JP6432201B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2,2a,2b,2c,2d MOSFET
3,3a,3b,3c ツェナZap
4,4a,4b,4c,4d 検出電圧線
11 n半導体基板
12,19,19a,43 絶縁膜
13 Al−Si−Cuメタル配線
13a,36,37,44 配線
14,17 拡散抵抗
14a p拡散領域
15,15a,45 コンタクトホール
16,18 ポリシリコン抵抗
21,31 pウェル領域
22 nソース領域
23 nドレイン領域
24 ゲート絶縁膜
25 ゲート電極
26 ソース電極
27 ドレイン電極
32 pアノード領域
33 nカソード領域
34 アノード電極
35 カソード電極
39 抵抗
40,40a,40b,40c,40d,83,83a,83b,83c ヒューズ
41 電極部
42 狭窄部
81 第1分圧抵抗
82 第2分圧抵抗
100,200,300,400,500,600,700,800,900 半導体装置
101,102 電流検出回路
Rsh シャント抵抗
Rdo 分圧比調整抵抗
Rd1,Rd2,Rd3 分圧抵抗
Vd1,Vd2,Vd3 分圧電圧
P1,P2,P3 分圧点
Vs 検出電圧
So,SH,SL 分圧比
Claims (9)
- 電流検出抵抗と、
前記電流検出抵抗に並列に接続された、前記電流検出抵抗より高抵抗の分圧比調整抵抗と、
前記分圧比調整抵抗を異なる分圧比に分割する複数の分圧点と、
前記分圧点を選択する選択回路と、を同一半導体基板に備え、
前記選択回路は、前記電流検出抵抗の抵抗値に基づいて前記分圧点の一つを選択し、
前記選択回路によって選択された前記分圧点での電圧を検出電圧として出力する電圧検出回路を有し、
前記分圧比調整抵抗は、抵抗率が異なる領域が設けられ、分圧比が0.5となる分圧点を含む領域は、前記抵抗率が他の箇所より低いことを特徴とする半導体装置。 - 前記分圧比調整抵抗上に層間絶縁膜を介して前記電流検出抵抗を積層配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記電流検出抵抗は、金属配線、拡散抵抗またはポリシリコン抵抗であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記選択回路は、複数のスイッチング素子と、前記スイッチング素子と同数のトリミング素子と、で構成され、
複数の前記トリミング素子はそれぞれ異なる前記スイッチング素子のゲートに接続され、
前記スイッチング素子の高電位側はそれぞれ異なる前記分圧点に接続されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記スイッチング素子は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記トリミング素子は、ツェナーダイオードまたはヒューズであることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体装置。
- 前記分圧比調整抵抗は、
第1分圧抵抗と、
前記第1分圧抵抗の低電位側に前記第1分圧抵抗に直列に接続された、複数の前記分圧点を有する第2分圧抵抗と、
互いに直列に接続され、かつ前記第1分圧抵抗に並列に接続された複数のトリミング素子と、を備え、
複数の前記トリミング素子によって前記第1分圧抵抗の抵抗値を制御することで前記分圧比調整抵抗の温度係数を調整することを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 前記第2分圧抵抗の温度係数は、前記第1分圧抵抗の温度係数よりも小さいことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記電流検出抵抗の抵抗値Rshのばらつきの平均値をRshavとし、前記平均値Rshavより高い抵抗値をRshHとし、前記平均値Rshavより低い抵抗値をRshLとし、前記分圧比調整抵抗の抵抗値Rdoの所定の前記分圧点における第1抵抗値をRd1とし、前記第1抵抗値Rd1より高い第2抵抗値をRdHとし、前記第1抵抗値Rd1より低い第3抵抗値をRdLとし、前記第1抵抗値Rd1の分圧比をSoとし、前記第2抵抗値RdHの分圧比をSHとし、前記第3抵抗値RdLの分圧比をSLとしたとき、
Rshav×Soと、RshH×SLと、RshL×SHと、が略同値になるように分圧比を設定し、当該分圧比となる前記分圧点を前記選択回路で選択することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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