JP6698467B2 - Electronic circuit system and method for starting control device - Google Patents

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Description

本発明は、ブートプログラムを制御装置に読み込んでブートプログラムにより制御装置を起動させた後にメインプログラムを制御装置に読み込んでメインプログラムにより制御装置を起動させる電子回路システム及び制御装置の起動方法に関する。   The present invention relates to an electronic circuit system and a method for activating a control device by loading a boot program into the control device, activating the control device by the boot program, and then loading the main program into the control device and activating the control device by the main program.

ブートプログラムを制御装置に読み込んでブートプログラムにより制御装置を起動させた後にメインプログラムを制御装置に読み込んでメインプログラムにより制御装置を起動させる電子回路システムでは、一般的に、メモリに格納されているブートプログラムを該メモリから読み出し、読み出したブートプログラムを制御装置に読み込んでブートプログラムにより制御装置を起動させた後にメモリに格納されているメインプログラムを該メモリから読み出し、読み出したメインプログラムを制御装置に読み込んでメインプログラムにより制御装置を起動させるようになっている。   In an electronic circuit system in which the boot program is loaded into the control device, the control device is activated by the boot program, and then the main program is loaded into the control device and the control device is activated by the main program, generally, the boot stored in the memory is used. The program is read from the memory, the read boot program is read into the control device, the control device is started by the boot program, then the main program stored in the memory is read from the memory, and the read main program is read into the control device. The main program activates the control device.

ここで、ブートプログラムは、電源投入時或いはリセット時(ハードウェアリセット時又はソフトウェアリセットによる再起動時を含む。)に最初に実行するプログラムである。ブートプログラムとしては、代表的には、バイオス(BIOS:Basic Input Output System)を例示できる。また、メインプログラムは、ブートプログラムの次に実行するプログラムである。メインプログラムとしては、代表的には、オペレーティングシステム(OS:Operating System)を例示できる。   Here, the boot program is a program that is first executed when the power is turned on or at the time of resetting (including the time of rebooting by hardware reset or software reset). A typical example of the boot program is BIOS (Basic Input Output System). The main program is a program executed next to the boot program. As the main program, typically, an operating system (OS) can be exemplified.

ブートプログラム及びメインプログラムを格納するメモリとして、NOR型フラッシュメモリやNAND型フラッシュメモリが利用されることが多い。   A NOR flash memory or a NAND flash memory is often used as a memory for storing the boot program and the main program.

NOR型フラッシュメモリは、一般的に、記憶容量に対するコストが高く(単位ビット当たりのコストが高く)、書き込めるデータ量が少ない(低容量である)ものの、メモリの書き換え可能回数多い、メモリ異常〔具体的には、メモリ内のデータが意図せず変化する(所謂ビット化け、以下、単にビット化けという。)〕が少ないという特性のため、高信頼性であることが知られている。   NOR-type flash memory generally has a high cost for storage capacity (high cost per unit bit) and a small amount of data that can be written (low capacity), but has a large number of rewritable times in the memory and a memory abnormality [specific In particular, it is known that the data in the memory is highly reliable because of its characteristic that it rarely changes unintentionally (so-called garbled data, hereinafter, simply garbled data).

一方、NAND型フラッシュメモリは、一般的に、記憶容量に対するコストが低く(単位ビット当たりのコストが低く)、書き込めるデータ量が多い(高容量である)ものの、メモリの書き換え可能回数が少ない、メモリ異常(具体的にはビット化け)が多いという特性のため、低信頼性であることが知られている。   On the other hand, a NAND flash memory generally has a low storage capacity cost (low cost per unit bit) and a large amount of writable data (high capacity), but has a small number of rewritable times. It is known to have low reliability due to the characteristic that there are many abnormalities (specifically, garbled bits).

メモリのコストを抑制する目的として、一般的に、ブートプログラムは容量が低容量であり、メインプログラムは容量が高容量であることから、NOR型フラッシュメモリからブートプログラムを読み出し、ブートプログラムにより制御装置を起動させた後、ハードディスク装置(HDD:Hard Disk Drive)等の大容量不揮発メモリからメインプログラムを読み出し、メインプログラムにより制御装置を起動させる手法が一般的に使用されている。   For the purpose of suppressing the cost of the memory, generally, the boot program has a low capacity and the main program has a high capacity. Therefore, the boot program is read from the NOR flash memory, and the boot program controls the controller. A method in which a main program is read from a large-capacity nonvolatile memory such as a hard disk drive (HDD: Hard Disk Drive) and the control device is started by the main program is generally used.

例えば、特許文献1には、ランダムアクセス可能な不揮発性メモリからブートプログラムを読み出し、ブートプログラムにより制御装置を起動させた後、NAND型フラッシュメモリからメインプログラムを読み出し、メインプログラムにより制御装置を起動させる手法が提案されている。   For example, in Patent Document 1, a boot program is read from a randomly accessible nonvolatile memory, a control device is activated by the boot program, then a main program is read from a NAND flash memory, and the control device is activated by the main program. A method has been proposed.

また、近年では、NOR型フラッシュメモリにブートプログラムを格納しないで、NAND型フラッシュメモリにブートプログラム及びメインプログラムを格納し、コストを低減させる手法も多く存在している。   Further, in recent years, there are many methods of reducing the cost by storing the boot program and the main program in the NAND flash memory without storing the boot program in the NOR flash memory.

特開2005−157528号公報JP, 2005-157528, A

しかしながら、NAND型フラッシュメモリにブートプログラム及びメインプログラムを格納する手法を用いた電子回路システムでは、NAND型フラッシュメモリの特性である低信頼性によるメモリ異常等の不具合が発生し易く、この場合、制御装置が正常に起動できないという不都合がある。   However, in an electronic circuit system that uses a method of storing a boot program and a main program in a NAND flash memory, a problem such as a memory abnormality due to low reliability, which is a characteristic of the NAND flash memory, is likely to occur. There is an inconvenience that the device cannot be started normally.

そこで、本発明は、低信頼性を特性とするNAND型フラッシュメモリにブートプログラム及びメインプログラムを格納してNAND型フラッシュメモリからのブートプログラム及びメインプログラムにより制御装置を起動させる場合において、制御装置が正常に起動できないときでも、ブートプログラムによる制御装置の起動を確実に行うことができる電子回路システム及び制御装置の起動方法を提供することを目的とする。   Therefore, according to the present invention, when a boot program and a main program are stored in a NAND flash memory having low reliability and the control device is activated by the boot program and the main program from the NAND flash memory, the control device is An object of the present invention is to provide an electronic circuit system and a method for starting a control device, which can surely start the control device by a boot program even when it cannot be normally started.

本発明は、前記課題を解決するために、次の第1態様及び第2態様の電子回路システム並びに第1態様及び第2態様の制御装置の起動方法を提供する。 In order to solve the above problems, the present invention provides an electronic circuit system according to the following first and second aspects and a method for starting a control device according to the first and second aspects .

(1−1第1態様の電子回路システム
本発明に係る第1態様の電子回路システムは、ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムであって、前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリと、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリとを備え、前記制御装置の通常の起動動作として、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、ネットワークに接続されたネットワークリソースに前記ネットワークを介して接続可能とされており、前記ネットワークリソースには、前記メインプログラムが格納されており、前記NOR型フラッシュメモリには、前記ネットワーク上の前記ネットワークリソースと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションが格納されており、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ネットワークブートコンフィグレーションを設定することにより、前記ネットワークを経由して前記ネットワークリソースに格納されている前記メインプログラムをダウンロードする構成とされていることを特徴とする。
(1−2)第2態様の電子回路システム
本発明に係る第2態様の電子回路システムは、ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムであって、前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリと、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリとを備え、前記制御装置の通常の起動動作として、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、前記NAND型フラッシュメモリには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、前記NOR型フラッシュメモリには、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータのアドレスであるリカバリデータ格納アドレスが格納されており、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータ格納アドレスにより前記NAND型フラッシュメモリから前記リカバリデータを読み出し、読み出した前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きする構成とされていることを特徴とする。
(1 -1) electronic circuit system of the first embodiment according to the electronic circuit system invention of the first aspect, the control of the main program after starting the said control device by the boot program reads the boot program to the controller An electronic circuit system that is read into a device and starts the control device by the main program, comprising: a NAND flash memory that stores the boot program and the main program; and a NOR flash memory that stores the boot program. As a normal start-up operation of the control device, the boot program and the main program stored in the NAND flash memory are used, and the network resource connected to the network can be connected via the network. , The main program is stored in the network resource, a network boot configuration for connecting to the network resource on the network is stored in the NOR flash memory, and the control device is If it is determined that it can not start successfully activates the said control device by the boot program of the boot program stored in the NOR flash memory from Loading the NOR flash memory in the control device, and by setting the network boot configuration stored in the NOR flash memory, that is configured you download the main program via said network stored in the network resource Characterize.
(1-2) Electronic Circuit System of Second Mode
In the electronic circuit system according to the second aspect of the present invention, a boot program is read into the control device, the control device is activated by the boot program, and then a main program is read into the control device and the control device is activated by the main program. An electronic circuit system to be activated, comprising: a NAND flash memory for storing the boot program and the main program; and a NOR flash memory for storing the boot program. The boot program and the main program stored in the NAND flash memory are used, the boot program and the main program are stored as recovery data in the NAND flash memory, and the NOR flash memory is stored in the NOR flash memory. , A recovery data storage address, which is an address of the recovery data stored in the NAND flash memory, is stored, and stored in the NOR flash memory when it is determined that the control device cannot start normally. The boot program stored in the NOR flash memory is read by the boot program from the NOR flash memory, and the recovery data storage address stored in the NOR flash memory is used to start the control device. The recovery data is read from the NAND flash memory, and the boot program and the main program of the read recovery data are overwritten in the storage areas of the boot program and the main program of the NAND flash memory. Is characterized by.

(2−1)制御装置の起動方法
本発明に係る第1態様の制御装置の起動方法は、ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムにおける前記制御装置の起動方法であって、前記制御装置の通常の起動動作として、前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、ネットワークに接続されたネットワークリソースに前記ネットワークを介して接続可能とされており、前記ネットワークリソースには、前記メインプログラムが格納されており、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリには、前記ネットワーク上の前記ネットワークリソースと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションが格納されており、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ネットワークブートコンフィグレーションを設定することにより、前記ネットワークを経由して前記ネットワークリソースに格納されている前記メインプログラムをダウンロードすることを特徴とする。
(2−2)第2態様の制御装置の起動方法
本発明に係る第2態様の制御装置の起動方法は、ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムにおける前記制御装置の起動方法であって、前記制御装置の通常の起動動作として、前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、前記NAND型フラッシュメモリには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリには、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータのアドレスであるリカバリデータ格納アドレスが格納されており、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータ格納アドレスにより前記NAND型フラッシュメモリから前記リカバリデータを読み出し、読み出した前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きすることを特徴とする。
( 2-1 ) Starting method of control device In the starting method of the control device according to the first aspect of the present invention, a boot program is read into the control device, and the main program is started after the control device is started by the boot program. A method of starting the control device in an electronic circuit system which is loaded into a device and starts the control device by the main program, wherein a NAND type storing the boot program and the main program as a normal starting operation of the control device. Using the boot program and the main program stored in the flash memory, it is possible to connect to a network resource connected to the network via the network, and the network resource stores the main program. If the NOR flash memory storing the boot program stores a network boot configuration for connecting to the network resource on the network, and it is determined that the control device cannot start normally, Reads the boot program stored in the NOR flash memory storing the boot program into the control device, activates the control device by the boot program from the NOR flash memory , and by setting the network boot configuration stored in the flash memory, and wherein the download on the main program via said network stored in the network resource.
(2-2) Method of starting control device of second aspect
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for starting a control device, wherein a boot program is read into a control device, the boot device starts the control device, and then a main program is read into the control device and the main program performs the control. A method for starting the control device in an electronic circuit system for starting a device, wherein the boot program stored in a NAND flash memory storing the boot program and the main program as a normal start-up operation of the control device. The boot program and the main program are stored as recovery data in the NAND flash memory using the main program, and the NOR flash memory storing the boot program is stored in the NAND flash memory. A recovery data storage address, which is the address of the stored recovery data, is stored, and when it is determined that the control device cannot start normally, it is stored in the NOR flash memory that stores the boot program. The boot program is read into the control device, the control device is activated by the boot program from the NOR flash memory, and the NAND data is stored by the recovery data storage address stored in the NOR flash memory. The recovery data is read from the flash memory, and the boot program and the main program of the read recovery data are overwritten in the storage areas of the boot program and the main program of the NAND flash memory.

本発明において、前記電子回路システムは、ランダムアクセスメモリ(RAM:Random Access Memory)を備え、前記ネットワークリソースから前記ネットワークを経由してダウンロードした前記メインプログラムを前記ランダムアクセスメモリへコピーする(書き込む)態様を例示できる。   In the present invention, the electronic circuit system includes a random access memory (RAM: Random Access Memory) and copies (writes) the main program downloaded from the network resource via the network to the random access memory. Can be illustrated.

本発明において、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合に前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後、前記NAND型フラッシュメモリにメモリ異常が発生している可能性があることを報知する態様を例示できる。   In the present invention, when it is determined that the control device cannot be normally started, after the control device is started by the boot program from the NOR flash memory, a memory abnormality occurs in the NAND flash memory. A mode for notifying that there is a possibility can be exemplified.

本発明において、前記電子回路システムは、ネットワークに接続されたネットワークリソースに前記ネットワークを介して接続可能とされており、前記ネットワークリソースには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、前記NOR型フラッシュメモリには、前記ネットワークのネットワークブートコンフィグレーションが格納されており、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記ネットワークブートコンフィグレーションを設定することにより、前記ネットワークを経由して前記ネットワークリソースに格納されている前記リカバリデータを前記ネットワークリソースからダウンロードし、ダウンロードした前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きする態様を例示できる。   In the present invention, the electronic circuit system is connectable to a network resource connected to a network via the network, and the network resource stores the boot program and the main program as recovery data. In the NOR flash memory, the network boot configuration of the network is stored. When it is determined that the control device cannot start normally, the network boot configuration is set to The recovery data stored in the network resource via a network is downloaded from the network resource, and the boot program and the main program of the downloaded recovery data are downloaded to the boot program and the main of the NAND flash memory. A mode in which the program storage area is overwritten can be exemplified.

本発明において、前記NAND型フラッシュメモリには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、前記NOR型フラッシュメモリには、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータのアドレスであるリカバリデータ格納アドレスが格納されており、前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータ格納アドレスにより前記NAND型フラッシュメモリから前記リカバリデータを読み出し、読み出した前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きする態様を例示できる。   In the present invention, the boot program and the main program are stored as recovery data in the NAND flash memory, and the recovery data stored in the NAND flash memory is stored in the NOR flash memory. If the recovery data storage address, which is an address, is stored and it is determined that the control device cannot be normally started, the recovery data storage address stored in the NOR flash memory causes the NAND flash memory to It is possible to exemplify a mode in which the recovery data is read and the boot program and the main program of the read recovery data are overwritten in the storage areas of the boot program and the main program of the NAND flash memory.

本発明において、前記NAND型フラッシュメモリへの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの上書き後、前記通常の起動動作に戻す態様を例示できる。   In the present invention, it is possible to exemplify a mode in which after the boot program and the main program are overwritten in the NAND flash memory, the normal boot operation is restored.

本発明によると、低信頼性を特性とするNAND型フラッシュメモリにブートプログラム及びメインプログラムを格納してNAND型フラッシュメモリからのブートプログラム及びメインプログラムにより制御装置を起動させる場合において、制御装置が正常に起動できないときでも、ブートプログラムによる制御装置の起動を確実に行うことが可能となる。   According to the present invention, when a boot program and a main program are stored in a NAND flash memory having low reliability and the control device is activated by the boot program and the main program from the NAND flash memory, the control device operates normally. Even when the boot cannot be started, the boot program can surely start the control device.

本発明の実施形態に係る制御装置の起動方法を実施する電子回路システムの一例の概略構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the schematic structure of an example of the electronic circuit system which implements the starting method of the control apparatus which concerns on embodiment of this invention. 図1に示すNAND型フラッシュメモリ内のデータ構造の一例を示す概略構成図である。2 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure in the NAND flash memory shown in FIG. 1. FIG. 図2に示すNAND型フラッシュメモリ内のブートプログラムのデータ構造の一例を示す概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure of a boot program in the NAND flash memory shown in FIG. 2. 図1に示す電子回路システムにおいて制御装置の通常の起動動作を行う場合での制御例を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing a control example in the case where a normal starting operation of the control device is performed in the electronic circuit system shown in FIG. 1. 図1に示すNOR型フラッシュメモリのデータ構造の一例を示す概略構成図である。2 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure of the NOR flash memory shown in FIG. 1. FIG. 図5に示すNOR型フラッシュメモリ内のブートプログラムのデータ構造の一例を示す概略構成図である。6 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure of a boot program in the NOR flash memory shown in FIG. 5. FIG. 図1に示す電子回路システムにおいて制御装置の異常な起動動作を行う場合での基本制御例を示すフローチャートである。3 is a flowchart showing an example of basic control in the case where an abnormal starting operation of the control device is performed in the electronic circuit system shown in FIG. 図7に示すフローチャートにおいてブートプログラムを読み込みできなかった場合の処理例である。It is an example of processing when the boot program cannot be read in the flowchart shown in FIG. 7. 図1に示すネットワークリソース内のデータ構造の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the data structure in the network resource shown in FIG. ネットワークブートコンフィグレーションのデータ構造の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the data structure of network boot configuration. 第1実施形態に係る電子回路システムの制御例を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the example of control of the electronic circuit system concerning a 1st embodiment. 図11に示すフローチャートにおいてブートプログラムを読み込みできなかった場合の処理例である。12 is a processing example when the boot program cannot be read in the flowchart shown in FIG. 11. 第2実施形態に係る電子回路システムの制御例を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the example of control of the electronic circuit system concerning a 2nd embodiment. 図13に示すフローチャートにおいてブートプログラムを読み込みできなかった場合の処理例である。It is an example of processing when the boot program cannot be read in the flowchart shown in FIG. 図2に示すNAND型フラッシュメモリ内のリカバリデータのデータ構造の一例を示す概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure of recovery data in the NAND flash memory shown in FIG. 2. 図5に示すNOR型フラッシュメモリ内のブートプログラムのデータ構造の一例を示す概略構成図である。6 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure of a boot program in the NOR flash memory shown in FIG. 5. FIG. 第3実施形態に係る電子回路システムの制御例を示すフローチャートである。It is a flow chart which shows the example of control of the electronic circuit system concerning a 3rd embodiment. 図17を示すフローチャートにおいてブートプログラムを読み込みできなかった場合の処理例である。It is a processing example when the boot program cannot be read in the flowchart shown in FIG. 表示装置においてNAND型フラッシュメモリにメモリ異常が発生している可能性があることを示すメッセージを表示する一例を示す正面図である。FIG. 11 is a front view showing an example of displaying a message indicating that a memory abnormality may occur in the NAND flash memory in the display device.

以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、本発明の実施形態に係る制御装置102の起動方法を実施する電子回路システム101の一例の概略構成を示すブロック図である。   FIG. 1 is a block diagram showing a schematic configuration of an example of an electronic circuit system 101 for implementing a method for starting a control device 102 according to an embodiment of the present invention.

図1に示す電子回路システム101は、ブートプログラムBPを制御装置102に読み込んでブートプログラムBPにより制御装置102を起動させた後にメインプログラムMPを制御装置102に読み込んでメインプログラムMPにより制御装置102を起動させるものである。   The electronic circuit system 101 shown in FIG. 1 reads the boot program BP into the control device 102, activates the control device 102 by the boot program BP, then reads the main program MP into the control device 102, and loads the control device 102 by the main program MP. It is something to start.

ここで、ブートプログラムBPは、電源投入時或いはリセット時(ハードウェアリセット時又はソフトウェアリセットによる再起動時を含む。)に最初に実行するプログラムであり、例えば、多機能型端末装置(具体的にはスマートフォンやタブレット型端末装置)、パーソナルコンピュータなどのコンピュータでは、バイオス(BIOS)に相当する。BIOSは、例えば、多機能型端末装置(具体的にはスマートフォンやタブレット型端末装置)、パーソナルコンピュータなどのコンピュータの起動時のオペレーティングシステム(OS)の読み込みや、コンピュータに接続された装置、機器に対する基本的な入出力制御などの設定を行う。   Here, the boot program BP is a program that is first executed at the time of power-on or reset (including a hardware reset or a software reset restart). For example, the boot program BP is a multifunctional terminal device (specifically, Corresponds to BIOS in a computer such as a smartphone or a tablet terminal device) or a personal computer. For example, the BIOS reads an operating system (OS) at the time of starting a computer such as a multifunctional terminal device (specifically, a smartphone or a tablet type terminal device) or a personal computer, or a device or a device connected to the computer. Make basic input/output control settings.

また、メインプログラムMPは、ブートプログラムBPの次に実行するプログラムであり、例えば、多機能型端末装置(具体的にはスマートフォンやタブレット型端末装置)、パーソナルコンピュータなどのコンピュータでは、オペレーティングシステム(OS)に相当する。   The main program MP is a program executed next to the boot program BP. For example, in a computer such as a multifunctional terminal device (specifically, a smartphone or a tablet terminal device) or a personal computer, an operating system (OS) is used. ) Is equivalent to.

詳しくは、電子回路システム101は、電子回路システム101全体の制御を司る制御装置102〔この例ではエスオーシー(SOC:System On Chip)〕と、ブートプログラムBPna(BP)及びメインプログラムMPna(MP)を格納するNAND型フラッシュメモリ104と、ブートプログラムBPno(BP)を格納するNOR型フラッシュメモリ105と、主記憶部として作用するランダムアクセスメモリ103〔この例ではディーラム(DRAM:Dynamic Random Access Memory)〕と、制御装置102の起動状態を監視するブート監視装置106(この例ではブート監視IC:Integrated Circuit)とを備えている。   Specifically, the electronic circuit system 101 includes a control device 102 [SOC (System On Chip) in this example] that controls the entire electronic circuit system 101, a boot program BPna (BP), and a main program MPna (MP). A NAND type flash memory 104 for storing, a NOR type flash memory 105 for storing a boot program BPno (BP), and a random access memory 103 acting as a main memory unit [in this example, a DRAM (Dynamic Random Access Memory)]. , A boot monitoring device 106 (in this example, a boot monitoring IC: Integrated Circuit) that monitors the activation state of the control device 102.

ここで、エスオーシー(SOC)は、電子回路システム101の動作に必要な所定の機能を単一の半導体チップに実装したものである。NAND型フラッシュメモリ104は、ビット単価が低いもののビット化けが多い低信頼性の不揮発性メモリである。NOR型フラッシュメモリ105は、ビット単価が高いもののビット化けが少ない高信頼性の不揮発性メモリである。また、ディーラム(DRAM)は、情報の記憶が電荷によって行われて一定時間毎に記憶保持のための再書き込み(リフレッシュ)を行う必要がある揮発性メモリである。   Here, the SOS (SOC) is one in which a predetermined function required for the operation of the electronic circuit system 101 is mounted on a single semiconductor chip. The NAND flash memory 104 is a low-reliability non-volatile memory that has a low bit unit price but has a lot of garbled bits. The NOR flash memory 105 is a highly reliable non-volatile memory that has a high bit unit price but little garbled bits. A DRAM (DRAM) is a volatile memory in which information is stored by electric charges and rewriting (refreshing) is necessary to retain the storage at regular intervals.

そして、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaは、制御装置102の通常の起動動作に用いるブートプログラム及びメインプログラムである。また、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているブートプログラムBPnoは、制御装置102が通常の起動動作で正常に起動できないときに用いるブートプログラム(いわば緊急起動を実現するためのブートプログラム)である。   The boot program BPna and the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 are the boot program and the main program used for the normal startup operation of the control device 102. The boot program BPno stored in the NOR flash memory 105 is a boot program used when the control device 102 cannot be normally started by a normal starting operation (so-called a boot program for realizing an emergency start).

なお、制御装置102の通常の起動動作とは、電子回路システム101の本来の起動動作であって、正常状態で制御装置102を起動させる起動動作をいう。   The normal activation operation of the control device 102 is the original activation operation of the electronic circuit system 101, and is the activation operation of activating the control device 102 in a normal state.

制御装置102は、RAMインターフェース部107と、NANDインターフェース部108と、NORインターフェース部109とを備えている。   The control device 102 includes a RAM interface unit 107, a NAND interface unit 108, and a NOR interface unit 109.

RAMインターフェース部107は、ランダムアクセスメモリ103と通信するためのものである。NANDインターフェース部108は、NAND型フラッシュメモリ104と通信するためのものである。NORインターフェース部109は、NOR型フラッシュメモリ105と通信するためのものである。   The RAM interface unit 107 is for communicating with the random access memory 103. The NAND interface unit 108 is for communicating with the NAND flash memory 104. The NOR interface unit 109 is for communicating with the NOR flash memory 105.

また、制御装置102は、ブート状態通知信号出力部114と、ブート切替信号入力部113と、RST信号入力部112と、リカバリ通知信号出力部111とを備えている。   Further, the control device 102 includes a boot state notification signal output unit 114, a boot switching signal input unit 113, an RST signal input unit 112, and a recovery notification signal output unit 111.

ブート状態通知信号出力部114は、制御装置102の正常起動(通常の起動動作でのブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaによる制御装置102の起動)を示すブート状態通知信号BASa(正常信号)又は制御装置102が正常に起動できないことを示すブート状態通知信号BASb(異常信号)を出力する。この例では、ブート状態通知信号BASa(正常信号)は、HighレベルとLowレベルとが交互に切り替わる電圧信号とされ、ブート状態通知信号BASb(異常信号)は、Lowレベルの電圧信号とされている。   The boot state notification signal output unit 114 is a boot state notification signal BASa (normal signal) or a control device indicating a normal activation of the control device 102 (activation of the control device 102 by the boot program BPna and the main program MPna in a normal activation operation). A boot status notification signal BASb (abnormal signal) indicating that the 102 cannot be normally started is output. In this example, the boot state notification signal BASa (normal signal) is a voltage signal that alternates between a high level and a low level, and the boot state notification signal BASb (abnormal signal) is a low level voltage signal. .

ブート切替信号入力部113は、NAND型フラッシュメモリ104及びNOR型フラッシュメモリ105のうち何れか一方を選択するためのブート切替信号(BCSna,BCSno)が入力された場合、NAND型フラッシュメモリ104及びNOR型フラッシュメモリ105の何れを選択するかを認識する。この例では、ブート切替信号入力部113は、NAND型フラッシュメモリ104を選択するためのブート切替信号BCSna(NAND切替信号)としてLowレベルの電圧信号が入力された場合には、NAND型フラッシュメモリ104の選択を認識し、NOR型フラッシュメモリ105を選択するためのブート切替信号BCSno(NOR切替信号)としてHighレベルの電圧信号が入力された場合には、NOR型フラッシュメモリ105の選択を認識する。   When the boot switching signal (BCSna, BCSno) for selecting one of the NAND flash memory 104 and the NOR flash memory 105 is input, the boot switching signal input unit 113 receives the NAND flash memory 104 and the NOR. Which of the type flash memories 105 to select is recognized. In this example, the boot switching signal input unit 113 receives the NAND flash memory 104 when a Low-level voltage signal is input as the boot switching signal BCSna (NAND switching signal) for selecting the NAND flash memory 104. When the High level voltage signal is input as the boot switching signal BCSno (NOR switching signal) for recognizing the selection of the NOR type flash memory 105, the selection of the NOR flash memory 105 is recognized.

RST信号入力部112は、制御装置102の起動の開始又は起動の停止を示すRST信号(RSSa,RSSb)入力された場合、制御装置102の起動の開始又は起動の停止を認識する。この例では、RST信号入力部112は、制御装置102の起動の開始を示すRST信号RSSa(起動開始信号)としてLowレベルからHighレベルに切り替わる電圧信号が入力された場合、制御装置102の起動の開始を認識し、制御装置102の起動の停止を示すRST信号RSSb(起動停止信号)としてHighレベルからレベルLowに切り替わる電圧信号が入力された場合、制御装置102の起動の停止を認識する。   When the RST signal (RSSa, RSSb) indicating the start or stop of the start of the control device 102 is input, the RST signal input unit 112 recognizes the start or stop of the start of the control device 102. In this example, when the RST signal RSSa (activation start signal) indicating the start of activation of the control device 102 is input with a voltage signal that switches from the low level to the high level, the RST signal input unit 112 activates the control device 102. When the start is recognized and a voltage signal that switches from the High level to the Low level is input as the RST signal RSSb (start stop signal) indicating the stop of the start of the controller 102, the stop of the start of the controller 102 is recognized.

リカバリ通知信号出力部111は、リカバリデータによるリカバリの完了を示すリカバリ通知信号RASを出力する。この例では、リカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)は、LowレベルからHighレベルへ切り替わる電圧信号とされている。   The recovery notification signal output unit 111 outputs a recovery notification signal RAS indicating the completion of recovery by the recovery data. In this example, the recovery notification signal RAS (recovery completion signal) is a voltage signal that switches from Low level to High level.

また、制御装置102は、ネットワークNT〔例えばローカルエリアネットワーク(LAN:Local Area Network)やインターネット〕上に存在するネットワークリソースNR(この例ではファイルサーバ)と通信するためのネットワークインターフェース部110〔この例ではネットワークインターフェースカード(Network Interface Card:NIC)〕をさらに備えている。   In addition, the control device 102 has a network interface unit 110 (in this example, a network interface unit 110) for communicating with a network resource NR (a file server in this example) existing on a network NT [for example, a local area network (LAN) or the Internet]. In addition, a network interface card (Network Interface Card: NIC)] is further provided.

また、制御装置102は、ユーザインターフェースとして各種の表示情報(例えば画像情報)を表示する表示装置120へ表示データ(例えば画像データ)を送信するグラフィックインターフェース部115をさらに備えている。   The control device 102 further includes a graphic interface unit 115 that transmits display data (for example, image data) to the display device 120 that displays various display information (for example, image information) as a user interface.

ブート監視装置106は、ブート状態通知信号入力部119と、ブート切替信号出力部118と、RST信号出力部117と、リカバリ通知信号入力部116とを備えている。   The boot monitoring device 106 includes a boot state notification signal input unit 119, a boot switching signal output unit 118, an RST signal output unit 117, and a recovery notification signal input unit 116.

ブート状態通知信号入力部119は、ブート状態通知信号BASa(正常信号)が入力された場合、制御装置102の正常起動を認識し、ブート状態通知信号BASb(異常信号)が入力された場合、制御装置102が正常に起動できないことを認識する。   The boot state notification signal input unit 119 recognizes normal startup of the control device 102 when the boot state notification signal BASa (normal signal) is input, and controls when the boot state notification signal BASb (abnormal signal) is input. Recognize that the device 102 cannot start normally.

ブート切替信号出力部118は、ブート切替信号(BCSna,BCSno)を出力する。RST信号出力部117は、RST信号(RSSa,RSSb)を出力する。リカバリ通知信号入力部116は、リカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)が入力された場合、リカバリデータによるリカバリの完了を認識する。   The boot switching signal output unit 118 outputs a boot switching signal (BCSna, BCSno). The RST signal output unit 117 outputs RST signals (RSSa, RSSb). When the recovery notification signal RAS (recovery completion signal) is input, the recovery notification signal input unit 116 recognizes the completion of recovery by the recovery data.

そして、本実施の形態に係る電子回路システム101は、制御装置102の通常の起動動作として、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを用いる構成とされている。   Then, the electronic circuit system 101 according to the present embodiment is configured to use the boot program BPna and the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 as a normal startup operation of the control device 102.

図2は、図1に示すNAND型フラッシュメモリ104内のデータ構造の一例を示す概略構成図である。図3は、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104内のブートプログラムBPnaのデータ構造の一例を示す概略構成図である。   FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure in the NAND flash memory 104 shown in FIG. FIG. 3 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure of the boot program BPna in the NAND flash memory 104 shown in FIG.

NAND型フラッシュメモリ104の所定の第1格納領域Rna1(図2参照)(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x0_0800_0000)には、ブートプログラムBPnaが格納されている。また、NAND型フラッシュメモリ104の所定の第2格納領域Rna2(図2参照)(この例ではアドレス0x0_1000_0000〜0x0_A000_0000)には、メインプログラムMPnaが格納されている。   The boot program BPna is stored in a predetermined first storage area Rna1 (see FIG. 2) (address 0x0_0000_0000-0x0_0800_0000 in this example) of the NAND flash memory 104. The main program MPna is stored in a predetermined second storage area Rna2 (see FIG. 2) of the NAND flash memory 104 (address 0x0_1000_0000 to 0x0_A000_0000 in this example).

また、NAND型フラッシュメモリ104には、リカバリデータ格納領域RR(図2参照)が設けられており、リカバリデータ格納領域RRに、第3実施形態で使用するリカバリデータRDnaが格納されている。なお、NAND型フラッシュメモリ104には、ストレージ領域SR(図2参照)が設けられており、ストレージ領域SRに、例えば、ユーザが使用する各種のデータ(具体的には写真データや音楽データ)が保存される。   A recovery data storage area RR (see FIG. 2) is provided in the NAND flash memory 104, and recovery data RDna used in the third embodiment is stored in the recovery data storage area RR. A storage area SR (see FIG. 2) is provided in the NAND flash memory 104, and various data (specifically, photograph data and music data) used by the user are stored in the storage area SR. Saved.

NAND型フラッシュメモリ104内のブートプログラムBPna(図3参照)には、電子回路システム101に接続された装置、機器に対する基本的な入出力制御などの設定情報(この例では、システムコンフィグレーション:System Configuration、RAMインターフェースコンフィグレーション:RAM I/F Configuration、NANDインターフェースコンフィグレーション:NAND I/F Configuration、NORインターフェースコンフィグレーション:NOR I/F Configuration、汎用インターフェースコンフィグレーション:GPIO I/F Configuration、ネットワークインターフェースコンフィグレーション:NIC I/F Configuration、グラフィックインターフェースコンフィグレーション:GRAPHIC I/F Configuration)が格納されている。   The boot program BPna (see FIG. 3) in the NAND flash memory 104 includes setting information such as basic input/output control for devices and devices connected to the electronic circuit system 101 (in this example, system configuration: System). Configuration, RAM interface configuration: RAM I/F Configuration, NAND interface configuration: NAND I/F Configuration, NOR interface configuration: NOR I/F Configuration, general-purpose interface configuration: GPIO I/F Configuration, network interface configuration : NIC I/F Configuration, graphic interface configuration: GRAPHIC I/F Configuration) are stored.

また、NAND型フラッシュメモリ104には、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPna(図2参照)のアドレスであるメインプログラム格納アドレスADmp(図2及び図3参照)(具体的には開始アドレス0x0_1000_0000)が格納されている。この例では、メインプログラム格納アドレスADmpは、ブートプログラムBPnoに含まれている。   In the NAND flash memory 104, the main program storage address ADmp (see FIGS. 2 and 3), which is the address of the main program MPna (see FIG. 2) stored in the NAND flash memory 104 (specifically, FIG. 2). The start address 0x0_1000_0000) is stored. In this example, the main program storage address ADmp is included in the boot program BPno.

図4は、図1に示す電子回路システム101において制御装置102の通常の起動動作を行う場合での制御例を示すフローチャートである。   FIG. 4 is a flowchart showing a control example in the case where the electronic device system 101 shown in FIG.

図4に示すように、電子回路システム101では、制御装置102の通常の起動動作の場合、先ず、電源がオンされると(ステップS101)、ブート監視装置106は、ブートデバイスとしてNAND型フラッシュメモリ104及びNOR型フラッシュメモリ105のうちNAND型フラッシュメモリ104を選択するようにブート切替信号BCSna(NAND切替信号)をブート切替信号出力部118から出力し(ステップS102)、制御装置102は、ブート切替信号出力部118から出力されたブート切替信号BCSna(NAND切替信号)をブート切替信号入力部113で入力(受信)する(ステップS103)。   As shown in FIG. 4, in the electronic circuit system 101, in the case of the normal startup operation of the control device 102, first, when the power is turned on (step S101), the boot monitoring device 106 uses the NAND flash memory as a boot device. The boot switching signal BCSna (NAND switching signal) is output from the boot switching signal output unit 118 so as to select the NAND flash memory 104 out of the 104 and the NOR flash memory 105 (step S102), and the control device 102 switches the boot switching. The boot switching signal BCSna (NAND switching signal) output from the signal output unit 118 is input (received) to the boot switching signal input unit 113 (step S103).

次に、ブート監視装置106は、制御装置102の起動の開始を示すRST信号RSSa(起動開始信号)をRST信号出力部117から出力し(ステップS104)、制御装置102は、RST信号出力部117から出力されたRST信号RSSa(起動開始信号)をRST信号入力部112で入力(受信)し(ステップS105)、起動を開始する。   Next, the boot monitoring device 106 outputs the RST signal RSSa (starting start signal) indicating the start of the activation of the control device 102 from the RST signal output unit 117 (step S104), and the control device 102 causes the RST signal output unit 117. The RST signal RSSa (starting start signal) output from is input (received) to the RST signal input unit 112 (step S105), and start-up is started.

次に、制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104内の第1格納領域Rna1(図2参照)(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x0_0800_0000)に格納されているブートプログラムBPnaを、NANDインターフェース部108を介して読み込み(ステップS106)、読み込んだブートプログラムBPna内の設定値(この例では各コンフィグレーション)(図3参照)によりブートプログラムBPnaによる起動処理を実行する。   Next, the control device 102 causes the boot program BPna stored in the first storage area Rna1 (see FIG. 2) (address 0x0_0000_0000 to 0x0_0800_0000 in this example) in the NAND flash memory 104 to pass through the NAND interface unit 108. Is read (step S106), and the boot program BPna starts the boot process according to the read setting values (each configuration in this example) in the boot program BPna (see FIG. 3).

次に、制御装置102は、ブートプログラムBPnaにより起動した後、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラム格納アドレスADmp(図3参照)(具体的には開始アドレス0x0_1000_0000)を指定して、NAND型フラッシュメモリ104内の第2格納領域Rna2(この例ではアドレス0x0_1000_0000〜0x0_A000_0000)(図2参照)に格納されているメインプログラムMPnaを、NANDインターフェース部108を介して読み込み(ステップS107)、読み込んだメインプログラムMPnaを、RAMインターフェース部107を介してランダムアクセスメモリ103にコピーする(書き込む)(ステップS108)。   Next, the control device 102, after being booted by the boot program BPna, specifies the main program storage address ADmp (see FIG. 3) stored in the NAND flash memory 104 (specifically, the start address 0x0_1000_0000), The main program MPna stored in the second storage area Rna2 (address 0x0_1000_0000 to 0x0_A000_0000 in this example) (see FIG. 2) in the NAND flash memory 104 is read via the NAND interface unit 108 (step S107) and read. The main program MPna is copied (written) to the random access memory 103 via the RAM interface unit 107 (step S108).

次に、制御装置102は、メインプログラムMPnaのランダムアクセスメモリ103へのコピーが完了し、メインプログラムMPnaにより正常に起動したと判断すると、制御装置102の正常起動を示すブート状態通知信号BASa(正常信号)をブート状態通知信号出力部114から出力し(ステップS109)、ブート監視装置106は、ブート状態通知信号出力部114から出力されたブート状態通知信号BASa(正常信号)をブート状態通知信号入力部119で入力(受信)する(ステップS110)。これにより、ブート監視装置106は、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102が正常に起動したことを認識する(ステップS111)。   Next, when the control device 102 determines that the copying of the main program MPna to the random access memory 103 is completed and the main program MPna normally starts, the boot state notification signal BASa (normal Signal) is output from the boot state notification signal output unit 114 (step S109), and the boot monitoring device 106 inputs the boot state notification signal BASa (normal signal) output from the boot state notification signal output unit 114 into the boot state notification signal. It is input (received) by the unit 119 (step S110). As a result, the boot monitoring device 106 recognizes that the control device 102 is normally activated by the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 (step S111).

かくして、前記したステップS101〜S111の処理を行う電子回路システム101において、制御装置102の立ち上げ動作が正常に完了する。   Thus, in the electronic circuit system 101 that performs the processes of steps S101 to S111, the startup operation of the control device 102 is normally completed.

ところで、NAND型フラッシュメモリ104にブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを格納する手法を用いた電子回路システム101では、NAND型フラッシュメモリ104の特性である低信頼性によるメモリ異常等の不具合が発生し易く、この場合、制御装置102が正常に起動できないという不都合がある。例えば、ブートプログラムBPnaに異常が発生した場合、ブートプログラムBPnaにより制御装置102を起動させることができない。   By the way, in the electronic circuit system 101 using the method of storing the boot program BPna and the main program MPna in the NAND flash memory 104, a defect such as a memory abnormality due to low reliability which is a characteristic of the NAND flash memory 104 is likely to occur. However, in this case, there is an inconvenience that the control device 102 cannot be normally started. For example, when an abnormality occurs in the boot program BPna, the control device 102 cannot be activated by the boot program BPna.

この点、本実施の形態に係る電子回路システム101は、次のような構成となっている。   In this respect, the electronic circuit system 101 according to the present embodiment has the following configuration.

図5は、図1に示すNOR型フラッシュメモリ105のデータ構造の一例を示す概略構成図である。図6は、図5に示すNOR型フラッシュメモリ105内のブートプログラムBPnoのデータ構造の一例を示す概略構成図である。   FIG. 5 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure of the NOR flash memory 105 shown in FIG. FIG. 6 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure of the boot program BPno in the NOR flash memory 105 shown in FIG.

NOR型フラッシュメモリ105の所定の格納領域Rno(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x0_0800_0000)(図5参照)には、ブートプログラムBPnoが格納されている。   A boot program BPno is stored in a predetermined storage area Rno (address 0x0_0000_0000 to 0x0_0800_0000 in this example) of the NOR flash memory 105 (see FIG. 5).

ここで、図6に示すNOR型フラッシュメモリ105に格納されるべきブートプログラムBPnoは、図3に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきブートプログラムBPnaと同じものであり、ここでは、詳しい説明を省略する。なお、ブートプログラムBPnoは、ブートプログラムBPnaから機能を落としたもの、例えば、ブートプログラムとして必要最小限の機能を有するものであってもよい。また、NOR型フラッシュメモリ105には、第1実施形態及び第2実施形態で使用するネットワークブートコンフィグレーションNCGが格納されている。   Here, the boot program BPno to be stored in the NOR flash memory 105 shown in FIG. 6 is the same as the boot program BPna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 3, and a detailed description thereof will be given here. Is omitted. Note that the boot program BPno may have a reduced function from the boot program BPna, for example, a boot program having a minimum necessary function. Further, the NOR flash memory 105 stores the network boot configuration NCG used in the first and second embodiments.

そして、電子回路システム101は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には(具体的にはNAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaにより制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には)、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているブートプログラムBPnoを制御装置102に読み込んでNOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動させる構成とされている。   When the electronic circuit system 101 determines that the control device 102 cannot be normally started (specifically, the control device 102 cannot be normally started by the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104). When it is determined), the boot program BPno stored in the NOR flash memory 105 is read into the control device 102, and the boot device BPno from the NOR flash memory 105 is used to activate the control device 102.

詳しくは、ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないか否かを判断する。ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているブートプログラムBPnoを読み込むように制御装置102に指示する。制御装置102は、起動を停止し、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているブートプログラムBPnoを読み込むことでNOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動(再起動)する。   Specifically, the boot monitoring device 106 determines whether or not the control device 102 cannot start normally. When the boot monitoring device 106 determines that the control device 102 cannot be normally started, the boot monitoring device 106 instructs the control device 102 to read the boot program BPno stored in the NOR flash memory 105. The control device 102 stops the activation and reads the boot program BPno stored in the NOR flash memory 105 to activate (restart) the control device 102 by the boot program BPno from the NOR flash memory 105.

具体的には、ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、ブート切替信号BCSno(NOR切替信号)を制御装置102へ送信し、制御装置102は、ブート切替信号BCSno(NOR切替信号)を受信した後、起動を停止し、NOR型フラッシュメモリ105を用いたブートプログラムBPnoの起動を行う。   Specifically, when the boot monitoring device 106 determines that the control device 102 cannot be normally started, it transmits a boot switching signal BCSno (NOR switching signal) to the control device 102, and the control device 102 causes the boot switching device to switch. After receiving the signal BCSno (NOR switching signal), the activation is stopped and the boot program BPno using the NOR flash memory 105 is activated.

図7は、図1に示す電子回路システム101において制御装置102の異常な起動動作を行う場合での基本制御例を示すフローチャートである。図8は、図7に示すフローチャートにおいてブートプログラムBPnaを読み込みできなかった場合の処理例である。   FIG. 7 is a flowchart showing an example of basic control when the electronic circuit system 101 shown in FIG. 1 performs an abnormal starting operation of the control device 102. FIG. 8 shows an example of processing when the boot program BPna cannot be read in the flowchart shown in FIG.

図7及び図8に示すフローチャートでは、図4に示すフローチャートにおいてステップS106の処理とステップS107の処理との間の処理を説明する。その他の処理は、図4に示すフローチャートと同じであり、ここでは説明を省略する。   7 and 8, the processing between the processing of step S106 and the processing of step S107 in the flowchart shown in FIG. 4 will be described. The other processes are the same as those in the flowchart shown in FIG. 4, and the description thereof is omitted here.

例えば、NAND型フラッシュメモリ104のビット化け等のメモリ異常が発生している場合、具体的には、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104において、所定の第1格納領域Rna1(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x0_0800_0000)に格納されているブートプログラムBPnaが破壊されていると、ブートプログラムBPnaを読み込むことができない。   For example, when a memory abnormality such as a garbled bit in the NAND flash memory 104 occurs, specifically, in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 2, a predetermined first storage area Rna1 (address 0x0_0000_0000 in this example) is stored. If the boot program BPna stored in 0x0_0800_0000) is destroyed, the boot program BPna cannot be read.

この点、電子回路システム101では、図7に示すように、ステップS106の処理の後、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaを読み込むことができないと判断した場合(ステップS201:No)、すなわち、制御装置102の通常の起動動作で正常に起動できない場合、制御装置102は、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPna内の図3に示す設定値(この例では各コンフィグレーション)やメインプログラム格納アドレスADmpを読み込むことができないために、制御装置102が正常に起動できないことを示すブート状態通知信号BASb(異常信号)をブート状態通知信号出力部114から出力する。   In this regard, in the electronic circuit system 101, as shown in FIG. 7, when it is determined that the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104 cannot be read after the process of step S106 (step S201: No). ) That is, if the control device 102 cannot be normally started by the normal start-up operation, the control device 102 sets the set value (shown in FIG. 3) in the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. In this example, since each configuration) and the main program storage address ADmp cannot be read, a boot state notification signal BASb (abnormal signal) indicating that the control device 102 cannot start normally is output from the boot state notification signal output unit 114. Output.

そうすると、図8に示すように、ブート監視装置106は、ブート状態通知信号出力部114からブート状態通知信号BASb(異常信号)をブート状態通知信号入力部119で入力(受信)する(ステップS202)。これにより、ブート監視装置106は、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102が正常に起動できないことを認識する。   Then, as illustrated in FIG. 8, the boot monitoring device 106 inputs (receives) the boot state notification signal BASb (abnormal signal) from the boot state notification signal output unit 114 to the boot state notification signal input unit 119 (step S202). . As a result, the boot monitoring device 106 recognizes that the control device 102 cannot be normally started by the main program MPna stored in the NAND flash memory 104.

次に、ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないことを認識した後、制御装置102の起動の停止を示すRST信号RSSb(起動停止信号)をRST信号出力部117から出力し(ステップS203)、制御装置102は、RST信号出力部117から出力されたRST信号RSSb(起動停止信号)をRST信号入力部112で入力(受信)し(ステップS204)、起動を停止する。   Next, the boot monitoring device 106, after recognizing that the control device 102 cannot be normally started, outputs the RST signal RSSb (start stop signal) indicating the stop of the start of the control device 102 from the RST signal output unit 117 ( In step S203), the control device 102 inputs (receives) the RST signal RSSb (start/stop signal) output from the RST signal output unit 117 in the RST signal input unit 112 (step S204), and stops the start.

次に、ブート監視装置106は、ブートデバイスとしてNAND型フラッシュメモリ104及びNOR型フラッシュメモリ105のうちNOR型フラッシュメモリ105を選択するようにブート切替信号BCSno(NOR切替信号)をブート切替信号出力部118から出力し(ステップS205)、制御装置102は、ブート切替信号出力部118から出力されたブート切替信号BCSno(NOR切替信号)をブート切替信号入力部113で入力(受信)する(ステップS206)。これにより、制御装置102は、ブートデバイスとしてNAND型フラッシュメモリ104からNOR型フラッシュメモリ105に切り替えることができる。   Next, the boot monitoring device 106 outputs a boot switching signal BCSno (NOR switching signal) so as to select the NOR flash memory 105 among the NAND flash memory 104 and the NOR flash memory 105 as a boot device. The boot switch signal BCSno (NOR switch signal) output from the boot switch signal output unit 118 is input (received) to the boot switch signal input unit 113 (step S206). . As a result, the control device 102 can switch from the NAND flash memory 104 to the NOR flash memory 105 as a boot device.

次に、ブート監視装置106は、制御装置102の起動の開始を示すRST信号RSSa(起動開始信号)をRST信号出力部117から出力し(ステップS207)、制御装置102は、RST信号出力部117から出力されたRST信号RSSa(起動開始信号)をRST信号入力部112で入力(受信)し(ステップS208)、起動を開始する。   Next, the boot monitoring device 106 outputs the RST signal RSSa (starting start signal) indicating the start of the activation of the control device 102 from the RST signal output unit 117 (step S207), and the control device 102 causes the RST signal output unit 117. The RST signal RSSa (starting start signal) output from is input (received) to the RST signal input unit 112 (step S208), and start-up is started.

次に、制御装置102は、NOR型フラッシュメモリ105内の所定の格納領域Rno(図5参照)(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x0_0800_0000)に格納されているブートプログラムBPnoを、NORインターフェース部109を介して読み込み(ステップS209)、読み込んだブートプログラムBPno内の設定値(この例では各コンフィグレーション)(図6参照)によりブートプログラムBPnoによる起動処理を実行する。   Next, the control device 102 causes the boot program BPno stored in a predetermined storage area Rno (see FIG. 5) (address 0x0_0000_0000 to 0x0_0800_0000 in this example) in the NOR flash memory 105 to pass through the NOR interface unit 109. Is read (step S209), and the boot program BPno is used to execute the startup process according to the set values (each configuration in this example) in the read boot program BPno.

かくして、前記したステップS101〜S111,S201〜S209の処理を行う電子回路システム101において、制御装置102を起動させるにあたり、制御装置102が正常に起動できない場合に、NAND型フラッシュメモリ104からのブートプログラムBPnaによる制御装置102の起動から、NOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoによる制御装置102の起動に切り替えることができる。   Thus, in the electronic circuit system 101 that performs the above-described steps S101 to S111 and S201 to S209, when the control device 102 is activated, when the control device 102 cannot be activated normally, the boot program from the NAND flash memory 104 is used. It is possible to switch from the activation of the control device 102 by the BPna to the activation of the control device 102 by the boot program BPno from the NOR flash memory 105.

なお、ステップS209に続く処理については、以下の第1実施形態から第4実施形態で説明する。   Note that the processing subsequent to step S209 will be described in the following first to fourth embodiments.

(第1実施形態)
ところで、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaが正常であれば、NAND型フラッシュメモリ104のメモリ異常等の不具合の発生によりにブートプログラムBPnaに異常が発生した場合であっても、NOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動させることで、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102を起動させることができ、これにより、制御装置102の立ち上げ動作を完了させることができる。
(First embodiment)
By the way, if the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 is normal, even if an abnormality occurs in the boot program BPna due to a failure such as a memory abnormality of the NAND flash memory 104, By activating the control device 102 with the boot program BPno from the NOR flash memory 105, the control device 102 can be activated with the main program MPna stored in the NAND flash memory 104. The startup operation of can be completed.

しかし、NAND型フラッシュメモリ104のメモリ異常等の不具合の発生によりメインプログラムMPnaに異常が発生している場合には、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102を起動させることができず、従って、制御装置102の立ち上げ動作を完了させることができない。よって、メインプログラムMPにより制御装置102を確実に起動させることで、制御装置102の立ち上げ動作を完了させることが望まれる。   However, when an abnormality occurs in the main program MPna due to a memory abnormality of the NAND flash memory 104 or the like, the control device 102 is activated by the main program MPna stored in the NAND flash memory 104. Therefore, the startup operation of the control device 102 cannot be completed. Therefore, it is desired that the startup operation of the control device 102 be completed by surely starting the control device 102 by the main program MP.

この点、第1実施形態に係る電子回路システム101は、ネットワークNT(図1参照)(この例ではLAN)に接続されたネットワークリソースNR(図1参照)にネットワークNTを介して接続可能とされている。   In this respect, the electronic circuit system 101 according to the first embodiment can be connected to the network resource NR (see FIG. 1) connected to the network NT (see FIG. 1) (LAN in this example) via the network NT. ing.

ここで、ネットワークリソースNRは、ネットワークNTに接続されてネットワークNTで利用可能な資源である。ネットワークリソースNRとしては、代表的には、ファイルサーバを例示できる。ネットワークリソースNRは、この例では、ファイルサーバとされている。このことは、後述する第2実施形態についても同様である。   Here, the network resource NR is a resource connected to the network NT and available in the network NT. A typical example of the network resource NR is a file server. The network resource NR is a file server in this example. This also applies to the second embodiment described later.

図9は、図1に示すネットワークリソースNR内のデータ構造の一例を示す概略構成図である。   FIG. 9 is a schematic configuration diagram showing an example of a data structure in the network resource NR shown in FIG.

図9に示すネットワークリソースNRには、メインプログラムMPnr(MP)が格納されている。   A main program MPnr(MP) is stored in the network resource NR shown in FIG.

ここで、図9に示すネットワークリソースNRに格納されるべきメインプログラムMPnrは、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきメインプログラムMPnaと同じものであり、ここでは、説明を省略する。なお、メインプログラムMPnrは、メインプログラムMPnaから機能を落としたもの、例えば、メインプログラムとして必要最小限の機能を有するものであってもよい。また、ネットワークリソースNRには、第2実施形態で使用するリカバリデータRDnrが格納されている。   Here, the main program MPnr to be stored in the network resource NR shown in FIG. 9 is the same as the main program MPna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 2, and the description thereof is omitted here. .. Note that the main program MPnr may have a reduced function from the main program MPna, for example, may have a minimum required function as the main program. Further, recovery data RDnr used in the second embodiment is stored in the network resource NR.

詳しくは、ネットワークリソースNRには、メインプログラムMPnrのファイル名(この例ではMainProgram.bin)が付されたメインプログラムMPnrが格納されている。   Specifically, the network resource NR stores the main program MPnr to which the file name of the main program MPnr (MainProgram.bin in this example) is added.

図6に示すNOR型フラッシュメモリ105には、ネットワークNT上のネットワークリソースNRと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションNCGが格納されている。この例では、ネットワークブートコンフィグレーションNCGは、ブートプログラムBPnoに含まれている。ここで、ネットワークブートコンフィグレーションNCGは、ネットワークNTに接続するための各種の設定(例えばIPアドレス等のネットワーク識別情報の設定)である。このことは、後述する第2実施形態についても同様である。   The NOR flash memory 105 shown in FIG. 6 stores a network boot configuration NCG for connecting to the network resource NR on the network NT. In this example, the network boot configuration NCG is included in the boot program BPno. Here, the network boot configuration NCG is various settings (for example, setting of network identification information such as an IP address) for connecting to the network NT. This also applies to the second embodiment described later.

図10は、ネットワークブートコンフィグレーションNCGのデータ構造の一例を示す概略構成図である。   FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure of the network boot configuration NCG.

図10に示すネットワークブートコンフィグレーションNCGには、電子回路システム101のネットワーク識別情報(具体的にはIPアドレス、この例では192.168.0.5)と、ネットワークリソースNRのネットワーク識別情報(具体的にはIPアドレス、この例では192.168.0.10)と、メインプログラムMPnrのファイル名(この例ではMainProgram.bin)が格納されている。   In the network boot configuration NCG shown in FIG. 10, the network identification information of the electronic circuit system 101 (specifically the IP address, 192.168.0.5 in this example) and the network identification information of the network resource NR (specifically Specifically, the IP address, 192.168.0.10 in this example, and the file name of the main program MPnr (MainProgram.bin in this example) are stored.

そして、制御装置102は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているネットワークブートコンフィグレーションNCG(図10参照)を設定することにより、ネットワークNTを経由してネットワークリソースNR(図1参照)に格納されているメインプログラムMPnr(図9参照)をダウンロードする。   Then, when the control device 102 determines that the control device 102 cannot be normally started, the control device 102 sets the network boot configuration NCG (see FIG. 10) stored in the NOR flash memory 105, and thereby the network NT The main program MPnr (see FIG. 9) stored in the network resource NR (see FIG. 1) is downloaded via the.

詳しくは、ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないか否かを判断する。ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrを読み込むように制御装置102に指示する。制御装置102は、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているネットワークブートコンフィグレーションNCGを設定し、ネットワークNTに接続されているネットワークリソースNRとの通信を確立し、ネットワークNTを経由してネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrをネットワークリソースNRからダウンロードする。   Specifically, the boot monitoring device 106 determines whether or not the control device 102 cannot start normally. When the boot monitoring device 106 determines that the control device 102 cannot be normally started, the boot monitoring device 106 instructs the control device 102 to read the main program MPnr stored in the network resource NR. The control device 102 sets the network boot configuration NCG stored in the NOR flash memory 105, establishes communication with the network resource NR connected to the network NT, and the network resource NR via the network NT. The main program MPnr stored in is downloaded from the network resource NR.

また、第1実施形態に係る電子回路システム101は、ランダムアクセスメモリ103(図1参照)を備えている。   Moreover, the electronic circuit system 101 according to the first embodiment includes a random access memory 103 (see FIG. 1).

ここで、ランダムアクセスメモリ103は、任意の位置に読み出し、書き込みといった操作を行うことができるメモリデバイスである。ランダムアクセスメモリとしては、代表的には、DRAMを例示できる。この例では、ランダムアクセスメモリ103は、DRAMとされている。   Here, the random access memory 103 is a memory device capable of performing operations such as reading and writing at arbitrary positions. A typical example of the random access memory is a DRAM. In this example, the random access memory 103 is a DRAM.

そして、電子回路システム101は、ネットワークリソースNRからネットワークNTを経由してダウンロードしたメインプログラムMPnrをランダムアクセスメモリ103へコピーする(書き込む)。   Then, the electronic circuit system 101 copies (writes) the main program MPnr downloaded from the network resource NR via the network NT to the random access memory 103.

詳しくは、制御装置102は、ネットワークリソースNRからネットワークNTを経由してダウンロードしたメインプログラムMPnrをランダムアクセスメモリ103へコピーし、コピーしたメインプログラムMPnrを読み込むことでネットワークリソースNRからのメインプログラムMPnrにより制御装置102を起動する。   More specifically, the control device 102 copies the main program MPnr downloaded from the network resource NR via the network NT to the random access memory 103, and reads the copied main program MPnr so that the main program MPnr from the network resource NR uses the main program MPnr. The control device 102 is activated.

図11は、第1実施形態に係る電子回路システム101の制御例を示すフローチャートである。図12は、図11に示すフローチャートにおいてブートプログラムBPnaを読み込みできなかった場合の処理例である。   FIG. 11 is a flowchart showing a control example of the electronic circuit system 101 according to the first embodiment. FIG. 12 is a processing example when the boot program BPna cannot be read in the flowchart shown in FIG.

図11及び図12に示すフローチャートは、図7及び図8に示すフローチャートにおいて第1実施形態に係るステップS210〜S213の処理を追加したものであり、その他は、図7及び図8に示すフローチャートと同様である。図11及び図12に示すフローチャートにおいて図7及び図8に示すフローチャートと実質的に同じ処理には同一符号を付し、以下に、図7及び図8に示すフローチャートとは異なる点を中心に説明する。   The flowcharts shown in FIGS. 11 and 12 are obtained by adding the processes of steps S210 to S213 according to the first embodiment to the flowcharts shown in FIGS. 7 and 8, and the others are the same as those shown in FIGS. It is the same. In the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12, substantially the same processes as those in the flowcharts shown in FIGS. 7 and 8 are designated by the same reference numerals, and the following description will focus on the points different from the flowcharts shown in FIGS. 7 and 8. To do.

例えば、NAND型フラッシュメモリ104のビット化け等のメモリ異常が発生している場合、具体的には、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104において、所定の第2格納領域Rna2(この例ではアドレス0x0_1000_0000〜0x0_A000_0000)に格納されているメインプログラムMPnaが破壊されていると、メインプログラムMPnaを読み込むことができない。   For example, when a memory abnormality such as a garbled bit of the NAND flash memory 104 occurs, specifically, in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 2, a predetermined second storage area Rna2 (address 0x0_1000_0000 in this example). If the main program MPna stored in 0x0_A000_0000) is destroyed, the main program MPna cannot be read.

この点、電子回路システム101では、図12に示すように、制御装置102は、ステップS209の処理においてNOR型フラッシュメモリ105(図5参照)に格納されているブートプログラムBPno(図6参照)を、NORインターフェース部109を介して読み込み(ステップS209)、読み込んだブートプログラムBPno内の設定値(この例では各コンフィグレーション)(図6参照)によりブートプログラムBPnoによる起動処理を実行する。   In this respect, in the electronic circuit system 101, as shown in FIG. 12, the control device 102 executes the boot program BPno (see FIG. 6) stored in the NOR flash memory 105 (see FIG. 5) in the process of step S209. , Via the NOR interface unit 109 (step S209), the boot program BPno starts the boot process according to the read set values (each configuration in this example) in the boot program BPno (see FIG. 6).

次に、制御装置102は、NOR型フラッシュメモリ105から読み込んだブートプログラムBPno内のネットワークブートコンフィグレーションNCGとして電子回路システム101のネットワークNT(図1参照)上の通信元のネットワーク識別情報〔この例ではIPアドレス(192.168.0.5)〕を設定し、かつ、メインプログラムMPnrを格納している通信先のネットワークリソースNR(図1参照)のネットワーク識別情報〔この例ではIPアドレス(192.168.0.10)〕を設定する(ステップS210)。これにより、電子回路システム101は、ネットワークリソースNRとネットワークインターフェース部110を介して通信することが可能となる。   Next, the control device 102 uses the network identification information of the communication source on the network NT (see FIG. 1) of the electronic circuit system 101 as the network boot configuration NCG in the boot program BPno read from the NOR flash memory 105 (this example Then, the IP address (192.168.0.5)] is set and the network identification information of the network resource NR (see FIG. 1) of the communication destination that stores the main program MPnr [IP address (192 in this example) .168.0.10)] is set (step S210). As a result, the electronic circuit system 101 can communicate with the network resource NR via the network interface unit 110.

次に、制御装置102は、NOR型フラッシュメモリ105から読み込んだネットワークブートコンフィグレーションNCG(図10参照)により、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrのファイル名(この例ではMainProgram.bin)を指定し、ネットワークリソースNRにメインプログラムMPnr(図9参照)を要求する(ステップS211)。これにより、電子回路システム101は、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrをネットワークリソースNRからダウンロードすることが可能となる。   Next, the control device 102 uses the network boot configuration NCG (see FIG. 10) read from the NOR flash memory 105 to find the file name of the main program MPnr (MainProgram.bin in this example) stored in the network resource NR. To request the main program MPnr (see FIG. 9) from the network resource NR (step S211). As a result, the electronic circuit system 101 can download the main program MPnr stored in the network resource NR from the network resource NR.

次に、ネットワークリソースNRは、メインプログラムMPnrを制御装置102に提供する(ステップS212)。   Next, the network resource NR provides the main program MPnr to the control device 102 (step S212).

次に、制御装置102は、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrを、ネットワークインターフェース部110を介してネットワークリソースNRからダウンロードする(ステップS213)。その後、電子回路システム101の処理は、図11に示すステップS108へ戻る。   Next, the control device 102 downloads the main program MPnr stored in the network resource NR from the network resource NR via the network interface unit 110 (step S213). Thereafter, the processing of the electronic circuit system 101 returns to step S108 shown in FIG.

なお、ステップS209の処理の後にステップS107に移行させると共に、前記したステップS210〜S213の処理に代えて或いは加えて、ステップS107の処理とステップS108の処理との間に「NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaを読み込んだか否かを判断する処理」及び「ステップS209〜S213の処理」を設け、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaを読み込むことができなかった場合に、ステップS209〜S213の処理を行うようにしてもよい。   It should be noted that after the processing of step S209, the process proceeds to step S107, and instead of or in addition to the processing of steps S210 to S213 described above, a “NAND flash memory 104 is added between the processing of step S107 and the processing of step S108. In the case where the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 cannot be read by providing "processing for determining whether or not the stored main program MPna has been read" and "processing of steps S209 to S213" Alternatively, the processes of steps S209 to S213 may be performed.

(第2実施形態)
ところで、制御装置102が正常に起動できない場合、不具合箇所の特定ができず、電源側の異常(例えば電源回路システムの回路異常)であるのか、NAND型フラッシュメモリ104の異常であるのか判別できず、メモリ異常等の不具合を発生したNAND型フラッシュメモリ104の自己修復することもできない。
(Second embodiment)
By the way, when the control device 102 cannot be started normally, it is not possible to identify the defective portion, and it is not possible to determine whether the abnormality is on the power supply side (for example, a circuit abnormality in the power supply circuit system) or the NAND flash memory 104. Also, the NAND flash memory 104 in which a defect such as a memory abnormality has occurred cannot be self-repaired.

この点に関し、制御装置102が正常に起動できない場合でも、正常と見做されるブートプログラムBP及びメインプログラムMPをNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの格納領域に上書きすると、たとえブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaのうち少なくとも一方にメモリ異常等の不具合が発生していても該不具合が解消してブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaが復旧することがある。よって、NAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを復旧することが望まれる。   In this regard, even if the control device 102 cannot be normally started, if the boot program BP and the main program MP, which are regarded as normal, are overwritten in the storage areas of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104, Even if a defect such as a memory abnormality occurs in at least one of the boot program BPna and the main program MPna, the defect may be resolved and the boot program BPna and the main program MPna may be restored. Therefore, it is desired to restore the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104.

この点、第2実施形態に係る電子回路システム101は、ネットワークNT(図1参照)(この例ではLAN)に接続されたネットワークリソースNR(図1参照)にネットワークNTを介して接続可能とされている。   In this respect, the electronic circuit system 101 according to the second embodiment can be connected to the network resource NR (see FIG. 1) connected to the network NT (see FIG. 1) (LAN in this example) via the network NT. ing.

図9に示すネットワークリソースNRには、リカバリデータRDnrとしてブートプログラムBPnrr(BP)及びメインプログラムMPnrr(MP)が格納されている。   In the network resource NR shown in FIG. 9, a boot program BPnrr(BP) and a main program MPnrr(MP) are stored as recovery data RDnr.

詳しくは、ネットワークリソースNRには、リカバリデータRDnrのファイル名(この例ではRecovery.bin)が付されたブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrが格納されている。   Specifically, the network resource NR stores a boot program BPnrr and a main program MPnrr to which the file name of the recovery data RDnr (Recovery.bin in this example) is added.

ここで、図9に示すネットワークリソースNRに格納されるべきリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrrは、図3に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきブートプログラムBPnaと同じものであり、ここでは、説明を省略する。また、図9に示すネットワークリソースNRに格納されるべきリカバリデータRDnrのメインプログラムMPnrrは、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきメインプログラムMPnaと同じものである。   Here, the boot program BPnrr of the recovery data RDnr to be stored in the network resource NR shown in FIG. 9 is the same as the boot program BPna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 3, and here, The description is omitted. The main program MPnrr of the recovery data RDnr to be stored in the network resource NR shown in FIG. 9 is the same as the main program MPna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG.

NOR型フラッシュメモリ105(図6参照)には、ネットワークNT上のネットワークリソースNRと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションNCGが格納されている。ネットワークブートコンフィグレーションNCG(図10参照)は、リカバリデータRDnrのファイル名(この例ではRecovery.bin)を含んでいる。   The NOR flash memory 105 (see FIG. 6) stores a network boot configuration NCG for connecting to the network resource NR on the network NT. The network boot configuration NCG (see FIG. 10) includes the file name (Recovery.bin in this example) of the recovery data RDnr.

そして、制御装置102は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には(具体的にはNAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPna又はNAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には)、ネットワークブートコンフィグレーションNCGを設定することにより、ネットワークNTを経由してネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrをネットワークリソースNRからダウンロードし、ダウンロードしたリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrをNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの格納領域へ上書きする。   When the control device 102 determines that the control device 102 cannot be normally started (specifically, the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104 or the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104 is stored). When it is determined that the control device 102 cannot be normally started by the main program MPna), the recovery data RDnr stored in the network resource NR via the network NT is set by setting the network boot configuration NCG. The boot program BPnrr and the main program MPnrr of the recovery data RDnr downloaded from the resource NR are overwritten in the storage areas of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104.

詳しくは、ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないか否かを判断する。ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、ネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrを読み込むように制御装置102に指示する。制御装置102は、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているネットワークブートコンフィグレーションNCGを設定し、ネットワークNTに接続されているネットワークリソースNRとの通信を確立し、ネットワークNTを経由してネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrをネットワークリソースNRからダウンロードする。   Specifically, the boot monitoring device 106 determines whether or not the control device 102 cannot start normally. When the boot monitoring device 106 determines that the control device 102 cannot be normally started, the boot monitoring device 106 instructs the control device 102 to read the recovery data RDnr stored in the network resource NR. The control device 102 sets the network boot configuration NCG stored in the NOR flash memory 105, establishes communication with the network resource NR connected to the network NT, and the network resource NR via the network NT. The recovery data RDnr stored in is downloaded from the network resource NR.

また、第2実施形態に係る電子回路システム101は、NAND型フラッシュメモリ104へのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrの上書き後、通常の起動動作に戻す。   Further, the electronic circuit system 101 according to the second embodiment restores the normal boot operation after the NAND flash memory 104 is overwritten with the boot program BPnrr and the main program MPnrr.

詳しくは、NAND型フラッシュメモリ104へのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrの上書き(NAND型フラッシュメモリ104の修復)後、制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104のリカバリの完了を示すリカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)をブート監視装置106に送信し、ブート監視装置106は、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaを読み込むように制御装置102に指示する。制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaを読み込むことでNAND型フラッシュメモリ104からのブートプログラムBPnaにより制御装置102を起動(再起動)する。   Specifically, after the boot program BPnrr and the main program MPnrr are overwritten on the NAND flash memory 104 (recovery of the NAND flash memory 104), the control device 102 causes the recovery notification signal RAS indicating completion of recovery of the NAND flash memory 104. The (recovery completion signal) is transmitted to the boot monitoring device 106, and the boot monitoring device 106 instructs the control device 102 to read the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104. The control device 102 activates (restarts) the control device 102 by the boot program BPna from the NAND flash memory 104 by reading the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104.

具体的には、ブート監視装置106は、リカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)を受信し、ブート切替信号BCSna(NAND切替信号)を制御装置102へ送信し、制御装置102は、ブート切替信号BCSna(NAND切替信号)を受信した後、起動を停止し、NAND型フラッシュメモリ104を用いたブートプログラムBPnaの通常起動を行う。   Specifically, the boot monitoring device 106 receives the recovery notification signal RAS (recovery completion signal), transmits a boot switching signal BCSna (NAND switching signal) to the control device 102, and the control device 102 causes the boot switching signal BCSna. After receiving the (NAND switching signal), the activation is stopped and the boot program BPna using the NAND flash memory 104 is normally activated.

図13は、第2実施形態に係る電子回路システム101の制御例を示すフローチャートである。図14は、図13に示すフローチャートにおいてブートプログラムBPnaを読み込みできなかった場合の処理例である。なお、この例では、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaにより制御装置102が正常に起動できない場合について説明する。   FIG. 13 is a flowchart showing a control example of the electronic circuit system 101 according to the second embodiment. FIG. 14 is a processing example when the boot program BPna cannot be read in the flowchart shown in FIG. In this example, a case will be described in which the control device 102 cannot be normally started by the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104.

図13及び図14に示すフローチャートは、図11及び図12に示すフローチャートにおいてステップS211〜S213の処理に代えてステップS214〜S220の処理を設け、ステップS220の処理後の戻り先をステップS102に変更したものであり、その他は、図11及び図12に示すフローチャートと同様である。図13及び図14に示すフローチャートにおいて図11及び図12に示すフローチャートと実質的に同じ処理には同一符号を付し、以下に、図11及び図12に示すフローチャートとは異なる点を中心に説明する。   The flowcharts shown in FIGS. 13 and 14 are different from the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12 in that steps S214 to S220 are replaced with steps S214 to S220, and the return destination after the step S220 is changed to step S102. Others are the same as the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12. In the flowcharts shown in FIGS. 13 and 14, substantially the same processes as those in the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12 are designated by the same reference numerals, and the following description will focus on points different from the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12. To do.

例えば、NAND型フラッシュメモリ104のビット化け等のメモリ異常が発生している場合、具体的には、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104において、所定の第1格納領域Rna1(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x0_0800_0000)に格納されているブートプログラムBPna、及び、所定の第2格納領域Rna2(この例ではアドレス0x0_1000_0000〜0x0_A000_0000)に格納されているメインプログラムMPnaの少なくとも一方がたとえ破壊されていても正常と見做されるブートプログラムBP及びメインプログラムMPをNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの格納領域に上書きすると、ブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを確実に読み込むことができる。   For example, when a memory abnormality such as a garbled bit of the NAND flash memory 104 occurs, specifically, in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 2, a predetermined first storage area Rna1 (address 0x0_0000_0000 in this example) is specified. ~0x0_0800_0000) and at least one of the main programs MPna stored in a predetermined second storage area Rna2 (in this example, address 0x0_1000_0000 to 0x0_A000_0000) is normal even if it is destroyed. By overwriting the boot program BP and the main program MP, which are considered, in the storage areas of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104, the boot program BPna and the main program MPna can be reliably read.

この点、電子回路システム101では、図14に示すように、制御装置102は、ステップS210の処理の後、NOR型フラッシュメモリ105から読み込んだネットワークブートコンフィグレーションNCG(図10参照)により、ネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrのファイル名(この例ではRecovery.bin)を指定し、ネットワークリソースNRにリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrを要求する(ステップS214)。これにより、電子回路システム101は、ネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrをネットワークリソースNRからダウンロードすることが可能となる。   In this regard, in the electronic circuit system 101, as shown in FIG. 14, the control device 102 uses the network boot configuration NCG (see FIG. 10) read from the NOR flash memory 105 after the process of step S210 to obtain network resources. The file name (Recovery.bin in this example) of the recovery data RDnr stored in the NR is specified, and the network program NR is requested to the boot program BPnrr and the main program MPnrr of the recovery data RDnr (step S214). As a result, the electronic circuit system 101 can download the boot program BPnrr and the main program MPnrr of the recovery data RDnr stored in the network resource NR from the network resource NR.

次に、ネットワークリソースNRは、リカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrを制御装置102に提供する(ステップS215)。   Next, the network resource NR provides the boot program BPnrr and the main program MPnrr of the recovery data RDnr to the control device 102 (step S215).

次に、制御装置102は、ネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrを、ネットワークインターフェース部110を介してネットワークリソースNRからダウンロードしてNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの所定の格納領域(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x1_0000_0000)(図2参照)にNANDインターフェース部108(図1参照)を介して上書きする(ステップS216)。   Next, the control device 102 downloads the boot program BPnrr and the main program MPnrr of the recovery data RDnr stored in the network resource NR from the network resource NR via the network interface unit 110 and boots the NAND flash memory 104. A predetermined storage area (address 0x0_0000_0000 to 0x1_0000_0000 in this example) of the program BPna and the main program MPna (see FIG. 2) is overwritten via the NAND interface unit 108 (see FIG. 1) (step S216).

次に、制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104のリカバリの完了を示すリカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)をリカバリ通知信号出力部111から出力し(ステップS217)、NAND型フラッシュメモリ104のリカバリ(リカバリデータRDnrのNAND型フラッシュメモリ104への上書き)が完了したことをブート監視装置106へ通知する。   Next, the control device 102 outputs a recovery notification signal RAS (recovery completion signal) indicating the completion of recovery of the NAND flash memory 104 from the recovery notification signal output unit 111 (step S217), and recovers the NAND flash memory 104. The boot monitoring device 106 is notified that the (recovery data RDnr overwrites the NAND flash memory 104) is completed.

次に、ブート監視装置106は、リカバリ通知信号出力部111から出力されたリカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)をリカバリ通知信号入力部116で入力(受信)すると(ステップS218)、制御装置102の起動の停止を示すRST信号RSSb(起動停止信号)をRST信号出力部117から出力する(ステップS219)。   Next, when the boot notification device 106 inputs (receives) the recovery notification signal RAS (recovery completion signal) output from the recovery notification signal output unit 111 to the recovery notification signal input unit 116 (step S218), the boot monitoring device 106 of the control device 102 The RST signal output section 117 outputs the RST signal RSSb (start stop signal) indicating the stop of the start (step S219).

次に、制御装置102は、RST信号出力部117から出力されたRST信号RSSb(起動停止信号)をRST信号入力部112で入力(受信)すると(ステップS220)、すべての処理を停止して制御装置102の起動を停止する。その後、電子回路システム101の処理は、図13に示すステップS102へ戻る。   Next, when the control device 102 inputs (receives) the RST signal RSSb (start/stop signal) output from the RST signal output unit 117 to the RST signal input unit 112 (step S220), all processing is stopped and controlled. The activation of the device 102 is stopped. Thereafter, the processing of the electronic circuit system 101 returns to step S102 shown in FIG.

なお、前記したステップS214〜S220の処理に代えて或いは加えて、ステップS107の処理とステップS108の処理との間に「NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaを読み込んだか否かを判断する処理」及び「ステップS209,S210,S214〜S220の処理」を設け、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaを読み込むことができなかった場合に、ステップS209,S210,S214〜S220の処理を行うようにしてもよい。   Instead of or in addition to the processing of steps S214 to S220 described above, "whether the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 has been read is determined between the processing of step S107 and the processing of step S108. If the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 cannot be read by providing "determination processing" and "processing of steps S209, S210, and S214 to S220", steps S209, S210, and S214 to You may make it perform the process of S220.

また、第1実施形態に係る電子回路システム101の構成と第2実施形態に係る電子回路システム101の構成とを組み合わせて、第1実施形態に係る電子回路システム101の構成においてネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrによる制御装置102が正常に起動できない場合に、第2実施形態に係る電子回路システム101の構成においてリカバリ処理を行うようにしてもよい。   Further, the configuration of the electronic circuit system 101 according to the first embodiment and the configuration of the electronic circuit system 101 according to the second embodiment are combined and stored in the network resource NR in the configuration of the electronic circuit system 101 according to the first embodiment. The recovery process may be performed in the configuration of the electronic circuit system 101 according to the second embodiment when the control device 102 based on the stored main program MPnr cannot be normally started.

(第3実施形態)
また、第3実施形態に係る電子回路システム101では、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104には、リカバリデータRDnaが格納されている。
(Third Embodiment)
Further, in the electronic circuit system 101 according to the third embodiment, the recovery data RDna is stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG.

図15は、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104内のリカバリデータRDnaのデータ構造の一例を示す概略構成図である。   FIG. 15 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure of the recovery data RDna in the NAND flash memory 104 shown in FIG.

ここで、図15に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきリカバリデータRDnaのブートプログラムBPnarは、図3に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきブートプログラムBPnaと同じものであり、ここでは、説明を省略する。また、図15に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきリカバリデータRDnaのメインプログラムMPnarは、図2に示すNAND型フラッシュメモリ104に格納されるべきメインプログラムMPnaと同じものである。   Here, the boot program BPnar of the recovery data RDna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 15 is the same as the boot program BPna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. Then, the description is omitted. The main program MPnar of the recovery data RDna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG. 15 is the same as the main program MPna to be stored in the NAND flash memory 104 shown in FIG.

図16は、図5に示すNOR型フラッシュメモリ105内のブートプログラムBPnoのデータ構造の一例を示す概略構成図である。   FIG. 16 is a schematic configuration diagram showing an example of the data structure of the boot program BPno in the NOR flash memory 105 shown in FIG.

図16に示すNOR型フラッシュメモリ105には、ネットワークブートコンフィグレーションNCG(図6参照)に代えて或いは加えて(この例では代えて)、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているリカバリデータRDna(図2参照)のアドレスであるリカバリデータ格納アドレスADrd(図2及び図16参照)(具体的には開始アドレス0x2_0000_0000)が格納されている。この例では、リカバリデータ格納アドレスADrdは、ブートプログラムBPnoに含まれている。   In the NOR flash memory 105 shown in FIG. 16, the recovery data RDna( stored in the NAND flash memory 104 instead of or in addition to the network boot configuration NCG (see FIG. 6) (in this example). The recovery data storage address ADrd (see FIGS. 2 and 16) (specifically, the start address 0x2_0000_0000), which is the address of FIG. 2), is stored. In this example, the recovery data storage address ADrd is included in the boot program BPno.

そして、制御装置102は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には(具体的にはNAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPna又はNAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には)、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているリカバリデータ格納アドレスADrdによりNAND型フラッシュメモリ104からリカバリデータRDnaを読み出し、読み出したリカバリデータRDnaのブートプログラムBPnar及びメインプログラムMPnarをNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの格納領域へ上書きする。   When the control device 102 determines that the control device 102 cannot be normally started (specifically, the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104 or the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104 is stored). When it is determined that the control device 102 cannot be normally started by the main program MPna), the recovery data RDna is read from the NAND flash memory 104 by the recovery data storage address ADrd stored in the NOR flash memory 105 and read. The boot program BPnar and the main program MPnar of the recovery data RDna are overwritten in the storage areas of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104.

詳しくは、ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないか否かを判断する。ブート監視装置106は、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているリカバリデータRDnaを読み込むように制御装置102に指示する。制御装置102は、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているリカバリデータ格納アドレスADrdを設定し、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているリカバリデータRDnaを読み出す。   Specifically, the boot monitoring device 106 determines whether or not the control device 102 cannot start normally. If the boot monitoring device 106 determines that the control device 102 cannot be normally started, the boot monitoring device 106 instructs the control device 102 to read the recovery data RDna stored in the NAND flash memory 104. The control device 102 sets the recovery data storage address ADrd stored in the NOR flash memory 105, and reads the recovery data RDna stored in the NAND flash memory 104.

また、第3実施形態に係る電子回路システム101は、NAND型フラッシュメモリ104へのブートプログラムBPnar及びメインプログラムMPnarの上書き後、通常の起動動作に戻す。   Further, the electronic circuit system 101 according to the third embodiment restores the normal boot operation after overwriting the boot program BPnar and the main program MPnar in the NAND flash memory 104.

詳しくは、NAND型フラッシュメモリ104へのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrの上書き後、制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104のリカバリの完了を示すリカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)をブート監視装置106に送信し、ブート監視装置106は、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaを読み込むように制御装置102に指示する。制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaを読み込むことでNAND型フラッシュメモリ104からのブートプログラムBPnaにより制御装置102を起動(再起動)する。   Specifically, after the boot program BPnrr and the main program MPnrr are overwritten on the NAND flash memory 104, the control device 102 sends a recovery notification signal RAS (recovery completion signal) indicating the completion of recovery of the NAND flash memory 104 to the boot monitoring device. Then, the boot monitoring device 106 instructs the control device 102 to read the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104. The control device 102 activates (restarts) the control device 102 by the boot program BPna from the NAND flash memory 104 by reading the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104.

図17は、第3実施形態に係る電子回路システム101の制御例を示すフローチャートである。図18は、図17に示すフローチャートにおいてブートプログラムBPnaを読み込みできなかった場合の処理例である。なお、この例では、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaにより制御装置102が正常に起動できない場合について説明する。   FIG. 17 is a flowchart showing a control example of the electronic circuit system 101 according to the third embodiment. FIG. 18 is a processing example when the boot program BPna cannot be read in the flowchart shown in FIG. In this example, a case will be described in which the control device 102 cannot be normally started by the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104.

図17及び図18に示すフローチャートは、図13及び図14に示すフローチャートにおいてステップS210,S214,S215の処理に代えてステップS221,S222の処理を設けたものであり、その他は、図13及び図14に示すフローチャートと同様である。図17及び図18に示すフローチャートにおいて図13及び図14に示すフローチャートと実質的に同じ処理には同一符号を付し、以下に、図13及び図14に示すフローチャートとは異なる点を中心に説明する。   The flowcharts shown in FIGS. 17 and 18 are obtained by providing the processes of steps S221 and S222 in place of the processes of steps S210, S214, and S215 in the flowcharts shown in FIGS. It is similar to the flowchart shown in FIG. In the flowcharts shown in FIGS. 17 and 18, substantially the same processes as those in the flowcharts shown in FIGS. 13 and 14 are designated by the same reference numerals, and the following description will focus on the points different from the flowcharts shown in FIGS. 13 and 14. To do.

電子回路システム101では、図18に示すように、制御装置102は、ステップS209の処理の後、NOR型フラッシュメモリ105(図6参照)に格納されているブートプログラムBPno内のリカバリデータ格納アドレスADrd(この例では0x2_0000_0000)を、NORインターフェース部109を介して読み込む(ステップS221)。   In the electronic circuit system 101, as shown in FIG. 18, after the process of step S209, the control device 102 recovers the recovery data storage address ADrd in the boot program BPno stored in the NOR flash memory 105 (see FIG. 6). (0x2_0000_0000 in this example) is read via the NOR interface unit 109 (step S221).

次に、制御装置102は、読み込んだリカバリデータ格納アドレスADrdによりNAND型フラッシュメモリ104(図2参照)に格納されているリカバリデータRDnaのブートプログラムBPnar及びメインプログラムMPnar(図15参照)を、NANDインターフェース部108を介してNAND型フラッシュメモリ104から読み込み(ステップS222)、NAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの所定の格納領域(この例ではアドレス0x0_0000_0000〜0x1_0000_0000)にNANDインターフェース部108(図1参照)を介して上書きする(ステップS216)。   Next, the control device 102 sets the boot program BPnar and the main program MPnar (see FIG. 15) of the recovery data RDna stored in the NAND flash memory 104 (see FIG. 2) at the read recovery data storage address ADrd to the NAND It is read from the NAND flash memory 104 via the interface unit 108 (step S222), and the NAND interface unit 108 is stored in a predetermined storage area (address 0x0_0000_0000-0x1_0000_0000 in this example) of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104. (See FIG. 1) via the overwriting (step S216).

なお、前記したステップS221,S222,S216〜S220の処理に代えて或いは加えて、ステップS107の処理とステップS108の処理との間に「NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaを読み込んだか否かを判断する処理」及び「ステップS209,S221,S222,S216〜S220の処理」を設け、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaを読み込むことができなかった場合に、ステップS209,S221,S222,S216〜S220の処理を行うようにしてもよい。   Instead of or in addition to the above-described processing of steps S221, S222, S216 to S220, "the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 is read between the processing of step S107 and the processing of step S108. If the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 cannot be read, the process of determining whether the main program MPna is read and the process of steps S209, S221, S222, and S216 to S220 are provided. You may make it perform the process of S209, S221, S222, S216-S220.

また、第1実施形態に係る電子回路システム101の構成と第3実施形態に係る電子回路システム101の構成とを組み合わせて、第1実施形態に係る電子回路システム101の構成においてネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrによる制御装置102が正常に起動できない場合に、第3実施形態に係る電子回路システム101の構成においてリカバリ処理を行うようにしてもよい。   Further, the configuration of the electronic circuit system 101 according to the first embodiment and the configuration of the electronic circuit system 101 according to the third embodiment are combined and stored in the network resource NR in the configuration of the electronic circuit system 101 according to the first embodiment. The recovery process may be performed in the configuration of the electronic circuit system 101 according to the third embodiment when the control device 102 based on the stored main program MPnr cannot be normally started.

また、第2実施形態に係る電子回路システム101の構成と第3実施形態に係る電子回路システム101の構成とを組み合わせて、第2実施形態に係る電子回路システム101の構成及び第3実施形態に係る電子回路システム101の構成のうち、何れか一方の構成においてリカバリ処理が失敗した場合に、他方の構成においてリカバリ処理を行うようにしてもよい。   Further, by combining the configuration of the electronic circuit system 101 according to the second embodiment and the configuration of the electronic circuit system 101 according to the third embodiment, the configuration of the electronic circuit system 101 according to the second embodiment and the configuration of the third embodiment can be realized. If the recovery process fails in one of the configurations of the electronic circuit system 101, the recovery process may be performed in the other configuration.

(第4実施形態)
第4実施形態に係る電子回路システム101は、第1実施形態から第3実施形態に係る電子回路システム101において、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合にNOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動させた後、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを報知する。
(Fourth Embodiment)
In the electronic circuit system 101 according to the fourth embodiment, the electronic circuit system 101 according to the fourth embodiment boots from the NOR flash memory 105 when it is determined that the control device 102 cannot normally start. After the control device 102 is activated by the program BPno, it is notified that a memory abnormality may occur in the NAND flash memory 104.

ここで、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを報知する態様としては、例えば、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを示すメッセージを表示装置120(図1参照)に表示する態様、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを示す警報音及び/又は音声を警報装置(図示せず)から発する態様、及び、これらの態様を組み合わせた態様を例示できる。   Here, as a mode of notifying that there is a possibility that a memory abnormality has occurred in the NAND flash memory 104, for example, it is indicated that there is a possibility that a memory abnormality has occurred in the NAND flash memory 104. A mode in which a message is displayed on the display device 120 (see FIG. 1), an alarm sound and/or a voice indicating that a memory abnormality may occur in the NAND flash memory 104 is output from an alarm device (not shown). The aspect which emits, and the aspect which combined these aspects can be illustrated.

図19は、表示装置120においてNAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを示すメッセージを表示する一例を示す正面図である。   FIG. 19 is a front view showing an example of displaying a message indicating that a memory abnormality may occur in the NAND flash memory 104 in the display device 120.

図19に示すように、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合において、NOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoによる制御装置102の起動後に、さらにはネットワークリソースNRからのメインプログラムMPnr及び/又はリカバリデータ(RDnr,RDna)のメインプログラム(MPnrr,MPnar)による制御装置102の起動後に、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があること(例えば「NAND型フラッシュメモリのメモリ異常の発生の可能性があります」というメッセージ)を表示する。   As shown in FIG. 19, when it is determined that the control device 102 cannot be normally activated, after the control device 102 is activated by the boot program BPno from the NOR flash memory 105, the main program MPnr from the network resource NR and It is possible that a memory abnormality has occurred in the NAND flash memory 104 after the control device 102 is activated by the main program (MPnrr, MPnar) of the recovery data (RDnr, RDna) (for example, “NAND flash memory "There is a possibility that a memory error may have occurred." is displayed.

第4実施形態に係る電子回路システム101において、例えば、図11及び図12に示す第1実施形態のフローチャート、図13及び図14に示す第2実施形態のフローチャート、並びに、図17及び図18に示す第3実施形態のフローチャートのステップS111の処理の後に、制御装置102は、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを示すメッセージ〔この例では「NAND型フラッシュメモリのメモリ異常の発生の可能性があります。」というメッセージ(図19参照)〕を、ネットワークリソースNR及びNAND型フラッシュメモリ104のうち何れのブートデバイスから制御装置102を起動したかを示すメッセージ〔具体的には、第1実施形態又は第2実施形態の場合には「ネットワークブートによる起動を行いました。」というメッセージ(図19参照)〕と共に表示装置120(図19参照)に表示することができる。   In the electronic circuit system 101 according to the fourth embodiment, for example, the flowchart of the first embodiment shown in FIGS. 11 and 12, the flowchart of the second embodiment shown in FIGS. 13 and 14, and FIGS. After the processing of step S111 in the flowchart of the third embodiment shown, the control device 102 displays a message indicating that a memory abnormality may occur in the NAND flash memory 104 [in this example, the "NAND flash memory Message (see FIG. 19)]”, which is a message indicating which boot device of the network resource NR and the NAND flash memory 104 has booted the control device 102 [specifically. Specifically, in the case of the first embodiment or the second embodiment, it may be displayed on the display device 120 (see FIG. 19) together with the message “Started by network boot.” (see FIG. 19)]. it can.

(その他の実施の形態)
−制御装置−
第1実施形態から第4実施形態では、制御装置102をSOCとしたが、SOCに限定されるものではない。例えば、演算処理ユニット(CPU:Central Processing Unit)などのMicroprocessorにて制御装置102を構成してもよい。
(Other embodiments)
-Control device-
In the first to fourth embodiments, the control device 102 is the SOC, but the control device 102 is not limited to the SOC. For example, the control device 102 may be configured by a Microprocessor such as an arithmetic processing unit (CPU: Central Processing Unit).

−ランダムアクセスメモリ−
また、第1実施形態から第4実施形態では、ランダムアクセスメモリ103をDRAMとしたが、DRAMに限定されるものではない。例えば、強誘電体メモリ(FeRAM:Ferroelectric Random Access Memory)やスタティックラム(SRAM:Static Random Access Memory)などのメモリデバイスにてランダムアクセスメモリ103を構成してもよい。
-Random access memory-
In addition, in the first to fourth embodiments, the random access memory 103 is a DRAM, but it is not limited to DRAM. For example, the random access memory 103 may be configured with a memory device such as a ferroelectric memory (FeRAM: Ferroelectric Random Access Memory) or a static RAM (SRAM: Static Random Access Memory).

−ダイレクトメモリアクセス−
また、第1実施形態から第4実施形態では、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaをランダムアクセスメモリ103へコピーする動作を、制御装置102を介して行ったが、ダイレクトメモリアクセス(DMA:Direct Memory Access)制御にて行うようにしてもよい。
-Direct memory access-
In the first to fourth embodiments, the operation of copying the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 to the random access memory 103 is performed via the control device 102. (DMA: Direct Memory Access) control may be performed.

−エラー訂正−
また、第1実施形態から第4実施形態では、ネットワークリソースNR及び/又はNAND型フラッシュメモリ104に格納されているリカバリデータ(RDnr,RDna)をコピーにて自動復旧する動作において、エラー検出修正(ECC:Error Check and Correct)等のエラー訂正機能を用いたエラー訂正動作を行うようにしてもよい。
-Error correction-
Further, in the first to fourth embodiments, error detection and correction (in the operation of automatically recovering the network resource NR and/or the recovery data (RDnr, RDna) stored in the NAND flash memory 104 by copying ( An error correction operation using an error correction function such as ECC (Error Check and Correct) may be performed.

−圧縮伸長処理−
また、第1実施形態から第4実施形態では、ネットワークリソースNR及び/又はNAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラム(MPnr,MPna)及び/又はリカバリデータ(RDnr,RDna)のメインプログラム(MPnrr,MPnar)において、保存するデータ容量を低減させる圧縮処理、及び、圧縮データから元のデータに復元する伸長処理を実施するようにしてもよい。
-Compression/decompression processing-
In the first to fourth embodiments, the main program (MPnr, MPna) and/or the main program (RDnr, RDna) of the network resource NR and/or the main program (RDnr, RDna) stored in the NAND flash memory 104 ( MPnrr, MPnar), compression processing for reducing the amount of data to be stored and decompression processing for restoring compressed data to original data may be performed.

−制御装置への起動監視動作の取り込み−
また、第1実施形態から第4実施形態では、制御装置102とは別部品としてブート監視装置106を用いて起動監視動作を行うように構成したが、ブート監視装置106の機能を取り込んだ(ブート監視装置106を組み込んだ)制御装置102(例えばSOC)を用いて起動監視動作を行うように構成してもよい。すなわち、制御装置102の機能の一部で起動監視動作を行うようにしてもよい。制御装置102としては、プログラマブルロジックデバイス(PLD:Programmable Logic Device)を例示でき、代表的には、コンプレックスプログラマブルロジックデバイス(CPLD:Complex Programmable Logic Device)やフィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA:Field Programmable Gate Array)を挙げることができる。
-Incorporating the startup monitoring operation into the control device-
Further, in the first to fourth embodiments, the boot monitoring device 106 is configured as a separate component from the control device 102 to perform the startup monitoring operation, but the function of the boot monitoring device 106 is incorporated (booting). The controller 102 (incorporating the monitoring device 106) (for example, SOC) may be used to perform the startup monitoring operation. That is, the activation monitoring operation may be performed by a part of the function of the control device 102. As the control device 102, a programmable logic device (PLD) can be exemplified, and typically, a complex programmable logic device (CPLD) and a field programmable gate array (FPGA) are typically used. Can be mentioned.

−制御装置へのNOR型フラッシュメモリの組み込み−
また、第1実施形態から第4実施形態では、制御装置102とは別部品としてNOR型フラッシュメモリ105を設け、NOR型フラッシュメモリ105にブートプログラムBPnoを格納するようにしたが、NOR型フラッシュメモリ105を組み込んだ制御装置102(例えばSOC)を用いて制御装置102におけるNOR型フラッシュメモリ105にブートプログラムBPnoを格納するようにしてもよい。すなわち、制御装置102の一部にNOR型フラッシュメモリ105を存在させるようにしてもよい。
-Incorporation of NOR flash memory into control device-
In the first to fourth embodiments, the NOR flash memory 105 is provided as a separate component from the control device 102, and the boot program BPno is stored in the NOR flash memory 105. The boot program BPno may be stored in the NOR flash memory 105 in the control device 102 by using the control device 102 (for example, SOC) in which 105 is incorporated. That is, the NOR flash memory 105 may be provided in a part of the control device 102.

−制御装置へのNAND型フラッシュメモリの組み込み−
また、第1実施形態から第4実施形態では、制御装置102とは別部品としてNAND型フラッシュメモリ104を設け、NAND型フラッシュメモリ104にブートプログラムBPna、メインプログラムMPna、リカバリデータRDna等を格納するようにしたが、NAND型フラッシュメモリ104を組み込んだ制御装置102(例えばSOC)を用いて制御装置102におけるNAND型フラッシュメモリ104にブートプログラムBPna、メインプログラムMPna、リカバリデータRDna等を格納するようにしてもよい。すなわち、制御装置102の一部にNAND型フラッシュメモリ104を存在させるようにしてもよい。
-Incorporation of NAND flash memory into control device-
Further, in the first to fourth embodiments, the NAND flash memory 104 is provided as a separate component from the control device 102, and the boot program BPna, the main program MPna, the recovery data RDna, etc. are stored in the NAND flash memory 104. However, the boot program BPna, the main program MPna, the recovery data RDna, etc. are stored in the NAND flash memory 104 in the control device 102 by using the control device 102 (for example, SOC) incorporating the NAND flash memory 104. May be. That is, the NAND flash memory 104 may exist in a part of the control device 102.

−ブート状態通知信号−
また、第1実施形態から第4実施形態では、制御装置102の正常起動を示すブート状態通知信号BASa(正常信号)として、HighレベルとLowレベルとを交互に切り替わる電圧信号としたが、それに限定されるものではない。例えば、ブート状態通知信号BASa(正常信号)を、HighレベルからLowレベルに変更される電圧信号とすることで、或いは、LowレベルからHighレベルに変更される電圧信号とすることで、制御装置102の正常起動を認識するようにしてもよい。つまり、ブート状態通知信号BASa(正常信号)は、制御装置102の正常起動か否かが認識できる信号状態の変化があるような信号にすることができる。
-Boot status notification signal-
Further, in the first to fourth embodiments, the boot state notification signal BASa (normal signal) indicating the normal activation of the control device 102 is a voltage signal that alternately switches between a high level and a low level, but is not limited thereto. It is not something that will be done. For example, by setting the boot state notification signal BASa (normal signal) as a voltage signal that is changed from the High level to the Low level, or by using a voltage signal that is changed from the Low level to the High level, the control device 102. The normal startup of may be recognized. In other words, the boot state notification signal BASa (normal signal) can be a signal in which there is a change in the signal state in which it can be recognized whether or not the control device 102 is normally started.

−RST信号−
また、第1実施形態から第4実施形態では、制御装置102の起動の開始を示すRST信号RSSa(起動開始信号)をLowレベルからHighレベルに切り替わる電圧信号とし、制御装置102の起動の停止を示すRST信号RSSb(起動停止信号)をHighレベルからレベルLowに切り替わる電圧信号としたが、それに限定されるものではない。例えば、RST信号RSSa(起動開始信号)をHighレベルからLowレベルへ切り替わる電圧信号とし、RST信号RSSb(起動停止信号)をLowレベルからHighレベルへ切り替わる電圧信号としてもよいし、その他の信号レベルの変化によって制御装置102の起動の開始タイミング及び停止タイミングが明確となるような信号としてもよい。
-RST signal-
In addition, in the first to fourth embodiments, the RST signal RSSa (starting start signal) indicating the start of starting the control device 102 is a voltage signal that switches from the low level to the high level, and the start of the control device 102 is stopped. Although the RST signal RSSb (start/stop signal) shown is a voltage signal that switches from the high level to the level low, the present invention is not limited to this. For example, the RST signal RSSa (starting start signal) may be a voltage signal that switches from a high level to a low level, and the RST signal RSSb (starting stop signal) may be a voltage signal that switches from a low level to a high level. The signal may be such that the start timing and the stop timing of the activation of the control device 102 become clear by the change.

−リカバリ通知信号−
また、第1実施形態から第4実施形態では、リカバリデータ(RDnr,RDna)によるリカバリの完了を示すリカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)をLowレベルからHighレベルへ切り替わる電圧信号としたが、それに限定されるものではない。例えば、リカバリ通知信号RAS(リカバリ完了信号)をHighレベルからLowレベルへ切り替わる電圧信号としてもよいし、その他の信号レベルの変化によってNAND型フラッシュメモリ104のリカバリの完了タイミングが明確となるような信号としてもよい。
-Recovery notification signal-
Further, in the first to fourth embodiments, the recovery notification signal RAS (recovery completion signal) indicating the completion of the recovery by the recovery data (RDnr, RDna) is the voltage signal that switches from the Low level to the High level. It is not limited. For example, the recovery notification signal RAS (recovery completion signal) may be a voltage signal that switches from the high level to the low level, or a signal such that the completion timing of the recovery of the NAND flash memory 104 becomes clear due to changes in other signal levels. May be

−読み込み回数の制限−
また、リカバリデータ(RDnr,RDna)のブートプログラム(BPnrr,BPnar)及びメインプログラム(MPnrr,MPnar)をNAND型フラッシュメモリ104に上書きするリカバリ動作を行う第2実施形態から第4実施形態では、NAND型フラッシュメモリ104を修復(ブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを復旧)できない異常の発生により、予め定めた所定の回数以上でブートプログラムBPnaの読み込みができない場合、例えば、別途設けられる警報装置〔具体的にはスピーカー等の音源生成装置や発光素子(例えばLED:Light Emitting Diode)等の点灯装置〕でNAND型フラッシュメモリ104を修復できない異常が発生している可能性があることを示す警報(具体的には音声、警報音や光の点灯)を通知し、リカバリ動作を停止するようにしてもよい。
-Limit on the number of reads-
Further, in the second to fourth embodiments, the recovery operation of overwriting the boot program (BPnrr, BPnar) and the main program (MPnrr, MPnar) of the recovery data (RDnr, RDna) in the NAND flash memory 104 is performed. When the boot program BPna cannot be read more than a predetermined number of times due to an abnormality that cannot repair the flash memory 104 (recover the boot program BPna and the main program MPna), for example, an alarm device provided separately Is a warning indicating that there is a possibility that the NAND flash memory 104 cannot be repaired by a sound source generation device such as a speaker or a lighting device such as a light emitting element (eg, LED: Light Emitting Diode) (specifically, Voice, warning sound, or lighting of light) may be notified to stop the recovery operation.

例えば、図13及び図14並びに図17及び図18に示すフローチャートにおいて、ステップS201の「No」の処理とステップS202の処理との間に「読み込み回数をカウントする処理」及び「読み込み回数が所定の回数以上に達したか否かを判断する判断処理」を設け、読み込み回数が所定の回数未満の場合にはステップS202に移行する一方、読み込み回数が所定の回数以上の場合には、NAND型フラッシュメモリ104の修復できない異常が発生している可能性があることを示す警報を警報装置から発し、処理を終了するようにすることができる。   For example, in the flowcharts shown in FIGS. 13 and 14 and FIGS. 17 and 18, between the process of “No” in step S201 and the process of step S202, “the process of counting the number of times of reading” and “the number of times of reading is predetermined. If the number of readings is less than a predetermined number, the process proceeds to step S202, while if the number of readings is more than the predetermined number, a NAND flash is provided. An alarm indicating that there is a possibility that an unrecoverable abnormality of the memory 104 has occurred may be issued from the alarm device and the processing may be ended.

−通信エラー回数の制限−
また、ネットワークNTを介してネットワークリソースNRと通信を行ってメインプログラムMPnr、リカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrをダウンロードするダウンロード動作を行う第1実施形態、第2実施形態及び第4実施形態では、ネットワークリソースNRとの通信エラーの発生により、予め定めた所定の回数以上で通信ができない場合、例えば、別途設けられる警報装置〔具体的にはスピーカー等の音源生成装置や発光素子(例えばLED:Light Emitting Diode)等の点灯装置〕でネットワークリソースNRとの通信エラーが発生している可能性があることを示す警報(具体的には音声、警報音や光の点灯)を通知し、ダウンロード動作を停止するようにしてもよい。
-Limit on the number of communication errors-
In addition, the first embodiment, the second embodiment, and the fourth embodiment that perform a download operation of downloading the main program MPnr, the boot program BPnrr of the recovery data RDnr, and the main program MPnrr by communicating with the network resource NR via the network NT. In the mode, when communication cannot be performed more than a predetermined number of times due to occurrence of a communication error with the network resource NR, for example, a separately provided alarm device (specifically, a sound source generation device such as a speaker or a light emitting element (for example, a speaker) is provided. LED: Lighting device such as Light Emitting Diode)] is used to notify an alarm (specifically, voice, alarm sound, or light is turned on) indicating that a communication error with the network resource NR may occur. The download operation may be stopped.

例えば、図11及び図12並びに図13及び図14に示すフローチャートにおいて、ステップS211の処理(図12参照)とステップS212の処理(図12参照)との間及びステップS214の処理(図14参照)とステップS215の処理(図14参照)との間に「通信エラー回数をカウントする処理」及び「通信エラー回数が所定の回数以上に達したか否かを判断する判断処理」を設け、通信エラー回数が所定の回数未満の場合にはステップS212及びステップS215に移行する一方、通信エラー回数が所定の回数以上の場合には、ネットワークリソースNRとの通信エラーが発生している可能性があることを示す警報を警報装置から発し、処理を終了するようにすることができる。   For example, in the flowcharts shown in FIGS. 11 and 12 and FIGS. 13 and 14, between the process of step S211 (see FIG. 12) and the process of step S212 (see FIG. 12) and the process of step S214 (see FIG. 14). Between the processing of step S215 and the processing of step S215 (see FIG. 14), a "processing for counting the number of communication errors" and a "processing for determining whether or not the number of communication errors has reached a predetermined number or more" are provided. If the number of times is less than the predetermined number of times, the process proceeds to steps S212 and S215, while if the number of communication errors is more than the predetermined number of times, it is possible that a communication error with the network resource NR has occurred. The alarm can be issued from the alarm device and the processing can be ended.

−具体的記載−
また、第1実施形態から第4実施形態では、IPアドレス、ファイル名、NAND型フラッシュメモリ104の格納領域を示すアドレス、NOR型フラッシュメモリ105の格納領域を示すアドレス、各種データのデータサイズ等について具体的に記載したが、勿論、これらの記載事項に限定されるものではなく、言うまでもないが、これらの記載事項は任意である。
-Specific description-
In the first to fourth embodiments, the IP address, the file name, the address indicating the storage area of the NAND flash memory 104, the address indicating the storage area of the NOR flash memory 105, the data size of various data, etc. Although specifically described, it goes without saying that the present invention is not limited to these items, and needless to say, these items are optional.

(本実施の形態について)
本実施の形態によれば、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているブートプログラムBPnoを制御装置102に読み込んでNOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動させるので、NAND型フラッシュメモリ104の特性である低信頼性によるメモリ異常等の不具合が発生した場合において、たとえ制御装置102が正常に起動できない場合であっても、高信頼性を特性とするNOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動させることができる。これにより、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているブートプログラムBPnaにより制御装置102が正常に起動できないときであっても、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているブートプログラムBPnoによる制御装置102の起動を確実に行うことができる。この場合、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaが正常であれば、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPにより制御装置102を正常に起動させることができ、制御装置102の立ち上げ動作を完了させることができる。
(About this Embodiment)
According to the present embodiment, when it is determined that the control device 102 cannot be normally started, the boot program BPno stored in the NOR flash memory 105 is read into the control device 102, and the boot program BPno is read from the NOR flash memory 105. Since the control device 102 is activated by the boot program BPno, even if the control device 102 cannot be activated normally even when a problem such as a memory abnormality due to the low reliability which is a characteristic of the NAND flash memory 104 occurs. The control device 102 can be activated by the boot program BPno from the NOR flash memory 105 having high reliability. As a result, even when the control device 102 cannot be normally started by the boot program BPna stored in the NAND flash memory 104, the control device 102 is started by the boot program BPno stored in the NOR flash memory 105. Can be reliably performed. In this case, if the main program MPna stored in the NAND flash memory 104 is normal, the control device 102 can be normally started by the main program MP stored in the NAND flash memory 104. The startup operation of 102 can be completed.

なお、NOR型フラッシュメモリ105に代えてNAND型フラッシュメモリを用いることにより(つまり2つの高容量のNAND型フラッシュメモリを用いることにより)本実施の形態に類似した電子回路システムを構築することも考えられるが、2つの高容量のNAND型フラッシュメモリを用いた場合と比較して、1つの高容量のNAND型フラッシュメモリ104と1つの低容量のNOR型フラッシュメモリ105とを用いた本実施の形態に係る電子回路システム101の方が低コスト化を実現させることが可能である。さらに、NOR型フラッシュメモリ105はメモリ異常(具体的にはビット化け)の発生の可能性が低いため、緊急時に使用される場合の電子回路システム101の信頼性を向上させることが可能である。   Note that it is also possible to construct an electronic circuit system similar to this embodiment by using a NAND flash memory instead of the NOR flash memory 105 (that is, by using two high-capacity NAND flash memories). However, as compared with the case where two high capacity NAND flash memories are used, this embodiment uses one high capacity NAND flash memory 104 and one low capacity NOR flash memory 105. The electronic circuit system 101 according to the present invention can realize cost reduction. Furthermore, since the NOR flash memory 105 has a low possibility of memory abnormality (specifically, garbled bit), it is possible to improve the reliability of the electronic circuit system 101 when used in an emergency.

また、本実施の形態では、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているネットワークブートコンフィグレーションNCGを設定することにより、ネットワークNTを経由してネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrをダウンロードすることで、たとえNAND型フラッシュメモリ104のメモリ異常等の不具合の発生によりメインプログラムMPnaに異常が発生したとしても、ネットワークNTを経由したネットワークリソースNRからのメインプログラムMPnrにより制御装置102を起動させることができる。これにより、NAND型フラッシュメモリ104に格納されているメインプログラムMPnaにより制御装置102が正常に起動できないときであっても、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrにより制御装置102を確実に起動させることができる。従って、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrにより制御装置102を正常に起動させることができ、制御装置102の立ち上げ動作を確実に完了させることができる。   Further, in this embodiment, when it is determined that the control device 102 cannot be normally started by the main program MPna stored in the NAND flash memory 104, the network boot configuration stored in the NOR flash memory 105 is used. By setting the connection NCG to download the main program MPnr stored in the network resource NR via the network NT, the main program MPna can be stored in the main program MPna even when a malfunction such as a memory abnormality of the NAND flash memory 104 occurs. Even if an abnormality occurs, the control device 102 can be activated by the main program MPnr from the network resource NR via the network NT. Accordingly, even when the control device 102 cannot be normally started by the main program MPna stored in the NAND flash memory 104, the control device 102 is surely started by the main program MPnr stored in the network resource NR. Can be made. Therefore, the control device 102 can be normally started up by the main program MPnr stored in the network resource NR, and the startup operation of the control device 102 can be surely completed.

また、本実施の形態では、ネットワークリソースNRからネットワークNTを経由してダウンロードしたメインプログラムMPnrをランダムアクセスメモリ103へコピーすることで、メインプログラムMPnrをランダムアクセスメモリ103へ精度よくコピーすることができる。これにより、ネットワークリソースNRに格納されているメインプログラムMPnrにより制御装置102をさらに確実に起動させることができる。   Further, in the present embodiment, by copying the main program MPnr downloaded from the network resource NR via the network NT to the random access memory 103, the main program MPnr can be accurately copied to the random access memory 103. . As a result, the control device 102 can be more reliably activated by the main program MPnr stored in the network resource NR.

また、本実施の形態では、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合にNOR型フラッシュメモリ105からのブートプログラムBPnoにより制御装置102を起動させた後、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があることを報知することで、NAND型フラッシュメモリ104にメモリ異常が発生している可能性があること操作者に効果的に認識させることができる。   Further, in the present embodiment, when it is determined that the control device 102 cannot be normally activated, after the control device 102 is activated by the boot program BPno from the NOR flash memory 105, a memory abnormality is detected in the NAND flash memory 104. By notifying that there is a possibility of occurrence, it is possible to make the operator effectively recognize that a memory abnormality may have occurred in the NAND flash memory 104.

また、本実施の形態では、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、ネットワークブートコンフィグレーションNCGを設定することにより、ネットワークNTを経由してネットワークリソースNRに格納されているリカバリデータRDnrをネットワークリソースNRからダウンロードし、ダウンロードしたリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrをNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの格納領域へ上書きすることで、制御装置102が正常に起動できない場合に、ネットワークリソースNRからの正常と見做されるリカバリデータRDnrのブートプログラムBPnrr及びメインプログラムMPnrrをNAND型フラッシュメモリ104へ確実に上書きすることができる。これにより、たとえブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaのうち少なくとも一方にメモリ異常等の不具合が発生していても該不具合を解消してブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを自動的に復旧させることができる。   Further, in the present embodiment, when it is determined that the control device 102 cannot start normally, the recovery data stored in the network resource NR via the network NT is set by setting the network boot configuration NCG. By downloading RDnr from the network resource NR and overwriting the boot program BPnrr and the main program MPnrr of the downloaded recovery data RDnr in the storage areas of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104, the control device 102 can operate normally. If the boot program BPnrr and the main program MPnrr of the recovery data RDnr, which is considered to be normal from the network resource NR, cannot be started up, the NAND flash memory 104 can be reliably overwritten. Thus, even if at least one of the boot program BPna and the main program MPna has a defect such as a memory abnormality, the defect can be resolved and the boot program BPna and the main program MPna can be automatically restored.

また、本実施の形態では、制御装置102が正常に起動できないと判断した場合には、NOR型フラッシュメモリ105に格納されているリカバリデータ格納アドレスADrdによりNAND型フラッシュメモリ104からリカバリデータRDnaを読み出し、読み出したリカバリデータRDnaのブートプログラムBPnar及びメインプログラムMPnarをNAND型フラッシュメモリ104のブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaの格納領域へ上書きすることで、制御装置102が正常に起動できない場合に、NAND型フラッシュメモリ104からの正常と見做されるリカバリデータRDnaのブートプログラムBPnar及びメインプログラムMPnarをNAND型フラッシュメモリ104へ確実に上書きすることができる。これにより、たとえブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaのうち少なくとも一方にメモリ異常等の不具合が発生していても該不具合を解消してブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを自動的に復旧させることができる。   Further, in the present embodiment, when it is determined that the control device 102 cannot be normally started, the recovery data RDna is read from the NAND flash memory 104 by the recovery data storage address ADrd stored in the NOR flash memory 105. When the control device 102 cannot be normally started by overwriting the boot program BPnar and the main program MPnar of the read recovery data RDna into the storage areas of the boot program BPna and the main program MPna of the NAND flash memory 104, It is possible to reliably overwrite the boot program BPnar and the main program MPnar of the recovery data RDna that is regarded as normal from the flash memory 104 in the NAND flash memory 104. Thus, even if at least one of the boot program BPna and the main program MPna has a defect such as a memory abnormality, the defect can be resolved and the boot program BPna and the main program MPna can be automatically restored.

また、本実施の形態では、NAND型フラッシュメモリ104へのブートプログラム(BPnrr,BPnar)及びメインプログラム(MPnrr,MPnar)の上書き後、通常の起動動作に戻すことで、NAND型フラッシュメモリ104へのブートプログラム(BPnrr,BPnar)及びメインプログラム(MPnrr,MPnar)の上書き後に、NAND型フラッシュメモリ104から正常と看做されるブートプログラムBPna及びメインプログラムMPnaを制御装置102に読み込むことができる。これにより、NAND型フラッシュメモリ104を用いた制御装置102の通常の起動動作で制御装置102を起動することができる。   In addition, in the present embodiment, after the boot program (BPnrr, BPnar) and the main program (MPnrr, MPnar) are overwritten in the NAND flash memory 104, the normal startup operation is resumed, so that the NAND flash memory 104 is restored. After overwriting the boot program (BPnrr, BPnar) and the main program (MPnrr, MPnar), the boot program BPna and the main program MPna that are considered to be normal can be read from the NAND flash memory 104 into the control device 102. As a result, the control device 102 can be activated by a normal activation operation of the control device 102 using the NAND flash memory 104.

なお、本発明は、多機能型端末装置(具体的にはスマートフォンやタブレット型端末装置)、パーソナルコンピュータなどのコンピュータの他、ブートプログラムを制御装置に読み込んでブートプログラムにより制御装置を起動させた後にメインプログラムを制御装置に読み込んでメインプログラムにより制御装置を起動させる電子回路システムに用いるものであればいずれのものであってもよい。例えば、本発明は、それには限定されないが、複写機、複合機、プリンター、ファクシミリ装置等の画像形成装置や、洗濯機、冷蔵庫、電子レンジ、空調機器等の家庭用電機機器といった電気機器に適用することができる。   Note that the present invention is applicable to a multifunctional terminal device (specifically, a smartphone or a tablet type terminal device), a computer such as a personal computer, or the like, after the boot program is read into the control device and the control device is activated by the boot program. Any one may be used as long as it is used in an electronic circuit system that loads the main program into the control device and activates the control device by the main program. For example, the present invention is applicable to, but not limited to, an image forming apparatus such as a copying machine, a multifunction peripheral, a printer, and a facsimile machine, and an electric device such as a household electric device such as a washing machine, a refrigerator, a microwave oven, and an air conditioner. can do.

本発明は、以上説明した実施の形態に限定されるものではなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、かかる実施の形態はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。   The present invention is not limited to the embodiments described above, but can be implemented in various other forms. Therefore, the embodiments are merely examples in all respects and should not be limitedly interpreted. The scope of the present invention is defined by the scope of the claims, and is not bound by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the equivalent range of the claims are within the scope of the present invention.

101 電子回路システム
102 制御装置
103 ランダムアクセスメモリ
104 NAND型フラッシュメモリ
105 NOR型フラッシュメモリ
106 ブート監視装置
107 RAMインターフェース部
108 NANDインターフェース部
109 NORインターフェース部
110 ネットワークインターフェース部
111 リカバリ通知信号出力部
112 RST信号入力部
113 ブート切替信号入力部
114 ブート状態通知信号出力部
115 グラフィックインターフェース部
116 リカバリ通知信号入力部
117 RST信号出力部
118 ブート切替信号出力部
119 ブート状態通知信号入力部
120 表示装置
ADmp メインプログラム格納アドレス
ADrd リカバリデータ格納アドレス
BASa ブート状態通知信号
BASb ブート状態通知信号
BCSna ブート切替信号
BCSno ブート切替信号
BP ブートプログラム
BPna ブートプログラム
BPnar ブートプログラム
BPno ブートプログラム
BPnrr ブートプログラム
MP メインプログラム
MPna メインプログラム
MPnar メインプログラム
MPnr メインプログラム
MPnrr メインプログラム
NCG ネットワークブートコンフィグレーション
NR ネットワークリソース
NT ネットワーク
RAS リカバリ通知信号
RDna リカバリデータ
RDnr リカバリデータ
RR リカバリデータ格納領域
RSSa RST信号
RSSb RST信号
Rna1 第1格納領域
Rna2 第2格納領域
Rno 格納領域
101 Electronic Circuit System 102 Control Device 103 Random Access Memory 104 NAND Flash Memory 105 NOR Flash Memory 106 Boot Monitoring Device 107 RAM Interface Unit 108 NAND Interface Unit 109 NOR Interface Unit 110 Network Interface Unit 111 Recovery Notification Signal Output Unit 112 RST Signal Input unit 113 Boot switching signal input unit 114 Boot state notification signal output unit 115 Graphic interface unit 116 Recovery notification signal input unit 117 RST signal output unit 118 Boot switching signal output unit 119 Boot state notification signal input unit 120 Display device ADmp Main program storage Address ADrd recovery data storage address BASa boot status notification signal BASb boot status notification signal BCSna boot switching signal BCSno boot switching signal BP boot program BPna boot program BPnar boot program BPno boot program BPnrr boot program MP main program MPna main program MPnar main program MPnr main Program MPnrr Main program NCG Network boot configuration NR Network resource NT Network RAS Recovery notification signal RDna Recovery data RDnr Recovery data RR Recovery data storage area RSSa RST signal RSSb RST signal Rna1 First storage area Rna2 Second storage area Rno storage area

Claims (9)

ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムであって、
前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリと、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリとを備え、
前記制御装置の通常の起動動作として、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、
ネットワークに接続されたネットワークリソースに前記ネットワークを介して接続可能とされており、
前記ネットワークリソースには、前記メインプログラムが格納されており、
前記NOR型フラッシュメモリには、前記ネットワーク上の前記ネットワークリソースと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションが格納されており、
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ネットワークブートコンフィグレーションを設定することにより、前記ネットワークを経由して前記ネットワークリソースに格納されている前記メインプログラムをダウンロードする構成とされていることを特徴とする電子回路システム。
An electronic circuit system in which a boot program is loaded into a control device, the control device is activated by the boot program, and then a main program is loaded into the control device and the control device is activated by the main program,
A NAND flash memory for storing the boot program and the main program; and a NOR flash memory for storing the boot program,
The boot program and the main program stored in the NAND flash memory are used as a normal startup operation of the control device,
It is possible to connect to network resources connected to the network via the network,
The main program is stored in the network resource,
The NOR flash memory stores a network boot configuration for connecting to the network resource on the network,
When it is determined that the control device cannot be normally started, the boot program stored in the NOR flash memory is read into the control device and the boot program from the NOR flash memory causes the control device to operate. start is, and, by setting the network boot configuration stored in the NOR flash memory, is configured you download the main program via said network stored in the network resource An electronic circuit system characterized in that
請求項に記載の電子回路システムであって、
ランダムアクセスメモリを備え、
前記ネットワークリソースから前記ネットワークを経由してダウンロードした前記メインプログラムを前記ランダムアクセスメモリへコピーすることを特徴とする電子回路システム。
The electronic circuit system according to claim 1 , wherein:
Equipped with random access memory,
An electronic circuit system characterized by copying the main program downloaded from the network resource via the network to the random access memory.
請求項1又は請求項に記載の電子回路システムであって、
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合に前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後、前記NAND型フラッシュメモリにメモリ異常が発生している可能性があることを報知することを特徴とする電子回路システム。
The electronic circuit system according to claim 1 or 2 , wherein
When it is determined that the control device cannot be normally started, after the control device is started by the boot program from the NOR flash memory, a memory abnormality may occur in the NAND flash memory. An electronic circuit system that informs that.
請求項に記載の電子回路システムであって、
ネットワークに接続されたネットワークリソースに前記ネットワークを介して接続可能とされており、
前記ネットワークリソースには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、
前記NOR型フラッシュメモリには、前記ネットワーク上の前記ネットワークリソースと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションが格納されており、
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記ネットワークブートコンフィグレーションを設定することにより、前記ネットワークを経由して前記ネットワークリソースに格納されている前記リカバリデータを前記ネットワークリソースからダウンロードし、ダウンロードした前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きすることを特徴とする電子回路システム。
The electronic circuit system according to claim 1 , wherein:
It is possible to connect to network resources connected to the network via the network,
In the network resource, the boot program and the main program are stored as recovery data,
The NOR flash memory stores a network boot configuration for connecting to the network resource on the network,
When it is determined that the control device cannot be started normally, the recovery data stored in the network resource is downloaded from the network resource via the network by setting the network boot configuration. An electronic circuit system, wherein the boot program and the main program of the downloaded recovery data are overwritten in a storage area of the boot program and the main program of the NAND flash memory.
請求項に記載の電子回路システムであって、
前記NAND型フラッシュメモリには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、
前記NOR型フラッシュメモリには、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータのアドレスであるリカバリデータ格納アドレスが格納されており、
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータ格納アドレスにより前記NAND型フラッシュメモリから前記リカバリデータを読み出し、読み出した前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きすることを特徴とする電子回路システム。
The electronic circuit system according to claim 1 , wherein:
The boot program and the main program are stored as recovery data in the NAND flash memory,
The NOR flash memory stores a recovery data storage address which is an address of the recovery data stored in the NAND flash memory,
When it is determined that the control device cannot be normally started, the recovery data is read from the NAND flash memory at the recovery data storage address stored in the NOR flash memory, and the read recovery data is read. An electronic circuit system, wherein a boot program and the main program are overwritten in a storage area of the boot program and the main program of the NAND flash memory.
ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムであって、
前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリと、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリとを備え、
前記制御装置の通常の起動動作として、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、
前記NAND型フラッシュメモリには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、
前記NOR型フラッシュメモリには、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータのアドレスであるリカバリデータ格納アドレスが格納されており、
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータ格納アドレスにより前記NAND型フラッシュメモリから前記リカバリデータを読み出し、読み出した前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きする構成とされていることを特徴とする電子回路システム。
An electronic circuit system for loading a boot program into a control device, activating the control device by the boot program, and then loading a main program into the control device to activate the control device by the main program,
A NAND flash memory for storing the boot program and the main program; and a NOR flash memory for storing the boot program,
The boot program and the main program stored in the NAND flash memory are used as a normal startup operation of the control device,
The boot program and the main program are stored as recovery data in the NAND flash memory,
The NOR flash memory stores a recovery data storage address which is an address of the recovery data stored in the NAND flash memory,
When it is determined that the control device cannot be normally started, the boot program stored in the NOR flash memory is read into the control device and the boot program from the NOR flash memory causes the control device to operate. The recovery program is started up and the recovery data is read from the NAND flash memory at the recovery data storage address stored in the NOR flash memory, and the boot program and the main program of the read recovery data are read by the NAND flash memory. electronic circuit system, characterized by being configured you overwrite the storage area of the boot program and the main program of the flash memory.
請求項4から請求項6までの何れか1つに記載の電子回路システムであって、
前記NAND型フラッシュメモリへの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの上書き後、前記通常の起動動作に戻すことを特徴とする電子回路システム。
The electronic circuit system according to any one of claims 4 to 6 ,
After overwriting the boot program and the main program in the NAND flash memory, the electronic circuit system is returned to the normal startup operation.
ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムにおける前記制御装置の起動方法であって、
前記制御装置の通常の起動動作として、前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、
ネットワークに接続されたネットワークリソースに前記ネットワークを介して接続可能とされており、
前記ネットワークリソースには、前記メインプログラムが格納されており、
前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリには、前記ネットワーク上の前記ネットワークリソースと接続するためのネットワークブートコンフィグレーションが格納されており、
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記ネットワークブートコンフィグレーションを設定することにより、前記ネットワークを経由して前記ネットワークリソースに格納されている前記メインプログラムをダウンロードすることを特徴とする制御装置の起動方法。
A method of activating the control device in an electronic circuit system, comprising: loading a boot program into a control device, activating the control device by the boot program, then loading a main program into the control device, and activating the control device by the main program. There
As a normal start-up operation of the control device, the boot program and the main program stored in the NAND flash memory storing the boot program and the main program are used,
It is possible to connect to network resources connected to the network via the network,
The main program is stored in the network resource,
The NOR flash memory that stores the boot program stores a network boot configuration for connecting to the network resources on the network,
When it is determined that the control device cannot be normally started, the boot program stored in the NOR flash memory storing the boot program is read into the control device and the boot program from the NOR flash memory is read. To start the control device and set the network boot configuration stored in the NOR flash memory to download the main program stored in the network resource via the network. starting the control device according to claim to Rukoto.
ブートプログラムを制御装置に読み込んで前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させた後にメインプログラムを前記制御装置に読み込んで前記メインプログラムにより前記制御装置を起動させる電子回路システムにおける前記制御装置の起動方法であって、A method of activating the control device in an electronic circuit system, comprising: loading a boot program into a control device, activating the control device by the boot program, and then loading a main program into the control device and activating the control device by the main program. There
前記制御装置の通常の起動動作として、前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを格納するNAND型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを用い、As a normal start-up operation of the control device, the boot program and the main program stored in the NAND flash memory storing the boot program and the main program are used,
前記NAND型フラッシュメモリには、リカバリデータとして前記ブートプログラム及び前記メインプログラムが格納されており、The boot program and the main program are stored as recovery data in the NAND flash memory,
前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリには、前記NAND型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータのアドレスであるリカバリデータ格納アドレスが格納されており、The NOR flash memory storing the boot program stores a recovery data storage address which is an address of the recovery data stored in the NAND flash memory,
前記制御装置が正常に起動できないと判断した場合には、前記ブートプログラムを格納するNOR型フラッシュメモリに格納されている前記ブートプログラムを前記制御装置に読み込んで前記NOR型フラッシュメモリからの前記ブートプログラムにより前記制御装置を起動させ、かつ、前記NOR型フラッシュメモリに格納されている前記リカバリデータ格納アドレスにより前記NAND型フラッシュメモリから前記リカバリデータを読み出し、読み出した前記リカバリデータの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムを前記NAND型フラッシュメモリの前記ブートプログラム及び前記メインプログラムの格納領域へ上書きすることを特徴とする制御装置の起動方法。When it is determined that the control device cannot be normally started, the boot program stored in the NOR flash memory storing the boot program is read into the control device and the boot program from the NOR flash memory is read. The control device is activated by the above-mentioned method, the recovery data is read from the NAND flash memory at the recovery data storage address stored in the NOR flash memory, and the boot program and the main of the read recovery data are read. A method of activating a control device, comprising: overwriting a program in a storage area of the boot program and the main program of the NAND flash memory.
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