JP6848986B2 - 弾性波装置、高周波フロントエンドモジュールおよび通信装置 - Google Patents

Description

本発明は弾性波装置に関し、さらに詳しくは、内部でのシグナル同士の干渉が抑制された弾性波装置に関する。

また、本発明は高周波フロントエンドモジュールに関し、さらに詳しくは、本発明の弾性波装置を使用した高周波フロントエンドモジュールに関する。

また、本発明は通信装置に関し、さらに詳しくは、本発明の弾性波装置または本発明の高周波フロントエンドモジュールを使用した通信装置に関する。

弾性波装置において、平面方向の寸法を小さくするために、圧電性を有する複数の素子基板を、一定の間隔を隔てて上下に重ねて接合する場合がある。たとえば、図１１に示す、特許文献１（特開２００７-６０４６５号公報）に開示された弾性波装置（薄膜弾性表面波デバイス）１０００では、第１素子基板（基板）１０１と第２素子基板（基板）１０２とを、接合層（接合部）１０９を介して、一定の距離を隔てて、上下方向に重ねて接合している。

第１素子基板１０１は、下側主面に外部接続電極１０３が形成され、外部接続電極１０３上に金属バンプ１０４が形成されている。第１素子基板１０１は、上側主面にＩＤＴ(Inter Digital Transducer)電極（励振電極）１０５が形成されている。そして、ＩＤＴ電極１０５から、配線電極１０６が引き出されている。第２素子基板１０２は、下側主面にＩＤＴ電極（励振電極）１０７が形成されている。そして、ＩＤＴ電極１０７から、配線電極１０８が引き出されている。配線電極１０８は、接合層１０９の内部または側面を経由して、第１素子基板１０１側に引き出されている。

特開２００７-６０４６５号公報

弾性波装置１０００において、平面方向の寸法を、できるだけ小さくしようとした場合、第１素子基板１０１のＩＤＴ電極１０５から引き出された配線電極１０６と、第２素子基板１０２のＩＤＴ電極１０７から引き出された配線電極１０８とが、平面視した場合に重なることがあった。

そして、配線電極１０６と配線電極１０８とが、平面視した場合に重なると、配線電極１０６と配線電極１０８との組み合わせが、電位の異なるシグナル配線電極同士である場合には、配線電極１０６を流れるシグナルと配線電極１０８を流れるシグナルとが干渉してしまう場合があった。

配線電極１０６を流れるシグナルと配線電極１０８を流れるシグナルとが干渉してしまうと、弾性波装置１０００の電気的特性が劣化したり、弾性波装置１０００を使用した電子機器において、誤作動が発生したりする虞があった。

本発明は、上述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その手段として本発明の一実施態様にかかる弾性波装置は、少なくとも一部に圧電性を有する第１素子基板と、第１素子基板の一方主面上に形成された第１のＩＤＴ電極と、第１素子基板上に積層されており、少なくとも一部に圧電性を有する第２素子基板と、第２素子基板の一方主面上に形成された第２のＩＤＴ電極と、第１素子基板と第２素子基板との間に形成されている、絶縁体からなる接合層と、第１のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも１以上の第１の配線電極と、第２のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも１以上の第２の配線電極と、を備え、第１配線電極と第２配線電極とは、接触しておらず、第２の配線電極は、接合層の側面または内部を経由して、第１素子基板における少なくとも一方主面に至っており、第１の配線電極と第２の配線電極とは、平面視した場合に、接合層が形成されている領域において重なっており、かつ、一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるかのいずれかであるようにした。

第１のＩＤＴ電極が形成されている第１素子基板の主面と、第２のＩＤＴ電極が形成されている第２素子基板の主面とが、接合層を介して対向していることが好ましい。この場合には、容易に、第１素子基板および第２素子基板のそれぞれのＩＤＴ電極が形成された機能主面上に空間を形成することができ、第１素子基板および第２素子基板のそれぞれに形成されたＩＤＴ電極の自由な振動を確保することができる。

この場合において、第１の配線電極が、少なくとも、第１素子基板の第１のＩＤＴ電極が形成されている主面に形成され、第２の配線電極が、少なくとも、第２素子基板の第２のＩＤＴ電極が形成されている主面と、接合層の側面または内部と、第１素子基板の第１のＩＤＴ電極が形成されている主面に形成されることがさらに好ましい。この場合には、本発明の弾性波装置を容易に構成することができる。

また、第１の配線電極および第２の配線電極が、それぞれ、第１素子基板に形成された外部接続電極に接続されることも好ましい。この場合には、外部接続電極によって、弾性波装置を外部に接続することができる。なお、外部接続電極は、たとえば、第１素子基板の、少なくとも、端面、および、第１のＩＤＴ電極が形成されていない主面に形成されたものとすることができる。

また、第１素子基板と接合層との間に第１の配線電極が形成され、第２素子基板と接合層との間に第２の配線電極が形成されていることも好ましい。この場合には、容易に、第１の配線電極と第２の配線電極とを交差させることができる。

第１の配線電極は、少なくとも２以上あり、第２の配線電極は、少なくとも２以上あり、平面視した場合に、第１の配線電極と第２の配線電極とは複数個所で重なっており、複数個所のいずれにおいても、第１の配線電極と第２の配線電極とは、一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるかのいずれかであることが好ましい。この場合には、より確実に、内部でのシグナルの干渉を抑制することができる。

接合層は、複数に分割されていても良い。

あるいは、接合層は、環状であっても良い。この場合には、第１素子基板と、第２素子基板と、接合層とで密閉空間を形成することができ、その密閉空間内にＩＤＴ電極を形成すれば、ＩＤＴ電極を外部環境（高湿度など）から保護することができる。また、弾性波装置の周囲を樹脂で封止した場合に、樹脂がＩＤＴ電極に到達してしまうことがなく、樹脂によってＩＤＴ電極の自由な振動が妨げられることがない。

配線電極重畳部（第１の配線電極と第２の配線電極とが重なっている個所）の数は任意であるが、たとえば４つとすることができる。また、配線電極重畳部の配置位置も任意であるが、たとえば４隅に分散配置することができる。
本発明の別の実施態様にかかる弾性波装置は、少なくとも一部に圧電性を有する第１素子基板と、第１素子基板の一方主面上に形成された第１のＩＤＴ電極と、第１素子基板上に積層されており、少なくとも一部に圧電性を有する第２素子基板と、第２素子基板の一方主面上に形成された第２のＩＤＴ電極と、第１素子基板と第２素子基板との間に形成されている、絶縁体からなる接合層と、第１のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも２以上の第１の配線電極と、第２のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも２以上の第２の配線電極と、を備え、第２の配線電極は、接合層の側面または内部を経由して、第１素子基板における少なくとも一方主面に至っており、平面視した場合に、第１の配線電極と第２の配線電極とは複数個所で重なっており、複数個所のいずれにおいても、第１の配線電極と第２の配線電極とは、一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるか、電位が同一のシグナル配線電極同士であるかのいずれかであり、複数個所は、４つとする。

本発明の弾性波装置は、たとえば、複数の独立したフィルタを備えたフィルタアレイに構成することができる。あるいは、本発明の弾性波装置は、たとえば、マルチプレクサに構成することができる。

また、本発明の弾性波装置を使用して、高周波フロントエンドモジュールを作製することができる。

また、本発明の弾性波装置、または、本発明の高周波フロントエンドモジュールを使用して、通信装置を作製することができる。

本発明の弾性波装置は、平面視した場合に、第１素子基板に形成された第１の配線電極と、第１の配線電極と重なっており、第２素子基板に形成された第２の配線電極とが、一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるか、電位が同一のシグナル配線電極同士であるかのいずれかであるため、第１の配線電極と第２の配線電極との間において、シグナルの干渉が発生することが少ない。

そのため、本発明の弾性波装置は、シグナルの干渉に起因して電気的特性が劣化することが少ない。また、本発明の弾性波装置を使用した電子機器は、弾性波装置の内部でのシグナルの干渉に起因して、誤作動が発生することが少ない。

また、本発明の高周波フロントエンドモジュールや、通信装置も、使用した弾性波装置の内部でのシグナルの干渉に起因して、誤作動が発生することが少ない。

第１実施形態にかかる弾性波装置１００を示す斜視図である。 弾性波装置１００を示す断面図である。 弾性波装置１００を示す積図である。 弾性波装置１００の等価回路図である。 第２実施形態にかかる弾性波装置２００を示す積図である。 弾性波装置２００の等価回路図である。 第３実施形態にかかる弾性波装置３００を示す積図である。 第４実施形態にかかる弾性波装置４００を示す断面図である。 第５実施形態にかかる高周波フロントエンドモジュール５００を示すブロック図である。 第６実施形態にかかる通信装置６００を示すブロック図である。 特許文献１に開示された弾性波装置１０００を示す断面図である。

以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。

なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、明細書の理解を助けるためのものであって、模式的に描画されている場合があり、描画された構成要素または構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。また、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数を省略して描画されている場合などがある。

［第１実施形態］
図１〜図３に、第１実施形態にかかる弾性波装置１００を示す。ただし、図１は、弾性波装置１００の斜視図である。図２は、弾性波装置１００の断面図であり、図１の破線Ｘ-Ｘ部分を示している。図３は、弾性波装置１００を構成する第１素子基板１と第２素子基板２との積図である。

弾性波装置１００は、第１素子基板１と第２素子基板２とを備える。第１素子基板１および第２素子基板２は、それぞれ、圧電性を有し、たとえば、ＬＴ基板（タンタル酸リチウム単結晶基板）、ＬＮ基板（ニオブ酸リチウム単結晶基板）、水晶基板などにより作製されている。なお、第１素子基板１および第２素子基板２は、それぞれ、全体が圧電体で作製される代わりに、圧電体からなる層を有するものであっても良い。

第１素子基板１は、図１、図２における下側主面が実装主面である。

第１素子基板１は、図１、図２における上側主面が機能主面である。

第２素子基板２は、図１、図２における下側主面が機能主面である。

本実施形態においては、第２素子基板２の、図１、図２における上側主面には何も形成されていない。

図３は、上述したように、第１素子基板１および第２素子基板２の積図である。図３の下側に、第１素子基板１の機能主面を示している。図３の上側に、第２素子基板２の上側主面側から透視した、第２素子基板２の機能主面を示している。

第１素子基板１の機能主面には、４組のＩＤＴ電極（第１のＩＤＴ電極）１１、１２、１３、１４が形成されている。ＩＤＴ電極１１〜１４は、それぞれ、共振器Ｒｅ１１〜Ｒｅ１４を構成している。

第２素子基板２の機能主面には、４組のＩＤＴ電極（第２のＩＤＴ電極）２１、２２、２３、２４が形成されている。ＩＤＴ電極２１〜２４は、それぞれ、共振器Ｒｅ２１〜Ｒｅ２４を構成している。

ＩＤＴ電極１１〜１４、２１〜２４の材質は任意であるが、たとえば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｒ、ＡｌおよびＰｄから選ばれる金属、もしくはこれらの金属を1種以上含む合金によって形成することができる。ＩＤＴ電極１１〜１４、２１〜２４は、複数種類の上記の金属や合金を使って、多層構造に形成しても良い。

第１素子基板１に形成されたＩＤＴ電極１１〜１４から、４つの配線電極（第１の配線電極）３１〜３４が引き出されている。

第２素子基板２に形成されたＩＤＴ電極２１〜２４から、４つの配線電極（第２の配線電極）４１〜４４が引き出されている。

配線電極３１〜３４、４１〜４４の材質は任意であるが、たとえば、Ａｌにより形成することができる。なお、Ａｌの下に、たとえばＴｉなどからなる密着層を設けても良い。

第１素子基板１と第２素子基板２とが、４つに分割された接合層５１、５２、５３、５４によって接合されている。接合層５１〜５４は、たとえば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などを成分とする感光性樹脂によって形成されている。

第１素子基板１の端面および底面（実装主面）に、８つの外部接続電極６１〜６８が形成されている。

外部接続電極６１〜６８上に、それぞれ、バンプ７が形成されている。バンプ７は、たとえば、はんだや、Ａｕなどによって作製されている。

第１素子基板１に形成された配線電極３１〜３４が、外部接続電極６１〜６４に接続されている。より具体的には、配線電極３１が、接合層５３の下側を経由して、外部接続電極６１に接続されている。配線電極３２が、接合層５４の下側を経由して、外部接続電極６２に接続されている。配線電極３３が、接合層５１の下側を経由して、外部接続電極６３に接続されている。配線電極３４が、接合層５２の下側を経由して、外部接続電極６４に接続されている。

第２素子基板２に形成された配線電極４１〜４４が、外部接続電極６５〜６８に接続されている。より具体的には、配線電極４１が、接合層５１の上側を経由し、さらに接合層５１の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６５に接続されている。配線電極４２が、接合層５２の上側を経由し、さらに接合層５２の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６６に接続されている。配線電極４３が、接合層５３の上側を経由し、さらに接合層５３の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６７に接続されている。配線電極４４が、接合層５４の上側を経由し、さらに接合層５４の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６８に接続されている。

接合層５１の下側に配線電極３３が形成され、接合層５１の上側に配線電極４１が形成され、接合層５１を介して、配線電極重畳部５１Ｐが構成されている。

接合層５２の下側に配線電極３４が形成され、接合層５２の上側に配線電極４２が形成され、接合層５２を介して、配線電極重畳部５２Ｐが構成されている。

接合層５３の下側に配線電極３１が形成され、接合層５３の上側に配線電極４３が形成され、接合層５３を介して、配線電極重畳部５３Ｐが構成されている。

接合層５４の下側に配線電極３２が形成され、接合層５４の上側に配線電極４４が形成され、接合層５２を介して、配線電極重畳部５４Ｐが構成されている。

以上の構造からなる第１実施形態にかかる弾性波装置１００は、図４に示す等価回路を備えている。

弾性波装置１００は、独立した２つのフィルタ、第１フィルタＦｒ１と第２フィルタＦｒ２とを備えたフィルタアレイを構成している。

第１フィルタＦｒ１は、共振器Ｒｅ１１〜Ｒｅ１４を使って構成されたラダー型フィルタである。

第１フィルタＦｒ１は、外部接続電極６１と外部接続電極６２との間に、共振器Ｒｅ１１と、共振器Ｒｅ１２とが、直列に接続されている。外部接続電極６１と共振器Ｒｅ１１との間は、配線電極３１によって接続されている。共振器Ｒｅ１２と外部接続電極６２との間は、配線電極３２によって接続されている。

共振器Ｒｅ１１と共振器Ｒｅ１２との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ１３が接続されている。共振器Ｒｅ１３とグランドとの間は、配線電極３３と外部接続電極６３とを経由して接続されている。

共振器Ｒｅ１２と外部接続電極６２との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ１４が接続されている。共振器Ｒｅ１４とグランドとの間は、配線電極３４と外部接続電極６４とを経由して接続されている。

第２フィルタＦｒ２は、共振器Ｒｅ２１〜Ｒｅ２４を使って構成されたラダー型フィルタである。

第２フィルタＦｒ２は、外部接続電極６５と外部接続電極６６との間に、共振器Ｒｅ２１と、共振器Ｒｅ２２とが、直列に接続されている。外部接続電極６５と共振器Ｒｅ２１との間は、配線電極４１によって接続されている。共振器Ｒｅ２２と外部接続電極６６との間は、配線電極４２によって接続されている。

そして、共振器Ｒｅ２１と共振器Ｒｅ２２との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ２３が接続されている。共振器Ｒｅ２３とグランドとの間は、配線電極４３と外部接続電極６７とを経由して接続されている。

また、共振器Ｒｅ２２と外部接続電極６６との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ２４が接続されている。共振器Ｒｅ２４とグランドとの間は、配線電極４４と外部接続電極６８とを経由して接続されている。

図４からわかるように、配線電極３１、配線電極３２、配線電極４１、配線電極４２は、それぞれ、シグナル（信号）の通るシグナル配線電極である。一方、配線電極３３、配線電極３４、配線電極４３、配線電極４４は、それぞれ、一端がグランドに接続されたグランド配線電極である。

上述した配線電極重畳部５１Ｐにおいては、接合層５１の下側に配線電極３３が形成され、接合層５１の上側に配線電極４１が形成され、配線電極３３と配線電極４１とが、平面視した場合に重なっている。しかしながら、配線電極３３はグランド配線電極であり、配線電極４１はシグナル配線電極であり、配線電極３３と配線電極４１との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

配線電極重畳部５２Ｐにおいては、接合層５２の下側に配線電極３４が形成され、接合層５２の上側に配線電極４２が形成され、配線電極３４と配線電極４２とが、平面視した場合に重なっている。しかしながら、配線電極３４はグランド配線電極であり、配線電極４２はシグナル配線電極であり、配線電極３４と配線電極４２との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

配線電極重畳部５３Ｐにおいては、接合層５３の下側に配線電極３１が形成され、接合層５３の上側に配線電極４３が形成され、配線電極３１と配線電極４３とが、平面視した場合に重なっている。しかしながら、配線電極３１はシグナル配線電極であり、配線電極４３はグランド配線電極であり、配線電極３１と配線電極４３との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

配線電極重畳部５４Ｐにおいては、接合層５４の下側に配線電極３２が形成され、接合層５４の上側に配線電極４４が形成され、配線電極３２と配線電極４４とが、平面視した場合に重なっている。しかしながら、配線電極３２はシグナル配線電極であり、配線電極４４はグランド配線電極であり、配線電極３２と配線電極４４との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

以上のように、第１実施形態にかかる弾性波装置１００は、少なくとも一部に圧電性を有する第１素子基板１と、第１素子基板１の一方主面上に形成された第１のＩＤＴ電極１１〜１４と、第１素子基板１上に積層されている、少なくとも一部に圧電性を有する第２素子基板２と、第２素子基板２の一方主面上に形成された第２のＩＤＴ電極２１〜２４と、第１素子基板１と第２素子基板２との間に形成されている、絶縁体からなる接合層５１〜５４と、第１のＩＤＴ電極１１〜１４から引き出された第１の配線電極３１〜３４と、第２のＩＤＴ電極２１〜２４から引き出された第２の配線電極４１〜４４と、を備え、第２の配線電極４１〜４４が、接合層５１〜５４の側面または内部を経由して、第１素子基板１における少なくとも一方主面に至っている。

さらに詳しく見ると、弾性波装置１００は、第１のＩＤＴ電極１１〜１４が形成されている第１素子基板１の主面と、第２のＩＤＴ電極２１〜２４が形成されている第２素子基板２の主面とが、接合層５１〜５４を介して対向している。

そして、第１の配線電極３１〜３４が、第１素子基板１の第１のＩＤＴ電極１１〜１４が形成されている主面に形成されている。また、第２の配線電極４１〜４４が、第２素子基板２の第２のＩＤＴ電極２１〜２４が形成されている主面と、接合層５１〜５４の側面または内部と、第１素子基板１の第１のＩＤＴ電極１１〜１４が形成されている主面に形成されている。

また、第１の配線電極３１〜３４および第２の配線電極４１〜４４が、それぞれ、第１素子基板１に形成された外部接続電極６１〜６８に接続されている。なお、外部接続電極６１〜６８は、それぞれ、第１素子基板１の、端面と、第１のＩＤＴ電極１１〜１４が形成されていない主面に形成されている。

そして、弾性波装置１００は、上述したとおり、配線電極３３と配線電極４１とが、平面視した場合に重なっているが、配線電極３３はグランド配線電極であり、配線電極４１はシグナル配線電極であり、配線電極３３と配線電極４１との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。また、配線電極３４と配線電極４２とが、平面視した場合に重なっているが、配線電極３４はグランド配線電極であり、配線電極４２はシグナル配線電極であり、配線電極３４と配線電極４２との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。また、配線電極３１と配線電極４３とが、平面視した場合に重なっているが、配線電極３１はシグナル配線電極であり、配線電極４３はグランド配線電極であり、配線電極３１と配線電極４３との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。また、配線電極３２と配線電極４４とが、平面視した場合に重なっているが、配線電極３２はシグナル配線電極であり、配線電極４４はグランド配線電極であり、配線電極３２と配線電極４４との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。すなわち、弾性波装置１００は、４つの配線電極重畳部５１Ｐ〜５４Ｐのいずれにおいても、シグナルの干渉が発生することが少ない。したがって、弾性波装置１００は、シグナルの干渉に起因して電気的特性が劣化することが少ない。また、弾性波装置１００を使用した電子装置は、弾性波装置１００の内部でのシグナルの干渉に起因して、誤作動が発生することが少ない。

第１実施形態にかかる弾性波装置１００は、たとえば、次のような製造方法で作製することができる。

まず、第１素子基板１および第２素子基板２を、それぞれ用意する。

次に、第１素子基板１の機能主面に、たとえばフォトリソ技術を使って、ＩＤＴ電極１１〜１４を形成する。同様に、第２素子基板２の機能主面に、たとえばフォトリソ技術を使って、ＩＤＴ電極２１〜２４を形成する。

次に、第１素子基板１に、たとえばフォトリソ技術を使って、配線電極３１〜３４、配線電極４１〜４４、外部接続電極６１〜６８を形成する。同様に、第２素子基板２に、たとえばフォトリソ技術を使って、配線電極４１〜４４を形成する。

次に、第１素子基板１の機能主面上に、感光性樹脂を塗布し、硬化させて、４つの接合層５１〜５４を形成する。

次に、第１素子基板１の機能主面上に形成された接合層５１〜５４に、接着剤（図示せず）などを使って、第２素子基板２を接合させる。

次に、スパッタリング、ＣＶＤ、蒸着などの方法によって、接合層５１の側面に配線電極４１を形成し、接合層５２の側面に配線電極４２を形成し、接合層５３の側面に配線電極４３を形成し、接合層５４の側面に配線電極４４を形成する。接合層５１の側面に形成された配線電極４１は、第１素子基板１に形成された配線電極４１と、第２素子基板２に形成された配線電極４１とを接続する。接合層５２の側面に形成された配線電極４２は、第１素子基板１に形成された配線電極４２と、第２素子基板２に形成された配線電極４２とを接続する。接合層５３の側面に形成された配線電極４３は、第１素子基板１に形成された配線電極４３と、第２素子基板２に形成された配線電極４３とを接続する。接合層５４の側面に形成された配線電極４４は、第１素子基板１に形成された配線電極４４と、第２素子基板２に形成された配線電極４４とを接続する。

最後に、第１素子基板１の実装主面において、外部接続電極６１〜６８上に、それぞれ、たとえばスタッドバンプ法などにより、バンプ７を形成して、第１実施形態にかかる弾性波装置１００を完成させる。

［第２実施形態］
図５に、第２実施形態にかかる弾性波装置２００を示す。ただし、図５は、弾性波装置２００を構成する第１素子基板１と第２素子基板２との積図である。また、図６に、弾性波装置２００の等価回路を示す。

弾性波装置２００は、第１実施形態にかかる弾性波装置１００の構成の一部に変更を加えた。より具体的には、弾性波装置２００では、弾性波装置１００の第１素子基板１の機能主面に形成されていた、ＩＤＴ電極１１〜１４の形成位置を変更した。また、弾性波装置１００では、ＩＤＴ電極１１〜１４から配線電極３１〜３４が引き出されていたが、弾性波装置２００では、配線電極３１〜３４に代えて、ＩＤＴ電極１１〜１４から配線電極７１〜７４を引き出した。また、弾性波装置２００では、弾性波装置１００の外部接続電極６５を削除した。さらに、弾性波装置２００では、弾性波装置１００から、外部接続電極６１、６３の形成位置を変更した。

弾性波装置１００は独立した２つのフィルタ、第１フィルタＦｒ１と第２フィルタＦｒ２とを備えたフィルタアレイであったが、上記変更をおこなったことにより、弾性波装置２００は、第１フィルタＦｒ１と第２フィルタＦｒ２とを備えた、デュプレクサ（マルチプレクサ）を構成している。以下、弾性波装置１００からの変更点を中心にして、弾性波装置２００について説明する。

図５に示すように、第１素子基板１の機能主面に、４組のＩＤＴ電極１１、１２、１３、１４が形成されている。ＩＤＴ電極１１〜１４は、それぞれ、共振器Ｒｅ１１〜Ｒｅ１４を構成している。第１素子基板１に形成されたＩＤＴ電極１１〜１４から、４つの配線電極７１〜７４が引き出されている。

第２素子基板２の機能主面は、第１実施形態にかかる弾性波装置１００の第２素子基板２の機能主面から変更はなく、ＩＤＴ電極２１〜２４と、配線電極４１〜４４が形成されている。

第１素子基板１に形成された配線電極７１〜７４が、外部接続電極６１〜６４に接続されている。より具体的には、配線電極７１が、接合層５１の下側を経由して、外部接続電極６１に接続されている。配線電極７２が、接合層５４の下側を経由して、外部接続電極６２に接続されている。配線電極７３が、接合層５３の下側を経由して、外部接続電極６３に接続されている。配線電極７４が、接合層５２の下側を経由して、外部接続電極６４に接続されている。

第２素子基板２に形成された配線電極４１〜４４が、外部接続電極６１、および、外部接続電極６６〜６８に接続されている。より具体的には、配線電極４１が、接合層５１の上側を経由し、さらに接合層５１の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面に形成された配線電極７１を経由して、外部接続電極６１に接続されている。すなわち、配線電極４１は、途中で配線電極７１に接続されたうえ、配線電極７１を経由して、外部接続電極６１に接続されている。配線電極４２が、接合層５２の上側を経由し、さらに接合層５２の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６６に接続されている。配線電極４３が、接合層５３の上側を経由し、さらに接合層５３の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６７に接続されている。配線電極４４が、接合層５４の上側を経由し、さらに接合層５４の側面を経由し、さらに第１素子基板１の上側主面を経由して、外部接続電極６８に接続されている。

配線電極重畳部５１Ｐでは、接合層５１の下側に配線電極７１が形成され、接合層５１の上側に配線電極４１が形成され、配線電極７１と配線電極４１とが重なっている。

配線電極重畳部５２Ｐでは、接合層５２の下側に配線電極７４が形成され、接合層５２の上側に配線電極４２が形成され、配線電極７４と配線電極４２とが重なっている。

配線電極重畳部５３Ｐでは、接合層５３の下側に配線電極７３が形成され、接合層５３の上側に配線電極４３が形成され、配線電極７３と配線電極４３とが重なっている。

配線電極重畳部５４Ｐでは、接合層５４の下側に配線電極７２が形成され、接合層５４の上側に配線電極４４が形成され、配線電極７２と配線電極４４とが重なっている。

以上の構造からなる第２実施形態にかかる弾性波装置２００は、上述したとおり、図６に示す等価回路を備えている。

弾性波装置２００は、第１フィルタＦｒ１と第２フィルタＦｒ２とを備えている。

第１フィルタＦｒ１は、共振器Ｒｅ１１〜Ｒｅ１４を使って構成されたラダー型フィルタである。

第１フィルタＦｒ１は、外部接続電極６１と外部接続電極６２との間に、共振器Ｒｅ１１と、共振器Ｒｅ１２とが、直列に接続されている。外部接続電極６１と共振器Ｒｅ１１との間は、配線電極７１によって接続されている。共振器Ｒｅ１２と外部接続電極６２との間は、配線電極７２によって接続されている。なお、配線電極７１は、途中に、配線電極４１と接続される接続点Ｙを備えている。

そして、共振器Ｒｅ１１と共振器Ｒｅ１２との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ１３が接続されている。共振器Ｒｅ１３とグランドとの間は、配線電極７３と外部接続電極６３とを経由して接続されている。

また、共振器Ｒｅ１２と外部接続電極６２との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ１４が接続されている。共振器Ｒｅ１４とグランドとの間は、配線電極７４と外部接続電極６４とを経由して接続されている。

第２フィルタＦｒ２は、共振器Ｒｅ２１〜Ｒｅ２４を使って構成されたラダー型フィルタである。

第２フィルタＦｒ２は、外部接続電極６１と外部接続電極６６との間に、共振器Ｒｅ２１と、共振器Ｒｅ２２とが、直列に接続されている。外部接続電極６１と共振器Ｒｅ２１との間は、配線電極７１、接続点Ｙ、配線電極４１を経由して接続されている。共振器Ｒｅ２２と外部接続電極６６との間は、配線電極４２によって接続されている。

共振器Ｒｅ２１と共振器Ｒｅ２２との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ２３が接続されている。共振器Ｒｅ２３とグランドとの間は、配線電極４３と外部接続電極６７とを経由して接続されている。

共振器Ｒｅ２２と外部接続電極６６との接続点と、グランドとの間に、共振器Ｒｅ２４が接続されている。共振器Ｒｅ２４とグランドとの間は、配線電極４４と外部接続電極６８とを経由して接続されている。

図６からわかるように、配線電極７１、配線電極７２、配線電極４１、配線電極４２は、それぞれ、シグナル（信号）の通るシグナル配線電極である。一方、配線電極７３、配線電極７４、配線電極４３、配線電極４４は、それぞれ、一端がグランドに接続されたグランド配線電極である。

上述した配線電極重畳部５１Ｐにおいては、接合層５１の下側に配線電極７１が形成され、接合層５１の上側に配線電極４１が形成され、配線電極７１と配線電極４１とが、平面視した場合に重なっている。配線電極７１と配線電極４１とは、どちらもシグナル配線電極であるが、配線電極７１と配線電極４１とは、接続点Ｙで相互に接続されており、電位が同一のシグナル配線電極同士である。したがって、配線電極７１と配線電極４１との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

配線電極重畳部５２Ｐにおいては、接合層５２の下側に配線電極７４が形成され、接合層５２の上側に配線電極４２が形成され、配線電極７４と配線電極４２とが、平面視した場合に重なっている。しかしながら、配線電極７４はグランド配線電極であり、配線電極４２はシグナル配線電極であり、配線電極７４と配線電極４２との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

配線電極重畳部５３Ｐにおいては、接合層５３の下側に配線電極７３が形成され、接合層５３の上側に配線電極４３が形成され、配線電極７３と配線電極４３とが、平面視した場合に重なっている。しかしながら、配線電極７３と配線電極４３とは、グランド配線電極同士であり、配線電極７３と配線電極４３との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

配線電極重畳部５４Ｐにおいては、接合層５４の下側に配線電極７２が形成され、接合層５４の上側に配線電極４４が形成され、配線電極７２と配線電極４４とが、平面視した場合に上下に重なっている。しかしながら、配線電極７２はシグナル配線電極であり、配線電極４４はグランド配線電極であり、配線電極７２と配線電極４４との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。

以上のように、第２実施形態にかかる弾性波装置２００は、圧電体からなる、または、圧電体からなる層を有する第１素子基板１と、第１素子基板１の一方主面上に形成された第１のＩＤＴ電極１１〜１４と、第１素子基板１上に積層されている、圧電体からなる、または、圧電体からなる層を有する第２素子基板２と、第２素子基板２の一方主面上に形成された第２のＩＤＴ電極２１〜２４と、第１素子基板１と第２素子基板２との間に形成されている、絶縁体からなる接合層５１〜５４と、第１のＩＤＴ電極１１〜１４から引き出された第１の配線電極７１〜７４と、第２のＩＤＴ電極２１〜２４から引き出された第２の配線電極４１〜４４と、を備え、第２の配線電極４１〜４４が、接合層５１〜５４の側面または内部を経由して、第１素子基板１における少なくとも一方主面に至っている。

そして、弾性波装置２００は、上述したとおり、配線電極７１と配線電極４１とが、平面視した場合に重なっており、かつ、どちらもシグナル配線電極であるが、配線電極７１と配線電極４１とは、接続点Ｙで相互に接続されており、電位が同一であるため、配線電極７１と配線電極４１との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。また、配線電極７４と配線電極４２とが、平面視した場合に重なっているが、配線電極７４はグランド配線電極であり、配線電極４２はシグナル配線電極であり、配線電極７４と配線電極４２との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。また、配線電極７３と配線電極４３とが、平面視した場合に重なっているが、配線電極７３と配線電極４３とは、グランド配線電極同士であり、配線電極７３と配線電極４３との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。また、配線電極７２と配線電極４４とが、平面視した場合に上下に重なっているが、配線電極７２はシグナル配線電極であり、配線電極４４はグランド配線電極であり、配線電極７２と配線電極４４との間でシグナルの干渉が発生することが少ない。すなわち、弾性波装置２００は、４つの配線電極重畳部５１Ｐ〜５４Ｐのいずれにおいても、シグナルの干渉が発生することが少ない。したがって、弾性波装置２００は、シグナルの干渉に起因して電気的特性が劣化することが少ない。また、弾性波装置２００を使用した電子装置は、弾性波装置２００の内部でのシグナルの干渉に起因して、誤作動が発生することが少ない。

［第３実施形態］
図７に、第３実施形態にかかる弾性波装置３００を示す。ただし、図７は、弾性波装置３００を構成する第１素子基板１と第２素子基板２との積図である。

弾性波装置３００も、第１実施形態にかかる弾性波装置１００の構成の一部に変更を加えた。より具体的には、弾性波装置１００では、４つの接合層５１〜５４によって、第１素子基板１と第２素子基板２とを接合していたが、弾性波装置３００では、４つの接合層５１〜５４に代えて、１つの環状の接合層５５によって、第１素子基板１と第２素子基板２とを接合した。

弾性波装置３００では、第１素子基板１と、第２素子基板２と、接合層５５とで密閉空間が形成される。弾性波装置３００では、ＩＤＴ電極１１〜１４、２１〜２４が、形成された密閉空間内に形成されており、ＩＤＴ電極１１〜１４、２１〜２４が外部環境（高湿度など）から保護されている。また、弾性波装置３００の周囲を樹脂で封止した場合に、樹脂がＩＤＴ電極１１〜１４、２１〜２４に到達することがなく、樹脂によってＩＤＴ電極１１〜１４、２１〜２４の自由な振動が妨げられることがない。

［第４実施形態］
図８に、第４実施形態にかかる弾性波装置４００を示す。ただし、図８は、弾性波装置４００断面図である。

弾性波装置４００も、第１実施形態にかかる弾性波装置１００の構成の一部に変更を加えた。より具体的には、弾性波装置１００では、第２の配線電極４１が接合層５１の側面を経由し、第２の配線電極４２が接合層５２の側面を経由し、第２の配線電極４３が接合層５３の側面を経由し、第２の配線電極４４が接合層５４の側面を経由していた。これに対し、弾性波装置４００では、接合層５１の内部に第２の配線電極９１を経由させ、接合層５２の内部に第２の配線電極９２を経由させ、接合層５３の内部に第２の配線電極９３を経由させ、接合層５４の内部に第２の配線電極９４を経由させた。

なお、接合層５１〜５４の内部に、第２の配線電極９１〜９４を経由させる方法としては、たとえば、次の方法を採ることができる。

まず、ＩＤＴ電極１１〜１４、第１の配線電極３１〜３４、第２の配線電極９１〜９４が形成された第１素子基板１の上側主面上に、接合層５１〜５４を形成する。次に、接合層５１〜５４に、それぞれ、上下方向に貫通する貫通孔を形成する。このとき、貫通孔の底面に、それぞれ、第１素子基板１の上側主面上に形成された第２の配線電極９１〜９４を露出させる。

次に、各貫通孔に、導電性樹脂ペーストなどの導電性材料を充填する。なお、これらの導電性材料は、接合層５１〜５４の内部を経由する第２の配線電極９１〜９４になる。

次に、ＩＤＴ電極２１〜２４、第２の配線電極９１〜９４が形成された第２素子基板２の下側主面を、接合層５１〜５４に接合させる。そして、第１素子基板１の上側主面に形成された第２の配線電極９１〜９４と、第２素子基板２の下側主面に形成された第２の配線電極９１〜９４とを、それぞれ、接合層５１〜５４の貫通孔に充填された導電性材料によって接続する。なお、導電性材料が硬化性の導電性樹脂ペーストである場合は、適切な時点において、硬化させる。以上により、接合層５１〜５４の内部に、第２の配線電極９１〜９４を経由させることができる。

［第５実施形態］
図９に、第５実施形態にかかる高周波フロントエンドモジュール５００を示す。ただし、図９は、高周波フロントエンドモジュール５００のブロック図である。

高周波フロントエンドモジュール５００は、第２実施形態にかかるデュプレクサ（マルチプレクサ）を構成する弾性波装置２００に、ＲＦＩＣ８０を接続した構成からなる。

高周波フロントエンドモジュール５００は、弾性波装置２００を使用しているため、弾性波装置２００の内部でのシグナルの干渉に起因して、誤作動が発生することが少ない。

［第６実施形態］
図１０に、第６実施形態にかかる通信装置６００を示す。ただし、図１０は、通信装置６００のブロック図である。

通信装置６００は、第５実施形態にかかる高周波フロントエンドモジュール５００に、送信回路８１と、受信回路８２とを接続した構成からなる。通信装置６００は、アンテナ９０を接続して使用される。

通信装置６００は、弾性波装置２００を使用した高周波フロントエンドモジュール５００を使用しているため、弾性波装置２００の内部でのシグナルの干渉に起因して、誤作動が発生することが少ない。

以上、第１実施形態〜第４実施形態にかかる弾性波装置１００、２００、３００、４００、第５実施形態にかかる高周波フロントエンドモジュール５００、第６実施形態にかかる通信装置６００について説明した。しかしながら、本発明の弾性波装置、高周波フロントエンドモジュール、通信装置が、それぞれ、上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。

たとえば、弾性波装置１００、２００、３００、４００において、第１素子基板１の機能面に形成したＩＤＴ電極１１〜１４や、第２素子基板２の機能面に形成したＩＤＴ電極２１〜２４は、あくまでも、本発明を説明するために示した例示である。第１素子基板１の機能主面や、第２素子基板２の機能主面に形成するＩＤＴ電極の個数や、接続方法は任意であり、様々なバリエーションを採用することができる。

また、弾性波装置１００、２００、３００では、配線電極４１〜４３を接合層５１〜５５の側面に形成しているが、これに代えて、弾性波装置４００のように、接合層５１〜５５の内部に形成しても良い。

また、弾性波装置１００、２００、３００、４００には、それぞれ、４つの配線電極重畳部５１Ｐ〜５４Ｐが形成されているが、配線電極重畳部の個数は任意であり、４つより少なくても良く、４つより多くても良い。

１・・・第１素子基板
２・・・第２素子基板
１１、１２、１３、１４、２１、２２、２３、２４・・・ＩＤＴ電極
３１、３２、３３、３４、４１、４２、４３、４４、７１、７２、７３、７４、９１、９２、９３、９４・・・配線電極
５１、５２、５３、５４、５５・・・接合層
５１Ｐ、５２Ｐ、５３Ｐ、５４Ｐ・・・配線電極重畳部
６１、６２、６３、６４、６５、６６、６７、６８・・・外部接続電極
８０・・・ＲＦＩＣ
８１・・・送信回路
８２・・・受信回路
１００、２００、３００、４００・・・弾性波装置
５００・・・高周波フロントエンドモジュール
６００・・・通信装置

Claims (15)

1. 少なくとも一部に圧電性を有する第１素子基板と、
   前記第１素子基板の一方主面上に形成された第１のＩＤＴ電極と、
   前記第１素子基板上に積層されており、少なくとも一部に圧電性を有する第２素子基板と、
   前記第２素子基板の一方主面上に形成された第２のＩＤＴ電極と、
   前記第１素子基板と前記第２素子基板との間に形成されている、絶縁体からなる接合層と、
   前記第１のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも１以上の第１の配線電極と、
   前記第２のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも１以上の第２の配線電極と、を備え、
   第１配線電極と第２配線電極とは、接触しておらず、
   前記第２の配線電極は、前記接合層の側面または内部を経由して、前記第１素子基板における少なくとも一方主面に至っており、
   前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とは、
   平面視した場合に、前記接合層が形成されている領域において重なっており、かつ、
   一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるか、のいずれかである、弾性波装置。
2. 前記第１のＩＤＴ電極が形成されている前記第１素子基板の主面と、前記第２のＩＤＴ電極が形成されている前記第２素子基板の主面とが、前記接合層を介して対向している、請求項１に記載された弾性波装置。
3. 前記第１の配線電極が、少なくとも、前記第１素子基板の前記第１のＩＤＴ電極が形成されている主面に形成され、
   前記第２の配線電極が、少なくとも、前記第２素子基板の前記第２のＩＤＴ電極が形成されている主面と、前記接合層の前記側面または前記内部と、前記第１素子基板の前記第１のＩＤＴ電極が形成されている主面に形成された、請求項２に記載された弾性波装置。
4. 前記第１の配線電極および前記第２の配線電極が、それぞれ、前記第１素子基板に形成された外部接続電極に接続された、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された弾性波装置。
5. 前記外部接続電極が、前記第１素子基板の、少なくとも、端面、および、前記第１のＩＤＴ電極が形成されていない主面に形成された、請求項４に記載された弾性波装置。
6. 前記第１素子基板と前記接合層との間に、前記第１の配線電極が形成され、
   前記第２素子基板と前記接合層との間に、前記第２の配線電極が形成された、請求項１ないし５のいずれか１項に記載された弾性波装置。
7. 前記第１の配線電極は、少なくとも２以上あり、
   前記第２の配線電極は、少なくとも２以上あり、
   平面視した場合に、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とは複数個所で重なっており、
   前記複数個所のいずれにおいても、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とは、一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるか、のいずれかである、請求項１ないし６のいずれか１項に記載された弾性波装置。
8. 前記接合層が複数に分割されている、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された弾性波装置。
9. 前記接合層が環状である、請求項１ないし７のいずれか１項に記載された弾性波装置。
10. 少なくとも一部に圧電性を有する第１素子基板と、
    前記第１素子基板の一方主面上に形成された第１のＩＤＴ電極と、
    前記第１素子基板上に積層されており、少なくとも一部に圧電性を有する第２素子基板と、
    前記第２素子基板の一方主面上に形成された第２のＩＤＴ電極と、
    前記第１素子基板と前記第２素子基板との間に形成されている、絶縁体からなる接合層と、
    前記第１のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも２以上の第１の配線電極と、
    前記第２のＩＤＴ電極から引き出された、少なくとも２以上の第２の配線電極と、を備え、
    前記第２の配線電極は、前記接合層の側面または内部を経由して、前記第１素子基板における少なくとも一方主面に至っており、
    平面視した場合に、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とは複数個所で重なっており、
    前記複数個所のいずれにおいても、前記第１の配線電極と前記第２の配線電極とは、一方がシグナル配線電極で他方がグランド配線電極であるか、グランド配線電極同士であるか、電位が同一のシグナル配線電極同士であるかのいずれかであり、
    前記複数個所は、４つである、弾性波装置。
11. 前記４つの複数個所は前記弾性波装置の４隅である、請求項１０に記載された弾性波装置。
12. 複数の独立したフィルタを備えたフィルタアレイを構成している、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載された弾性波装置。
13. マルチプレクサを構成している、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載された弾性波装置。
14. 請求項１ないし１３のいずれか１項に記載された弾性波装置を備えた、高周波フロントエンドモジュール。
15. 請求項１ないし１３のいずれか１項に記載された弾性波装置、または、請求項１４に記載された高周波フロントエンドモジュールを備えた、通信装置。

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