JP6758065B2 - 放射性標識化合物の製造装置及び製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、放射性標識化合物の製造装置及び製造方法に関する。
放射性標識化合物は、放射性同位元素で標識した化合物であり、放射性同位元素（核種）を所定の標識前駆体化合物に導入する工程などを経て製造され、放射性薬剤などとして用いられる。
特許文献１、２には、放射性標識化合物の製造に用いられる製造装置について記載されている。
特許文献１、２には、放射性標識化合物の製造に用いられる製造装置について記載されている。
特許文献３には、放射性標識化合物を合成する際に放出される排ガス中に含まれる放射性物質を、発塵量の少ない活性炭素繊維フィルタと圧損の少ない除塵フィルタとを含むフィルタユニットを用いて除去する方法について記載されている。
特許文献３の技術によれば、放射性物質をフィルタユニットによって除去することが可能であるが、依然として発塵の可能性がある。
本発明は、上記の課題に鑑みなされたものであり、排ガス中に含まれる放射性物質の濃度を、発塵を抑制しつつ十分に低下させることが可能な放射性標識化合物の製造装置及び製造方法を提供するものである。
本発明によれば、非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造装置であって、前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部と、前記合成部から排ガスが導入される排ガス処理容器と、前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管と、前記排ガス処理容器から排気を行う排気管と、を備え、前記排ガス処理容器にはモレキュラーシーブスが貯留されており、前記導入管の先端は、前記排ガス処理容器内において前記モレキュラーシーブスを貯留している貯留領域の底部に配置され、前記排気管における前記排ガス処理容器の内側の端部は、前記貯留領域よりも上側に配置されており、前記排気管における前記排ガス処理容器の外側の端部は大気開放している放射性標識化合物の製造装置が提供される。
また、本発明によれば、非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造方法であって、前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部からの排ガスを、モレキュラーシーブスが貯留されている排ガス処理容器に対して導入管を介して導入し、当該排ガス処理容器内に滞留させる工程と、前記滞留させる工程の後、前記排ガス処理容器内のガスを、排気管を介して大気放出する工程と、を備え、前記導入管の先端は、前記排ガス処理容器内において前記モレキュラーシーブスを貯留している貯留領域の底部に配置され、前記排気管における前記排ガス処理容器の内側の端部は、前記貯留領域よりも上側に配置されており、前記排気管における前記排ガス処理容器の外側の端部は大気開放している放射性標識化合物の製造方法が提供される。
本発明によれば、排ガス中に含まれる放射性物質の濃度を、発塵を抑制しつつ十分に低下させることが可能である。
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
〔第１の実施形態〕
図１は実施形態に係る放射性標識化合物の製造装置１００（以下、単に製造装置１００）の模式図である。
図１に示すように、製造装置１００は、非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する装置である。この製造装置１００は、放射性標識化合物の合成が行われる合成部（反応容器１０１）と、合成部から排ガスが導入される排ガス処理容器１３０と、を備えている。排ガス処理容器１３０にはモレキュラーシーブス１３３が貯留されている。
図１は実施形態に係る放射性標識化合物の製造装置１００（以下、単に製造装置１００）の模式図である。
図１に示すように、製造装置１００は、非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する装置である。この製造装置１００は、放射性標識化合物の合成が行われる合成部（反応容器１０１）と、合成部から排ガスが導入される排ガス処理容器１３０と、を備えている。排ガス処理容器１３０にはモレキュラーシーブス１３３が貯留されている。
製造装置１００を用いて製造される放射性標識化合物は、特に限定されないが、有機化合物が好ましい。また、標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素は、特に限定されないが、短半減期の放射性同位元素が好ましく、一例として、１８Ｆ又は１１Ｃを例示することができる。
排ガス処理容器１３０に貯留されているモレキュラーシーブス１３３は、柱形（例えば長柱形）に成形されたペレットタイプであることが望ましい。ただし、ペレットタイプ以外のモレキュラーシーブス１３３、たとえばビーズタイプ又はパウダータイプのモレキュラーシーブス１３３が貯留されていても良いし、ペレットタイプ、ビーズタイプ及びパウダータイプのモレキュラーシーブス１３３のうちのいずれか２種以上が排ガス処理容器１３０内に併存していても良い。
本実施形態によれば、排ガス処理容器１３０に貯留されているモレキュラーシーブス１３３によって、合成部（反応容器１０１）からの排ガス中に含まれる放射性物質を吸着することができるので、排ガス中に含まれる放射性物質の濃度を、発塵を抑制しつつ十分に低下させることが可能となる。
〔第２の実施形態〕
本実施形態では、製造装置１００のより具体的な構成の例を説明する。本実施形態でも、引き続き、図１を用いた説明を行う。
本実施形態では、製造装置１００のより具体的な構成の例を説明する。本実施形態でも、引き続き、図１を用いた説明を行う。
図１に示すように、製造装置１００は、反応容器１０１からの排ガスを処理する排ガス処理部１２０を備えている。排ガス処理部１２０は、排ガス処理容器１３０を含んで構成されている。
排ガス処理容器１３０は、例えば、上端に開口を有する有底筒状の本体部１３１と、本体部１３１の上端の開口を閉塞する状態で当該本体部１３１の上端部に気密に装着されている蓋部１３２と、を備えて構成されている。
本体部１３１は、内部にモレキュラーシーブス１３３を貯留している。本体部１３１の内部空間における下部は、モレキュラーシーブス１３３を貯留する貯留領域１３４となっている。
本体部１３１の内部空間における上部は、モレキュラーシーブス１３３が貯留されていない非貯留領域１３５となっている。
なお、貯留領域１３４の高さ寸法の方が非貯留領域１３５の高さ寸法よりも大きくても良いし、貯留領域１３４の高さ寸法よりも非貯留領域１３５の高さ寸法の方が大きくても良い。
本体部１３１は、内部にモレキュラーシーブス１３３を貯留している。本体部１３１の内部空間における下部は、モレキュラーシーブス１３３を貯留する貯留領域１３４となっている。
本体部１３１の内部空間における上部は、モレキュラーシーブス１３３が貯留されていない非貯留領域１３５となっている。
なお、貯留領域１３４の高さ寸法の方が非貯留領域１３５の高さ寸法よりも大きくても良いし、貯留領域１３４の高さ寸法よりも非貯留領域１３５の高さ寸法の方が大きくても良い。
蓋部１３２には、当該蓋部１３２を貫通している２つの貫通孔、すなわち第１貫通孔１３２ａ及び第２貫通孔１３２ｂが形成されている。
蓋部１３２の第１貫通孔１３２ａには、中空管１４１が挿通されている。中空管１４１の一端（上端）は、排ガス処理容器１３０の外部（蓋部１３２よりも上側）に位置し、中空管１４１の他端（下端）は、排ガス処理容器１３０の内部（蓋部１３２よりも下側）に位置している。
同様に、蓋部１３２の第２貫通孔１３２ｂには、中空管１４２が挿通されている。中空管１４２の一端（上端）は、排ガス処理容器１３０の外部（蓋部１３２よりも上側）に位置し、中空管１４２の他端（下端）は、排ガス処理容器１３０の内部（蓋部１３２よりも下側）に位置している。
中空管１４１には、当該中空管１４１を軸方向に貫通している貫通孔１４１ａが形成されており、中空管１４２には、当該中空管１４２を軸方向に貫通している貫通孔１４２ａが形成されている。
中空管１４１の外周面は、第１貫通孔１３２ａの内周壁面に対して、直接、又は、図示しないシール材を介するなどして、気密に密着している。同様に、中空管１４２の外周面は、第２貫通孔１３２ｂの内周壁面に対して、気密に密着している。
同様に、蓋部１３２の第２貫通孔１３２ｂには、中空管１４２が挿通されている。中空管１４２の一端（上端）は、排ガス処理容器１３０の外部（蓋部１３２よりも上側）に位置し、中空管１４２の他端（下端）は、排ガス処理容器１３０の内部（蓋部１３２よりも下側）に位置している。
中空管１４１には、当該中空管１４１を軸方向に貫通している貫通孔１４１ａが形成されており、中空管１４２には、当該中空管１４２を軸方向に貫通している貫通孔１４２ａが形成されている。
中空管１４１の外周面は、第１貫通孔１３２ａの内周壁面に対して、直接、又は、図示しないシール材を介するなどして、気密に密着している。同様に、中空管１４２の外周面は、第２貫通孔１３２ｂの内周壁面に対して、気密に密着している。
排ガス処理容器１３０は、特に限定されないが、例えば、市販のモレキュラーシーブスが充填されている容器を用いることができ、当該容器の上蓋に２つの孔（第１貫通孔１３２ａ、第２貫通孔１３２ｂ）を形成し、これら孔にそれぞれ中空管１４１、１４２を装着することができる。
中空管１４２の貫通孔１４２ａを介して、排ガス処理容器１３０の内部空間は、排ガス処理容器１３０の外部空間と連通している。これにより、中空管１４２は、排ガス処理容器１３０から排気を行う排気管として機能する。
すなわち、製造装置１００は、排ガス処理容器１３０から排気を行う排気管を備え、排気管における排ガス処理容器１３０の外側の端部は大気開放している。
すなわち、製造装置１００は、排ガス処理容器１３０から排気を行う排気管を備え、排気管における排ガス処理容器１３０の外側の端部は大気開放している。
このため、排ガス処理容器１３０に対する排気の導入と並行して、排ガス処理容器１３０からの排気を行うことができる。
ここで、モレキュラーシーブス１３３は、吸着した物質を徐放的に放出する（徐放性を有する）ため、モレキュラーシーブス１３３の種類と量を適宜に調節することによって、モレキュラーシーブス１３３による吸着量とモレキュラーシーブス１３３からの放出量とのバランスを取ることができる。これにより、モレキュラーシーブス１３３を交換することなく排ガス処理容器１３０の使用可能な期間を長期間化することができ、例えば、半永久的に排ガス処理容器１３０を継続使用することも可能である。特に、標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素の半減期が短い場合には、排ガスにける放射線濃度を十分に低減させた後で、排ガスを大気放出することが可能となる。
排ガス処理容器１３０からの排ガスにおける放射線濃度が所定のバックグラウンドレベル以下となるように、排ガス処理容器１３０には十分量のモレキュラーシーブス１３３が貯留されていることが好ましい。
ここで、モレキュラーシーブス１３３は、吸着した物質を徐放的に放出する（徐放性を有する）ため、モレキュラーシーブス１３３の種類と量を適宜に調節することによって、モレキュラーシーブス１３３による吸着量とモレキュラーシーブス１３３からの放出量とのバランスを取ることができる。これにより、モレキュラーシーブス１３３を交換することなく排ガス処理容器１３０の使用可能な期間を長期間化することができ、例えば、半永久的に排ガス処理容器１３０を継続使用することも可能である。特に、標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素の半減期が短い場合には、排ガスにける放射線濃度を十分に低減させた後で、排ガスを大気放出することが可能となる。
排ガス処理容器１３０からの排ガスにおける放射線濃度が所定のバックグラウンドレベル以下となるように、排ガス処理容器１３０には十分量のモレキュラーシーブス１３３が貯留されていることが好ましい。
製造装置１００は、反応容器１０１側から排ガス処理容器１３０内に排ガスを導入させる導入管１２５を備えている。
導入管１２５の先端１２５ａは、排ガス処理容器１３０内においてモレキュラーシーブス１３３を貯留している貯留領域１３４の底部に配置されている。
一方、排気管である中空管１４２における排ガス処理容器１３０の内側の端部（中空管１４２の下端）は、貯留領域１３４よりも上側に配置されている。中空管１４２の下端は、蓋部１３２の下面近傍に配置されていることが好ましい一例である。
このような構成により、反応容器１０１からの排ガスが排ガス処理容器１３０内に供給されてから、排ガス処理容器１３０から排気されるまでの期間の長さを十分に確保することができる。
導入管１２５の先端１２５ａは、排ガス処理容器１３０内においてモレキュラーシーブス１３３を貯留している貯留領域１３４の底部に配置されている。
一方、排気管である中空管１４２における排ガス処理容器１３０の内側の端部（中空管１４２の下端）は、貯留領域１３４よりも上側に配置されている。中空管１４２の下端は、蓋部１３２の下面近傍に配置されていることが好ましい一例である。
このような構成により、反応容器１０１からの排ガスが排ガス処理容器１３０内に供給されてから、排ガス処理容器１３０から排気されるまでの期間の長さを十分に確保することができる。
導入管１２５は、排ガス処理容器１３０の外部から、中空管１４１の貫通孔１４１ａを通して排ガス処理容器１３０の内部に導入されている。
より具体的には、導入管１２５は、例えば、フッ素樹脂等の樹脂チューブ、又は、内面にフッ素樹脂のコート層を有する樹脂チューブの先端部に鈍針を接続することにより構成することができ、この場合、導入管１２５の最先端は、鈍針の先端となる。好ましくは、この鈍針の先端が排ガス処理容器１３０の本体部１３１の底面上に配置されている。
なお、導入管１２５の外周面は、中空管１４１の貫通孔１４１ａの内周壁面に対して、直接、又は、図示しないシール材を介するなどして、気密に密着している。
これにより、排ガス処理容器１３０の内部空間は、導入管１２５又は中空管１４２のみを介して外部空間と連通している。
より具体的には、導入管１２５は、例えば、フッ素樹脂等の樹脂チューブ、又は、内面にフッ素樹脂のコート層を有する樹脂チューブの先端部に鈍針を接続することにより構成することができ、この場合、導入管１２５の最先端は、鈍針の先端となる。好ましくは、この鈍針の先端が排ガス処理容器１３０の本体部１３１の底面上に配置されている。
なお、導入管１２５の外周面は、中空管１４１の貫通孔１４１ａの内周壁面に対して、直接、又は、図示しないシール材を介するなどして、気密に密着している。
これにより、排ガス処理容器１３０の内部空間は、導入管１２５又は中空管１４２のみを介して外部空間と連通している。
より詳細には、排ガス処理部１２０は、例えば、反応容器（合成部）１０１の内部を減圧する真空ポンプ１２３と、三方切替バルブ１２２と、反応容器１０１と三方切替バルブ１２２とを相互に接続している第１配管（例えば、配管１４３、配管１４４等により構成される）と、三方切替バルブ１２２と真空ポンプ１２３とを相互に接続している配管（第２配管）１４５と、三方切替バルブ１２２と排ガス処理容器１３０とを相互に接続していて反応容器１０１側から排ガス処理容器１３０内に排ガスを導入させる導入管（つまり上述の導入管１２５）を備えている。
上述の第１配管は、例えば、配管１４３と、当該第１配管の途中に設けられた第１捕集トラップ１２１と、配管１４４と、を含んで構成されている。
反応容器１０１及び第１捕集トラップ１２１は、例えば、蓋付きのバイアル（バイアル瓶）により構成されている。
配管１４３の一端部は、反応容器１０１の蓋を貫通して反応容器１０１の内部に導入されており、他端部は、第１捕集トラップ１２１の蓋を貫通して第１捕集トラップ１２１の内部に導入されている。
配管１４４の一端部は、第１捕集トラップ１２１の蓋を貫通して第１捕集トラップ１２１の内部に導入されており、他端部は、三方切替バルブ１２２の第１ポート１２２ａに接続されている。
導入管１２５の一端部は、三方切替バルブ１２２の第２ポート１２２ｂに接続されている。
また、配管１４５の一端部は、三方切替バルブ１２２の第３ポート１２２ｃに接続されており、他端部は、真空ポンプ１２３の吸気側に接続されている。
そして、三方切替バルブ１２２は、第１ポート１２２ａと第２ポート１２２ｂとを相互に連通させる状態と、第１ポート１２２ａと第３ポート１２２ｃとを相互に連通させる状態と、に切り替わり可能に構成されている。
すなわち、三方切替バルブ１２２は、反応容器１０１と真空ポンプ１２３とを相互に連通させるとともに排ガス処理容器１３０側を遮断する第１状態と、反応容器１０１と排ガス処理容器１３０とを相互に連通させるとともに真空ポンプ１２３側を遮断する第２状態と、に切り替わり可能である。
よって、反応容器１０１内を減圧状態にするときには、反応容器１０１からの排ガスを、排ガス処理容器１３０を通さずに、真空ポンプ１２３及び第２捕集トラップ１２４を通る経路とする一方で、反応容器１０１内を減圧状態にしないときには、反応容器１０１からの排ガスを、排ガス処理容器１３０を通して排気する、といったことが可能となる。
上述の第１配管は、例えば、配管１４３と、当該第１配管の途中に設けられた第１捕集トラップ１２１と、配管１４４と、を含んで構成されている。
反応容器１０１及び第１捕集トラップ１２１は、例えば、蓋付きのバイアル（バイアル瓶）により構成されている。
配管１４３の一端部は、反応容器１０１の蓋を貫通して反応容器１０１の内部に導入されており、他端部は、第１捕集トラップ１２１の蓋を貫通して第１捕集トラップ１２１の内部に導入されている。
配管１４４の一端部は、第１捕集トラップ１２１の蓋を貫通して第１捕集トラップ１２１の内部に導入されており、他端部は、三方切替バルブ１２２の第１ポート１２２ａに接続されている。
導入管１２５の一端部は、三方切替バルブ１２２の第２ポート１２２ｂに接続されている。
また、配管１４５の一端部は、三方切替バルブ１２２の第３ポート１２２ｃに接続されており、他端部は、真空ポンプ１２３の吸気側に接続されている。
そして、三方切替バルブ１２２は、第１ポート１２２ａと第２ポート１２２ｂとを相互に連通させる状態と、第１ポート１２２ａと第３ポート１２２ｃとを相互に連通させる状態と、に切り替わり可能に構成されている。
すなわち、三方切替バルブ１２２は、反応容器１０１と真空ポンプ１２３とを相互に連通させるとともに排ガス処理容器１３０側を遮断する第１状態と、反応容器１０１と排ガス処理容器１３０とを相互に連通させるとともに真空ポンプ１２３側を遮断する第２状態と、に切り替わり可能である。
よって、反応容器１０１内を減圧状態にするときには、反応容器１０１からの排ガスを、排ガス処理容器１３０を通さずに、真空ポンプ１２３及び第２捕集トラップ１２４を通る経路とする一方で、反応容器１０１内を減圧状態にしないときには、反応容器１０１からの排ガスを、排ガス処理容器１３０を通して排気する、といったことが可能となる。
より詳細には、排ガス処理部１２０は、真空ポンプ１２３の排気側に設けられた第２捕集トラップ１２４を更に備えている。
第２捕集トラップ１２４は、例えば、蓋付きのバイアル（バイアル瓶）により構成されており、配管１４６を介して真空ポンプ１２３と接続されている。すなわち、配管１４６の一端部は、真空ポンプ１２３の排気側に接続されており、他端部は、第２捕集トラップ１２４の蓋を貫通して第２捕集トラップ１２４の内部に導入されている。
更に、排ガス処理部１２０は、第２捕集トラップ１２４の蓋を貫通している配管１４７を備えている。
第２捕集トラップ１２４は、例えば、蓋付きのバイアル（バイアル瓶）により構成されており、配管１４６を介して真空ポンプ１２３と接続されている。すなわち、配管１４６の一端部は、真空ポンプ１２３の排気側に接続されており、他端部は、第２捕集トラップ１２４の蓋を貫通して第２捕集トラップ１２４の内部に導入されている。
更に、排ガス処理部１２０は、第２捕集トラップ１２４の蓋を貫通している配管１４７を備えている。
このため、三方切替バルブ１２２を第１状態に切り替えるとともに真空ポンプ１２３を稼働させることにより、反応容器１０１から、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、配管１４５、真空ポンプ１２３、配管１４６、第２捕集トラップ１２４及び配管１４７を介して排気を行うことができる。
一方、三方切替バルブ１２２を第２状態に切り替えることにより、反応容器１０１からの排気を、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２及び導入管１２５を介して、排ガス処理容器１３０内に導入することができる。
排ガス処理容器１３０の内部空間は、中空管１４２を介して、常時、外部空間と連通しているため、反応容器１０１からの排気が排ガス処理容器１３０に導入されるのと並行して、中空管１４２を介して排ガス処理容器１３０からの排気が行われる。
排ガス処理容器１３０の内部空間は、中空管１４２を介して、常時、外部空間と連通しているため、反応容器１０１からの排気が排ガス処理容器１３０に導入されるのと並行して、中空管１４２を介して排ガス処理容器１３０からの排気が行われる。
なお、第１捕集トラップ１２１は、バイアル等の空容器により構成されており、反応容器１０１からの排気に含まれる溶媒（水分を含む）等を捕集する機能を有する。これにより、真空ポンプ１２３に水分等が流入してしまうことを抑制できるため、真空ポンプ１２３の長寿命化に寄与する。
また、第２捕集トラップ１２４は、第１捕集トラップ１２１と同様にバイアル等の空容器により構成されており、第１捕集トラップ１２１により捕集できなかった溶媒（水分を含む）等を捕集する機能を有する。よって、配管１４７を介して大気放出される排気中に含まれる溶媒等の量を低減することができる。
また、第２捕集トラップ１２４は、第１捕集トラップ１２１と同様にバイアル等の空容器により構成されており、第１捕集トラップ１２１により捕集できなかった溶媒（水分を含む）等を捕集する機能を有する。よって、配管１４７を介して大気放出される排気中に含まれる溶媒等の量を低減することができる。
製造装置１００は、例えば、三方切替バルブ１２２の動作制御を行う制御部１５０を更に備えている。制御部１５０は、反応容器１０１に標識前駆体化合物を導入するタイミングで、三方切替バルブ１２２を第１状態から第２状態に切り替える制御が可能である。このタイミングについては、後述する他の実施形態においてより詳細に説明する。
なお、製造装置１００の全体は、図示しないチャンバー内に収容されており、チャンバーの外部空間と内部空間とは気密に遮蔽されている。
〔第３の実施形態〕
次に、主に図２を参照して第３の実施形態を説明する。本実施形態に係る製造装置１００の基本構造（排ガス処理部１２０以外の部分）は、例えば、特許文献１に記載されている薬剤製造システムと同様であるが、以下、簡単に説明する。
次に、主に図２を参照して第３の実施形態を説明する。本実施形態に係る製造装置１００の基本構造（排ガス処理部１２０以外の部分）は、例えば、特許文献１に記載されている薬剤製造システムと同様であるが、以下、簡単に説明する。
本実施形態に係る製造装置１００は、様々な化合物の合成や精製に対応しうるように構成されている。
本実施形態の場合、制御部１５０は、三方切替バルブ１２２だけでなく、製造装置１００の他の構成要素についても動作制御を行う。製造装置１００は、制御部１５０の制御下で製造装置１００の各構成要素の動作制御を行うことにより、所定の放射性標識化合物の製造に必要な各工程を自動的に行って、当該所定の放射性標識化合物を自動的に製造することが可能に構成されている。より具体的には、モータ等の電気部品の動作制御を制御部１５０が行うことによって、所定の放射性標識化合物が自動的に製造される。
本実施形態の場合、制御部１５０は、三方切替バルブ１２２だけでなく、製造装置１００の他の構成要素についても動作制御を行う。製造装置１００は、制御部１５０の制御下で製造装置１００の各構成要素の動作制御を行うことにより、所定の放射性標識化合物の製造に必要な各工程を自動的に行って、当該所定の放射性標識化合物を自動的に製造することが可能に構成されている。より具体的には、モータ等の電気部品の動作制御を制御部１５０が行うことによって、所定の放射性標識化合物が自動的に製造される。
図２に示すように、製造装置１００は、各種の構成要素が搭載されるキャビネット４０を備えている。キャビネット４０には、製造装置１００を用いて製造される化合物の種類や製造の方法などに応じた構成要素が搭載されている。なお、製造装置１００は、キャビネット４０に搭載された複数のモジュール（不図示）を備えていても良い。この場合、複数のモジュールは、上下に並んで配置（縦積みで配置）されていても良いし、水平方向に並んで配置されていても良いし、上下に並んで配置されたモジュールと水平方向に並んで配置されたモジュールとが混在していても良い。ただし、製造装置１００は、複数のモジュールを含んでいなくても良い。
製造装置１００は、放射性標識化合物の製造過程で用いられる液体の流路上に複数の三方活栓６２を備えていることが一般的である。これら三方活栓６２は、キャビネット４０に対して着脱可能に設けられていてもよいし、着脱不能に固定的に設けられていてもよい。
一例として、製造装置１００には、複数の三方活栓６２を直列に備える流路カートリッジ６０が着脱可能に設けられている。この場合、キャビネット４０の前面上部には、流路カートリッジ６０の液溜６１を保持するカートリッジ保持部（不図示）が設けられている。
なお、本発明は、この例に限らず、要求される機能を充足する限りにおいて、流路切り替えバルブとしては、三方活栓に代えて二方活栓を用いても良い。
一例として、製造装置１００には、複数の三方活栓６２を直列に備える流路カートリッジ６０が着脱可能に設けられている。この場合、キャビネット４０の前面上部には、流路カートリッジ６０の液溜６１を保持するカートリッジ保持部（不図示）が設けられている。
なお、本発明は、この例に限らず、要求される機能を充足する限りにおいて、流路切り替えバルブとしては、三方活栓に代えて二方活栓を用いても良い。
キャビネット４０の前面には、それぞれ対応する三方活栓６２を保持する複数のバルブホルダ（不図示）が設けられている。キャビネット４０内には、各バルブホルダと対応する複数のモータが設けられており、各バルブホルダには各モータの回転軸が連結されている。モータが駆動することにより、対応するバルブホルダが回転するとともに、当該バルブホルダによって保持されている三方活栓６２が回転し、流路カートリッジ６０が構成する流路が切り替えられるようになっている。
いくつかの三方活栓６２には、シリンジ６３が連結されるようになっている。また、キャビネット４０の前面には、シリンジ６３を保持するシリンジ保持部（不図示）が設けられている。
キャビネット４０内には、シリンジ６３のプランジャをモータやバネなどで移動させるシリンジ駆動機構（不図示）が設けられており、シリンジ６３からの液の排出やシリンジ６３への液の吸入を自動的に行うことが可能となっている。
キャビネット４０内には、シリンジ６３のプランジャをモータやバネなどで移動させるシリンジ駆動機構（不図示）が設けられており、シリンジ６３からの液の排出やシリンジ６３への液の吸入を自動的に行うことが可能となっている。
キャビネット４０に設けられたモータ等の電気的に駆動する部品（電気部品）は、制御部１５０から出力される制御信号によって動作制御される。したがって、流路の切り替え等の動作は、制御部１５０の制御下で自動的に行うことができる。
また、キャビネット４０の前面側には、放射性標識化合物の製造過程で用いられる液体の入出力ポート（不図示）が設けられていても良い。入出力ポートの奥には液体に様々な処理を行う構成要素が搭載されていてもよい。一例として、例えば液温を調節する構成要素や、液圧を上昇させるポンプなどが搭載されていてもよい。
流路カートリッジ６０は、放射性標識化合物の製造過程で用いられる液体の流路の少なくとも一部分を構成するものである。流路カートリッジ６０は、例えば、相互に連結された複数の三方活栓６２と、三方活栓６２に装着されたシリンジ６３と、三方活栓６２に装着された陰イオン交換カラム１０などのカラムと、最上位置の三方活栓６２の上側に連結された液溜６１と、を備えている。
なお、流路カートリッジ６０が上部に液溜６１を備えることや、図示される陰イオン交換カラム１０やシリンジ６３の位置や数、三方活栓６２の数、隣接する三方活栓までの距離などは、全て例示であり、具体的な要望に応じて様々に変更可能である。
なお、製造装置１００は、図示しないプラスチックチューブ等の流路構成部材を含んでおり、三方活栓６２、陰イオン交換カラム１０、入出力ポートなどに対して、適宜に流路構成部材が接続されることにより、流路が構成されている。
プラスチックチューブ等により構成された流路に設けられたバルブ類の動作も制御部１５０によって自動制御されるようになっていることが好ましい。
なお、製造装置１００は、図示しないプラスチックチューブ等の流路構成部材を含んでおり、三方活栓６２、陰イオン交換カラム１０、入出力ポートなどに対して、適宜に流路構成部材が接続されることにより、流路が構成されている。
プラスチックチューブ等により構成された流路に設けられたバルブ類の動作も制御部１５０によって自動制御されるようになっていることが好ましい。
流路カートリッジ６０は、反応容器１０１、ターゲット水回収バイアル１０２、廃液トラップバイアル１０３、医薬品原料回収バイアル１０４等の各々に対して接続されている。これらの接続により、各シリンジ６３からの試薬の供給や、陰イオン交換カラム１０により精製された溶液の供給、さらにこれらの残存液の廃棄など、各バイアルへの液の共有や廃棄を行なうことができるようになっている。さらに、ガスの供給、廃棄も行なうことができるようになっている。
また、流路カートリッジ６０は、キャビネット４０に設けられているガス供給ピンチバルブ（不図示）にも接続されている。これにより、ヘリウム等の不活性ガスを流路カートリッジ６０へ供給することが可能とされ、反応容器１０１にヘリウムガスを供給するなどして、不活性ガス下での反応を行なうことができるようになっている。
また、流路カートリッジ６０は、キャビネット４０に設けられているガス廃棄ピンチバルブ（不図示）にも接続されている。これにより、真空ポンプ１２３による吸引が可能となり、流路中の流体の移動を吸引力によって行なうことができるようになっている。
なお、図２に示されるガス供給部１０５、ターゲット回収液供給部１０７は、例えば、キャビネット４０に内蔵されている。排ガス処理部１２０（図２、図１）の構成のうち、例えば、三方切替バルブ１２２はキャビネット４０に搭載されており、他の構成（第１捕集トラップ１２１、真空ポンプ１２３、第２捕集トラップ１２４及び排ガス処理容器１３０は、キャビネット４０の外部に配置されている。
製造装置１００は、さらに、医薬品原料回収バイアル１０４の上側に配置されたカラム管８２、三方活栓８１、捕集器具２１、捕集器具２２、捕集器具２３、フィルタ８３、流路構成部材８５等を備えており、これらはこの順に上下に並んで配置され、且つ、直列に接続されている。
カラム管８２は、相対的に大径に形成されている上側部分と、相対的に細径に形成されている下側部分と、を含んで構成されている。製造装置１００は、カラム管８２の上側部分の下部を保持する保持部８４を備えている。
カラム管８２は、相対的に大径に形成されている上側部分と、相対的に細径に形成されている下側部分と、を含んで構成されている。製造装置１００は、カラム管８２の上側部分の下部を保持する保持部８４を備えている。
製造装置１００を用いて製造される放射性標識化合物の好適な一例としては、ＰＥＴ（ポジトロン断層法）やＳＰＥＣＴ（単一光子放射断層撮影）を用いた核医学検査で使用される短寿命の放射性標識化合物が挙げられる。ただし、製造装置１００によりその他の放射性標識化合物を製造しても良い。
〔第４の実施形態〕
本実施形態では、第３の実施形態で説明した製造装置１００を用い、放射性同位元素である１８Ｆを原料として、放射性標識化合物の一種である２−［１８Ｆ］フルオロ−２−デオキシ−Ｄ−グルコース（以下、ＦＤＧという）を製造する方法について説明する。
本実施形態では、第３の実施形態で説明した製造装置１００を用い、放射性同位元素である１８Ｆを原料として、放射性標識化合物の一種である２−［１８Ｆ］フルオロ−２−デオキシ−Ｄ−グルコース（以下、ＦＤＧという）を製造する方法について説明する。
図２に示すように、キャビネット４０の前面側には、１２個の三方活栓６２を上下に直列に備える流路カートリッジ６０が保持されている。このため、キャビネット４０の前面側には、１２個のバルブホルダが上下に並ぶ配置で設けられている。
これら１２個の三方活栓６２の各々は、図２において、アルファベットが内側に記載された丸で示されている。以下の説明では、各三方活栓６２を特定するために、丸内に記載されているアルファベット（ａ〜ｌ）で各三方活栓６２を呼称する場合がある。
これら１２個の三方活栓６２の各々は、図２において、アルファベットが内側に記載された丸で示されている。以下の説明では、各三方活栓６２を特定するために、丸内に記載されているアルファベット（ａ〜ｌ）で各三方活栓６２を呼称する場合がある。
キャビネット４０の前面側には、例えば、６つのシリンジ６３が設けられており、これらシリンジ６３は、例えば、それぞれ以下に説明する容量となっており、以下に説明する溶液が充填されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、最上位置の三方活栓６２（ａ）、及び、上から２番目の三方活栓６２（ｂ）の各々には、容量が５ｍｌのシリンジ６３が接続されており、これらシリンジ６３にはそれぞれ水（Ｈ２Ｏ）が充填されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から３番目の三方活栓６２（ｃ）には、容量が１ｍｌのシリンジ６３が接続されており、このシリンジ６３には、炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）が充填されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から５番目の三方活栓６２（ｆ）には、容量が２．５ｍｌのシリンジ６３が接続されており、このシリンジ６３には、塩酸が充填されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から８番目の三方活栓６２（ｈ）には、容量が１ｍｌのシリンジ６３が接続されており、このシリンジ６３には、標識前駆体化合物（マンノーストリフレート）のアセトニトリル溶液が充填されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から９番目の三方活栓６２（ｉ）には、容量が２．５ｍｌのシリンジ６３が接続されており、このシリンジ６３には、相間移動触媒（Ｋ．２２２）のアセトニトリル含有溶液が充填されている。
また、流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から４番目の三方活栓６２（ｄ）には、陰イオン交換カラム１０が接続されている。
また、流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、最上位置の三方活栓６２（ａ）は、液溜６１を経由して、ターゲット回収液供給部１０７、ガス供給部１０５および排ガス処理部１２０に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から４番目の三方活栓６２（ｄ）は、陰イオン交換カラム１０を介して、上から１１番目の三方活栓６２（ｋ）に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から５番目の三方活栓６２（ｅ）は、ガス供給部１０５に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から７番目の三方活栓６２（ｇ）は、医薬品原料回収部１１０が備えるカラム管８２に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から１０番目の三方活栓６２（ｊ）は、昇降装置を備えた反応容器１０１に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、最下位置の三方活栓６２（ｌ）は、ターゲット水回収バイアル１０２と廃液トラップバイアル１０３に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から４番目の三方活栓６２（ｄ）は、陰イオン交換カラム１０を介して、上から１１番目の三方活栓６２（ｋ）に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から５番目の三方活栓６２（ｅ）は、ガス供給部１０５に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から７番目の三方活栓６２（ｇ）は、医薬品原料回収部１１０が備えるカラム管８２に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、上から１０番目の三方活栓６２（ｊ）は、昇降装置を備えた反応容器１０１に接続されている。
流路カートリッジ６０の三方活栓６２のうち、最下位置の三方活栓６２（ｌ）は、ターゲット水回収バイアル１０２と廃液トラップバイアル１０３に接続されている。
医薬品原料回収部１１０は、上下に直列に接続されている４連のカラムを備えている。
このうち最上位置のカラムであるカラム管８２は、イオン遅滞樹脂が充填されていてＨ＋を吸着するＨ＋トラップである。
上から２番目のカラムである捕集器具２１は、脂溶性化合物を化学的に吸着するＣ１８逆相カラムである。
上から３番目のカラムである捕集器具２２及び上から４番目のカラムである捕集器具２３の各々は、アルミナベースの充填剤が充填されていて、未反応の１８Ｆを静電的に吸着する。
なお、上述のように、カラム管８２は、三方活栓８１を介して捕集器具２１に接続されている。また、捕集器具２３は、フィルタ８３を介して、医薬品原料回収バイアル１０４に接続されている。
このうち最上位置のカラムであるカラム管８２は、イオン遅滞樹脂が充填されていてＨ＋を吸着するＨ＋トラップである。
上から２番目のカラムである捕集器具２１は、脂溶性化合物を化学的に吸着するＣ１８逆相カラムである。
上から３番目のカラムである捕集器具２２及び上から４番目のカラムである捕集器具２３の各々は、アルミナベースの充填剤が充填されていて、未反応の１８Ｆを静電的に吸着する。
なお、上述のように、カラム管８２は、三方活栓８１を介して捕集器具２１に接続されている。また、捕集器具２３は、フィルタ８３を介して、医薬品原料回収バイアル１０４に接続されている。
排ガス処理容器１３０中に貯留されているモレキュラーシーブスのサイズは、特に限定されないが、１３ｘ（１／１６）又は４Ａ（１／１６）であることが好ましく、このうち１３ｘ（１／１６）であることが特に好ましい。
また、排ガス処理容器１３０中に貯留されているモレキュラーシーブス１３３の量は、特に限定されないが、例えば、２５０ｇ以上であることが好ましく、５００ｇ以上であることが更に好ましい。
また、モレキュラーシーブス１３３がペレットタイプであることにより、排ガス中の非吸着物質（放射性物質を含む）をモレキュラーシーブス１３３が吸着した状態における排ガス処理容器１３０の圧損の増大を抑制でき、また、モレキュラーシーブス１３３の取り扱い性が良好となる。
また、排ガス処理容器１３０中に貯留されているモレキュラーシーブス１３３の量は、特に限定されないが、例えば、２５０ｇ以上であることが好ましく、５００ｇ以上であることが更に好ましい。
また、モレキュラーシーブス１３３がペレットタイプであることにより、排ガス中の非吸着物質（放射性物質を含む）をモレキュラーシーブス１３３が吸着した状態における排ガス処理容器１３０の圧損の増大を抑制でき、また、モレキュラーシーブス１３３の取り扱い性が良好となる。
なお、排ガス処理部１２０の真空ポンプ１２３には、図１に示す以外に、必要各所と配管を介して接続されており、必要各所からの排気が可能となっている。
次に、ＦＤＧの合成反応の流れを説明する。
先ず、サイクロトロンあるいは加速器のターゲット部で製造された１８Ｆ核種を含む１８Ｏ水が、ガス圧力によって、ターゲット回収液供給部１０７（ＨＦ溶液回収部）から、液溜６１に供給される。なお、１８Ｏ水を搬送してきたガスは、排ガス処理部１２０へ送られる。
ターゲット回収液供給部１０７から液溜６１に供給された回収液（１８Ｏ水）は、ガス供給部１０５からのガス圧力で液溜６１から押し出され、三方活栓６２（ｄ）を経由して陰イオン交換カラム１０に送られる。
さらに、１８Ｏ水は、陰イオン交換カラム１０を通過した後、三方活栓６２（ｋ）及び三方活栓６２（ｌ）をこの順に通過して、ターゲット水回収バイアル１０２に回収される。この際に、１８Ｏ水に含まれる１８Ｆ核種は陰イオン交換カラム１０に吸着され、１８Ｏ水と分離される。
次に、三方活栓６２（ｂ）に接続されているシリンジ６３を動作させることにより、当該シリンジ６３から水（１．５ｍＬ）を押し出し、この水を三方活栓６２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、陰イオン交換カラム１０、三方活栓６２（ｋ）、（ｌ）を経由して廃液トラップバイアル１０３に廃棄して、陰イオン交換カラム１０を洗浄する。
これにより、陰イオン交換カラム１０に含まれる微量の不純物を除去する。さらにガス供給部１０５から供給されるヘリウムガスを三方活栓６２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、陰イオン交換カラム１０、三方活栓６２（ｋ）、（ｌ）、廃液トラップバイアル１０３を経由して排ガス処理部１２０に排気する。
これにより、陰イオン交換カラム１０に含まれる微量の不純物を除去する。さらにガス供給部１０５から供給されるヘリウムガスを三方活栓６２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、陰イオン交換カラム１０、三方活栓６２（ｋ）、（ｌ）、廃液トラップバイアル１０３を経由して排ガス処理部１２０に排気する。
次に、真空ポンプ１２３の真空圧により、三方活栓６２（ｃ）に接続されているシリンジ６３から炭酸カリウム溶液が陰イオン交換カラム１０に導入される。なお、シリンジ６３が完全に押し切られたあと、炭酸カリウム溶液は、ガス供給部１０５からのガスにより圧送されることにより、全量が三方活栓６２（ｄ）を経由して陰イオン交換カラム１０に導入され、さらに、三方活栓６２（ｋ）、（ｊ）を経由して、陰イオン交換カラム１０から１８Ｆが溶出され、１８Ｆを含む溶液が反応部１０８の反応容器１０１に回収される。
次に、真空ポンプ１２３の真空圧により、三方活栓６２（ｉ）に接続されているシリンジ６３から相間移動触媒溶液が、三方活栓６２（ｊ）を経由して、反応容器１０１に供給される。なお、シリンジ６３が完全に押し切られたあと、相間移動触媒溶液は、ガス供給部１０５から三方活栓６２（ｅ）に導入されるヘリウムガスに圧送されることにより、全量が反応容器１０１に供給される。
溶液が完全に反応容器１０１に送られた後、加熱器１１１により反応容器１０１を加熱する。この工程は、溶液から水分と溶媒が除去される（溶液からの水分と溶媒の蒸散が行われる）第１蒸散工程である。この第１蒸散工程は、後述するフッ素化標識反応の前処理工程である溶媒置換の工程である。
この第１蒸散工程の際には、溶媒等は排ガス処理部１２０に排出される。すなわち、制御部１５０の制御下で、三方切替バルブ１２２が、反応容器１０１と真空ポンプ１２３とを相互に連通させるとともに排ガス処理容器１３０側を遮断する第１状態に切り替わるとともに、真空ポンプ１２３が稼働する。これにより、反応容器１０１からの溶媒等は、配管１４３を通じて、第１捕集トラップ１２１に捕集される。
この第１蒸散工程の際には、溶媒等は排ガス処理部１２０に排出される。すなわち、制御部１５０の制御下で、三方切替バルブ１２２が、反応容器１０１と真空ポンプ１２３とを相互に連通させるとともに排ガス処理容器１３０側を遮断する第１状態に切り替わるとともに、真空ポンプ１２３が稼働する。これにより、反応容器１０１からの溶媒等は、配管１４３を通じて、第１捕集トラップ１２１に捕集される。
次に、三方活栓６２（ｈ）に接続されているシリンジ６３から、原料を含むアセトニトリル溶液が吐出され、三方活栓６２（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）を介して反応容器１０１に導入される。なお、この溶液は、ガス供給部１０５から三方活栓６２（ｅ）に導入されるヘリウムガスによって、全量が反応容器１０１に送られる。
第１蒸散工程により、溶媒が除去されることにより、溶媒中で溶解していた放射性核種が排ガスとして反応容器１０１内に発生する。そして、第１蒸散工程の終了後、原料を含むアセトニトリル溶液が反応容器１０１に導入される前のタイミングで、制御部１５０の制御下で、三方切替バルブ１２２が、反応容器１０１と排ガス処理容器１３０とを相互に連通させるとともに真空ポンプ１２３側を遮断する第２状態に切り替わる。これにより、減圧状態だった反応容器１０１は、大気圧下となる。そして、原料を含むアセトニトリル溶液が反応容器１０１に導入されることで、導入方向に加圧されることとなり、このため、反応容器１０１からの排ガスは、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、導入管１２５を介して、排ガス処理容器１３０の本体部１３１の底部に導入される。
このように、制御部１５０は、反応容器１０１に標識前駆体化合物を導入するタイミングで、三方切替バルブ１２２を第１状態から第２状態に切り替える制御が可能である。ここで、三方切替バルブ１２２を第１状態から第２状態に切り替える際に、真空ポンプ１２３の稼働は停止させなくてもよいし、停止させてもよい。
なお、反応容器１０１からの排ガスが本体部１３１内に導入されるのと並行して、本体部１３１の上端部の排ガスは、中空管１４２を介して排ガス処理容器１３０の外部に排気される。
このように、制御部１５０は、反応容器１０１に標識前駆体化合物を導入するタイミングで、三方切替バルブ１２２を第１状態から第２状態に切り替える制御が可能である。ここで、三方切替バルブ１２２を第１状態から第２状態に切り替える際に、真空ポンプ１２３の稼働は停止させなくてもよいし、停止させてもよい。
なお、反応容器１０１からの排ガスが本体部１３１内に導入されるのと並行して、本体部１３１の上端部の排ガスは、中空管１４２を介して排ガス処理容器１３０の外部に排気される。
次に、反応容器１０１が密閉された後、公知の方法によりフッ素化標識反応が行われる。
フッ素化標識反応の終了後、再び、制御部１５０の制御下で、三方切替バルブ１２２が第１状態に切り替わるとともに、真空ポンプ１２３が稼働する。
次に、加熱器１１１により反応容器１０１が加熱されることにより、反応容器１０１中の水分と溶媒の蒸散が行われる（第２蒸散工程が行われる）。
したがって、第２蒸散工程中も、第１蒸散工程中と同様に、反応容器１０１からの排ガスは、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、配管１４５、真空ポンプ１２３、配管１４６、第２捕集トラップ１２４及び配管１４７をこの順に介して排気される。
次に、加熱器１１１により反応容器１０１が加熱されることにより、反応容器１０１中の水分と溶媒の蒸散が行われる（第２蒸散工程が行われる）。
したがって、第２蒸散工程中も、第１蒸散工程中と同様に、反応容器１０１からの排ガスは、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、配管１４５、真空ポンプ１２３、配管１４６、第２捕集トラップ１２４及び配管１４７をこの順に介して排気される。
上記の第２蒸散工程の終了後、再び、制御部１５０の制御下で、真空ポンプ１２３の稼働が停止するとともに、三方切替バルブ１２２が第２状態に切り替わる。
次に、三方活栓６２（ｆ）に接続されているシリンジ６３から塩酸が吐出され、三方活栓（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）を介して反応容器１０１に導入される。なお、この塩酸は、ガス供給部１０５から三方活栓６２（ｅ）に導入されるヘリウムガスによって、全量が反応容器１０１に送られる。
このように反応容器１０１に塩酸が導入される工程中は、原料を含むアセトニトリル溶液が反応容器１０１に導入される工程中と同様に、反応容器１０１からの排ガスは、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、導入管１２５を介して、排ガス処理容器１３０の本体部１３１に導入される。
次に、三方活栓６２（ｆ）に接続されているシリンジ６３から塩酸が吐出され、三方活栓（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）を介して反応容器１０１に導入される。なお、この塩酸は、ガス供給部１０５から三方活栓６２（ｅ）に導入されるヘリウムガスによって、全量が反応容器１０１に送られる。
このように反応容器１０１に塩酸が導入される工程中は、原料を含むアセトニトリル溶液が反応容器１０１に導入される工程中と同様に、反応容器１０１からの排ガスは、配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、導入管１２５を介して、排ガス処理容器１３０の本体部１３１に導入される。
その後、反応容器１０１が密閉された後、公知の方法により加水分解が行われる。
加水分解の終了後、ガス供給部１０５から反応容器１０１にヘリウムガスが導入され、反応液が加圧状態で三方活栓（ｊ）、（ｉ）、（ｈ）、（ｇ）を介して、医薬品原料回収部１１０に送られる。
このとき、反応液は、保持部８４、カラム管８２、三方活栓８１、捕集器具２１、捕集器具２２、捕集器具２３、フィルタ８３をこの順に通過する。これにより、中和・精製された医薬品原料が、医薬品原料回収バイアル１０４に回収される。
このとき、反応液は、保持部８４、カラム管８２、三方活栓８１、捕集器具２１、捕集器具２２、捕集器具２３、フィルタ８３をこの順に通過する。これにより、中和・精製された医薬品原料が、医薬品原料回収バイアル１０４に回収される。
ここで、三方切替バルブ１２２が第２状態に切り替わっている工程中、排ガス処理容器１３０に導入された排ガスは、排ガス処理容器１３０内に一定期間の間滞留した後、排ガス処理容器１３０の外部に排出される。すなわち、本体部１３１の底部に導入された排ガスは、ゆっくりと本体部１３１の上部に昇っていき、最終的に、中空管１４２を介して排ガス処理容器１３０の外部に排出されるが、その間に、排ガス中の放射性物質等がモレキュラーシーブス１３３によって吸着される。
ここで、モレキュラーシーブス１３３は、徐放性を有する一方で、１８Ｆの半減期は約１１０分と短いため、放射性物質がモレキュラーシーブス１３３に吸着された後、モレキュラーシーブス１３３から放出されて、更に排ガス処理容器１３０から外部に排出されるまでの間に、十分に排ガスの放射線濃度を低減させることが可能である。
なお、反応容器１０１からの排ガスが排ガス処理容器１３０に導入されてから該排ガス処理容器１３０の外部に排出されるまでの期間の長さが、標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素である１８Ｆの半減期よりも長くなるように、排ガス処理容器１３０の容積、排ガス処理容器１３０への排ガスの導入量（導入レート）及び本体部１３１内における導入管１２５の先端１２５ａの位置が設定されている。
ここで、モレキュラーシーブス１３３は、徐放性を有する一方で、１８Ｆの半減期は約１１０分と短いため、放射性物質がモレキュラーシーブス１３３に吸着された後、モレキュラーシーブス１３３から放出されて、更に排ガス処理容器１３０から外部に排出されるまでの間に、十分に排ガスの放射線濃度を低減させることが可能である。
なお、反応容器１０１からの排ガスが排ガス処理容器１３０に導入されてから該排ガス処理容器１３０の外部に排出されるまでの期間の長さが、標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素である１８Ｆの半減期よりも長くなるように、排ガス処理容器１３０の容積、排ガス処理容器１３０への排ガスの導入量（導入レート）及び本体部１３１内における導入管１２５の先端１２５ａの位置が設定されている。
このように、本実施形態に係る放射性標識化合物の製造方法は、非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造方法であって、放射性標識化合物の合成が行われる合成部（反応容器１０１）からの排ガスを、モレキュラーシーブス１３３が貯留されている排ガス処理容器１３０に導入し、当該排ガス処理容器１３０内に滞留させる工程と、を備える。
更には、非放射性の標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素は１８Ｆであり、反応容器１０１からの排ガスを排ガス処理容器１３０内に滞留させる工程の後、排ガス処理容器１３０内のガスを大気放出する工程を更に備える。
更には、非放射性の標識前駆体化合物に導入される放射性同位元素は１８Ｆであり、反応容器１０１からの排ガスを排ガス処理容器１３０内に滞留させる工程の後、排ガス処理容器１３０内のガスを大気放出する工程を更に備える。
なお、本発明者が、本実施形態と同様の装置構成において、モレキュラーシーブス１３３として４Ａ（１／１６）を用い、図１の中空管（排気管）１４２から排気されたガス中の放射線をモニタリングしながら本実施形態と同様の放射性標識化合物の製造方法を実施したところ、十分に排ガスのピーク低減に寄与することが確認できた。また、モレキュラーシーブス１３３として１３Ｘ（１／１６）を用いると、さらに排ガスのピークが出にくく、バックグラウンドレベルを維持できたことが長期間のモニタリングから明らかとなった。
また、モレキュラーシーブス１３３を交換することなく数年間使用し続けたところ、製造装置１００からのリークが発生していない限りにおいて、中空管（排気管）１４２からの排気における放射線濃度は、継続的にバックグラウンドレベルに維持することができた。放射線濃度がバックグラウンドレベルを超えた場合には、（ａ）三方切替バルブ１２２または三方切替バルブ１２２の継手部分からのリークの可能性、（ｂ）導入管１２５または導入管１２５の継手部分からのリークの可能性、または、（ｃ）配管１４４または配管１４４の継手部分からのリークの可能性があることが分かる。よって、中空管１４２からの排気における放射線濃度のモニタリングにより、上記（ａ）〜（ｃ）のいずれかの箇所からのリークの有無を判別することが可能である。
また、モレキュラーシーブス１３３を交換することなく数年間使用し続けたところ、製造装置１００からのリークが発生していない限りにおいて、中空管（排気管）１４２からの排気における放射線濃度は、継続的にバックグラウンドレベルに維持することができた。放射線濃度がバックグラウンドレベルを超えた場合には、（ａ）三方切替バルブ１２２または三方切替バルブ１２２の継手部分からのリークの可能性、（ｂ）導入管１２５または導入管１２５の継手部分からのリークの可能性、または、（ｃ）配管１４４または配管１４４の継手部分からのリークの可能性があることが分かる。よって、中空管１４２からの排気における放射線濃度のモニタリングにより、上記（ａ）〜（ｃ）のいずれかの箇所からのリークの有無を判別することが可能である。
以上、図面を参照して各実施形態を説明したが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
例えば、第３及び第４の実施形態では、特許文献１に記載されている薬剤製造システムに本発明を適用する例を説明したが、本発明を適用可能な装置構成は上述の例に限定されず、合成部（反応容器）と、当該合成部を減圧状態にする真空ポンプと、を備える構成に対して、本発明を好適に適用することができる。
例えば、特許文献４に記載の放射性薬液合成装置の反応バイアル１６に接続されたラインＬ９の代わりに、上述の配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、配管１４５、真空ポンプ１２３、配管１４６、第２捕集トラップ１２４、配管１４７、導入管１２５、排ガス処理容器１３０、中空管１４１及び中空管１４２を反応バイアル１６に接続することができる。
例えば、特許文献４に記載の放射性薬液合成装置の反応バイアル１６に接続されたラインＬ９の代わりに、上述の配管１４３、第１捕集トラップ１２１、配管１４４、三方切替バルブ１２２、配管１４５、真空ポンプ１２３、配管１４６、第２捕集トラップ１２４、配管１４７、導入管１２５、排ガス処理容器１３０、中空管１４１及び中空管１４２を反応バイアル１６に接続することができる。
本実施形態は以下の技術思想を包含する。
（１）非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造装置であって、前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部と、前記合成部から排ガスが導入される排ガス処理容器と、を備え、前記排ガス処理容器にはモレキュラーシーブスが貯留されている放射性標識化合物の製造装置。
（２）前記排ガス処理容器から排気を行う排気管を備え、前記排気管における前記排ガス処理容器の外側の端部は大気開放している（１）に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（３）前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管を備え、前記導入管の先端は、前記排ガス処理容器内において前記モレキュラーシーブスを貯留している貯留領域の底部に配置され、前記排気管における前記排ガス処理容器の内側の端部は、前記貯留領域よりも上側に配置されている（２）に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（４）前記合成部を減圧状態にする真空ポンプと、三方切替バルブと、前記合成部と前記三方切替バルブとを相互に接続している第１配管と、前記三方切替バルブと前記真空ポンプとを相互に接続している第２配管と、前記三方切替バルブと前記排ガス処理容器とを相互に接続していて、前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管と、を更に備え、前記三方切替バルブは、前記合成部と前記真空ポンプとを相互に連通させるとともに前記排ガス処理容器側を遮断する第１状態と、前記合成部と前記排ガス処理容器とを相互に連通させるとともに前記真空ポンプ側を遮断する第２状態と、に切り替わり可能である（１）から（３）のいずれか一項に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（５）前記三方切替バルブの動作制御を行う制御部を更に備え、前記制御部は、前記合成部に前記標識前駆体化合物を導入するタイミングで、前記三方切替バルブを前記第１状態から前記第２状態に切り替える制御が可能である（４）に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（６）非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造方法であって、前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部からの排ガスを、モレキュラーシーブスが貯留されている排ガス処理容器に導入し、当該排ガス処理容器内に滞留させる工程と、を備える放射性標識化合物の製造方法。
（７）前記放射性同位元素は１８Ｆ又は１１Ｃであり、前記滞留させる工程の後、前記排ガス処理容器内のガスを大気放出する工程を更に備える（６）に記載の放射性標識化合物の製造方法。
（１）非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造装置であって、前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部と、前記合成部から排ガスが導入される排ガス処理容器と、を備え、前記排ガス処理容器にはモレキュラーシーブスが貯留されている放射性標識化合物の製造装置。
（２）前記排ガス処理容器から排気を行う排気管を備え、前記排気管における前記排ガス処理容器の外側の端部は大気開放している（１）に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（３）前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管を備え、前記導入管の先端は、前記排ガス処理容器内において前記モレキュラーシーブスを貯留している貯留領域の底部に配置され、前記排気管における前記排ガス処理容器の内側の端部は、前記貯留領域よりも上側に配置されている（２）に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（４）前記合成部を減圧状態にする真空ポンプと、三方切替バルブと、前記合成部と前記三方切替バルブとを相互に接続している第１配管と、前記三方切替バルブと前記真空ポンプとを相互に接続している第２配管と、前記三方切替バルブと前記排ガス処理容器とを相互に接続していて、前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管と、を更に備え、前記三方切替バルブは、前記合成部と前記真空ポンプとを相互に連通させるとともに前記排ガス処理容器側を遮断する第１状態と、前記合成部と前記排ガス処理容器とを相互に連通させるとともに前記真空ポンプ側を遮断する第２状態と、に切り替わり可能である（１）から（３）のいずれか一項に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（５）前記三方切替バルブの動作制御を行う制御部を更に備え、前記制御部は、前記合成部に前記標識前駆体化合物を導入するタイミングで、前記三方切替バルブを前記第１状態から前記第２状態に切り替える制御が可能である（４）に記載の放射性標識化合物の製造装置。
（６）非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造方法であって、前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部からの排ガスを、モレキュラーシーブスが貯留されている排ガス処理容器に導入し、当該排ガス処理容器内に滞留させる工程と、を備える放射性標識化合物の製造方法。
（７）前記放射性同位元素は１８Ｆ又は１１Ｃであり、前記滞留させる工程の後、前記排ガス処理容器内のガスを大気放出する工程を更に備える（６）に記載の放射性標識化合物の製造方法。
１０ 精製カラム
２１、２２、２３ 捕集器具
４０ キャビネット
６０ 流路カートリッジ
６１ 液溜
６２ 三方活栓
６３ シリンジ
８１ 三方活栓
８２ カラム管
８３ フィルタ
８４ 保持部
８５ 流路構成部材
１００ 放射性標識化合物の製造装置
１０１ 反応容器（合成部）
１０２ ターゲット水回収バイアル
１０３ 廃液トラップバイアル
１０４ 医薬品原料回収バイアル
１０５ ガス供給部
１０７ ターゲット回収液供給部
１０８ 反応部
１１０ 医薬品原料回収部
１１１ 加熱器
１２０ 排ガス処理部
１２１ 第１捕集トラップ
１２２ 三方切替バルブ
１２２ａ 第１ポート
１２２ｂ 第２ポート
１２２ｃ 第３ポート
１２３ 真空ポンプ
１２４ 第２捕集トラップ
１２５ 導入管
１２５ａ 先端
１３１ 本体部
１３２ 蓋部
１３２ａ 第１貫通孔
１３２ｂ 第２貫通孔
１３３ モレキュラーシーブス
１３４ 貯留領域
１３５ 非貯留領域
１３０ 排ガス処理容器
１４１ 中空管
１４２ 中空管（排気管）
１４１ａ、１４２ａ 貫通孔
１４３ 配管（第１配管）
１４４ 配管（第１配管）
１４５ 配管（第２配管）
１４６ 配管
１４７ 配管
１５０ 制御部
２１、２２、２３ 捕集器具
４０ キャビネット
６０ 流路カートリッジ
６１ 液溜
６２ 三方活栓
６３ シリンジ
８１ 三方活栓
８２ カラム管
８３ フィルタ
８４ 保持部
８５ 流路構成部材
１００ 放射性標識化合物の製造装置
１０１ 反応容器（合成部）
１０２ ターゲット水回収バイアル
１０３ 廃液トラップバイアル
１０４ 医薬品原料回収バイアル
１０５ ガス供給部
１０７ ターゲット回収液供給部
１０８ 反応部
１１０ 医薬品原料回収部
１１１ 加熱器
１２０ 排ガス処理部
１２１ 第１捕集トラップ
１２２ 三方切替バルブ
１２２ａ 第１ポート
１２２ｂ 第２ポート
１２２ｃ 第３ポート
１２３ 真空ポンプ
１２４ 第２捕集トラップ
１２５ 導入管
１２５ａ 先端
１３１ 本体部
１３２ 蓋部
１３２ａ 第１貫通孔
１３２ｂ 第２貫通孔
１３３ モレキュラーシーブス
１３４ 貯留領域
１３５ 非貯留領域
１３０ 排ガス処理容器
１４１ 中空管
１４２ 中空管（排気管）
１４１ａ、１４２ａ 貫通孔
１４３ 配管（第１配管）
１４４ 配管（第１配管）
１４５ 配管（第２配管）
１４６ 配管
１４７ 配管
１５０ 制御部
Claims (5)
- 非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造装置であって、
前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部と、
前記合成部から排ガスが導入される排ガス処理容器と、
前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管と、
前記排ガス処理容器から排気を行う排気管と、
を備え、
前記排ガス処理容器にはモレキュラーシーブスが貯留されており、
前記導入管の先端は、前記排ガス処理容器内において前記モレキュラーシーブスを貯留している貯留領域の底部に配置され、
前記排気管における前記排ガス処理容器の内側の端部は、前記貯留領域よりも上側に配置されており、
前記排気管における前記排ガス処理容器の外側の端部は大気開放している放射性標識化合物の製造装置。 - 前記合成部を減圧状態にする真空ポンプと、
三方切替バルブと、
前記合成部と前記三方切替バルブとを相互に接続している第１配管と、
前記三方切替バルブと前記真空ポンプとを相互に接続している第２配管と、
前記三方切替バルブと前記排ガス処理容器とを相互に接続していて、前記合成部側から前記排ガス処理容器内に前記排ガスを導入させる導入管と、
を備え、
前記三方切替バルブは、
前記合成部と前記真空ポンプとを相互に連通させるとともに前記排ガス処理容器側を遮断する第１状態と、
前記合成部と前記排ガス処理容器とを相互に連通させるとともに前記真空ポンプ側を遮断する第２状態と、
に切り替わり可能である請求項１に記載の放射性標識化合物の製造装置。 - 前記三方切替バルブの動作制御を行う制御部を更に備え、
前記制御部は、前記合成部に前記標識前駆体化合物を導入するタイミングで、前記三方切替バルブを前記第１状態から前記第２状態に切り替える制御が可能である請求項２に記載の放射性標識化合物の製造装置。 - 非放射性の標識前駆体化合物に放射性同位元素を導入して放射性標識化合物を製造する放射性標識化合物の製造方法であって、
前記放射性標識化合物の合成が行われる合成部からの排ガスを、モレキュラーシーブスが貯留されている排ガス処理容器に対して導入管を介して導入し、当該排ガス処理容器内に滞留させる工程と、
前記滞留させる工程の後、前記排ガス処理容器内のガスを、排気管を介して大気放出する工程と、
を備え、
前記導入管の先端は、前記排ガス処理容器内において前記モレキュラーシーブスを貯留している貯留領域の底部に配置され、
前記排気管における前記排ガス処理容器の内側の端部は、前記貯留領域よりも上側に配置されており、
前記排気管における前記排ガス処理容器の外側の端部は大気開放している放射性標識化合物の製造方法。 - 前記放射性同位元素は１８Ｆ又は１１Ｃである請求項４に記載の放射性標識化合物の製造方法。
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| JP2016069722A JP6758065B2 (ja) | 2016-03-30 | 2016-03-30 | 放射性標識化合物の製造装置及び製造方法 |
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-
2016
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