JP6578177B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1は成膜される膜の種類と反り方向との関係を示す図表である。図1に示すように、膜の種類や成膜するウエハ面(表面又は裏面)によってウエハの反り方向が異なる。ウエハの反り方向には凸方向と凹方向とがある。ここで、凸方向の反りとは、ウエハが表面側に向かって凸状となる反りである。また、凹方向の反りとは、ウエハが裏面側に向かって凹状となる反りである。なお、ウエハの反り量は、例えば、電子情報技術産業協会規格の厚膜SOIウエハ標準仕様である「JEITA EM−3604A」に記載の測定方法従って測定することができる。
第1の実施の形態では、ウエハの裏面にのみ酸化膜を形成する工程を挿入して、凸方向の反りが生じているウエハに、凹方向の反りを生じさせる。これにより、ウエハの凸方向の反り量を低減して、予め定めた範囲内とすることができる。図3(A)〜(G)は本発明の第1の実施の形態に係る製造工程を示す断面図である。
例えば、実験的に得られた酸化膜の膜厚とウエハの反り量との関係(図2参照)に基づいて、図3(G)に示す構造で予測される凸方向の反り量が閾値未満となる膜厚とされる。
第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様に、ウエハの裏面にのみ酸化膜を形成する工程を挿入して、凸方向の反りが生じているウエハに凹方向の反りを生しさせる。これにより、ウエハの凸方向の反り量を低減して、予め定めた範囲内とすることができる。但し、第1の実施の形態の一部の工程を省略する。図4(A)〜(E)は本発明の第2の実施の形態に係る製造工程を示す断面図である。
第3の実施の形態では、半導体装置の一例としてCMOS型の集積回路(IC)を想定している。CMOS型ICの製造工程に、ウエハの裏面側への膜の形成又はウエハの裏面側に形成された膜の除去を行う工程を挿入することで、CMOS型ICの製造工程において生じる凸方向の反り量を予め定めた範囲内に維持する方法を具体的に説明する。CMOS型ICは、高耐圧のn型MOS(HVNMOS)と高耐圧のp型MOS(HVPMOS)とを含んで構成されている。
図5(A)〜(E)、図6(F)〜(I)、及び図7(J)〜(L)は、本発明の第3の実施の形態に係る製造工程を示す断面図である。まず、図5(A)に示すように、
n型エピタキシャル層22が形成されたp型シリコン基板20を準備する。以下では、p型シリコン基板20を「ウエハ20」という。
製造工程が進むに従ってウエハのそり量が増大する。
図8は第3の実施の形態に係る製造工程における反り量の推移を示すグラフである。上記の製造工程では、図6(H)に示すディープ・トレンチ40の埋め込みを行う工程と、図6(I)に示すウエハ20の表面側を覆う不要なポリシリコン膜46Aを除去する工程との間で、ウエハ20の表面側の膜厚が大きく減少する。
第4の実施の形態では、ディープ・トレンチ40の犠牲酸化膜42を形成した後に、ウエハ20の裏面側の保護窒化膜36Bを除去し、その後に犠牲酸化膜42とウエハ20の裏面側の保護酸化膜34Bを除去し、ディープ・トレンチ40の内壁酸化膜44を形成すると共にウエハ20の裏面に保護酸化膜62を形成する以外は、第3の実施の形態の製造工程と同じであるため説明を省略する。
12A、12B 酸化膜
14A、14B 窒化膜
16A 酸化膜
18A、18B 酸化膜
20 ウエハ
20 p型シリコン基板
22 n型エピタキシャル層
24A 保護酸化膜
26 p型ウェル
28 n型ウェル
30 n型不純物領域
32 p型不純物領域
34A、34B 保護酸化膜
36A、36B 保護窒化膜
38 NSG膜
40 ディープ・トレンチ
42 犠牲酸化膜
44 内壁酸化膜
46A、46B ポリシリコン膜
48A、48B 保護酸化膜
50 トレンチ
50A、50B 保護窒化膜
52 トレンチ
54 NSG膜
56 ゲート酸化膜
57 保護酸化膜
58A、58B ポリシリコン膜
60 レジストパターン
62 保護酸化膜
Claims (3)
- 半導体基板の両面に第1の酸化膜を形成する工程と、
前記第1の酸化膜を有する前記半導体基板の両面側に窒化膜を形成する工程と、
前記第1の酸化膜及び前記窒化膜を有する前記半導体基板の表面側に第2の酸化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面側に形成された前記第1の酸化膜及び前記窒化膜を除去して前記半導体基板の裏面を露出する工程と、
前記半導体基板の反り量が予め定めた範囲内となるように、露出された前記半導体基板の裏面に第3の酸化膜を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の両面に第1の酸化膜を形成する工程と、
前記第1の酸化膜を有する前記半導体基板の表面側に窒化膜を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面側に形成された前記第1の酸化膜を除去して前記半導体基板の裏面を露出する工程と、
前記半導体基板の反り量が予め定めた範囲内となるように、露出された前記半導体基板の裏面に第2の酸化膜を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。 - 半導体基板に素子分離用のディープ・トレンチを形成する工程と、
前記ディープ・トレンチを埋め込むと共に前記半導体基板の表面側及び裏面側を覆うようにポリシリコン膜を堆積する工程と、
熱処理前に前記半導体基板の表面側及び裏面側を覆うポリシリコン膜を除去する工程と、
前記ディープ・トレンチを形成する半導体基板が裏面に窒化膜が形成された半導体基板であって、前記ディープ・トレンチを形成する工程が、熱酸化前に前記窒化膜を除去して前記半導体基板の裏面を露出する工程と、
前記ディープ・トレンチの内壁及び前記半導体基板の裏面を熱酸化して酸化膜を形成する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
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