JP6711917B2 - イオン注入システムで使用するためのスズ含有ドーパント組成物、システム、及び方法 - Google Patents
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Description
本発明に関連して、以下の内容を更に開示する。
[1]
イオン注入プロセスのためのSn含有ドーパント材料を使用するための方法であって、
Sn含有ドーパント源を貯蔵及び送達容器に貯蔵するステップであって、
前記Sn含有ドーパント源が、以下の属性、すなわち、(i)貯蔵及び送達中の安定性、(ii)室温(25℃)において20トール以上の蒸気圧、(iii)10 11 原子/cm 2 を超えるドーピングができるイオンビームの発生、(iv)室温において液体として自然に生じること、並びに(v)Sn、H、及びハロゲン原子を含むこと、のうちの1つ以上によって特徴付けられる、貯蔵するステップと、
前記貯蔵及び送達容器から前記蒸気相中の前記Sn含有ドーパント源を引き出すステップと、
蒸発させた前記Sn含有ドーパント源を流すステップと、
前記Sn含有ドーパント源の蒸気をイオン源チャンバに導入するステップと、含む、方法。
[2]
前記Sn含有ドーパント源が、代表的な構造式R n SnX 4−n を有し、式中、n=0〜4であり、Rが、炭素(C)及び/又は水素(H)を含む官能基であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンである、[1]に記載の方法。
[3]
前記Sn含有ドーパント源が、代表的な構造式R n SnX 4−n を有し、式中、n=1〜3であり、Rが、炭素(C)及び/又は水素(H)を含む官能基であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンである、[1]に記載の方法。
[4]
前記Sn含有ドーパント源が、代表的な構造式R n SnX 4−n を有し、式中、n=0又は4であり、Rが、炭素(C)及び/又は水素(H)を含む官能基であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンである、[1]に記載の方法。
[5]
前記Sn含有ドーパント源が、代表的な構造式R n Sn(C y X z ) 4−n を有し、式中、n=1〜3であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンであり、Rが、C及び/又はH原子を含み、y及びzの値は、前記C y X z 基内の各原子が価電子の閉殻を有するようにC−C結合に応じて変動する、[1]に記載の方法。
[6]
前記Sn含有ドーパント源が、前記代表的な構造式R n Sn(C y X z ) 4−n を有し、式中、n=0又は4であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンであり、Rが、C及び/又はH原子を含み、y及びzの値は、前記C y X z 基内の各原子が価電子の閉殻を有するように前記C−C結合に応じて変動する、[1]に記載の方法。
[7]
前記Sn含有ドーパント源材料が、代表的な構造式R 4−y−z Sn(OR’) y X z を有し、式中、z=0〜3であり、y=1〜4であり、Xが、ハロゲン(X=F、Cl、Br、I)であり、R及びR’が、C及び/又はH原子の混合物を含有する、[1]に記載の方法。
[8]
希釈剤種を前記イオン源チャンバの中へ導入することを更に含む、[1]に記載の方法。
[9]
Snドーパントガス組成物のための供給源であって、
Sn含有ドーパント源であって、以下の属性、すなわち、(i)貯蔵及び送達中の安定性、(ii)室温(25℃)において20トール以上の蒸気圧、(iii)10 11 原子/cm 2 を超えるドーピングができるイオンビームの発生、(iv)室温において液体として自然に生じること、並びに(v)Sn、H、及びハロゲン原子を含むこと、のうちの1つ以上によって特徴付けられる、Sn含有ドーパント源と、
デバイスの内部容積内で前記Sn含有ドーパント源を加圧状態に維持するための送達及び貯蔵デバイスであって、前記送達デバイスが、放出流路と流体連通し、前記送達デバイスが、前記放出流路に沿って達成された準大気状態に応答して、前記デバイスの前記内部容積からの前記Sn含有ドーパント源の制御された流れを可能にするように作動される、送達及び貯蔵デバイスと、を備える、供給源。
[10]
前記送達及び貯蔵デバイスが、貯蔵中に前記Sn含有ドーパント源が吸着される吸着剤を含む、[9]に記載の供給源。
[11]
前記送達及び貯蔵デバイスが、真空作動チェック弁を備える、[9]に記載の供給源。
[12]
前記Sn含有ドーパント源が、ガス相で前記送達及び貯蔵デバイスに貯蔵される、[9]に記載の供給源。
[13]
前記Sn含有ドーパント源が、ガス相と平衡状態の液相で前記送達及び貯蔵デバイスに貯蔵され、前記Sn含有ドーパント源が、前記貯蔵及び送達デバイスから、前記貯蔵及び送達デバイスに動作可能に接続されたイオンチャンバの中への流れを可能にするために十分な蒸気圧を加える、[9]に記載の供給源。
[14]
イオン注入プロセスで使用するためのSn含有ドーパント組成物であって、
Sn含有ドーパント源材料であって、以下の属性、すなわち、(i)貯蔵及び送達中の安定性、(ii)室温(25℃)において20トール以上の蒸気圧、(iii)10 11 原子/cm 2 を超えるドーピングができるイオンビームの発生、(iv)室温において液体として自然に存在すること、並びに(v)Sn、H、及びハロゲン原子を含むこと、のうちの1つ以上によって特徴付けられる、Sn含有ドーパント源材料を含む、Sn含有ドーパント組成物。
[15]
前記属性のうちのいずれかの2つ以上によって更に特徴付けられる、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[16]
少なくとも(i)、(ii)、及び(v)の前記属性によって更に特徴付けられる、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[17]
属性(i)、(ii)、(iii)、(iv)、及び(v)の各々を更に含む、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[18]
前記Sn含有ドーパント源材料が、代表的な構造式R n SnX 4−n を有し、式中、n=0〜4であり、Rが、炭素(C)及び/又は水素(H)を含有する官能基であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンである、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[19]
前記Sn含有ドーパント源材料が、代表的な構造式R n SnX 4−n を有し、式中、n=1〜3であり、Rが、炭素(C)及び/又は水素(H)を含む官能基であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンである、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[20]
前記Sn含有ドーパント源材料が、代表的な構造式R n SnX 4−n を有し、式中、n=0又は4であり、Rが、炭素(C)及び/又は水素(H)を含む官能基であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンである、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[21]
前記Sn含有ドーパント源材料が、前記代表的な構造式R n Sn(C y X z ) 4−n を有し、式中、n=1〜3であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンであり、Rが、C及び/又はH原子を含み、y及びzの値は、前記C y X z 基内の各原子が価電子の閉殻を有するように前記C−C結合に応じて変動する、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[22]
前記Sn含有ドーパント源材料が、前記代表的な構造式R n Sn(C y X z ) 4−n を有し、式中、n=0又は4であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンであり、Rが、C及び/又はH原子を含み、y及びzの値は、前記C y X z 基内の各原子が価電子の閉殻を有するように前記C−C結合に応じて変動する、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[23]
前記Sn含有ドーパント源材料が、前記代表的な構造式R 4−y−z Sn(OR’) y X z を有し、式中、z=0〜3であり、y=1〜4であり、Xが、ハロゲン(X=F、Cl、Br、I)であり、R及びR’が、C及び/又はH原子の混合物を含有する、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[24]
前記Sn含有ドーパント組成物が、F 3 SnCH 3 、F 3 SnCH=CH 2 、(CH 3 ) 2 Sn(CF 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 2 CF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF=CF 2 、F 2 Sn(CH 2 CH 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 2 CH 2 CH 3 、Sn(CH 3 ) 4 、Sn(CF 3 ) 4 、及びSn(Cl) 4 からなる群から選択される、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[25]
前記Sn含有ドーパント組成物が、F 3 SnCH 3 、F 3 SnCH=CH 2 、(CH 3 ) 2 Sn(CF 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 2 CF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF=CF 2 、F 2 Sn(CH 2 CH 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 2 CH 2 CH 3 からなる群から選択される、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[26]
前記Sn含有ドーパント源材料が、吸着剤ベースのシステムと組み合わせて利用され、更に、前記Sn含有ドーパント源材料が、属性(i)の欠如によって特徴付けられる、[14]に記載のSn含有ドーパント組成物。
[27]
前記Sn含有ドーパント源が、前記代表的な構造式R n Sn(C y X z ) 4−n を有し、式中、n=0〜4であり、Xが、F、Cl、Br、及びIからなる群から選択されるハロゲンであり、Rが、C及び/又はH原子を含み、y及びzの値が、前記C y X z 基内の各原子が価電子の閉殻を有するように前記C−C結合に応じて変動する、[1]に記載の方法。
Claims (11)
- イオン注入プロセスのためのSn含有ドーパント材料を使用するための方法であって、
Sn含有ドーパント源を貯蔵及び送達容器に貯蔵するステップであって、
前記Sn含有ドーパント源が、以下の属性、すなわち、(i)貯蔵及び送達中の安定性、(ii)室温(25℃)において20トール以上の蒸気圧、(iii)室温において液体として存在すること、並びに(iv)Sn、H、及びハロゲン原子を含むこと、のうちの1つ以上によって特徴付けられ、前記Sn含有ドーパント源が、F 3 SnCH 3 、F 3 SnCH=CH 2 、(CH 3 ) 2 Sn(CF 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 2 CF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF=CF 2 、F 2 Sn(CH 2 CH 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 2 CH 2 CH 3 、Sn(CH 3 ) 4 、Sn(CF 3 ) 4 、Sn(Cl) 4 、(CH 3 ) 2 Sn(OCH 3 ) 2 、(CH 3 ) 3 SnOCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnOCH 3 、及び、CH 3 SnCl 2 OCH 3 からなる群から選択される、貯蔵するステップと、
放出流路に沿って達成された準大気状態に応答して、ダイアフラムが真空作動チェック弁を閉鎖位置から開放位置まで移動させる時、前記貯蔵及び送達容器から前記蒸気相中の前記Sn含有ドーパント源を引き出すステップと、
放出流路に沿って達成された準大気状態に応答して、蒸発させた前記Sn含有ドーパント源を流すステップと、
前記Sn含有ドーパント源の蒸気をイオン源チャンバに導入するステップと、含む、方法。 - 希釈剤種を前記イオン源チャンバの中へ導入することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- Snドーパントガス組成物のための供給源であって、
Sn含有ドーパント源であって、以下の属性、すなわち、(i)貯蔵及び送達中の安定性、(ii)室温(25℃)において20トール以上の蒸気圧、(iii)室温において液体として存在すること、並びに(iv)Sn、H、及びハロゲン原子を含むこと、のうちの1つ以上によって特徴付けられ、F 3 SnCH 3 、F 3 SnCH=CH 2 、(CH 3 ) 2 Sn(CF 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 2 CF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF=CF 2 、F 2 Sn(CH 2 CH 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 2 CH 2 CH 3 、Sn(CH 3 ) 4 、Sn(CF 3 ) 4 、Sn(Cl) 4 、(CH 3 ) 2 Sn(OCH 3 ) 2 、(CH 3 ) 3 SnOCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnOCH 3 、及び、CH 3 SnCl 2 OCH 3 からなる群から選択される、Sn含有ドーパント源と、
デバイスの内部容積内で前記Sn含有ドーパント源を加圧状態に維持するための送達及び貯蔵デバイスであって、前記送達デバイスが、放出流路と流体連通し、前記送達デバイスが、前記放出流路に沿って達成された準大気状態に応答して、前記デバイスの前記内部容積からの前記Sn含有ドーパント源の制御された流れを可能にするようにダイアフラムによって作動される真空作動チェック弁を備える、送達及び貯蔵デバイスと、を備える、供給源。 - 前記送達及び貯蔵デバイスが、貯蔵中に前記Sn含有ドーパント源が吸着される吸着剤を含む、請求項3に記載の供給源。
- 前記Sn含有ドーパント源が、ガス相で前記送達及び貯蔵デバイスに貯蔵される、請求項3に記載の供給源。
- 前記Sn含有ドーパント源が、ガス相と平衡状態の液相で前記送達及び貯蔵デバイスに貯蔵され、前記Sn含有ドーパント源が、前記貯蔵及び送達デバイスから、前記貯蔵及び送達デバイスに動作可能に接続されたイオンチャンバの中への流れを可能にするために十分な蒸気圧を加える、請求項3に記載の供給源。
- イオン注入プロセスで使用するためのSn含有ドーパント組成物であって、
Sn含有ドーパント源材料であって、以下の属性、すなわち、(i)室温(25℃)において20トール以上の蒸気圧によって特徴付けられ、F 3 SnCH 3 、F 3 SnCH=CH 2 、(CH 3 ) 2 Sn(CF 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF 2 CF 3 、(CH 3 ) 3 SnCF=CF 2 、F 2 Sn(CH 2 CH 3 ) 2 、F 3 SnCH 2 CH 2 CH 2 CH 3 、Sn(CH 3 ) 4 、Sn(CF 3 ) 4 、Sn(Cl) 4 、(CH 3 ) 2 Sn(OCH 3 ) 2 、(CH 3 ) 3 SnOCH 2 CH 3 、(CH 3 ) 3 SnOCH 3 、及び、CH 3 SnCl 2 OCH 3 からなる群から選択される、Sn含有ドーパント源材料と、
デバイスの内部容積内で前記Sn含有ドーパント源材料を加圧状態に維持するための送達及び貯蔵デバイスであって、前記送達デバイスが、放出流路と流体連通し、前記送達デバイスが、前記放出流路に沿って達成された準大気状態に応答して、前記デバイスの前記内部容積からの前記Sn含有ドーパント源材料の制御された流れを可能にするようにダイアフラムによって作動される真空作動チェック弁を備える、送達及び貯蔵デバイスと、
を含む、Sn含有ドーパント組成物。 - 以下の属性、すなわち、(ii)貯蔵及び送達中の安定性、(iii)室温において液体として存在すること、並びに(iv)Sn、H、及びハロゲン原子を含むこと、のうちの1つ以上によって更に特徴付けられる、請求項7に記載のSn含有ドーパント組成物。
- (ii)、(iii)、及び(iv)の前記属性のうちのいずれかの2つ以上によって更に特徴付けられる、請求項8に記載のSn含有ドーパント組成物。
- 属性(i)、(ii)、(iii)、及び(iv)の各々を更に含む、請求項8に記載のSn含有ドーパント組成物。
- 前記Sn含有ドーパント源材料が、吸着剤ベースのシステムと組み合わせて利用され、更に、前記Sn含有ドーパント源材料が、属性(i)の欠如によって特徴付けられる、請求項7に記載のSn含有ドーパント組成物。
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