JP6770574B2 - 波長検出装置 - Google Patents
波長検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6770574B2 JP6770574B2 JP2018518020A JP2018518020A JP6770574B2 JP 6770574 B2 JP6770574 B2 JP 6770574B2 JP 2018518020 A JP2018518020 A JP 2018518020A JP 2018518020 A JP2018518020 A JP 2018518020A JP 6770574 B2 JP6770574 B2 JP 6770574B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- housing
- beam splitter
- etalon
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 143
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 73
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 38
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 7
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 230000008859 change Effects 0.000 description 21
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 17
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 17
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 11
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 6
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002203 sulfidic glass Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0205—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
- G01J3/021—Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows using plane or convex mirrors, parallel phase plates, or particular reflectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J9/0246—Measuring optical wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
- H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J9/00—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength
- G01J9/02—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods
- G01J2009/0257—Measuring optical phase difference; Determining degree of coherence; Measuring optical wavelength by interferometric methods multiple, e.g. Fabry Perot interferometer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
- H01S3/08009—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection using a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
- H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Lasers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Description
本開示の他の1つの観点に係る波長検出装置は、少なくとも1つのエタロンを用いて、レーザ共振器から出力される紫外線レーザ光の波長を検出する波長検出装置において、第1筐体と、入力ウインドウと、第1シール部材と、遮光膜と、第1ビームスプリッタと、集光レンズと、第2筐体と、拡散素子と、を備えている。第1筐体は、エタロンを収容する内部空間が密封された筐体である。入力ウインドウは、前記第1筐体に形成された第1開口に取り付けられ、前記第1筐体内に前記紫外線レーザ光を採り入れる。第1シール部材は、前記入力ウインドウの端縁部と前記第1開口の内周部との間の隙間をシールする。遮光膜は、前記入力ウインドウの端縁部と前記第1シール部材との間に配置され、前記入力ウインドウから前記シール部材に向かう前記紫外線レーザ光を遮光する。第1ビームスプリッタは、前記レーザ共振器から出力された紫外線レーザ光の一部を反射して他の一部を透過する。集光レンズは、前記第1ビームスプリッタが反射する前記紫外線レーザ光の少なくとも一部を集光する。第2筐体は、前記集光レンズを収容する。拡散素子は、前記第2筐体に設けられ、前記入力ウインドウの前段において、前記集光レンズが集光した前記紫外線レーザ光を拡散させる。前記第1筐体は、前記入力ウインドウが配置される第1面を含み、前記第2筐体は、前記第1面と対向する第2面を含む。前記第1面と前記第2面の間には、前記入力ウインドウに対応する位置に開口が形成された断熱材が介挿されている。前記開口の内周に沿って配置され、前記拡散素子から出射して前記断熱材に向かう拡散光を遮光する遮光リングを備えている。
1.比較例に係る波長検出装置を用いる狭帯域化レーザ装置
1.1 レーザチャンバ
1.2 モニタモジュール
1.2.1 第2ユニット
1.2.2 第1ユニット
1.2.2.1 拡散板
1.2.2.2 第1エタロン分光器及び第2エタロン分光器
1.2.2.3 第1筐体
1.3 露光装置
1.4 レーザ制御部
1.5 波長制御部
1.6 動作
2. 課題
3.第1実施形態に係る波長検出装置を用いる狭帯域化レーザ装置
3.1 構成
3.2 動作
3.3 効果
4.第2実施形態に係る波長検出装置
4.1 構成
4.2 効果
4.3 変形例
5.第3実施形態に係る波長検出装置
5.1 構成
5.2 効果
6.第4実施形態に係る波長検出装置
6.1 構成
6.2 効果
7.参考形態に係る波長検出装置
8.その他
図1は、比較例に係る狭帯域化レーザ装置2の構成を模式的に示す。本例において、狭帯域化レーザ装置2は、露光装置4とともに用いられる形態を示す。狭帯域化レーザ装置2は、レーザチャンバ10と、一対の放電電極11a及び11bと、電源12と、狭帯域化モジュール14と、出力結合ミラー15とで構成されるレーザ共振器を含んでいる。レーザ共振器は、紫外線レーザ光であるパルスレーザ光を出力する。本例において、出力結合ミラー15から出力されるパルスレーザ光の進行方向は、Z方向である。一対の放電電極11a及び11bの間の放電方向は、V方向又は−V方向である。これらの両方に垂直な方向はH方向である。
レーザチャンバ10は、例えば、レアガスとしてアルゴンガスやクリプトンガス、ハロゲンガスとしてフッ素ガスや塩素ガス、バッファガスとしてネオンガスやヘリュームガスを含むレーザガスが封入されるチャンバである。レーザチャンバ10の両端にはウインドウ10a及び10bが設けられている。
モニタモジュール16は、レーザ共振器が出力するパルスレーザ光の一部をサンプルし、サンプルしたパルスレーザ光に基づいて、パルスエネルギを検出し、さらに、中心波長を検出する。
第2ユニット18は、レーザ共振器が出力するパルスレーザ光の一部をサンプルする機能と、パルスエネルギを検出する機能とを担う。第2ユニット18は、第1ビームスプリッタ31と、第2ビームスプリッタ32と、エネルギセンサ33と、集光レンズ34とを含んでいる。
第1ユニット17は、パルスレーザ光の中心波長を検出する波長検出機能を担い、波長検出装置に相当する。第1ユニット17は、第1エタロン分光器26と第2エタロン分光器27に加えて、拡散板35と、第3ビームスプリッタ36と、第1筐体37と、センサ収容部38及び39とを含んでいる。第1筐体37は第1筐体に相当し、拡散板35は拡散素子に相当する。
拡散板35は、例えば、パルスレーザ光に対して光透過性を有する平行平板で形成されている。拡散板35は、光入射側の面に拡散面35aが形成されている。拡散面35aは、粗面化処理を施すことにより形成したものであり、多数の凹凸を有する。粗面化処理は、例えば、サンドブラスト加工により行われる。拡散板35は、入射したパルスレーザ光を拡散面35aで散乱させることにより拡散させ、拡散光として出射する。拡散板35から出射された拡散光としてのパルスレーザ光は、第3ビームスプリッタ36に入射する。
第3ビームスプリッタ36は、拡散板35から出射された拡散光の光路に配置される。第3ビームスプリッタ36は、拡散板35から出射された拡散光の一部を透過し、拡散板35から出射された拡散光の他の一部を反射する。
mλ=2nd・cosθ ・・・・・・式(1)
ここで、λはレーザ光の波長、nはエアギャップの屈折率、dは部分反射面の間隔、mは整数である。
FSR=λ2/(2nd) ・・・・・・式(2)
FSRf<FSRc ・・・・・・・・式(3)
R=FSR/F ・・・・・・・・・・式(4)
ここで、Fはフィネスである。
第1筐体37は、第3ビームスプリッタ36と、第1エタロン26aと、第2エタロン27aとを収容する。第1筐体37の壁面には、拡散板35、集光レンズ26b、集光レンズ27bのそれぞれの光学素子に対応した開口が形成されており、各光学素子は各開口に取り付けられている。
露光装置4は、露光装置制御部4aを含んでいる。露光装置制御部4aは、図示しないウエハステージの移動などの制御を行う。露光装置制御部4aは、レーザ制御部20に対し、目標中心波長λTのデータと、目標パルスエネルギETのデータと、発振トリガ信号とを出力する。目標中心波長λTのデータは、発振トリガ信号と同期して、1パルス毎にレーザ制御部20に入力される。
レーザ制御部20は、露光装置制御部4aから受信した目標中心波長λTのデータを、波長制御部21に送信する。レーザ制御部20は、露光装置制御部4aから受信した目標パルスエネルギETのデータと、エネルギセンサ33から受信したパルスエネルギのデータとを参照して、電源12における充電電圧の設定値を制御する。レーザ制御部20が電源12における充電電圧の設定値を制御することにより、パルスレーザ光の各パルスのパルスエネルギが制御される。
波長制御部21は、エネルギセンサ33から検出信号を受信した場合に、第1エタロン分光器26及び第2エタロン分光器27のそれぞれのラインセンサ26c及び27cに対して出力トリガを出力する。ラインセンサ26c及び27cは、出力トリガを受信すると、干渉縞の光強度分布を表す検出信号を波長制御部21に出力する。波長制御部21は、ラインセンサ26c及び27cからそれぞれ検出信号を取得し、パルスレーザ光のパルス毎の中心波長λを算出する。
レーザ制御部20は、露光装置4から目標パルスエネルギETと目標中心波長λTのデータを受信する。レーザ制御部20は、目標パルスエネルギETとなるように、電源12の充電電圧の設定値を制御する。レーザ制御部20は、目標中心波長λTのデータを波長制御部21に送信する。
図2に示すように、拡散板35に入射するパルスレーザ光は拡散面35aで散乱され、拡散光として出射される。拡散光は、第3ビームスプリッタ36に向かう光ばかりでなく、その一部は、拡散板35の端縁部35bに向かい、端縁部35bと対面するOリング41に照射される。Oリング41に照射される光の経路としては、拡散面35aから直接的に端縁部35bと対面するOリング41に向かう経路の他に、拡散板35の内部で全反射を繰り返して端縁部35bと対面するOリング41に向かう経路がある。
3.1 構成
図3は、第1実施形態に係る波長検出装置を用いる狭帯域化レーザ装置2Aの構成を概略的に示す。狭帯域化レーザ装置2Aは、図1を参照しながら説明した狭帯域化レーザ装置2のモニタモジュール16に代えて、モニタモジュール16Aを備えている点で異なる。狭帯域化モジュール14、レーザ共振器、レーザ制御部20、及び波長制御部21の構成は、狭帯域化レーザ装置2の構成と同様であるため、同一符号を付して説明を省略する。
出力結合ミラー15から出力されたパルスレーザ光は、第1ビームスプリッタ31を高透過して、透過したパルスレーザ光が露光装置4に出力される。第1ビームスプリッタ31は、入射したパルスレーザ光の一部を反射してサンプルする。
第1筐体37において、入力ウインドウ51の端縁部51bには遮光膜53が設けられている。入力ウインドウ51に入射した光の一部が端縁部51bに向かっても、ほとんどの光は遮光膜53によって反射される。そのため、紫外線であるパルスレーザ光がOリング41に照射されるのが抑制され、その結果、Oリング41の劣化が抑制される。Oリング41の劣化が抑制されるため、Oリング41の耐用期間が延びるため、遮光膜53が無い比較例よりも、第1筐体37の密封を維持した状態で使用可能な期間を延長することができる。
4.1 構成
図6に示す第2実施形態に係る波長検出装置は、図4に示す第1実施形態と基本的な構成と同じであり、相違点は以下の部分である。すなわち、第2実施形態においては、アルミニウム製の第1筐体37の内壁面及び外壁面にはニッケルメッキ56が施されており、かつ、第1筐体37の内壁面においてニッケルメッキ56が施された部分を覆うカバー部材57が設けられている点である。ニッケルメッキ56は、例えば無電解ニッケルメッキ処理によって形成される。無電解ニッケルメッキ処理により、膜厚を均一化することができる上、複雑な形状にも対応できる。また、カバー部材57は、アルミニウム又はステンレスで形成され、表面にニッケルメッキ等の表面処理が施されていないカバー部材である。
アルミニウム製の第1筐体37の表面は、比較的柔らかいため、ネジ穴37cやOリング41を収容する溝37bなどの部分は、ニッケルメッキによって表面処理が施されるのが好ましい。ニッケルメッキにより耐摩耗性が向上して、摩耗による削り屑の発生が抑制され、また、溝37bの摩耗によるシール不良の発生が抑制されるためである。上述のとおり、削り屑が生じると、削り屑がOリング41に付着して、シール不良を発生させる場合があるので、溝37bなど、第1筐体37内において削り屑が発生することは好ましくない。また、シール不良はガス漏れを生じさせるため、波長計測精度を不安定にする。ニッケルメッキを施すことにより、こうした不都合を解消することができる。
なお、同様の目的から、第1筐体37内に配置される、第3ビームスプリッタ36、第1エタロン26a及び第2エタロン27aのそれぞれのホルダ36a等についても、ニッケルメッキなしのアルミニウム又はステンレスで形成されることが好ましい。
5.1 構成
図7に示す第3実施形態に係る波長検出装置は、第1筐体37内の内部温度を制御する温度制御システムが設けられている点が、図6に示す第2実施形態との主な相違点である。温度制御システムは、温度センサ63、温度制御部64、ヒータ電源65及びヒータ66で構成される。また、第2ユニット18Aは、第1ビームスプリッタ31、第2ビームスプリッタ32、エネルギセンサ33、集光レンズ34及び拡散板52を収容する第2筐体61を有している。
稼働中において、第2筐体61内に不活性ガスを常時流すことにより、第2筐体61の内部空間で発生するアウトガス(例えば、蒸発した有機物など)を排出することができる。これにより、第1ビームスプリッタ31、第2ビームスプリッタ32、集光レンズ34及び拡散板52等の光学素子の曇りが抑制される。また、不活性ガスを流すことにより、第2筐体61内に水蒸気が進入した場合でも、これを排出することができる。これにより光学素子の結露が抑制される。さらに、狭帯域化レーザ装置2AがArFエキシマレーザである場合に出射される波長が193.4nmの紫外線レーザ光は、酸素に吸収されて減衰する特性を有している。そのため、不活性ガスを流して第2筐体61内から酸素を排出することにより、波長が193.4nmの紫外線レーザ光の減衰を抑制することができる。
6.1 構成
図10に示す第4実施形態に係る波長検出装置は、モニタモジュール16Bが、第1ユニット17Aと第2ユニット18Bとで構成される。第4実施形態は、第2ユニット18B内の第1ビームスプリッタ71及び第2ビームスプリッタ72等の配置が、上記各実施形態との主要な相違点である。なお、図10において図示されていないが、モニタモジュール16Bは、上記各実施形態と同様に、図3に示す狭帯域化レーザ装置2Aに組み込まれており、出力結合ミラー15(図3等参照)が、露光装置4に向けて出力するパルスレーザ光の一部をサンプルする。第1ユニット17Aの構成については、第3実施形態と同様である。
図11及び図12に示すように、第1ビームスプリッタ71の入射面(Z−V平面)と第2ビームスプリッタ72の入射面(V−H平面)を直交させ、かつ、パルスレーザ光を、各ビームスプリッタ71及び72に対して同じ入射角で入射させる。その結果、第1ビームスプリッタ71への入射光量に含まれるs偏光及びp偏光の割合が変化した場合であっても、第2ビームスプリッタ72によって反射されるs偏光及びp偏光を含むトータルの出射光量を一定にすることができる。
Lout=Lin(α・Rsβ・Rpβ+(1−α)・Rpβ・Rsβ)
=Lin・Rsβ・Rpβ ・・・・・・・・・・・・・・・・・式(5)
図15に示す参考形態に係る波長検出装置は、図1に示す比較例に係る波長検出装置と基本的な構成は同様であり、拡散板35の端縁部に図4に示す第1実施形態の遮光膜53が設けられている点が異なる。このように比較例の拡散板52に対して遮光膜53を追加すれば、パルスレーザ光がOリング41に照射されるのを防止して、Oリング41の劣化を抑制するという効果は期待できる。もちろん、参考形態では拡散板35の交換時には。第1筐体37の密封を破る必要があるため、上記各実施形態で示した拡散板52のように、拡散板52を第1筐体37の外側に配置することが好ましい。
上記各実施形態において、第1筐体37内に複数個のエタロン26a、27aを配置した波長検出装置を例に説明したが、エタロンが複数個ある必要はなく、少なくとも1つのエタロンを用いた波長検出装置に本発明を適用してもよい。
Claims (15)
- 少なくとも1つのエタロンを用いて、レーザ共振器から出力される紫外線レーザ光の波長を検出する波長検出装置において、
前記エタロンを収容する内部空間が密封された第1筐体と、
前記第1筐体に形成された第1開口に取り付けられ、前記第1筐体内に前記紫外線レーザ光を採り入れる入力ウインドウと、
前記入力ウインドウの端縁部と前記第1開口の内周部との間の隙間をシールする第1シール部材と、
前記入力ウインドウの端縁部と前記第1シール部材との間に配置され、前記入力ウインドウから前記第1シール部材に向かう前記紫外線レーザ光を遮光する遮光膜と、
前記第1筐体の外側に配置され、前記入力ウインドウの前段において、前記紫外線レーザ光を拡散させる拡散素子と、
を備え、
前記第1筐体はアルミニウム製であり、前記第1筐体の内壁面及び外壁面の少なくとも一部にはニッケルメッキが施されており、かつ、
前記第1筐体の前記内壁面において前記ニッケルメッキが施された部分を覆うカバー部材であって、アルミニウム又はステンレスで形成され、表面に前記ニッケルメッキが施されていないカバー部材が設けられている波長検出装置。 - 少なくとも1つのエタロンを用いて、レーザ共振器から出力される紫外線レーザ光の波長を検出する波長検出装置において、
前記エタロンを収容する内部空間が密封された第1筐体と、
前記第1筐体に形成された第1開口に取り付けられ、前記第1筐体内に前記紫外線レーザ光を採り入れる入力ウインドウと、
前記入力ウインドウの端縁部と前記第1開口の内周部との間の隙間をシールする第1シール部材と、
前記入力ウインドウの端縁部と前記第1シール部材との間に配置され、前記入力ウインドウから前記第1シール部材に向かう前記紫外線レーザ光を遮光する遮光膜と、
前記レーザ共振器から出力された紫外線レーザ光の一部を反射して他の一部を透過する第1ビームスプリッタと、
前記第1ビームスプリッタが反射する前記紫外線レーザ光の少なくとも一部を集光する集光レンズと、
前記集光レンズを収容する第2筐体と、
前記第2筐体に設けられ、前記入力ウインドウの前段において、前記集光レンズが集光した前記紫外線レーザ光を拡散させる拡散素子と、
を備え、
前記第1筐体は、前記入力ウインドウが配置される第1面を含み、前記第2筐体は、前記第1面と対向する第2面を含み、
前記第1面と前記第2面の間には、前記入力ウインドウに対応する位置に開口が形成された断熱材が介挿されており、
前記開口の内周に沿って配置され、前記拡散素子から出射して前記断熱材に向かう拡散光を遮光する遮光リングを備えている波長検出装置。 - 前記遮光膜の材料はアルミニウムであり、前記遮光膜には、前記第1シール部材と当接する面に保護膜が設けられている請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記拡散素子は、前記紫外線レーザ光を透過する平行平板の少なくとも一面が粗面化された拡散板である請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記入力ウインドウの材料は、合成石英である請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記遮光膜は、紫外線に対する吸収率よりも反射率が高い反射膜である請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記第1シール部材は、弾性を有する樹脂で形成されたOリングである請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記第1筐体の外周面に配置され、前記内部空間の温度を調節するヒータと、
前記内部空間の温度を測定する温度センサと、
前記温度センサで測定された温度に基づいて、前記ヒータの駆動を制御する温度制御部とを、備えている請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。 - 前記エタロンとして、第1エタロンと、前記第1エタロンよりも分解能が高い第2エタロンの2つのエタロンを備えている請求項1又は請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記第1筐体の外部に配置され、前記第1エタロンを透過した前記紫外線レーザ光の第1透過光を撮像する第1イメージセンサと、
前記第1筐体の外部に配置され、前記第2エタロンを透過した前記紫外線レーザ光の第2透過光を撮像する第2イメージセンサと、
前記第1筐体に形成された第2開口に取り付けられ、前記第1透過光を前記第1筐体の外部に出力するウインドウであって、前記第1透過光を前記第1イメージセンサに集光する集光レンズとして機能する第1出力ウインドウと、
前記第1筐体に形成された第3開口に取り付けられ、前記第2透過光を前記第1筐体の外部に出力するウインドウであって、前記第2透過光を前記第2イメージセンサに集光する集光レンズとして機能する第2出力ウインドウと、
前記第1出力ウインドウの端縁部と前記第2開口の内周部との間の隙間をシールする第2シール部材と、
前記第2出力ウインドウの端縁部と前記第3開口の内周部との間の隙間をシールする第3シール部材と、
を備える請求項9に記載の波長検出装置。 - 前記拡散素子は、前記集光レンズの後段において、前記集光レンズの焦点位置から外れた位置に配置される請求項2に記載の波長検出装置。
- 前記拡散素子は、前記第2面に配置された請求項2に記載の波長検出装置。
- さらに、前記第2筐体内において、前記第1ビームスプリッタの後段に配置され、前記第1ビームスプリッタで反射した前記紫外線レーザ光の一部を反射して他の一部を透過する第2ビームスプリッタを備えており、
前記第1ビームスプリッタと前記第2ビームスプリッタは、前記紫外線レーザ光のそれぞれの入射角が一致し、かつ、それぞれの入射面が直交するように配置されている請求項2に記載の波長検出装置。 - 前記第1ビームスプリッタと前記第2ビームスプリッタへの前記紫外線レーザ光のそれぞれの入射角は45°である請求項13に記載の波長検出装置。
- 前記第2ビームスプリッタを透過した透過光を吸収するビームダンパを備えている請求項13に記載の波長検出装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2016/064877 WO2017199395A1 (ja) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | 波長検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017199395A1 JPWO2017199395A1 (ja) | 2019-03-22 |
JP6770574B2 true JP6770574B2 (ja) | 2020-10-14 |
Family
ID=60326441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518020A Active JP6770574B2 (ja) | 2016-05-19 | 2016-05-19 | 波長検出装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10890484B2 (ja) |
JP (1) | JP6770574B2 (ja) |
CN (1) | CN109073463B (ja) |
WO (1) | WO2017199395A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109314366A (zh) * | 2016-07-22 | 2019-02-05 | 极光先进雷射株式会社 | 窄带化KrF准分子激光装置 |
JP6267755B1 (ja) * | 2016-07-26 | 2018-01-24 | 株式会社日本製鋼所 | レーザアニール加工装置、半導体装置の製造方法およびアモルファスシリコンの結晶化方法 |
JP7078723B2 (ja) | 2018-07-05 | 2022-05-31 | ギガフォトン株式会社 | エネルギ計測装置及びエキシマレーザ装置 |
CN109818251A (zh) * | 2019-01-22 | 2019-05-28 | 昂纳信息技术(深圳)有限公司 | 一种波长锁定装置与系统 |
CN111289124B (zh) | 2020-03-31 | 2021-03-05 | 北京科益虹源光电技术有限公司 | 激光器波长测量装置及方法 |
CN114577889B (zh) * | 2020-12-01 | 2024-08-20 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 一种调控分析仪器用的射频灯光强的方法 |
TWI805043B (zh) * | 2021-01-21 | 2023-06-11 | 住華科技股份有限公司 | 表面保護膜的評估方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01123491A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Nikon Corp | レーザ発振装置 |
JPH01183871A (ja) | 1988-01-19 | 1989-07-21 | Mitsubishi Electric Corp | レーザ装置 |
JP3644506B2 (ja) * | 1991-12-16 | 2005-04-27 | 株式会社小松製作所 | 紫外線レーザ装置 |
JP3289321B2 (ja) * | 1992-07-07 | 2002-06-04 | 松下電器産業株式会社 | チップ形アルミ電解コンデンサ |
JP2579539Y2 (ja) * | 1992-09-08 | 1998-08-27 | 株式会社小松製作所 | エキシマレーザ用ウインドウ |
JP2743234B2 (ja) * | 1992-09-28 | 1998-04-22 | 株式会社小松製作所 | 波長制御装置 |
JP3219879B2 (ja) * | 1992-12-21 | 2001-10-15 | 株式会社小松製作所 | 波長検出装置 |
JPH07120326A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Komatsu Ltd | 波長検出装置 |
US5991324A (en) * | 1998-03-11 | 1999-11-23 | Cymer, Inc. | Reliable. modular, production quality narrow-band KRF excimer laser |
US6757316B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-06-29 | Cymer, Inc. | Four KHz gas discharge laser |
US6426966B1 (en) * | 1999-02-10 | 2002-07-30 | Lambda Physik Ag | Molecular fluorine (F2) laser with narrow spectral linewidth |
US6539046B2 (en) * | 1998-10-02 | 2003-03-25 | Cymer, Inc. | Wavemeter for gas discharge laser |
JP4017277B2 (ja) * | 1999-02-10 | 2007-12-05 | 株式会社小松製作所 | 真空紫外レーザ |
JP2000266605A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Komatsu Ltd | 紫外レーザの波長測定装置 |
JP2001042369A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Ushio Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk | 波長変換ユニット |
JP2003185502A (ja) * | 2001-12-18 | 2003-07-03 | Gigaphoton Inc | レーザ装置及び波長検出方法 |
JP2003214958A (ja) * | 2002-01-21 | 2003-07-30 | Gigaphoton Inc | 波長検出装置、レーザ装置及び波長検出方法 |
JP2006184077A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Komatsu Ltd | 受光部のスペックル軽減機能を有する分光器 |
JP4736633B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | レーザ照射装置 |
JP2008251913A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Hoya Candeo Optronics株式会社 | 耐紫外線材料、ならびにこれを用いたシール部材、緩衝部材、遮光部材、光源装置、及び処理装置 |
CN101718701A (zh) * | 2009-12-02 | 2010-06-02 | 江苏天瑞仪器股份有限公司 | 用于icp光谱仪的恒温单色器箱体 |
EP2856092B1 (en) | 2012-05-30 | 2019-08-28 | IPG Photonics Corporation | Laser power sensor |
WO2014156407A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | ギガフォトン株式会社 | レーザ光の波長を制御する方法およびレーザ装置 |
WO2016084263A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化レーザ装置 |
-
2016
- 2016-05-19 JP JP2018518020A patent/JP6770574B2/ja active Active
- 2016-05-19 WO PCT/JP2016/064877 patent/WO2017199395A1/ja active Application Filing
- 2016-05-19 CN CN201680084506.2A patent/CN109073463B/zh active Active
-
2018
- 2018-10-03 US US16/150,298 patent/US10890484B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10890484B2 (en) | 2021-01-12 |
CN109073463A (zh) | 2018-12-21 |
WO2017199395A1 (ja) | 2017-11-23 |
JPWO2017199395A1 (ja) | 2019-03-22 |
CN109073463B (zh) | 2021-01-12 |
US20190033133A1 (en) | 2019-01-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6770574B2 (ja) | 波長検出装置 | |
US6442182B1 (en) | Device for on-line control of output power of vacuum-UV laser | |
JP4763471B2 (ja) | レーザチャンバのウィンドウ劣化判定装置および方法 | |
US7196796B2 (en) | Wavelength detecting apparatus, laser apparatus, and wavelength detecting method | |
US5929981A (en) | System for monitoring contamination of optical elements in a Raman gas analyzer | |
US8054446B2 (en) | EUV lithography apparatus and method for determining the contamination status of an EUV-reflective optical surface | |
US7965756B2 (en) | Optical element for gas laser and gas laser apparatus using the same | |
US10916910B2 (en) | Line narrowing module | |
US20190107438A1 (en) | LINE-NARROWED KrF EXCIMER LASER APPARATUS | |
JP2007256242A (ja) | 赤外線式ガス検知器 | |
KR101709820B1 (ko) | 레이저 시스템용 계측 모듈 | |
US20180323568A1 (en) | Line narrowed laser apparatus | |
JPH07128231A (ja) | 赤外線式ガスセンサー | |
JP2002005737A (ja) | 光検出装置 | |
JP2003214949A (ja) | モニタ装置及び紫外線レーザ装置 | |
JP5358142B2 (ja) | ガスレーザ用光学素子及びそれを用いたガスレーザ装置 | |
JP2000266605A (ja) | 紫外レーザの波長測定装置 | |
JPH1038793A (ja) | 光学的測定装置 | |
JP5611913B2 (ja) | レーザ装置用エネルギー測定装置及びそれに用いられる光拡散板のエージング方法 | |
JP4699640B2 (ja) | 真空紫外レーザ装置の波長測定装置 | |
JP5007455B2 (ja) | 拡散板のエージング方法 | |
US11841267B2 (en) | Energy measuring apparatus and excimer laser apparatus | |
JP2001156374A (ja) | 狭帯域化フッ素レーザ装置及びフッ素露光装置 | |
Saito et al. | Measurement of total integrated scatter of optical coatings for 157-nm lithography | |
CN115702528A (zh) | 气体激光装置和电子器件的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A527 Effective date: 20181010 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200428 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20200625 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200819 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200908 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6770574 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |