JP6434837B2 - Texture etching solution composition for crystalline silicon wafer and method for texture etching - Google Patents
Texture etching solution composition for crystalline silicon wafer and method for texture etching Download PDFInfo
- Publication number
- JP6434837B2 JP6434837B2 JP2015058169A JP2015058169A JP6434837B2 JP 6434837 B2 JP6434837 B2 JP 6434837B2 JP 2015058169 A JP2015058169 A JP 2015058169A JP 2015058169 A JP2015058169 A JP 2015058169A JP 6434837 B2 JP6434837 B2 JP 6434837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystalline silicon
- silicon wafer
- texture
- ether
- texture etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 76
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 58
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 86
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 54
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 22
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 16
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 8
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 4
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)CO CUDYYMUUJHLCGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FEWLGASICNTXOZ-UHFFFAOYSA-N 2-aminoethane-1,1,1,2-tetrol Chemical compound NC(O)C(O)(O)O FEWLGASICNTXOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RNFAKTRFMQEEQE-UHFFFAOYSA-N Tripropylene glycol butyl ether Chemical compound CCCCOC(CC)OC(C)COC(O)CC RNFAKTRFMQEEQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 claims description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 1-phenoxypropan-2-ol Chemical compound CC(O)COC1=CC=CC=C1 IBLKWZIFZMJLFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims 1
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 20
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- -1 glycol ether compound Chemical class 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 6
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 6
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 3
- 229920001503 Glucan Polymers 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Chemical class 0.000 description 3
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 3
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 2
- YZOUYRAONFXZSI-SBHWVFSVSA-N (1S,3R,5R,6R,8R,10R,11R,13R,15R,16R,18R,20R,21R,23R,25R,26R,28R,30R,31S,33R,35R,36R,37S,38R,39S,40R,41S,42R,43S,44R,45S,46R,47S,48R,49S)-5,10,15,20,25,30,35-heptakis(hydroxymethyl)-37,39,40,41,42,43,44,45,46,47,48,49-dodecamethoxy-2,4,7,9,12,14,17,19,22,24,27,29,32,34-tetradecaoxaoctacyclo[31.2.2.23,6.28,11.213,16.218,21.223,26.228,31]nonatetracontane-36,38-diol Chemical compound O([C@@H]([C@H]([C@@H]1OC)OC)O[C@H]2[C@@H](O)[C@@H]([C@@H](O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3O)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O[C@@H]3[C@@H](CO)O[C@@H]([C@H]([C@@H]3OC)OC)O3)O[C@@H]2CO)OC)[C@H](CO)[C@H]1O[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@H]3[C@@H](CO)O1 YZOUYRAONFXZSI-SBHWVFSVSA-N 0.000 description 1
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 1-acetyl-5-bromo-2h-indol-3-one Chemical compound BrC1=CC=C2N(C(=O)C)CC(=O)C2=C1 KXJGSNRAQWDDJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVIPLYCGEZUBIO-UHFFFAOYSA-N 2-(4-fluorophenyl)-1,3-dioxoisoindole-5-carboxylic acid Chemical compound O=C1C2=CC(C(=O)O)=CC=C2C(=O)N1C1=CC=C(F)C=C1 JVIPLYCGEZUBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 232Th Chemical compound [232Th] ZSLUVFAKFWKJRC-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- 229920001450 Alpha-Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- 229920000945 Amylopectin Polymers 0.000 description 1
- 229920000856 Amylose Polymers 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002307 Dextran Polymers 0.000 description 1
- 229920001353 Dextrin Polymers 0.000 description 1
- 239000004375 Dextrin Substances 0.000 description 1
- 229920001425 Diethylaminoethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920000896 Ethulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001859 Ethyl hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000001116 FEMA 4028 Substances 0.000 description 1
- 229920002670 Fructan Polymers 0.000 description 1
- 229920002527 Glycogen Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920001491 Lentinan Polymers 0.000 description 1
- 229920000057 Mannan Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000392 Zymosan Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005276 aerator Methods 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N alpha-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO HFHDHCJBZVLPGP-RWMJIURBSA-N 0.000 description 1
- 229940043377 alpha-cyclodextrin Drugs 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N beta-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO WHGYBXFWUBPSRW-FOUAGVGXSA-N 0.000 description 1
- 235000011175 beta-cyclodextrine Nutrition 0.000 description 1
- 229960004853 betadex Drugs 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920003064 carboxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002086 dextran Drugs 0.000 description 1
- 229960000633 dextran sulfate Drugs 0.000 description 1
- 235000019425 dextrin Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 235000019326 ethyl hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- GDSRMADSINPKSL-HSEONFRVSA-N gamma-cyclodextrin Chemical compound OC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](CO)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)CO)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1CO GDSRMADSINPKSL-HSEONFRVSA-N 0.000 description 1
- 229940080345 gamma-cyclodextrin Drugs 0.000 description 1
- 229940096919 glycogen Drugs 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940071826 hydroxyethyl cellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229940071676 hydroxypropylcellulose Drugs 0.000 description 1
- FZWBNHMXJMCXLU-BLAUPYHCSA-N isomaltotriose Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@H]1OC[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C=O)O1 FZWBNHMXJMCXLU-BLAUPYHCSA-N 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229940115286 lentinan Drugs 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000002772 monosaccharides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 description 1
- 239000001814 pectin Substances 0.000 description 1
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000001397 quillaja saponaria molina bark Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229930182490 saponin Natural products 0.000 description 1
- 150000007949 saponins Chemical class 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N trappsol cyclo Chemical compound CC(O)COC[C@H]([C@H]([C@@H]([C@H]1O)O)O[C@H]2O[C@@H]([C@@H](O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O[C@H]3O[C@H](COCC(C)O)[C@H]([C@@H]([C@H]3O)O)O3)[C@H](O)[C@H]2O)COCC(O)C)O[C@@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]3O[C@@H]1COCC(C)O ODLHGICHYURWBS-LKONHMLTSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Weting (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
Description
本発明は、結晶性シリコンウエハ表面の位置別テクスチャ品質偏差を最小化にし、エッチング中に温度勾配が生じない結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物及びテクスチャエッチング方法（ＴＥＸＴＵＲＥ ＥＴＣＨＩＮＧ ＳＯＬＵＴＩＯＮ ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮ ＡＮＤ ＴＥＸＴＵＲＥ ＥＴＣＨＩＮＧ ＭＥＴＨＯＤ ＯＦ ＣＲＹＳＴＡＬＬＩＮＥ ＳＩＬＩＣＯＮ ＷＡＦＥＲＳ）に関する。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention minimizes the texture quality deviation by position on the surface of the crystalline silicon wafer, and the texture etching solution composition and the texture etching method of the crystalline silicon wafer in which no temperature gradient is generated during etching (TEXTURE ETCHING SOLUTION COMPOSITION AND TEXTURE ETCHING). (METHOD OF CRYSTALLLINE SILICON WAFERS).
近年、急速に普及されている太陽電池は、次世代エネルギー源としてクリーンエネルギーである太陽エネルギーを直接電気に変換する電子素子である。太陽電池は、シリコンにホウ素を添加したＰ型シリコン半導体をベースとして、その表面にリンを拡散させてＮ型シリコン半導体層を形成したＰＮ接合半導体基板で構成されている。 2. Description of the Related Art In recent years, solar cells that are rapidly spread are electronic elements that directly convert solar energy, which is clean energy, into electricity as a next-generation energy source. A solar cell is composed of a PN junction semiconductor substrate in which an N-type silicon semiconductor layer is formed by diffusing phosphorus on the surface of a P-type silicon semiconductor obtained by adding boron to silicon.
ＰＮ接合により電界が形成された基板に、太陽光のような光を照射する場合、半導体内の電子（−）と正孔（＋）が励起されて半導体内部を自由に移動する状態となる。このようなＰＮ接合で発生した電界内にそれらが入ると、電子（−）はＮ型半導体に、正孔（＋）はＰ型半導体になっていく。Ｐ型半導体とＮ型半導体の表面に電極を形成して電子を外部回路に流すと電流が発生することになるが、このような原理から太陽エネルギーが電気エネルギーに変換される。したがって、太陽エネルギーの変換効率を高めるために、ＰＮ接合半導体基板の単位面積当たりの電気的出力を極大化させなければならない。そのために、反射率は低くし、光吸収量は最大化させなければならない。このような点を考慮し、ＰＮ接合半導体基板を構成する太陽電池用シリコンウエハの表面を微細ピラミッド構造に形成し、反射防止膜として処理させている。微細ピラミッド構造にテクスチャリングされたシリコンウエハの表面は広い波長帯を有する入射光の反射率を低減させ、吸収済みの光の強度を増加させることで、太陽電池の性能、すなわち効率を高めることができることになる。 When light such as sunlight is irradiated onto a substrate on which an electric field has been formed by a PN junction, electrons (−) and holes (+) in the semiconductor are excited to move freely within the semiconductor. When they enter the electric field generated at such a PN junction, electrons (-) become N-type semiconductors and holes (+) become P-type semiconductors. When an electrode is formed on the surface of a P-type semiconductor and an N-type semiconductor and electrons are passed through an external circuit, a current is generated. From such a principle, solar energy is converted into electric energy. Therefore, in order to increase the conversion efficiency of solar energy, the electrical output per unit area of the PN junction semiconductor substrate must be maximized. Therefore, the reflectance must be lowered and the amount of light absorption must be maximized. In consideration of such points, the surface of the solar cell silicon wafer constituting the PN junction semiconductor substrate is formed in a fine pyramid structure and processed as an antireflection film. The surface of a silicon wafer textured in a fine pyramid structure reduces the reflectivity of incident light with a wide wavelength band and increases the intensity of absorbed light, thereby increasing the performance, ie efficiency of solar cells. It will be possible.
シリコンウエハ表面を微細ピラミッド構造にテクスチャする方法として、米国特許第４、１３７、１２３号には、０〜７５体積％のエチレングリコール、０．０５〜５０重量％の水酸化カリウム及び残量の水を含む異方性エッチング液に０．５〜１０重量％のシリコンが溶解されたシリコンテクスチャエッチング液が開示されている。しかし、このエッチング液は、ピラミッド形成不良を起こして光反射率を増加させて効率の低下をもたらす。 U.S. Pat. No. 4,137,123 describes a method for texturing a silicon wafer surface into a fine pyramid structure, in which 0 to 75% by volume of ethylene glycol, 0.05 to 50% by weight of potassium hydroxide and the remaining amount of water are disclosed. There is disclosed a silicon texture etching solution in which 0.5 to 10 wt% of silicon is dissolved in an anisotropic etching solution that contains. However, this etchant causes poor pyramid formation and increases light reflectivity, resulting in a decrease in efficiency.
また、韓国登録特許第０１８０６２１号には、水酸化カリウム溶液０．５〜５％、イソプロピルアルコール３〜２０体積％、脱イオン水７５〜９６．５体積％の割合で混合したテクスチャエッチング溶液が開示されている。また、米国特許第６、４５１、２１８号には、アルカリ化合物、イソプロピルアルコール、水溶性アルカリ性エチレングリコール及び水を含むテクスチャエッチング溶液が開示されている。しかし、これらのエッチング溶液は、沸点が低いイソプロピルアルコールを含有しており、テクスチャ工程中にこれを追加投入しなければならないので、生産性及びコスト面から経済的ではない。また、追加投入されたイソプロピルアルコールによりエッチング液の温度勾配が発生し、シリコンウエハ表面の位置別テクスチャ品質偏差が大きくなって均一性が低下し得る。 Korean Patent No. 0806621 discloses a texture etching solution in which potassium hydroxide solution is mixed at a ratio of 0.5-5%, isopropyl alcohol 3-20% by volume, and deionized water 75-96.5% by volume. Has been. US Pat. No. 6,451,218 discloses a texture etching solution containing an alkali compound, isopropyl alcohol, water-soluble alkaline ethylene glycol and water. However, these etching solutions contain isopropyl alcohol having a low boiling point, and this must be added during the texturing process, which is not economical from the viewpoint of productivity and cost. Further, the temperature gradient of the etching solution is generated by the additionally supplied isopropyl alcohol, and the texture quality deviation by position on the surface of the silicon wafer becomes large, and the uniformity can be lowered.
本発明は、結晶性シリコンウエハの表面における微細ピラミッド構造の形成において、シリコン結晶方向に対するエッチング速度差を制御してアルカリ化合物による過エッチングを防止することで、位置別テクスチャの品質偏差を最小化し、光効率を増加させる結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物を提供することを目的とする。 In the formation of a fine pyramid structure on the surface of the crystalline silicon wafer, the present invention controls the etching rate difference with respect to the silicon crystal direction to prevent overetching by an alkali compound, thereby minimizing the quality deviation of the texture by position, It is an object of the present invention to provide a texture etching solution composition for a crystalline silicon wafer that increases light efficiency.
さらに、本発明は、前記結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物を用いたテクスチャエッチング方法を提供することを他の目的とする。 Furthermore, another object of the present invention is to provide a texture etching method using the crystalline silicon wafer texture etching solution composition.
１．アルカリ化合物（Ａ）と、水酸基を含有し、ハンセン溶解度パラメータ（δｐ）が８．０〜１２．０［Ｊ／ｃｍ３］１／２である化合物（ｂ−１）とアルカリ金属（塩）（ｂ−２）との反応物（Ｂ）とを含む、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 1. Alkali compound (A), compound (b-1) containing an hydroxyl group and having a Hansen solubility parameter (δp) of 8.0 to 12.0 [J / cm 3 ] 1/2 and an alkali metal (salt) ( A texture etchant composition for a crystalline silicon wafer, comprising a reaction product (B) with b-2).
２．前記１において、前記化合物（ｂ−１）は、沸点が１２０℃以上である、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 2. In 1 above, the compound (b-1) has a boiling point of 120 ° C. or higher and a crystalline silicon wafer texture etching solution composition.
３．前記１において、前記化合物（ｂ−１）は、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、トリエチレングリコールブチルエーテル及びエチレングリコールフェニルエーテルからなる群から選択された少なくとも１つである、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 3. In the above 1, the compound (b-1) is dipropylene glycol methyl ether, tripropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol propyl ether, propylene glycol butyl ether, dipropylene glycol butyl ether, tripropylene glycol butyl ether, propylene glycol phenyl ether, Diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol butyl ether, diethylene glycol hexyl ether, ethylene glycol propyl ether, ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol hexyl ether, triethylene glycol methyl ether, triethylene glycol ethyl ether, triethylene glycol butyl It is at least one selected from the group consisting of ether and ethylene glycol phenyl ether, the crystalline silicon wafer texture etchant composition.
４．前記１において、前記アルカリ金属（塩）（ｂ−２）は、アルカリ金属及びアルカリ金属の水酸化物からなる群から選択された少なくとも１つである、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 4). 2. The texture etching solution composition for a crystalline silicon wafer according to 1, wherein the alkali metal (salt) (b-2) is at least one selected from the group consisting of an alkali metal and an alkali metal hydroxide.
５．前記４において、前記アルカリ金属はナトリウム及びカリウムのうちの少なくとも１つである、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 5. 4. The texture etching solution composition for a crystalline silicon wafer according to 4, wherein the alkali metal is at least one of sodium and potassium.
６．前記１において、前記化合物（ｂ−１）と前記化合物（ｂ−２）との反応モル比は、ｂ−２／ｂ−１が０．０１〜０．５０である、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 6). In 1 above, the reaction molar ratio of the compound (b-1) to the compound (b-2) is such that b-2 / b-1 is 0.01 to 0.50. Etching solution composition.
７．前記１において、前記アルカリ化合物（Ａ）は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、テトラヒドロキシメチルアンモニウム及びテトラヒドロキシエチルアンモニウムからなる群から選択された少なくとも１つである、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 7). 1. The crystalline silicon wafer according to 1, wherein the alkali compound (A) is at least one selected from the group consisting of potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, tetrahydroxymethylammonium, and tetrahydroxyethylammonium. Texture etchant composition.
８．前記１において、前記アルカリ化合物（Ａ）０．５〜５重量％、前記反応物（Ｂ）０．００１〜５重量％及び残量の水を含む、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 8). 2. The texture etching solution composition for crystalline silicon wafer according to 1 above, comprising 0.5 to 5% by weight of the alkali compound (A), 0.001 to 5% by weight of the reactant (B) and the remaining amount of water.
９．前記１〜８のいずれか１項の前記テクスチャエッチング液組成物により、結晶性シリコンウエハをテクスチャエッチングする結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング方法。 9. A texture etching method for a crystalline silicon wafer, wherein the crystalline silicon wafer is texture-etched with the texture etching liquid composition according to any one of 1 to 8 above.
１０．前記９において、前記テクスチャエッチング液組成物を５０〜１００℃の温度で３０秒〜６０分間、前記結晶性シリコンウエハに噴霧させることを含む、テクスチャエッチング方法。 10. 9. The texture etching method according to 9, wherein the texture etching liquid composition is sprayed onto the crystalline silicon wafer at a temperature of 50 to 100 ° C. for 30 seconds to 60 minutes.
１１．前記９において、前記テクスチャエッチング液組成物に、前記結晶性シリコンウエハを５０〜１００℃の温度で３０秒〜６０分間沈積させる、テクスチャエッチング方法。 11. 9. The texture etching method according to 9, wherein the crystalline silicon wafer is deposited in the texture etching solution composition at a temperature of 50 to 100 ° C. for 30 seconds to 60 minutes.
本発明の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物及びテクスチャエッチング方法によれば、シリコン結晶方向に対するエッチング速度差を制御してアルカリ化合物による過エッチングを防止することで、結晶性シリコンウエハ表面の位置別テクスチャの品質偏差を最小化、すなわちテクスチャの均一性を向上させて太陽光の吸収量を極大化することができる。 According to the texture etching solution composition and the texture etching method of the crystalline silicon wafer of the present invention, the etching rate difference with respect to the silicon crystal direction is controlled to prevent overetching by an alkali compound. The quality deviation of another texture can be minimized, that is, the texture uniformity can be improved and the amount of sunlight absorbed can be maximized.
本発明は、アルカリ化合物（Ａ）及び特定溶解度指数の化合物とアルカリ金属（塩）との反応物（Ｂ）を含むことで、結晶性シリコンウエハの表面における微細ピラミッド構造の形成において、シリコン結晶方向に対するエッチング速度差を制御してアルカリ化合物による過エッチングを防止することで、位置別テクスチャの品質偏差を最小化して光効率を増加させる結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物及びテクスチャエッチング方法に関する。 The present invention includes a reaction product (B) of an alkali compound (A) and a compound having a specific solubility index and an alkali metal (salt), thereby forming a silicon crystal direction in the formation of a fine pyramid structure on the surface of a crystalline silicon wafer. The present invention relates to a texture etching solution composition and a texture etching method for a crystalline silicon wafer that controls the etching rate difference with respect to the surface to prevent overetching by an alkali compound, thereby minimizing the quality deviation of texture by location and increasing the light efficiency.
以下に、本発明を詳しく説明する。 The present invention is described in detail below.
本発明の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物は、アルカリ化合物（Ａ）及び特定溶解度指数の化合物とアルカリ金属（塩）との反応物（Ｂ）を含む。 The texture etching liquid composition of the crystalline silicon wafer of the present invention contains an alkali compound (A) and a reaction product (B) of a compound having a specific solubility index and an alkali metal (salt).
本発明によるアルカリ化合物（Ａ）は、結晶性シリコンウエハの表面をエッチングする成分として当分野で通常に使用するアルカリ化合物であれば制限なしに使用することができる。使用可能なアルカリ化合物としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、テトラヒドロキシメチルアンモニウム、テトラヒドロキシエチルアンモニウムなどが挙げられ、このうち、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが好ましい。これらは単独または２種以上混合して使用することができる。 The alkali compound (A) according to the present invention can be used without limitation as long as it is an alkali compound usually used in the art as a component for etching the surface of a crystalline silicon wafer. Examples of the alkali compound that can be used include potassium hydroxide, sodium hydroxide, ammonium hydroxide, tetrahydroxymethylammonium, tetrahydroxyethylammonium and the like, among which potassium hydroxide and sodium hydroxide are preferable. These can be used alone or in admixture of two or more.
アルカリ化合物は、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物全体重量に対して０．５〜５重量％に含まれることができ、好ましくは１〜３重量％とすることができる。含量が上記範囲に該当する場合、シリコンウエハ表面をエッチングすることができることになる。 The alkali compound can be contained in an amount of 0.5 to 5% by weight, preferably 1 to 3% by weight, based on the total weight of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer. When the content falls within the above range, the silicon wafer surface can be etched.
本発明において前記反応物（Ｂ）は、水酸基を含有し、ハンセン溶解度パラメータ（δｐ）（特定溶解度指数）が８．０〜１２．０［Ｊ／ｃｍ３］１／２である化合物（ｂ−１）とアルカリ金属（塩）（ｂ−２）との反応物である。 In the present invention, the reactant (B) contains a hydroxyl group and has a Hansen solubility parameter (δp) (specific solubility index) of 8.0 to 12.0 [J / cm 3 ] 1/2 (b- 1) is a reaction product of alkali metal (salt) (b-2).
前記反応物（Ｂ）は、シリコン結晶方向である（１００）、（１１１）面に対してより優れたエッチング速度の制御能力を示している。特に、アルカリ化合物による単結晶Ｓｉエッチング時、単結晶Ｓｉ表面に吸着されて水酸基によって（１００）方向のエッチング速度を抑制し、アルカリ化合物によって過エッチングを防止することで、テクスチャの品質偏差を最小化し、テクスチャ構造をなすピラミッド構造が微細に形成されるように誘導する。また、結晶性シリコンウエハ表面の潤湿性を改善させてエッチングで生成された水素バブルをシリコン表面から早く落とすことで、バブルスティック現象が発生することを防止してテクスチャの品質を向上させることができる。 The reactant (B) exhibits a better etching rate control ability with respect to the (100) and (111) planes in the silicon crystal direction. In particular, during single crystal Si etching with an alkali compound, texture quality deviation is minimized by suppressing the etching rate in the (100) direction by the hydroxyl group adsorbed on the surface of the single crystal Si and preventing overetching by the alkali compound. Then, the pyramid structure forming the texture structure is induced to be finely formed. Also, by improving the wettability of the crystalline silicon wafer surface and quickly removing the hydrogen bubbles generated by etching from the silicon surface, it is possible to prevent the bubble stick phenomenon from occurring and improve the quality of the texture. .
本発明において、前記反応物（Ｂ）は、沸点が１２０℃以上であることが好ましい（大気圧（１気圧）下で）。沸点が１２０℃以上になると、エッチング工程時損失率が少なく、少ない含量で使用が可能であるだけでなく、同一使用量に対する処理枚数も増加させることができる。沸点の上限は、特に制限せず、例えば２５０℃とすることができる。 In the present invention, the reactant (B) preferably has a boiling point of 120 ° C. or higher (under atmospheric pressure (1 atm)). When the boiling point is 120 ° C. or higher, not only the loss rate during the etching process is small, it can be used with a small content, but also the number of processed sheets for the same use amount can be increased. The upper limit of the boiling point is not particularly limited and can be, for example, 250 ° C.
化合物（ｂ−１）は、水酸基を含むことで、アルカリ金属（塩）と反応をし、過エッチングを防止することができる。 Compound (b-1) can react with an alkali metal (salt) by containing a hydroxyl group to prevent overetching.
化合物（ｂ−１）において、ハンセン溶解度パラメータが８．０〜１２．０［Ｊ／ｃｍ３］１／２である化合物のより具体的な例示としては、グリコールエーテル系化合物が挙げられる。化合物（ｂ−１）のより具体的な例としては、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トリプロピレングリコールメチルエーテル、ジプロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル、ジプロピレングリコールブチルエーテル、トリプロピレングリコールブチルエーテル、プロピレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールヘキシルエーテル、エチレングリコールプロピルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールヘキシルエーテル、トリエチレングリコールメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルエーテル、トリエチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールフェニルエーテルなどが挙げられるが、これに限定されず、これらはそれぞれ単独または２種以上混合して使用することができる。 A more specific example of the compound (b-1) having a Hansen solubility parameter of 8.0 to 12.0 [J / cm 3 ] 1/2 includes a glycol ether compound. More specific examples of the compound (b-1) include dipropylene glycol methyl ether, tripropylene glycol methyl ether, dipropylene glycol propyl ether, propylene glycol butyl ether, dipropylene glycol butyl ether, tripropylene glycol butyl ether, propylene glycol phenyl. Ether, diethylene glycol ethyl ether, diethylene glycol methyl ether, diethylene glycol butyl ether, diethylene glycol hexyl ether, ethylene glycol propyl ether, ethylene glycol butyl ether, ethylene glycol hexyl ether, triethylene glycol methyl ether, triethylene glycol ethyl ether, triethylene glycol butyrate Ethers, such as ethylene glycol phenyl ether, without being limited thereto, it can be used as a mixture alone or in combination.
本発明に係る化合物（ｂ−２）において、アルカリ金属（塩）は、アルカリ金属、アルカリ金属の塩またはこの両方を指すことを意味する。 In the compound (b-2) according to the present invention, the alkali metal (salt) is meant to indicate an alkali metal, an alkali metal salt, or both.
アルカリ金属の塩は、化合物（ｂ−１）との反応時にアルカリ金属陽イオンが解離される塩化合物であれば特に制限されず、例えばアルカリ金属の水酸化物とすることができる。 The alkali metal salt is not particularly limited as long as it is a salt compound in which an alkali metal cation is dissociated upon reaction with the compound (b-1), and for example, an alkali metal hydroxide can be used.
化合物（ｂ−２）において、アルカリ金属は、好ましくは、ナトリウムまたはカリウムとすることができる。 In the compound (b-2), the alkali metal can be preferably sodium or potassium.
本発明において、化合物（Ｂ）は、化合物（ｂ−１）と化合物（ｂ−２）との反応物であって、その反応モル比は、ｂ−２／ｂ−１が０．０１〜０．５０、好ましくは０．１〜０．２とすることができる。上記範囲において、シリコンウエハ表面を均一なテクスチャ状に形成することができ、経済的に有効なエッチング速度を実現する反応物（Ｂ）を形成することができる。前記反応モル比が０．０１未満の場合には、アルカリ化合物のシリコンウエハに対するエッチング速度を制御する能力が低下されて均一なテクスチャ状を得ることができなくなることもあり、０．５より大きい場合には、化合物（ｂ−２）の含量が多くなり化合物（ｂ−１）に全部溶けず反応が行われなかったり、分解されることがあり本発明で目的とする性能が実現できなくなる可能性がある。 In the present invention, the compound (B) is a reaction product of the compound (b-1) and the compound (b-2), and the reaction molar ratio of b-2 / b-1 is 0.01 to 0. .50, preferably 0.1 to 0.2. In the above range, the silicon wafer surface can be formed in a uniform texture, and the reactant (B) that realizes an economically effective etching rate can be formed. When the reaction molar ratio is less than 0.01, the ability to control the etching rate of the alkali compound with respect to the silicon wafer may be reduced, and a uniform texture may not be obtained. In some cases, the content of the compound (b-2) increases so that the compound (b-1) is not completely dissolved and the reaction may not be performed or may be decomposed. There is.
また、前記反応の温度は、大気圧下で４０〜１２０℃、好ましくは７０〜９０℃とすることができる。 The temperature of the reaction can be 40 to 120 ° C., preferably 70 to 90 ° C. under atmospheric pressure.
本発明に係る反応物（Ｂ）は、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物全体重量に対して０．００１〜５重量％として含まれることができ、好ましくは０．０１〜２重量％とすることができる。含量が上記範囲に該当する場合に、過エッチングとエッチング加速化を効果的に防止することができる。含量が０．００１重量％未満の場合は、アルカリ化合物によるエッチング速度の制御が困難となり、均一なテクスチャ状を得ることができなくなることもあり、５重量％を超える場合は、アルカリ化合物によるエッチング速度を急激に低下させて所望する微細ピラミッドを形成することが困難となる可能性がある。 The reactant (B) according to the present invention may be included as 0.001 to 5% by weight, preferably 0.01 to 2% by weight, based on the total weight of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer. can do. When the content falls within the above range, overetching and accelerated etching can be effectively prevented. When the content is less than 0.001% by weight, it becomes difficult to control the etching rate with the alkali compound, and a uniform texture may not be obtained. When the content exceeds 5% by weight, the etching rate with the alkali compound There is a possibility that it is difficult to form a desired fine pyramid by rapidly decreasing.
本発明に係る結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物は、上記成分を具体的な必要に応じて適切に混合した後、水を添加して全体組成を調節する。これにより、全体組成物の前記成分以外の残量は水が占めることになる。好ましくは、前記成分が上述の含量範囲を有するように、水の量を調節する。 In the texture etching liquid composition for crystalline silicon wafers according to the present invention, the above components are appropriately mixed according to specific needs, and then water is added to adjust the overall composition. Thereby, water will occupy the remainder other than the said component of the whole composition. Preferably, the amount of water is adjusted so that the component has the content range described above.
水の種類は、特に限定されないが、脱イオン蒸溜水とすることが好ましく、より好ましくは、半導体工程用の脱イオン蒸溜水であって、比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上とすることが好ましい。 Although the kind of water is not particularly limited, it is preferably deionized distilled water, more preferably deionized distilled water for semiconductor processes, and a specific resistance value of 18 MΩ · cm or more is preferable.
選択的に、本発明の目的、効果を損なわない範囲で当分野に公知された追加的な添加剤をさらに含むことができる。このような成分としては、粘度調整剤、ｐＨ調整剤などがあげられる。 Optionally, additional additives known in the art can be further included within the range not impairing the object and effects of the present invention. Examples of such components include viscosity modifiers and pH adjusters.
粘度調整剤としては、多糖類（ｐｏｌｙｓａｃｃｈａｒｉｄｅ）が例として挙げられる。多糖類は、単糖類２つ以上がグリコシド結合して大きい分子を形成する糖類化合物である。 As a viscosity modifier, a polysaccharide (polysaccharide) is mentioned as an example. A polysaccharide is a saccharide compound in which two or more monosaccharides are glycosidic bonded to form a large molecule.
多糖類としては、グルカン系（ｇｌｕｃａｎ）化合物、フルクタン系（ｆｒｕｃｔａｎ）化合物、マンナン系（ｍａｎｎａｎ）化合物、ガラクタン系（ｇａｌａｃｔａｎ）化合物またはこれらの金属塩などが挙げられ、このうちのグルカン系化合物とその金属塩（例えば、アルカリ金属塩）が好ましい。これらは単独または２種以上混合して使用することができる。 Examples of the polysaccharide include a glucan compound, a fructan compound, a mannan compound, a galactan compound, or a metal salt thereof. Of these, a glucan compound and its compound Metal salts (eg, alkali metal salts) are preferred. These can be used alone or in admixture of two or more.
グルカン系化合物としては、セルロース、ジメチルアミノエチルセルロース、ジエチルアミノエチルセルロース、エチルヒドロキシエチルセルロース、メチルヒドロキシエチルセルロース、４−アミノベンジルセルロース、トリエチルアミノエチルセルロース、シアノエチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、カルボキシエチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、アルギン酸、アミロース、アミロペクチン、ペクチン、スターチ、デキストリン、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン、ヒドロキシプロピル−β−シクロデキストリン、メチル−β−シクロデキストリン、デキストラン、デキストランスルフェートナトリウム、サポニン、グリコーゲン、ザイモサン、レンチナン、シゾフィナンまたはこれらの金属塩などが挙げられる。 Glucan compounds include cellulose, dimethylaminoethylcellulose, diethylaminoethylcellulose, ethylhydroxyethylcellulose, methylhydroxyethylcellulose, 4-aminobenzylcellulose, triethylaminoethylcellulose, cyanoethylcellulose, ethylcellulose, methylcellulose, carboxymethylcellulose, carboxyethylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxy Propylcellulose, alginic acid, amylose, amylopectin, pectin, starch, dextrin, α-cyclodextrin, β-cyclodextrin, γ-cyclodextrin, hydroxypropyl-β-cyclodextrin, methyl-β-cyclodextrin, dextran, dextran sulfate Na Thorium, saponin, glycogen, zymosan, lentinan, schizophinan, or a metal salt thereof.
多糖類は、平均分子量が５、０００〜１、０００、０００であることとすることができ、好ましくは５０、０００〜２００、０００であることが好ましい。 The polysaccharide may have an average molecular weight of 5,000 to 1,000,000, and preferably 50,000 to 200,000.
多糖類は、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物全体重量に対して１０−９ないし０．５重量％で含まれることができ、好ましくは１０−６ないし０．１重量％であることが好ましい。含量が上記範囲に該当する場合は、過エッチングとエッチング加速化を効果的に防止することができる。含量が０．５重量％を超える場合は、アルカリ化合物によるエッチング速度を急激に低下させて所望する微細ピラミッドを形成することができない。 The polysaccharide may be included at 10 −9 to 0.5 wt%, preferably 10 −6 to 0.1 wt%, based on the total weight of the texture etching solution composition of the crystalline silicon wafer. preferable. When the content falls within the above range, overetching and accelerated etching can be effectively prevented. When the content exceeds 0.5% by weight, the etching rate by the alkali compound is rapidly decreased, and a desired fine pyramid cannot be formed.
本発明の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物は、通常のエッチング工程、例えばディップ方式、噴霧方式及び枚葉方式のエッチング工程にすべて適用可能である。 The crystalline silicon wafer texture etchant composition of the present invention can be applied to all ordinary etching processes such as dipping, spraying, and single wafer etching processes.
本発明は、前記結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物を利用した結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング方法を提供する。 The present invention provides a texture etching method for a crystalline silicon wafer using the crystalline silicon wafer texture etching solution composition.
結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング方法は、本発明の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物に結晶性シリコンウエハを沈積させる段階、または本発明の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物を結晶性シリコンウエハに噴霧する段階、または前記２つの段階をすべて含む。 The crystalline silicon wafer texture etching method includes the step of depositing the crystalline silicon wafer in the crystalline silicon wafer texture etching composition of the present invention, or the crystalline silicon wafer texture etching composition of the present invention is crystalline. A step of spraying a silicon wafer, or all the two steps are included.
沈積と噴霧の回数は特に限定せず、沈積と噴霧を両方実行する場合にもその順序は限定されない。 The number of deposition and spraying is not particularly limited, and the order of deposition and spraying is not limited.
沈積、噴霧または沈積及び噴霧する段階は５０〜１００℃の温度で３０秒〜６０分間遂行することができる。 The depositing, spraying or depositing and spraying steps can be performed at a temperature of 50-100 ° C. for 30 seconds to 60 minutes.
上述のような本発明の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング方法は、酸素を供給する別途のエアレータを導入する必要がなく、初期生産及び工程コスト面から経済的であるだけでなく、簡単な工程でありながらも均一な微細ピラミッド構造の形成を可能とする。 The crystalline silicon wafer texture etching method of the present invention as described above does not require a separate aerator for supplying oxygen, is economical in terms of initial production and process costs, and is a simple process. A uniform fine pyramid structure can be formed.
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, but the present invention is not limited to such examples. It is obvious that a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains can come up with various changes or modifications within the scope of the technical idea described in the claims. Of course, it is understood that these also belong to the technical scope of the present invention.
製造例
下記表１に記載の成分及び条件で反応物（Ｂ）を製造した。製造例９及び１０は反応なしの化合物（ｂ−１）そのものを示す。
Production Example A reaction product (B) was produced using the components and conditions described in Table 1 below. Production Examples 9 and 10 show the compound (b-1) itself without reaction.
実施例及び比較例
下記表２に記載の成分及び含量に、残量の水（Ｈ２Ｏ）を添加して結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物を製造した。
Examples and Comparative Examples A residual amount of water (H 2 O) was added to the components and contents shown in Table 2 below to produce a texture etching solution composition for a crystalline silicon wafer.
試験例
単結晶シリコンウエハ（１５６ｍｍ×１５６ｍｍ）を実施例及び比較例の結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物にそれぞれ浸漬させてエッチングした。この場合、テクスチャ条件は温度８０℃、時間２０分であった。
Test Example Single crystal silicon wafers (156 mm × 156 mm) were immersed and etched in the textured etchant compositions of the crystalline silicon wafers of Examples and Comparative Examples. In this case, the texture conditions were a temperature of 80 ° C. and a time of 20 minutes.
１．エッチング量
エッチング前後のウエハの重量変化を測定した。
1. Etching amount The change in weight of the wafer before and after etching was measured.
２．テクスチャの反射率評価
エッチングした単結晶シリコンウエハの表面に、ＵＶ分光光度計を用いて６００ｎｍの波長帯を有する光を照射した際の反射率を測定し、その結果を表２に示した。
2. Evaluation of the reflectance of the texture The reflectance when the surface of the etched single crystal silicon wafer was irradiated with light having a wavelength band of 600 nm using a UV spectrophotometer was measured, and the results are shown in Table 2.
３．テクスチャの均一性（外観）評価
テクスチャの均一性は光学顕微鏡、ＳＥＭを用い、ピラミッドの大きさはＳＥＭを用いて評価し、その結果を表２に示した。
3. Texture Uniformity (Appearance) Evaluation Texture uniformity was evaluated using an optical microscope and SEM, and the pyramid size was evaluated using SEM. The results are shown in Table 2.
◎：ウエハ全面ピラミッド形成
○：ウエハ一部ピラミッド未形成
（ピラミッド構造未形成精度５％未満）
△：ウエハ一部ピラミッド未形成
（ピラミッド構造未形成精度５〜５０％）
×：ウエハピラミッド未形成
（ピラミッド未形成精度９０％以上）
◎: Pyramid formation on the entire wafer surface ○: Pyramid on the wafer is not formed (pyramid structure formation accuracy is less than 5%)
Δ: Partial pyramid formation on the wafer (Pyramid structure formation accuracy is 5 to 50%)
X: Wafer pyramid not formed (pyramid unformed accuracy 90% or more)
表２及び図１〜１０を参考すると、実施例のシリコンウエハのエッチング液組成物は、比較例に比べて単結晶シリコンウエハの全面に非常に小さく均一なピラミッドを形成した。また、ピラミッドの形成精度が非常に優れ、低い反射率値を示すことを確認することができた。そして、光学顕微鏡またはＳＥＭ分析を介して高倍率に拡大してピラミッドを確認した結果、高密度でピラミッドが形成されたことを確認することができた。実施例６〜９の場合にもピラミッド形成精度が非常に優れ、反射率も約１０〜１２％の低い反射率値を示すことを確認することができた。 Referring to Table 2 and FIGS. 1 to 10, the silicon wafer etchant composition of the example formed a very small and uniform pyramid on the entire surface of the single crystal silicon wafer as compared with the comparative example. Moreover, it was confirmed that the pyramid formation accuracy was very excellent and a low reflectance value was exhibited. And as a result of enlarging to high magnification via an optical microscope or SEM analysis and confirming the pyramid, it was able to confirm that the pyramid was formed with high density. Also in Examples 6 to 9, it was confirmed that the pyramid formation accuracy was very excellent, and the reflectance was as low as about 10 to 12%.
但し、反応物（Ｂ）が多少過量に使用された実施例１０は、エッチング速度が少し低下してテクスチャの均一性が多少低下することで、相対的に反射率が少し高くなったことを確認することができた。 However, in Example 10 in which the reactant (B) was used in a slightly excessive amount, it was confirmed that the reflectance was slightly increased by slightly decreasing the etching rate and decreasing the uniformity of the texture. We were able to.
特に、実施例１と比較例１、実施例５と比較例２を比較すると、化合物（ｂ−１）をエッチング液として直接使用するより、化合物（ｂ−１）と化合物（ｂ−２）との反応物を使用することが、少ない濃度でありながらもより優れた均一性のテクスチャを形成することを確認することができた。 In particular, when Example 1 and Comparative Example 1 are compared, and Example 5 and Comparative Example 2 are compared, the compound (b-1) and the compound (b-2) are more directly used than the compound (b-1) as an etching solution. It was confirmed that the use of this reaction product formed a texture with better uniformity even at a low concentration.
Claims (10)
水酸基を含有し、ハンセン溶解度パラメータ（δｐ）が８．０〜１２．０［Ｊ／ｃｍ３］１／２である化合物（ｂ−１）と、アルカリ金属（塩）（ｂ−２）とが１：０．０１〜１：０．５のモル比で反応して形成された反応物（Ｂ）と、
を含むことを特徴とする、結晶性シリコンウエハのテクスチャエッチング液組成物。 An alkali compound (A);
Containing a hydroxyl group, Hansen parameter (.delta.p) is 8.0~12.0 [J / cm 3] 1/2, compound with (b-1), and alkali metal (salt) (b-2) is A reactant (B) formed by reacting in a molar ratio of 1: 0.01 to 1: 0.5 ;
A texture etchant composition for crystalline silicon wafers, comprising:
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140032836A KR101956352B1 (en) | 2014-03-20 | 2014-03-20 | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers |
| KR10-2014-0032836 | 2014-03-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015185849A JP2015185849A (en) | 2015-10-22 |
| JP6434837B2 true JP6434837B2 (en) | 2018-12-05 |
Family
ID=54116098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015058169A Active JP6434837B2 (en) | 2014-03-20 | 2015-03-20 | Texture etching solution composition for crystalline silicon wafer and method for texture etching |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6434837B2 (en) |
| KR (1) | KR101956352B1 (en) |
| CN (1) | CN104928680B (en) |
| TW (1) | TWI635161B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7090908B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-06-27 | 株式会社フジキカイ | Carton take-out device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126997A (en) * | 2019-02-05 | 2020-08-20 | 株式会社トクヤマ | Silicon etching solution and method for producing silicon device using that etching solution |
| KR102444014B1 (en) | 2019-02-05 | 2022-09-15 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | Silicon etching solution and method for producing silicon device using the etching solution |
| CN111440613B (en) * | 2019-12-09 | 2022-03-25 | 杭州格林达电子材料股份有限公司 | TMAH anisotropic silicon etching liquid and preparation method thereof |
| KR20220033141A (en) * | 2020-09-09 | 2022-03-16 | 동우 화인켐 주식회사 | Silicon etchant composition, pattern formation method and manufacturing method of array substrate using the etchant composition, and array substrate manufactured therefrom |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4137123A (en) | 1975-12-31 | 1979-01-30 | Motorola, Inc. | Texture etching of silicon: method |
| KR0180621B1 (en) | 1995-12-01 | 1999-04-15 | 이창세 | Texture etching method of silicon wafer and texture solution |
| DE19811878C2 (en) | 1998-03-18 | 2002-09-19 | Siemens Solar Gmbh | Process and etching solution for wet chemical pyramidal texture etching of silicon surfaces |
| US8338087B2 (en) * | 2004-03-03 | 2012-12-25 | Advanced Technology Materials, Inc | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
| KR100793241B1 (en) * | 2006-06-19 | 2008-01-10 | 삼성전자주식회사 | Composition for removing a silicon polymer and a photoresist, a method of removing layers and a method of forming a pattern using the composition |
| CN101162369A (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-16 | 安集微电子（上海）有限公司 | Low etching photoresist cleaning agent and cleaning method thereof |
| JP5339880B2 (en) * | 2008-12-11 | 2013-11-13 | 株式会社新菱 | Etching solution for silicon substrate and surface processing method for silicon substrate |
| US7955989B2 (en) * | 2009-09-24 | 2011-06-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Texturing semiconductor substrates |
| TWI510848B (en) * | 2010-08-02 | 2015-12-01 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | Etchant composistion of etching a commper-based metal layer and method of fabricating an array substrate for a liquid crystal display |
| JP2012227304A (en) * | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Hayashi Junyaku Kogyo Kk | Etchant composition and etching method |
| KR20130002258A (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-07 | 동우 화인켐 주식회사 | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers |
| KR101933527B1 (en) * | 2011-10-19 | 2018-12-31 | 동우 화인켐 주식회사 | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers |
| JP2013168619A (en) * | 2012-02-17 | 2013-08-29 | Tokuyama Corp | Composition for texture formation |
-
2014
- 2014-03-20 KR KR1020140032836A patent/KR101956352B1/en active IP Right Grant
-
2015
- 2015-02-17 TW TW104105499A patent/TWI635161B/en active
- 2015-03-20 CN CN201510123035.9A patent/CN104928680B/en active Active
- 2015-03-20 JP JP2015058169A patent/JP6434837B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7090908B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-06-27 | 株式会社フジキカイ | Carton take-out device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201536896A (en) | 2015-10-01 |
| CN104928680A (en) | 2015-09-23 |
| CN104928680B (en) | 2018-05-04 |
| KR101956352B1 (en) | 2019-03-08 |
| TWI635161B (en) | 2018-09-11 |
| KR20150109704A (en) | 2015-10-02 |
| JP2015185849A (en) | 2015-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6434837B2 (en) | Texture etching solution composition for crystalline silicon wafer and method for texture etching | |
| TWI494416B (en) | Acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates | |
| JP5339880B2 (en) | Etching solution for silicon substrate and surface processing method for silicon substrate | |
| TWI454557B (en) | Improved polycrystalline texturing composition and method | |
| CN103547654B (en) | For texture etching solution composition and the texture etching method of crystal silicon chip | |
| JP2014534630A (en) | Texture etching solution composition for crystalline silicon wafer and texture etching method | |
| JP2005537680A (en) | Etching paste for silicon surfaces and layers | |
| CN106098840A (en) | A kind of black silicon preparation method of wet method | |
| KR20150108143A (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| TWI544060B (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| KR20120119796A (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| CN103681959A (en) | Texturing of monocrystalline semiconductor substrates to reduce incident light reflectance | |
| JP6185674B2 (en) | Texture etching solution composition for crystalline silicon wafer and texture etching method | |
| TWI537437B (en) | Single crystalline silicon wafers and method of preparing the same | |
| KR101892624B1 (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| TW201322326A (en) | Method for the treatment of silicon wafers, treatment liquid and silicon wafers | |
| KR20150106221A (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| KR20150109089A (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| KR101933527B1 (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| KR101863536B1 (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| KR20150108104A (en) | Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers | |
| Bodian et al. | New chemical attack of Ag-catalyzed on Si in HF-H2O2-AgNO3 medium. Application to Si solar cells treatment | |
| JP2014165385A (en) | Silicon substrate having texture structure, and method for manufacturing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170706 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180712 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180717 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20181017 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181023 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181106 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181109 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6434837 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |