JP6461031B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6461031B2 JP6461031B2 JP2016052785A JP2016052785A JP6461031B2 JP 6461031 B2 JP6461031 B2 JP 6461031B2 JP 2016052785 A JP2016052785 A JP 2016052785A JP 2016052785 A JP2016052785 A JP 2016052785A JP 6461031 B2 JP6461031 B2 JP 6461031B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- film
- resin material
- semiconductor device
- clamp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1701—Structure
- H01L2224/1703—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/171—Disposition
- H01L2224/1718—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/17181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
Description
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図1に示すように、本実施形態に係る半導体装置110は、配線基板40と、素子部10Dと、樹脂封止部30と、を含む。樹脂封止部30は、例えば、第1樹脂部31と、第2樹脂部32と、を含む。
図2は、第1の実施形態に係る半導体装置を例示するグラフ図である。
図2は、樹脂部におけるフィラー含有率の変化を例示している。図2の横軸は、Z軸方向(方向Dz)に沿った位置pzである。位置pzは、周辺領域Rpに設けられた上記の部分32pと、第1樹脂部31の上記の他部31pと、を結ぶ線L1(図1参照)上の位置である。縦軸は、フィラー含有率Cf(重量%)である。
第2の実施形態は、半導体装置の製造方法に係る。本製造方法においては、金型の間にフィルムを挿入した状態で被加工物を加工する。まず、概要について説明する。
図3に示すように、本製造方法は、金型の一部でフィルムを保持する(ステップS110)。そして、金型とフィルムとの間に積層体(被処理物である配線基板40及び素子部10D)を配置する(ステップS120)。第2樹脂部材料(第2樹脂部32となる材料)を導入し(ステップS130)、第1樹脂材料(第1樹脂部31となる材料)を導入する(ステップS140)。
図4(a)〜図4(c)は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
図4(a)に示すように、トランスファ成型装置210が用いられる。トランスファ成型装置210においてトランスファ部75の上(プランジャの上)に樹脂材料(第1樹脂材料31M及び第2樹脂材料32M)がセットされる。そして、第1金型部50及び第2金型部60が用いられる。第1金型部50と第2金型部60との間の距離は可変である。例えば、1つの状態(図4(a)に例示した状態)において、第1金型部50は、Z軸方向において第2金型部60と離れている。
本実施形態においては、第1樹脂部31となる樹脂膜、及び、第2樹脂部32となる樹脂膜を含む積層膜を用いて成型が行われる。
図5(a)に示すように積層樹脂層35が準備される。積層樹脂層35は、第1樹脂膜31Fと、第1樹脂膜31Fと積層された第2樹脂膜32Fと、を含む。例えば、第1樹脂膜31Fにおけるフィラー含有率は、第2樹脂膜32Fにおけるフィラー含有率よりも高い。
図6に示す本実施形態に係る半導体装置120は、例えば、第3の実施形態に係る上記の製造方法により作製されても良い。半導体装置120は、配線基板40と、素子部10Dと、第1樹脂部31と、第2樹脂部32と、を含む。半導体装置120においては、第2樹脂部32の一部32tが、素子部10Dと第1樹脂部31の一部31c(内側部分、例えば中央部分)との間に配置されている。この例では、第2樹脂部32の一部32tと、第1樹脂部31の一部31cとの間に、中間的な別の領域34がさらに設けられている。これ以外は、半導体装置110と同様であるので説明を省略する。
Claims (5)
- 第1クランプ部と、第2クランプ部と、前記第1クランプ部の少なくとも一部と前記第2クランプ部の少なくとも一部との間に設けられ前記第1クランプ部から第1深さで後退したキャビティ部と、前記第1クランプ部と前記キャビティ部との間に設けられ前記第1クランプ部から前記第1深さよりも浅い第2深さで後退した第1中間部と、前記第2クランプ部と前記キャビティ部との間に設けられ前記第2クランプ部から前記第1深さよりも浅い第3深さで後退した第2中間部と、を含む第1面を有する第1金型部の前記キャビティ部の少なくとも一部からフィルムの一部を離して前記第1中間部及び前記第2中間部で前記フィルムを保持する工程と、
前記第1面に対向し前記キャビティ部から第1方向において離れた第2金型部と、前記フィルムと、の間に、配線基板と、前記配線基板と前記第1方向に離れた第1半導体素子と、前記配線基板と前記第1半導体素子との間に設けられ前記第1半導体素子から離れた第2半導体素子と、を含む積層体を配置する工程と、
前記フィルムの前記一部が前記キャビティ部から離れ、前記積層体の少なくとも一部が前記フィルムと接した状態で前記第1半導体素子と前記第2半導体素子との間に第2樹脂材料を導入する工程と、
前記第2樹脂材料を導入する前記工程の後に、前記フィルムの少なくとも一部を前記キャビティ部に接触させた状態で、前記積層体と前記フィルムとの間に第1樹脂材料を導入する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記フィルムを保持する前記工程は、前記第1中間部に設けられた第1吸着孔と、前記第2中間部に設けられただ第2吸着孔と、を用いて前記フィルムを保持することを含む、請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1樹脂材料を導入する前記工程は、前記フィルムを前記キャビティ部の形状に沿わせた状態で、前記積層体と前記フィルムとの間に前記第1樹脂材料を導入することを含む、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2樹脂材料を導入する前記工程は、前記第1方向と交差する方向において前記積層体と重なるサイド領域に前記第2樹脂材料を導入することを含み、
前記第1樹脂材料を導入する前記工程は、前記サイド領域に設けられた前記第2樹脂材料の一部と前記フィルムとの間に前記第1樹脂材料を導入することを含む、請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1樹脂材料を導入する前記工程は、前記サイド領域に設けられた前記第2樹脂材料の前記一部の一部と、前記第1樹脂材料の一部と、を混合させることを含む、請求項4記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016052785A JP6461031B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
TW106103790A TWI641061B (zh) | 2016-03-16 | 2017-02-06 | 半導體裝置及其製造方法 |
CN201710133213.5A CN107204332B (zh) | 2016-03-16 | 2017-03-08 | 半导体装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016052785A JP6461031B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168646A JP2017168646A (ja) | 2017-09-21 |
JP6461031B2 true JP6461031B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=59904875
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016052785A Active JP6461031B2 (ja) | 2016-03-16 | 2016-03-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6461031B2 (ja) |
CN (1) | CN107204332B (ja) |
TW (1) | TWI641061B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111490019B (zh) * | 2020-04-24 | 2022-01-07 | 天津恒立远大仪表股份有限公司 | 一种集成电路结构及其制造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3378374B2 (ja) * | 1993-09-14 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法、樹脂封止型半導体装置及び封止用樹脂シート |
JP4575205B2 (ja) * | 2005-03-30 | 2010-11-04 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 積層構造体の形成方法及びその方法を使用した半導体装置の製造方法 |
JP2006313775A (ja) * | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009141020A (ja) * | 2007-12-04 | 2009-06-25 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電子部品封止用シート |
JP2010109011A (ja) * | 2008-10-28 | 2010-05-13 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012109437A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
KR101854948B1 (ko) * | 2011-03-28 | 2018-05-04 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 수지 조성물, 수지 시트, 수지 시트 경화물, 수지 시트 적층체, 수지 시트 적층체 경화물 및 그 제조 방법, 반도체 장치, 그리고 led 장치 |
JP2013145840A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | 三次元集積回路の層間充填層形成用塗布液、及び三次元集積回路の製造方法 |
JP6259608B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2018-01-10 | 日東電工株式会社 | 電子デバイス封止用樹脂シート及び電子デバイスパッケージの製造方法 |
-
2016
- 2016-03-16 JP JP2016052785A patent/JP6461031B2/ja active Active
-
2017
- 2017-02-06 TW TW106103790A patent/TWI641061B/zh active
- 2017-03-08 CN CN201710133213.5A patent/CN107204332B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI641061B (zh) | 2018-11-11 |
TW201735198A (zh) | 2017-10-01 |
CN107204332B (zh) | 2019-12-06 |
CN107204332A (zh) | 2017-09-26 |
JP2017168646A (ja) | 2017-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10170434B2 (en) | Warpage control in package-on-package structures | |
US11222792B2 (en) | Semiconductor package device and method of manufacturing the same | |
US9237647B2 (en) | Package-on-package structure with through molding via | |
JP6421083B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR101548051B1 (ko) | 단차를 형성하는 몰딩재를 갖는 패키지 | |
US10177099B2 (en) | Semiconductor package structure, package on package structure and packaging method | |
CN102610580A (zh) | 用于fcbga的非金属加强圈 | |
KR102228461B1 (ko) | 반도체 패키지 장치 | |
US20170040308A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor package | |
US10734345B2 (en) | Packaging through pre-formed metal pins | |
US20160005681A1 (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
JP6797234B2 (ja) | 半導体パッケージ構造体及びその製造方法 | |
JP6461031B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2018126545A1 (zh) | 一种高可靠性电子封装结构、电路板及设备 | |
CN102664170B (zh) | 半导体封装结构及其制造方法 | |
TWI751331B (zh) | 半導體裝置的製造方法以及半導體裝置的中間體 | |
US10756026B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
CN206116378U (zh) | 半导体封装构造 | |
CN205645791U (zh) | 集成电路器件 | |
JP5869631B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
US20200098700A1 (en) | Semiconductor package device and method of manufacturing the same | |
US20170077065A1 (en) | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof | |
CN106328611A (zh) | 半导体封装构造及其制造方法 | |
JP6610460B2 (ja) | 電子装置、及び、電子装置の製造方法 | |
CN105990155A (zh) | 芯片封装基板、芯片封装结构及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170620 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180205 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180905 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181009 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6461031 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |