JP6747220B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、処理容器内にて加熱された基板に処理ガスを供給して処理を行う技術に関する。 The present invention relates to a technique of supplying a processing gas to a substrate heated in a processing container to perform processing.

基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」と言う）に対して例えばシリコン酸化膜などの薄膜の成膜を行う手法の一つとして、原料ガスと反応ガスとをウエハの表面に順番に供給して反応生成物を積層するＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が知られている。このＡＬＤ法を用いて成膜処理を行う成膜装置としては、例えば特許文献１に記載されているように、複数枚のウエハを周方向に並べて公転させるための回転テーブルを処理容器内に設けた構成が挙げられる。 As one of methods for forming a thin film such as a silicon oxide film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”) which is a substrate, a source gas and a reaction gas are sequentially supplied to the surface of the wafer. An ALD (Atomic Layer Deposition) method of stacking reaction products is known. As a film forming apparatus for performing a film forming process using the ALD method, a rotary table for revolving a plurality of wafers in a circumferential direction and revolving them is provided in a processing container, as described in Patent Document 1, for example. There are different configurations.

このような成膜装置においては、回転テーブルの径方向に水平に伸びるようにガスノズルを設け、ウエハの通過領域に対応する領域にてガスノズルの下部側に多数のガス吐出孔を配列している。そして回転テーブルの下方に設けられた加熱部によりウエハを加熱しながら回転テーブルを回転させ、夫々回転テーブルの周方向に離間して設けられた原料ガス供給部及び反応ガス供給部から下方にガスを吐出することにより原料ガス及び反応ガスの各々をウエハの全面に供給している。 In such a film forming apparatus, a gas nozzle is provided so as to extend horizontally in the radial direction of the rotary table, and a large number of gas discharge holes are arranged on the lower side of the gas nozzle in a region corresponding to the passage region of the wafer. Then, the rotary table is rotated while heating the wafer by the heating section provided below the rotary table, and gas is supplied downward from the source gas supply section and the reaction gas supply section, which are spaced apart from each other in the circumferential direction of the rotary table. By discharging, each of the source gas and the reaction gas is supplied to the entire surface of the wafer.

成膜プロセスの一例としては、例えばＤＣＳ（ジクロロシラン）などの原料ガスとＯ３（オゾン）などの酸化ガスと交互にウエハに供給して、ＳｉＯ２膜（シリコン酸化膜）を成膜するプロセスが挙げられる。しかしながらＤＣＳガスと、Ｏ３ガスとでは、適切なウエハ温度が異なり、ウエハの加熱温度を、例えばＤＣＳガスの吸着効率を高める観点から設定した場合には、Ｏ３ガスの活性化が低くなってしまう。この結果ＳｉＯ２膜に要求されるスペックによっては十分な膜質が確保できない場合があるため、例えばＯ３ガスの活性化を促進するためにＯ３ガスを励起（プラズマ化）したり、Ｏ３ガスを供給した後にプラズマにより膜の改質を行う場合があった。一方Ｏ３ガスの活性を高めるという観点からウエハの加熱温度を設定するとＤＣＳガスがガスノズル内で自己分解してガスノズル内に付着してパーティクルの発生要因となるおそれがあった。
またウエハに処理ガスを供給する際に温度の低いガスを供給すると、プロセスの種別によっては、ウエハの温度が下がり膜質が悪くなるおそれがある。そのため処理ガスを加熱して供給する技術が求められる場合がある。 As an example of the film forming process, for example, a process of forming a SiO 2 film (silicon oxide film) by alternately supplying a source gas such as DCS (dichlorosilane) and an oxidizing gas such as O 3 (ozone) to the wafer. Is mentioned. However, the DCS gas and the O 3 gas have different appropriate wafer temperatures, and when the wafer heating temperature is set, for example, from the viewpoint of increasing the adsorption efficiency of the DCS gas, the activation of the O 3 gas becomes low. End up. This results because some specifications required for the SiO 2 film in some cases sufficient quality can not be secured, or to excite the O 3 gas (plasma) for example to facilitate the activation of the O 3 gas, O 3 gas In some cases, the plasma was used to modify the film after the supply of. On the other hand, if the heating temperature of the wafer is set from the viewpoint of increasing the activity of the O 3 gas, the DCS gas may self-decompose in the gas nozzle and adhere to the gas nozzle to cause generation of particles.
If a low-temperature gas is supplied when supplying the processing gas to the wafer, the temperature of the wafer may decrease and the film quality may deteriorate depending on the type of process. Therefore, a technique for heating and supplying the processing gas may be required.

特開２０１０−２３９１０３号公報JP, 2010-239103, A

本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、処理容器内にて加熱された基板に処理ガスを供給するにあたり、処理ガスを適切な温度に加熱して基板に供給することができる技術を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to supply a processing gas to a substrate heated in a processing container by heating the processing gas to an appropriate temperature. It is to provide the technology that can be done.

本発明の基板処理装置は、処理容器内にて加熱された基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
前記処理容器内にて基板を載置するための載置部と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内に設けられ、処理ガス供給源から送られた処理ガスを吐出するためのガス供給部と、
前記処理容器内を排気する排気部と、を備え、
前記ガス供給部は、ガスの通過空間を区画すると共に、基板が置かれている雰囲気と前記通過空間との間に介在する管壁部分が多孔質材からなる多孔質管である区画部材を備え、
前記区画部材内を通ってきた処理ガスが前記多孔質材を介して当該区画部材の外に吐出するように構成されていることを特徴とする。
The substrate processing apparatus of the present invention is a substrate processing apparatus that supplies a processing gas to a substrate heated in a processing container to perform processing,
A mounting portion for mounting a substrate in the processing container,
A heating unit for heating the substrate placed on the placing unit,
A gas supply unit provided in the processing container for discharging the processing gas sent from the processing gas supply source,
An exhaust unit for exhausting the inside of the processing container,
The gas supply unit includes with partitioning the passage space of the gas, the partition member wall portion interposed is porous pipe made of a porous material between the atmosphere and the passage space in which the substrate is placed ,
It is characterized in that the processing gas passing through the inside of the partition member is discharged to the outside of the partition member via the porous material.

本発明の基板処理方法は、処理容器内に設けられ、処理ガス供給源から送られたガスの通過空間を区画すると共に、基板が置かれている雰囲気と前記通過空間との間に介在する管壁部分が多孔質材からなる多孔質管である区画部材を備えたガス供給部を備え、処理容器内にて加熱された基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置を用い、
前記基板を処理容器内に載置する工程と、
前記処理容器内に載置された基板を加熱する工程と、
前記処理ガス供給源から送られた処理ガスを基板に向けて吐出する工程と、
前記処理容器内を排気する工程と、を含み、
前記基板の加熱により前記多孔質材が加熱され、
前記処理ガスを基板に向けて吐出する工程は、前記区画部材内を通ってきた処理ガスが前記加熱された多孔質材を介して当該区画部材の外に吐出する工程を含むことを特徴とする。

The substrate processing method of the present invention is a tube provided in a processing container, which defines a passage space for a gas sent from a processing gas supply source and which is interposed between an atmosphere in which a substrate is placed and the passage space. A substrate processing apparatus is provided, which includes a gas supply unit including a partition member whose wall portion is a porous tube made of a porous material, and supplies a processing gas to a substrate heated in a processing container to perform processing. ,
Placing the substrate in a processing container,
Heating the substrate placed in the processing container,
Discharging the processing gas sent from the processing gas supply source toward the substrate,
Evacuating the inside of the processing container,
The porous material is heated by heating the substrate,
The step of discharging the processing gas toward the substrate includes the step of discharging the processing gas that has passed through the inside of the partition member to the outside of the partition member via the heated porous material. ..

本発明は、処理容器内にて加熱された基板にガス供給部から吐出される処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、ガス供給部に供給された処理ガスがガスの通過空間と基板が置かれた雰囲気との間に設けられた多孔質材を介して吐出されるように構成している。そのため処理ガスがガスの通過空間から基板が置かれた雰囲気に供給されるまでの時間が長くなると共に、多孔質材と処理ガスとの接触面積が広くなり効率よく熱交換が行われる。従って基板の加熱により加熱された多孔質材により、処理ガスを適切な温度に加熱して基板に供給することができる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus that supplies a processing gas discharged from a gas supply unit to a substrate heated in a processing container to perform processing, in which the processing gas supplied to the gas supply unit is a gas passage space. It is configured to be discharged through a porous material provided between the substrate and the atmosphere in which it is placed. Therefore, it takes a long time until the processing gas is supplied from the gas passage space to the atmosphere in which the substrate is placed, and the contact area between the porous material and the processing gas is widened, so that the heat exchange is efficiently performed. Therefore, the processing gas can be heated to an appropriate temperature and supplied to the substrate by the porous material heated by heating the substrate.

第１の実施の形態に係る成膜装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the film forming apparatus according to the first embodiment. 第１の実施の形態に係る成膜装置の平面図である。It is a top view of the film-forming apparatus which concerns on 1st Embodiment. Ｏ３ガス供給ノズルの断面斜視図である。It is a cross-sectional perspective view of an O 3 gas supply nozzle. Ｏ３ガス供給ノズルの側断面図である。It is a sectional side view of an O 3 gas supply nozzle. Ｏ３ガス供給ノズルの断面図である。It is a sectional view of an O 3 gas supply nozzle. Ｏ３ガス供給ノズルの作用を示す説明図である。O 3 is an explanatory diagram showing the operation of the gas supply nozzles. Ｏ３ガス供給ノズルの作用を示す説明図である。O 3 is an explanatory diagram showing the operation of the gas supply nozzles. ガス供給部の他の例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the other example of a gas supply part. ガス供給部の他の例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the other example of a gas supply part. ガス供給部の他の例の作用を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the effect|action of the other example of a gas supply part. ガス供給部の更に他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the further another example of a gas supply part. 第２の実施の形態に係る成膜装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the film forming apparatus according to the second embodiment. 前記成膜装置における酸化ガス供給ノズルの側断面図である。It is a sectional side view of an oxidizing gas supply nozzle in the film forming apparatus. 第３の実施の形態に係る成膜装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the film forming apparatus according to the third embodiment.

本発明の基板処理装置を成膜装置に適用した実施の形態について説明する。この成膜装置は、図１及び図２に示すように、平面形状が概ね円形である真空容器である処理容器１と、この処理容器１内に設けられ、当該処理容器１の中心に回転中心を有すると共にウエハＷを公転させるための例えば石英製の回転テーブル２と、を備えている。処理容器１は、天板部１１及び容器本体１２を備えており、天板部１１が容器本体１２から着脱できるように構成されている。天板部１１の上面側における中央部には、処理容器１内の中央部において互いに異なる処理ガス同士が混ざり合うことを抑制するために、窒素（Ｎ２）ガスを分離ガスとして供給するための分離ガス供給管５１が接続されている。 An embodiment in which the substrate processing apparatus of the present invention is applied to a film forming apparatus will be described. As shown in FIGS. 1 and 2, this film forming apparatus includes a processing container 1 which is a vacuum container having a substantially circular planar shape, a processing container 1 provided in the processing container 1, and a rotation center at the center of the processing container 1. And a rotary table 2 made of, for example, quartz for orbiting the wafer W. The processing container 1 includes a top plate portion 11 and a container body 12, and the top plate portion 11 is configured to be detachable from the container body 12. A nitrogen (N 2 ) gas is supplied to the central portion on the upper surface side of the top plate portion 11 as a separation gas in order to prevent different processing gases from being mixed with each other in the central portion of the processing container 1. The separation gas supply pipe 51 is connected.

回転テーブル２は、中心部にて概略円筒形状のコア部２１に固定されており、このコア部２１の下面に接続されると共に鉛直方向に伸びる回転軸２２によって、鉛直軸周りこの例では上方から見て時計周りに回転自在に構成されている。図１中２３は回転軸２２を鉛直軸周りに回転させる駆動部であり、２０は回転軸２２及び駆動部２３を収納するケース体である。このケース体２０には、回転テーブル２の下方領域に窒素ガスをパージガスとして供給するためのパージガス供給管７２が接続されている。 The rotary table 2 is fixed to the core portion 21 having a substantially cylindrical shape at the center thereof, and is connected to the lower surface of the core portion 21 by a rotary shaft 22 extending in the vertical direction. It is constructed so that it can be rotated clockwise when viewed. Reference numeral 23 in FIG. 1 denotes a drive unit that rotates the rotary shaft 22 around a vertical axis, and 20 denotes a case body that houses the rotary shaft 22 and the drive unit 23. A purge gas supply pipe 72 for supplying nitrogen gas as a purge gas to the lower region of the rotary table 2 is connected to the case body 20.

回転テーブル２の表面部には、直径寸法が例えば３００ｍｍのウエハＷを載置するための円形状の凹部２４が形成されており、図２に示すようにこの凹部２４は、回転テーブル２の回転方向（周方向）に沿って複数箇所例えば５箇所に設けられている。凹部２４は、ウエハＷを当該凹部２４に収納すると、ウエハＷの表面と回転テーブル２の表面とが揃うように、直径寸法及び深さ寸法が設定されている。 A circular concave portion 24 for mounting a wafer W having a diameter of, for example, 300 mm is formed on the surface of the rotary table 2, and the concave portion 24 rotates the rotary table 2 as shown in FIG. It is provided at a plurality of locations, for example, five locations along the direction (circumferential direction). The diameter and depth of the recess 24 are set such that when the wafer W is stored in the recess 24, the surface of the wafer W and the surface of the rotary table 2 are aligned.

図１に示すように回転テーブル２と処理容器１の底面部との間の空間には、加熱部である加熱部７が全周に亘って設けられている。図１中７１は加熱部７の側方側に設けられたカバー部材、７０はこの加熱部７の上方側を覆う石英製の覆い部材である。そして加熱部７から放射される熱及び加熱部７により加熱された回転テーブル２の輻射熱により、ウエハＷが、例えば４００℃に加熱される。また加熱部７の下方側において、処理容器１の底面部を貫通するパージガス供給管７３が周方向に亘って複数箇所に設けられている。 As shown in FIG. 1, in the space between the rotary table 2 and the bottom surface of the processing container 1, a heating unit 7 as a heating unit is provided over the entire circumference. In FIG. 1, 71 is a cover member provided on the side of the heating unit 7, and 70 is a quartz cover member that covers the upper side of the heating unit 7. The wafer W is heated to, for example, 400° C. by the heat radiated from the heating unit 7 and the radiant heat of the rotary table 2 heated by the heating unit 7. Further, on the lower side of the heating unit 7, purge gas supply pipes 73 penetrating the bottom surface portion of the processing container 1 are provided at a plurality of locations in the circumferential direction.

処理容器１の側壁には、図２に示すように図示しない外部の搬送アームと回転テーブル２との間においてウエハＷの受け渡しを行うための搬送口１５が形成されており、この搬送口１５は図示しないゲートバルブにより気密に開閉自在に構成されている。回転テーブル２の凹部２４は、この搬送口１５に臨む位置にて搬送アームとの間でウエハＷの受け渡しが行われ、当該受け渡し位置に対応する部位には、回転テーブル２の下方側に凹部２４を貫通してウエハＷを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構（いずれも図示せず）が設けられている。 As shown in FIG. 2, a transfer port 15 for transferring the wafer W between an external transfer arm (not shown) and the rotary table 2 is formed on the side wall of the processing container 1. A gate valve (not shown) is airtightly openable and closable. The wafer W is transferred between the concave portion 24 of the rotary table 2 and the transfer arm at a position facing the transfer port 15, and the concave portion 24 on the lower side of the rotary table 2 is provided at a portion corresponding to the transfer position. An elevating pin and a lifting mechanism (both not shown) for passing the wafer W through the hole to lift the wafer W from the back surface are provided.

図２に示すように、回転テーブル２における凹部２４の通過領域と各々対向する位置には、搬送口１５から見て時計周り（回転テーブル２の回転方向）に分離ガス供給ノズル３４、シリコン化合物を含むガス、例えばＤＣＳ（ジクロロシラン）を供給するＤＣＳガス供給ノズル３０、分離ガス供給ノズル３７及びガス供給部であるＯ３（オゾン）ガス供給ノズル４がこの順番で処理容器１の周方向（回転テーブル２の回転方向）に互いに間隔をおいて配置されている。 As shown in FIG. 2, the separation gas supply nozzle 34 and the silicon compound are provided at positions opposite to the passage regions of the recesses 24 in the rotary table 2 in the clockwise direction (the rotation direction of the rotary table 2) when viewed from the transfer port 15. A DCS gas supply nozzle 30, a separation gas supply nozzle 37, and an O 3 (ozone) gas supply nozzle 4, which is a gas supply unit, for supplying a gas containing, for example, DCS (dichlorosilane), are arranged in this order in the circumferential direction (rotation) They are spaced apart from each other in the rotation direction of the table 2.

ＤＣＳガス供給ノズル３０は、処理容器１の外周壁から中心部に向かって伸び、回転テーブル２を回転させた時にウエハＷが通過する領域を跨ぐように設けられている。ＤＣＳガス供給ノズル３０は、先端が封止された筒状に構成され、ＤＣＳガス供給ノズル３０の下面には、図１に示すようにウエハＷが通過する領域を跨ぐ範囲に複数のガス吐出孔３１が設けられている。 The DCS gas supply nozzle 30 is provided so as to extend from the outer peripheral wall of the processing container 1 toward the center and straddle a region where the wafer W passes when the rotary table 2 is rotated. The DCS gas supply nozzle 30 has a cylindrical shape with a sealed tip, and a plurality of gas discharge holes are formed on the lower surface of the DCS gas supply nozzle 30 so as to span a region where the wafer W passes, as shown in FIG. 31 is provided.

図２に示すようにＤＣＳガス供給ノズル３０の基端側は、容器本体１２に形成されたポート１２ａに接続されている。ポート１２ａには、容器本体１２外側からＤＣＳガス供給管３２の一端側が接続され、ＤＣＳガス供給管３２の他端側には、ＤＣＳガス供給源３３が接続されている。またＤＣＳガス供給管３２には、ＤＣＳガス供給ノズル３０側からバルブＶ３２及び流量調整部Ｍ３２がこの順で介設されている。 As shown in FIG. 2, the base end side of the DCS gas supply nozzle 30 is connected to a port 12 a formed in the container body 12. One end of the DCS gas supply pipe 32 is connected to the port 12a from the outside of the container body 12, and the DCS gas supply source 33 is connected to the other end of the DCS gas supply pipe 32. A valve V32 and a flow rate adjusting unit M32 are provided in this order from the DCS gas supply nozzle 30 side in the DCS gas supply pipe 32 in this order.

Ｏ３ガス供給ノズル４について、図３〜５も参照して説明する。Ｏ３ガス供給ノズル４は、内管４０と、外管４１とを備えた二重管となっている。内管４０は、先端側が閉じられた管状に構成され、酸化ガス、ここではＯ３ガスの通過空間とウエハＷの置かれた雰囲気を区画する区画部材に相当する。内管４０の先端側の管壁部分は、例えば不透明で輻射率の高い石英のビーズを焼結させた壁部の厚さが１ｍｍ〜１０ｍｍの多孔質材４０ａとなっており、通過空間を流れた処理ガスが、多孔質材４０ａを介して内管４０の外側に吐出されるように構成されている。多孔質材４０ａは全部の部位が多孔質ではなく、一部が管壁であってもよい。 The O 3 gas supply nozzle 4 will be described with reference to FIGS. The O 3 gas supply nozzle 4 is a double pipe including an inner pipe 40 and an outer pipe 41. The inner tube 40 is configured in a tubular shape with the front end side closed, and corresponds to a partition member that partitions the passage space for the oxidizing gas, here O 3 gas, and the atmosphere in which the wafer W is placed. The tube wall portion on the front end side of the inner tube 40 is, for example, a porous material 40a having a thickness of 1 mm to 10 mm, which is formed by sintering opaque quartz beads having high emissivity, and flows through the passage space. The processing gas is discharged to the outside of the inner pipe 40 via the porous material 40a. The porous material 40a may not be entirely porous, but may be partly a tube wall.

外管４１は、例えば石英により、内管４０における多孔質材４０ａの部分の周囲を覆う、管壁の厚さが１ｍｍ〜４ｍｍの円筒形状に構成され、外管４１と内管４０との間は、Ｏ３ガスの圧力を高めるための緩衝空間（バッファ空間）になっている。外管４１の下面には、直径０．１〜１ｍｍの吐出口４２が外管４１の長さ方向に１ｍｍ〜１０ｍｍの間隔に複数形成され緩衝空間により圧力が高められたＯ３ガスが吐出口４２から吐出されるように構成されている。 The outer tube 41 is made of, for example, quartz, and is formed into a cylindrical shape having a tube wall thickness of 1 mm to 4 mm that covers the periphery of the porous material 40 a portion of the inner tube 40. Is a buffer space (buffer space) for increasing the pressure of O 3 gas. On the lower surface of the outer pipe 41, a plurality of discharge ports 42 having a diameter of 0.1 to 1 mm are formed at intervals of 1 mm to 10 mm in the length direction of the outer pipe 41, and O 3 gas whose pressure is increased by the buffer space is discharged. It is configured to be discharged from 42.

Ｏ３ガス供給ノズル４は、内管４０の基端側が、処理容器１の外周壁に設けられたポート１２ｂに接続され、先端側が処理容器１の中心部に向かって伸び、外管４１における吐出口４２が回転テーブル２を回転させた時にウエハＷが通過する領域を跨いで並ぶように設けられている。図２に示すようにポート１２ｂには、Ｏ３ガス供給管４３の一端側が接続され、Ｏ３ガス供給管４３の基端側には、Ｏ３ガス供給源４４が接続されている。またＯ３ガス供給管４３には、Ｏ３ガス供給ノズル４側からバルブＶ４３及び流量調整部Ｍ４３がこの順で介設されている。 In the O 3 gas supply nozzle 4, the proximal end side of the inner pipe 40 is connected to the port 12b provided on the outer peripheral wall of the processing container 1, the distal end side thereof extends toward the central portion of the processing container 1, and the discharge of the outer pipe 41 is performed. The outlets 42 are provided so as to be lined up across the region where the wafer W passes when the turntable 2 is rotated. As shown in FIG. 2, one end side of the O 3 gas supply pipe 43 is connected to the port 12b, and an O 3 gas supply source 44 is connected to the base end side of the O 3 gas supply pipe 43. In addition, a valve V43 and a flow rate adjusting unit M43 are provided in this order from the O 3 gas supply nozzle 4 side in the O 3 gas supply pipe 43 in this order.

２つの分離ガス供給ノズル３４、３７は、各々ＤＣＳガス供給ノズル３０と同様に構成されたノズルで構成され、分離ガス供給ノズル３４、３７の基端側は、処理容器１を貫通するガス供給管３５、３８が接続され、Ｎ２ガス供給源３６、３９に接続されている。各分離ガス供給ノズル３４、３７の上方には、図２に示すように平面形状が概略扇形の凸状部３４ａ、３７ａが各々設けられている。分離ガス供給ノズル３４から吐出されたＮ２ガスは、分離ガス供給ノズル３４から処理容器１の周方向両側に広がり、ＤＣＳガス供給ノズル３０の回転テーブル２回転方向に対して上流側にて、ＤＣＳガスの雰囲気と、Ｏ３ガスの雰囲気とを分離する。また分離ガス供給ノズル３７から吐出されたＮ２ガスは、分離ガス供給ノズル３７から処理容器１の周方向両側に広がり、ＤＣＳガス供給ノズル３０の回転テーブル２回転方向に対して下流側にて、ＤＣＳガスの雰囲気と、Ｏ３ガスの雰囲気とを分離する。 Each of the two separation gas supply nozzles 34 and 37 is composed of a nozzle configured similarly to the DCS gas supply nozzle 30, and the base ends of the separation gas supply nozzles 34 and 37 are gas supply pipes that penetrate the processing container 1. 35 and 38 are connected and are connected to N 2 gas supply sources 36 and 39. Above each of the separation gas supply nozzles 34 and 37, as shown in FIG. 2, convex portions 34a and 37a each having a substantially fan-shaped plan are provided. The N 2 gas discharged from the separation gas supply nozzle 34 spreads from the separation gas supply nozzle 34 to both sides in the circumferential direction of the processing container 1, and is DCS at the upstream side of the rotation table 2 rotation direction of the DCS gas supply nozzle 30. The gas atmosphere and the O 3 gas atmosphere are separated. Further, the N 2 gas discharged from the separation gas supply nozzle 37 spreads from the separation gas supply nozzle 37 to both sides in the circumferential direction of the processing container 1, and is located downstream of the DCS gas supply nozzle 30 in the rotation table 2 rotation direction. The atmosphere of DCS gas and the atmosphere of O 3 gas are separated.

図１、図２に示すように回転テーブル２の外周側において当該回転テーブル２よりも僅かに下方の位置には、溝部をなすガス流路１０１が形成されたカバー体であるサイドリング１００が配置されている。サイドリング１００には、ＤＣＳガス供給ノズル３０の下流側及びＯ３ガス供給ノズル４の下流側の２か所に互いに周方向に離間するように排気口６１が形成されている。これら排気口６１は、図１に示すように、各々バタフライバルブなどの圧力調整部６５の介設された排気管６３により、真空排気機構である例えば真空ポンプ６４に接続されている。 As shown in FIGS. 1 and 2, a side ring 100, which is a cover body in which a gas flow path 101 forming a groove is formed, is arranged at a position slightly below the rotary table 2 on the outer peripheral side of the rotary table 2. Has been done. Exhaust ports 61 are formed in the side ring 100 at two locations on the downstream side of the DCS gas supply nozzle 30 and on the downstream side of the O 3 gas supply nozzle 4 so as to be separated from each other in the circumferential direction. As shown in FIG. 1, each of the exhaust ports 61 is connected to a vacuum pump 64, which is a vacuum exhaust mechanism, by an exhaust pipe 63 provided with a pressure adjusting unit 65 such as a butterfly valve.

また成膜装置には、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部９０が設けられている。制御部９０のメモリ内には後述の成膜処理を行うためのプログラムが格納されている。このプログラムは、後述の装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体によりインストールされる。 Further, the film forming apparatus is provided with a control unit 90 including a computer for controlling the operation of the entire apparatus. A program for performing a film forming process described later is stored in the memory of the control unit 90. This program has a set of steps for executing the operation of the device described later, and is installed by a storage medium such as a hard disk, a compact disk, a magneto-optical disk, a memory card, and a flexible disk.

上述の実施の形態の作用について説明する。まずゲートバルブを開放して、回転テーブル２を間欠的に回転させながら、図示しない外部の搬送アームにより搬送口１５を介して処理容器１に搬入し、既述の図示しない昇降ピンの昇降動作を伴って、回転テーブル２上に例えば５枚のウエハＷを順次載置する。次いで、ゲートバルブを閉じ、真空ポンプ６４及び圧力調整部６５により処理容器１内を引き切りとすると共に、回転テーブル２を時計周りに例えば１０ｒｐｍの回転数で回転させながら加熱部７によりウエハＷを例えば４００℃に加熱する。 The operation of the above-described embodiment will be described. First, the gate valve is opened, and while the rotary table 2 is intermittently rotated, it is carried into the processing container 1 through the transfer port 15 by an external transfer arm (not shown), and the above-described lifting/lowering operation of the lifting pin (not shown) is performed. Accordingly, for example, five wafers W are sequentially placed on the turntable 2. Next, the gate valve is closed, the inside of the processing container 1 is cut off by the vacuum pump 64 and the pressure adjusting unit 65, and the wafer W is heated by the heating unit 7 while rotating the rotary table 2 clockwise at a rotation speed of, for example, 10 rpm. For example, it is heated to 400°C.

続いてＤＣＳガス供給ノズル３０から、例えば１０〜３００ｓｃｃｍの流量のＤＣＳガスを供給する。さらにＯ３ガス供給ノズル４からＯ３ガスを例えば１０００ｓｃｃｍの流量で供給する。ここでＯ３ガス供給ノズル４から供給されるＯ３ガスについて説明する。既述のようにＯ３ガス供給ノズル４における内管４０は石英製の多孔質材４０ａを備えている。そのため図６に示すようにウエハＷが加熱部７により加熱されたときに加熱部７から照射される熱及び加熱されたウエハＷから放射される輻射熱により多孔質材４０ａの温度が上がる。 Subsequently, DCS gas having a flow rate of, for example, 10 to 300 sccm is supplied from the DCS gas supply nozzle 30. Further supplying the O 3 gas, for example at a flow rate of 1000sccm from the O 3 gas supply nozzle 4. Here, the O 3 gas supplied will be described from the O 3 gas supply nozzle 4. As described above, the inner tube 40 of the O 3 gas supply nozzle 4 includes the porous material 40a made of quartz. Therefore, as shown in FIG. 6, when the wafer W is heated by the heating unit 7, the temperature of the porous material 40a rises due to the heat radiated from the heating unit 7 and the radiant heat radiated from the heated wafer W.

そして図７に示すように内管４０に供給されたＯ３ガスは、内管４０内を流れ多孔質材４０ａの隙間から内管４０の外に吐出される。その際にＯ３ガスは、多孔質材４０ａに蓄積されている熱により加熱される。この時多孔質材４０ａの隙間は狭いため流速が下がり、内管４０の内から外に流れるまでの時間が長くなる。また多孔質材４０ａであることからＯ３ガスが接する表面積が大きくなっており、Ｏ３ガスと多孔質材４０ａとの間の熱交換の効率が高くなっている。従ってＯ３ガスは、加熱された多孔質材４０ａにより高い効率で長い時間加熱され、例えば３５０〜４００℃に加熱される。さらに内管４０から吐出されたガスは外管４１内の緩衝空間において圧力が高くなり、吐出口４２から下方に向けて吐出される。 Then, as shown in FIG. 7, the O 3 gas supplied to the inner pipe 40 flows through the inner pipe 40 and is discharged to the outside of the inner pipe 40 through the gap between the porous materials 40a. At that time, the O 3 gas is heated by the heat accumulated in the porous material 40a. At this time, since the gap between the porous materials 40a is narrow, the flow velocity decreases, and the time taken for the inner pipe 40 to flow from the inside to the outside becomes long. Further, since it is the porous material 40a, the surface area in contact with the O 3 gas is large, and the efficiency of heat exchange between the O 3 gas and the porous material 40a is high. Therefore, the O 3 gas is heated by the heated porous material 40a with high efficiency for a long time, and is heated to, for example, 350 to 400°C. Further, the gas discharged from the inner pipe 40 has a higher pressure in the buffer space inside the outer pipe 41 and is discharged downward from the discharge port 42.

そして回転テーブル２を例えば１０ｒｐｍの回転数で回転させる。ここで一のウエハＷに着目すると、まずウエハＷは、ＤＣＳガス供給ノズル３０の下方を通過する。ＤＣＳガス供給ノズル３０から吐出されたＤＣＳガスは、回転テーブル２上を径方向に広がりながら、回転テーブル２あるいはウエハＷからの熱により昇温して活性化されてウエハＷに吸着する。 Then, the turntable 2 is rotated at a rotation speed of 10 rpm, for example. Focusing on one wafer W, the wafer W first passes below the DCS gas supply nozzle 30. The DCS gas discharged from the DCS gas supply nozzle 30 spreads on the rotary table 2 in the radial direction, is heated by the heat from the rotary table 2 or the wafer W, is activated, and is adsorbed to the wafer W.

そしてＤＣＳガスが吸着したウエハＷは、回転テーブル２の回転により、Ｏ３ガス供給ノズル４の下方を通過する。Ｏ３ガスは、多孔質材４０ａを通過するときに加熱され、さらに緩衝空間により昇圧されることにより速い速度でウエハＷに供給される。従ってＯ３ガスは、高い活性状態でウエハＷに供給され、ウエハＷの表面においてウエハＷ上に吸着したＤＣＳガスが速やかに酸化される。そして速やかに酸化が進行することにより良好なシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）が成膜される。
こうして回転テーブル２の回転を続けることにより、ウエハＷ表面へのＤＣＳガスの吸着、ウエハＷ表面に吸着したＤＣＳガスの成分の酸化がこの順番で多数回に亘って行われて、反応生成物が積層されてＳｉＯ２膜の薄膜が形成される。 Then, the wafer W on which the DCS gas is adsorbed passes below the O 3 gas supply nozzle 4 by the rotation of the rotary table 2. The O 3 gas is heated when passing through the porous material 40a, and further pressurized to the buffer space to be supplied to the wafer W at a high speed. Therefore, the O 3 gas is supplied to the wafer W in a highly active state, and the DCS gas adsorbed on the wafer W on the surface of the wafer W is quickly oxidized. Then, due to the rapid progress of oxidation, a good silicon oxide film (SiO 2 film) is formed.
By continuing the rotation of the turntable 2 in this manner, the adsorption of the DCS gas on the surface of the wafer W and the oxidation of the components of the DCS gas adsorbed on the surface of the wafer W are performed many times in this order, and reaction products are generated. By laminating, a thin film of SiO 2 film is formed.

上述の実施の形態によれば処理容器１内にて、ＤＣＳガスを吸着させたウエハＷを加熱し、Ｏ３ガスを供給するにあたって、Ｏ３ガス供給ノズル４を外管４１と内管４０との二重管としている。さらに内管４０の先端側部分の管壁部分を多孔質材４０ａで構成し、Ｏ３ガスをウエハＷ及び回転テーブル２からの輻射熱により加熱された多孔質材４０ａを通過させている。多孔質材４０ａは、隙間が狭いためＯ３ガスが内管４０の外に吐出されるまでの時間が長くなり、流速が遅くなる。また多孔質材４０ａは、熱容量が高く、さらに通過するＯ３ガスとの接触面積が大きい。従って内管４０に多くの量の熱量を蓄熱させることができると共にＯ３ガスが加熱された多孔質材４０ａから伝熱される時間が長くなり、Ｏ３ガスを効率よく加熱することができる。そして一旦流速が遅くなったＯ３ガスは、外管４１内で昇圧されて外管の吐出口４２から速い流速で吐出される。従ってウエハＷに活性の高いＯ３ガスを供給することができるため、良好な膜質のＳｉＯ２膜が得られる。 According to the above-described embodiment, when the wafer W on which the DCS gas is adsorbed is heated and the O 3 gas is supplied in the processing container 1, the O 3 gas supply nozzle 4 is connected to the outer pipe 41 and the inner pipe 40. It has a double pipe. Further, the tube wall portion on the tip side of the inner tube 40 is made of a porous material 40a, and O 3 gas is passed through the wafer W and the porous material 40a heated by the radiant heat from the rotary table 2. Since the porous material 40a has a narrow gap, it takes a long time until the O 3 gas is discharged to the outside of the inner tube 40, and the flow velocity becomes slow. The porous material 40a has a high heat capacity and a large contact area with the passing O 3 gas. Therefore, a large amount of heat can be stored in the inner tube 40, and the time for which the O 3 gas is transferred from the heated porous material 40a becomes long, so that the O 3 gas can be efficiently heated. Then, the O 3 gas whose flow velocity is once slowed is pressurized in the outer pipe 41 and is discharged from the discharge port 42 of the outer pipe at a high flow velocity. Therefore, since highly active O 3 gas can be supplied to the wafer W, a SiO 2 film having good film quality can be obtained.

またＯ３ガスを電力による励起を行うことなく高い活性状態とすることができるのでＯ３ガスをプラズマ化するための装置を用いる必要がなく、基板処理装置の低廉化に寄与する。なお本発明では、Ｏ３ガスを励起するように構成してもよいがこの場合には、プラズマ化のための電力を小さくできることが期待できる。また原料ガスの供給−Ｏ３ガスの供給を１サイクルとすると、例えば各サイクルで、あるいは所定の膜厚になったサイクルにおいて、プラズマを用いてＳｉＯ２膜の改質処理を行うことが知られているが、この改質処理を不要にできるか、あるいはプラズマの供給電力を小さくできることが期待できる。さらにまたＯ３ガスのプラズマ化及びプラズマによる改質処理の少なくとも一方を利用することで更なる良好な膜質が期待できる。 The O 3 gas is not necessary to use an apparatus for plasma the O 3 gas can be the highly active state without performing excitation by power, which contributes to cost reduction of the substrate processing apparatus. The present invention may be configured to excite O 3 gas, but in this case, it can be expected that the power for plasma generation can be reduced. Further, when the supply of the raw material gas and the supply of the O 3 gas are one cycle, it is known that the modification treatment of the SiO 2 film is performed by using plasma in each cycle, or in a cycle in which the film has a predetermined thickness. However, it can be expected that this modification treatment can be made unnecessary, or that the power supplied to the plasma can be reduced. Furthermore, by using at least one of the plasma conversion of O 3 gas and the modification treatment by the plasma, a further excellent film quality can be expected.

またＤＣＳガス供給ノズル３０をＯ３ガス供給ノズル４と同じ構成としてもよい。ウエハＷにガスを吹き付けるときにガスの温度が低いとウエハＷの温度下がり、ウエハＷ面内における温度の不均一化や膜質の悪化のおそれがある。そのためＤＣＳガスをウエハＷの加熱により加熱された多孔質材４０ａを通過させて吐出することにより、ウエハの温度の低下を防ぐことができる。 The DCS gas supply nozzle 30 may have the same configuration as the O 3 gas supply nozzle 4. If the temperature of the gas is low when the gas is sprayed onto the wafer W, the temperature of the wafer W may be lowered, and the temperature in the plane of the wafer W may be nonuniform and the film quality may be deteriorated. Therefore, the temperature of the wafer can be prevented from lowering by discharging the DCS gas through the porous material 40a heated by heating the wafer W.

またＯ３ガス供給ノズル４に外管４１を設けない構成でも、多孔質材４０ａによりＯ３ガスを加熱してウエハＷに供給することができるため効果を得ることができる。しかしながらＯ３ガス供給ノズル４から吐出するガスの時間当たりの吐出量を増加させ、ウエハＷ直上のガスの濃度を高める観点から、処理ガスの流速を高めてウエハＷに供給することが好ましい。上述の実施の形態においては、内管４０の周囲を外管４１で覆った二重管とし、内管４０から吐出される処理ガスを外管４１内の緩衝空間にて圧力を高めて吐出している。そのためウエハＷに向けて吐出される処理ガスの流速を高めることができ、ウエハＷ直上のガスの濃度を高めることができる。 Even if the O 3 gas supply nozzle 4 is not provided with the outer tube 41, the O 3 gas can be heated by the porous material 40a and supplied to the wafer W, so that the effect can be obtained. However, from the viewpoint of increasing the discharge amount of the gas discharged from the O 3 gas supply nozzle 4 per hour and increasing the concentration of the gas directly above the wafer W, it is preferable to supply the processing gas to the wafer W at a high flow rate. In the above-described embodiment, the inner tube 40 is a double tube whose periphery is covered with the outer tube 41, and the processing gas discharged from the inner tube 40 is discharged by increasing the pressure in the buffer space in the outer tube 41. ing. Therefore, the flow velocity of the processing gas discharged toward the wafer W can be increased, and the concentration of the gas directly above the wafer W can be increased.

また成膜装置をクリーニングするために、処理容器１内にパージガスやクリーニングガスを供給するノズルを設け、処理容器１内にパージガスやクリーニングガスを供給しての付着物の除去を行っている。この時クリーニングガスやパージガスが内管４０に吹き付けられると、多孔質材４０ａが削られるおそれがある。そのため内管４０における多孔質材４０ａの周囲を外管４１で覆うことにより、多孔質材４０ａの削れを防ぐことができ、ガス供給部の交換周期を長くすることができる。
なお吐出口４２を外管４１の長さ方向に沿って形成するとは、複数の吐出口４２が配列されている構成、長さ方向にガスを吐出するスリットが形成された構成のいずれかであってもよい。 Further, in order to clean the film forming apparatus, a nozzle for supplying a purge gas or a cleaning gas is provided in the processing container 1, and a purging gas or a cleaning gas is supplied into the processing container 1 to remove the deposits. At this time, if the cleaning gas or the purge gas is blown to the inner pipe 40, the porous material 40a may be scraped. Therefore, by covering the periphery of the porous material 40a in the inner tube 40 with the outer tube 41, abrasion of the porous material 40a can be prevented and the replacement cycle of the gas supply unit can be lengthened.
Note that forming the discharge port 42 along the length direction of the outer tube 41 means either a structure in which a plurality of discharge ports 42 are arranged or a structure in which a slit for discharging gas is formed in the length direction. May be.

［第１の実施の形態の他の例］
また第１の実施の形態に係る基板処理装置の他の例として、図３〜図５に示すガス供給部を加熱する補助加熱部を設けてもよい。このような例としては図８に示すようにＯ３ガス供給ノズル４の長さ方向に伸びる補助加熱部４００を設けた構成が挙げられる。例えば補助加熱部４００は、棒状の抵抗発熱体からなるヒータで構成され、Ｏ３ガス供給ノズル４の上方において、Ｏ３ガス供給ノズル４の幅方向に補助加熱部４００、熱電極からなる温度測定部４０１、補助加熱部４００の順番に並べて処理容器１の天板部１１から伸び出すように設ける。なお図８において天板部１１及び補助加熱部４００、温度測定部４０１の接続部分は省略した。 [Another Example of First Embodiment]
Further, as another example of the substrate processing apparatus according to the first embodiment, an auxiliary heating unit for heating the gas supply unit shown in FIGS. 3 to 5 may be provided. As such an example, as shown in FIG. 8, there is a configuration in which an auxiliary heating part 400 extending in the length direction of the O 3 gas supply nozzle 4 is provided. For example the auxiliary heating unit 400 is constituted by a heater comprising a resistance heating element of the rod-like, O 3 above the gas supply nozzle 4, O 3 gas supply width direction to the auxiliary heating unit 400 of the nozzle 4, the temperature measurement of a thermally electrode The part 401 and the auxiliary heating part 400 are arranged in this order so as to extend from the top plate part 11 of the processing container 1. In FIG. 8, the connecting portion of the top plate portion 11, the auxiliary heating portion 400, and the temperature measuring portion 401 is omitted.

そして図９に示すように、例えばＰＩＤ制御を行う温度制御部４０２を設け、温度測定部４０１により測定された温度と、制御部９０から入力される設定温度とを比較して補助加熱部４００の加熱温度を制御するように構成してもよい。このように構成することで図１０に示すようにＯ３ガス供給ノズル４における多孔質材４０ａをウエハＷや回転テーブル２からの輻射熱により加熱すると共に、補助加熱部４００を用いて加熱温度を一定に制御できるため、多孔質材４０ａの加熱温度を安定させ、ウエハＷに供給するガスの温度を安定させることができる。さらに補助加熱部４００を用いることにより、よりＯ３ガス供給ノズル４における処理ガスの加熱温度を広い範囲の温度に調整できる。 Then, as shown in FIG. 9, for example, a temperature control unit 402 that performs PID control is provided, and the temperature measured by the temperature measurement unit 401 and the set temperature input from the control unit 90 are compared, and the auxiliary heating unit 400 The heating temperature may be controlled. With such a configuration, as shown in FIG. 10, the porous material 40a in the O 3 gas supply nozzle 4 is heated by the radiant heat from the wafer W or the rotary table 2, and the heating temperature is kept constant by using the auxiliary heating unit 400. Therefore, the heating temperature of the porous material 40a can be stabilized and the temperature of the gas supplied to the wafer W can be stabilized. Furthermore, by using the auxiliary heating unit 400, the heating temperature of the processing gas in the O 3 gas supply nozzle 4 can be adjusted to a wider range of temperatures.

また処理容器１内において、ウエハＷに複数種のガスを供給して処理を行うにあたって、各々のガスを異なる温度に設定するために、第１の実施の形態においては、一の処理ガスをガスの通過空間から多孔質材４０ａを介してウエハＷに供給している。しかし本発明では、複数の処理ガスを供給する各々のガス供給部をガスの通過空間から多孔質材４０ａを介してウエハＷに供給する構成とし、例えば一方のガス供給部を補助加熱部４００により加熱し、他方のガス供給部を補助加熱部４００を設けない構成として各処理ガスを異なる温度に調整してもよい。あるいは、すべてのガス供給部にも補助加熱部４００を設け、各々の処理ガスを異なる温度に調整するように設定しウエハＷに供給するようにしてもよい。 Further, in the processing container 1, when a plurality of kinds of gases are supplied to the wafer W for processing, each gas is set to a different temperature. Therefore, in the first embodiment, one processing gas is used as a gas. Is supplied to the wafer W from the passage space of the through the porous material 40a. However, in the present invention, each gas supply unit that supplies a plurality of process gases is configured to be supplied from the gas passage space to the wafer W through the porous material 40a. For example, one gas supply unit is configured by the auxiliary heating unit 400. Alternatively, each processing gas may be adjusted to a different temperature by heating the other gas supply unit without providing the auxiliary heating unit 400. Alternatively, the auxiliary heating unit 400 may be provided in all the gas supply units, and the processing gases may be set to be adjusted to different temperatures and supplied to the wafer W.

また処理ガスは、例えば焼結させるビーズ体の輻射率を変えたり、ビーズの大きさを変えてガスが多孔質材４０ａの隙間を通過する時間を変えることにより、多孔質材４０ａを介して吐出されるガスの温度を変えることができる。そのため各処理ガスの供給温度を変えるにあたっては、各々のガス供給部のビーズ体の輻射率を変えたり、ビーズ体の大きさを変えて調整するようにしてもよい。
また処理ガス供給ノズルは、図１１の横断面図に示すように角筒状の内管４１０及び外管４１１で構成されていてもよい。 The processing gas is discharged through the porous material 40a by changing the emissivity of the bead body to be sintered or changing the size of the bead to change the time for the gas to pass through the gap of the porous material 40a. It is possible to change the temperature of the gas to be discharged. Therefore, when changing the supply temperature of each processing gas, the emissivity of the bead body of each gas supply unit may be changed, or the size of the bead body may be changed.
Further, the processing gas supply nozzle may be composed of an inner tube 410 and an outer tube 411 each having a rectangular tube shape, as shown in the cross-sectional view of FIG.

［第２の実施の形態］
第２の実施の形態に係る基板処理装置として、縦型熱処理装置に適用した例について説明する。図１２に示すように縦型熱処理装置は、両端が開口した石英製の管状に構成され、内部に成膜ガスが供給される反応管である内側反応管１１１を備えており、内側反応管１１１の周囲には、上端側が塞がれ、下端側が開口した石英製の円筒状の外側反応管１１２が設けられている。外側反応管１１２の下方には、外側反応管１１２と開口部に気密に接続され、外側反応管１１２と連続するステンレス製の筒状のマニホールド１１５が設けられ、マニホールド１１５の下端は、フランジ１１７が形成されている。またマニホールド１１５の内側には、リング状の支持部１１６が形成され、内側反応管１１１は、その下端が支持部１１６の内側の周縁に沿って起立して接続されている。内側反応管１１１、外側反応管１１２及びマニホールド１１５は処理容器に相当する。 [Second Embodiment]
An example applied to a vertical heat treatment apparatus as a substrate processing apparatus according to the second embodiment will be described. As shown in FIG. 12, the vertical heat treatment apparatus has an inner reaction tube 111, which is a tube made of quartz with both ends open and which is a reaction tube into which a film forming gas is supplied. An outer reaction tube 112 made of quartz and having a closed upper end and an opened lower end is provided around the circumference of the. Below the outer reaction tube 112, a stainless steel cylindrical manifold 115 continuous with the outer reaction tube 112 and airtightly connected to the outer reaction tube 112 is provided, and a flange 117 is provided at the lower end of the manifold 115. Has been formed. Further, a ring-shaped support portion 116 is formed inside the manifold 115, and the lower end of the inner reaction tube 111 is erected and connected along the inner peripheral edge of the support portion 116. The inner reaction tube 111, the outer reaction tube 112, and the manifold 115 correspond to a processing container.

また縦型熱処理装置は、外側反応管１１２を上方側から覆う断熱体１１３を備え、断熱体１１３の下方は、反応容器１１０を固定している基体１０９に固定されている。断熱体１１３の内側には、全周に亘って抵抗発熱体からなる加熱部１１４が設けられている。 Further, the vertical heat treatment apparatus includes a heat insulator 113 that covers the outer reaction tube 112 from the upper side, and the lower portion of the heat insulator 113 is fixed to the base 109 that fixes the reaction container 110. Inside the heat insulator 113, a heating portion 114 made of a resistance heating element is provided over the entire circumference.

マニホールド１１５におけるフランジ１１７に囲まれる開口部１１８には、開口部１１８を開閉する石英製の円形の蓋体１１９が設けられ、蓋体１１９は、蓋体１１９を昇降させるボートエレベータ１２０の上に設けられている。蓋体１１９の上面側には、回転台１２１が設けられ、回転台１２１は、ボートエレベータ１２０の下方に設けられた駆動部１２２により鉛直軸周りに回転自在に設けられている。 A circular quartz lid 119 that opens and closes the opening 118 is provided in the opening 118 surrounded by the flange 117 in the manifold 115, and the lid 119 is provided on the boat elevator 120 that raises and lowers the lid 119. Has been. A turntable 121 is provided on the upper surface side of the lid 119, and the turntable 121 is provided rotatably around a vertical axis by a drive unit 122 provided below the boat elevator 120.

回転台１２１の上方には、断熱ユニット１２３が設けられている。断熱ユニット１２３の上方には、基板保持具であるウエハボート１０２が設けられている。ウエハボート１０２は、天板１２４ａと、底板１２４ｂと、を備え、天板１２４ａと底板１２４ｂとを互いに接続する支柱１２５には、ウエハＷ挿入して、ウエハＷを棚状に保持するための保持溝１２６が形成されている。 A heat insulating unit 123 is provided above the turntable 121. A wafer boat 102, which is a substrate holder, is provided above the heat insulating unit 123. The wafer boat 102 includes a top plate 124a and a bottom plate 124b. A support 125 for connecting the top plate 124a and the bottom plate 124b to each other is inserted into the wafer W to hold the wafer W in a shelf shape. A groove 126 is formed.

マニホールド１１５における支持部１１６の下方側には、ＤＣＳガス供給ノズル１２７及びガス供給部であるＯ３ガス供給ノズル１２８が設けられている。ＤＣＳガス供給ノズル１２７は、水平に伸びその先端がガス供給口として開口している。ＤＣＳガス供給ノズル１２７の基端側はマニホールド１１５に形成されたポート１１５ａに接続されている。またポート１１５ａには、マニホールド１１５の外周側からＤＣＳガス供給管１３１の一端が接続され、ＤＣＳガス供給管１３１の他端側は、バルブＶ１３１、流量調整部Ｍ１３１を介してＤＣＳガス供給源１３２に接続されている。 A DCS gas supply nozzle 127 and an O 3 gas supply nozzle 128, which is a gas supply unit, are provided below the support unit 116 in the manifold 115. The DCS gas supply nozzle 127 extends horizontally and its tip is open as a gas supply port. The base end side of the DCS gas supply nozzle 127 is connected to a port 115 a formed in the manifold 115. Further, one end of the DCS gas supply pipe 131 is connected to the port 115a from the outer peripheral side of the manifold 115, and the other end side of the DCS gas supply pipe 131 is connected to the DCS gas supply source 132 via the valve V131 and the flow rate adjusting unit M131. It is connected.

またＯ３ガス供給ノズル１２８は、水平部分とウエハＷの配列方向に伸びる垂直部分とを備え、垂直部分は図１３に示すように内管１４０及び外管１４１を備えた二重管となっている。内管１４０の先端側、この例では上下方向で見てウエハＷの配列領域を含む高さ領域に相当する部分は、図３〜図５に示したＯ３ガス供給ノズル４と同様に不透明の石英ビーズを焼結させた多孔質材１４０ａとなっており、石英製の円筒形状の外管１４１が、内管１４０の多孔質材１４０ａの部位の周囲を覆うように設けられている。そして外管１４１におけるウエハボート１０２側には、各ウエハＷ間の隙間にＯ３ガスを供給するための吐出口１４２がウエハＷ間の隙間に各々対応するように設けられている。 The O 3 gas supply nozzle 128 has a horizontal portion and a vertical portion extending in the arrangement direction of the wafers W, and the vertical portion is a double pipe having an inner pipe 140 and an outer pipe 141 as shown in FIG. There is. The tip side of the inner tube 140, that is, the portion corresponding to the height region including the arrangement region of the wafers W when viewed in the vertical direction in this example is opaque like the O 3 gas supply nozzle 4 shown in FIGS. 3 to 5. It is a porous material 140a obtained by sintering quartz beads, and a cylindrical outer tube 141 made of quartz is provided so as to cover a portion of the inner tube 140 around the porous material 140a. On the wafer boat 102 side of the outer pipe 141, discharge ports 142 for supplying O 3 gas to the gaps between the wafers W are provided so as to correspond to the gaps between the wafers W, respectively.

Ｏ３ガス供給ノズル１２８の基端側はマニホールド１１５に形成されたポート１１５ｂに接続されている。またポート１１５ｂには、マニホールド１１５の外周側からＯ３ガス供給管１３３の一端が接続され、Ｏ３ガス供給管１３３の他端側は、バルブＶ１３３、流量調整部Ｍ１３３を介してＯ３ガス供給源１３４に接続されている。 The base end side of the O 3 gas supply nozzle 128 is connected to the port 115b formed in the manifold 115. Further, one end of an O 3 gas supply pipe 133 is connected to the port 115b from the outer peripheral side of the manifold 115, and the other end side of the O 3 gas supply pipe 133 is supplied with an O 3 gas via a valve V133 and a flow rate adjusting unit M133. Connected to the source 134.

またマニホールド１１５における支持部１１６の上方側には、他端側に真空排気機構１３５が接続された排気管１３６の一端側が接続され、マニホールド１１５における支持部１１６の上方側、即ち外側反応管１１２と内側反応管１１１との隙間から排気するように構成されている。
このような縦型熱処理装置においては、ウエハボート１０２における各保持溝１２６にウエハＷを挿入し、加熱部１１４により、例えばウエハＷを７８０℃に加熱する。そして排気を開始し、ＤＣＳガス供給ノズル１２７からＤＣＳガスを供給する。これにより内側反応管１１１内がＤＣＳガスで満たされ、さらにＯ３ガス供給ノズル１２８からＯ３ガスを供給する。従って内側反応管１１１内においてウエハＷの表面に吸着したＤＣＳガスがＯ３ガスにより酸化されてＳｉＯ２となりウエハＷの表面に堆積してＳｉＯ２膜が成膜される。 Further, one end side of an exhaust pipe 136 having a vacuum exhaust mechanism 135 connected to the other end side is connected to the upper side of the support part 116 in the manifold 115, and the upper side of the support part 116 in the manifold 115, that is, the outer reaction tube 112. The gas is exhausted from the gap between the inner reaction tube 111.
In such a vertical heat treatment apparatus, the wafer W is inserted into each holding groove 126 in the wafer boat 102, and the heating unit 114 heats the wafer W to 780° C., for example. Then, the exhaust is started and the DCS gas is supplied from the DCS gas supply nozzle 127. As a result, the inside of the inner reaction tube 111 is filled with the DCS gas, and the O 3 gas is further supplied from the O 3 gas supply nozzle 128. Therefore, the DCS gas adsorbed on the surface of the wafer W in the inner reaction tube 111 is oxidized by O 3 gas to become SiO 2 and is deposited on the surface of the wafer W to form a SiO 2 film.

この時ウエハＷを加熱部１１４により加熱するときにＯ３ガス供給ノズル１２８の多孔質材１４０ａも加熱される。そのためＯ３ガスを多孔質材１４０ａを通過させて内側反応管１１１内に供給したときにＯ３ガスが加熱され、活性が高められた状態で供給されるため同様の効果を得ることができる。 At this time, when the wafer W is heated by the heating unit 114, the porous material 140a of the O 3 gas supply nozzle 128 is also heated. Therefore, when the O 3 gas is passed through the porous material 140a and supplied into the inner reaction tube 111, the O 3 gas is heated and supplied in a state in which the activity is enhanced, so that the same effect can be obtained.

［第３の実施の形態］
続いて第３の実施の形態に係る基板処理装置として、枚葉式の成膜装置に適用した例について説明する。図１４に示すように成膜装置は、処理容器２１１を備えている処理容器２１１は、天板２１２と、容器本体２１３とを備え、概略扁平な円筒形状の処理容器として構成されている。容器本体２１３の側壁にはウエハＷの搬入出が行われる搬入出口２１４と、当該搬入出口２１４を開閉するゲートバルブ２１５とが設けられている。 [Third Embodiment]
Next, as a substrate processing apparatus according to the third embodiment, an example applied to a single wafer type film forming apparatus will be described. As shown in FIG. 14, the film forming apparatus includes a processing container 211. The processing container 211 includes a top plate 212 and a container body 213, and is configured as a substantially flat cylindrical processing container. The side wall of the container body 213 is provided with a loading/unloading port 214 for loading/unloading the wafer W and a gate valve 215 for opening/closing the loading/unloading port 214.

処理容器２１１の内部には、成膜対象のウエハＷを載置する載置台２２１が設けられ、載置台２２１の上面には、成膜対象のウエハＷを収容可能な円形の凹部が形成されている。載置台２２１の下面側中央部には、回転軸２２２が設けられ、回転軸２２２は容器本体２１３の底板を貫通し、その下端部には、載置台２２１を鉛直軸周りに回転させると共に載置台２２１を成膜処理が行われる位置と、ウエハＷの受け渡しを行う受け渡し位置との間を昇降させるための駆動部２２３がもうけられている。なお図１４中の２２４は、軸受部である。また容器本体２１３の底板と載置台２２１との間には、載置台２２１の上面側のウエハＷの載置領域に対応させた加熱部２０７が配置されている。 A mounting table 221 for mounting the wafer W to be film-formed is provided inside the processing container 211, and a circular concave portion capable of accommodating the wafer W to be film-formed is formed on the upper surface of the mounting table 221. There is. A rotation shaft 222 is provided in the central portion on the lower surface side of the mounting table 221. The rotation shaft 222 penetrates the bottom plate of the container body 213, and at the lower end portion thereof, the mounting table 221 is rotated about the vertical axis and the mounting table 221 is rotated. A drive unit 223 is provided for moving up and down between the position where the film formation process is performed on the 221 and the transfer position where the wafer W is transferred. In addition, 224 in FIG. 14 is a bearing part. Further, between the bottom plate of the container body 213 and the mounting table 221, a heating unit 207 corresponding to the mounting area of the wafer W on the upper surface side of the mounting table 221 is arranged.

載置台２２１の上方側には、ウエハＷに対してＤＣＳガスを吐出するためのガス供給部であるＤＣＳガス供給部２０３が設けられている。ＤＣＳガス供給部２０３は、例えば処理容器２１１内における搬入出口２１４から見て奥側における載置台２２１の上方に、ウエハＷの中心の上方からウエハＷの周縁の上方に亘る位置に設けられている。ＤＣＳガス供給部２０３は、断面がウエハＷの径方向に伸びる楕円状の空間を形成するための石英製の区画部材２４０を備えている。なお区画部材２４０は断面が円柱形状、あるいは矩形であってもよい。区画部材２４０は、載置台２２１と対向する面、即ち区画部材２４０の底面部が、不透明の石英ビーズを焼結させた多孔質材２４０ａになっている。区画部材２４０の天井部には、ＤＣＳガス供給管２４１の一端が接続され、ＤＣＳガス供給管２４１の他端側は、バルブＶ２４１、流量調整部Ｍ２４１を介して、ＤＣＳガス供給源２４２が接続されている。 A DCS gas supply unit 203, which is a gas supply unit for discharging the DCS gas to the wafer W, is provided above the mounting table 221. The DCS gas supply unit 203 is provided, for example, above the mounting table 221 on the far side when viewed from the loading/unloading port 214 in the processing container 211, at a position extending from above the center of the wafer W to above the peripheral edge of the wafer W. .. The DCS gas supply unit 203 includes a partition member 240 made of quartz for forming an elliptical space whose cross section extends in the radial direction of the wafer W. The partition member 240 may have a columnar shape or a rectangular cross section. The partition member 240 has a surface facing the mounting table 221, that is, a bottom surface of the partition member 240, which is a porous material 240a obtained by sintering opaque quartz beads. One end of a DCS gas supply pipe 241 is connected to the ceiling of the partition member 240, and the other end of the DCS gas supply pipe 241 is connected to a DCS gas supply source 242 via a valve V241 and a flow rate adjusting unit M241. ing.

また載置台２２１と処理容器２１１の天井面との隙間に側方から酸化ガスを吐出するＯ３ガス供給ノズル２０４が設けられている。Ｏ３ガス供給ノズル２０４は、Ｏ３ガス供給管２４３の一端が接続され、Ｏ３ガス供給管２４３の他端側は、バルブＶ２４３、流量調整部Ｍ２４３を介して、Ｏ３ガス供給源２４４が接続されている。 Further, an O 3 gas supply nozzle 204 that discharges the oxidizing gas from the side is provided in a gap between the mounting table 221 and the ceiling surface of the processing container 211. One end of the O 3 gas supply pipe 243 is connected to the O 3 gas supply nozzle 204, and the other end side of the O 3 gas supply pipe 243 is connected to the O 3 gas supply source 244 via a valve V243 and a flow rate adjusting unit M243. It is connected.

さらにＤＣＳガス供給部２０３の周囲を囲むように排気口２４５が形成されており、排気口２４５から排気することにより、処理容器２１１内にてＤＣＳガス供給部２０３から供給されるＤＣＳガスとＯ３ガス供給管２４３から供給されるＯ３ガスとが混合されないように区画されている。 Further, an exhaust port 245 is formed so as to surround the periphery of the DCS gas supply unit 203, and by exhausting from the exhaust port 245, the DCS gas supplied from the DCS gas supply unit 203 and O 3 are supplied. It is partitioned so that the O 3 gas supplied from the gas supply pipe 243 is not mixed.

この成膜装置は、載置台２２１に載置されたウエハＷを加熱すると共に排気を開始する。さらにウエハＷを鉛直軸周りに回転させながら、ウエハＷの上方からＤＣＳガスを供給すると共にＯ３ガスを供給する。排気口２４５から排気を行っているため、ＤＣＳガスは、ウエハＷの表面における排気口２４５に囲まれた領域にのみ付着する。そしてウエハＷ回転させると、ウエハＷの表面におけるＤＣＳガスが吸着した領域が排気口２４５に囲まれた領域に移動し、処理容器内に供給されているＯ３ガスに曝される。 This film forming apparatus heats the wafer W mounted on the mounting table 221 and starts exhausting. Further, while rotating the wafer W around the vertical axis, DCS gas and O 3 gas are supplied from above the wafer W. Since the gas is exhausted from the exhaust port 245, the DCS gas adheres only to the region of the surface of the wafer W surrounded by the exhaust port 245. Then, when the wafer W is rotated, the area where the DCS gas is adsorbed on the surface of the wafer W moves to the area surrounded by the exhaust port 245 and is exposed to the O 3 gas supplied into the processing container.

この結果ウエハＷの表面に吸着したＤＣＳガスが酸化されて酸化シリコンの層が形成される。このようにウエハＷを回転させることで、ウエハＷの表面にＤＣＳガスとＯ３ガスとが交互に供給されてＳｉＯ２膜が成膜される。このような成膜装置においても、ＤＣＳガス供給部２０３における区画部材２４０がウエハＷを加熱する加熱部２０７による熱及び加熱されたウエハＷから放射される熱により加熱される。そのためＤＣＳガスを多孔質材２４０ａを通過させることにより加熱してウエハＷに供給することができるため同様の効果を得ることができる。 As a result, the DCS gas adsorbed on the surface of the wafer W is oxidized to form a silicon oxide layer. By rotating the wafer W in this manner, the DCS gas and the O 3 gas are alternately supplied to the surface of the wafer W to form the SiO 2 film. Also in such a film forming apparatus, the partition member 240 in the DCS gas supply unit 203 is heated by the heat of the heating unit 207 that heats the wafer W and the heat radiated from the heated wafer W. Therefore, since the DCS gas can be heated and supplied to the wafer W by passing through the porous material 240a, the same effect can be obtained.

またガス供給部は、平面がウエハＷよりも大きな円形のシャワーヘッド構造であり、ウエハＷの表面全体に向けてガスを供給するように構成し、処理容器内におけるガス供給部の周囲に排気口が形成された構成でも良く、さらに処理容器内における排気口で囲まれた領域の外側にパージガス供給口を設け、処理容器に更にパージガスを排気する排気口を設けた構成でも良い。
また本発明はウエハにＤＣＳガス及びＮＨ３ガスを供給して行うＳｉＮ膜の成膜装置に用いてもよい。また成膜装置に限らずウエハＷに処理ガスを供給してウエハＷのエッチングを行うエッチング装置であってもよい。 The gas supply unit has a circular shower head structure whose plane is larger than the wafer W, is configured to supply gas toward the entire surface of the wafer W, and has an exhaust port around the gas supply unit in the processing container. Alternatively, a purge gas supply port may be provided outside the region surrounded by an exhaust port in the processing container, and an exhaust port for exhausting the purge gas may be provided in the processing container.
Further, the present invention may be used in a SiN film forming apparatus which is performed by supplying DCS gas and NH 3 gas to a wafer. The etching apparatus is not limited to the film forming apparatus, and may be an etching apparatus that supplies a processing gas to the wafer W to etch the wafer W.

１ 処理容器
２ 回転テーブル
７ 加熱部
４ Ｏ３ガス供給ノズル
３０ ＤＣＳガス供給ノズル
４０ 内管
４０ａ 多孔質材
４１ 外管
４２ 吐出口
Ｗ ウエハ 1 Processing Container 2 Rotating Table 7 Heating Section 4 O 3 Gas Supply Nozzle 30 DCS Gas Supply Nozzle 40 Inner Tube 40a Porous Material 41 Outer Tube 42 Discharge Port W Wafer

Claims (11)

処理容器内にて加熱された基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置において、
前記処理容器内にて基板を載置するための載置部と、
前記載置部に載置された基板を加熱するための加熱部と、
前記処理容器内に設けられ、処理ガス供給源から送られた処理ガスを吐出するためのガス供給部と、
前記処理容器内を排気する排気部と、を備え、
前記ガス供給部は、ガスの通過空間を区画すると共に、基板が置かれている雰囲気と前記通過空間との間に介在する管壁部分が多孔質材からなる多孔質管である区画部材を備え、
前記区画部材内を通ってきた処理ガスが前記多孔質材を介して当該区画部材の外に吐出するように構成されていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that supplies a processing gas to a substrate heated in a processing container to perform processing,
A mounting portion for mounting a substrate in the processing container,
A heating unit for heating the substrate placed on the placing unit,
A gas supply unit provided in the processing container for discharging the processing gas sent from the processing gas supply source,
An exhaust unit for exhausting the inside of the processing container,
The gas supply unit includes a partition member that partitions a gas passage space and has a tube wall portion, which is a porous tube made of a porous material, interposed between the atmosphere in which the substrate is placed and the passage space. ,
The substrate processing apparatus is configured such that the processing gas that has passed through the inside of the partition member is discharged to the outside of the partition member through the porous material. 前記ガス供給部内の処理ガスを加熱するために前記加熱部とは別個に設けられた補助加熱機構を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising an auxiliary heating mechanism provided separately from the heating unit for heating the processing gas in the gas supply unit. 前記区画部材は石英により構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the partition member is made of quartz. 前記ガス供給部は、前記基板が置かれている雰囲気と前記多孔質材との間に、前記多孔質材から吐出された処理ガスの圧力を高めるための緩衝空間を形成する外部材を備え、
前記外部材には、前記雰囲気に処理ガスを吐出するための吐出口が形成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The gas supply unit includes an external member that forms a buffer space for increasing the pressure of the processing gas discharged from the porous material between the atmosphere in which the substrate is placed and the porous material,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a discharge port for discharging a processing gas to the atmosphere is formed in the outer member. 前記外部材は、その長さ方向に沿って前記吐出口が形成された外管であることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 4, wherein the outer member is an outer tube in which the ejection port is formed along a length direction thereof. 基板を載置する前記載置部を公転させるための回転テーブルと、
前記載置部が通過する領域に第１の処理ガスを供給して基板に第１の処理ガスの成分を吸着させるための第１の処理ガス供給部と、
前記第１の処理ガス供給部に対して回転テーブルの回転方向に離間して設けられ、基板に吸着された前記第１の処理ガスの成分と反応して反応層を形成するための第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給部と、を備え、
前記多孔質管を備えた前記ガス供給部は、前記第２の処理ガス供給部に相当することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 A rotary table for revolving the above-mentioned mounting part for mounting the substrate,
A first processing gas supply unit for supplying the first processing gas to a region through which the placement unit passes to adsorb the components of the first processing gas on the substrate;
The second processing gas supply unit is provided apart from the first processing gas supply unit in the rotation direction of the rotary table and is configured to react with the components of the first processing gas adsorbed on the substrate to form a reaction layer. A second processing gas supply unit for supplying a processing gas,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the gas supply unit provided with the porous tube corresponds to the second processing gas supply unit. 前記第１の処理ガスは、シリコン化合物を含むガスであり、
前記第２の処理ガスは、酸素を含む酸化用のガスであり、
基板に対して行われる処理はシリコン酸化膜を成膜する処理であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。 The first processing gas is a gas containing a silicon compound,
The second processing gas is an oxidizing gas containing oxygen,
The substrate processing apparatus according to claim 6, wherein the process performed on the substrate is a process of forming a silicon oxide film. 前記処理容器は、周囲に前記加熱部が配置された縦型の反応管であり、
前記載置部は、複数の基板を棚状に保持するための基板保持具であり、
前記多孔質管は、前記反応管内にて前記基板保持具に沿って縦方向に配置され、
前記基板保持具を前記反応管に対して搬入出するための昇降機構を備え、縦型熱処理装置として構成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The processing container is a vertical reaction tube in which the heating unit is arranged around,
The placement unit is a substrate holder for holding a plurality of substrates in a shelf shape,
The porous tube is arranged in the reaction tube in the longitudinal direction along the substrate holder,
The substrate processing according to claim 1, further comprising an elevating mechanism for loading and unloading the substrate holder to and from the reaction tube, and configured as a vertical heat treatment apparatus. apparatus. 処理容器内に設けられ、処理ガス供給源から送られたガスの通過空間を区画すると共に、基板が置かれている雰囲気と前記通過空間との間に介在する管壁部分が多孔質材からなる多孔質管である区画部材を備えたガス供給部を備え、処理容器内にて加熱された基板に対して処理ガスを供給して処理を行う基板処理装置を用い、
前記基板を処理容器内に載置する工程と、
前記処理容器内に載置された基板を加熱する工程と、
前記処理ガス供給源から送られた処理ガスを基板に向けて吐出する工程と、
前記処理容器内を排気する工程と、を含み、
前記基板の加熱により前記多孔質材が加熱され、
前記処理ガスを基板に向けて吐出する工程は、前記区画部材内を通ってきた処理ガスが前記加熱された多孔質材を介して当該区画部材の外に吐出する工程を含むことを特徴とする基板処理方法。 A porous wall is provided in the processing container to define a passage space for the gas sent from the processing gas supply source, and a pipe wall portion interposed between the atmosphere in which the substrate is placed and the passage space. A substrate processing apparatus that includes a gas supply unit that includes a partition member that is a porous tube and that supplies a processing gas to a substrate heated in a processing container to perform processing is used.
Placing the substrate in a processing container,
Heating the substrate placed in the processing container,
Discharging the processing gas sent from the processing gas supply source toward the substrate,
Evacuating the inside of the processing container,
The porous material is heated by heating the substrate,
The step of discharging the processing gas toward the substrate includes the step of discharging the processing gas that has passed through the inside of the partition member to the outside of the partition member via the heated porous material. Substrate processing method. 前記ガス供給部は、前記基板が置かれている雰囲気と前記多孔質材との間に、緩衝空間を形成する外部材を備え、
前記処理ガスを基板に向けて吐出する工程は、前記多孔質材から吐出された処理ガスを前記緩衝空間により圧力を高めて吐出する工程を含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。 The gas supply unit includes an outer member that forms a buffer space between the atmosphere in which the substrate is placed and the porous material,
10. The substrate processing method according to claim 9, wherein the step of discharging the processing gas toward the substrate includes the step of increasing the pressure of the processing gas discharged from the porous material by the buffer space and discharging the processing gas. .. 基板を加熱する加熱部とは別個に設けられた補助加熱機構を用い、
処理ガスを基板に向けて吐出する工程の前に、前記補助加熱機構により、ガス供給部内の処理ガスを加熱することを特徴とする請求項９または１０に記載の基板処理方法。 Using an auxiliary heating mechanism provided separately from the heating unit that heats the substrate,
11. The substrate processing method according to claim 9, wherein the processing gas in the gas supply unit is heated by the auxiliary heating mechanism before the step of discharging the processing gas toward the substrate.
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