JP6587765B1 - 赤外led素子 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 174
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 23
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 192
- 238000000034 method Methods 0.000 description 66
- 230000008569 process Effects 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 11
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000052343 Dares Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 ITO Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
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Abstract
Description
赤外LED素子であって、
InPを含んでなり、第一導電型のドーパント濃度が1×1017/cm3以上、3×1018/cm3未満を示す基板と、
前記基板の上層に形成された、前記第一導電型を示す第一半導体層と、
前記第一半導体層の上層に形成された活性層と、
前記活性層の上層に形成され、前記第一導電型とは異なる第二導電型を示す第二半導体層とを有し、
前記基板は、前記基板の面のうちの、前記第一半導体層が形成されている側とは反対側の第一面及び当該第一面とは反対側の第二面以外の面である側面に凹凸部を有し、
主たる発光波長が1000nm以上、1800nm未満を示すことを特徴とする。
前記基板の面のうち、第一面に形成された第一電極と、
前記第二半導体層の上層に形成された第二電極とを有するものとしても構わない。
本発明に係る赤外LED素子の第一実施形態の構成につき、説明する。
図1は、本実施形態の赤外LED素子の構造を模式的に示す断面図である。図1に示す赤外LED素子1は、基板3と、基板3の上層に形成された半導体層10を含む。また、赤外LED素子1は、電流を注入するための電極(21,22,23)を備える。
本実施形態において、基板3は、n型不純物がドープされたInPからなる。この場合、n型が「第一導電型」に対応する。基板3にドープされるn型不純物材料としては、Sn、Si、S、Ge、Seなどを利用することができ、Snが特に好ましい。
本実施形態において、半導体層10は基板3の面3b上に形成されている。面3bは、「第二面」に対応する。
赤外LED素子1は、電極(21,22,23)を有する。
本実施形態において、基板3の側面には凹凸部41が形成されている。ここで、基板3の側面とは、図1に示すように、基板3の面のうち、XY平面に平行な2面(3a,3b)以外の面を指す。基板3がほぼ直方体形状を呈している場合、基板3は4つの側面を有しており、これらの側面にいずれも凹凸部41が形成される。
上述した赤外LED素子1の製造方法の一例について、図3A〜図3Iの各図を参照して説明する。図3A〜図3Iは、いずれも製造プロセス内における一工程における断面図である。
図3Aに示すように、1×1017/cm3以上、3×1018/cm3未満のドーパント濃度でn型不純物がドープされたInPからなる基板3を準備する。
図3Aに示すように、基板3をMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)装置内に搬送し、基板3の第二面3b側に、第一半導体層11、活性層12、第二半導体層(13,14)を含む半導体層10を順次エピタキシャル成長させる。本ステップS2において、成長させる層の材料や膜厚に応じて、原料ガスの種類及び流量、処理時間、環境温度などが適宜調整される。
エピタキシャルウェハをMOCVD装置から取り出し、第二半導体層14の表面にフォトリソグラフィ法によってパターニングされたレジストマスクを形成する。その後、真空蒸着装置を用いて第二電極21の形成材料(例えばAu/Zn/Au)を成膜した後、リフトオフ法によってレジストマスクが剥離される。その後、例えば、450℃、10分間の加熱処理によってアロイ処理(アニール処理)が施されることで、図3Bに示すように、第二半導体層14の上面に第二電極21が形成される。
基板3の面のうち、半導体層10が形成されている側の面にレジストを塗布して保護した後、その面とは逆の面、すなわち第一面3aに対して、研削研磨処理、及び塩酸系エッチャントによるウェットエッチング処理を行う。これにより、基板3の厚みが調整される(図3C参照)。基板3の厚みは、上述したように50μm以上、700μm以下に設定され、一例として250μmに設定される。その後、保護膜としてのレジストが有機溶剤によって除去される。
図3Dに示すように、基板3の第一面3a側に、真空蒸着装置を用いて第一電極22の形成材料(例えばAuGe/Ni/Au)を成膜した後、例えば、450℃、10分間の加熱処理によってアロイ処理(アニール処理)が施されることで、第一電極22が形成される。
図3Eに示すように、第二電極21の上面に、フォトリソグラフィ法、真空蒸着法、及びリフトオフ法を用いて、例えばTi/Auからなるパッド電極23が形成される。
図3Fに示すように、素子毎に分離するためのメサエッチングが施される。具体的には、第二半導体層14の面のうちの非エッチング領域を、フォトリソグラフィ法によってパターニングされたレジストによってマスクした状態で、臭素とメタノールの混合液によってウェットエッチング処理が行われる。これにより、マスクされていない領域内に位置する、第二半導体層(13,14)、活性層12、及び第一半導体層11の一部が除去される。
図3Gに示すように、メサエッチング処理が施されたウエハをダイシングシート31に貼り付けた後、ブレードダイシング装置を用いてダイシングラインに沿って素子分割が行われる。更に、拡張装置を用いて、赤外LED素子1が貼り付けられたダイシングシート31が拡張され、隣接する赤外LED素子1間に隙間が設けられる。
図3Hに示すように、赤外LED素子1が貼り付けられたダイシングシート31ごと、塩酸を含む酸性のエッチング液にディップ処理され、赤外LED素子1の側面に凹凸形状を形成する。このステップS9により、基板3の側面に凹凸部41が形成され、半導体層10の側面に凹凸部42が形成される。特に、基板3のドーパント濃度が1×1017/cm3以上、3×1018/cm3未満に設定されているため、このステップS9におけるウェットエッチング処理によって基板3の側面に凹凸部41を容易に形成することが可能となる。
ダイシングシート31から赤外LED素子1が取り外される。これにより、図1に示す状態となる。
図3Iに示すように、例えばTO−18型のステム35上に、赤外LED素子1の第一電極22側を銀ペースト34を介してダイボンディングし、熱硬化後に、パッド電極23とワイヤ36とをボンディングして電気的に接続する。
ステップS1〜S11の工程を経て製造された赤外LED素子1が有する第一電極22と第二電極21との間に電圧が印加されると、活性層12内に電流が流れて発光する。この光のうち、+Z方向に進行した光は、第二半導体層14の面から外部に取り出される。また、−Z方向に進行した光は、基板3を通過して側面から外部に取り出される。
以下、本実施形態の赤外LED素子1の別構造について説明する。
本発明に係る赤外LED素子の第二実施形態の構成につき、第一実施形態と異なる箇所を主として説明する。本実施形態において、第一実施形態と共通する要素については、同一の符号を付して説明を簡略化又は割愛する。
図12は、本実施形態の赤外LED素子の構造を模式的に示す断面図である。図12に示す赤外LED素子1は、第一実施形態と比較して、基板3の第一面3a側が光取り出し面の一部を構成している点が異なる。第一実施形態の赤外LED素子1の場合には、基板3の側面と、基板3の第二面3b側に位置する第二半導体層14の面とが、光取り出し面を構成していた。これに対し、本実施形態の赤外LED素子1は、基板3の側面と、基板3の第一面3aとが、光取り出し面を構成する。
以下、本実施形態の赤外LED素子1の製造方法の一例につき、図13A〜図13Jの各図を参照しながら、第一実施形態と異なる箇所を中心に説明する。図13A〜図13Jは、いずれも本実施形態の赤外LED素子1の製造プロセス内における一工程における断面図である。
第一実施形態と同様に、ステップS1及びS2を実行し、基板3の面上に半導体層10が形成されてなる、エピタキシャルウェハを得る。
図13Aに示すように、エピタキシャルウェハをMOCVD装置から取り出し、第二半導体層14の表面にプラズマCVD法によって、SiO2からなる誘電体層26を形成する。その後、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストマスクを用いて、BHF溶液によるウェットエッチング処理を行って、パターン開口部に位置する誘電体層26が除去される。
真空蒸着装置を用いて、第二電極21の形成材料(例えばAu/Zn/Au)を成膜した後、リフトオフ法によってレジストマスクが剥離される。これにより、図13Aに示すように、第二半導体層14の面上には、パターニングされた誘電体層26と第二電極21とが形成される。その後、例えば、450℃、10分間の加熱処理によって第二電極21に対してアロイ処理(アニール処理)が施される
図13Bに示すように、第一実施形態のステップS4と同様の方法で、基板3の厚みが調整される。
図13Cに示すように、基板3の第一面3a側に、フォトリソグラフィ法、真空蒸着法、及びリフトオフ法を用いて、例えばAuGe/Ni/Auからなるパターニングされた第一電極22が形成される。その後、例えば、450℃、10分間の加熱処理によって第一電極22に対してアロイ処理(アニール処理)が施される。
図13Dに示すように、第二電極21及び誘電体層26からなる面上に、フォトリソグラフィ法、真空蒸着法、及びリフトオフ法を用いて、例えばAl/Auからなる反射層25が形成される。
図13Eに示すように、素子毎に分離するためのメサエッチングが施される。具体的には、基板3の第二面3b側の、反射層25を含む非エッチング領域をフォトリソグラフィ法によってパターニングされたレジストによってマスクした状態で、マスクがない領域に形成された、誘電体層26、第二電極21、半導体層10、及び基板3の一部をウェットエッチング処理によって除去する。誘電体層26及び第二電極21に対しては、例えばBHF溶液によってウェットエッチング処理が行われ、半導体層10及び基板3の一部に対しては、例えば臭素とメタノールの混合液によってウェットエッチング処理が行われる。
図13Fに示すように、メサエッチングが行われた層の表面全体に、プラズマCVD法によって例えばSiO2からなるパッシベーション膜28が形成される。
パッシベーション膜28の一部領域を、フォトリソグラフィ法及びウェットエッチング法によって開口させて反射層25を露出させる。その後、図13Gに示すように、反射層25の上層に、真空蒸着法及びリフトオフ法を用いて、Ti/Pt/AuSnからなるパッド電極23が形成される。
図13Hに示すように、第一電極22の上面に、フォトリソグラフィ法、真空蒸着法、及びリフトオフ法を用いて、例えばTi/Auからなるパッド電極24が形成される。
図13Iに示すように、第一実施形態のステップS8と同様、ウエハをダイシングシート31に貼り付けた後、ブレードダイシング装置を用いてダイシングラインに沿って素子分割が行われる。更に拡張装置を用いて、赤外LED素子1が貼り付けられたダイシングシート31が拡張されることで、隣接する赤外LED素子1間に隙間が設けられる。
図13Jに示すように、第一実施形態のステップS9と同様、赤外LED素子1が貼り付けられたダイシングシート31ごと、塩酸を含む酸性のエッチング液にディップ処理され、赤外LED素子1の側面に凹凸形状を形成する。このステップS31により、基板3の側面に凹凸部41が形成される。
その後、ダイシングシート31から赤外LED素子1が取り外される。これにより、図12に示す状態となる。
第二電極21側のパッド電極23が、パッケージ基板に対して、例えばAuSnなどの共晶ハンダを用いてハンダ接続される。また、第一電極22側のパッド電極24が、パッケージ基板とワイヤボンディングによって接続される。
以下、別実施形態につき説明する。
3 : 基板
3a : 基板の第一面
3b : 基板の第二面
10 : 半導体層
11 : 第一半導体層
12 : 活性層
13,14 : 第二半導体層
21 : 第二電極
22 : 第一電極
23 : パッド電極
24 : パッド電極
25 : 反射層
26 : 誘電体層
28 : パッシベーション膜
31 : ダイシングシート
34 : 銀ペースト
35 : ステム
41 : 凹凸部
42 : 凹凸部
Claims (5)
- 赤外LED素子であって、
InPを含んでなり、第一導電型のドーパント濃度が1×1017/cm3以上、3×1018/cm3未満を示す基板と、
前記基板の上層に形成された、前記第一導電型を示す第一半導体層と、
前記第一半導体層の上層に形成された活性層と、
前記活性層の上層に形成され、前記第一導電型とは異なる第二導電型を示す第二半導体層とを有し、
前記基板は、前記基板の面のうちの、前記第一半導体層が形成されている側とは反対側の第一面及び当該第一面とは反対側の第二面以外の面である側面に凹凸部を有し、
主たる発光波長が1000nm以上、1800nm未満を示すことを特徴とする、赤外LED素子。 - 前記第一半導体層は、前記基板と比較してドーパントの材料又はドーパント濃度の少なくとも一方が異なることを特徴とする、請求項1に記載の赤外LED素子。
- 前記凹凸部は、高低差の最大値が前記発光波長の0.5倍以上であり、凸同士の間隔が前記発光波長の0.7倍以上であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の赤外LED素子。
- 前記基板の厚みが150μm以上、400μm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の赤外LED素子。
- 前記基板のドーパントがSnを含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の赤外LED素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019064703A JP6587765B1 (ja) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | 赤外led素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019064703A JP6587765B1 (ja) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | 赤外led素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6587765B1 true JP6587765B1 (ja) | 2019-10-09 |
JP2020167223A JP2020167223A (ja) | 2020-10-08 |
Family
ID=68159767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019064703A Active JP6587765B1 (ja) | 2019-03-28 | 2019-03-28 | 赤外led素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6587765B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117941082A (zh) * | 2021-09-14 | 2024-04-26 | Lg电子株式会社 | 半导体发光器件及显示装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023037629A1 (ja) * | 2021-09-13 | 2023-03-16 | ウシオ電機株式会社 | 赤外led素子 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0691280B2 (ja) * | 1983-06-06 | 1994-11-14 | 株式会社日立製作所 | 半導体発光ダイオード |
JPH04215422A (ja) * | 1990-12-13 | 1992-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | InP系半導体の液相エピタキシャル成長方法 |
JP2006245066A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法 |
JP4918245B2 (ja) * | 2005-10-14 | 2012-04-18 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオード及びその製造方法 |
-
2019
- 2019-03-28 JP JP2019064703A patent/JP6587765B1/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN117941082A (zh) * | 2021-09-14 | 2024-04-26 | Lg电子株式会社 | 半导体发光器件及显示装置 |
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