できないものではなく、凹凸形状に起因するものであるため安定した効果が生じる。これにより、ＧＮＤ電極１１を小型化した場合であってもＡｇペーストがはみ出すという不良も安定して抑制することができる。すなわち、Ａｇペーストの塗布量のマージンが広がる。 When the Ag paste 15 is applied to the GND electrode 11, even if the amount is too large, the excess Ag paste 15 accumulates so as to swell within the rectangular pattern 16 frame due to the hydrophobicity of the surface of the GND electrode contact pattern 14. Will be done. Moreover, this hydrophobicity is not uncontrollable due to process fluctuations, but is due to the uneven shape, so that a stable effect is produced. As a result, even when the GND electrode 11 is miniaturized, the defect that the Ag paste squeezes out can be stably suppressed. That is, the margin of the coating amount of Ag paste is widened.

なお、Ａｇペースト１５は実際はすでに説明した通り、対向基板１２０上の導電膜１７と接続するように延びて形成されるが、図５、図６ではＧＮＤ電極１１の構造に着目した説明を行うため、導電膜１７との接続領域に関して省略している。また、図５、図６において、Ａｇペースト１５はＧＮＤ電極コンタクトパターン１４と開口部１３とを介してＧＮＤ電極１１と接続している。 As described above, the Ag paste 15 is actually formed so as to be connected to the conductive film 17 on the opposed substrate 120, but in FIGS. 5 and 6, the description will focus on the structure of the GND electrode 11. , The connection area with the conductive film 17 is omitted. Further, in FIGS. 5 and 6, the Ag paste 15 is connected to the GND electrode 11 via the GND electrode contact pattern 14 and the opening 13.

なお、本実施の形態１においては、図３との対応関係から、ＧＮＤ配線１２をゲート信号線ＧＬと同層に、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４をソース信号線ＳＬと同層で形成した構造を例に挙げて説明した。ゲート信号線ＳＬの膜厚は一般的に２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、ＧＮＤ配線１２も矩形パターン１６も同様である。 In the first embodiment, in view of the correspondence with FIG. 3, a structure in which the GND wiring 12 is formed in the same layer as the gate signal line GL and the GND electrode contact pattern 14 is formed in the same layer as the source signal line SL is an example. I mentioned and explained in. The film thickness of the gate signal line SL is generally 200 nm or more and 500 nm or less, and the same applies to the GND wiring 12 and the rectangular pattern 16.

しかし、画素を形成する製造工程に伴って同時に形成することにこだわらなければ、ＧＮＤ電極１１を形成するために異なる製造工程を追加してもよい。また、本発明は図３に示したようなIn-Plane-Switching方式だけではなく、ソース信号線ＳＬと画素電極ＰＥとが異なるレイヤーに配設されている構造においても適用することができる。この場合、導電層としては、ゲート信号線ＧＬ、ソース信号線ＳＬ、画素電極ＰＥと３層形成されるため、たとえばＧＮＤ電極１１をソース信号線ＳＬと同層に形成することも可能となる。さらに、Fringe-Field-Switching方式でも適用することが可能である。 However, if it is not particular about forming the pixels at the same time as the manufacturing process of forming the pixels, a different manufacturing process may be added to form the GND electrode 11. Further, the present invention can be applied not only to the In-Plane-Switching method as shown in FIG. 3, but also to a structure in which the source signal line SL and the pixel electrode PE are arranged on different layers. In this case, since the conductive layer is formed of three layers of the gate signal line GL, the source signal line SL, and the pixel electrode PE, for example, the GND electrode 11 can be formed in the same layer as the source signal line SL. Furthermore, it can also be applied by the Fringe-Field-Switching method.

また、ＧＮＤ電極コンタクトパターン１４として、上層がＩＴＯ等の酸化導電膜で下層が金属膜という積層膜を用いても良い。ＧＮＤ電極１１の最上層を酸化導電膜で被覆できるため腐食を抑制する効果がある。 Further, as the GND electrode contact pattern 14, a laminated film in which the upper layer is an oxide conductive film such as ITO and the lower layer is a metal film may be used. Since the uppermost layer of the GND electrode 11 can be covered with an oxide conductive film, it has an effect of suppressing corrosion.

また、ＧＮＤ電極１１や複数の矩形パターン１６上にゲート絶縁膜ＧＩを形成せず、ＧＮＤ電極１１とＧＮＤ電極コンタクトパターン１４とが開口部１３を介することなく直接接続する構造であってもよい。本発明の効果は、複数の矩形パターン１６のなす凹凸形状に由来するからである。 Further, the GND electrode 11 and the GND electrode contact pattern 14 may be directly connected to each other without forming the gate insulating film GI on the GND electrode 11 or the plurality of rectangular patterns 16. This is because the effect of the present invention is derived from the uneven shape formed by the plurality of rectangular patterns 16.

また、複数のパターン１６の形状は矩形には限らない。一部、曲線を含んでいても良いし、円形や楕円形であってもよい。ただし、パターンの端部が閉じており、内側と外側を分離するパターンである必要がある。また、図５や図６においては複数パターン１６の個数は３個となっているが、最低限２個あればよい。つまり、複数の下限は２である。 Further, the shape of the plurality of patterns 16 is not limited to a rectangle. A part may include a curved line, or may be circular or elliptical. However, it is necessary that the end of the pattern is closed and the pattern separates the inside and the outside. Further, in FIGS. 5 and 6, the number of the plurality of patterns 16 is 3, but a minimum of 2 is sufficient. That is, the plurality of lower limits is 2.

実施の形態２．
実施の形態２に係る液晶表示パネルのＧＮＤ電極の構造を図７、図８に示す。図７は平面図であり、図７中でＤ−Ｄで示す箇所の断面図が図８である。導電性材料であるＡｇペーストを塗布する領域内のＧＮＤ電極コンタクトパターンの表面に微細な凹凸形状を形成する点と、当該凹凸形状は基板の表面に対して突起する凸形状パターンによって形成される点は実施の形態１と同様である。 Embodiment 2.
The structure of the GND electrode of the liquid crystal display panel according to the second embodiment is shown in FIGS. 7 and 8. FIG. 7 is a plan view, and FIG. 8 is a cross-sectional view of a portion indicated by DD in FIG. A point where a fine uneven shape is formed on the surface of the GND electrode contact pattern in the region where the conductive material Ag paste is applied, and a point where the uneven shape is formed by a convex pattern protruding with respect to the surface of the substrate. Is the same as in the first embodiment.

実施の形態１と異なる点は、凹凸形状を形成するパターンがＧＮＤ電極と同層の導電膜では無く、絶縁膜ＧＩに形成された複数の溝１８により形成されるという点である。それ以外については、例えば、凹凸形状の凹部の幅も凸部の幅も共に３μｍ以上１０μｍ以下とする点も含めて同様である。また、一般にゲート絶縁膜の膜厚も２００ｎｍ〜５００ｎｍであり、凹凸の高低差も同様である。図７、図８においては、溝１８の幅をＳ、溝１８間の間隔をＬと表示しているが、これは実施の形態１と凹凸関係を合せたものである。すなわち、凹凸形状において凹部の幅をＳ、凸部の幅をＬとしているためである。なお、絶縁膜の加工は、ふっ素系のガスを用いたドライエッチングや強酸を用いたウエットエッチングにより適宜行えばよい。 The difference from the first embodiment is that the pattern forming the concave-convex shape is not formed by the conductive film of the same layer as the GND electrode, but is formed by a plurality of grooves 18 formed in the insulating film GI. Other than that, for example, the width of the concave-convex concave portion and the width of the convex portion are both 3 μm or more and 10 μm or less. Further, the thickness of the gate insulating film is generally 200 nm to 500 nm, and the height difference of the unevenness is also the same. In FIGS. 7 and 8, the width of the groove 18 is indicated by S and the distance between the grooves 18 is indicated by L, which is a combination of the unevenness relationship with the first embodiment. That is, in the concave-convex shape, the width of the concave portion is S and the width of the convex portion is L. The insulating film may be appropriately processed by dry etching using a fluorine-based gas or wet etching using a strong acid.

以上より、実施の形態２においても、実施の形態１と同様の効果を奏する。実施の形態２においては絶縁膜がゲート絶縁膜ＧＩである構造を用いて説明したが、実施の形態１で説明したように、ソース信号線ＳＬと画素電極ＰＥとが異なるレイヤーに配設されている構造など異なる構造においても、レイヤーを適宜変更して本発明を適用することは可能である。 From the above, the same effect as that of the first embodiment is obtained in the second embodiment. In the second embodiment, the structure in which the insulating film is the gate insulating film GI has been described, but as described in the first embodiment, the source signal line SL and the pixel electrode PE are arranged on different layers. It is possible to apply the present invention by appropriately changing the layer even in a different structure such as the existing structure.

実施の形態３．
実施の形態３に係る液晶表示パネルのＧＮＤ電極の構造を図９、図１０に示す。図９は平面図であり、図９中でＥ−Ｅで示す箇所の断面図が図１０である。本実施の形態において導電性材料を塗布する領域には、実施の形態１で示した金属膜による複数の矩形パターンと、実施の形態２で示した絶縁膜による複数の矩形パターンとの両方を設けたことを特徴とする。 Embodiment 3.
The structure of the GND electrode of the liquid crystal display panel according to the third embodiment is shown in FIGS. 9 and 10. 9 is a plan view, and FIG. 10 is a cross-sectional view of a portion indicated by EE in FIG. In the region to which the conductive material is applied in the present embodiment, both a plurality of rectangular patterns made of the metal film shown in the first embodiment and a plurality of rectangular patterns made of the insulating film shown in the second embodiment are provided. It is characterized by that.

図９、図１０からわかるように、ＧＮＤ電極パターンと同層の矩形パターン１６上をゲート絶縁層ＧＩが覆う一方で、ゲート絶縁層が形成されない領域においては矩形パターンも形成されていない。したがって、この構造から生じる凹凸の高低差は、矩形パターンの膜厚とゲート絶縁膜の膜厚とを足し合わせたものとなる。ここで、凹凸形状の高低差が大きいほど表面の疎水性もさらに向上するため、本実施の形態３で示した構造は、実施の形態１や実施の形態２で示した構造よりも大きな効果を奏することができる。 As can be seen from FIGS. 9 and 10, the gate insulating layer GI covers the rectangular pattern 16 which is the same layer as the GND electrode pattern, but the rectangular pattern is not formed in the region where the gate insulating layer is not formed. Therefore, the height difference of the unevenness caused by this structure is the sum of the film thickness of the rectangular pattern and the film thickness of the gate insulating film. Here, since the hydrophobicity of the surface is further improved as the height difference of the uneven shape is larger, the structure shown in the third embodiment has a greater effect than the structures shown in the first and second embodiments. Can play.

ここまで、本発明に係る液晶表示パネルの説明を行ってきたが、液晶表示装置においては、かかる液晶表示パネルの背面に、バックライトユニット（図示しない）が備えられている。そして、バックライトユニットによって、液晶表示パネルの反視認側から当該液晶表示パネルに対して光を照射する。バックライトユニットとしては、例えば、冷陰極管や白色ＬＥＤを光源とし、導光板、レンズシート、拡散シート、反射シート等で平面光源化したものを用いることができる。 Up to this point, the liquid crystal display panel according to the present invention has been described, but in the liquid crystal display device, a backlight unit (not shown) is provided on the back surface of the liquid crystal display panel. Then, the backlight unit irradiates the liquid crystal display panel with light from the non-visual side of the liquid crystal display panel. As the backlight unit, for example, a cold cathode tube or a white LED can be used as a light source, and a light guide plate, a lens sheet, a diffusion sheet, a reflection sheet, or the like can be used as a flat light source.

1 液晶表示パネル、２突出領域、３表示領域、４額縁領域、
５ドライバーＬＳＩ、６電極端子、７ＦＰＣ、８シール材、
１１ＧＮＤ端子（ＧＮＤ電極）、１２ＧＮＤ配線、１３開口部、
１４ＧＮＤ電極コンタクトパターン、１５Ａｇペースト、１６矩形パターン、
１７導電膜、１８溝、
１００基板、１１０アレイ基板、１２０対向基板、
ＣＬ共通配線、ＧＬゲート信号線、ＳＬソース信号線、
ＧＩゲート絶縁膜、ＳＥ半導体層、ＤＬ引き出し配線、ＴＦＴスイッチング素子、
ＬＣ液晶、ＰＸ画素、ＰＥ画素電極、ＣＥ対向電極、ＰＰ偏光板 1 Liquid crystal display panel, 2 protruding area, 3 display area, 4 frame area,
5 driver LSI, 6 electrode terminals, 7 FPC, 8 sealing material,
11 GND terminal (GND electrode), 12 GND wiring, 13 opening,
14 GND electrode contact pattern, 15 Ag paste, 16 rectangular pattern,
17 conductive film, 18 grooves,
100 boards, 110 array boards, 120 opposed boards,
CL common wiring, GL gate signal line, SL source signal line,
GI gate insulating film, SE semiconductor layer, DL lead wiring, TFT switching element,
LC liquid crystal, PX pixel, PE pixel electrode, CE counter electrode, PP polarizing plate

Claims

The liquid crystal display panel
The first substrate and the second substrate are bonded so as to enclose the liquid crystal.
On the first substrate, a gate signal line and a source signal line intersecting with the gate signal line
A pixel electrode and a counter electrode for driving the liquid crystal LC,
A terminal to which the ground potential is input is formed.
A transparent conductive film is formed on the surface opposite to the surface where the second substrate is in contact with the liquid crystal.
A conductive material for electrically connecting the transparent conductive film and the terminal is formed over the first substrate and the second substrate.
The terminal has a region in which a plurality of convex patterns protruding with respect to the surface of the first substrate are formed.
The convex pattern has a closed line shape having a width of 3 μm or more and 10 μm or less.
One of the convex patterns encloses the other,
The distance between the convex patterns is 3 μm or more and 10 μm or less.
A liquid crystal display panel characterized in that the conductive material is formed in the region.

The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the convex pattern is a metal film pattern formed in the same layer as the terminal.

The liquid crystal display panel according to claim 1, wherein the convex pattern is formed by a groove formed in an insulating film covering the terminal.

Any of claims 1 to 3, wherein the conductive material has a GND electrode contact pattern that covers the region and is electrically connected to the terminal, and the conductive material is directly formed on the GND electrode contact pattern. The liquid crystal display panel described in Crab.

A liquid crystal display device comprising the liquid crystal display panel according to any one of claims 1 to 4.