JP6873696B2 - 強化されたプロセスの均一性および低減された基板の滑りのためのサセプタ - Google Patents
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Description
いくつかの実施形態では、基板支持体が、頂面を有するサセプタプレートと、頂面内に形成され、エッジによって画定された凹みと、凹み内に凹みのエッジに沿って配置された複数の斜め支持要素であって、各斜め支持要素が、凹みの中心に向かって下方へ傾斜した第1の表面を備え、第1の表面の傾斜が水平から約0.5度〜約18度である、複数の斜め支持要素と、凹み内に位置する複数のリフトピン孔であって、リフトピンモジュールが複数のリフトピン孔のそれぞれを通過して基板を上下させることを可能にする複数のリフトピン孔とを含む。
いくつかの実施形態では、基板を処理する装置が、プロセスチャンバと、基板支持体と、プロセスチャンバ内に基板支持体を支持する支持ブラケットと、基板支持体より下に配置され、基板支持体の上で基板を上下させるための基板リフトシャフトおよび複数のリフトピンモジュールを備える基板リフトアセンブリとを含む。基板支持体は、頂面を有するサセプタプレートと、頂面内に形成され、エッジによって画定された凹みと、凹み内に凹みのエッジに沿って配置された複数の斜め支持要素であって、各斜め支持要素が、凹みの中心に向かって下方へ傾斜した第1の表面を備える複数の斜め支持要素とを含む。
本発明の他のさらなる実施形態は、以下に記載する。
上記で簡単に要約し、以下により詳細に論じる本発明の実施形態は、添付の図面に示す本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし、本発明は他の等しく有効な実施形態にも許容されるため、添付の図面は本発明の典型的な実施形態のみを示し、したがって本発明の範囲を限定するとみなされるべきではないことに留意されたい。
基板を支持する装置が本明細書に提供される。いくつかの実施形態では、本発明の装置は、有利には、基板支持体上に配置されたときに基板が滑るのを防止する1つまたは複数の基板支持要素を提供することができる。いくつかの実施形態では、本発明の装置は、さらに有利には、基板支持要素と基板との間の接触領域を低減させることができ、それによって、基板内の熱勾配によって生じうるプロセスの不均一性を低減させることができる。
基板支持アセンブリ164は、概して、基板支持体124に結合された複数の支持ピン166を有する支持ブラケット134を含む。基板リフトアセンブリ160は、基板リフトシャフト126と、基板リフトシャフト126のそれぞれのパッド127上に選択的に位置する複数のリフトピンモジュール161とを備える。いくつかの実施形態では、リフトピンモジュール161は、基板支持体124内のリフトピン孔162を通って可動に配置されたリフトピン128の任意選択の上部部分を備える。動作の際には、基板リフトシャフト126を動かしてリフトピン128に係合させる。係合されると、リフトピン128は、基板支持体124より上へ、たとえばプロセスチャンバへの基板の導入もしくはプロセスチャンバからの基板の取り出しを容易にする位置へ、基板101を持ち上げることができ、またはたとえば処理のために基板支持体124上へ基板101を下げることができる。
いくつかの実施形態では、図2に示すように、どの斜め支持要素214も、リフトピン孔162と位置合わせされない。いくつかの実施形態では斜め支持要素214の少なくとも1つ、またはいくつかの実施形態ではすべてが、共通の半径に沿って位置する対応するリフトピン孔と位置合わせされる。いくつかの実施形態では、3つのリフトピン孔が設けられる。いくつかの実施形態では、3つのリフトピン孔が設けられ、3つの斜め支持要素214がそれぞれ、3つのリフトピン孔のうちの対応する1つと位置合わせされる。図7に示す実施形態では、リフトピン孔はそれぞれ、共通の半径に沿って位置する斜め支持要素214の1つと位置合わせされる。いくつかの実施形態では、斜め支持要素214の少なくとも1つをリフトピン孔162と位置合わせすることで、斜め支持要素214の上に配置されたときに基板の滑りを低減させることができる。いくつかの実施形態では、斜め支持要素214の少なくとも1つは、隣接する斜め支持要素214から等間隔に隔置される。いくつかの実施形態では、斜め支持要素214の少なくとも1つは、隣接する斜め支持要素214から等しくない距離をあけて隔置される。
CPU142は、産業用の設定で使用することができる汎用コンピュータプロセッサの任意の形態とすることができる。支持回路146は、CPU142に結合されており、キャッシュ、クロック回路、入出力サブシステム、電源などを備えることができる。コントローラ140のメモリ144内に、ソフトウェアルーチンを記憶することができる。ソフトウェアルーチンは、CPU142によって実行されたとき、CPU142を特定目的コンピュータ(コントローラ)140に変換する。ソフトウェアルーチンはまた、コントローラ140から離れて位置する第2のコントローラ(図示せず)によって記憶および/または実行することができる。別法または組合せとして、いくつかの実施形態では、たとえばプロセスチャンバ100がマルチチャンバ処理システムの一部である場合、マルチチャンバ処理システムの各プロセスチャンバは、本明細書に開示する本発明の方法のうち、その特定のプロセスチャンバ内で実行することができる部分を制御する独自のコントローラを有することができる。そのような実施形態では、個々のコントローラは、コントローラ140と同様に構成することができ、プロセスチャンバ100の動作と同期するようにコントローラ140に結合することができる。
Claims (12)
- 頂面を有するサセプタプレートと、
前記頂面内に形成される中央の凹みであって、前記凹みの上端が前記凹みの範囲を定める連続的なエッジによって画定された凹みと、
前記凹み内に前記凹みの前記連続的なエッジに沿って配置された複数の斜め支持要素であって、各斜め支持要素が、前記凹みの中心に向かって下方へ傾斜し、前記凹みによって範囲が定められる斜め支持要素の頂点を備え、前記頂点は前記凹みの連続的なエッジに接し、前記凹みの連続的なエッジの前記凹みの上端から延びている第1の表面を備える複数の斜め支持要素と
を備え、
前記第1の表面は、基板支持体上に配置されるとき、基板のエッジを支持するように構成され、
前記凹み内に位置する複数のリフトピン孔であって、リフトピンモジュールが前記複数のリフトピン孔のそれぞれを通過して基板を上下させることを可能にする複数のリフトピン孔をさらに備え、
前記斜め支持要素の少なくとも1つが、前記基板支持体の共通の半径に沿ってリフトピン孔と位置合わせされる基板支持体。 - 前記第1の表面の傾斜が、水平から0.5度〜18度である、請求項1に記載の基板支持体。
- 前記サセプタプレートが、炭化ケイ素コーティングを有する炭素黒鉛のベースを含む、請求項1に記載の基板支持体。
- 前記凹みが、3〜12個の斜め支持要素を備える、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。
- 各斜め支持要素が、隣接する斜め支持要素から等間隔に隔置される、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。
- 前記複数の斜め支持要素が、前記凹み内に一体形成される、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。
- 前記複数の斜め支持要素が、前記凹みに取り外し可能に結合される、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。
- 前記頂面が、前記凹みの上に形成された段をさらに備え、前記複数の斜め支持要素が、前記段の上に配置される、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。
- 前記複数の斜め支持要素が、
前記第1の表面に結合され、前記第1の表面に対して実質上垂直に傾斜した第2の表面と、
前記第1の表面に結合され、前記第2の表面とは反対の方向に前記第1の表面に対して実質上垂直に傾斜した第3の表面とをさらに備える、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。 - 前記凹み内に位置する複数のリフトピン孔であって、リフトピンモジュールが前記複数のリフトピン孔のそれぞれを通過して基板を上下させることを可能にする複数のリフトピン孔をさらに備え、前記斜め支持要素のそれぞれが、前記基板支持体の共通の半径に沿って対応するリフトピン孔と位置合わせされる、請求項1から3のいずれか1項に記載の基板支持体。
- 前記複数のリフトピン孔が3つのリフトピン孔であり、前記複数の斜め支持要素が3つの斜め支持要素である、請求項10に記載の基板支持体。
- 基板を処理する装置であって、
プロセスチャンバと、
基板支持体と、
前記プロセスチャンバ内に前記基板支持体を支持する支持ブラケットと、
前記基板支持体より下に配置され、前記基板支持体の上で基板を上下させるための基板リフトシャフトおよび複数のリフトピンモジュールを備える基板リフトアセンブリとを備え、前記基板支持体が、前記請求項1から11のいずれか1項に記載のものである、装置。
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