JP6587841B2 - 検出装置および測定装置 - Google Patents
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Description
また、請求項3記載の検出装置は、請求項1または2記載の検出装置において、前記第2支持体は、底板と、前記第1支持体から離間して当該第1支持体の外側に位置するように前記底板に立設された外周壁とを備えて構成され、前記第1支持体の基端部は、前記第2支持体の前記底板に連結されている。
また、請求項4記載の検出装置は、請求項1から3のいずれかに記載の検出装置において、前記第1支持体、第2支持体および第3支持体が一体に形成されている。
C=2πεl/ln(b/a)・・・式(1)
上記の式(1)から、第1導電体の外周aに対する第2導電体の内径bの比率(bとaとの差)が大きいほど、つまり、第1導電体と第2導電体とが離間しているほど、静電容量Cが小さくなることが理解される。また、式(1)から、誘電率εが小さいほど、静電容量Cが小さくなることが理解される。
2 検出部
3 導電体
4 支持部
5 基板
11 第1シールド
12 第2シールド
13 第3シールド
21a 挿通孔
41 第1支持体
42 第2支持体
43 第3支持体
51 隙間
100 電流測定装置
Claims (5)
- 中央部に挿通孔を有する検出部と、当該検出部の前記挿通孔に挿通された導電体と、前記検出部および前記導電体を支持する支持部と、前記検出部をシールドするシールド部とを備えて前記導電体に電流が流れたときに生じる物理量を検出する検出装置であって、
前記支持部は、絶縁体で形成されると共に内側に挿入された前記導電体を支持する筒状の第1支持体と、絶縁体で形成されると共に当該第1支持体から離間して当該第1支持体の外側に配置された筒状の第2支持体と、絶縁体で形成されると共に前記第2支持体の外側に配置されて前記挿通孔に前記第1支持体を挿通させた状態で当該第2支持体の外側に配設された前記検出部を支持する第3支持体とを備えて構成され、
前記シールド部は、前記支持部の周囲に配設されて前記検出部をシールドする外周シールドと、前記第1支持体と前記第2支持体との間に配設されて前記導電体をシールドする筒状の内周シールドとを備えて構成され、
前記内周シールドは、当該内周シールドにおける先端部から基端部までの全領域が前記第1支持体から所定幅以上に離間した状態で前記第2支持体によって支持されている検出装置。 - 前記第1支持体と前記内周シールドとの間が空間の状態に維持されている請求項1記載の検出装置。
- 前記第2支持体は、底板と、前記第1支持体から離間して当該第1支持体の外側に位置するように前記底板に立設された外周壁とを備えて構成され、
前記第1支持体の基端部は、前記第2支持体の前記底板に連結されている請求項1または2記載の検出装置。 - 前記第1支持体、第2支持体および第3支持体が一体に形成されている請求項1から3のいずれかに記載の検出装置。
- 請求項1から4のいずれかに記載の検出装置と、当該検出装置によって検出された前記物理量に基づいて前記電流を測定する測定部とを備えている測定装置。
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JP6147111B2 (ja) * | 2013-06-25 | 2017-06-14 | 日置電機株式会社 | 取付け機構および測定装置 |
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2015
- 2015-06-18 JP JP2015123068A patent/JP6587841B2/ja active Active
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