JP6738944B2 - Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display device - Google Patents

Vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display device Download PDF

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Description

本発明は、例えば有機ＥＬ表示装置の有機層を蒸着する蒸着装置、蒸着方法及び有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to, for example, a vapor deposition device for vapor depositing an organic layer of an organic EL display device, a vapor deposition method, and a method for manufacturing an organic EL display device.

例えば、有機ＥＬ表示装置が製造される場合、支持基板上にＴＦＴ等の駆動素子が形成され、その電極の上に有機層が画素ごとに対応して積層される。この有機層は水分に弱くエッチングをすることができない。そのため、有機層の積層は、支持基板（被蒸着基板）と蒸着マスクとを重ねて配置し、その蒸着マスクの開口を通して有機材料の蒸着を行うことによりなされる。そして、必要な画素の電極の上のみに必要な有機材料が積層される。この被蒸着基板と蒸着マスクとは、できるだけ近接していないと画素の正確な領域のみに有機層が形成されない。正確な画素の領域のみに有機材料が堆積していないと表示画像がぼやけやすい。そのため、蒸着マスクに磁性体を使用し、永久磁石又は電磁石と蒸着マスクとの間に被蒸着基板を介在させることで、被蒸着基板と蒸着マスクとを接近させる磁気チャックが用いられている（例えば特許文献１参照）。 For example, when an organic EL display device is manufactured, a driving element such as a TFT is formed on a support substrate, and an organic layer is laminated on the electrode corresponding to each pixel. This organic layer is sensitive to moisture and cannot be etched. Therefore, the stacking of the organic layers is performed by disposing the support substrate (deposition target substrate) and the vapor deposition mask so as to overlap each other, and performing vapor deposition of the organic material through the opening of the vapor deposition mask. Then, the necessary organic material is laminated only on the electrodes of the necessary pixels. If the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask are not as close to each other as possible, the organic layer is not formed only in the correct region of the pixel. If the organic material is not deposited only in the correct pixel area, the displayed image tends to be blurred. Therefore, a magnetic chuck is used in which a magnetic material is used as the vapor deposition mask and the vapor deposition substrate is interposed between the permanent magnet or electromagnet and the vapor deposition mask to bring the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask close to each other (for example, See Patent Document 1).

特開２００８−０２４９５６号公報JP, 2008-024956, A

蒸着マスクとして、従来メタルマスクが用いられていたが、近年では、より精細な開口を形成するため、樹脂フィルムで形成されたマスクの開口の周囲が金属支持層で支持されたハイブリッド型の蒸着マスクが用いられる傾向にある。ハイブリッドマスクのように、磁性体が少ない蒸着マスクは、より強い磁場（磁界）でないと充分な吸着を行えない。 Conventionally, a metal mask has been used as a vapor deposition mask, but in recent years, in order to form a finer opening, a hybrid type vapor deposition mask in which the periphery of the opening of the mask formed of a resin film is supported by a metal supporting layer. Tend to be used. A vapor deposition mask having a small amount of magnetic material such as a hybrid mask cannot perform sufficient adsorption unless a stronger magnetic field (magnetic field) is used.

前述のように、吸着が充分でないと、被蒸着基板と蒸着マスクとの接近性が低下する。蒸着マスクを充分に被蒸着基板側に引き付けるには、強い磁場が必要となる。磁気チャックの磁石として、永久磁石が用いられると、その磁場が強い場合、被蒸着基板と蒸着マスクとの位置合せが困難になる。一方、電磁石が用いられると、位置合せの際には磁場を印加しないで、位置合せ後に磁場を印加することができるので、被蒸着基板と蒸着マスクとの位置合せが容易になる。しかしながら、電磁石を用いて、被蒸着基板と蒸着マスクとの位置合せ後に強い磁場が印加されると、被蒸着基板のＴＦＴや有機材料の積層膜などに性能不良や特性の劣化が生じ得ることを本発明者は見出した。特に、ハイブリッド型の蒸着マスクを用いる場合には、充分な吸着を行うため、強い磁場が必要になる。この場合、強くする磁場は、せいぜい２倍程度で、大型の電磁石が必要とされるほどではない。しかし、従来のメタルマスクの場合の電磁石でも、電流投入時の磁束の変化は非常に大きく、電流が多くなると、磁束の変化はより顕著になる。本発明者は、この電流投入時に発生する電磁誘導によって、被蒸着基板に形成されたＴＦＴの不具合や有機層の劣化が顕著に現れ得ることを見出した。 As described above, if the adsorption is not sufficient, the accessibility between the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask deteriorates. A strong magnetic field is necessary to sufficiently attract the vapor deposition mask to the vapor deposition substrate side. When a permanent magnet is used as the magnet of the magnetic chuck, it becomes difficult to align the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask when the magnetic field is strong. On the other hand, when the electromagnet is used, the magnetic field can be applied after the alignment without applying the magnetic field during the alignment, and thus the alignment between the deposition target substrate and the deposition mask becomes easy. However, when a strong magnetic field is applied after the deposition substrate and the deposition mask are aligned using the electromagnet, it is possible that the TFT of the deposition substrate or a laminated film of an organic material may have poor performance or deterioration of characteristics. The inventor has found out. In particular, when a hybrid-type vapor deposition mask is used, a strong magnetic field is required for sufficient adsorption. In this case, the magnetic field to be strengthened is at most about twice, which is not enough to require a large electromagnet. However, even in the case of the electromagnet in the case of the conventional metal mask, the change in the magnetic flux when the current is applied is very large, and the change in the magnetic flux becomes more remarkable as the current increases. The present inventor has found that the electromagnetic induction that occurs when the current is applied can cause the defects of the TFT formed on the substrate to be vapor-deposited and the deterioration of the organic layer to appear significantly.

本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、磁気チャックの磁石に電磁石が用いられても、被蒸着基板に形成されるＴＦＴなどの素子の不良や劣化、さらには有機層の特性の劣化を抑制する蒸着装置及び蒸着方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such a problem, and even if an electromagnet is used as a magnet of a magnetic chuck, defects or deterioration of elements such as TFTs formed on a substrate to be vapor-deposited, and further organic An object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus and a vapor deposition method that suppress deterioration of layer characteristics.

本発明の他の目的は、上記蒸着方法を用いて、表示品位の優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。 Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an organic EL display device having excellent display quality by using the above vapor deposition method.

本発明の一実施形態の蒸着装置は、電磁石と、前記電磁石の一つの磁極と対向する位置に設けられ、被蒸着基板を保持する基板ホルダーと、前記基板ホルダーによって保持される前記被蒸着基板の前記電磁石と反対面に対向する位置に設けられ、磁性体を有する蒸着マスクと、前記蒸着マスクと対向させて設けられ、蒸着材料を気化又は昇華させる蒸着源と、前記電磁石を駆動する電源回路と、を有する蒸着装置であって、前記電磁石が、第１の向きを向く磁界を発生させる第１の電磁石と、前記第１の向きと逆向きの磁界を発生させる第２の電磁石とを有している。 An evaporation apparatus according to an embodiment of the present invention includes an electromagnet, a substrate holder that is provided at a position facing one magnetic pole of the electromagnet, and holds a deposition target substrate, and the deposition target substrate held by the substrate holder. A vapor deposition mask provided at a position facing the surface opposite to the electromagnet and having a magnetic material; a vapor deposition source provided to face the vapor deposition mask to vaporize or sublime the vapor deposition material; and a power supply circuit for driving the electromagnet. And a second electromagnet that generates a magnetic field in a first direction, and a second electromagnet that generates a magnetic field in a direction opposite to the first direction. ing.

本発明の一実施形態の蒸着方法は、電磁石と、被蒸着基板と、磁性体を有する蒸着マスクとを、重ね合せ、かつ、電源回路からの前記電磁石への通電によって前記被蒸着基板と前記蒸着マスクとを吸着させる工程、及び前記蒸着マスクと離間して配置される蒸着源からの蒸着材料の飛散によって前記被蒸着基板に前記蒸着材料を堆積する工程、を含み、前記電磁石が、第１の向きを向く磁界を発生させる第１の電磁石と、前記第１の向きと逆向きの磁界を発生させる第２の電磁石とを有し、前記第１及び第２の電磁石の同時の通電の後に前記第２の電磁石をオフにすることを特徴とする。 A vapor deposition method according to an embodiment of the present invention is a method in which an electromagnet, a vapor deposition substrate, and a vapor deposition mask having a magnetic material are superposed and the vapor deposition substrate and the vapor deposition are performed by energizing the electromagnet from a power supply circuit. A step of adsorbing a mask and a step of depositing the vapor deposition material on the vapor deposition target substrate by scattering the vapor deposition material from a vapor deposition source arranged apart from the vapor deposition mask. A first electromagnet for generating an oriented magnetic field; and a second electromagnet for producing a magnetic field in the opposite direction to the first direction, wherein the first and second electromagnets are energized at the same time, It is characterized in that the second electromagnet is turned off.

本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、支持基板上にＴＦＴ及び第１電極を少なくとも形成し、前記支持基板上に前記蒸着方法を用いて有機材料を蒸着することによって有機層の積層膜を形成し、前記積層膜上に第２電極を形成することを含む。 According to an embodiment of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic EL display device, which comprises forming at least a TFT and a first electrode on a supporting substrate, and depositing an organic material on the supporting substrate using the vapor deposition method to form an organic layer. And forming a second electrode on the laminated film.

本発明の一実施形態の蒸着装置及び蒸着方法によれば、被蒸着基板に形成されるＴＦＴなどの素子の不良や劣化、さらには有機層の特性の劣化を抑制することができる。 According to the vapor deposition apparatus and vapor deposition method of one embodiment of the present invention, it is possible to suppress defects and deterioration of elements such as TFTs formed on a substrate to be vapor-deposited, and further deterioration of characteristics of organic layers.

本発明の一実施形態の電磁石の構成例を説明する図である。It is a figure explaining the structural example of the electromagnet of one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態の電磁石の他の構成例を説明する図である。It is a figure explaining the other structural example of the electromagnet of one Embodiment of this invention. 蒸着装置の電磁石と被蒸着基板と蒸着マスクとの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the electromagnet of a vapor deposition apparatus, a to-be-deposited substrate, and a vapor deposition mask. 蒸着マスクの一例の拡大図である。It is an enlarged view of an example of a vapor deposition mask. 電磁石により発生する磁界を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the magnetic field generated by an electromagnet. 従来の電磁石により発生する磁界を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the magnetic field generated by the conventional electromagnet. 磁束と、被蒸着基板及び蒸着マスクの間隔との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between a magnetic flux and the space|interval of a to-be-deposited substrate and a vapor deposition mask. 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法による蒸着工程を示す図である。It is a figure which shows the vapor deposition process by the manufacturing method of the organic EL display device of this invention. 本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法で有機層が積層された状態を示す図である。It is a figure which shows the state by which the organic layer was laminated|stacked by the manufacturing method of the organic EL display device of this invention.

次に、図面を参照しながら本発明の一実施形態の蒸着装置及び蒸着方法が説明される。本実施形態の蒸着装置は、全体の構成例が図３Ａに、その電磁石３の一例の構造例が図１に示されている。図３Ａに示されるように、電磁石３と、電磁石３の一つの磁極と対向する位置に設けられるべき被蒸着基板２を保持する基板ホルダー２９と、基板ホルダー２９により保持される被蒸着基板２の電磁石３と反対面に設けられ、磁性体を有する蒸着マスク１と、蒸着マスク１と対向させて設けられ、蒸着材料を気化又は昇華させる蒸着源５と、を含んでいる。さらに、図１〜２に示されるように、電磁石３が、第１の向きの磁界（磁場）を発生させる第１の電磁石３Ａと、第１の向きと逆向きの磁界（磁場）を発生させる第２の電磁石３Ｂとを有している。 Next, a vapor deposition apparatus and vapor deposition method according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 3A shows an example of the entire configuration of the vapor deposition apparatus of the present embodiment, and FIG. 1 shows an example of the structure of the electromagnet 3 of the vapor deposition apparatus. As shown in FIG. 3A, the electromagnet 3, a substrate holder 29 for holding the deposition target substrate 2 to be provided at a position facing one magnetic pole of the electromagnet 3, and the deposition target substrate 2 held by the substrate holder 29 It includes a vapor deposition mask 1 provided on the surface opposite to the electromagnet 3 and having a magnetic substance, and a vapor deposition source 5 provided to face the vapor deposition mask 1 and vaporizing or sublimating the vapor deposition material. Further, as shown in FIGS. 1 and 2, the electromagnet 3 generates a first electromagnet 3A that generates a magnetic field (magnetic field) in a first direction and a magnetic field (magnetic field) that is opposite to the first direction. It has a second electromagnet 3B.

ここで、本発明者は、蒸着マスク１と被蒸着基板２との密着性（良好な接近性）を得るため、図３Ａに示されるような構成で、電磁石３に代えて永久磁石を用い、その永久磁石と、タッチプレート４と、被蒸着基板２と蒸着マスク１とを重ねて、磁束と、蒸着マスク１と被蒸着基板２との間のギャップとの関係を調べた。その結果が図４に示されている。なお、永久磁石は、一面に磁場が生じ、他面には磁場が生じない（磁場が０）シートマグネットを用いた。磁場の異なる３枚の永久磁石を準備し、３枚の永久磁石を交換して蒸着マスク１の面での磁界と、被蒸着基板２と蒸着マスク１とのギャップとの関係を調べた。蒸着マスク１としては、ハイブリッド型のマスクを用いた。なお、ギャップと有機材料の堆積状態との関係を確認した結果から、被蒸着基板２と蒸着マスク１とのギャップは、小さいほど好ましく、３μｍ以下であれば所望の堆積状態にできることが分っている。 Here, in order to obtain adhesion (good accessibility) between the vapor deposition mask 1 and the vapor deposition substrate 2, the present inventor uses a permanent magnet instead of the electromagnet 3 in the configuration as shown in FIG. 3A. The permanent magnet, the touch plate 4, the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 were overlapped, and the relationship between the magnetic flux and the gap between the vapor deposition mask 1 and the vapor deposition substrate 2 was examined. The result is shown in FIG. As the permanent magnet, a sheet magnet was used in which a magnetic field was generated on one surface and a magnetic field was not generated on the other surface (magnetic field was 0). Three permanent magnets having different magnetic fields were prepared, the three permanent magnets were exchanged, and the relationship between the magnetic field on the surface of the vapor deposition mask 1 and the gap between the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 was examined. A hybrid type mask was used as the vapor deposition mask 1. From the result of confirming the relationship between the gap and the deposition state of the organic material, it is found that the smaller the gap between the deposition target substrate 2 and the deposition mask 1 is, the more preferable it is if the gap is 3 μm or less. There is.

そこで、図４に示される調査結果から、磁石の磁束密度Ｂ（Ｂ＝μＨ；μは透磁率、Ｈは磁場の強さ）は大きいほど好ましいことが分る。しかし、本発明者は、前述のように、蒸着マスク１を電磁石３で強い磁場によって吸着し、被蒸着基板２と蒸着マスク１とを充分に接近させると、被蒸着基板２に形成されているＴＦＴなどの素子が破損したり、性能が劣化したり、さらには有機層の特性が劣化し得ることを見出した。本発明者は、さらに鋭意検討を重ねてその原因を調べた結果、電磁石３の電磁コイル（以下、第１の電磁コイルともいう）３２に電流を投入する際に、電磁誘導による起電力で被蒸着基板２に形成されたＴＦＴ（図示せず）などの回路に過電流が流れることを見出した。そして、本発明者は、その過電流や、その過電流で電極２２（図５又は図６参照）などに発生するジュール熱によって、ＴＦＴや有機層２５（図６参照）が破壊したり、劣化したりすることを見出した。 Therefore, it is understood from the investigation result shown in FIG. 4 that the larger the magnetic flux density B (B=μH; μ is magnetic permeability, H is magnetic field strength) of the magnet, the better. However, as described above, the present inventor forms the vapor deposition mask 1 on the vapor deposition substrate 2 when the vapor deposition mask 1 is attracted by the electromagnet 3 by a strong magnetic field and the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 are sufficiently brought close to each other. It has been found that elements such as TFT may be damaged, the performance may be deteriorated, and the characteristics of the organic layer may be deteriorated. As a result of further intensive studies, the inventor of the present invention has found that, when applying a current to the electromagnetic coil (hereinafter, also referred to as a first electromagnetic coil) 32 of the electromagnet 3, the electromotive force generated by electromagnetic induction causes It has been found that an overcurrent flows in a circuit such as a TFT (not shown) formed on the vapor deposition substrate 2. The present inventor then breaks down or deteriorates the TFT and the organic layer 25 (see FIG. 6) due to the overcurrent and Joule heat generated in the electrode 22 (see FIG. 5 or 6) due to the overcurrent. Or found that.

すなわち、例えば図３Ｄに従来の電磁石３の一例が示されるように、電磁石３の電磁コイル３２に電流を流すと、磁場Ｈが右ねじの法則によって一定の方向に発生する。この磁場Ｈによって磁性体を吸着する性質を有している。しかし、この電流を印加する際に、急速に（ほぼ瞬間的に）電流が流れ、電磁石３によって発生する磁束Φ（Φ＝ＢＳ＝μＨＳ；Ｓはコア３１の断面積）が急速に増加する。磁束Φが急速に変化すると、Ｖ∝−ｄΦ／ｄｔに相当する起電力が発生する。電磁コイル３２に電流を投入した際に、電流が０から所定の電流に達するまでの時間（立上り時間）Δｔは、電磁石３の自己インダクタンスの大きさに依存するが、通常の電磁石３では、１０μｓ（秒）程度となる。Δｔは非常に小さいため、微小時間ｄｔをこのΔｔで近似し得る。そのため、例えば３００ガウス程度の磁束をこの時間Δｔで変化させると、３０ＭＶ程度の起電力が電磁誘導により発生することになる。この起電力によって、被蒸着基板２内の閉回路に電流が流れ、ＴＦＴなどを損傷することになる。この起電力Ｖは、前述の式からも分るように、磁束Φの変化が大きいほど大きくなる。電磁石３の電磁コイル３２は自己インダクタンスを有するため磁束Φの変化は抑制されるが、それでも前述の３０ＭＶ程度という大きな誘導起電力が発生し、このような誘導起電力は、素子の破損や特性劣化に影響することを示している。さらには、ジュール熱の量Ｑ（Ｊ）として、Ｑ＝Ｖ2・ｔ／Ｒで示される熱が発生する（Ｒ：被蒸着基板２内の閉回路の電気抵抗（Ω））。このジュール熱の発生によって、高温に弱い有機材料はその特性を劣化させることがある。 That is, for example, as an example of the conventional electromagnet 3 is shown in FIG. 3D, when a current is passed through the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3, the magnetic field H is generated in a certain direction according to the right-handed screw law. This magnetic field H has the property of adsorbing a magnetic substance. However, when this current is applied, the current flows rapidly (almost instantaneously), and the magnetic flux Φ (Φ=BS=μHS; S is the cross-sectional area of the core 31) generated by the electromagnet 3 increases rapidly. When the magnetic flux Φ changes rapidly, an electromotive force corresponding to V∝-dΦ/dt is generated. When a current is applied to the electromagnetic coil 32, the time (rise time) Δt from when the current reaches 0 to a predetermined current depends on the magnitude of the self-inductance of the electromagnet 3. (Seconds). Since Δt is very small, the minute time dt can be approximated by this Δt. Therefore, if a magnetic flux of, for example, about 300 gauss is changed in this time Δt, an electromotive force of about 30 MV will be generated by electromagnetic induction. Due to this electromotive force, a current flows in a closed circuit in the substrate 2 to be vapor-deposited, and the TFT or the like is damaged. This electromotive force V increases as the change in the magnetic flux Φ increases, as can be seen from the above equation. Since the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3 has self-inductance, the change of the magnetic flux Φ is suppressed, but still a large induced electromotive force of about 30 MV described above is generated, and such an induced electromotive force causes damage to the element and deterioration of characteristics. Have been shown to affect. Furthermore, as the amount of Joule heat Q(J), heat represented by Q=V 2 ·t/R is generated (R: electric resistance (Ω) of a closed circuit in the deposition target substrate 2). Due to the generation of Joule heat, the characteristics of an organic material that is weak to high temperature may deteriorate.

そして、本発明者がさらに鋭意検討を重ねて調べた結果、電磁石３によって生じる起磁力（Ｎ・Ｉ；Ｎはコイルの巻数、Ｉは電磁コイル３２に流れる電流の大きさ）が徐々に大きくなるように変化させることによって、発生する磁束の変化が緩やかになって、このような問題を解決し得ることを見出した。すなわち、磁束Ｂの変化は、電磁石３の電磁コイル３２への電流の投入時及び電流をオフにする際に発生するだけであり、電流が安定すればその電流及びコイルの巻数に応じた磁場が安定して生じ、磁性体を吸着し続ける。従って、磁束Ｂの変化は、電流の投入時及び切断時のみで、その時間は前述のように、１０μｓ程度の時間であり、例えば１ｍｓ（ミリ秒）程度で所定の電流になれば、全く問題は生じない。従って、例えば図３Ｃに示されるように、第１の電磁コイル３２の一部を逆向きに巻回し、第１の電磁石３Ａと、これと逆向きの巻回の部分の第２の電磁石３Ｂとを形成し、電流の投入後に第２の電磁石３Ｂをオフにすることによって、電磁誘導の発生による問題を解消し得ることを本発明者は見出した。 As a result of further diligent examination by the present inventor, the magnetomotive force (N·I; N is the number of turns of the coil, I is the magnitude of the current flowing through the electromagnetic coil 32) generated by the electromagnet 3 is gradually increased. It was found that such a problem can be solved by gradually changing the generated magnetic flux. That is, the change of the magnetic flux B occurs only when the current is applied to the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3 and when the current is turned off, and if the current is stable, the magnetic field corresponding to the current and the number of turns of the coil is generated. It occurs stably and continues to adsorb the magnetic substance. Therefore, the change of the magnetic flux B is only when the current is turned on and off, and the time is about 10 μs as described above. For example, if the predetermined current is reached in about 1 ms (millisecond), there is no problem. Does not occur. Therefore, for example, as shown in FIG. 3C, a part of the first electromagnetic coil 32 is wound in the opposite direction, and the first electromagnet 3A and the second electromagnet 3B in the opposite winding part are wound. The present inventor has found that the problem due to the occurrence of electromagnetic induction can be solved by forming the above and turning off the second electromagnet 3B after the current is applied.

第１の電磁石３Ａによって所定の磁場Ｈが発生するが、電流の投入によって第２の電磁石３Ｂにも電流が流れる。この第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５は、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２と連続しているため、同時に電流が流れる。しかし、第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５は、第１の電磁石３Ａの第１の電磁コイル３２とコイルの巻き方向が反転している。そのため、この第２の電磁石３Ｂによって発生する磁場Ｈ0は、図の下向きで、第１の電磁石３Ａの磁場Ｈとは逆向きになる。その結果、前述の第１の電磁石３Ａによって発生する磁場Ｈを打ち消すことになり、電流投入時の発生磁場は（Ｈ−Ｈ0）になる。前述のように、電磁誘導による起電力は、磁束Ｂ、すなわち磁場Ｈの変化の速さに比例するので、磁場（Ｈ−Ｈ0）が小さくなれば、電磁誘導による起電力が小さくなる。その結果、電磁誘導の影響が小さくなる。従って、電流投入時の電磁誘導による影響を避けることができる。 A predetermined magnetic field H is generated by the first electromagnet 3A, but a current also flows through the second electromagnet 3B when the current is applied. Since the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B is continuous with the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A, current flows at the same time. However, the winding direction of the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B is reversed from that of the first electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A. Therefore, the magnetic field H 0 generated by the second electromagnet 3B is downward in the figure and opposite to the magnetic field H of the first electromagnet 3A. As a result, the magnetic field H generated by the above-mentioned first electromagnet 3A is canceled out, and the magnetic field generated when the current is applied becomes (H−H 0 ). As described above, the electromotive force due to the electromagnetic induction is proportional to the changing speed of the magnetic flux B, that is, the magnetic field H. Therefore, the smaller the magnetic field (H−H 0 ) is, the smaller the electromotive force due to the electromagnetic induction is. As a result, the influence of electromagnetic induction is reduced. Therefore, it is possible to avoid the influence of electromagnetic induction when the current is applied.

例えば第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５の巻数を第１の電磁石３Ａの半分程度にしておけば、電流投入時の発生磁場は半分程度になる。すなわち、電磁誘導による起電力も半分程度になる。そして、電流の投入後に第２の電磁石３Ｂをオフにすることによって、本来の蒸着マスク１の吸着のための磁場Ｈが得られる。そのため、蒸着マスク１の吸着には何ら影響はない。この第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５の巻数は、せいぜい第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２の巻数の１／３〜２／３程度の巻数で形成されればよい。第２の電磁石３Ｂをオフにすることによって発生する逆向きの電磁誘導が問題になる場合には、第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５に複数の端子を設けて段階的にオフにすることもできる。 For example, if the number of turns of the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B is set to about half that of the first electromagnet 3A, the magnetic field generated when the current is applied becomes about half. That is, the electromotive force due to electromagnetic induction is also halved. Then, by turning off the second electromagnet 3B after applying the current, the original magnetic field H for attracting the vapor deposition mask 1 is obtained. Therefore, there is no influence on the adsorption of the vapor deposition mask 1. The number of turns of the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B may be at most about 1/3 to 2/3 of the number of turns of the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A. When the reverse electromagnetic induction generated by turning off the second electromagnet 3B poses a problem, the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B is provided with a plurality of terminals and turned off stepwise. You can also do it.

また、第２の電磁石３Ｂとしては、図３Ｃに示されるように、第１の電磁石３Ａと同じコア３１を延長して第２の電磁コイル３５を巻回させなくても、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２の外周に絶縁させて直接巻回するか、又は第１の電磁石３Ａを空心の電磁石にして、その内部に巻き方向を逆にした第２の電磁石３Ｂを挿入するか、又は空心の第２の電磁石３Ｂの内周に第１の電磁石３Ａが挿入されてもよい。以下に、この磁界の方向の異なる２つの電磁石３Ａ、３Ｂの関係が、さらに詳細に説明される。 Further, as the second electromagnet 3B, as shown in FIG. 3C, the first electromagnet 3A can be formed without extending the same core 31 as the first electromagnet 3A and winding the second electromagnetic coil 35. Is wound around the outer periphery of the electromagnetic coil 32 directly, or the first electromagnet 3A is used as an air-core electromagnet, and the second electromagnet 3B whose winding direction is reversed is inserted therein, or the air-core is inserted. The first electromagnet 3A may be inserted into the inner circumference of the second electromagnet 3B. Hereinafter, the relationship between the two electromagnets 3A and 3B having different magnetic field directions will be described in more detail.

（実施例１）
図１に示される例は、前述の図３Ｃに示される例と同様の構成であるが、この例は、電磁石３の断面図で、第１及び第２の電磁コイル３２、３５への電流の向きが×（下向き）と・（上向き）で示されている。さらに、この例では、第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５に複数の端子３５ａ、３５ｂ、３５ｃが形成され、その端子を切り替えて徐々に第２の電磁石３Ｂを減らすことができる。第１及び第２の電磁コイル３２、３５の電気抵抗は非常に小さいため、電源回路６の電圧に対して、第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５がオフにされても、残る第１の電磁石３Ａの電流は殆ど変らない。そのため、第１の電磁石３Ａによる発生磁界Ｈはそのまま得られる。一方、電流の投入時（メインスイッチ６０のオン時）には、第２の電磁コイル３５も動作する。前述のように、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２と、第２の電磁石３Ｂの第２の電磁コイル３５とは連続しているため、電流は同時に両方に流れる。しかし、第２の電磁コイル３５は巻き方向が逆であるため、逆向きの磁場Ｈ0を発生する。従って、電流投入時（メインスイッチ６０のオン時）に生成される磁場は小さくなり、電磁誘導による悪影響を防止することができる。 (Example 1)
The example shown in FIG. 1 has the same configuration as the example shown in FIG. 3C described above, but this example is a cross-sectional view of the electromagnet 3 and shows the electric current to the first and second electromagnetic coils 32 and 35. The orientation is indicated by × (downward) and · (upward). Further, in this example, a plurality of terminals 35a, 35b, 35c are formed in the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B, and the terminals can be switched to gradually reduce the second electromagnet 3B. Since the electric resistances of the first and second electromagnetic coils 32 and 35 are very small, even if the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B is turned off with respect to the voltage of the power supply circuit 6, the second electromagnetic coil remains. The current of the electromagnet 3A of No. 1 hardly changes. Therefore, the magnetic field H generated by the first electromagnet 3A can be obtained as it is. On the other hand, when the current is turned on (when the main switch 60 is turned on), the second electromagnetic coil 35 also operates. As described above, since the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A and the second electromagnetic coil 35 of the second electromagnet 3B are continuous with each other, the current flows through both at the same time. However, since the second electromagnetic coil 35 has the opposite winding direction, it generates a magnetic field H 0 in the opposite direction. Therefore, the magnetic field generated when the current is turned on (when the main switch 60 is turned on) becomes small, and the adverse effect of electromagnetic induction can be prevented.

なお、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２よりも第２の電磁コイル３５の巻数は少ないので、第２の電磁石３Ｂをオフにすることによって発生し得る電磁誘導の逆向きの起電力による影響は小さい。しかし、必要に応じて第２の電磁石３Ｂの切断を段階的に行うことによってその影響は限りなく小さくなり得る。この段階的なオフは、図１に示されるように、第２の電磁コイル３５に複数の端子３５ａ、３５ｂ、３５ｃが形成され、切替スイッチ６１によって順次切り替えられることによって得られる。この第２の電磁石３Ｂのオフ時のスピードは、時間的にμ秒という短時間の制約を受けるものではなく、例えば手動によるスライドスイッチの切替でもよい。極端な言い方をすれば、秒オーダや分オーダの時間をかけても何ら問題はない。しかも、電流投入のメインスイッチ６０と連動して切替スイッチ６１をスライドさせる回路を組み込むこともできる。 Since the number of turns of the second electromagnetic coil 35 is smaller than that of the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A, the influence of the electromotive force in the opposite direction of electromagnetic induction that can be generated by turning off the second electromagnet 3B is small. However, if the second electromagnet 3B is cut off in a stepwise manner as needed, the effect thereof can be reduced infinitely. This gradual turning-off is obtained by forming a plurality of terminals 35a, 35b, 35c on the second electromagnetic coil 35 and sequentially switching by the changeover switch 61, as shown in FIG. The speed of the second electromagnet 3B when it is off is not subject to the restriction of a short time of microseconds, and may be manually switched by a slide switch, for example. To put it in an extreme way, there is nothing wrong with taking seconds or minutes. Moreover, it is possible to incorporate a circuit for sliding the changeover switch 61 in conjunction with the main switch 60 for turning on the current.

この第２の電磁石３Ｂの切断は、例えば図１に示されるように、端子３５ａ、３５ｂ、３５ｃを形成しておき、電流投入時には、切替スイッチ６１が端子３５ｃと接続された状態にしておき、電流投入後に切替スイッチ６１と接続する端子を、端子３５ｂ、３５ａとスライドさせることによって第２の電磁石３Ｂの動作を徐々に減らすことができる。この端子の数は、３個に限定される訳ではなく、何個でも形成され得る。 To disconnect the second electromagnet 3B, for example, as shown in FIG. 1, terminals 35a, 35b, and 35c are formed, and when the current is turned on, the changeover switch 61 is connected to the terminal 35c. The operation of the second electromagnet 3B can be gradually reduced by sliding the terminal connected to the changeover switch 61 with the terminals 35b and 35a after the electric current is turned on. The number of terminals is not limited to three, and any number can be formed.

また、例えば被蒸着基板２と蒸着マスク１との位置合わせの際には、この両方の電磁石３Ａ、３Ｂを動作させた弱い磁場の状態で行い、セッティングが終った後で第２の電磁石３Ｂが徐々に切断されてもよい。そうすることによって、被蒸着基板２と蒸着マスク１とをある程度接近させた状態で位置合せをすることができ、正確な位置合せが行われやすい。しかも、位置合せ後に磁場が印加される場合にも、徐々に磁場が印加され、相互の位置ずれなども生じ難い。 Further, for example, when the deposition target substrate 2 and the deposition mask 1 are aligned, the two electromagnets 3A and 3B are operated in a weak magnetic field state, and after the setting is completed, the second electromagnet 3B is It may be gradually cut. By doing so, it is possible to align the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 to some extent, and it is easy to perform accurate alignment. In addition, even when the magnetic field is applied after the alignment, the magnetic field is gradually applied, and it is difficult for the mutual displacement to occur.

このような第２の電磁石３Ｂが並置される構造であれば、蒸着が終了して第１の電磁石３Ａをオフにする場合でも、電流投入時と逆の動作、すなわち第２の電磁石３Ｂの切替スイッチ６１を端子３５ａから順次端子３５ｃに切り替えて第２の電磁石３Ｂを動作させてから、電源回路６のメインスイッチ６０をオフにし得る。そうすることで、被蒸着基板２の取り外しの際にも、電磁誘導の影響を全く受けることなく、電磁石３の磁界を簡単に解除し得る。すなわち、電磁石３の電流をオフにする際にも、電流の投入時と全く同じ電磁誘導の問題が生じやすいが、本実施形態によれば、その問題も解消し得る。 With such a structure in which the second electromagnets 3B are juxtaposed, even when the vapor deposition is completed and the first electromagnets 3A are turned off, the operation reverse to that at the time of applying the current, that is, the switching of the second electromagnets 3B After the switch 61 is sequentially switched from the terminal 35a to the terminal 35c to operate the second electromagnet 3B, the main switch 60 of the power supply circuit 6 can be turned off. By doing so, even when the deposition target substrate 2 is removed, the magnetic field of the electromagnet 3 can be easily released without being affected by electromagnetic induction. That is, even when the current of the electromagnet 3 is turned off, the same problem of electromagnetic induction as when the current is turned on is likely to occur, but according to the present embodiment, the problem can be solved.

前述の例では、コア３１を長くして第２の電磁石３Ｂが形成されたが、前述のように、この例に限らず、コイル同士の電気的絶縁が得られれば、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２の上に多重に第２の電磁コイル３５が巻きつけられてもよい。また、第２の電磁石３Ｂが第１の電磁石３Ａの内部もしくは外周部に形成されてもよい。いずれの場合でも、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２と、第２の電磁コイル３５とは接続されることが好ましい。同時に電流を印加し得るからである。 In the above example, the core 31 is elongated to form the second electromagnet 3B. However, as described above, the present invention is not limited to this example, and as long as electrical insulation between the coils can be obtained, the first electromagnet 3A can be formed. The second electromagnetic coil 35 may be multiply wound on the electromagnetic coil 32. Further, the second electromagnet 3B may be formed inside or on the outer peripheral portion of the first electromagnet 3A. In any case, it is preferable that the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A and the second electromagnetic coil 35 are connected. This is because current can be applied at the same time.

（実施例２）
前述の図１に示される例では、同じコア３１に巻回される第１及び第２の電磁コイル３２、３５の巻回方向を変えることによって第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂが形成されている。しかし、同じコアに２種類の電磁コイルが巻回される必要はない。例えば、図２に示されるように、第１の電磁石３Ａ（３Ａ１、３Ａ２）が複数個の単位電磁石３Ａ１、３Ａ２で形成されており、その一部又は全体の外周に第２の電磁石３Ｂが形成されてもよい。この例では、２個の単位電磁石３Ａ１、３Ａ２の外側に、設けられた筒体３６の回りに第３の電磁コイル３８が第１の電磁石３Ａと逆向きの磁界を発生させるように巻回されている。第１の電磁石３Ａ１、３Ａ２の電磁コイル３２が直列に接続されているが、並列接続でも構わない。しかし、巻き方向は同じ方向に形成されている。一方、第２の電磁石３Ｂの第３の電磁コイル３８は、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２と逆向きで、かつ、直列に接続されていることが好ましい。電流の投入が同時に行われる必要があるからである。 (Example 2)
In the example shown in FIG. 1, the first and second electromagnets 3A and 3B are formed by changing the winding directions of the first and second electromagnetic coils 32 and 35 wound around the same core 31. ing. However, it is not necessary that two types of electromagnetic coils be wound around the same core. For example, as shown in FIG. 2, the first electromagnet 3A (3A1, 3A2) is formed of a plurality of unit electromagnets 3A1 and 3A2, and the second electromagnet 3B is formed on the outer circumference of a part or the whole thereof. May be done. In this example, the third electromagnetic coil 38 is wound around the cylindrical body 36 provided outside the two unit electromagnets 3A1 and 3A2 so as to generate a magnetic field in the direction opposite to that of the first electromagnet 3A. ing. Although the electromagnetic coils 32 of the first electromagnets 3A1 and 3A2 are connected in series, they may be connected in parallel. However, the winding directions are the same. On the other hand, the third electromagnetic coil 38 of the second electromagnet 3B is preferably opposite to the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A and connected in series. This is because it is necessary to apply the current at the same time.

図２に示される例でも、図１の場合と同様に、第３の電磁コイル３８に複数の端子３８ａ、３８ｂ、３８ｃが形成されており、切替スイッチ６１によって、その接続が切り替えられるようになっている。他の構成は、前述の図１に示される例と同じであり、同じ部分には同じ符号を付して、その説明は省略される。 Also in the example shown in FIG. 2, as in the case of FIG. 1, a plurality of terminals 38a, 38b, 38c are formed in the third electromagnetic coil 38, and the connection can be switched by the changeover switch 61. ing. Other configurations are the same as those in the example shown in FIG. 1 described above, the same parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

本発明の一実施形態の蒸着装置は、図３Ａに示されるように（電源回路６は図示されていない）、タッチプレート４上に載置される電磁石３と、電磁石３の一方の磁極の面にタッチプレート４を介して被蒸着基板２を保持できるように設けられる基板ホルダー２９と、基板ホルダー２９により保持される被蒸着基板２の電磁石３と反対面に設けられる蒸着マスク１と、蒸着マスク１と対向するように設けられ、蒸着材料を気化又は昇華させる蒸着源５とを有している。そして、蒸着マスク１が磁性体からなる金属層（金属支持層１２：図３Ｂ参照）を有し、電磁石３は、蒸着マスク１が有する金属支持層１２を吸着するように電磁コイル３２、３５に電流を印加する電源回路６（図１〜２、３Ｃ参照）に接続されている。蒸着マスク１は、マスクホルダー１５上に載置されており、基板ホルダー２９、及び、タッチプレート４を保持する支持フレーム４１はそれぞれ上に持ち上げられるようになっている。そして、図示しないロボットアームにより運搬された被蒸着基板２が基板ホルダー２９上に載せられ、基板ホルダー２９が下げられることにより、被蒸着基板２が蒸着マスク１と接触する。さらに支持フレーム４１を下げることにより、タッチプレート４が被蒸着基板２と重ね合される。その上に、電磁石３が図示しない電磁石支持部材の操作によりタッチプレート４上に装着される。なお、タッチプレート４は、被蒸着基板２を平坦にすると共に、図示されていないが内部に冷却水を循環させることにより、被蒸着基板２及び蒸着マスク１を冷却するために設けられている。このタッチプレート４は、蒸着マスク１の面での磁界の面内分布を均一にするために材質や厚さが定められる。 As shown in FIG. 3A (the power supply circuit 6 is not shown), the vapor deposition device according to the embodiment of the present invention has the electromagnet 3 mounted on the touch plate 4 and the surface of one magnetic pole of the electromagnet 3. A substrate holder 29 provided to hold the vapor deposition substrate 2 via the touch plate 4, a vapor deposition mask 1 provided on the surface of the vapor deposition substrate 2 held by the substrate holder 29 opposite to the electromagnet 3, and a vapor deposition mask. 1 and a vapor deposition source 5 for vaporizing or sublimating the vapor deposition material. Then, the vapor deposition mask 1 has a metal layer (metal support layer 12: see FIG. 3B) made of a magnetic material, and the electromagnet 3 is attached to the electromagnetic coils 32, 35 so as to attract the metal support layer 12 of the vapor deposition mask 1. It is connected to a power supply circuit 6 that applies a current (see FIGS. 1-2, 3C). The vapor deposition mask 1 is placed on the mask holder 15, and the substrate holder 29 and the support frame 41 holding the touch plate 4 are each lifted up. Then, the vapor deposition substrate 2 carried by a robot arm (not shown) is placed on the substrate holder 29, and the substrate holder 29 is lowered to bring the vapor deposition substrate 2 into contact with the vapor deposition mask 1. By further lowering the support frame 41, the touch plate 4 is superposed on the deposition target substrate 2. Then, the electromagnet 3 is mounted on the touch plate 4 by operating an electromagnet supporting member (not shown). The touch plate 4 is provided to flatten the deposition target substrate 2 and to cool the deposition target substrate 2 and the deposition mask 1 by circulating cooling water inside (not shown). The material and thickness of the touch plate 4 are determined in order to make the in-plane distribution of the magnetic field on the surface of the vapor deposition mask 1 uniform.

電磁石３は、図３Ｃに概略図が示されるように、鉄心などからなるコア（磁心）３１の周囲に第１及び第２の電磁コイル３２、３５が巻回されている。第２の電磁コイル３５は、前述のように、第１の電磁石３Ａの電磁コイル３２と逆向きに巻回されている。図３Ａは、例えば蒸着マスク１の大きさが、１.５ｍ×１.８ｍ程度の大きさになるので、図３Ｃに示される単位電磁石の断面が５ｃｍ角程度の大きさの磁心３１を有する電磁石３が、蒸着マスク１の大きさに合せて複数個（個々の電磁石を単位電磁石という）並べて配置された構造を示している（図３Ａでは、横方向が縮尺され、単位電磁石の数が少なく描かれている）。図３Ａに示される例では、各磁心３１に巻回される第１及び第２の電磁コイル３２、３５が直列に接続され、さらに複数個の単位電磁石が直列に接続されている。すなわち、単位電磁石の端子３２ｂ、３２ｃ、３２ｄで直列に接続され、全体の両端の端子３２ａ、３２ｅが図示しない電源回路に接続されている。しかし、それぞれの単位電磁石の電磁コイル３２が並列に接続されてもよい。また、数個単位が直列に接続されてもよい。単位電磁石の一部に独立して電流が印加されてもよい。しかし、電流の印加は、複数個の単位電磁石で同時に行われることが好ましい。 As shown schematically in FIG. 3C, the electromagnet 3 has first and second electromagnetic coils 32 and 35 wound around a core (magnetic core) 31 made of an iron core or the like. As described above, the second electromagnetic coil 35 is wound in the opposite direction to the electromagnetic coil 32 of the first electromagnet 3A. In FIG. 3A, for example, the vapor deposition mask 1 has a size of about 1.5 m×1.8 m, so that the unit electromagnet shown in FIG. 3C has a magnetic core 31 having a cross section of about 5 cm square. 3 shows a structure in which a plurality of individual electromagnets (individual electromagnets are referred to as unit electromagnets) are arranged side by side according to the size of the vapor deposition mask 1 (in FIG. 3A, the horizontal direction is scaled down, and the number of unit electromagnets is small. Have been). In the example shown in FIG. 3A, the first and second electromagnetic coils 32 and 35 wound around each magnetic core 31 are connected in series, and further a plurality of unit electromagnets are connected in series. That is, the terminals 32b, 32c, and 32d of the unit electromagnets are connected in series, and the terminals 32a and 32e at both ends of the whole are connected to a power supply circuit (not shown). However, the electromagnetic coils 32 of each unit electromagnet may be connected in parallel. Also, several units may be connected in series. The current may be independently applied to a part of the unit electromagnet. However, it is preferable that the application of the electric current is simultaneously performed by the plurality of unit electromagnets.

この電磁石３の電磁コイル３２に直流電流が流されると、図３Ｄに示されるように、右ネジの法則により磁界Ｈが発生する。その磁界Ｈ内に磁性体が置かれると、磁界Ｈの大きさに応じた磁気が磁性体に誘起される。この磁界Ｈの大きさは、前述のように、電磁コイル３２の巻数Ｎと流れる電流の大きさＩの積Ｎ・Ｉで定まる。従って、電磁コイル３２の巻数Ｎを多くするほど、また電流Ｉを大きくするほど大きな起磁力Ｎ・Ｉを得ることができる。しかし、このＮ・Ｉの変化の割合に応じて電磁誘導が発生するので、前述のように、この変化が大きすぎるとトラブルが生じる。そこで、この急激な磁界Ｈの変化にならないように、前述の第２の電磁石３Ｂ（図３Ｃ参照）が形成される。 When a direct current is applied to the electromagnetic coil 32 of the electromagnet 3, a magnetic field H is generated according to the right-hand screw law, as shown in FIG. 3D. When the magnetic body is placed in the magnetic field H, magnetism corresponding to the magnitude of the magnetic field H is induced in the magnetic body. The magnitude of the magnetic field H is determined by the product N·I of the number N of turns of the electromagnetic coil 32 and the magnitude I of the flowing current, as described above. Therefore, the larger the number of turns N of the electromagnetic coil 32 and the larger the current I, the larger the magnetomotive force N·I can be obtained. However, since electromagnetic induction occurs depending on the rate of change of N·I, if the change is too large, trouble occurs as described above. Therefore, the above-mentioned second electromagnet 3B (see FIG. 3C) is formed so as not to cause the sudden change of the magnetic field H.

図３Ａに示される例では、単位電磁石の周囲がシリコーンゴム、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂３３で固定されている。この樹脂３３は必ずしも必要ではないが、単位電磁石を固定することができ、電磁石３の取り扱いが容易になる。しかし、本実施形態では、この電磁石３は真空状態で使用されるものであるので、単位電磁石を樹脂３３で固めるのではなく、周囲を素通しにして熱放射で電磁石３を冷却し得るようにされてもよい。このとき、電磁石３の表面が、アルマイト処理等の黒色化処理がされた処理面であることが好ましい。また、電磁石３の表面が、例えば算術平均粗さＲａで、１０μｍ以上の粗面とされた粗面化処理面であってもよい。すなわち、表面粗さがＲａ１０μｍ以上になるように、表面の粗面化処理が行われることが好ましい。表面粗さがＲａ１０μｍということは、粗面化によって形成される凸部が理想的な半球であるとすると、表面積が２.１８倍になる。その結果、放熱効果も２倍以上になる。冷却装置は、このような熱放射又は前述のような水冷をすることができる装置の他、上述の電磁石３の処理面が形成された表面を有する電磁石３も含む広義の意味である。連続して電流が多く流される場合には、電磁石３が発熱する可能性があり、そのような場合は、電磁石３を水冷で冷却することが好ましい。例えば、前述の樹脂３３内に水冷管を埋め込み冷却水を流すことが考えられる。 In the example shown in FIG. 3A, the periphery of the unit electromagnet is fixed with a resin 33 such as silicone rubber, silicone resin, or epoxy resin. The resin 33 is not always necessary, but the unit electromagnet can be fixed, and the electromagnet 3 can be easily handled. However, in the present embodiment, since the electromagnet 3 is used in a vacuum state, the unit electromagnet is not solidified with the resin 33, but the periphery is passed through so that the electromagnet 3 can be cooled by heat radiation. May be. At this time, it is preferable that the surface of the electromagnet 3 is a treated surface that has been subjected to blackening treatment such as alumite treatment. Further, the surface of the electromagnet 3 may be a roughened surface having a roughness of, for example, 10 μm or more with an arithmetic mean roughness Ra. That is, it is preferable that the surface is roughened so that the surface roughness becomes Ra 10 μm or more. The surface roughness Ra of 10 μm means that the surface area is 2.18 times when the convex portion formed by roughening is an ideal hemisphere. As a result, the heat dissipation effect is more than doubled. The cooling device has a broad sense including an electromagnet 3 having a surface on which a treated surface of the electromagnet 3 is formed, in addition to a device that can perform such heat radiation or water cooling as described above. When a large amount of current is continuously applied, the electromagnet 3 may generate heat. In such a case, it is preferable to cool the electromagnet 3 with water. For example, it is conceivable to embed a water cooling tube in the resin 33 and flow cooling water.

図３Ａに示されるように、蒸着装置には基板ホルダー２９及びマスクホルダー１５が設けられている。この基板ホルダー２９は、複数のフック状のアームで被蒸着基板２の周縁部を保持し、上下に昇降できるように、図示しない駆動装置に接続されている。ロボットアームによりチャンバー内に搬入された被蒸着基板２をフック状のアームで受け取り、被蒸着基板２が蒸着マスク１に近接するまで基板ホルダー２９が下降する。そして位置合せを行えるように図示しない撮像装置も設けられている。タッチプレート４は支持フレーム４１により支持され、タッチプレート４を被蒸着基板２と接するまで下降させる駆動装置に支持フレーム４１を介して接続されている。タッチプレート４が下降されることにより、被蒸着基板２が平坦にされる。蒸着装置は、本実施形態の蒸着マスク１と被蒸着基板２との位置合せの際に、蒸着マスク１と被蒸着基板２のそれぞれに形成されたアライメントマークを撮像しながら、被蒸着基板２を蒸着マスク１に対して相対的に移動させる微動装置も備えている。位置合せは、電磁石３により蒸着マスク１を不必要に吸着させないように、電磁石３への通電を止めた状態で行われる。前述のように、本実施形態によれば、この位置合せの際に第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂの両方を動作させて行うことによって、弱い磁界の下で、接近させて位置合せが行われ得る。なお、図示されていないが、蒸着装置は、図３Ａに示される装置の全体がチャンバー内に入れられ、内部を真空にする装置も備えられている。 As shown in FIG. 3A, the vapor deposition apparatus is provided with a substrate holder 29 and a mask holder 15. The substrate holder 29 is connected to a driving device (not shown) so as to hold the peripheral portion of the deposition target substrate 2 by a plurality of hook-shaped arms and to move up and down. The deposition target substrate 2 carried into the chamber by the robot arm is received by the hook-shaped arm, and the substrate holder 29 descends until the deposition target substrate 2 approaches the deposition mask 1. An image pickup device (not shown) is also provided so that alignment can be performed. The touch plate 4 is supported by the support frame 41, and is connected via the support frame 41 to a driving device that lowers the touch plate 4 until it comes into contact with the deposition target substrate 2. By lowering the touch plate 4, the deposition target substrate 2 is made flat. When aligning the vapor deposition mask 1 and the vapor deposition substrate 2 of the present embodiment, the vapor deposition apparatus captures the alignment marks formed on the vapor deposition mask 1 and the vapor deposition substrate 2, respectively, and then attaches the vapor deposition substrate 2 to the vapor deposition substrate 2. Also provided is a fine movement device that moves the vapor deposition mask 1 relatively. The alignment is performed in a state in which the power supply to the electromagnet 3 is stopped so that the deposition mask 1 is not unnecessarily attracted by the electromagnet 3. As described above, according to the present embodiment, by performing both of the first and second electromagnets 3A and 3B during this alignment, the alignment can be performed in close proximity under a weak magnetic field. Can be done. Although not shown, the vapor deposition apparatus is also provided with a device in which the entire device shown in FIG. 3A is placed in a chamber and the inside is evacuated.

蒸着マスク１は、図３Ｂに示されるように、樹脂フィルム１１と金属支持層１２と、その周囲に形成されるフレーム（枠体）１４を備えており、蒸着マスク１は、図３Ａに示されるように、フレーム１４が、マスクホルダー１５上に載置される。金属支持層１２に磁性材料が用いられる。その結果、電磁石３の磁心３１との間で吸引力が働き、被蒸着基板２を挟んで吸着される。なお、金属支持層１２は強磁性体で形成されてもよい。この場合、金属支持層１２は、電磁石３の強い磁界によって、着磁（外部磁界が除去されても強い磁化が残留する状態）される。このような強磁性体が用いられていると、電磁石３と蒸着マスク１とを分離する際に、電磁石３に逆向きの電流を流した方が分離しやすい。このような着磁のための強い磁界を生成する場合でも、本実施形態によって、電磁誘導による支障は生じない。また、電磁石３と蒸着マスク１とを分離する際に、第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂの両方を動作させて行うことができる。 As shown in FIG. 3B, the vapor deposition mask 1 includes a resin film 11, a metal supporting layer 12, and a frame (frame body) 14 formed around the resin film 11, the metal supporting layer 12, and the vapor deposition mask 1 is shown in FIG. 3A. Thus, the frame 14 is placed on the mask holder 15. A magnetic material is used for the metal supporting layer 12. As a result, an attractive force acts between the electromagnet 3 and the magnetic core 31, and the substrate 2 to be deposited is sandwiched and adsorbed. The metal supporting layer 12 may be made of a ferromagnetic material. In this case, the metal supporting layer 12 is magnetized by the strong magnetic field of the electromagnet 3 (a state in which strong magnetization remains even if the external magnetic field is removed). When such a ferromagnetic material is used, when the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 are separated, it is easier to separate the electromagnet 3 by applying a current in the opposite direction. Even when a strong magnetic field for such magnetization is generated, the present embodiment does not cause any trouble due to electromagnetic induction. Further, when the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1 are separated, both the first and second electromagnets 3A and 3B can be operated.

金属支持層１２としては、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ又はこれらの合金が用いられ得る。その中でも、被蒸着基板２との線膨張率の差が小さいこと、熱による膨張が殆どないことから、インバー（ＦｅとＮｉの合金）が特に好ましい。金属支持層１２の厚さは、５μｍ〜３０μｍ程度に形成される。 As the metal supporting layer 12, for example, Fe, Co, Ni, Mn or alloys thereof can be used. Among them, Invar (alloy of Fe and Ni) is particularly preferable because it has a small difference in coefficient of linear expansion from the substrate 2 to be vapor-deposited and has almost no expansion due to heat. The metal supporting layer 12 is formed to have a thickness of about 5 μm to 30 μm.

なお、図３Ｂでは、樹脂フィルム１１の開口１１ａと金属支持層１２の開口１２ａが被蒸着基板２（図３Ａ参照）側へ向かって先細りするようなテーパ形状になっている。その理由が以下に説明される。蒸着源５は、点状、線状、面状など、種々の蒸着源５が用いられ得る。例えばるつぼが線状に並べて形成されたライン型の蒸着源５（図３Ａの紙面と垂直方向に延びている）が、例えば紙面の左端から右端まで走査されることにより、被蒸着基板２の全面に蒸着が行われる。この蒸着源５は、前述のように、るつぼの形状により定まる蒸着材料の放射ビームの断面形状が、一定角度θで広がる断面扇形の形状で、蒸着材料を放射する。この扇形の断面形状の側面付近の蒸着粒子でも、金属支持層１２や樹脂フィルム１１に遮られることなく、被蒸着基板２の所定の場所に届くように、金属支持層１２及び樹脂フィルム１１の開口１２ａ及び開口１１ａがテーパ状に形成されている。金属支持層１２の開口１２ａが大きく形成されればテーパ状でなくてもよい。 In FIG. 3B, the opening 11a of the resin film 11 and the opening 12a of the metal supporting layer 12 are tapered so as to taper toward the deposition target substrate 2 (see FIG. 3A). The reason will be explained below. As the vapor deposition source 5, various vapor deposition sources 5 such as a dot shape, a linear shape, and a planar shape can be used. For example, a line-type vapor deposition source 5 (extending in a direction perpendicular to the paper surface of FIG. 3A) formed by arranging crucibles linearly is scanned from, for example, the left end to the right end of the paper surface, so that the entire surface of the deposition target substrate 2 is scanned. Vapor deposition is performed on. As described above, the vapor deposition source 5 radiates the vapor deposition material in such a manner that the cross-sectional shape of the radiation beam of the vapor deposition material, which is determined by the shape of the crucible, is a fan-shaped cross section that spreads at a constant angle θ. The openings of the metal supporting layer 12 and the resin film 11 are arranged so that even the vapor deposition particles near the side surface of the fan-shaped cross section can reach a predetermined place of the vapor deposition substrate 2 without being blocked by the metal supporting layer 12 and the resin film 11. 12a and the opening 11a are formed in a tapered shape. If the opening 12a of the metal supporting layer 12 is formed large, it may not be tapered.

（蒸着方法）
次に、本発明の一実施形態による蒸着方法が説明される。本発明の一実施形態の蒸着方法は、前述の図３Ａに示されるように、電磁石３と、被蒸着基板２と、磁性体を有する蒸着マスク１とを重ね合せ、かつ、電源回路６（図１〜２参照）からの電磁石３への通電によって被蒸着基板２と蒸着マスク１とを吸着させる工程、及び蒸着マスク１と離間して配置される蒸着源５からの蒸着材料５１の飛散によって被蒸着基板２に蒸着材料５１を堆積する工程、を含んでいる。そして、電磁石３が、第１の向きの磁界を発生させる第１の電磁石３Ａと、第１の向きと逆向きの磁界を発生させる第２の電磁石３Ｂとを有し、第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂの同時の通電の後に第２の電磁石３Ｂをオフにすることにより行われる。電磁石３による吸着の前に、蒸着マスク１と被蒸着基板２との位置合せが行われてもよい。 (Vapor deposition method)
Next, a vapor deposition method according to an embodiment of the present invention will be described. In the vapor deposition method of one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 3A, the electromagnet 3, the vapor deposition substrate 2, and the vapor deposition mask 1 having a magnetic substance are superposed on each other, and the power supply circuit 6 (see FIG. 1-2)) to adsorb the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 by energizing the electromagnet 3, and by the scattering of the vapor deposition material 51 from the vapor deposition source 5 arranged apart from the vapor deposition mask 1. The step of depositing the vapor deposition material 51 on the vapor deposition substrate 2 is included. The electromagnet 3 has a first electromagnet 3A that generates a magnetic field in the first direction and a second electromagnet 3B that generates a magnetic field in the opposite direction to the first direction. This is performed by turning off the second electromagnet 3B after the simultaneous energization of the electromagnets 3A and 3B. Before the attraction by the electromagnet 3, the vapor deposition mask 1 and the vapor deposition substrate 2 may be aligned with each other.

前述のように、蒸着マスク１の上に被蒸着基板２が重ねられる。この被蒸着基板２と蒸着マスク１との位置合せが次のように行われる。被蒸着基板２と蒸着マスク１のそれぞれに形成された位置合せ用のアライメントマークを撮像装置で観察しながら、被蒸着基板２を蒸着マスク１に対して相対的に移動させることにより行われる。この際、前述のように、第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂを共に動作させた状態であれば、弱い磁界で被蒸着基板２と蒸着マスク１とを接近させて行える。しかし、磁界を全く発生させないで位置合せがされてもよい。この方法により、蒸着マスク１の開口１１ａと被蒸着基板２の蒸着場所（例えば後述される有機ＥＬ表示装置の場合、装置基板の第１電極２２のパターン）とを一致させることができる。位置合せされた後に、第２の電磁石３Ｂがオフにされるか、第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂを動作させてから第２の電磁石３Ｂがオフにされる。磁束が安定したら、その磁束が維持され、電磁誘導の発生も殆どなく、安定した磁場が得られる。その結果、電磁石３と蒸着マスク１との間で強い吸引力が働き、被蒸着基板２と蒸着マスク１とがしっかりと接近する。 As described above, the vapor deposition substrate 2 is overlaid on the vapor deposition mask 1. The alignment between the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 is performed as follows. This is performed by moving the vapor deposition substrate 2 relative to the vapor deposition mask 1 while observing the alignment marks for alignment formed on the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 with an imaging device. At this time, as described above, if both the first and second electromagnets 3A and 3B are operated, the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 can be brought close to each other with a weak magnetic field. However, the alignment may be done without generating any magnetic field. By this method, the opening 11a of the vapor deposition mask 1 and the vapor deposition location of the vapor deposition target substrate 2 (for example, in the case of an organic EL display device described later, the pattern of the first electrode 22 of the device substrate) can be matched. After being aligned, the second electromagnet 3B is turned off, or the first and second electromagnets 3A, 3B are activated and then the second electromagnet 3B is turned off. When the magnetic flux is stable, the magnetic flux is maintained, electromagnetic induction is hardly generated, and a stable magnetic field is obtained. As a result, a strong attractive force acts between the electromagnet 3 and the vapor deposition mask 1, and the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 come close to each other.

その後、図３Ａに示されるように、蒸着マスク１と離間して配置される蒸着源５からの蒸着材料５１の飛散（気化又は昇華）によって被蒸着基板２に蒸着材料５１が堆積される。具体的には、前述のように、るつぼなどか線状に並べて形成されたラインソースが用いられるが、これには限定されない。例えば有機ＥＬ表示装置を作製する場合、開口１１ａが一部の画素に形成された蒸着マスク１が複数種類用意され、その蒸着マスク１が取り換えられて複数回の蒸着作業で有機層が形成される。 After that, as shown in FIG. 3A, the vapor deposition material 51 is deposited on the vapor deposition substrate 2 by scattering (vaporization or sublimation) of the vapor deposition material 51 from the vapor deposition source 5 arranged apart from the vapor deposition mask 1. Specifically, as described above, a crucible or a line source formed by arranging linearly is used, but the present invention is not limited to this. For example, when manufacturing an organic EL display device, a plurality of types of vapor deposition masks 1 having openings 11a formed in some pixels are prepared, the vapor deposition masks 1 are replaced, and an organic layer is formed by a plurality of vapor deposition operations. ..

この蒸着方法によれば、電磁石３により生成される磁界（磁束）は、電流の印加の初期では、第１の電磁石３Ａと第２の電磁石３Ｂとの相殺によって、磁界（磁場）が小さく、電磁誘導による起電力が抑制される。しかし、第２の電磁石３Ｂのオフによって、磁界は本来の磁界となり、強い吸着力によって被蒸着基板２と蒸着マスク１との接近は充分に得られる。この第２の電磁石３Ｂのオフは、一度に行われないで、段階的に行われてもよい。その結果、電磁誘導により被蒸着基板２に流れる過電流が抑制され、被蒸着基板２に形成された素子や有機材料などへの影響を抑制することができる。 According to this vapor deposition method, the magnetic field (magnetic flux) generated by the electromagnet 3 is small at the beginning of the application of the current due to the cancellation of the first electromagnet 3A and the second electromagnet 3B, and Electromotive force due to induction is suppressed. However, when the second electromagnet 3B is turned off, the magnetic field becomes an original magnetic field, and the strong attraction force allows the vapor deposition substrate 2 and the vapor deposition mask 1 to be sufficiently close to each other. The turning-off of the second electromagnet 3B may be performed step by step, not at once. As a result, overcurrent that flows in the deposition target substrate 2 due to electromagnetic induction is suppressed, and it is possible to suppress the influence on the elements and organic materials formed on the deposition target substrate 2.

本実施形態では、蒸着が完了して被蒸着基板２を取り外すために、電磁石３をオフにする場合にも、電流の投入と逆の方法で行える。すなわち、第２の電磁石３Ｂを動作させてから、電磁石３がオフにされることが好ましい。第１の電磁石３Ａがオフにされる場合に、急激に電流が所定の値から０に変化するため、電流投入時とは逆向きの電磁誘導が発生するが、その電磁誘導が小さく制御され得る。 In the present embodiment, even when the electromagnet 3 is turned off in order to remove the substrate 2 to be vapor-deposited after vapor deposition is completed, it can be performed by a method reverse to that of applying a current. That is, it is preferable to turn off the electromagnet 3 after operating the second electromagnet 3B. When the first electromagnet 3A is turned off, the current suddenly changes from a predetermined value to 0, so electromagnetic induction in the opposite direction to that at the time of applying current is generated, but the electromagnetic induction can be controlled to be small. ..

（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
次に、上記実施形態の蒸着方法を用いて有機ＥＬ表示装置を製造する方法が説明される。蒸着方法以外の製造方法は、周知の方法で行えるため、本発明の蒸着方法により有機層を積層する方法を主として、図５〜６を参照しながら説明される。 (Method for manufacturing organic EL display device)
Next, a method of manufacturing an organic EL display device using the vapor deposition method of the above embodiment will be described. Since manufacturing methods other than the vapor deposition method can be performed by known methods, the method of stacking organic layers by the vapor deposition method of the present invention will be mainly described with reference to FIGS.

本発明の一実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、支持基板２１の上に図示しないＴＦＴ、平坦化膜及び第１電極（例えば陽極）２２を形成し、その一面に蒸着マスク１を位置合せして重ね合せ、蒸着材料５１を蒸着するに当たり、前述の蒸着方法を用いて有機層の積層膜２５を形成することを含んでいる。積層膜２５上に第２電極２６（図６参照；陰極）が形成される。 According to the method for manufacturing an organic EL display device of one embodiment of the present invention, a TFT (not shown), a flattening film, and a first electrode (eg, anode) 22 are formed on a support substrate 21, and the vapor deposition mask 1 is positioned on one surface of the TFT. In the case of aligning and stacking and depositing the vapor deposition material 51, it includes forming the laminated film 25 of the organic layer by using the above-described vapor deposition method. A second electrode 26 (see FIG. 6; cathode) is formed on the laminated film 25.

例えばガラス板などの支持基板２１は、完全には図示されていないが、各画素のＲＧＢサブ画素ごとにＴＦＴなどの駆動素子が形成され、その駆動素子に接続された第１電極２２が、平坦化膜上に、ＡｇあるいはＡＰＣなどの金属膜と、ＩＴＯ膜との組み合わせにより形成されている。サブ画素間には、図５〜６に示されるように、サブ画素間を区分するＳｉＯ2又はアクリル樹脂、ポリイミド樹脂などからなる絶縁バンク２３が形成されている。このような支持基板２１の絶縁バンク２３上に、前述の蒸着マスク１が位置合せして固定される。この固定は、前述の図３Ａに示されるように、例えば支持基板２１の蒸着面と反対側にタッチプレート４を介して設けられる電磁石３を用いて、吸着することにより行われる。前述のように、蒸着マスク１の金属支持層１２（図３Ｂ参照）に磁性体が用いられているので、電磁石３により磁界が与えられると、蒸着マスク１の金属支持層１２が磁化して磁心３１との間で吸引力が生成する。電磁石３が磁心３１を有しない場合でも、電磁コイル３２に流れる電流により発生する磁界によって吸着される。この際、前述のように、電流投入時には、第１及び第２の電磁石３Ａ、３Ｂを同時に動作させることによって、急激な磁束変化は生じない。従って、電磁誘導による起電力の影響が抑制される。なお、蒸着マスク１の開口１１ａは絶縁バンク２３の表面の間隔よりも小さく形成されている。絶縁バンク２３の側壁には有機材料ができるだけ被着しないようにし、有機ＥＬ表示装置の発光効率の低下の防止が図られている。 The support substrate 21 such as a glass plate is not completely illustrated, but a driving element such as a TFT is formed for each RGB subpixel of each pixel, and the first electrode 22 connected to the driving element is flat. It is formed by a combination of a metal film such as Ag or APC and an ITO film on the chemical conversion film. As shown in FIGS. 5 to 6, an insulating bank 23 made of SiO 2 or an acrylic resin, a polyimide resin, or the like is formed between the sub-pixels to partition the sub-pixels. The above vapor deposition mask 1 is aligned and fixed on the insulating bank 23 of the support substrate 21. As shown in FIG. 3A described above, this fixing is performed by, for example, using an electromagnet 3 provided via a touch plate 4 on the opposite side of the vapor deposition surface of the support substrate 21 to attract it. As described above, since the magnetic material is used for the metal supporting layer 12 of the vapor deposition mask 1 (see FIG. 3B), when a magnetic field is applied by the electromagnet 3, the metal supporting layer 12 of the vapor deposition mask 1 is magnetized and the magnetic core A suction force is generated between 31 and 31. Even when the electromagnet 3 does not have the magnetic core 31, it is attracted by the magnetic field generated by the current flowing through the electromagnetic coil 32. At this time, as described above, when the current is turned on, the magnetic flux is not rapidly changed by simultaneously operating the first and second electromagnets 3A and 3B. Therefore, the influence of electromotive force due to electromagnetic induction is suppressed. The opening 11 a of the vapor deposition mask 1 is formed smaller than the distance between the surfaces of the insulating bank 23. An organic material is prevented from being deposited on the side wall of the insulating bank 23 as much as possible to prevent a decrease in luminous efficiency of the organic EL display device.

この状態で、図５に示されるように、蒸着装置内で蒸着源（るつぼ）５から蒸着材料５１が飛散され、蒸着マスク１の開口１１ａが形成された部分のみの支持基板２１上に蒸着材料５１が蒸着され、所望のサブ画素の第１電極２２上に有機層の積層膜２５が形成される。前述のように、蒸着マスク１の開口１１ａは、絶縁バンク２３の表面の間隔より小さく形成されているので、絶縁バンク２３の側壁には蒸着材料５１は堆積されにくくなっている。その結果、図５〜６に示されるように、ほぼ、第１電極２２上のみに有機層の積層膜２５が堆積される。この蒸着工程は、順次蒸着マスク１が交換され、各サブ画素に対して行われてもよい。複数のサブ画素に同時に同じ材料が蒸着される蒸着マスク１が用いられてもよい。蒸着マスク１が交換される場合には、図５には図示されていない電磁石３（図３Ａ参照）により蒸着マスク１の金属支持層１２（図３Ｂ参照）への磁界を除去するように電源回路６（図１〜２参照）がオフにされる。この際にも、支持基板２１に形成されるＴＦＴなどの素子が電磁誘導の影響を抑制できるように第２の電磁石３Ｂが動作されてから電源回路６がオフにされることが好ましい。 In this state, as shown in FIG. 5, the vapor deposition material 51 is scattered from the vapor deposition source (crucible) 5 in the vapor deposition apparatus, and the vapor deposition material is formed on the support substrate 21 only in the portion where the opening 11a of the vapor deposition mask 1 is formed. 51 is vapor-deposited, and the laminated film 25 of the organic layer is formed on the first electrode 22 of the desired sub-pixel. As described above, since the opening 11a of the vapor deposition mask 1 is formed smaller than the distance between the surfaces of the insulating bank 23, the vapor deposition material 51 is less likely to be deposited on the sidewall of the insulating bank 23. As a result, as shown in FIGS. 5 and 6, the laminated film 25 of the organic layer is deposited almost only on the first electrode 22. This vapor deposition process may be performed for each sub-pixel by sequentially exchanging the vapor deposition mask 1. The vapor deposition mask 1 in which the same material is vapor deposited on a plurality of sub-pixels at the same time may be used. When the vapor deposition mask 1 is replaced, a power circuit for removing the magnetic field to the metal supporting layer 12 (see FIG. 3B) of the vapor deposition mask 1 by the electromagnet 3 (see FIG. 3A) not shown in FIG. 6 (see FIGS. 1-2) is turned off. Also at this time, it is preferable that the power supply circuit 6 be turned off after the second electromagnet 3B is operated so that the element such as the TFT formed on the support substrate 21 can suppress the influence of electromagnetic induction.

図５〜６では、有機層の積層膜２５が単純に１層で示されているが、有機層の積層膜２５は、異なる材料からなる複数層の積層膜２５で形成されてもよい。例えば陽極２２に接する層として、正孔の注入性を向上させるイオン化エネルギーの整合性の良い材料からなる正孔注入層が設けられる場合がある。この正孔注入層上に、正孔の安定な輸送を向上させると共に、発光層への電子の閉じ込め（エネルギー障壁）が可能な正孔輸送層が、例えばアミン系材料により形成される。さらに、その上に発光波長に応じて選択される発光層が、例えば赤色、緑色に対してはＡｌｑ3に赤色又は緑色の有機物蛍光材料がドーピングされて形成される。また、青色系の材料としては、ＤＳＡ系の有機材料が用いられる。発光層の上には、さらに電子の注入性を向上させると共に、電子を安定に輸送する電子輸送層が、Ａｌｑ3などにより形成される。これらの各層がそれぞれ数十ｎｍ程度ずつ積層されることにより有機層の積層膜２５が形成されている。なお、この有機層と金属電極との間にＬｉＦやＬｉｑなどの電子の注入性を向上させる電子注入層が設けられることもある。本実施形態では、これらも含めて有機層の積層膜２５と言っている。このような積層膜２５は、電磁誘導の影響を受ける可能性があるが、本実施形態では、前述のように電流の投入又は切断の際に、第１の電磁石３Ａと逆向きの磁界を発生させる第２の電磁石３Ｂを動作させているので、磁界の急激な変化は生じない。その結果、電磁誘導の影響が抑制される。 5 to 6, the laminated film 25 of the organic layer is simply shown as one layer, but the laminated film 25 of the organic layer may be formed of a plurality of laminated films 25 made of different materials. For example, as the layer in contact with the anode 22, there may be a case where a hole injection layer made of a material having a good ionization energy matching property that improves the hole injection property is provided. On this hole injection layer, a hole transport layer capable of improving stable transport of holes and confining electrons (energy barrier) to the light emitting layer is formed of, for example, an amine-based material. Further, a light emitting layer selected according to the emission wavelength is formed thereon by doping Alq 3 for red and green with a red or green organic fluorescent material. A DSA-based organic material is used as the blue-based material. On the light emitting layer, an electron transporting layer for further improving the electron injecting property and stably transporting the electron is formed by Alq 3 or the like. A laminated film 25 of an organic layer is formed by laminating each of these layers by several tens of nm. An electron injection layer for improving electron injection properties such as LiF and Liq may be provided between the organic layer and the metal electrode. In the present embodiment, these are also referred to as the organic layer laminated film 25. Such a laminated film 25 may be affected by electromagnetic induction, but in the present embodiment, when the current is turned on or off, a magnetic field in the direction opposite to that of the first electromagnet 3A is generated as described above. Since the second electromagnet 3B to be operated is operated, a sudden change in the magnetic field does not occur. As a result, the influence of electromagnetic induction is suppressed.

有機層の積層膜２５のうち、発光層は、ＲＧＢの各色に応じた材料の有機層が堆積される。また、正孔輸送層、電子輸送層などは、発光性能を重視すれば、発光層に適した材料で別々に堆積されることが好ましい。しかし、材料コストの面を勘案して、ＲＧＢの２色又は３色に共通して同じ材料で積層される場合もある。２色以上のサブ画素で共通する材料が積層される場合には、共通するサブ画素に開口が形成された蒸着マスク１が形成される。個々のサブ画素で蒸着層が異なる場合には、例えばＲのサブ画素で１つの蒸着マスク１を用いて、各有機層を連続して蒸着することができる。また、ＲＧＢで共通の有機層が堆積される場合には、その共通層の下側まで、各サブ画素の有機層の蒸着がなされ、共通の有機層のところで、ＲＧＢに開口が形成された蒸着マスク１を用いて一度に全画素の有機層の蒸着がなされる。なお、大量生産する場合には、蒸着装置のチャンバーが何台も並べられ、それぞれに異なる蒸着マスク１が装着されていて、支持基板２１（被蒸着基板２）が各蒸着装置を移動して連続的に蒸着が行われてもよい。 In the light emitting layer of the laminated film 25 of organic layers, an organic layer of a material corresponding to each color of RGB is deposited. In addition, the hole transport layer, the electron transport layer, and the like are preferably separately deposited with materials suitable for the light emitting layer if light emission performance is important. However, in consideration of the material cost, the same material may be laminated in common for two colors or three colors of RGB. When materials common to two or more sub-pixels are stacked, the vapor deposition mask 1 having openings formed in the common sub-pixels is formed. When vapor deposition layers are different for individual sub-pixels, for example, one vapor deposition mask 1 can be used for R sub-pixels to successively vapor-deposit each organic layer. In addition, when a common organic layer is deposited in RGB, the organic layer of each sub-pixel is vapor-deposited to the lower side of the common layer, and the vapor deposition in which an opening is formed in RGB at the common organic layer. The mask 1 is used to deposit the organic layers of all pixels at one time. In the case of mass production, a plurality of chambers of the vapor deposition apparatus are arranged, different vapor deposition masks 1 are attached to the chambers, and the supporting substrate 21 (substrate to be vapor-deposited 2) is continuously moved by moving each vapor deposition apparatus. Vapor deposition may be performed.

ＬｉＦ層などの電子注入層などを含む全ての有機層の積層膜２５の形成が終了したら、前述のように、電磁石３の電源回路６をオフにし蒸着マスク１から電磁石３が分離される。その後、第２電極（例えば陰極）２６が全面に形成される。図６に示される例は、トップエミッション型で、図中支持基板２１と反対面から光を出す方式になっているので、第２電極２６は透光性の材料、例えば、薄膜のＭｇ-Ａｇ共晶膜により形成される。その他にＡｌなどが用いられ得る。なお、支持基板２１側から光が放射されるボトムエミッション型の場合には、第１電極２２にＩＴＯ、Ｉｎ3Ｏ4などが用いられ、第２電極２６としては、仕事関数の小さい金属、例えばＭｇ、Ｋ、Ｌｉ、Ａｌなどが用いられ得る。この第２電極２６の表面には、例えばＳｉ3Ｎ4などからなる保護膜２７が形成される。なお、この全体は、図示しないガラス、樹脂フィルムなどからなるシール層により封止され、有機層の積層膜２５が水分を吸収しないように構成される。また、有機層はできるだけ共通化し、その表面側にカラーフィルタを設ける構造にすることもできる。 When the formation of the laminated film 25 of all the organic layers including the electron injection layer such as the LiF layer is completed, the power supply circuit 6 of the electromagnet 3 is turned off and the electromagnet 3 is separated from the vapor deposition mask 1 as described above. Then, the second electrode (eg, cathode) 26 is formed on the entire surface. Since the example shown in FIG. 6 is a top emission type and emits light from the surface opposite to the supporting substrate 21 in the figure, the second electrode 26 is made of a translucent material such as a thin film of Mg-Ag. It is formed by a eutectic film. Besides, Al or the like may be used. In the case of the bottom emission type in which light is emitted from the support substrate 21 side, ITO, In 3 O 4 or the like is used for the first electrode 22, and the second electrode 26 is made of a metal having a small work function, for example, Mg, K, Li, Al, etc. can be used. A protective film 27 made of, for example, Si 3 N 4 is formed on the surface of the second electrode 26. The entire structure is sealed by a sealing layer (not shown) made of glass, resin film, or the like so that the laminated film 25 of the organic layer does not absorb moisture. Further, the organic layer may be made as common as possible, and a color filter may be provided on the surface side thereof.

（まとめ）
（１）本発明の第１の実施形態に係る蒸着装置は、電磁石と、前記電磁石の一つの磁極と対向する位置に設けられ、被蒸着基板を保持する基板ホルダーと、前記基板ホルダーによって保持される前記被蒸着基板の前記電磁石と反対面に対向する位置に設けられ、磁性体を有する蒸着マスクと、前記蒸着マスクと対向させて設けられ、蒸着材料を気化又は昇華させる蒸着源と、前記電磁石を駆動する電源回路と、を有する蒸着装置であって、前記電磁石が、第１の向きの磁界を発生させる第１の電磁石と、前記第１の向きと逆向きの磁界を発生させる第２の電磁石とを有している。 (Summary)
(1) The vapor deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention is provided with an electromagnet, a substrate holder that is provided at a position facing one magnetic pole of the electromagnet, holds a substrate to be vapor deposited, and is held by the substrate holder. A vapor deposition mask having a magnetic material, which is provided at a position opposite to the surface of the vapor deposition substrate opposite to the electromagnet; a vapor deposition source provided to face the vapor deposition mask and vaporizing or sublimating a vapor deposition material; and the electromagnet. A power supply circuit for driving the first electromagnet, the electromagnet generating a magnetic field in a first direction, and a second magnetic field generating a magnetic field in a direction opposite to the first direction. And an electromagnet.

本発明の一実施形態の蒸着装置によれば、電磁石で蒸着マスクを吸着する構成にしているので、被蒸着基板と蒸着マスクとの位置合せは、磁場の印加なしで、又は弱い磁場で容易に行うことができる。また、磁場の印加によって、その間に挟まれる被蒸着基板と蒸着マスクとが充分に接近され得る。しかも、本実施形態では、電磁石が第１の向きの磁界を発生させる第１の電磁石と、第１の向きとは逆向きの第２向きの磁界を発生させる第２の電磁石とを含んでいる。そのため、電流の投入時に第２の電磁石の動作によって磁界は弱くされ得る。そうすることによって、電磁石に電流を投入しても、被蒸着基板に形成されるＴＦＴなどの素子が、電流の投入によって発生する電磁誘導の影響を受けるのを抑制し得る。 According to the vapor deposition device of one embodiment of the present invention, since the vapor deposition mask is attracted by the electromagnet, the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask can be easily aligned without applying a magnetic field or in a weak magnetic field. It can be carried out. Further, by applying the magnetic field, the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask sandwiched therebetween can be sufficiently brought close to each other. Moreover, in the present embodiment, the electromagnet includes the first electromagnet that generates the magnetic field in the first direction and the second electromagnet that generates the magnetic field in the second direction that is opposite to the first direction. .. Therefore, the magnetic field can be weakened by the operation of the second electromagnet when the current is applied. By doing so, even if a current is applied to the electromagnet, it is possible to suppress an element such as a TFT formed on the deposition target substrate from being affected by electromagnetic induction generated by applying the current.

（２）前記電源回路は、前記第１及び第２の電磁石の同時の通電後に前記第２の電磁石の通電をオフにする切替スイッチを有することによって、前述の通電開始時に電磁誘導の影響を避けながら、通常の動作時には所望の磁界を得ることができる。 (2) The power supply circuit has a changeover switch that turns off the energization of the second electromagnet after simultaneous energization of the first and second electromagnets, thereby avoiding the influence of electromagnetic induction at the start of the energization. However, a desired magnetic field can be obtained during normal operation.

（３）前記第１の電磁石に対応する第１の電磁コイルと、前記第２の電磁石に対応する第２の電磁コイルとが直列に接続され、前記第２の電磁コイルは前記第１の電磁コイルよりも少ない巻数で、かつ、前記第１の電磁コイルと逆向きに巻回されていてもよい。２つの電磁コイルが直列に接続されることによって、２つの電磁石に同時に電流を印加することができる。また、第２の電磁コイルによって、第１の電磁コイルによる磁界の一部が相殺される。 (3) A first electromagnetic coil corresponding to the first electromagnet and a second electromagnetic coil corresponding to the second electromagnet are connected in series, and the second electromagnetic coil is the first electromagnetic coil. The number of turns may be smaller than that of the coil, and the coil may be wound in a direction opposite to that of the first electromagnetic coil. By connecting the two electromagnetic coils in series, a current can be applied to the two electromagnets at the same time. Further, the second electromagnetic coil cancels a part of the magnetic field generated by the first electromagnetic coil.

（４）前記第２の電磁コイルは両端の端子の他に、前記第２の電磁コイルの中間に第３端子を有し、前記切替スイッチは前記第２の電磁コイルの端子の切り替えによって段階的に前記第２の電磁石の通電をオフにしてもよい。第２の電磁石をオフにすることによって発生し得る電磁誘導の影響を避けることができる。 (4) The second electromagnetic coil has a third terminal in the middle of the second electromagnetic coil in addition to the terminals at both ends, and the changeover switch is stepwise by switching the terminals of the second electromagnetic coil. Alternatively, the energization of the second electromagnet may be turned off. It is possible to avoid the influence of electromagnetic induction that may occur by turning off the second electromagnet.

（５）前記第１の電磁石が単位電磁石を複数個配列することで形成され、前記第２の電磁石が前記単位電磁石の複数個を取り囲むように巻回される第３の電磁コイルによって形成されてもよい。電磁石のスペースによって選択し得る。 (5) The first electromagnet is formed by arranging a plurality of unit electromagnets, and the second electromagnet is formed by a third electromagnetic coil wound so as to surround a plurality of the unit electromagnets. Good. It can be selected depending on the space of the electromagnet.

（６）前記第３の電磁コイルは両端の端子の他、前記第３の電磁コイルの中間に第３端子を有し、前記切替スイッチは前記第３の電磁コイルの端子の切り替えによって段階的に前記第２の電磁石の通電をオフにすることもできる。前述のように、段階的に第２の電磁石をオフにすることができる。 (6) The third electromagnetic coil has terminals at both ends and a third terminal in the middle of the third electromagnetic coil, and the changeover switch is stepwise by switching the terminals of the third electromagnetic coil. The energization of the second electromagnet can be turned off. As described above, the second electromagnet can be turned off in stages.

（７）また、本発明の第２の実施形態の蒸着方法は、電磁石と、被蒸着基板と、磁性体を有する蒸着マスクとを重ね合せ、かつ、電源回路からの前記電磁石への通電によって前記被蒸着基板と前記蒸着マスクとを吸着させる工程、及び前記蒸着マスクと離間して配置される蒸着源からの蒸着材料の飛散によって前記被蒸着基板に前記蒸着材料を堆積する工程、を含み、前記電磁石が、第１の向きの磁界を発生させる第１の電磁石と、前記第１の向きと逆向きの磁界を発生させる第２の電磁石とを有し、前記第１及び第２の電磁石の同時の通電の後に前記第２の電磁石をオフにすることを含んでいる。 (7) In the vapor deposition method according to the second embodiment of the present invention, the electromagnet, the vapor deposition substrate, and the vapor deposition mask having a magnetic material are superposed on each other, and the electromagnet is energized from a power supply circuit to cause the electromagnet to flow. A step of adsorbing the vapor deposition substrate and the vapor deposition mask, and a step of depositing the vapor deposition material on the vapor deposition substrate by scattering the vapor deposition material from a vapor deposition source that is arranged apart from the vapor deposition mask, The electromagnet has a first electromagnet that generates a magnetic field in a first direction and a second electromagnet that generates a magnetic field in a direction opposite to the first direction, and the first and second electromagnets are simultaneously provided. Turning off the second electromagnet after the energization of.

本発明の第２の実施形態の蒸着方法によれば、電磁石への電流の投入時には、第１の電磁石と第２の電磁石とが同時に動作するため、磁界が弱くなり、電磁誘導の影響が抑制される。一方、電流の投入後に第２の電磁石がオフにされるので、第１の電磁石による磁界がそのまま提供され、必要な吸着力が得られる。その結果、被蒸着基板と蒸着マスクとの吸着が充分に行われながら、素子や有機層の特性の劣化が抑制され得る。 According to the vapor deposition method of the second embodiment of the present invention, when the electric current is applied to the electromagnet, the first electromagnet and the second electromagnet operate simultaneously, so the magnetic field becomes weak and the influence of electromagnetic induction is suppressed. To be done. On the other hand, since the second electromagnet is turned off after the electric current is applied, the magnetic field produced by the first electromagnet is provided as it is, and the necessary attraction force is obtained. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the characteristics of the element or the organic layer while sufficiently adsorbing the deposition target substrate and the deposition mask.

（８）前記第２の電磁石をオフにする際に、段階的にオフにすることによって、第２の電磁石をオフにする際の逆向きの電磁誘導の発生も抑制され得る。 (8) By turning off the second electromagnet stepwise, it is possible to suppress the generation of electromagnetic induction in the opposite direction when turning off the second electromagnet.

（９）前記蒸着材料の蒸着の完了後に、前記第２の電磁石を動作させてから、前記電磁石への電流をオフにすることによって、電流をオフにする際の電磁誘導の発生も抑制され得る。 (9) After the vapor deposition of the vapor deposition material is completed, the second electromagnet is operated, and then the current to the electromagnet is turned off, so that the generation of electromagnetic induction when the current is turned off can be suppressed. ..

（１０）さらに、本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、支持基板上にＴＦＴ及び第１電極を少なくとも形成し、前記支持基板上に前記（７）〜（９）のいずれかの蒸着方法を用いて有機材料を蒸着することによって有機層の積層膜を形成し、前記積層膜上に第２電極を形成することを含んでいる。 (10) Furthermore, in the method for manufacturing an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention, at least a TFT and a first electrode are formed on a supporting substrate, and the above (7) to (9) are formed on the supporting substrate. Forming a laminated film of organic layers by vapor-depositing an organic material by using any one of the vapor deposition methods, and forming a second electrode on the laminated film.

本発明の第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の製法によれば、有機ＥＬ表示装置が製造される際に、支持基板の上に形成される素子や有機層の特性が劣化せず、繊細なパターンの表示画面が得られる。 According to the method of manufacturing the organic EL display device of the third embodiment of the present invention, when the organic EL display device is manufactured, the characteristics of the element and the organic layer formed on the support substrate are not deteriorated, and the delicate A display screen with various patterns can be obtained.

１ 蒸着マスク
２ 被蒸着基板
３ 電磁石
３Ａ 第１の電磁石
３Ｂ 第２の電磁石
４ タッチプレート
５ 蒸着源
６ 電源回路
１１ 樹脂フィルム
１１ａ 開口
１２ 金属支持層
１２ａ 開口
１４ フレーム
１５ マスクホルダー
２１ 支持基板
２２ 第１電極
２３ 絶縁バンク
２５ 積層膜
２６ 第２電極
２７ 保護膜
２９ 基板ホルダー
３１ 磁心（コア）
３２ 電磁コイル（第１の電磁コイル）
３３ 樹脂
３５ 第２の電磁コイル
３５ａ、３５ｂ、３５ｃ 端子
３６ 筒体
３８ 第３の電磁コイル
３８ａ、３８ｂ、３８ｃ 端子
４１ 支持フレーム
５１ 蒸着材料
６０ メインスイッチ
６１ 切替スイッチ 1 Vapor Deposition Mask 2 Deposition Substrate 3 Electromagnet 3A First Electromagnet 3B Second Electromagnet 4 Touch Plate 5 Vapor Deposition Source 6 Power Circuit 11 Resin Film 11a Opening 12 Metal Support Layer 12a Opening 14 Frame 15 Mask Holder 21 Supporting Substrate 22 First Electrode 23 Insulation bank 25 Laminated film 26 Second electrode 27 Protective film 29 Substrate holder 31 Magnetic core
32 electromagnetic coil (first electromagnetic coil)
33 resin 35 2nd electromagnetic coil 35a, 35b, 35c terminal 36 cylindrical body 38 3rd electromagnetic coil 38a, 38b, 38c terminal 41 support frame 51 vapor deposition material 60 main switch 61 changeover switch

Claims (11)

第１の向きを向く磁界を発生させる第１の電磁石と、
前記第１の向きと反対向きの第２の磁界を発生させる第２の電磁石と、
を備える電磁石、及び
磁性体を有する部材を載置すべきホルダーであって、該部材は該ホルダーへ載置された後の前記電磁石への通電によって該電磁石に吸着される、ホルダー
を備えた、蒸着装置。 A first electromagnet for generating a magnetic field oriented in a first direction;
A second electromagnet for generating a second magnetic field opposite to the first direction;
And a holder for mounting a member having a magnetic body, wherein the member is provided with a holder that is attracted to the electromagnet by energizing the electromagnet after being mounted on the holder, Vapor deposition equipment. 前記第１の電磁石に対応する第１の電磁コイルと、前記第２の電磁石に対応する第２の電磁コイルとが連続して形成されており、かつ、前記第１の電磁コイルと前記第２の電磁コイルとが逆向きに巻回されている、請求項１に記載の蒸着装置。 A first electromagnetic coil corresponding to the first electromagnet and a second electromagnetic coil corresponding to the second electromagnet are continuously formed, and the first electromagnetic coil and the second electromagnetic coil are formed. The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the electromagnetic coil is wound in the opposite direction. 前記第１及び第２の電磁コイルの通電後に、前記第２の電磁コイルの通電をオフにするスイッチ手段を有する、請求項１又は２に記載の蒸着装置。 The vapor deposition apparatus according to claim 1, further comprising a switch unit that turns off the energization of the second electromagnetic coil after energizing the first and second electromagnetic coils. 前記第２の電磁コイルは両端の端子の他に、前記第２の電磁コイルの中間に少なくとも１つの第３端子を有し、前記スイッチ手段が前記第３端子を経由することによって段階的に前記第２の電磁石の通電をオフにする、請求項３に記載の蒸着装置。 The second electromagnetic coil has at least one third terminal in the middle of the second electromagnetic coil in addition to the terminals at both ends, and the switch means passes through the third terminal, thereby stepwise The vapor deposition device according to claim 3, wherein energization of the second electromagnet is turned off. 前記第１の電磁石が単位電磁石を複数個配列することで形成され、前記第２の電磁石が前記単位電磁石の複数個を取り囲むように巻回される第３の電磁コイルによって形成される、請求項１に記載の蒸着装置。 The first electromagnet is formed by arranging a plurality of unit electromagnets, and the second electromagnet is formed by a third electromagnetic coil wound so as to surround a plurality of the unit electromagnets. 1. The vapor deposition device according to 1. 前記第１及び第２の電磁石の通電後に前記第３の電磁コイルの通電をオフにするスイッチ手段を有すると共に、前記第３の電磁コイルは両端の端子の他、前記第３の電磁コイルの中間に第３端子を有しており、前記スイッチ手段が前記第３端子を経由することによって段階的に前記第２の電磁石の通電をオフにする、請求項５に記載の蒸着装置。 The third electromagnetic coil has switch means for turning off the energization of the third electromagnetic coil after energizing the first and second electromagnets, and the third electromagnetic coil has terminals at both ends and an intermediate portion of the third electromagnetic coil. 6. The vapor deposition apparatus according to claim 5, further comprising a third terminal, wherein the switch means turns off the energization of the second electromagnet stepwise by passing through the third terminal. 前記電磁石を冷却する冷却装置をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の蒸着装置。 The vapor deposition device according to claim 1, further comprising a cooling device that cools the electromagnet. 前記部材は、有機材料が蒸着される被蒸着基板である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の蒸着装置。 The vapor deposition device according to any one of claims 1 to 7, wherein the member is a vapor deposition substrate on which an organic material is vapor deposited. 磁性体を有する蒸着マスクを載置すべき第２ホルダーをさらに備え、
前記蒸着マスクは、前記第２ホルダーへ載置された後の前記電磁石への通電によって該電磁石に吸着された前記被蒸着基板に接触する、請求項８に記載の蒸着装置。 Further comprising a second holder on which a vapor deposition mask having a magnetic material should be placed,
9. The vapor deposition device according to claim 8, wherein the vapor deposition mask contacts the vapor deposition target substrate adsorbed to the electromagnet by energizing the electromagnet after being placed on the second holder. 請求項８又は９に記載の蒸着装置を用いる、蒸着方法。 A vapor deposition method using the vapor deposition device according to claim 8. 支持基板の上にＴＦＴ及び第１電極を形成し、
請求項９に記載の蒸着装置に前記支持基板及び前記蒸着マスクを配置し、
前記電磁石へ通電して前記支持基板と前記蒸着マスクとを該電磁石に固定し、
前記支持基板の上に有機層を積層し、
積層された前記有機層の上に第２電極を形成する
ことを含む、有機ＥＬ表示装置の製造方法。 Forming a TFT and a first electrode on a supporting substrate,
The support substrate and the vapor deposition mask are arranged in the vapor deposition apparatus according to claim 9,
Energizing the electromagnet to fix the support substrate and the vapor deposition mask to the electromagnet,
Laminating an organic layer on the support substrate,
A method of manufacturing an organic EL display device, comprising forming a second electrode on the stacked organic layers.
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