JP6606786B2 - Biomolecule extraction chip and method for producing biomolecule extraction chip - Google Patents

Biomolecule extraction chip and method for producing biomolecule extraction chip Download PDF

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Description

本発明は、生体分子抽出用チップ、及び生体分子抽出用チップの製造方法に関する。特に、生体分子抽出用チップのマイクロ流路内に形成されたナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれていることで、サンプルの流入速度を速くしても、ナノワイヤがマイクロ流路から剥離せず、効率的に生体分子を抽出することができる生体分子抽出用チップ、及び生体分子抽出用チップの製造方法に関するものである。   The present invention relates to a biomolecule extraction chip and a method for manufacturing a biomolecule extraction chip. In particular, a part of the nanowire formed in the microchannel of the biomolecule extraction chip is embedded in the microchannel, so that the nanowire can be microchanneled even if the flow rate of the sample is increased. The present invention relates to a biomolecule extraction chip that can efficiently extract biomolecules without peeling from the substrate, and a method for manufacturing the biomolecule extraction chip.

エクソソームは早期がん・疾病診断の新規バイオマーカーであるmicroRNA(micro ribonucleic acid;以下、「miRNA」と記載することがある。)を内包しており、体液中や培養上清液中のエクソソームに内包されるmiRNA解析が盛んに行われている。エクソソーム由来miRNAの解析による効果的な未知のバイオマーカー探索や低侵襲診断を行うためには、少ないサンプルから効率的なエクソソームの抽出、つまり、少ない溶液量から得られる情報量の多さが重要である。   The exosome encapsulates microRNA (micro ribonucleic acid; hereinafter sometimes referred to as “miRNA”), which is a novel biomarker for early cancer / disease diagnosis, and is contained in exosomes in body fluids and culture supernatants. The analysis of the included miRNA is actively performed. In order to effectively search for unknown biomarkers by analyzing exosome-derived miRNA and to perform minimally invasive diagnosis, efficient extraction of exosomes from a small sample, that is, a large amount of information obtained from a small amount of solution is important. is there.

既存のエクソソーム分離手法には、超遠心分離法や、凝集試薬法などが知られている。最も一般的に用いられている超遠心分離法は、数10mLのサンプル量及び4〜5時間の分離時間が必要であり、また、回収率も5〜25%程度で効率的にエクソソームを分離することが難しいという問題がある。   As an existing exosome separation method, an ultracentrifugation method, an agglutination reagent method, and the like are known. The most commonly used ultracentrifugation method requires a sample amount of several tens of mL and a separation time of 4 to 5 hours, and also efficiently separates exosomes with a recovery rate of about 5 to 25%. There is a problem that it is difficult.

一方、凝集試薬法では、対象サンプルに凝集試薬を滴下し静置する簡便な手法ではあるが、分離には長時間の静置(0.5時間〜1晩)が必要であり、また、遠心機の使用、粒径の変化や粒子数の減少、マーカータンパク量の減少が生じること等の問題点がある。   On the other hand, the agglutination reagent method is a simple method in which the agglutination reagent is dropped on the target sample and allowed to stand, but the separation requires a long period of time (0.5 hours to overnight). There are problems such as use of a machine, change in particle size, decrease in the number of particles, and decrease in the amount of marker protein.

上記問題点を解決するため、本発明者らは、チップのマイクロ流路内に形成したナノワイヤを用いて、少量の体液や培養上清液からエクソソームをナノワイヤに吸着させることで、エクソソーム由来miRNAを高効率に抽出する方法を発表している(非特許文献1参照)。   In order to solve the above problems, the present inventors adsorb exosome-derived miRNA by adsorbing exosomes from a small amount of body fluid or culture supernatant using nanowires formed in the microchannel of the chip. A method for highly efficient extraction has been announced (see Non-Patent Document 1).

S. Ito et al.,“NANOWIRE DEVICES FOR EXOSOMAL MICRORNA EXTRACTION”, 17th International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry and Life Sciences 27−31 October 2013, Freiburg,GERMANY,要旨集 p1887−1899S. Ito et al. , “NANOWIRE DEVICES FOR EXOSOMAL MICRORNA EXTRACTION”, 17th International Conference on Miniaturized Systems for Chemistry 18: Nr. 18th Annual Science for Chemistry and Life Sciences. Su Zhang et al.,“Growth and replication of ordered ZnO nanowire arrays on general flexible substrates”, J. Mater. Chem., 2010, 20, 10606−10610Su Zhang et al. "Growth and replication of ordered ZnO nanoarrays on general flexible substrates", J. et al. Mater. Chem. , 2010, 20, 10606-10610 Jung Kim et al., “Nanowire−integrated microfluidic devices for facile and reagent−free mechanical cell lysis”, Lab Chip,2012, 12, 2914−2921Jung Kim et al. , “Nanoire-integrated microfluidic devices for Facial and Reagent-free mechanical cell lysis”, Lab Chip, 2012, 12, 2914-2921.

しかしながら、非特許文献1に記載されているチップは、マイクロ流路内の表面からナノワイヤを成長させている。したがって、サンプル回収のスループットを向上させるためにサンプルの投入速度を速くすると、ナノワイヤがマイクロ流路表面から剥離してしまうという問題がある。   However, in the chip described in Non-Patent Document 1, nanowires are grown from the surface in the microchannel. Therefore, if the sample input speed is increased in order to improve the throughput of sample recovery, there is a problem that the nanowires are separated from the surface of the microchannel.

ところで、太陽電池、LED(light emitting diode)、UV(ultraviolet)レザー等のチップに用いられるZnOナノワイヤを効率よく複製するため、図1に示すように、(1)基板表面から成長したナノワイヤを埋め込むように樹脂Iを充填し、(2)基板表面から樹脂を剥離することで、ナノワイヤが埋め込まれた樹脂層Iを作製し、(3)該樹脂層Iに埋め込まれたナノワイヤを成長させ、(4)樹脂層Iの表面から成長したナノワイヤを埋め込むように樹脂IIを充填し、(5)樹脂層Iの表面からナノワイヤを破断するようにして樹脂IIを剥離することで、ナノワイヤが埋め込まれた樹脂層I及び樹脂層IIを作製し、(6)前記樹脂層I及び樹脂層IIを用いて上記(3)〜(5)の手順を繰り返す、という工程により、ナノワイヤの一部が埋め込まれた樹脂を効率的に生産する方法が知られている(非特許文献2参照)。   By the way, in order to efficiently replicate ZnO nanowires used in chips such as solar cells, LEDs (light emitting diodes), and UV (ultraviolet) leathers, as shown in FIG. 1, (1) nanowires grown from the substrate surface are embedded. (2) The resin layer I embedded with nanowires is prepared by peeling the resin from the substrate surface, and (3) nanowires embedded in the resin layer I are grown, 4) The resin II was filled so as to embed nanowires grown from the surface of the resin layer I, and (5) the nanowires were embedded by peeling the resin II so as to break the nanowires from the surface of the resin layer I. The resin layer I and the resin layer II are prepared, and (6) the procedures (3) to (5) are performed using the resin layer I and the resin layer II. A method of efficiently producing a resin in which a part of a nanowire is embedded by a process of repeating is known (see Non-Patent Document 2).

しかしながら、上記非特許文献2に記載されている方法は、ナノワイヤの一部が埋め込まれた樹脂を基に、倍々でナノワイヤの一部が埋め込まれた樹脂を生産するためのものである。したがって、上記工程「(5)樹脂層Iの表面からナノワイヤを破断するようにして樹脂IIを剥離することで、ナノワイヤが埋め込まれた樹脂層I及び樹脂層IIを作製し」の際には、得られた2つの「樹脂層I」及び「樹脂層II」の表面は同じ形にすること、つまり、平面にする必要がある。そのため、非特許文献2に記載されている方法では、マイクロ流路等を設計し、且つマイクロ流路内にナノワイヤの一部を埋め込むことは難しいという問題がある。   However, the method described in Non-Patent Document 2 is for producing a resin in which a part of the nanowire is embedded twice based on the resin in which a part of the nanowire is embedded. Therefore, at the time of the above-mentioned step “(5) producing the resin layer I and the resin layer II in which the nanowire is embedded by peeling the resin II so as to break the nanowire from the surface of the resin layer I”, The surfaces of the two obtained “resin layers I” and “resin layer II” must have the same shape, that is, flat surfaces. Therefore, the method described in Non-Patent Document 2 has a problem that it is difficult to design a microchannel or the like and embed a part of the nanowire in the microchannel.

本発明は、上記従来の問題を解決するためになされた発明であり、鋭意研究を行ったところ、電子線リソグラフィとフォトリソグラフィの技術を駆使することで段差部分を含む基板を作製し、当該段差部分にナノワイヤが成長した基板を鋳型にして生体分子抽出用チップの基板に転写すると、段差部分がマイクロ流路となり、且つ、転写したナノワイヤの一部がマイクロ流路内に埋め込まれ、そして埋め込まれたナノワイヤを成長させることで、ナノワイヤの一部がマイクロ流路内に埋め込まれた生体分子抽出用チップを作製できることを新たに見出し、本発明を完成した。   The present invention has been made in order to solve the above-described conventional problems, and as a result of extensive research, a substrate including a stepped portion is produced by making full use of electron beam lithography and photolithography techniques. When the substrate on which nanowires are grown is used as a template and transferred to the substrate of the biomolecule extraction chip, the stepped portion becomes a microchannel, and a part of the transferred nanowire is embedded in the microchannel and embedded. The inventors have newly found that a biomolecule extraction chip in which a part of the nanowire is embedded in a microchannel can be produced by growing the nanowire, and the present invention has been completed.

すなわち、本発明の目的は、マイクロ流路内に形成されたナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれている生体分子抽出用チップ(以下、「チップ」と記載することがある。)、及び該チップの製造方法を提供することである。   That is, an object of the present invention may be described as a biomolecule extraction chip (hereinafter referred to as “chip”) in which a part of the nanowire formed in the microchannel is embedded in the microchannel. And a method of manufacturing the chip.

本発明は、以下に示す、チップ、及び該チップの製造方法に関する。   The present invention relates to a chip and a method for manufacturing the chip, which will be described below.

(1)基板、該基板上に形成されたマイクロ流路、該マイクロ流路内に形成されたナノワイヤを含み、前記ナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれている生体分子抽出用チップ。
(2)前記ナノワイヤの表面が、プラスに帯電している上記(1)に記載の生体分子抽出用チップ。
(3)前記ナノワイヤの表面が、核酸の等電点より低い等電点の材料で形成されている上記(1)に記載の生体分子抽出用チップ。
(4)前記マイクロ流路の一端にサンプル投入部、他端に残渣又はサンプル回収部が形成され、前記サンプル投入部及び前記残渣又はサンプル回収部の間に前記ナノワイヤが形成されている上記(1)〜(3)の何れか一に記載の生体分子抽出用チップ。
(5)転写することでマイクロ流路を形成するための段差を基板上に形成する工程、
前記段差上にナノワイヤを成長させ、鋳型を作製する工程、
前記鋳型を生体分子抽出用チップの基板に転写する工程、
生体分子抽出用チップのマイクロ流路内に埋め込まれたナノワイヤを成長させる工程、
を含む、ナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれている生体分子抽出用チップの製造方法。
(1) A biomolecule extraction device including a substrate, a microchannel formed on the substrate, and a nanowire formed in the microchannel, and a part of the nanowire is embedded in the microchannel Chip.
(2) The biomolecule extraction chip according to (1), wherein the surface of the nanowire is positively charged.
(3) The biomolecule extraction chip according to (1), wherein the surface of the nanowire is formed of a material having an isoelectric point lower than the isoelectric point of nucleic acid.
(4) The above-mentioned (1), wherein a sample input part is formed at one end of the microchannel, a residue or sample recovery part is formed at the other end, and the nanowire is formed between the sample input part and the residue or sample recovery part The chip for biomolecule extraction according to any one of (1) to (3).
(5) a step of forming a step on the substrate to form a microchannel by transferring;
A step of growing a nanowire on the step and producing a mold;
Transferring the template to the substrate of the biomolecule extraction chip;
A step of growing nanowires embedded in a microchannel of a biomolecule extraction chip;
A method for producing a biomolecule extraction chip in which a part of a nanowire is embedded in the microchannel.

本発明のチップは、マイクロ流路内に形成されたナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれているので、サンプルの流入速度を速くしても、ナノワイヤがマイクロ流路から剥離し難くなる。したがって、生体分子の抽出時間を短縮することができる。   In the chip of the present invention, a part of the nanowire formed in the microchannel is embedded in the microchannel, so that the nanowire is separated from the microchannel even if the inflow rate of the sample is increased. It becomes difficult. Therefore, the extraction time of the biomolecule can be shortened.

また、本発明のチップの製造には、電子線リソグラフィとフォトリソグラフィの技術を用いて作製した段差部分を含む基板を鋳型として用いている。したがって、段差部分、つまり、転写後のマイクロ流路の幅及び深さ等の形状、並びに本数等を任意に設計することができる。   Further, in the manufacture of the chip of the present invention, a substrate including a step portion produced by using electron beam lithography and photolithography techniques is used as a mold. Accordingly, the stepped portion, that is, the shape such as the width and depth of the microchannel after transfer, the number, etc. can be arbitrarily designed.

更に、本発明のチップの製造方法に用いる鋳型の段差部分には、繰り返しナノワイヤを成長させることができる。したがって、同一の鋳型を用いて、チップを繰り返し製造することができる。   Furthermore, nanowires can be repeatedly grown on the step portion of the mold used in the chip manufacturing method of the present invention. Therefore, the chip can be repeatedly manufactured using the same mold.

図1は、従来技術であって、ナノワイヤの一部が埋め込まれた樹脂を効率的に生産する方法を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a conventional method for efficiently producing a resin in which a part of a nanowire is embedded. 図2は、本発明のチップ1の一例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of the chip 1 of the present invention. 図3は、本発明のチップ1の作製工程の一例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a manufacturing process of the chip 1 of the present invention. 図4は、図面代用写真で、図4(1)は実施例1において鋳型である基板11の段差14上で成長したナノワイヤの電界放射型走査電子顕微鏡(Field Emission Scanning Electron Microscope;FESEM)写真、図4(2)は図4(1)を拡大した写真である。FIG. 4 is a drawing-substituting photograph, and FIG. 4 (1) is a field emission scanning electron microscope (FESEM) photograph of a nanowire grown on the step 14 of the substrate 11 which is a mold in Example 1. FIG. 4 (2) is an enlarged photograph of FIG. 4 (1). 図5は、図面代用写真で、図5(1)は実施例1においてポリジメチルシロキサン2を剥離した後の鋳型である基板11の段差14のFESEM写真、図5(2)は図5(1)を拡大した写真である。FIG. 5 is a drawing-substituting photograph, FIG. 5 (1) is an FESEM photograph of the step 14 of the substrate 11 which is a mold after the polydimethylsiloxane 2 is peeled off in Example 1, and FIG. 5 (2) is FIG. ) Is an enlarged photo. 図6は、図面代用写真で、図6(1)は実施例1において鋳型を転写した後のポリジメチルシロキサン2のマイクロ流路3のFESEM写真、図6(2)は図6(1)を拡大した写真である。FIG. 6 is a drawing-substituting photograph, FIG. 6 (1) is a FESEM photograph of the microchannel 3 of polydimethylsiloxane 2 after the template is transferred in Example 1, and FIG. 6 (2) is FIG. 6 (1). It is an enlarged photo. 図7は、図面代用写真で、図7(1)は実施例1においてポリジメチルシロキサン2を剥離した後に、ナノワイヤ17を3.5時間成長させた後のマイクロ流路3のFESEM写真、図7(2)及び(3)は図7(1)を拡大した写真である。FIG. 7 is a drawing-substituting photograph. FIG. 7A is a FESEM photograph of the microchannel 3 after the nanowire 17 is grown for 3.5 hours after the polydimethylsiloxane 2 is peeled off in Example 1. FIG. (2) and (3) are enlarged photographs of FIG. 7 (1). 図8は、図面代用写真で、図8(1)は実施例1においてポリジメチルシロキサン2を剥離した後に、ナノワイヤ17を10時間成長させた後のマイクロ流路3のFESEM写真、図8(2)は図8(1)を拡大した写真である。FIG. 8 is a drawing-substituting photograph, and FIG. 8 (1) is an FESEM photograph of the microchannel 3 after the nanowire 17 is grown for 10 hours after the polydimethylsiloxane 2 is peeled off in Example 1. FIG. ) Is an enlarged photograph of FIG.

以下に、マイクロ流路内に形成されたナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれている生体分子抽出用チップ、及び該チップの製造方法について詳しく説明する。なお、本発明において「ナノワイヤの一部が、マイクロ流路内に埋め込まれている」とは、少なくとも、ナノワイヤを成長させるための核となる粒子又は触媒が、マイクロ流路内の表面に載っているのではなく、マイクロ流路の内部の内壁に埋め込まれていることを意味する。   Hereinafter, a biomolecule extraction chip in which a part of the nanowires formed in the microchannel is embedded in the microchannel and a method for manufacturing the chip will be described in detail. In the present invention, “a part of the nanowire is embedded in the microchannel” means that at least particles or a catalyst serving as a nucleus for growing the nanowire are placed on the surface in the microchannel. It means that it is embedded in the inner wall inside the microchannel.

図2は、本発明のチップの一例を示している。図2に示すチップ1は、基板2、基板2上に形成されたマイクロ流路3、マイクロ流路3の一端に形成されたサンプル投入部4、マイクロ流路3の他端に形成された残渣又はサンプル回収部5を含んでいる。そして、サンプル投入部4及び残渣又はサンプル回収部5の間の流路内(図中の点線部分)に、一部が流路内に埋め込まれたナノワイヤが設けられている。なお、マイクロ流路3にサンプルを直接投入し、また、残渣又はサンプルをマイクロ流路3から直接回収する場合は、サンプル投入部4及び残渣又はサンプル回収部5を設けなくてもよい。   FIG. 2 shows an example of the chip of the present invention. 2 includes a substrate 2, a microchannel 3 formed on the substrate 2, a sample insertion portion 4 formed at one end of the microchannel 3, and a residue formed at the other end of the microchannel 3. Or the sample collection | recovery part 5 is included. And in the flow path (dotted line part in a figure) between the sample injection | throwing-in part 4 and a residue or the sample collection | recovery part 5, the nanowire partially embedded in the flow path is provided. In addition, when a sample is directly input into the microchannel 3 and a residue or sample is directly recovered from the microchannel 3, the sample input unit 4 and the residue or sample recovery unit 5 may not be provided.

本発明のチップ1を用いて、例えば、エクソソームを分離する場合は、シリンジポンプ等を用いてエクソソームを含有するサンプル溶液(培養液、血清・尿等の体液など)をサンプル投入部4から送液し、残渣又はサンプル回収部5からサンプルを分離後の溶液を回収する。そして、サンプル溶液を流し終わった後は、ナノワイヤに吸着したエクソソームを分析すればよい。エクソソームはマイナスに帯電しているので、ナノワイヤの表面はプラスに帯電していることが望ましく、例えば、ZnOナノワイヤ、酸化ニッケル等のプラスに帯電する材料で被覆層を形成したナノワイヤを用いればよい。また、表面がプラスに帯電しているナノワイヤを用いる場合、回収部がマイナスとなるように電場をかけることで、プラスに帯電するタンパク質等の生体分子を抽出することができる。   For example, when separating exosomes using the chip 1 of the present invention, a sample solution containing exosomes (culture fluid, body fluid such as serum and urine) is sent from the sample input unit 4 using a syringe pump or the like. Then, the solution after separating the sample from the residue or the sample collection unit 5 is collected. Then, after the sample solution is flowed, the exosome adsorbed on the nanowire may be analyzed. Since the exosome is negatively charged, the surface of the nanowire is preferably positively charged. For example, a nanowire having a coating layer formed of a positively charged material such as ZnO nanowire or nickel oxide may be used. In addition, when nanowires whose surface is positively charged are used, biomolecules such as proteins that are positively charged can be extracted by applying an electric field so that the recovery part becomes negative.

また、本発明のチップ1を用いて、例えば、細胞、ウイルス、菌から選ばれるサンプルから核酸を抽出する場合は、サンプルを懸濁した懸濁液をサンプル投入部4に投入する。なお、細胞、ウイルス、菌の具体例としては、細胞としては細胞膜構造を有するものが挙げられ、ブドウ球菌、枯草菌、大腸菌、サルモネラ菌、緑膿菌、コレラ菌、赤痢菌、炭疽菌、結核菌、ボツリヌス菌、破傷風菌、レンサ球菌等の細菌類、顆粒球、リンパ球、網赤血球、赤血球、白血球、血小板等の血球細胞、等が挙げられる。ウイルスとしては、ノロウイルス、ロタウイルス、インフルエンザウイルス、アデノウイルス、コロナウイルス、麻疹ウイルス、風疹ウイルス、肝炎ウイルス、ヘルペスウイルス、HIV等が挙げられる。菌としてはキノコ、カビ、酵母などが挙げられ、具体的には、白癬菌、カンジダ、アスペルギルス、出願酵母等が挙げられる。また、エクソソーム以外にも、ミトコンドリア、細胞外小嚢もサンプルとして挙げられる。   For example, when nucleic acid is extracted from a sample selected from cells, viruses, and fungi using the chip 1 of the present invention, a suspension in which the sample is suspended is loaded into the sample loading unit 4. Specific examples of cells, viruses, and fungi include cells having a cell membrane structure. Staphylococcus, Bacillus subtilis, Escherichia coli, Salmonella, Pseudomonas aeruginosa, Vibrio cholerae, Shigella, Bacillus anthracis, Mycobacterium tuberculosis And bacteria such as Clostridium botulinum, tetanus, and streptococci, and blood cells such as granulocytes, lymphocytes, reticulocytes, erythrocytes, leukocytes, and platelets. Examples of viruses include norovirus, rotavirus, influenza virus, adenovirus, coronavirus, measles virus, rubella virus, hepatitis virus, herpes virus, HIV and the like. Examples of the fungi include mushrooms, molds, yeasts, etc., and specifically include ringworm fungi, Candida, Aspergillus, filing yeast, and the like. In addition to exosomes, mitochondria and extracellular vesicles can also be mentioned as samples.

そして、サンプル投入部4をマイナス、残渣又はサンプル回収部5をプラスとなるように電場を印加することで、ナノワイヤでサンプルを破砕し、残渣又はサンプル回収部5から伸長した核酸を回収することができる。なお、本発明のチップ1を用いて核酸を回収する場合は、サンプル投入部4とマイクロ流路3のナノワイヤを設けた部分(図1中の点線部分)の間に、他端に残渣取出部を有するマイクロ流路を接続し、残渣又はサンプル回収部5からは核酸を取り出し、残渣取出部からは破砕した細胞の残渣を取り出せるようにしてもよい。核酸を抽出する場合、ナノワイヤの表面は細胞等の孔から漏出した核酸が静電的相互作用によりナノワイヤに吸着しない方が好ましいことから、ナノワイヤの表面は核酸の等電点より低い等電点の材料から形成されることが好ましい。後述するように、ナノワイヤを成長後、ナノワイヤ表面をSiO2、TiO2等の材料で被覆すればよい。Then, by applying an electric field so that the sample input unit 4 is negative and the residue or sample recovery unit 5 is positive, the sample is crushed with the nanowire, and the nucleic acid extended from the residue or sample recovery unit 5 can be recovered. it can. In addition, when recovering nucleic acid using the chip 1 of the present invention, a residue extraction unit is provided at the other end between the sample input unit 4 and the portion of the microchannel 3 provided with the nanowire (dotted line portion in FIG. 1). The nucleic acid may be taken out from the residue or the sample collection unit 5 and the crushed cell residue may be taken out from the residue extraction unit. When nucleic acid is extracted, it is preferable that the surface of the nanowire has no isoelectric point lower than the isoelectric point of the nucleic acid because the nucleic acid leaked from the pores of the cells and the like is preferably not adsorbed to the nanowire by electrostatic interaction. Preferably formed from a material. As will be described later, after the nanowire is grown, the surface of the nanowire may be covered with a material such as SiO 2 or TiO 2 .

本発明のチップ1は公知の分析装置に組み込むことで分析装置を構成することができる。また、公知の分析装置と併用することで、抽出した生体分子をそのまま分析することもできる。更に、チップ1に抽出した生体分子を分析する分析部を形成してもよい。例えば、本発明のチップ1を用いて核酸を抽出する場合、サンプルから抽出した核酸はナノワイヤ間を流れる際に伸長することから、
(1)チップ1を公知の核酸シークエンサーに組み込める形状とすることで、核酸の抽出と核酸配列の解析を一つの装置で実施することができる。
(2)伸長した核酸を、別途核酸シークエンサーに導入することで核酸配列を解析できる。
(3)チップ1に更に核酸の分析を行う電極等の分析部を形成することで、核酸の抽出と核酸配列の解析を一つの装置で実施できる新たな分析装置を作製することができる。
By incorporating the chip 1 of the present invention into a known analyzer, an analyzer can be configured. Moreover, by using together with a known analyzer, the extracted biomolecule can be analyzed as it is. Further, an analysis unit for analyzing the biomolecule extracted on the chip 1 may be formed. For example, when nucleic acid is extracted using the chip 1 of the present invention, the nucleic acid extracted from the sample elongates when flowing between nanowires,
(1) By making the chip 1 into a shape that can be incorporated into a known nucleic acid sequencer, nucleic acid extraction and nucleic acid sequence analysis can be carried out with one apparatus.
(2) The nucleic acid sequence can be analyzed by separately introducing the extended nucleic acid into a nucleic acid sequencer.
(3) By forming an analysis unit such as an electrode for performing nucleic acid analysis on the chip 1, a new analysis device capable of performing nucleic acid extraction and nucleic acid sequence analysis with a single device can be produced.

本発明のチップ1は、電子線リソグラフィ及びフォトリソグラフィ技術を用いて作製した鋳型を樹脂等に転写し、転写した樹脂等に埋め込まれたナノワイヤを更に成長させることで製造することができる。図3は、本発明のチップ1の作製工程の一例を示している。   The chip 1 of the present invention can be manufactured by transferring a template produced using electron beam lithography and photolithography technology to a resin or the like, and further growing nanowires embedded in the transferred resin or the like. FIG. 3 shows an example of a manufacturing process of the chip 1 of the present invention.

(1)鋳型用の基板11上にCr層12をスパッタで堆積する。
(2)ポジ型フォトレジスト13をスピンコータで塗布する。次いで、転写した際にチップ1のマイクロ流路3に相当するパターンをフォトリソグラフィにより作製する。
(3)Crエッチャント液にてマイクロ流路3に相当するパターン以外のCr層12をエッチングする。
(4)基板11のみを選択的にエッチングする手法によりにより、マイクロ流路3に相当するパターン以外の基板11をエッチングして、マイクロ流路3に相当する段差14を形成する。段差14の深さを調整することで、マイクロ流路3の深さを調整することができる。
(5)Crエッチャント液にて、段差14上のCr層12及びポジ型フォトレジスト13をエッチングする。
(6)基板11上に、ナノワイヤ作製用の粒子又は触媒15をパルスレーザーデポジッション(PLD)で塗布する。
(7)O2プラズマを実施後、電子線リソグラフィ用のレジスト16を塗布し、段差14上でナノワイヤを成長させる場所を電子線リソグラフィで描画する。電子線リソグラフィの描画は、ナノワイヤを成長させたいパターンで形成すればよく、所定間隔でナノワイヤを成長させる場合は所定間隔のドット、ナノワイヤをランダムに成長させたい場合は段差14上の任意の箇所からナノワイヤが成長できるように段差14上の全てを描画すればよい。電子線リソグラフィで描画した後は、レジストを現像・除去する。
(8)レジストが除去され、粒子又は触媒15が露出した場所からナノワイヤ17を成長させ、本発明のチップ1の製造に用いる鋳型を作製する。
(9)チップ1の基板2用の材料を、鋳型に塗布する。
(10)基板2を鋳型から剥離することで、マイクロ流路3内にナノワイヤ17の一部が埋め込まれたチップ1を形成する。
(11)マイクロ流路3内に埋め込まれたナノワイヤ17を更に成長させる。ナノワイヤ17の成長後、サンプル投入部4、残渣又はサンプル回収部5、必要に応じて残渣取出部を形成する。なお、サンプル投入部4、残渣又はサンプル回収部5及び残渣取出部は、フォトリソグラフィでマイクロ流路3を設計する時に同時に設計し、転写により形成してもよい。
(1) The Cr layer 12 is deposited on the mold substrate 11 by sputtering.
(2) A positive photoresist 13 is applied with a spin coater. Next, a pattern corresponding to the microchannel 3 of the chip 1 when transferred is produced by photolithography.
(3) The Cr layer 12 other than the pattern corresponding to the microchannel 3 is etched with a Cr etchant solution.
(4) By etching the substrate 11 only selectively, the substrate 11 other than the pattern corresponding to the microchannel 3 is etched to form the step 14 corresponding to the microchannel 3. The depth of the micro flow path 3 can be adjusted by adjusting the depth of the step 14.
(5) The Cr layer 12 and the positive photoresist 13 on the step 14 are etched with a Cr etchant solution.
(6) Particles or catalyst 15 for producing nanowires are applied on the substrate 11 by pulsed laser deposition (PLD).
(7) After performing the O 2 plasma, a resist 16 for electron beam lithography is applied, and a place where the nanowire is grown on the step 14 is drawn by electron beam lithography. The drawing of electron beam lithography may be formed in a pattern in which nanowires are to be grown. When nanowires are grown at a predetermined interval, dots at predetermined intervals are used. When nanowires are to be grown at random, from any location on the step 14. All that is on the step 14 may be drawn so that the nanowire can grow. After drawing by electron beam lithography, the resist is developed and removed.
(8) The nanowire 17 is grown from the place where the resist is removed and the particles or the catalyst 15 are exposed, and a template used for manufacturing the chip 1 of the present invention is manufactured.
(9) A material for the substrate 2 of the chip 1 is applied to a mold.
(10) The substrate 1 is peeled from the mold to form the chip 1 in which a part of the nanowire 17 is embedded in the microchannel 3.
(11) The nanowire 17 embedded in the microchannel 3 is further grown. After the growth of the nanowire 17, the sample input unit 4, the residue or sample recovery unit 5, and a residue extraction unit as necessary are formed. Note that the sample input unit 4, the residue or sample recovery unit 5, and the residue extraction unit may be simultaneously designed when the microchannel 3 is designed by photolithography, and may be formed by transfer.

チップ1を複数製造する場合は、上記工程で作製した鋳型を用いて、上記の(8)〜(11)の工程を繰り返せばよい。なお、上記の工程は単にチップ1の製造工程の一例を示したもので、基板11上に段差14を形成し、段差14上に成長させたナノワイヤ17をチップ1の基板2に転写することで、チップ1のマイクロ流路3内にナノワイヤ17の一部を埋め込むことができれば特に制限は無い。   When a plurality of chips 1 are manufactured, the above steps (8) to (11) may be repeated using the mold produced in the above step. The above process is merely an example of the manufacturing process of the chip 1, and a step 14 is formed on the substrate 11, and the nanowires 17 grown on the step 14 are transferred to the substrate 2 of the chip 1. There is no particular limitation as long as a part of the nanowire 17 can be embedded in the microchannel 3 of the chip 1.

上記工程において、鋳型用の基板11としては、エッチングにより段差14が形成できるものであれば特に制限はない。例えば、ドライエッチングで段差14を形成する場合は、シリコン、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス等が挙げられる。   In the above steps, the template substrate 11 is not particularly limited as long as the step 14 can be formed by etching. For example, when the step 14 is formed by dry etching, silicon, quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, or the like can be used.

また、ウェットエッチングにより段差14を形成する場合も、ドライエッチングと同様、シリコン、石英ガラス、パイレックス(登録商標)ガラス等を用いればよい。   Also, when the step 14 is formed by wet etching, silicon, quartz glass, Pyrex (registered trademark) glass, or the like may be used as in dry etching.

ポジ型フォトレジスト13としては、TSMR V50、PMER等、半導体製造分野で一般的に使用されているものであれば特に制限はない。また、ポジ型に代え、ネガティブ型のフォトレジストを用いてもよく、SU−8、KMPR等、半導体製造分野で一般的に使用されているものであれば特に制限はない。   The positive photoresist 13 is not particularly limited as long as it is generally used in the semiconductor manufacturing field, such as TSMR V50 and PMER. In addition, a negative type photoresist may be used instead of the positive type, and there is no particular limitation as long as it is generally used in the semiconductor manufacturing field, such as SU-8 and KMPR.

Cr層12のエッチャント液は、H2O:Ce(NH42(NO36:HClO4等、Crをエッチングできるものであれば特に制限はない。また、本発明はCrに限定されるのではなく、Cr以外の材料を堆積し、該材料をエッチングできるエッチャント液と組み合わせて用いてもよい。The etchant solution for the Cr layer 12 is not particularly limited as long as it can etch Cr, such as H 2 O: Ce (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 : HClO 4 . Further, the present invention is not limited to Cr, and a material other than Cr may be deposited and used in combination with an etchant that can etch the material.

基板11のみを選択的にエッチングする手法として、基板11をドライエッチングする場合は、六フッ化硫黄(SF6)、四フッ化炭素(CF4)、トリフルオロメタン(CHF3)等の公知のドライエッチング用のガスを用いればよい。また、基板11をウェットエッチングする場合、基板11がガラスの場合はフッ化水素(HF)、シリコンの場合は水酸化カリウム(KOH)、水酸化ナトリウム(NaOH)等を用いればよい。As a method for selectively etching only the substrate 11, when dry etching is performed on the substrate 11, a known dry method such as sulfur hexafluoride (SF 6 ), carbon tetrafluoride (CF 4 ), trifluoromethane (CHF 3 ), or the like. An etching gas may be used. When the substrate 11 is wet-etched, hydrogen fluoride (HF) may be used when the substrate 11 is glass, and potassium hydroxide (KOH), sodium hydroxide (NaOH), or the like may be used when silicon is used.

ナノワイヤ17作製用の粒子15としては、例えば、ZnOが挙げられる。また、ナノワイヤ17作製用の触媒15としては、例えば、金、プラチナ、アルミニウム、銅、鉄、コバルト、銀、錫、インジウム、亜鉛、ガリウム等が挙げられる。   Examples of the particles 15 for producing the nanowire 17 include ZnO. Examples of the catalyst 15 for producing the nanowire 17 include gold, platinum, aluminum, copper, iron, cobalt, silver, tin, indium, zinc, and gallium.

電子線リソグラフィ用のレジスト16としては、ZEP520、PMMA等、半導体分野で一般的に用いられているものであれば特に制限はない。また、レジストの除去液としては、ジメチルホルムアミドとアセトン等、半導体分野で一般的な除去液であれば特に制限はない。   The resist 16 for electron beam lithography is not particularly limited as long as it is generally used in the semiconductor field, such as ZEP520 and PMMA. The resist removing solution is not particularly limited as long as it is a common removing solution in the semiconductor field, such as dimethylformamide and acetone.

段差14上において、ナノワイヤ17は、粒子又は触媒15から公知の方法で成長させればよい。例えば、粒子15としてZnO微粒子を用いた場合は、非特許文献3に記載されている水熱合成方法を用いて作製することができる。具体的には、硝酸亜鉛六水和物(Zn(NO32・6H2O)、ヘキサメチレンテトラミン(C6124)を脱イオン水に溶解した前駆体溶液に、加熱した基板11を浸漬させることで、段差14のZnO粒子15が露出している部分から、ZnOナノワイヤ17を成長させることができる。On the step 14, the nanowire 17 may be grown from the particles or the catalyst 15 by a known method. For example, when ZnO fine particles are used as the particles 15, they can be produced using the hydrothermal synthesis method described in Non-Patent Document 3. Specifically, a heated substrate in a precursor solution in which zinc nitrate hexahydrate (Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O) and hexamethylenetetramine (C 6 H 12 N 4 ) are dissolved in deionized water. By immersing 11, the ZnO nanowire 17 can be grown from the portion where the ZnO particles 15 of the step 14 are exposed.

触媒15を用いる場合は、次の工程でナノワイヤ17を作製することができる。
(a)SiO2、Li2O、MgO、Al23、CaO、TiO2、Mn23、Fe23、CoO、NiO、CuO、ZnO、Ga23、SrO、In23、SnO2、Sm23、EuO等の材料を用い、パルスレーザーデポジション、VLS(Vapor−Liquid−Solid)法等の物理蒸着法でコアナノワイヤを形成する。
(b)SiO2、TiO2等を用い、スパッタリング、EB(Electron Beam)蒸着、PVD(Physical Vapor Deposition)、ALD(Atomic Layer Deposition)等の一般的な蒸着法により、コアナノワイヤの周囲に被覆層を形成する。なお、段差14上で触媒15を用いてナノワイヤを成長する場合、上記(b)の被覆層は必須ではなく、コアナノワイヤのみを成長させ転写させてもよい。
When the catalyst 15 is used, the nanowire 17 can be produced by the following process.
(A) SiO 2, Li 2 O, MgO, Al 2 O 3, CaO, TiO 2, Mn 2 O 3, Fe 2 O 3, CoO, NiO, CuO, ZnO, Ga 2 O 3, SrO, In 2 O 3 , SnO 2 , Sm 2 O 3 , EuO and other materials are used to form the core nanowire by physical vapor deposition such as pulse laser deposition and VLS (Vapor-Liquid-Solid) method.
(B) A coating layer around the core nanowire by using a general vapor deposition method such as sputtering, EB (Electron Beam) vapor deposition, PVD (Physical Vapor Deposition), ALD (Atomic Layer Deposition) using SiO 2 , TiO 2 or the like. Form. In addition, when growing a nanowire using the catalyst 15 on the level | step difference 14, the coating layer of said (b) is not essential, You may grow and transfer only a core nanowire.

本発明では、段差14上で成長させるナノワイヤ17の長さに応じて、転写後のマイクロ流路3内に埋め込まれるナノワイヤの長さが決まる。したがって、サンプル流入速度を速くしたい場合は、埋め込まれるナノワイヤの長さが長くなるように、段差14上でのナノワイヤ17の成長を適宜調整すればよい。なお、例えば、段差14上の電子線リソグラフィ用レジスト16を全て描画した場合は、ナノワイヤ作製用の粒子又は触媒15が段差14上に露出した状態になる。この状態でチップ1を作製するための基板2に転写すると、段差14上の粒子又は触媒15の少なくとも1部がマイクロ流路3内に埋め込まれるように転写される。この埋め込まれた粒子又は触媒15からナノワイヤ17を成長させることで、一部がマイクロ流路3内に埋め込まれたナノワイヤ17を作製することもできる。   In the present invention, the length of the nanowire embedded in the microchannel 3 after the transfer is determined according to the length of the nanowire 17 grown on the step 14. Therefore, when it is desired to increase the sample inflow rate, the growth of the nanowire 17 on the step 14 may be adjusted as appropriate so that the length of the embedded nanowire becomes longer. For example, when all of the electron beam lithography resist 16 on the step 14 is drawn, the nanowire-producing particles or the catalyst 15 are exposed on the step 14. When transferred to the substrate 2 for producing the chip 1 in this state, the particles on the step 14 or the catalyst 15 are transferred so as to be embedded in the microchannel 3. By growing the nanowire 17 from the embedded particle or catalyst 15, the nanowire 17 partially embedded in the microchannel 3 can also be produced.

本発明のチップ1を作製するための基板2としては、鋳型を転写できるものであれば特に制限はない。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ABS(アクリロニトリルブタジエンスチレン)樹脂、AS(アクリロニトリルスチレン)樹脂、アクリル樹脂(PMMA)等の熱可塑性樹脂;フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、熱硬化性ポリイミド、シリコーンゴム等の熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、チップ1をそのまま使用して目的とする生体分子を分析する場合は光透過性があり生体分子と非親和性の樹脂が望ましく、例えば、シクロオレフィンポリマー(COP)、ポリジメチルシロキサン(PDMS)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、硬質ポリエチレン製等のプラスチック、シリコン等が挙げられる。   The substrate 2 for producing the chip 1 of the present invention is not particularly limited as long as the template can be transferred. For example, thermoplastic resins such as polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polystyrene, polyvinyl acetate, polytetrafluoroethylene, ABS (acrylonitrile butadiene styrene) resin, AS (acrylonitrile styrene) resin, acrylic resin (PMMA), etc. A thermosetting resin such as phenol resin, epoxy resin, melamine resin, urea resin, unsaturated polyester resin, alkyd resin, polyurethane, thermosetting polyimide, silicone rubber; In addition, when analyzing the target biomolecule using the chip 1 as it is, a resin having light permeability and non-affinity with the biomolecule is desirable. For example, cycloolefin polymer (COP), polydimethylsiloxane (PDMS) , Polymethyl methacrylate (PMMA), polycarbonate (PC), plastic made of hard polyethylene, silicon and the like.

基板2を剥離後のマイクロ流路3に埋め込まれたナノワイヤ17の成長は、上記と同様の手順で行えばよい。なお、触媒15を用いてナノワイヤ17を成長させる場合、ナノワイヤ17は、分岐鎖を有していなくてもよいし、分岐鎖を有していてもよい。   The growth of the nanowire 17 embedded in the microchannel 3 after peeling off the substrate 2 may be performed in the same procedure as described above. In addition, when growing the nanowire 17 using the catalyst 15, the nanowire 17 may not have a branched chain and may have a branched chain.

マイクロ流路3内で成長させるナノワイヤ17の直径は、目的に応じて適宜調整すればよい。例えば、エクソソームを吸着させる場合は、あまり細すぎるとエクソソームを破壊する恐れがあることから、エクソソームより大きくすればよく、例えば、100nm以上とすればよい。また、細胞等を破砕する場合は、破砕する目的である細胞、ウイルス、菌等の大きさ、細胞膜又は細胞壁の強度等に応じて直径を変えればよく、例えば、原核細胞は1μm〜10μm、真核細胞は5μm〜10μm、ウイルスは数10nm〜数100nm、血球細胞は7μm〜15μmの大きさであることから、ナノワイヤの直径は、10nm以上、15nm以上、20nm以上、又は25nm以上であってもよい。また、ナノワイヤの直径は、破砕する目的である細胞等よりは小さい必要があり、例えば、200nm以下、150nm以下、100nm以下、90nm以下、80nm以下、70nm以下、60nm以下、又は50nm以下であってもよい。   The diameter of the nanowire 17 grown in the microchannel 3 may be appropriately adjusted according to the purpose. For example, when adsorbing an exosome, if it is too thin, the exosome may be destroyed. Therefore, it may be larger than the exosome, for example, 100 nm or more. Moreover, when crushing cells, etc., the diameter may be changed according to the size of cells, viruses, fungi, etc., the strength of the cell membrane or cell wall, etc., and the prokaryotic cells are 1 μm to 10 μm, true Nucleus cells are 5 μm to 10 μm, viruses are several tens to several hundreds of nm, blood cells are 7 μm to 15 μm in size, so the diameter of the nanowire may be 10 nm or more, 15 nm or more, 20 nm or more, or 25 nm or more. Good. In addition, the diameter of the nanowire needs to be smaller than the cell or the like that is the object of crushing, for example, 200 nm or less, 150 nm or less, 100 nm or less, 90 nm or less, 80 nm or less, 70 nm or less, 60 nm or less, or 50 nm or less. Also good.

ナノワイヤ17の直径は、粒子15を用いて形成する場合は、段差14に塗布する粒子のサイズを変更する、または、作製したナノワイヤ17に被覆層を形成することで適宜調整することができる。被覆層は、触媒15を用いた場合の被覆層と同じ材料及び被覆方法で形成されてもよく、蒸着時間を適宜調整すればよい。また、触媒15を用いて成長させる場合も、被覆層を形成する際の蒸着時間を変えることで直径を適宜調整することができる。   When the nanowire 17 is formed using the particles 15, the diameter of the nanowire 17 can be appropriately adjusted by changing the size of the particles applied to the step 14 or by forming a coating layer on the produced nanowire 17. The coating layer may be formed with the same material and coating method as the coating layer when the catalyst 15 is used, and the deposition time may be adjusted as appropriate. Moreover, also when growing using the catalyst 15, a diameter can be suitably adjusted by changing the vapor deposition time at the time of forming a coating layer.

ナノワイヤ17の長さは、マイクロ流路3の深さ等を考慮して、適宜調整すればよい。ナノワイヤ17の長さは、粒子15を用いて形成する場合は、前駆体溶液への浸漬時間を変えることで調整することができる。また、触媒15を用いて形成する場合は、コアナノワイヤを形成した後のVLSによる成長時間を変えることで適宜調整することができる。   The length of the nanowire 17 may be adjusted as appropriate in consideration of the depth of the microchannel 3 and the like. The length of the nanowire 17 can be adjusted by changing the immersion time in the precursor solution when formed using the particles 15. Moreover, when forming using the catalyst 15, it can adjust suitably by changing the growth time by VLS after forming core nanowire.

チップ1に形成するマイクロ流路3の深さ及び幅は特に制限は無く、目的とする生体分子に併せて調整すればよいが、マイクロ流路3の空間体積を小さくし過ぎると圧力損失が大きくなるので、例えば、深さ及び幅を1μm以上としてもよい。また、チップ1に形成するマイクロ流路3の本数も特に制限は無く、チップ1上に複数のマイクロ流路3を設けてもよい。マイクロ流路3の幅、深さは、段差14の幅及び高さで調整することができ、マイクロ流路3の本数は、段差14の本数で調整することができる。   The depth and width of the microchannel 3 formed on the chip 1 are not particularly limited and may be adjusted according to the target biomolecule. However, if the space volume of the microchannel 3 is too small, the pressure loss increases. Therefore, for example, the depth and width may be 1 μm or more. Further, the number of micro flow paths 3 formed on the chip 1 is not particularly limited, and a plurality of micro flow paths 3 may be provided on the chip 1. The width and depth of the microchannel 3 can be adjusted by the width and height of the step 14, and the number of the microchannel 3 can be adjusted by the number of the steps 14.

サンプル投入部4、残渣又はサンプル回収部5、残渣取出部をマイクロ流路3と一緒に設計しない場合は、鋳型を基板2に転写後に、生検トレパン、超音波ドリル等を用いて形成すればよい。   If the sample input unit 4, residue or sample recovery unit 5, and residue extraction unit are not designed together with the micro flow path 3, the template is transferred to the substrate 2 and then formed using a biopsy trepan, ultrasonic drill, or the like. Good.

以下に実施例を掲げ、本発明を具体的に説明するが、この実施例は単に本発明の説明のため、その具体的な態様の参考のために提供されているものである。これらの例示は本発明の特定の具体的な態様を説明するためのものであるが、本願で開示する発明の範囲を限定したり、あるいは制限することを表すものではない。   The present invention will be described in detail with reference to the following examples, which are provided merely for the purpose of illustrating the present invention and for reference to specific embodiments thereof. These exemplifications are for explaining specific specific embodiments of the present invention, but are not intended to limit or limit the scope of the invention disclosed in the present application.

<実施例1>
〔チップの作製〕
本発明のチップは以下の手順により作製した。
(1)RF(radio frequency)スパッタ装置(SVC−700LRF、Sanyu Denshi)を用いて、シリコン(111)基板11上(株式会社エレクトロニクスエンドマテリアルズコーポレーション)に800nmの厚さのCr層12を堆積させた。
<Example 1>
[Chip fabrication]
The chip of the present invention was produced by the following procedure.
(1) An 800 nm thick Cr layer 12 is deposited on a silicon (111) substrate 11 (Electronic End Materials Corporation) using an RF (radio frequency) sputtering apparatus (SVC-700LRF, Sanyu Denshi). It was.

(2)ポジ型フォトレジスト13(TSMR V50、Tokyo Ohka Kogyo Co.)をスピンコータにより塗布した。その後、フォトリソグラフィにより幅約1mm、両端部に直径約2mmの円を有する長さ約11mmのマイクロ流路3に相当するパターンを作製した。パターン作製後は、SMR−V50 EL(Tokyo Ohka Kogyo Co.)でレジストを現像した。 (2) A positive photoresist 13 (TSMR V50, Tokyo Ohka Kogyo Co.) was applied by a spin coater. Thereafter, a pattern corresponding to the microchannel 3 having a length of about 11 mm having a circle of about 1 mm in width and a diameter of about 2 mm at both ends was produced by photolithography. After pattern formation, the resist was developed with SMR-V50 EL (Tokyo Ohka Kogyo Co.).

(3)Crエッチャント液(HO:Ce(NH42(NO36:HClO4=85:10:5(質量%比))にて、マイクロ流路3に相当するパターン以外のシリコン上のCr層をエッチングした。(3) In a Cr etchant solution (H 2 O: Ce (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 : HClO 4 = 85: 10: 5 (mass% ratio)), other than the pattern corresponding to the microchannel 3 The Cr layer on the silicon was etched.

(4)反応性イオンエッチング装置(RIE−10NR、Samco Co.)を用いてCF4ガスにより、マイクロ流路3に相当するパターン以外の基板11を深さ約1μmエッチングした。(4) Using a reactive ion etching apparatus (RIE-10NR, Samco Co.), the substrate 11 other than the pattern corresponding to the microchannel 3 was etched by a depth of about 1 μm with CF 4 gas.

(5)上記(3)と同様のCrエッチャント液を用いて、マイクロ流路3に相当するパターン上のCr層12及びポジ型フォトレジスト13を除去することで、深さ約1μmの段差14(転写後のマイクロ流路3に相当)を作製した。 (5) Using the same Cr etchant solution as in (3) above, removing the Cr layer 12 and the positive photoresist 13 on the pattern corresponding to the microchannel 3, the step 14 (depth 1 μm) ( Corresponding to microchannel 3 after transfer).

(6)ZnOペレット(純度4N、株式会社高純度化学研究所製)を用いて、シリコン基板11上に、パルスレーザーデポジション装置(PLD−YA−8670、湘南工業株式会社製)を用いて約100nmの厚さとなるように塗布した。 (6) Using ZnO pellets (purity 4N, manufactured by Kojundo Chemical Laboratory Co., Ltd.) on the silicon substrate 11, using a pulse laser deposition apparatus (PLD-YA-8670, manufactured by Shonan Kogyo Co., Ltd.) The coating was applied to a thickness of 100 nm.

(7)ポジ型電子線レジスト16(ZEP520A、Zeon Corp.)をスピンコータにより約500nmとなるように塗布した。次に、電子線リソグラフィ(SPG−724、Sanyu Electron Co.)により、ナノワイヤ17を成長させるスポットのパターン(直径約500nmの円、任意のスポットと隣接するスポットの端部との間隔は約1μmの格子状)を描画した。描画後、ZEP 520 A7を用いてポジ型電子線レジスト16を現像してスポット部分のポジ型電子線レジスト16を除去することで、段差14上にZnO粒子層まで到達するスポットパターンを作製した。 (7) A positive electron beam resist 16 (ZEP520A, Zeon Corp.) was applied to a thickness of about 500 nm by a spin coater. Next, by electron beam lithography (SPG-724, Sanyu Electron Co.), a pattern of spots on which nanowires 17 are grown (a circle having a diameter of about 500 nm, a distance between an arbitrary spot and an end of an adjacent spot is about 1 μm) (Lattice). After the drawing, the positive electron beam resist 16 was developed using ZEP 520 A7 to remove the spot type positive electron beam resist 16, thereby producing a spot pattern reaching the ZnO particle layer on the step 14.

(8)硝酸亜鉛六水和物(Zn(NO32・6H2O、98%、シグマ・アドリッチ社製)を0.04461g、ヘキサメチレンテトラミン((C6124)、99%、シグマ・アドリッチ社製)を0.02103g、脱イオン水50mLに加えて、硝酸亜鉛六水和物とヘキサメチレンテトラミンが3mMの前駆体溶液を作成した。次に、基板11を前駆体溶液に入れ、95°Cのオーブンに10時間浸漬させることで、ZnO粒子層からナノワイヤ17を成長させることで鋳型を作製した。図4(1)は、基板11の段差14上で成長したナノワイヤのFESEM写真で、図4(2)は、図4(1)の写真を更に拡大した写真である。図4(1)及び(2)の写真から明らかなように、段差14上のスポットからナノワイヤが上方に向かって成長していることが確認された。なお、図4(2)に示すナノワイヤの長さは、段差14上のポジ型電子線レジスト16の層から約2μmであった。(8) 0.04461 g of zinc nitrate hexahydrate (Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O, 98%, manufactured by Sigma Adrich), hexamethylenetetramine ((C 6 H 12 N 4 ), 99 + %, Sigma Adrich Co.) was added to 0.02103 g and 50 mL of deionized water to prepare a precursor solution of 3 mM zinc nitrate hexahydrate and hexamethylenetetramine. Next, the substrate 11 was placed in the precursor solution and immersed in a 95 ° C. oven for 10 hours to grow the nanowire 17 from the ZnO particle layer, thereby producing a template. 4 (1) is a FESEM photograph of nanowires grown on the step 14 of the substrate 11, and FIG. 4 (2) is an enlarged photograph of the photograph of FIG. 4 (1). As is clear from the photographs of FIGS. 4A and 4B, it was confirmed that the nanowires grew upward from the spot on the step 14. Note that the length of the nanowire shown in FIG. 4B was about 2 μm from the layer of the positive electron beam resist 16 on the step 14.

(9)チップ1の基板2となるポリジメチルシロキサン2(PDMS、Silpot 184, Dow Corning Toray)は、プレポリマー(Silpot 184, Dow Corning Toray)と硬化剤(Catalyst Solpot 184, Dow Corning Toray)を重量比10:1で混合し、5分間静置後、真空中にて30分間脱泡した。その後、作製したPDMSを上記(8)で作製した鋳型に流し込み、真空中にて1時間脱泡、75℃で2時間加熱した。 (9) Polydimethylsiloxane 2 (PDMS, Silpot 184, Dow Corning Toray) to be the substrate 2 of the chip 1 is made of prepolymer (Silpot 184, Dow Corning Toray) and a curing agent (Catalyst Solpot 184, Dow Corning Toray). The mixture was mixed at a ratio of 10: 1, allowed to stand for 5 minutes, and then degassed in vacuum for 30 minutes. Thereafter, the produced PDMS was poured into the mold produced in the above (8), defoamed in vacuum for 1 hour, and heated at 75 ° C. for 2 hours.

(10)鋳型から上記(9)で流し込んだポリジメチルシロキサン2を手で剥離した。図5(1)は、ポリジメチルシロキサン2を剥離した後の基板11の段差14のFESEM写真で、図5(2)は、図5(1)の写真を更に拡大した写真である。図5(1)及び(2)の写真から明らかなように、ポリジメチルシロキサン2を剥離した後のナノワイヤ17は根元部分から切断されていた。一方、図6(1)は、鋳型が転写されたポリジメチルシロキサン2のマイクロ流路3部分のFESEM写真で、図6(2)は、図6(1)の写真を更に拡大した写真である。図6(1)及び(2)の写真から明らかなように、ナノワイヤ17の一部がマイクロ流路3内に包み込まれるように埋設されていた。 (10) The polydimethylsiloxane 2 poured in (9) from the mold was peeled off by hand. FIG. 5 (1) is a FESEM photograph of the step 14 of the substrate 11 after the polydimethylsiloxane 2 is peeled, and FIG. 5 (2) is a photograph further enlarging the photograph of FIG. 5 (1). As is clear from the photographs in FIGS. 5 (1) and (2), the nanowire 17 after the polydimethylsiloxane 2 was peeled was cut from the root portion. On the other hand, FIG. 6 (1) is a FESEM photograph of the microchannel 3 portion of the polydimethylsiloxane 2 to which the template has been transferred, and FIG. 6 (2) is a photograph further enlarging the photograph of FIG. 6 (1). . As is clear from the photographs in FIGS. 6 (1) and (2), a part of the nanowire 17 was embedded in the microchannel 3.

(11)上記工程(8)と同様の手順で、ポリジメチルシロキサン2に埋め込まれているナノワイヤ17の断面から、更にナノワイヤ17を成長させた。図7(1)は、3.5時間後のマイクロ流路3のFESEM写真で、図7(2)及び(3)は、図7(1)の写真を更に拡大した写真である。図8(1)は、10時間後のマイクロ流路3のFESEM写真で、図8(2)は、図8(1)の写真を更に拡大した写真である。図6〜図8に示す写真から明らかなように、ポリジメチルシロキサン2のマイクロ流路3内に転写したナノワイヤ17が更に成長したことが確認できた。なお、図8(2)に示す、個々のナノワイヤ17の直径は約100nmであった。 (11) Nanowires 17 were further grown from the cross section of the nanowires 17 embedded in the polydimethylsiloxane 2 by the same procedure as in the above step (8). FIG. 7 (1) is a FESEM photograph of the microchannel 3 after 3.5 hours, and FIGS. 7 (2) and (3) are photographs obtained by further enlarging the photograph of FIG. 7 (1). FIG. 8 (1) is a FESEM photograph of the microchannel 3 after 10 hours, and FIG. 8 (2) is a photograph further enlarging the photograph of FIG. 8 (1). As is apparent from the photographs shown in FIGS. 6 to 8, it was confirmed that the nanowire 17 transferred into the microchannel 3 of the polydimethylsiloxane 2 was further grown. In addition, the diameter of each nanowire 17 shown in FIG. 8 (2) was about 100 nm.

本発明の生体分子抽出用チップは、ナノワイヤの一部がマイクロ流路内に埋め込まれていることから、サンプルの流入速度を速くしても、ナノワイヤがマイクロ流路から剥離し難くなる。したがって、サンプルから生体分子を抽出する速度を向上することができるので、医療機関、大学、企業、研究機関等において、生体分子迅速な抽出に有用である。   In the biomolecule extraction chip of the present invention, since a part of the nanowire is embedded in the microchannel, it is difficult for the nanowire to be separated from the microchannel even if the flow rate of the sample is increased. Therefore, since the speed of extracting biomolecules from a sample can be improved, it is useful for rapid biomolecule extraction in medical institutions, universities, companies, research institutions, and the like.

Claims (5)

基板、該基板上に形成されたマイクロ流路、該マイクロ流路内に形成されたナノワイヤを含み、前記ナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれている生体分子抽出用チップ。   A biomolecule extraction chip comprising a substrate, a microchannel formed on the substrate, and a nanowire formed in the microchannel, and a part of the nanowire is embedded in the microchannel. 前記ナノワイヤの表面が、プラスに帯電している請求項1に記載の生体分子抽出用チップ。   The biomolecule extraction chip according to claim 1, wherein the surface of the nanowire is positively charged. 前記ナノワイヤの表面が、核酸の等電点より低い等電点の材料で形成されている請求項1に記載の生体分子抽出用チップ。   The biomolecule extraction chip according to claim 1, wherein a surface of the nanowire is formed of a material having an isoelectric point lower than that of a nucleic acid. 前記マイクロ流路の一端にサンプル投入部、他端に残渣又はサンプル回収部が形成され、前記サンプル投入部及び前記残渣又はサンプル回収部の間に前記ナノワイヤが形成されている請求項1〜3の何れか一項に記載の生体分子抽出用チップ。   The sample input part and the residue or sample recovery part are formed at one end of the microchannel, and the nanowire is formed between the sample input part and the residue or sample recovery part. The biomolecule extraction chip according to any one of the above. 転写することでマイクロ流路を形成するための段差を基板上に形成する工程、
前記段差上にナノワイヤを成長させ、鋳型を作製する工程、
前記鋳型を生体分子抽出用チップの基板に転写する工程、
生体分子抽出用チップのマイクロ流路内に埋め込まれたナノワイヤを成長させる工程、
を含む、ナノワイヤの一部が、前記マイクロ流路内に埋め込まれている生体分子抽出用チップの製造方法。
Forming a step on the substrate to form a microchannel by transferring,
A step of growing a nanowire on the step and producing a mold;
Transferring the template to the substrate of the biomolecule extraction chip;
A step of growing nanowires embedded in a microchannel of a biomolecule extraction chip;
A method for producing a biomolecule extraction chip in which a part of a nanowire is embedded in the microchannel.
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