JP6292226B2 - Measurements abnormality detection methods and surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring device - Google Patents

Measurements abnormality detection methods and surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring device Download PDF

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    • G01N21/645Specially adapted constructive features of fluorimeters
    • G01N21/648Specially adapted constructive features of fluorimeters using evanescent coupling or surface plasmon coupling for the excitation of fluorescence

Description

本発明は、表面プラズモン励起増強蛍光分光法を利用した測定における測定異常の検出方法、および前記測定異常の検出方法を実行する表面プラズモン励起増強蛍光測定装置に関する。 The present invention is method of detecting abnormal measurement in the measurement using surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy, and a surface plasmon excited enhanced fluorescence measuring apparatus for performing the method of detecting the measurement abnormality.

従来、タンパク質やDNAなどの被測定物質を高感度に測定する方法として、表面プラズモン励起増強蛍光分光法(Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy:以下「SPFS」と略記する)が知られている(例えば、特許文献1,2参照)。 Conventionally, the measured substances such as proteins and DNA as a method of measuring with high sensitivity, the surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy (Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy: hereinafter abbreviated as "SPFS") is known (e.g. , see Patent documents 1 and 2).

特許文献1,2には、SPFSを利用して被測定物質の測定を行う表面プラズモン共鳴蛍光測定装置が開示されている。 Patent Documents 1 and 2, surface plasmon resonance fluorescence measuring device utilizing the SPFS to measure the measured substance is disclosed. これらの装置には、誘電体からなるプリズムと、プリズムの1面上に形成された導電体膜(例えば金属膜)と、導電体膜上に固定された捕捉体(例えば抗体)とを有するセンサチップが装着される。 These devices, sensors having a prism made of a dielectric material, a first surface on which is formed in the conductive film of the prism (for example, a metal film), the conductive film immobilized capture material on the (e.g., antibody) chip is mounted. 導電体膜上に被測定物質を含む試料液を提供すると、被測定物質が捕捉体により捕捉される(1次反応)。 The conductor film on the providing a sample solution containing a substance to be measured, the material to be measured is captured by the capture member (primary reaction). 捕捉された被検出物質は、さらに蛍光物質で標識される(2次反応)。 The captured object substance was is further labeled with a fluorescent substance (secondary reaction).

この状態で、プリズムと導電体膜との界面において全反射するように、プリズム側から導電体膜に励起光を照射すると、界面で励起光が反射する時に導電体膜からエバネッセント光がしみ出し、導電体膜中のプラズモンとエバネッセント光とが干渉する。 In this state, so as to totally reflect at the interface between the prism and the conductor film is irradiated with excitation light from the prism side conductive film, the evanescent light from the conductive film when the excitation light at the interface is reflected ooze, plasmon conductive film and the evanescent light interfere. 界面への励起光の入射角が共鳴角に設定され、プラズモンとエバネッセント光とが共鳴する場合に、エバネッセント光の電場は著しく増強される。 The incident angle of the excitation light to the interface is set to the resonance angle, if the plasmon evanescent light resonates, the electric field of the evanescent light is significantly enhanced. 表面プラズモン励起蛍光分光法(SPFS)においては、この増強された電場が用いられ、この電場は、被測定物質を標識する蛍光物質を励起する。 In the surface plasmon excitation fluorescence spectroscopy (SPFS), the enhanced electric field is used, this field excites the fluorescent substance for labeling the substance to be measured. したがって、導電体膜上に被測定物質が存在する場合は、蛍光物質から放出された蛍光が観察される。 Therefore, if the substance to be measured is present in the conductor film on the fluorescence emitted from the fluorescent substance is observed. 測定装置は、蛍光の光量を測定して、被測定物質の存在またはその量を検出する。 Measuring device measures the light intensity of the fluorescence, detecting the presence or amount of the substance to be measured.

一方、特許文献3には、白色干渉法を利用して生体分子を検出する方法が開示されている。 On the other hand, Patent Document 3, a method for detecting biomolecules using white interferometry is disclosed. この方法では、プローブ用生体分子を固定した基板(バイオセンサ)表面における3次元形状の変化を白色干渉法を利用して検出することで、生体分子を検出する。 In this method, a change in the three-dimensional shape of the fixed board (biosensor) surface probe biomolecules to detect using white light interference method, for detecting biological molecules. 特許文献3には、白色干渉法を利用してバイオセンサ表面の3次元形状を計測することで、バイオセンサの品質管理を行うことも記載されている。 Patent Document 3, by using white interferometry by measuring the three-dimensional shape of the biosensor surface, has also been described to perform quality control of the biosensor.

国際公開第2012/042805号 International Publication No. WO 2012/042805 国際公開第2012/108323号 International Publication No. WO 2012/108323 特開2007−10557号公報 JP 2007-10557 JP

SPFSを利用する被測定物質の測定は、非常に高感度である。 Measurement of the substance to be measured utilizing SPFS is very sensitive. このため、保管によるセンサチップまたは試料液の変化や、試料液中の夾雑物(例えば、試料液が血液の場合における血球成分など)の非特異的吸着などの各種要因が、測定結果に大きく影響してしまう。 Therefore, storing changes in the sensor chip or sample liquid by, contaminants in the sample solution (e.g., blood cells when the sample liquid is blood) various factors such as non-specific adsorption of a large influence on the measurement results Resulting in. したがって、測定結果の信頼性を向上させる観点からは、センサチップの異常や、測定中に生じた異常などの各種異常を検出できることが好ましい。 Thus, the measurement from the viewpoint of improving the reliability of the result, abnormality or of the sensor chip, it is desirable to be able to detect various abnormalities such as occurs during the measurement abnormality.

本発明の目的は、SPFSを利用した測定における測定異常の検出方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for detecting measurement abnormality in the measurement using the SPFS.

上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る測定異常の検出方法は、表面プラズモン励起増強蛍光分光法による測定における測定異常の検出方法であって、(a−1)誘電体からなるプリズムと、前記プリズムの面上に配置された導電体膜と、前記導電体膜上に固定された捕捉体とを有するセンサチップを準備する工程と、(b−1)前記プリズムと前記導電体膜との界面において全反射するように、前記プリズム側から前記導電体膜に光を照射し、測定異常の検出のための光学特性値を測定する工程と、(b−2)前記光学特性値に基づき、測定異常を検出する工程と、を含む。 To solve the above problem, the detection method of measurement abnormality according to an embodiment of the present invention provides a method of detecting abnormal measurement in the measurement by surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy, from (a-1) a dielectric prism and a plane arranged conductor on the membrane of the prism, a step of preparing a sensor chip having a capture member fixed to the conductive film, the conductive and (b-1) the prism comprising so as to totally reflect at the interface between the body layer, a step of irradiating light to the conductive film from the prism side, to measure the optical characteristic value for the detection of abnormal measurement, (b-2) the optical properties based on the values, and a step of detecting an abnormal measurement, the.

また、上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る表面プラズモン励起増強蛍光測定装置は、表面プラズモン励起増強蛍光分光法を利用して被測定物質を測定する表面プラズモン励起増強蛍光測定装置であって、上記の測定異常の検出方法により、表面プラズモン励起増強蛍光分光法を利用した測定における測定異常を検出する。 In order to solve the above problem, the surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus according to an embodiment of the present invention, the surface plasmon excitation enhanced fluorescence measurement for measuring a substance to be measured by utilizing the surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy an apparatus, the detection method of the measurement abnormality, for detecting the measurement abnormality in the measurement using surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy.

本発明によれば、SPFSを利用した測定結果の信頼性を向上させることができる。 According to the present invention, it is possible to improve the reliability of the results of measuring the SPFS. また、本発明によれば、測定の早い段階において測定異常を検出することで、測定異常による試薬や測定時間などの損失を低減することができる。 Further, according to the present invention, by detecting the measurement abnormality in an early stage of the measurement, it is possible to reduce the loss of such reagents and the measurement time by the measurement abnormality.

図1は、表面プラズモン励起増強蛍光測定装置の構成を示す模式図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing the structure of a surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus. 図2は、センサチップの断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view of the sensor chip. 図3は、測定手順の一例を示すフローチャートである。 Figure 3 is a flowchart illustrating an example of a measurement procedure. 図4A〜Gは、SPFSを利用した測定において測定異常の検査を行う場合の、測定手順の一例を示すフローチャートである。 FIG 4A~G is in the case of performing the measurement abnormality of the test in the measurement using the SPFS, it is a flowchart illustrating an example of a measurement procedure. 図5A〜Cは、SPFSを利用した測定において測定異常の検査を行う場合の、測定手順の一例を示すフローチャートである。 FIG 5A~C is in the case of performing the measurement abnormality of the test in the measurement using the SPFS, it is a flowchart illustrating an example of a measurement procedure. 図6は、保存環境加速試験後の金薄膜表面の写真である。 Figure 6 is a photograph of the gold thin film surface after the storage environment acceleration test. 図7Aは、円形隆起の面積率とプラズモン散乱光量との関係を示すグラフである。 Figure 7A is a graph showing the relationship between the area ratio and the plasmon scattering light intensity of the circular ridge. 図7Bは、円形隆起の面積率と共鳴時反射率との関係を示すグラフである。 Figure 7B is a graph showing the relationship between the area ratio of the circular ridge and at resonance reflectance. 図7Cは、円形隆起の面積率とブランク光量との関係を示すグラフである。 Figure 7C is a graph showing the relationship between the area ratio and the blank amount of the circular ridge. 図8Aは、励起光の入射角と反射率との関係を示すグラフである。 Figure 8A is a graph showing the relationship between the incident angle and reflectance of the excitation light. 図8Bは、励起光の入射角と散乱光量との関係を示すグラフである。 Figure 8B is a graph showing the relationship between the incident angle of the excitation light amount of scattered light.

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

[表面プラズモン励起増強蛍光測定装置] Surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus]
(測定装置の構成) (The configuration of the measurement device)
まず、SPFSを利用して被測定物質を測定する表面プラズモン励起増強蛍光測定装置(以下「測定装置」ともいう)について説明する。 First, by using the SPFS (hereinafter also referred to as "measuring device") surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus for measuring a substance to be measured will be described. 図1は、本発明の一実施の形態に係る表面プラズモン励起増強蛍光測定装置100の構成を示す模式図である。 Figure 1 is a schematic diagram showing the structure of a surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus 100 according to an embodiment of the present invention.

図1に示されるように、測定装置100は、前処理室110、測定室120、送液部130、チップ搬送部140、光源ユニット150、励起光光学系160、チップホルダー170、測定光光学系180、測定光検出部190、反射光検出部200、制御演算部210および表示部220を有する。 As shown in FIG. 1, the measuring apparatus 100, the preprocessing chamber 110, the measuring chamber 120, liquid feeding section 130, the chip carrier part 140, the light source unit 150, the excitation light optical system 160, the chip holder 170, the measurement optical system 180, having a measurement light detector 190, the reflected light detecting unit 200, the control arithmetic unit 210 and a display unit 220.

測定装置100では、チップホルダー170にセンサチップ300を装着した状態で、被測定物質の測定が行われる。 In the measuring apparatus 100, while wearing the sensor chip 300 in the chip holder 170, the measurement of the substance to be measured is performed. ここで「被測定物質の測定」とは、被測定物質の存在の検出または被測定物質の量の検出の少なくとも一方を行うことを意味する。 Here, the "measurement of a measured substance" means performing at least one of the detection of the amount of detected or measured substance in the presence of a substance to be measured. 後述するように、センサチップ300は、入射面312、反射面314および出射面316を有するプリズム310と、反射面314に形成された導電体膜320と、導電体膜320上に配置された捕捉体330と、導電体膜320上に配置された流路部材340とを有する(図2参照)。 As described later captured, the sensor chip 300, the prism 310 having an incident surface 312, the reflecting surface 314 and exit surface 316, a conductive film 320 formed on the reflecting surface 314, which is disposed on the conductive film 320 It has a body 330, and a channel member 340 disposed on the conductive film 320 (see FIG. 2). センサチップ300は、試料液や蛍光標識液、緩衝液などの液体を流路342内に注入される時には前処理室110内に配置され(図1において二点鎖線で示す)、測定時には測定室120内に配置される(図1において実線で示す)。 Sensor chip 300, the sample solution and the fluorescence-labeled solution, when a liquid such as buffer solution is injected into the flow path 342 is disposed in the pretreatment chamber 110 (in FIG. 1 indicated by the two-dot chain line), the measurement chamber during the measurement is located within 120 (indicated by a solid line in FIG. 1).

測定時には、光源ユニット150から出射された励起光αは、励起光光学系160によりセンサチップ300へ導かれる。 During the measurement, the excitation light α emitted from the light source unit 150 is guided to the sensor chip 300 by the excitation light optical system 160. センサチップ300に励起光αが入射している間は、センサチップ300から測定光βおよび反射光γが出射される。 While excitation light α is incident on the sensor chip 300, the measurement light β and the reflected light γ is emitted from the sensor chip 300. 測定光βは、測定光光学系180により測定光検出部190へ導かれる。 Measuring light β is guided to the measurement light detector 190 by the measurement optical system 180. 反射光γは、反射光検出部200へ導かれる。 Reflected light γ is guided to the reflection light detector 200.

以下、表面プラズモン励起増強蛍光測定装置100の各構成要素について説明する。 The following describes each component of the surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring device 100.

送液部130は、前処理室110内において、センサチップ300の流路342内に試料液や蛍光標識液、洗浄液などの液体を注入するか、または流路342内の液体を流路342外に排出する。 Liquid feeding section 130, the front in the processing chamber 110, the sample solution and the fluorescence-labeled solution into the flow path 342 of the sensor chip 300, or to inject a liquid such as cleaning liquid or the liquid flow path 342 out of the channel 342, It is discharged to. 送液部130は、例えば、送液ポンプ132および送液ポンプ搬送部134を有する。 Liquid feeding section 130 has, for example, a liquid feed pump 132 and the liquid feed pump conveying portion 134. また、前処理室110内には、試料液や蛍光標識液、洗浄液などが分注された試薬チップ136も配置されている。 In addition, the pretreatment chamber 110, the sample solution and the fluorescent labeling solution, reagent chip 136, etc. has been dispensed cleaning liquid is also located. 送液ポンプ132は、試薬チップ136またはセンサチップ300から液体を吸引し、試薬チップ136またはセンサチップ300に液体を吐出する。 Liquid feed pump 132, the liquid was aspirated from the reagent chip 136 or the sensor chip 300, and discharges the liquid to the reagent chip 136 or the sensor chip 300. たとえば、送液ポンプ132は、試薬チップ136の1つのウェルから液体を吸引し、センサチップ300の流路342内に液体を吐出する。 For example, the liquid feed pump 132, the liquid was aspirated from one well of the reagent chip 136 discharges liquid into the flow channel 342 of the sensor chip 300. 場合によっては、送液ポンプ132は、試薬チップ136の1つのウェルから液体を吸引し、試薬チップ136の別のウェルに液体を吐出することもある。 Optionally, the liquid feed pump 132, the liquid was aspirated from one well of the reagent chip 136, sometimes discharging liquid into another well of the reagent chip 136. 送液ポンプ搬送部134は、送液ポンプ132の動作に応じて、送液ポンプ132を試薬チップ136上またはセンサチップ300上に移動させる。 Feeding pump conveying unit 134, in response to operation of the liquid sending pump 132, moves the liquid feed pump 132 onto the reagent chip 136 or on the sensor chip 300.

チップ搬送部140は、前処理時にはセンサチップ300を前処理室110内に搬送し、測定時にはセンサチップ300を測定室120内に搬送する。 Chip carrier part 140 carries the sensor chip 300 during preprocessing before processing chamber 110, to convey the sensor chip 300 in the measurement chamber 120 at the time of measurement. 測定室120内に搬送されたセンサチップ300は、チップホルダー170に保持される。 Sensor chip 300 that has been transported to the measuring chamber 120 is held in the chip holder 170.

光源ユニット150は、コリメートされ、波長および光量が一定の励起光αを出射する。 The light source unit 150 is collimated, wavelength and light intensity emits a constant excitation light alpha. 光源ユニット150は、例えば、励起光源としてのレーザーダイオードと、レーザーダイオードから出射された励起光αをコリメートするコリメーターと、励起光αの波長および光量を一定にするための温度調整回路とを有する(いずれも不図示)。 The light source unit 150 includes, for example, a laser diode as excitation light source, a collimator for collimating excitation light α emitted from the laser diode, and a temperature regulating circuit for the constant wavelength and the light quantity of the excitation light α (both not shown). レーザーダイオードから出射される励起光αの波長および光量は、温度によって変化する。 Wavelength and light intensity of the excitation light α emitted from the laser diode varies with temperature. このため、温度調整回路は、コリメートされた後の励起光αから分岐させた光の光量をフォトダイオードなどにより監視し、励起光αの波長および光量が一定となるようにレーザーダイオードの温度を調整する。 Therefore, the temperature adjustment circuit, the amount of light branched from the excitation light α after being collimated and monitored by a photodiode, adjusting the temperature of the laser diode as a wavelength and the light quantity becomes constant excitation light α to. レーザーダイオードから出射される励起光αは、通常、直線偏光である。 The excitation light α emitted from the laser diode, usually a linearly polarized light.

光源ユニット150に含まれる光源の種類は、特に限定されず、レーザーダイオードでなくてもよい。 Type of light source included in the light source unit 150 is not particularly limited, may not be a laser diode. 光源の例には、発光ダイオード、水銀灯、その他のレーザー光源が含まれる。 Examples of the light source, light emitting diode, a mercury lamp, and other laser sources. 光源から出射される光がビームでない場合は、光源から出射される光は、レンズや鏡、スリットなどによりビームに変換される。 If light emitted from the light source is not the beam, the light emitted from the light source, lenses, mirrors, is converted like by a beam slit. また、光源から出射される光が単色光でない場合は、光源から出射される光は、回折格子などにより単色光に変換される。 Also, if the light emitted from the light source is not monochromatic light, light emitted from the light source is converted into monochromatic light by such as a diffraction grating. さらに、光源から出射される光が直線偏光でない場合は、光源から出射される光は、偏光子などにより直線偏光の光に変換される。 Further, when the light emitted from the light source is not linearly polarized light, the light emitted from the light source is converted into linearly polarized light due to the polarizer.

励起光光学系160は、光源ユニット150から出射された励起光αの各種パラメータを調整した上で、プリズム310と導電体膜320の界面(プリズム310の反射面314)で励起光αが全反射されるように、励起光αをセンサチップ300に導く。 Excitation light optical system 160, after adjusting the various parameters of the excitation light α emitted from the light source unit 150, a total reflection excitation light α is at the interface between the prism 310 and the conductive film 320 (reflecting surface 314 of the prism 310) as will be lead to the excitation light α to the sensor chip 300. 図1に示されるように、励起光光学系160は、例えば、第1整波器162、偏光方向調整部164、整形光学系166および入射角調整部168を有する。 As shown in FIG. 1, the excitation light optical system 160 includes, for example, the first waveform shaping unit 162, the polarization direction adjusting unit 164, a shaping optical system 166 and the incident angle adjusting unit 168.

第1整波器162は、励起光αを整波する。 The first waveform shaping unit 162 waveform shaping excitation light alpha. 第1整波器162は、例えば、第1バンドパスフィルタ、直線偏光フィルタおよび減光フィルタを含む(いずれも不図示)。 The first waveform shaping unit 162, for example, (all not shown) including a first band-pass filter, a linear polarization filter and a neutral density filter. 第1バンドパスフィルタは、励起光αを中心波長のみの狭帯域光にする。 First band-pass filter is a narrow-band light of only the central wavelength of the excitation light alpha. 直線偏光フィルタは、励起光αを完全な直線偏光の光にする。 Linear polarization filter is in the light of the complete linearly polarized excitation light alpha. 減光フィルタは、励起光αの光量を調整する。 Neutral density filter adjusts the light amount of the excitation light alpha.

偏光方向調整部164は、導電体膜320に主にP波成分が入射するように励起光αの偏光方向を調整する。 Polarization direction adjuster 164 is primarily P-wave component to the conductor layer 320 to adjust the polarization direction of the excitation light α to be incident. 偏光方向調整部164は、例えば、半波長板および半波長板回転部を含む(いずれも不図示)。 Polarization direction adjusting unit 164, for example, half-wave plate and including a half-wave plate rotating unit (all not shown). 半波長板は、半波長板回転部により回転させられる。 Half-wave plate is rotated by the half-wave plate rotating unit. 半波長板を透過する励起光αの偏光方向は、半波長板の回転角により調整される。 Polarization direction of the excitation light α transmitted through the half-wave plate is adjusted by the rotation angle of the half-wave plate.

整形光学系166は、プリズム310と導電体膜320の界面(導電体膜320表面)における照射スポットの形状が所定サイズの円形となるように、励起光αのビーム径や輪郭形状などを調整する。 Shaping optical system 166, like the shape of the irradiation spot at the interface of the prism 310 and the conductive film 320 (conductive film 320 surface) is circular with a predetermined size, for adjusting the beam diameter or profile of the excitation light α . 整形光学系166は、例えばスリットやズーム光学系などである。 Shaping optical system 166 is, for example, a slit or a zoom optical system.

入射角調整部168は、プリズム310と導電体膜320の界面(プリズム310の反射面314)への励起光αの入射角θ(図1参照)を調整する。 Incident angle adjusting unit 168 adjusts the angle of incidence of the excitation light α to the interface between the prism 310 and the conductive film 320 (reflecting surface 314 of the prism 310) theta (see Figure 1). 入射角調整部168は、例えば、反射鏡、反射鏡角度調整部および反射鏡位置調整部を含む(いずれも不図示)。 Incident angle adjusting unit 168, for example, the reflector includes a reflective mirror angle adjustment unit and the reflecting mirror position adjusting unit (both not shown). 反射鏡角度調整部は、反射鏡を回転させることで、励起光αの入射角θを調整する。 Reflector angle adjustment unit, by rotating the reflecting mirror, to adjust the incident angle θ of the excitation light alpha. 反射鏡位置調整部は、入射角θの変化による照射スポットの移動を相殺するように、反射鏡を移動させる。 Reflector position adjusting unit so as to cancel the movement of the irradiation spot due to the change of the incident angle theta, to move the reflector. これにより、照射スポットの位置を変えることなく、入射角θのみを調整することができる。 Thus, without changing the position of the irradiation spot can be adjusted only incident angle theta.

チップホルダー170は、測定室120内においてセンサチップ300を保持する。 Chip holder 170 holds the sensor chip 300 in the measuring chamber 120. センサチップ300は、チップホルダー170に保持された状態で、励起光光学系160からの励起光αを照射される。 Sensor chip 300, while being held by the chip holder 170 is irradiated with excitation light α from the excitation light optical system 160. このとき、導電体膜320のプリズム310と対向しない面からは、励起光αと同一波長の散乱光や蛍光物質から放出された蛍光などの測定光βが上方に放出される。 In this case, the prism 310 not facing the surface of the conductive film 320, the measuring beam β such as fluorescence emitted from the scattered light or fluorescent substance exciting light α and the same wavelength is emitted upward. また、プリズム310と導電体膜320の界面で反射した励起光αは、反射光γとして出射面316から出射される(図2参照)。 The excitation light α reflected at the interface between the prism 310 and the conductive film 320 is emitted from the emission surface 316 as reflected light gamma (see Figure 2).

測定光光学系180は、センサチップ300から上方に出射される測定光βを測定光検出部190に導く。 Measuring optical system 180 guides the measuring light β emitted from the sensor chip 300 upward to the measurement light detector 190. 測定光光学系180は、チップホルダー170に保持されたセンサチップ300の導電体膜320のプリズム310と対向しない面に対向するように配置されている。 Measuring optical system 180 is disposed so as to face the prisms 310 not facing the surface of the conductive film 320 of the sensor chip 300 held by the chip holder 170. より具体的には、測定光光学系180は、導電体膜320表面における励起光αの照射スポットを通り、かつ導電体膜320表面に垂直な直線上に配置されている。 More specifically, the measurement optical system 180 passes through the irradiation spot of the excitation light α in the conductive film 320 surface, and are arranged in a vertical straight line on the conductive film 320 surface. 測定光光学系180は、例えば、集光レンズ、第2整波器および結像レンズを含む(いずれも不図示)。 Measuring optical system 180 includes, for example, a condenser lens, comprising a second waveform shaping unit and an imaging lens (both not shown).

集光レンズおよび結像レンズは、迷光の影響を受けにくい共役光学系を構成する。 Condenser lens and the imaging lens constitute less subject conjugate optical system the effects of stray light. 集光レンズと結像レンズとの間を進行する光は、略平行光となる。 Light traveling between the condenser lens and the imaging lens becomes a substantially parallel light. 集光レンズおよび結像レンズは、導電体膜320上の測定光βの像(例えば、蛍光像)を測定光検出部190の受光面上に結像させる。 Condenser lens and the imaging lens, the image of the measuring beam β on the conductive film 320 (e.g., a fluorescent image) is imaged to the light receiving surface of the measurement light detector 190.

第2整波器は、集光レンズおよび結像レンズの間に位置するように配置される。 The second waveform shaping unit is arranged so as to be positioned between the condenser lens and the imaging lens. 第2整波器は、励起光αの波長の光を遮ることで、蛍光の波長以外の光(例えば、光源ユニット150からの漏れ光や、導電体膜320からの励起光αと同一波長の散乱光など)が測定光検出部190に到達することを防ぐ。 The second waveform shaping unit, by blocking the light of the wavelength of the excitation light alpha, light other than the wavelength of the fluorescence (e.g., and leakage light from the light source unit 150, the same wavelength as the excitation light alpha from the conductive film 320 prevent such scattered light) reaches the measuring light detector 190. すなわち、第2整波器は、測定光検出部190に到達する光からノイズ成分を除去し、蛍光の検出精度および感度の向上に寄与する。 That is, the second waveform shaping circuit has a noise component is removed from the light reaching the measuring light detector 190, which contributes to improvement in detection accuracy and sensitivity of the fluorescence. 第2整波器は、例えば、第2バンドパスフィルタおよび挿抜部を含む。 The second waveform shaping unit include, for example, a second band-pass filter and the insertion portion. 第2バンドパスフィルタの位置は、挿抜部により切り替えられる。 The position of the second band-pass filter is switched by the insertion and removal portion. 蛍光の光量を測定する場合は、第2バンドパスフィルタは、測定光βの光路へ挿入される。 When measuring the amount of fluorescence, the second band-pass filter is inserted into the optical path of the measuring beam beta. 一方、励起光αと同一波長の散乱光(後述するプラズモン散乱光)の光量を測定する場合は、第2バンドパスフィルタは、測定光βの光路から抜去される。 On the other hand, when measuring the quantity of the excitation light α the same wavelength of the scattered light (described later plasmon scattered light), a second bandpass filter is removed from the optical path of the measurement light beta.

挿抜部は、さらに集光レンズおよび結像レンズの間に減光フィルタを挿抜してもよい。 Insertion unit may further insertion of neutral density filter between the condenser lens and the imaging lens. 蛍光の光量を測定する場合は、減光フィルタは、測定光βの光路から抜去される。 When measuring the amount of fluorescence, neutral density filter is removed from the optical path of the measurement light beta. 一方、励起光αと同一波長の散乱光(プラズモン散乱光)の光量を測定する場合は、減光フィルタは、測定光βの光路へ挿入される。 On the other hand, when measuring the quantity of the excitation light α the same wavelength of the scattered light (plasmon scattering light), neutral density filter is inserted into the optical path of the measuring beam beta. これにより、測定光検出部190へ導かれる蛍光およびプラズモン散乱光の光量の差が小さくなるため、測定光検出部190における光量の測定が容易になる。 Thus, the difference in light intensity of the measuring light fluorescence is guided to the detection unit 190 and the plasmon scattered light is reduced, thereby facilitating the light amount measurement of the measurement light detector 190.

測定光検出部190は、導電体膜320上の測定光βの像を取得し、測定光βの光量を測定する。 Measuring light detection unit 190 obtains the image of the measurement light beta on the conductive film 320, measures the amount of light of the measurement light beta. たとえば、測定光検出部190は、導電体膜320上の蛍光の光量およびプラズモン散乱光の光量を測定する。 For example, the measurement light detection unit 190 measures the quantity of light intensity and the plasmon scattered light fluorescence on the conductive film 320. 測定光検出部190は、例えば、光電子増倍管や冷却電荷結合素子(CCD)カメラなどである。 Measuring light detection unit 190 is, for example, a photomultiplier tube or cooled charge-coupled device (CCD) camera.

反射光検出部200は、反射光γの光量を測定する。 Reflected light detecting unit 200 measures the amount of reflected light gamma. 反射光検出部200は、例えば、光電子増倍管や冷却電荷結合素子(CCD)カメラなどである。 Reflected light detecting unit 200 is, for example, a photomultiplier tube or cooled charge-coupled device (CCD) camera.

制御演算部210は、各駆動部の制御や、測定光検出部190および反射光検出部200における受光量の定量化などを一元的に行う。 Control calculation unit 210, control of the drive unit, centrally perform such quantification of amount of light received at the measurement light detecting unit 190 and the reflected light detector 200. 制御演算部210は、例えば、ソフトウェアを実行するコンピュータである。 Control arithmetic unit 210 is, for example, a computer running software.

表示部220は、制御演算部210と接続されており、測定状況や測定結果などを表示する。 Display unit 220 is connected to the control arithmetic unit 210, displays a measurement status and measurement results.

(センサチップの構成) (Configuration of the sensor chip)
次に、測定装置100のチップホルダー170に装着されるセンサチップ300について説明する。 Will now be described sensor chip 300 mounted on the chip holder 170 of the measuring apparatus 100. 図2は、センサチップ300の断面図である。 Figure 2 is a cross-sectional view of the sensor chip 300.

図2に示されるように、センサチップ300は、プリズム310、導電体膜320、捕捉体330および流路部材340を有する。 As shown in FIG. 2, the sensor chip 300 has a prism 310, the conductive film 320, the capture member 330 and the flow channel member 340. センサチップ300は、通常、被測定物質の測定ごとに交換される。 Sensor chip 300 is typically replaced every measurement of the material to be measured. センサチップ300は、好ましくは、各片の長さが数mm〜数cmである構造物であるが、「チップ」の範疇に含まれないより小型の構造物またはより大型の構造物であってもよい。 Sensor chip 300 is a preferably is a structure the number mm~ number length cm of each piece, compact structure or large structure than than not included in the category of "chip" it may be.

プリズム310は、励起光αに対して透明な誘電体からなる。 Prism 310 is made of a transparent dielectric for the excitation light alpha. プリズム310は、励起光光学系160からの励起光αをプリズム310の内部に入射させる入射面312と、プリズム310の内部に入射した励起光αを反射する反射面314と、反射面314で反射した励起光αをプリズム310の外部に出射させる出射面316とを有する。 Prism 310 has an incident surface 312 for entering the excitation light α from the excitation light optical system 160 inside the prism 310, a reflection surface 314 for reflecting the excitation light α which enters the prism 310, reflected by the reflecting surface 314 and an emission surface 316 for emitting excitation light α was outside the prism 310. プリズム310の形状は、特に限定されないが、例えば台形を底面とする柱体である。 Shape of the prism 310 is not particularly limited, for example, a columnar body which trapezoidal and bottom. この場合、台形の一方の底辺に対応する面が反射面314であり、一方の脚に対応する面が入射面312であり、他方の脚に対応する面が出射面316である。 In this case, the surface corresponding to one of the bottom side of the trapezoid is the reflecting surface 314, surface corresponding to one leg are incident surface 312, the surface corresponding to the other leg is output surface 316. 底面となる台形は、等脚台形であることが好ましい。 Trapezoid the bottom is preferably isosceles trapezoid. これにより、入射面312と出射面316とが対称になり、反射光γのS波成分がプリズム310内に滞留しにくくなる。 Thereby, the incident surface 312 and exit surface 316 is symmetrical, S-wave component of the reflected light γ is less likely to remain in the prism 310. たとえば、入射面312と反射面314との角度および反射面314と出射面316との角度は、いずれも約80°である。 For example, the angle of the incident surface 312 and the angle and the reflection surface 314 of the reflecting surface 314 and the exit surface 316 are both approximately 80 °. プリズム310の材料の例には、樹脂およびガラスが含まれる。 Examples of the material of the prism 310 includes a resin and glass. プリズム310の材料は、好ましくは、屈折率が1.4〜1.6であり、かつ複屈折が小さい樹脂である。 Material of the prism 310 is preferably has a refractive index of 1.4 to 1.6, and small birefringence resin.

導電体膜320は、プリズム310の反射面314上に形成されている。 Conductor film 320 is formed on the reflecting surface 314 of the prism 310. 導電体膜320は、励起光αがプリズム310の反射面314で全反射することにより生じるエバネッセント光(増強電場)を増幅させる。 Conductor film 320, the excitation light α is to amplify the evanescent light (enhanced electric field) caused by the total reflection by the reflecting surface 314 of the prism 310. すなわち、反射面314上の導電体膜320に表面プラズモン共鳴を生じさせることにより、導電体膜320の無い面(反射面314)で励起光αを全反射させてエバネッセント光を生じさせる場合に比べ、形成されるエバネッセント光を増幅させることができる。 That is, by causing the surface plasmon resonance to the conductor film 320 on the reflective surface 314, totally reflected thereby excitation light α with free surface conductive film 320 (reflecting surface 314) than in the case of generating an evanescent light , it can be amplified evanescent light formed. 導電体膜320の材料は、表面プラズモン共鳴を生じさせることができれば特に限定されない。 Material of the conductive film 320 is not particularly limited as long as it can give rise to surface plasmon resonance. 導電体膜320の材料の例には、金や銀、銅、アルミニウムなどの金属、これらの合金が含まれる。 Examples of the material of the conductive film 320, include gold, silver, copper, metals such as aluminum, alloys thereof. 導電体膜320の形成方法は、特に限定されない。 Method for forming a conductive film 320 is not particularly limited. 導電体膜320の形成方法の例には、スパッタリング、蒸着、メッキが含まれる。 Examples of forming method of the conductive film 320, sputtering, vapor deposition, includes plating. 導電体膜320の厚みは、特に限定されないが、30〜70nmの範囲内が好ましい。 The thickness of the conductive film 320 is not particularly limited, in the range of 30~70nm is preferred.

捕捉体330は、導電体膜320のプリズム310と対向しない面上に固定されており、被測定物質を捕捉する。 Capturing body 330 is not opposed to the prism 310 of the conductive film 320 is fixed on the surface, to trap the substance to be measured. 捕捉体330は、導電体膜320上の所定の領域に均一に固定されている。 Capturing body 330 is uniformly fixed to a predetermined region on the conductor film 320. 捕捉体の種類は、被測定物質を特異的に捕捉することができれば特に限定されない。 Type of capturing molecule is not particularly limited as long as it can specifically capture the material to be measured. たとえば、捕捉体は、被測定物質に特異的に結合する抗体またはその断片である。 For example, capturing body is an antibody or fragment thereof that specifically binds to a substance to be measured.

流路部材340は、導電体膜320のプリズム310と対向しない面上に配置されている。 Channel member 340 is disposed on the prism 310 not facing surfaces of the conductive film 320. 導電体膜320がプリズム310の反射面314の一部にのみ形成されている場合は、流路部材340は、反射面314上に配置されていてもよい。 When the conductive film 320 is formed only on a part of the reflective surface 314 of the prism 310, the flow path member 340 may be disposed on the reflective surface 314. 流路部材340は、導電体膜320(およびプリズム310)と共に、試料液などの液体が流れる流路342を形成する。 Channel member 340, the conductive film 320 with (and prism 310), forming a flow passage 342 through which the liquid flows, such as the sample solution. 流路342の途中には、反応室344が存在する。 In the middle of the channel 342, the reaction chamber 344 exists. 捕捉体330は、反応室344に露出している。 Capturing body 330 is exposed to the reaction chamber 344. 流路342の両端は、流路部材340の上面に形成された注入口346および排出口348とそれぞれ接続されている。 Both ends of the channel 342 are respectively connected to the inlet 346 and outlet 348 are formed on the upper surface of the channel member 340. 流路342内へ試料液や蛍光標識液などの液体が注入されると、反応室344内において、これらの液体は捕捉体330に接触する。 When into the flow path 342 is a liquid such as a sample solution and a fluorescent-labeled solution is injected in the reaction chamber 344, these liquids in contact with the capture member 330. 流路部材340は、測定光β(例えば、蛍光やプラズモン散乱光など)に対して透明な材料からなる。 Flow path member 340 is made of a material transparent to the measurement light beta (e.g., fluorescence or plasmon scattered light). 流路部材340の材料の例には、樹脂が含まれる。 Examples of the material of the flow path member 340 includes a resin. 流路部材340は、例えば、接着剤による接着や、レーザー溶着、超音波溶着、クランプ部材を用いた圧着などにより導電体膜320またはプリズム310に接合されている。 Channel member 340, for example, bonding or by adhesive, laser welding, ultrasonic welding, is joined to the conductive film 320 or prism 310 by crimping using clamp members.

図2に示されるように、プリズム310へ導かれた励起光αは、入射面312からプリズム310内に入射する。 As shown in FIG. 2, the excitation light α guided to the prism 310, is incident from the incident surface 312 in the prism 310. プリズム310内に入射した励起光αは、反射面314(プリズム310と導電体膜320との界面)で全反射され、反射光γとなる。 Excitation light α incident on the prism 310 is totally reflected by the reflecting surface 314 (the interface between the prism 310 and the conductive film 320), the reflected light gamma. 反射光γは、出射面316からプリズム310外に出射される。 Reflected light γ is emitted from the exit surface 316 to the outer prism 310. 一方、導電体膜320および捕捉体330からは、測定光β(例えば、蛍光やプラズモン散乱光など)が、測定光光学系180の方向へ出射される。 On the other hand, a conductor film 320 and the catching member 330, the measurement light beta (e.g., fluorescence or plasmon scattered light) is emitted in the direction of the measurement optical system 180. 反射面314に励起光αが全反射条件を満たして入射し、かつ反射面314からしみ出すエバネッセント光と導電体膜320中のプラズモンとが共鳴する場合は、導電体膜320によりエバネッセント光の電場が増強され、蛍光およびプラズモン散乱光の光量が増加する。 Excitation light α to the reflective surface 314 is incident satisfies the total reflection condition, and if the plasmon in the evanescent light and the conductive film 320 to issue the reflecting surface 314 Karashimi is resonance, the electric field of the evanescent light of a conductor film 320 There is enhanced, the amount of fluorescence and the plasmon scattered light increases.

(測定の手順) (Procedure of measurement)
次に、測定装置100の測定動作について説明する(特許文献1,2も参照)。 Next, a description will be given of a measuring operation of the measuring apparatus 100 (see also Patent Documents 1 and 2). 図3は、測定装置100の測定手順の一例を示すフローチャートである。 Figure 3 is a flowchart illustrating an example of a measurement procedure of the measurement apparatus 100.

まず、測定の準備をする(工程S10)。 First, to prepare for measurement (step S10). 具体的には、センサチップ300および試薬チップ136を準備し、それぞれ前処理室110内の所定の場所に設置する。 Specifically, to prepare the sensor chip 300 and the reagent chip 136 is placed at a predetermined location in the pretreatment chamber 110, respectively. 制御演算部210は、送液部130を制御して、試料液や蛍光標識液などを必要に応じて調製して、試薬チップ136に分注する。 Control arithmetic unit 210 controls the liquid feeding section 130, according to prepare such required a sample liquid and a fluorescent label solution to the dispensing reagent chip 136.

次いで、試料液中の被測定物質と捕捉体330とを反応させる(1次反応、工程S20)。 Then, reacting with the substance to be measured in the sample liquid and capturing body 330 (first reaction step S20). 具体的には、制御演算部210は、送液部130に、センサチップ300の流路342に試料液を注入させる。 Specifically, the control calculation unit 210, the liquid feeding section 130, thereby injecting the sample liquid into the flow path 342 of the sensor chip 300. 試料液が流路342に注入されると、試料液が捕捉体330に接触する。 When the sample solution is injected into the flow path 342, the sample liquid is brought into contact with the capture 330. 試料液中に被測定物質が存在する場合は、被測定物質の少なくとも一部は捕捉体330により捕捉される。 If the measured material is present in the sample liquid, at least a portion of the substance to be measured is captured by the capture member 330. この後、流路342内を緩衝液などで洗浄し、捕捉体330に捕捉されなかった物質を除去する。 Thereafter, washing the inside of the flow path 342 buffers, etc., to remove substances which have not been captured in the capture member 330. 試料液の種類は、特に限定されない。 Type of sample liquid is not particularly limited. 試料液の例には、血液や血清、血漿、尿、鼻孔液、唾液、精液などの体液およびその希釈液が含まれる。 Examples of sample fluids include blood and serum, plasma, urine, nasal fluid, saliva, bodily fluids and their dilutions such semen.

次いで、捕捉体330に捕捉された被測定物質を蛍光物質で標識する(2次反応、工程S30)。 Then, labeling the substance to be measured captured on the capturing body 330 with a fluorescent substance (secondary reaction, step S30). 具体的には、制御演算部210は、送液部130に、センサチップ300の流路342に蛍光標識液を注入させる。 Specifically, the control calculation unit 210, the liquid feeding section 130, thereby injecting the fluorescent label liquid flow path 342 of the sensor chip 300. 蛍光標識液は、例えば、蛍光物質で標識された抗体(2次抗体)を含む緩衝液である。 Fluorescent label solution, for example, a buffer containing antibody (secondary antibody) labeled with a fluorescent substance. 蛍光標識液が流路342に注入されると、蛍光標識液が捕捉体330に接触する。 When the fluorescently labeled solution is injected into the flow path 342, fluorescence-labeled solution is in contact with the capture 330. 被測定物質が捕捉体330に捕捉されている場合は、被測定物質の少なくとも一部は、蛍光物質で標識される。 If the measured substance is trapped in the trapping member 330, at least a portion of the substance to be measured is labeled with a fluorescent substance. この後、流路342内を緩衝液などで洗浄し、遊離の蛍光物質などを除去する。 Thereafter, washing the inside of the flow path 342 buffers, etc., to remove such free phosphor.

次いで、センサチップ300を測定室120内に搬送する(工程S40)。 Then, to convey the sensor chip 300 in the measurement chamber 120 (step S40). 具体的には、制御演算部210は、チップ搬送部140に、センサチップ300を測定室120内に搬送させる。 Specifically, the control calculation unit 210, the chip carrier part 140, to convey the sensor chip 300 in the measurement chamber 120. センサチップ300は、チップホルダー170に装着される。 Sensor chip 300 is mounted to the chip holder 170.

次いで、所定の入射角θとなるように励起光αをセンサチップ300に照射して、蛍光物質から放出される蛍光の光量を測定する(工程S50)。 Then, by irradiating the sensor chip 300 with the excitation light α to be a predetermined incident angle theta, it measures the amount of fluorescence emitted from the fluorescent substance (step S50). 具体的には、制御演算部210は、センサチップ300の反射面314(プリズム310と導電体膜320との界面)において励起光αが全反射するように、光源ユニット150および励起光光学系160に励起光αを出射させる。 Specifically, the control calculation unit 210, as excitation light α is totally reflected by the reflecting surface 314 of the sensor chip 300 (the interface between the prism 310 and the conductive film 320), the light source unit 150 and the excitation light optical system 160 the excitation light α is emitted. これにより、エバネッセント光で励起された蛍光物質から放出された蛍光(測定光β)が、センサチップ300の上方に放出される。 Thus, fluorescence emitted from the excited fluorescent substance evanescent light (measurement light beta) is released above the sensor chip 300. 同時に、制御演算部210は、測定光検出部190に蛍光(測定光β)の光量を測定させる。 At the same time, the control arithmetic unit 210, thereby measuring the amount of fluorescence (measurement light beta) the measuring light detector 190. また、制御演算部210は、検出値を記憶すると共に、表示部220に表示させる(工程S60)。 Further, the control arithmetic unit 210 stores the detected value on the display unit 220 (step S60). 蛍光の光量は、必要に応じて、被測定物質の量や濃度などに換算される。 Amount of fluorescence, if necessary, be converted to such as the amount and concentration of the substance to be measured.

最後に、制御演算部210は、測定装置100全体を初期化して、一連の測定を終了する(工程S70)。 Finally, the control arithmetic unit 210, the entire measuring apparatus 100 is initialized, and ends the series of measurements (step S70). このとき、入射角調整部168などの可動物は、初期位置に復帰させられる。 At this time, the movable object such as an incident angle adjusting unit 168 is caused to return to the initial position.

以上の手順により、試料液中の被測定物質の存在または被測定物質の量を検出することができる。 By the above procedure, it is possible to detect the presence or amount of the substance to be measured of the measured substance in the sample liquid.

なお、今回は特に説明しないが、1次反応(工程S20)の前、または1次反応(工程S20)と2次反応(工程S30)との間に、励起光αの最適な入射角θ(以下「測定角θm」ともいう)を決定しておくことが好ましい(特許文献1,2参照)。 Although not particularly described this time, between the front of the primary reaction (step S20), or the first reaction and (step S20) and the secondary reaction (step S30), the optimum incident angle of the excitation light alpha theta ( it is preferable to determine the following also referred to as "measurement angle θm") (see Patent documents 1 and 2). 具体的には、導電体膜320に対する励起光αの入射角θを走査しつつ、励起光αと同一波長の測定光βまたは反射光γを測定し、増強角または共鳴角を決定する(増強角および共鳴角の定義について後述する)。 Specifically, while scanning the incident angle θ of the excitation light α with respect to the conductor film 320, to measure the measuring light β or reflected light γ of the excitation light α and the same wavelength, to determine the enhanced angle or resonance angle (enhanced later for the definition of the corners and the resonance angle). この増強角または共鳴角をそのまま測定角θmとしてもよいし、増強角または共鳴角を補正した値を測定角θmとしてもよい。 It this enhancement angle or resonance angle may be directly measured angle .theta.m, a value obtained by correcting the enhanced angle or resonance angle may be measured angle .theta.m.

また、1次反応(工程S20)の前、または1次反応(工程S20)と2次反応(工程S30)との間に、励起光αの照射スポットの位置の最適化や、励起光αの偏光方向の最適化、自家蛍光の光量の測定なども行うことが好ましい(特許文献1,2参照)。 Between the front of the primary reaction (step S20), or the first reaction and (step S20) and the secondary reaction (step S30), and optimization of the position of the irradiation spot of the excitation light alpha, of the excitation light alpha optimization of the polarization direction, such as the measurement of the light intensity of the autofluorescence is also preferably carried out (see Patent documents 1 and 2).

また、上記の説明では、被測定物質と捕捉体330とを反応させる工程(1次反応、工程S20)の後に、被測定物質を蛍光物質で標識する工程(2次反応、工程S30)を行った(2工程方式)。 In the above description, performing step (primary reaction, step S20) reacting a capture member 330 and the substance to be measured after the step of labeling the substance to be measured with a fluorescent substance (secondary reaction, step S30) and (two-step method). しかしながら、被測定物質を蛍光物質で標識するタイミングは、特に限定されない。 However, the timing of labeling the substance to be measured with a fluorescent substance is not particularly limited. たとえば、センサチップ300の流路342に試料液を注入する前に、試料液に蛍光物質を添加して被測定物質を予め蛍光物質で標識しておいてもよい。 For example, before injecting the sample solution into the flow path 342 of the sensor chip 300, a fluorescent substance in the sample solution may be previously labeled previously with a fluorescent substance to be measured substance was added. また、センサチップ300の流路342に試料液と蛍光物質を同時に注入してもよい。 Further, the liquid sample and the fluorescent substance may be injected simultaneously into the flow path 342 of the sensor chip 300. 前者の場合は、センサチップ300の流路342に試料液を注入することで、蛍光物質で標識されている被測定物質が捕捉体330により捕捉される。 In the former case, by injecting the sample solution into the flow path 342 of the sensor chip 300, the substance to be measured is captured by the capture member 330 which is labeled with a fluorescent substance. 後者の場合は、被測定物質が蛍光物質で標識されるとともに、被測定物質が捕捉体330により捕捉される。 In the latter case, with the substance to be measured is labeled with a fluorescent substance, the substance to be measured is captured by the capture member 330. いずれの場合も、センサチップ300の流路342に試料液を注入することで、1次反応および2次反応の両方を完了することができる(1工程方式)。 In any case, by injecting the sample solution into the flow path 342 of the sensor chip 300, it is possible to complete both the primary and secondary reactions (one step method).

[測定異常の検出方法] [Method of detecting abnormal measurement]
本発明に係る測定異常の検出方法は、SPFSを利用した測定における測定異常を検出することができる。 Method of detecting abnormal measurement according to the present invention can detect the abnormal measurement in measurement using SPFS. ここで「測定異常」とは、SPFSを利用した測定の信頼性を低下させる事象を意味する。 Here, the "abnormal measurement" means an event that reduces the reliability of the measurement using the SPFS. 測定異常の例には、センサチップにおける導電体膜の欠陥や、センサ領域表面の異常、センサ領域における反応の異常などが含まれる。 Examples of the measurement abnormality, defects and the conductive film in the sensor chip, abnormality of the sensor area surface, and the like abnormal reaction in the sensor area. まず、上述のセンサチップ300(図2)を参照して、測定異常について説明する。 First, with reference to the above-described sensor chip 300 (FIG. 2), it will be described measurement anomalies.

導電体膜の欠陥は、例えば、導電体膜320の円形隆起(図6参照)や導電体膜320の剥離などである。 Defects conductor film, for example, peeling or the like of a circular ridge (see FIG. 6) and the conductive film 320 of the conductive film 320. これらの欠陥は、例えば、センサチップ300の保管や流路342内への送液などにより生じる。 These defects, for example, caused by such liquid feed to the sensor chip 300 of the storage and flow passage 342. このように導電体膜320に欠陥が発生すると、測定時における電場のバラつきや、背景光の増大、被測定物質の捕捉率の低下などが生じ、測定結果の信頼性が低下してしまう。 With such defects conductor film 320 is generated, and electric field variation during measurement, increase of the background light, such as reduced retention rates of the substance to be measured occurs, the reliability of the measurement results is reduced.

センサ領域表面の異常は、例えば、捕捉体330からなる層またはこの層を支持するために導電体膜320上に設けられた中間層の腐食や、センサ領域(導電体膜320および捕捉体330)表面への異物の付着などである。 The abnormality of the sensor region surface, e.g., corrosion of provided on the conductive film 320 in order to support the layer or the layer consisting of capturing body 330 intermediate layer, the sensor region (conductive film 320 and the catching member 330) adhesion of foreign matter to the surface and the like. これらの異常は、例えば、センサチップ300の保管中におけるカビの発生または異物の付着、流路342内の洗浄不足などにより生じる。 These abnormalities, for example, generated or adhesion of foreign matters of mold during storage of the sensor chip 300, caused by such insufficient cleaning in the channel 342. このようにセンサ領域表面に異常が発生すると、測定時における電場のバラつきや、被測定物質の捕捉率の低下などが生じ、測定結果の信頼性が低下してしまう。 With such abnormality in the sensor region surface is generated, and electric field variation during measurement, such as reduced retention rates of the substance to be measured occurs, the reliability of the measurement results is reduced.

センサ領域における反応の異常は、例えば、試料液に由来する異物のセンサ領域表面への付着などである。 Abnormalities of the reaction in the sensor region, for example, a deposition of the sensor region surface of the foreign matter from the sample liquid. これらの異常は、例えば、流路342内への試料液の注入に伴う夾雑物の非特異的吸着や、流路342内の洗浄不足などにより生じる。 These abnormalities, for example, non-specific adsorption or contaminants associated with the injection of the sample solution into the flow path 342, caused by such insufficient cleaning in the channel 342. ここで「夾雑物」とは、試料液に含まれる被測定物質以外のタンパク質や糖脂質などを意味する。 Here, the "contaminants" refers to such proteins and glycolipids other than the substance to be measured contained in the sample solution. たとえば、試料液が血液またはその希釈液の場合、血球成分は夾雑物に含まれる。 For example, the sample liquid is the case of blood or a diluted solution, blood cell components contained in the contaminants. このようにセンサ領域における反応の異常が発生すると、測定時に電場のロスが生じてしまい、測定結果の信頼性が低下してしまう。 Thus abnormal reaction in the sensor region is generated, the loss of electric field will occur at the time of measurement, the reliability of the measurement results is reduced.

次に、SPFSを利用した測定における測定異常の検出方法について説明する。 Next, a description method for detecting measurement abnormality in the measurement using the SPFS.

本実施の形態に係る測定異常の検出方法は、(a−1)センサチップ300を準備する工程と、(b−1)センサチップ300に光を照射し、所定の光学特性値を測定する工程と、(b−2)工程(b―1)で測定された光学特性値に基づき、測定異常を検出する工程と、を含む。 Method of detecting abnormal measurement in accordance with the present embodiment, (a-1) a step of preparing a sensor chip 300, (b-1) light is irradiated on the sensor chip 300, measuring a predetermined optical characteristic value step When, and a step of based on the measured optical characteristic value to detect the abnormal measurement in (b-2) the step (b-1). また、本実施の形態に係る測定異常の検出方法は、(b−3)工程(b−2)において測定異常を検出した場合、測定を中断する工程、または(b−3')前記工程(b−2)において測定異常を検出した場合、測定を継続し、かつ測定結果を表示する時に測定異常を通知する工程、をさらに含むことが好ましい。 The detection method of measurement abnormality according to the present embodiment, (b-3) step when detecting an abnormal measurement in (b-2), comprises discontinuing measurement or, (b-3 ') said step ( when detecting the abnormal measurement in b-2), and continue the measurement, and the step of notifying the measurement abnormality when displaying measurement results, further preferably contains a.

工程(a−1)では、前述のセンサチップ300を準備する。 In step (a-1), to prepare a sensor chip 300 described above. たとえば、センサチップ300を作製してもよいし、センサチップ300を購入してもよい。 For example, it may be made of the sensor chips 300, may purchase a sensor chip 300.

工程(b−1)では、プリズム310と導電体膜320との界面において全反射するように、プリズム310側から導電体膜320に光を照射し、測定異常の検出のための光学特性値を測定する。 In step (b-1), so that total reflection at the interface between the prism 310 and the conductive film 320, the light is irradiated to the conductive film 320 from the prism 310 side, the optical characteristic value for the detection of measurement abnormality taking measurement. この工程で測定する光学特性値の種類は、測定異常を検出することができれば特に限定されない。 Type of optical characteristic value measured in this step is not particularly limited as long as it can detect the measurement abnormality. 光学特性値の例には、プラズモン散乱光量、増強角、共鳴角、反射光量、ブランク光量が含まれる。 Examples of optical characteristic values, plasmon scattering light intensity, enhancement angle, resonance angle, the reflected light amount, contains blanks amount. これらの光学特性値は、1種類のみを測定してもよいし、2種類以上を組み合わせて測定してもよい。 These optical characteristic value may be determined only one kind, may be measured in combination of two or more. 測定する光学特性値の種類は、検出する測定異常の種類に応じて適宜選択されうる(表1参照)。 Type of optical characteristic values ​​to be measured may be appropriately selected depending on the kind of measurement abnormality detecting (see Table 1).

本願明細書において、測定異常を検出するために測定される「プラズモン散乱光量」とは、プリズム310側から導電体膜320に対し特定の入射角θで励起光αを入射させた場合に、センサチップ300の上方に放出される、励起光αと同一波長の散乱光の光量を意味する。 Herein, the measurement abnormality "plasmon scattered light" measured to detect, when obtained by inputting excitation light α at a specific incident angle θ with respect to the conductive film 320 from the prism 310 side, sensor is released above the chip 300, it refers to the amount of scattered light of the excitation light α and the same wavelength. プラズモン散乱光量は、測定光検出部190により測定される。 Plasmon scattered light is measured by the measurement light detecting unit 190.

また、測定異常を検出するために測定される「増強角」とは、励起光αの入射角θを走査した場合に、センサチップ300の上方に放出される励起光αと同一波長の散乱光の光量が最大となるときの、入射角を意味する。 The measurement abnormality "enhancement angle" measured in order to detect, when scanning the incident angle θ of the excitation light alpha, the scattered light of the excitation light alpha same wavelength emitted above the sensor chip 300 when the amount of light is maximum, mean angle of incidence. 励起光αの入射角θは、入射角調整部168により調整される。 The incident angle θ of the excitation light α is adjusted by the incident angle adjusting unit 168.

また、測定異常を検出するために測定される「共鳴角」とは、励起光αの入射角θを走査した場合に、センサチップ300の出射面316から出射される反射光γの光量が最小となるときの、入射角を意味する。 The measurement abnormality "resonance angle" measured in order to detect, when scanning the incident angle θ of the excitation light alpha, quantity minimum of the reflected light γ emitted from the emission surface 316 of the sensor chip 300 when the means incident angle. 励起光αの入射角θは、入射角調整部168により調整される。 The incident angle θ of the excitation light α is adjusted by the incident angle adjusting unit 168.

また、測定異常を検出するために測定される「反射光量」とは、励起光αの入射角θを走査した場合に、センサチップ300の出射面316から出射される反射光γの光量の最小値を意味する。 The measurement abnormality "reflected light" measured to detect, when scanning the incident angle θ of the excitation light alpha, quantity minimum of the reflected light γ emitted from the emission surface 316 of the sensor chip 300 It refers to a value. 反射光量は、反射光検出部200により測定される。 The amount of reflected light is measured by the reflected light detecting unit 200. 共鳴角を測定角θmとした場合、反射光量は、蛍光測定時における反射光γの光量と同じである。 When the resonance angle as measured angle .theta.m, the amount of reflected light is the same as the amount of reflected light γ during fluorescence measurements.

また、測定異常を検出するために測定される「ブランク光量」とは、蛍光測定時においてセンサチップ300の上方に放出される背景光の光量を意味する。 Also, a "blank amount" measured in order to detect the abnormal measurement means amount of background light emitted above the sensor chip 300 during fluorescence measurements. ブランク光量は、2次反応を行う前に、蛍光測定時と同一の光学条件で測定光検出部190により測定される。 Blank amount of light, before performing the secondary reaction, is measured by the measurement light detecting unit 190 in the same optical conditions as during fluorescence measurements.

工程(b−2)では、工程(b−1)で測定した光学特性値に基づき、測定異常を検出する。 In step (b-2), based on the optical characteristic value measured in step (b-1), for detecting the measurement abnormality. たとえば、プラズモン散乱光量、反射光量またはブランク光量が基準値から±50%を超えた場合、測定異常が生じたと判定する。 For example, it is determined that if the plasmon scattered light, reflected light or blank amount exceeds 50% ± from the reference value, abnormality occurs measured. また、増強角または共鳴角が基準値から±0.1°を超えた場合、測定異常が生じたと判定する。 Further, it is determined if the enhanced angle or resonance angle exceeds ± 0.1 ° from the reference value, abnormality occurs measured. 基準値は、使用する機材や試料の種類、要求される測定精度などに応じて適宜設定されうる。 Reference value, the type of equipment and samples used may be appropriately set depending on the required measurement accuracy.

工程(b−3)では、工程(b−2)において測定異常を検出した場合、その後の工程を取り止めて測定を中断する。 In step (b-3), when detecting an abnormal measurement in step (b-2), interrupt the measurement rambling subsequent steps. このとき、測定を中断した旨をその理由と共に表示部220に表示してもよい。 At this time, that it has interrupted the measurement may be displayed on the display unit 220 together with the reason. また、工程(b−3)の代わりに工程(b−3')を行ってもよい。 It may also be carried out step (b-3 ') in place of the step (b-3). 工程(b−3')では、工程(b−2)において測定異常を検出した場合、その後も測定を継続するが、測定結果を表示する時に測定異常が生じたことを通知する。 In step (b-3 '), when detecting an abnormal measurement in step (b-2), but then also to continue the measurement, and notifies the measurement that the abnormality occurs when displaying the measurement results. たとえば、測定中に測定異常を検出した旨を測定結果と共に表示部220に表示してもよい。 For example, it may be displayed on the display unit 220 together with the measurement results that it has detected an abnormal measurement during the measurement.

本実施の形態に係る測定異常の検出方法(以下「測定異常の検査」ともいう)は、被測定物質の測定と組み合せて実施されてもよい。 Method of detecting abnormal measurement in accordance with the present embodiment (hereinafter also referred to as "measurement abnormality of the test") may be implemented in combination with the measurement of the material to be measured. たとえば、被測定物質の測定が前述の1次反応および2次反応を含む「2工程方式」である場合、被測定物質の測定は、(a−1)センサチップ300を準備する工程と、(a−2)試料液中の被測定物質と捕捉体330とを結合させる工程(1次反応)と、(a−3)捕捉体330に結合された被測定物質を蛍光物質で標識する工程(2次反応)と、(a−4)被測定物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光の光量を測定する工程(蛍光測定)と、を含む。 For example, if the measurement of the substance to be measured is "two step method" including the primary and secondary reactions of the foregoing, the measurement of the substance to be measured includes the steps of preparing the (a-1) sensor chip 300, ( a-2) and step of binding the capture member 330 and the substance to be measured in the sample liquid (primary reaction), (a-3) a step of labeling the target analyte bound to the capture member 330 with a fluorescent substance ( a secondary reaction), including, and (a-4) measuring the amount of fluorescence emitted from the fluorescent substance for labeling the substance to be measured (fluorescence measurement). この場合、工程(b−1)および工程(b―2)を含む測定異常の検査は、センサチップの準備(a−1)と1次反応(a−2)との間に行われてもよいし、1次反応(a−2)と2次反応(a−3)との間に行われてもよいし、2次反応(a−3)と蛍光測定(a−4)との間に行われてもよい。 In this case, step (b-1) and the measurement abnormality of the tests, including step (b-2) is also performed between the preparation of the sensor chip (a-1) and the first reaction (a-2) good to, may be performed during the primary reaction (a-2) and the secondary reaction (a-3), between the secondary reaction (a-3) and fluorescence measurements (a-4) it may be performed.

また、被測定物質の測定が前述の「1工程方式」である場合、被測定物質の測定は、(a−1)センサチップ300を準備する工程と、(a−2')蛍光物質で標識されている被測定物質と捕捉体330とを結合させる工程(以下単に「反応」ともいう)と、(a−4)被測定物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光の光量を測定する工程(蛍光測定)と、を含む。 Further, when the measurement of a substance to be measured is "one step method" described above, the measurement of the substance to be measured includes the steps of preparing the (a-1) sensor chip 300, labeled with (a-2 ') fluorescent substance and has been that the material to be measured step of binding the capturing body 330 (hereinafter simply referred to as "reaction"), measuring the amount of fluorescence emitted from the fluorescent substance for labeling the (a-4) the material to be measured includes a (fluorescence measurement), the. 工程(a−2')では、予め蛍光物質で標識されている被測定物質を含む試料を捕捉体330に接触させて、蛍光物質で標識されている被測定物質と捕捉体330とを結合させるか、または、試料および蛍光物質を捕捉体330に接触させて、蛍光物質で前記被測定物質を標識するとともに、被測定物質と捕捉体330とを結合させる。 In step (a-2 '), by contacting a sample containing a substance to be measured, which is labeled in advance with a fluorescent substance capturing body 330 to couple the capture member 330 and a measured substance that is labeled with a fluorescent substance or, by contacting a sample and a fluorescent substance capturing body 330, as well as labeling the substance to be measured with a fluorescent substance, to bind the capturing body 330 and the material to be measured. この場合、測定異常の検査は、センサチップの準備(a−1)と反応(a−2')との間に行われてもよいし、反応(a−2')と蛍光測定(a−4)との間に行われてもよい。 In this case, the measurement abnormality of the examination, 'may be performed between the reaction (a-2 prepared in the sensor chip and (a-1) reacting (a-2)') and fluorescence measurements (a- 4) may be performed between the.

いずれの場合であっても、工程(b−1)は、測定室120内において行われるため、工程(b−1)の前に、センサチップ300は、チップ搬送部140により前処理室110から測定室120内に搬送される。 In any case, for step (b-1) is performed in the measurement chamber 120, prior to step (b-1), sensor chip 300, from the pre-processing chamber 110 by the chip carrier part 140 It is transported to the measuring chamber 120. 前述のとおり、検査において異常を検出した場合は、その旨を表示部220に表示したり、その後の工程を取り止めたりしてもよい。 As described above, when an abnormality is detected in the inspection, or displayed in the display unit 220 may or rambling subsequent steps.

また、測定異常の検査は、複数回行われてもよい。 The measurement abnormality of the test may be performed multiple times. この場合、各回で同一の光学特性値を用いて測定異常を検査してもよいし、各回で異なる光学特性値を用いて測定異常を検査してもよい。 In this case, it is possible to inspect the abnormal measurement using the same optical characteristic value each time, may be tested for abnormal measurement using different optical characteristic value each time.

図4は、SPFSを利用した2工程方式の測定において測定異常の検査を行う場合の、測定手順の一例を示すフローチャートである。 Figure 4 is a flow chart showing an example of a case of a measurement procedure for measuring anomalies of the test in the measurement of the two-step method using SPFS. 図4Aは、1次反応(a−2)の前に測定異常の検査(b−1)を1回行う例を示す。 4A shows an example in which one test measurement abnormality (b-1) before the first reaction (a-2). 図4Bは、1次反応(a−2)と2次反応(a−3)との間に測定異常の検査(b−1)を1回行う例を示す。 4B shows an example in which one test measurement abnormality (b-1) between the primary reaction (a-2) and the secondary reaction (a-3). 図4Cは、2次反応(a−3)と蛍光測定(a−4)との間に測定異常の検査(b−1)を1回行う例を示す。 Figure 4C shows an example in which one test measurement abnormality (b-1) between the secondary reaction (a-3) and fluorescence measurements (a-4). 図4Dは、1次反応(a−2)の前と、1次反応(a−2)と2次反応(a−3)との間とで、測定異常の検査(b−1)を2回行う例を示す。 Figure 4D is a front of the primary reaction (a-2), in the first reaction (a-2) and between the secondary reaction (a-3), the measurement abnormality inspecting (b-1) 2 It shows an example of performing times. 図4Eは、1次反応(a−2)の前と、2次反応(a−3)と蛍光測定(a−4)との間とで、測定異常の検査(b−1)を2回行う例を示す。 Figure 4E is a front of the primary reaction (a-2), 2-order (a-3) and between the between the fluorescence measurement (a-4), abnormal measurement of the test (b-1) twice It shows an example of performing. 図4Fは、1次反応(a−2)と2次反応(a−3)との間と、2次反応(a−3)と蛍光測定(a−4)との間とで、測定異常の検査(b−1)を2回行う例を示す。 Figure 4F, in the first reaction and (a-2) and between the secondary reaction (a-3), and between the secondary reaction (a-3) and fluorescence measurements (a-4), measured abnormal testing the (b-1) shows an example of performing 2 times. 図4Gは、1次反応(a−2)の前と、1次反応(a−2)と2次反応(a−3)との間と、2次反応(a−3)と蛍光測定(a−4)との間とで、測定異常の検査(b−1)を3回行う例を示す。 Figure 4G is a front of the primary reaction (a-2), the first reaction and (a-2) and between the secondary reaction (a-3), the secondary reaction (a-3) and fluorescence measurements ( in a between the a-4), shows an example in which the measurement abnormality of the test the (b-1) 3 times. これらの図では、図3に示される各工程のうち、1次反応(図3に示される工程S20)、2次反応(図3に示される工程S20)、蛍光の測定(図3に示される工程S50)以外の工程については、説明の便宜上省略されている。 In these figures, among the steps shown in FIG. 3, the first reaction (step S20 shown in FIG. 3), the secondary reaction (step S20 shown in FIG. 3), shown in the measurement of the fluorescence (Fig. 3 the step S50) other than step is omitted for convenience of explanation.

図5は、SPFSを利用した1工程方式の測定において測定異常の検査を行う場合の、測定手順の一例を示すフローチャートである。 Figure 5 is a flow chart showing an example of a case of a measurement procedure for measuring anomalies of the test in the measurement of one step method using SPFS. 図5Aは、反応(a−2')の前に測定異常の検査(b−1)を1回行う例を示す。 Figure 5A shows an example in which inspection measurement abnormality (b-1) performed once before the reaction (a-2 '). 図5Bは、反応(a−2')と蛍光測定(a−4)との間に測定異常の検査(b−1)を1回行う例を示す。 5B shows an example in which one test measurement abnormality (b-1) between the reaction (a-2 ') and fluorescence measurements (a-4). 図5Cは、反応(a−2')の前と、反応(a−2')と蛍光測定(a−4)との間とで、測定異常の検査(b−1)を2回行う例を示す。 Figure 5C shows an example of performing 'the previous reaction (a-2 reaction (a-2)' by the between) and fluorescence measurements (a-4), abnormal measurement of the test (b-1) twice It is shown. これらの図でも、反応(センサチップ300の流路342への、蛍光物質で標識された被測定物質を含む試料液、または試料液および蛍光物質の注入)、蛍光の測定以外の工程については、説明の便宜上省略されている。 In these figures, the reaction (to the flow path 342 of the sensor chip 300, a sample solution containing a substance to be measured which has been labeled with a fluorescent substance or injection of the sample solution and the fluorescent substance,), the process other than the measurement of fluorescence, for convenience it has been omitted in description.

たとえば、導電体膜320の円形隆起は、測定異常を検出するための光学特性値として、プラズモン散乱光量、反射光量またはブランク光量を測定することで、高感度に検出されうる。 For example, the circular ridge of the conductive film 320, an optical characteristic value for detecting the measurement abnormality, that plasmon scattered light, the reflected light amount or blank light intensity measured, can be detected with high sensitivity. この場合、図4A〜Gおよび図5A〜Cに示されるいずれのタイミングで検査を行っても、導電体膜320の円形隆起を検出することができる。 In this case, even if the test at any timing shown in FIGS. 4A~G and FIG 5A-C, it is possible to detect the circular ridge of the conductive film 320. 図4Aおよび図5Aに示されるように、(1次)反応の前に検査を行うことで、試料液や試薬などの損失を低減することができる。 As shown in FIGS. 4A and 5A, by performing an inspection before the (primary) reaction, it is possible to reduce the loss of such liquid sample and the reagent. 一方、図4B,Cおよび図5Bに示されるように、(1次または2次)反応の後に検査を行うことで、送液により発生した円形隆起を検出することができる。 On the other hand, as shown in FIG. 4B, C and FIG. 5B, (1 primary or secondary) by performing the test after the reaction, it is possible to detect the circular ridge generated by feeding.

また、センサ領域表面への異物付着は、測定異常を検出するための光学特性値として、増強角または共鳴角を測定することで、高感度に検出されうる。 Also, foreign matter adhering to the sensor region surface, as the optical characteristic value for detecting the abnormal measurement, by measuring the enhanced angle or resonance angle can be detected with high sensitivity. この場合、図4Aおよび図5Aに示されるように、(1次)反応の前に検査を行うことが好ましい。 In this case, as shown in FIGS. 4A and 5A, it is preferable to perform the inspection before the (primary) reaction.

また、試料液に由来する異物のセンサ領域表面への付着は、測定異常を検出するための光学特性値として、増強角または共鳴角を測定することで、高感度に検出されうる。 Also, adhesion to the sensor area surface of foreign matter from the sample solution, as the optical characteristic value for detecting the abnormal measurement, by measuring the enhanced angle or resonance angle can be detected with high sensitivity. この場合、図4Dおよび図5Cに示されるように、(1次)反応の前および(1次)反応の後に光学特性値を測定して検査を行うことが好ましい。 In this case, as shown in FIGS. 4D and 5C, it is preferable to perform the test by measuring the optical characteristic value after the previous and (primary) reaction of (primary) reaction.

各光学特性値について、検出できる測定異常の種類と、その検出感度を表1に示す。 For each optical characteristic value, indicating a type of measurement anomalies can be detected, the detection sensitivity in Table 1. 表1において、「△」は検出できることを示し、「○」は高感度に検出できることを示している。 In Table 1, "△" indicates that the detectable, "○" indicates that it detected with high sensitivity.

なお、工程(a−1)で準備するセンサチップ300は、正常状態における光学特性値に係る情報を有していてもよい。 The sensor chip 300 is prepared in step (a-1) may have information related to the optical characteristic values ​​in the normal state. たとえば、センサチップ300は、正常状態における光学特性値に係る情報を含むバーコードや文字情報などが付与されていてもよい。 For example, the sensor chip 300, such as bar codes and character information including information related to the optical characteristic values ​​may be applied in the normal state. この場合、工程(b−2)では、正常状態における光学特性値と、測定された光学特性値とを比較して、測定異常の有無を検出する。 In this case, the step (b-2), in comparison with the optical characteristic value and the measured optical characteristic values ​​in the normal state, to detect the presence or absence of abnormal measurement.

以上のように、本実施の形態に係る測定異常の検出方法は、SPFSを利用した測定において、測定の前または測定の間に測定異常を検出することができるため、測定結果の信頼性を向上させることができる。 As described above, the detection method of measurement abnormality according to the present embodiment, it is possible in measurement utilizing SPFS, detecting the measurable abnormalities prior to or during the measurement of the measurement, improve the reliability of the measurement results it can be. また、本実施の形態に係る測定異常の検出方法は、測定の早い段階において測定異常を検出することができるため、測定異常による測定時間の損失を短くすることができる。 The detection method of measurement abnormality according to the present embodiment, it is possible to detect the measurement abnormality in an early stage of the measurement, it is possible to shorten the loss of measurement time due to abnormal measurement.

以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されない。 Will be described below in detail with reference to examples for the present invention, the present invention is not limited by these examples.

[実施例1] [Example 1]
実施例1では、センサチップの導電体膜の欠陥を検出した例について説明する。 In Example 1, an example of detecting the defect of the sensor chip of the conductive film.

(1)センサチップの作製 透明樹脂からなるプリズムを準備した。 (1) was prepared sensor chip prism made of a manufacturing transparent resin. プリズムの形状は、等脚台形を底面とする柱体である。 Shape of the prism is a columnar body to the bottom surface of the isosceles trapezoid. このプリズムの一番大きな平面上に、厚み45nmの金薄膜をスパッタリングで形成した。 On the largest plane of the prism, forming a gold thin film having a thickness of 45nm by sputtering.

アミノ基を有するチオールからなる自己組織化単分子膜を形成することで、金薄膜の表面に有機反応の起点を形成した。 By forming a self-assembled monolayer comprising a thiol having an amino group, to form a starting point of the organic reactions on the surface of the gold thin film. 次いで、親水性高分子をアミドカップリング反応により結合させて、金薄膜の表面に支持体層を形成した。 Then, a hydrophilic polymer by bonding through an amide coupling reaction to form the support layer on the surface of the gold thin film. 最後に、抗体を化学結合を用いて支持体層上に固定化して、センサチップを作製した。 Finally, antibody is immobilized on a support layer using chemical linkage, to produce a sensor chip.

一部のセンサチップを、80℃の水に浸漬して、金薄膜に欠陥(円形隆起)を生じさせた(保存環境加速試験)。 The portion of the sensor chip is immersed in 80 ° C. water, giving rise to a defect (circular ridge) gold thin film (storage environment acceleration test). 図6は、保存環境加速試験後の金薄膜表面の光学顕微鏡像である。 Figure 6 is an optical microscope image of gold thin film surface after the storage environment acceleration test. 金薄膜の表面に円形隆起が発生していることがわかる。 It can be seen that the circular ridge is generated on the surface of the gold thin film.

(2)光学特性値の測定 円形隆起を形成していないセンサチップまたは円形隆起を形成したセンサチップを、表面プラズモン励起増強蛍光測定装置のチップホルダーに装着した(図1参照)。 (2) Measurement circular ridge does not form a sensor chip or sensor chip with a circular ridge of the optical characteristic value, is mounted on the chip holder of the surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus (see Figure 1).

波長635nmのレーザー光(励起光)をプリズム側から金薄膜に照射した。 Laser light having a wavelength of 635nm (excitation light) irradiated from the prism side gold thin film. 金薄膜に対する入射角を走査し、入射角と金薄膜の上方における同一波長の散乱光の光量との関係を調べた。 Scanning the incident angle to the gold thin film was examined a relationship between the amount of scattered light of the same wavelength above the incidence angle and the gold thin film. 各センサチップについて、散乱光量が最大となる入射角を「増強角」とし、増強角における散乱光量を「プラズモン散乱光量」とした。 For each of the sensor chips, the incidence angle at which the amount of scattered light is maximized and the "enhancement angle", the amount of scattered light in the enhancement angle is "Plasmon amount of scattered light."

また、金薄膜に対する入射角を走査し、入射角と、金薄膜で反射した光の光量および金薄膜の上方における波長650nm以上の散乱光の光量との関係を調べた。 Further, by scanning the angle of incidence for the gold film, was examined and the incidence angle, the relationship between the amount of scattered light over a wavelength 650nm above the light quantity and the gold thin film of the light reflected by the gold thin film. 各センサチップについて、反射光量が最小となる入射角を「共鳴角」とし、入射角が共鳴角のときの反射光量の励起光量に対する割合を「共鳴時反射率」とした。 For each of the sensor chips, the angle of incidence of the reflected light amount is minimized as "resonance angle", the incident angle is the ratio of excitation light amount of the reflected light amount when the resonance angle as "at resonance reflectance". さらに、入射角が共鳴角のときの波長650nm以上の散乱光の光量を「ブランク光量」とした。 Further, the incident angle is the amount of scattered light over the wavelength 650nm when the resonance angle as "blank amount".

(3)測定結果 各センサチップの光学特性値の測定結果を図7に示す。 (3) The measurement results Measurement results of optical characteristic values ​​of each sensor chip shown in FIG. 図7Aは、円形隆起の面積率とプラズモン散乱光量(任意単位)との関係を示すグラフである。 Figure 7A is a graph showing the relationship between the circular ridge of the area ratio and the plasmon scattered light (arbitrary unit). 図7Bは、円形隆起の面積率と共鳴時反射率との関係を示すグラフである。 Figure 7B is a graph showing the relationship between the area ratio of the circular ridge and at resonance reflectance. 図7Cは、円形隆起の面積率とブランク光量(任意単位)との関係を示すグラフである。 Figure 7C is a graph showing the relationship between the circular ridge of the area ratio and the blank amount (arbitrary unit). これらのグラフにおいて、円形隆起の面積率が0%のセンサチップは、保存環境加速試験を行っていない、正常なセンサチップである。 In these graphs, the area ratio of the circular ridge is 0% sensor chips are not subjected to a storage environment acceleration test, a normal sensor chip. 一方、円形隆起の面積率が0.5〜10%のセンサチップは、保存環境加速試験を行った、金薄膜に欠陥を有するセンサチップである。 On the other hand, the area ratio is 0.5% to 10% of the sensor chip of the circular ridge was subjected to a storage environment acceleration test, a sensor chip having a defect in the gold film.

図7Aに示されるように、正常なセンサチップのプラズモン散乱光量は、20000以下であったのに対し、金薄膜に欠陥を有するセンサチップのプラズモン散乱光量は、120000を超えていた。 As shown in FIG. 7A, plasmon scattering light intensity of a normal sensor chip, whereas was 20,000, plasmon scattering light intensity of a sensor chip having a defect in the gold thin film was over 120000. また、図7Bに示されるように、正常なセンサチップの共鳴時反射率は、1.8%以下であったのに対し、金薄膜に欠陥を有するセンサチップの共鳴時反射率は、1.8%を超えていた。 Further, as shown in FIG. 7B, at resonance reflectivity of normal sensor chip, whereas was less than 1.8%, at resonance reflectivity of the sensor chip having a defect in the gold thin film is 1. 8% had been exceeded. また、図7Cに示されるように、正常なセンサチップのブランク光量は、7000以下であったのに対し、金薄膜に欠陥を有するセンサチップのブランク光量は、8000を超えていた。 Further, as shown in FIG. 7C, the blank amount of the normal sensor chip, whereas was 7000 or less, a blank amount of the sensor chip having a defect in the gold thin film was greater than 8000. これらの結果から、プラズモン散乱光量、共鳴時反射率またはブランク光量を調べることで、センサチップの金薄膜における異常の有無を検出できることがわかる。 These results, by examining plasmon scattered light, the resonance time reflectance or blank light intensity, it can be seen that detect the presence or absence of an abnormality in the gold thin film of the sensor chip.

[実施例2] [Example 2]
実施例2では、導電体膜の表面における異物付着を検出できるか否かをシミュレーションした結果について説明する。 The second embodiment will explain the results of the simulation whether it can detect a foreign matter on the surface of the conductive film. 導電体膜の表面に異物が付着すると、導電体膜の上に屈折率の異なる異物層が形成される。 When foreign matter adheres to the surface of the conductive film, different foreign substances layer refractive index over the conductive film is formed. そこで本シミュレーションでは、導電体膜の上に屈折率の異なる層を配置することで、異物の付着を模擬した。 Therefore, in this simulation, by arranging layers having different refractive indices on the conductive film, simulating the adhesion of foreign matter.

(1)シミュレーション条件 励起光の波長は、633nmとした。 (1) Simulation conditions wavelength of the excitation light was set to 633 nm. 以下の説明において「屈折率」とは、波長633nmの光についての屈折率を意味する。 The "refractive index" in the following description means a refractive index for a wavelength of 633nm light.

センサチップとして、励起光に対して透明な材料(屈折率1.72)からなるプリズム、厚さ50.0nmの金薄膜(導電体膜;屈折率0.1726+3.4218i)および厚さ1.00nmのタンパク質層(捕捉体層;屈折率1.45)の積層体を想定した。 As the sensor chip, a prism made of a material transparent to the excitation light (refractive index 1.72), the thickness of the gold thin film of 50.0 nm (conductor film; refractive index 0.1726 + 3.4218i) and thickness 1.00nm protein layer; assuming a laminate of (capture layer refractive index 1.45). タンパク質層の上に、異物層として屈折率が1.235〜1.435の層が配置されていると想定した。 On the protein layer, the refractive index as a foreign substance layer is assumed that a layer of 1.235 to 1.435 is disposed. なお、水の屈折率は1.335である。 The refractive index of water is 1.335.

上記条件において、励起光をプリズム側から金薄膜に照射した。 In the above conditions was irradiated on the gold thin film an excitation light from the prism side. 金薄膜に対する入射角を走査し、入射角と、反射率(励起光の光量に対する金薄膜で反射した光の光量の割合)および散乱光量(金薄膜の上方における同一波長の散乱光の光量)との関係を計算した。 Scanning the incident angle to the gold thin film, and the angle of incidence, the reflectance (the amount of the scattered light of the same wavelength above the gold thin film) (amount ratio of the light reflected by the gold thin film with respect to the light quantity of the excitation light) and scattered light the relationship was calculated.

(2)シミュレーション結果 シミュレーション結果を図8に示す。 (2) Simulation Results The simulation results in FIG. 図8Aは、励起光の入射角と反射率との関係を示すグラフである。 Figure 8A is a graph showing the relationship between the incident angle and reflectance of the excitation light. 図8Bは、励起光の入射角と散乱光量(任意単位)との関係を示すグラフである。 Figure 8B is a graph showing the relationship between the incident angle of the excitation light and the scattered light intensity (arbitrary unit). 図8Aおよび図8Bにおいて、各曲線に付された数値は、異物層の屈折率(n)を意味する。 8A and 8B, the numerical values ​​given to each curve refers to the refractive index of the foreign substance layer (n). 図8Aのグラフでは、各曲線について、反射率が最小となる入射角が「共鳴角」に相当する。 In the graph of FIG. 8A, for each curve, the angle of incidence at which the reflectance is minimum is equivalent to the "resonance angle". 図8Bのグラフでは、各曲線について、散乱光量が最大となる入射角が「増強角」に相当する。 In the graph of FIG. 8B, for each curve, the angle of incidence the amount of scattered light is maximized corresponds to the "enhancement angle". ここでは、この増強角における散乱光量を「プラズモン散乱光量」とする。 In this case, the amount of scattered light in this enhancement angle is referred to as "plasmon scattering light".

図8Aおよび図8Bのグラフから、異物層の屈折率が大きくなるほど(異物の付着量が多くなるほど)、共鳴角および増強角が大きくなることがわかる。 From the graph of FIG 8A and 8B, the larger the refractive index of the foreign substance layer (as the amount of adhesion of foreign matter increases), it can be seen that the resonance angle and enhancement angle increases. したがって、共鳴角または増強角を調べることで、センサチップの導電体膜への異物の付着を検出できることがわかる。 Therefore, by examining the resonance angle or enhancement angle, it can be seen that can detect foreign matter adhering to the sensor chip conductor film.

本出願は、2013年4月16日出願の特願2013−085580に基づく優先権を主張する。 This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2013-085580, filed Apr. 16, 2013. 当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。 Contents described in the application specifications and drawings are, are all incorporated herein.

本発明に係る測定異常の検出方法および表面プラズモン励起増強蛍光測定装置は、被測定物質を高い信頼性で測定することができるため、例えば臨床検査などに有用である。 Detection methods and surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring apparatus of the measurement abnormality of the present invention, it is possible to measure reliably the substance to be measured, for example, clinical tests useful for such.

100 表面プラズモン励起増強蛍光測定装置 110 前処理室 120 測定室 130 送液部 132 送液ポンプ 134 送液ポンプ搬送部 136 試薬チップ 140 チップ搬送部 150 光源ユニット 160 励起光光学系 162 第1整波器 164 偏光方向調整部 166 整形光学系 168 入射角調整部 170 チップホルダー 180 測定光光学系 190 測定光検出部 200 反射光検出部 210 制御演算部 220 表示部 300 センサチップ 310 プリズム 312 入射面 314 反射面 316 出射面 320 導電体膜 330 捕捉体 340 流路部材 342 流路 344 反応室 346 注入口 348 排出口 100 surface plasmon excitation enhanced fluorescence measuring device 110 pretreatment chamber 120 measurement chamber 130 feeding unit 132 feeding pump 134 feeding pump conveying section 136 reagent chip 140 chip carrier part 150 the light source unit 160 the excitation light optical system 162 first waveform shaping device 164 polarization direction adjusting portion 166 shaping optical system 168 incident angle adjusting unit 170 chip holder 180 measuring optical system 190 measurement light detector 200 the reflected light detecting unit 210 control operation unit 220 display unit 300 the sensor chip 310 prism 312 incident surface 314 reflecting surface 316 exit surface 320 conductive film 330 capturer 340 channel member 342 flow path 344 reaction chamber 346 inlet 348 outlet

Claims (9)

  1. 表面プラズモン励起増強蛍光分光法による測定における測定異常の検出方法であって、 A method of detecting abnormal measurement in the measurement by surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy,
    (a−1)誘電体からなるプリズムと、前記プリズムの面上に配置された導電体膜と、前記導電体膜上に固定された捕捉体とを有するセンサチップを準備する工程と、 And (a-1) a prism made of a dielectric, a surface arranged conductor on the membrane of the prism, a step of preparing a sensor chip having a capture member fixed to the conductive film,
    (b−1)前記プリズムと前記導電体膜との界面において全反射するように、前記プリズム側から前記導電体膜に光を照射し、測定異常の検出のための光学特性値を測定する工程と、 (B-1) so as to totally reflect at the interface between the prism and the conductive film, light is irradiated to the conductive film from the prism side, to measure the optical characteristic value for the measurement abnormality detection step When,
    (b−2)前記光学特性値に基づき、測定異常を検出する工程と、 (B-2) based on the optical characteristic value, and detecting the measurement abnormality,
    を含 Only including,
    前記光学特性値は、前記導電体膜に対する前記光の入射角を走査したときに、前記センサチップから放出される前記光と同一波長の散乱光の光量が最大となるときの入射角である、増強角である、 The optical characteristic value, when scanning the incident angle of the light with respect to the conductive film, the light amount of the scattered light of the light of the same wavelength emitted from the sensor chip is the incident angle at which the maximum, it is an enhancement angle,
    測定異常の検出方法。 A method of detecting abnormal measurement.
  2. 前記工程(b−2)の後に、 After the step (b-2),
    (b−3)前記工程(b−2)において測定異常を検出した場合、測定を中断する工程、または (b−3')前記工程(b−2)において測定異常を検出した場合、測定を継続し、かつ測定結果を表示する時に測定異常を通知する工程、 (B-3) when detecting an abnormal measurement in the step (b-2), comprises discontinuing the measurement, or (b-3 ') when detecting an abnormal measurement in the step (b-2), the measurement a step of notifying the measurement abnormality when continued, and for displaying the measurement result,
    をさらに含む、請求項1に記載の測定異常の検出方法。 Further comprising, a detection method of the measurement abnormality of claim 1.
  3. 前記センサチップは、正常状態における光学特性値に係る情報を有しており、 The sensor chip has information related to the optical characteristic values ​​in the normal state,
    前記工程(b−2)では、前記正常状態における光学特性値と、前記測定された光学特性値とを比較して、測定異常の有無を検出する、 In the step (b-2), in comparison with the optical characteristic values ​​in the normal state, and the measured optical characteristic value, to detect the presence or absence of abnormal measurement,
    請求項1または請求項2に記載の測定異常の検出方法。 Method of detecting abnormal measurement according to claim 1 or claim 2.
  4. 前記工程(a−1)の後に、 After the step (a-1),
    (a−2)試料を前記捕捉体に接触させて、前記試料に含まれる被測定物質と前記捕捉体とを結合させる工程と、 (A-2) contacting the sample with the capturing member, a step of bonding the said capture member and the substance to be measured contained in the sample,
    (a−3)前記捕捉体に結合された前記被測定物質を蛍光物質で標識する工程と、 A step of labeling with a fluorescent substance (a-3) the substance to be measured which is coupled to said capturing body,
    (a−4)前記プリズムと前記導電体膜との界面において全反射するように、前記プリズム側から前記導電体膜に励起光を照射し、前記被測定物質を標識する前記蛍光物質から放出される蛍光の光量を測定する工程と、 (A-4) to total reflection at the interface between the prism and the conductive film is irradiated with excitation light to the conductive film from the prism side, said emitted from the fluorescent substance for labeling the substance to be measured a step of measuring the quantity of fluorescence that,
    をさらに含み、 Further comprising a,
    前記工程(b−1)は、前記工程(a−1)と前記工程(a−2)との間、前記工程(a−2)と前記工程(a−3)との間、または前記工程(a−3)と前記工程(a−4)との間に実施される、 The step (b-1) is between the step (a-1) and the step (a-2), between said step (a-2) and the step (a-3) or said step, is performed between the (a-3) and the step (a-4),
    請求項1〜3のいずれか一項に記載の測定異常の検出方法。 Method of detecting abnormal measurement according to any one of claims 1 to 3.
  5. 前記工程(a−1)の後に、 After the step (a-1),
    (a−2')予め蛍光物質で標識されている被測定物質を含む試料を前記捕捉体に接触させて、前記蛍光物質で標識されている被測定物質と前記捕捉体とを結合させるか、または、試料および蛍光物質を前記捕捉体に接触させて、前記蛍光物質で前記被測定物質を標識するとともに、前記被測定物質と前記捕捉体とを結合させる工程と、 (A-2 ') in advance with a fluorescent substance of the sample containing the substance to be measured which is labeled is contacted with the capturing member, the fluorescent material in either associates the measured substance which is labeled with said capture member, or the steps of the sample and the fluorescent material into contact with said capture member, said with labeling the substance to be measured with a fluorescent substance, which couple the capturing body and the substance to be measured,
    (a−4)前記プリズムと前記導電体膜との界面において全反射するように、前記プリズム側から前記導電体膜に励起光を照射し、前記被測定物質を標識する前記蛍光物質から放出される蛍光の光量を測定する工程と、 (A-4) to total reflection at the interface between the prism and the conductive film is irradiated with excitation light to the conductive film from the prism side, said emitted from the fluorescent substance for labeling the substance to be measured a step of measuring the quantity of fluorescence that,
    をさらに含み、 Further comprising a,
    前記工程(b−1)は、前記工程(a−1)と前記工程(a−2')との間、または前記工程(a−2')と前記工程(a−4)との間に実施される、 The step (b-1) is between the step (a-1) and the step (a-2 ') or between the said step (a-2,') and the step (a-4) It is carried out,
    請求項1〜3のいずれか一項に記載の測定異常の検出方法。 Method of detecting abnormal measurement according to any one of claims 1 to 3.
  6. 前記工程(b−1)では、測定異常の検出のための光学特性値として、前記増強角およびプラズモン散乱光量を測定し、 In the step (b-1), as the optical characteristic value for the detection of measurement abnormality by measuring the enhanced angle and plasmon scattered light,
    前記工程(b−2)では、前記増強角および前記プラズモン散乱光量に基づき、測定異常を検出する、 In the step (b-2), based on the enhanced angle and the plasmon scattering light intensity, detecting the measurable abnormalities,
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の測定異常の検出方法。 Method of detecting abnormal measurement according to any one of claims 1 to 5.
  7. 前記測定異常は、前記導電体膜の欠陥、前記捕捉体の剥離、または前記導電体膜もしくは前記捕捉体への異物の付着である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の測定異常の検出方法。 The measurement abnormality, defects of the conductive film, peeling of the captor, or a foreign substance adhering to the conductive film or the capturing body, abnormal measurement according to any one of claims 1 to 6 the method of detection.
  8. 前記センサチップは、前記情報を含むバーコードが付与されている、請求項3に記載の測定異常の検出方法。 The sensor chip, a barcode containing the information is attached, the detection method of the measurement abnormality of claim 3.
  9. 表面プラズモン励起増強蛍光分光法を利用して被測定物質を測定する表面プラズモン励起増強蛍光測定装置であって、 Utilizing the surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy a surface plasmon excited enhanced fluorescence measuring apparatus for measuring a substance to be measured,
    請求項1〜 のいずれか一項に記載の測定異常の検出方法により、表面プラズモン励起増強蛍光分光法を利用した測定における測定異常を検出する、 The method for detecting abnormal measurement according to any one of claims 1-8, for detecting the measurement abnormality in the measurement using surface plasmon excitation enhanced fluorescence spectroscopy,
    表面プラズモン励起増強蛍光測定装置。 Surface plasmon excitation enhanced fluorescence measurement device.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016147774A1 (en) * 2015-03-18 2017-12-28 コニカミノルタ株式会社 Measuring method and apparatus
WO2018105607A1 (en) * 2016-12-09 2018-06-14 コニカミノルタ株式会社 Measuring device, measurement abnormality detecting method, and program
WO2019064754A1 (en) * 2017-09-26 2019-04-04 コニカミノルタ株式会社 Analysis method and analysis device

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001330560A (en) * 2000-03-16 2001-11-30 Fuji Photo Film Co Ltd Measuring method using total reflection attenuation and its device
JP2006189397A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Fuji Photo Film Co Ltd Measuring apparatus using total reflection attenuation, and method for identifying sensor unit thereof
US7473916B2 (en) * 2005-12-16 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for detecting contamination within a lithographic apparatus
AU2007332902B2 (en) * 2006-12-08 2012-04-26 Opti Medical Systems Spreading layer and humidity control layer for enhancing sensor performance
JP2011163839A (en) * 2010-02-08 2011-08-25 Toshiba Corp Method and device for inspecting substrate
CN105381825A (en) * 2010-04-16 2016-03-09 欧普科诊断有限责任公司 Feedback control in microfluidic systems
JP5636921B2 (en) * 2010-12-01 2014-12-10 コニカミノルタ株式会社 Analysis support apparatus, and a surface plasmon resonance fluorescence analysis apparatus provided with the analysis support apparatus
JP5807645B2 (en) * 2011-02-09 2015-11-10 コニカミノルタ株式会社 Surface plasmon excitation fluorescence measuring apparatus and the surface plasmon excitation fluorescence measurement method
JP2013002858A (en) * 2011-06-14 2013-01-07 Konica Minolta Holdings Inc Measuring device and measuring method
JP5760880B2 (en) * 2011-09-08 2015-08-12 コニカミノルタ株式会社 Method of performing measurement device and the measurement

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