JP6504003B2 - 光デバイス - Google Patents
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Description
以下、図1〜図6を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る光デバイスについて説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
図8〜10は、本発明の第2実施形態に係る光デバイスの説明図であり、図2に対応する図である。本実施形態において第1実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
Claims (7)
- 半導体材料を形成材料とする基体と、
電気光学材料を形成材料とするコア層と、
前記コア層に対し前記基体とは反対側に設けられた帯状の信号電極と、
前記コア層に対し前記基体とは反対側に設けられた一対の上部接地電極と、
前記基体と前記コア層との間に設けられた下部接地電極と、
前記下部接地電極と前記コア層との間に設けられたクラッド層と、
前記クラッド層と前記基体との間に設けられた遮蔽層と、を備え、
前記信号電極の端部は、前記一対の上部接地電極と隣り合うように挟まれて配置され、
前記端部と、前記一対の上部接地電極と、前記下部接地電極とは、前記コア層に設けられた光導波路と平面的に重ならない位置においてフィードスルー部を構成し、
前記フィードスルー部は、前記端部と、前記端部を挟持する前記一対の上部接地電極と、前記下部接地電極と、を有するコプレーナ型電極部と、
前記端部と、前記下部接地電極と、を有し、前記端部と前記下部接地電極とが重なっている平面視面積が前記信号電極の延在方向に漸増する電極変換部と、
前記端部に連続する前記信号電極と、前記下部接地電極と、を有するマイクロストリップ型電極部とを有し、
前記コプレーナ型電極部および前記電極変換部において、前記下部接地電極は、前記端部と平面的に重なる位置に切欠きを有し、
前記遮蔽層は、前記切欠きと平面的に重なる位置に設けられ、
前記遮蔽層の形成材料は、前記クラッド層の形成材料よりも比誘電率が低い材料である光デバイス。 - 前記遮蔽層の形成材料は、前記クラッド層の形成材料よりも誘電正接が低い材料である請求項1に記載の光デバイス。
- 半導体材料を形成材料とする基体と、
電気光学材料を形成材料とするコア層と、
前記コア層に対し前記基体とは反対側に設けられた帯状の信号電極と、
前記コア層に対し前記基体とは反対側に設けられた一対の上部接地電極と、
前記基体と前記コア層との間に設けられた下部接地電極と、
前記下部接地電極と前記コア層との間に設けられたクラッド層と、
前記クラッド層と前記基体との間に設けられた遮蔽層と、を備え、
前記信号電極の端部は、前記一対の上部接地電極と隣り合うように挟まれて配置され、
前記端部と、前記一対の上部接地電極と、前記下部接地電極とは、前記コア層に設けられた光導波路と平面的に重ならない位置においてフィードスルー部を構成し、
前記フィードスルー部は、前記端部と、前記端部を挟持する前記一対の上部接地電極と、前記下部接地電極と、を有するコプレーナ型電極部と、
前記端部と、前記下部接地電極と、を有し、前記端部と前記下部接地電極とが重なっている平面視面積が前記信号電極の延在方向に漸増する電極変換部と、
前記端部に連続する前記信号電極と、前記下部接地電極と、を有するマイクロストリップ型電極部とを有し、
前記コプレーナ型電極部および前記電極変換部において、前記下部接地電極は、前記端部と平面的に重なる位置に切欠きを有し、
前記基体は、前記切欠きと平面的に重なる位置に凹部または貫通孔を有し、
前記遮蔽層は、前記凹部の内部または前記貫通孔の内部に設けられ、
前記遮蔽層の形成材料は、前記基体の形成材料よりも比誘電率が低い材料である光デバイス。 - 前記遮蔽層の形成材料は、前記基体の形成材料よりも誘電正接が低い材料である請求項3に記載の光デバイス。
- 前記遮蔽層の形成材料は、前記クラッド層の形成材料よりも比誘電率が低い材料である請求項3または4に記載の光デバイス。
- 前記遮蔽層の形成材料は、前記クラッド層の形成材料よりも誘電正接が低い材料である請求項5に記載の光デバイス。
- 前記半導体材料はシリコンである請求項1から6のいずれか1項に記載の光デバイス。
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JP2015190067A JP6504003B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | 光デバイス |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015190067A JP6504003B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | 光デバイス |
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JP2017067856A JP2017067856A (ja) | 2017-04-06 |
JP6504003B2 true JP6504003B2 (ja) | 2019-04-24 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015190067A Active JP6504003B2 (ja) | 2015-09-28 | 2015-09-28 | 光デバイス |
Country Status (1)
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- 2015-09-28 JP JP2015190067A patent/JP6504003B2/ja active Active
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