JP6281318B2 - ガラス板の製造方法及びガラス板の製造装置 - Google Patents

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Description

本発明は、ガラス板の製造方法及びガラス板の製造装置に関する。
従来、フラットパネルディスプレイ、太陽電池等の種々の用途に、低コストなソーダライムシリカガラス板が使用されている。
ソーダライムシリカガラス板は、アルカリ金属を含む。このため、ソーダライムシリカガラス板は、表面からアルカリが溶出することに起因してヤケと呼ばれる白濁が生じるなどの問題を有する。
特許文献1には、ヤケが生じ難いソーダライムシリカガラス板を製造する方法として、溶融ガラスを冷却してガラス板を作製する際に、表面温度がガラス転移温度+50℃からガラス転移温度−150℃までの温度範囲において、ガラス板の表面にSOガス又はSOガスを接触させる方法が記載されている。
国際公開第2011/068225号公報
しかしながら、特許文献1に記載の方法によりガラス板を製造した場合であっても、ガラス板にヤケが生じやすい場合がある。
本発明の主な目的は、ヤケが生じにくいガラス板を製造する方法を提供することにある。
本発明に係るガラス板の製造方法は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiOの含有量が60質量%以下であるガラス板を製造する方法に関する。本発明に係るガラス板の製造方法では、溶融ガラスを板状に成形し、ガラス板を得る成形工程を行う。ガラス板を冷却する冷却工程を行う。冷却工程において、ガラス板のガラス転移温度+50℃以上の温度領域の少なくとも一部で、ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける。
本発明に係るガラス板の製造方法では、冷却工程において、(ガラス板のガラス転移温度+100℃)〜(ガラス板のガラス転移温度+50℃)の温度領域の少なくとも一部で、ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付けることが好ましい。
本発明に係るガラス板の製造方法では、冷却工程において、(ガラス板のガラス転移温度+100℃)〜(ガラス板のガラス転移温度+50℃)の温度領域の全域にわたって、ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付けることが好ましい。
本発明に係るガラス板の製造方法では、冷却工程における酸化硫黄ガスの単位面積あたりに対する吹き付け量が10mL/m以上であることが好ましい。
本発明に係るガラス板の製造方法では、ガラス板におけるSiOの含有量が55質量%以下である場合は、冷却工程における酸化硫黄ガスの単位面積あたりに対する吹き付け量が100mL/m以上であることが好ましい。
本発明に係るガラス板の製造方法では、冷却工程における酸化硫黄ガスの単位面積あたりに対する吹き付け量が200mL/m以下であることが好ましい。この場合、ガラス基板に表面欠陥が発生することを抑制することができる。
本発明に係るガラス板の製造方法では、酸化硫黄ガスが、SOガス及びSOガスの少なくとも一方であることが好ましい。
本発明に係るガラス板の製造方法では、成形工程において、溶融ガラスをフロート法により板状に成形してもよい。
本発明に係るガラス板の製造装置は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiOの含有量が60質量%以下であるガラス板を製造するための装置である。本発明に係るガラス板の製造装置は、冷却室と、酸化硫黄ガス吹付機構とを備える。冷却室は、溶融ガラスから成形されたガラス板を冷却する。酸化硫黄ガス吹付機構は、冷却室に配されており、ガラス板のガラス転移温度+50℃以上の温度領域の少なくとも一部において、ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける。
本発明によれば、ヤケが生じにくいガラス板を製造する方法を提供することができる。
本発明の一実施形態におけるガラス板の製造装置の模式的断面図である。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
図1は、本実施形態におけるガラス板の製造装置1の模式的断面図である。製造装置1は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiOの含有量が60質量%以下であるガラス板を好適に製造し得る装置である。製造装置1は、SiOの含有量が55質量%以下であるガラス板も好適に製造し得る装置である。
アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiOの含有量が60質量%以下であるガラスとしては、例えば、ガラス組成として、質量%で、SiOを45質量%〜60質量%、Bを0質量%〜15質量%、Alを8質量%〜18質量%、MgO+CaO+SrO+BaOを1質量%〜40質量%及びNaO+KOを1質量%〜30質量%含むガラスなどが挙げられる。
製造装置1は、成形部10を備えている。成形部10は、溶融ガラス12を板状に成形し、ガラス板13を得る部分である。成形部10は、どのような方法により溶融ガラス12を板状に成形する部分であってもよい。成形部10は、例えば、ダウンドロー法、オーバーフローダウンドロー法、フロート法等により溶融ガラス12を板状に成形する部分であってもよい。本実施形態では、成形部10が、フロート法により溶融ガラス12を板状に成形するフロートバスを有する例について説明する。
成形部10の後には、冷却室(徐冷室)11が配されている。ガラス板13は、冷却室11において冷却(徐冷)される。具体的には、冷却室11では、搬送方向Dに向かって温度が低くなるように温度勾配が設けられている。その冷却室11をガラス板13が搬送方向Dに沿って搬送されることにより、ガラス板13が冷却される。
製造装置1では、まず、成形部10に溶融ガラス12が供給される。供給された溶融ガラス12は、板状に成形され、ガラス板13となる(成形工程)。ガラス板13は冷却室11において冷却される(冷却工程)。
冷却室11には、ガラス板13に対して、酸化硫黄ガスを吹き付ける酸化硫黄ガス吹付機構15が設けられている。酸化硫黄ガス吹付機構15は、ガラス板13の少なくとも一方の主面に対して酸化硫黄ガスを吹き付ける。本実施形態では、酸化硫黄ガス吹付機構15は、ガラス板13の両方の主面に対して酸化硫黄ガスを吹き付ける。
酸化硫黄ガス吹付機構15が吹き付ける酸化硫黄ガスは、例えば、SOガス及びSOガスの少なくとも一方であることが好ましい。
酸化硫黄ガス吹付機構15は、酸化硫黄ガスをガラス板13に対して吹き付けることができるものであれば特に限定されない。酸化硫黄ガス吹付機構15は、例えば、ガラス板13の上方又は下方に配されており、ガラス板13に向かって開口する貫通孔を有するパイプにより構成されていてもよい。そのパイプに酸化硫黄ガスが供給されることにより、ガラス板13に対して酸化硫黄ガスが吹き付けられる。
本実施形態では、酸化硫黄ガス吹付機構15は、搬送されるガラス板13の温度が、ガラス板13のガラス転移温度(Tg)+50℃以上の温度領域に属する部分の少なくとも一部に設けられている。このため、冷却工程においてガラス板13のTg+50℃以上の温度領域の少なくとも一部で、ガラス板13に酸化硫黄ガスが吹き付けられる。具体的には、本実施形態では、酸化硫黄ガス吹付機構15は、搬送されるガラス板13の温度が、ガラス板13のTg+100℃〜Tg+50℃の温度領域に属する部分の少なくとも一部に設けられている。このため、冷却工程においてガラス板13のTg+100℃〜Tg+50℃の温度領域の少なくとも一部で、ガラス板13に酸化硫黄ガスが吹き付けられる。より具体的には、本実施形態では、酸化硫黄ガス吹付機構15は、搬送されるガラス板13の温度が、ガラス板13のTg+100℃〜Tg+50℃の温度領域に属する部分の全体に設けられている。このため、冷却工程においてガラス板13のTg+100℃〜Tg+50℃の温度領域の全域で、ガラス板13に酸化硫黄ガスが吹き付けられる。
このように、本実施形態では、冷却工程においてガラス板13のTg+50℃以上の温度領域の少なくとも一部で、ガラス板13に酸化硫黄ガスが吹き付けられる。従って、アルカリ金属やアルカリ土類金属が表面から溶出しにくいガラス板13を製造することができる。ガラス板13は、表面からアルカリ金属やアルカリ土類金属が溶出しにくいガラス板であるため、ガラス板13にはヤケが生じにくい。また、ガラス板13の上に形成された電極や半導体層などが、ガラス板13から溶出するアルカリ金属やアルカリ土類金属により変性したり、劣化したりしにくい。
アルカリ金属やアルカリ土類金属が表面からより溶出しにくいガラス板13を製造する観点からは、酸化硫黄ガス吹付機構15により冷却工程においてガラス板に対して吹き付けられる酸化硫黄ガスの単位面積あたりの吹き付け量は、10mL/m以上であることが好ましく、25mL/m以上であることがより好ましい。ガラス板13におけるSiOの含有量が55質量%以下である場合は、酸化硫黄ガス吹付機構15により冷却工程においてガラス板に対して吹き付けられる酸化硫黄ガスの単位面積あたりの吹き付け量は、100mL/m以上であることがより好ましい。
酸化硫黄ガス吹付機構15により冷却工程においてガラス板に対して吹き付けられる酸化硫黄ガスの単位面積あたりの吹き付け量は、200mL/m以下であることが好ましい。そうすることにより、ガラス板13の表面に欠陥が生じることを抑制することができる。例えば、フロート法によりガラス板13を成形する場合は、ドロスの発生を抑制することができる。
なお、酸化硫黄ガス吹付機構15により冷却工程においてガラス板に対して吹き付けられる酸化硫黄ガスの単位面積あたりの吹き付け量は、{(L/V)×Vol}/(W×L)、すなわち、Vol/(V×W)で算出される。
但し、
W:ガラス板の幅(m)
V:ガラス板の搬送速度(m/秒)
L:酸化硫黄ガス吹付機構15が設けられた領域の搬送方向Dに沿った長さ(m)
Vol:酸化硫黄ガス吹付機構15から単位時間当たりの放出された酸化硫黄ガスの体積(mL/秒)
である。
なお、酸化硫黄ガス吹付機構15から吹き付けられるガスは、酸化硫黄ガスと他のガスとの混合ガスであってもよい。酸化硫黄ガス吹付機構15から吹き付けられるガスは、例えば、チッ素ガスと酸化硫黄ガスとの混合ガスであってもよい。その場合は、Volは、酸化硫黄ガス吹付機構15から単位時間当たりに放出されたガスの体積に対して酸化硫黄ガスの含有率を乗じた値となる。
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。
(実施例1)
製造装置1と実質的に同様の構成を有する製造装置を用いて、以下の条件で厚みが1.8mmのガラス板を作製した。
ガラス板のガラス組成:SiO:53.7質量%、Al:12.4質量%、MgO:0.2質量%、CaO:5.4質量%、SrO:12.5質量%、BaO:2.9質量%、NaO:6.2質量%、KO:3.4質量%、ZrO;3.1質量%、Fe:0.1質量%、SO:0.1質量%
ガラス板のガラス転移温度(Tg):660℃
酸化硫黄ガス吹付機構から放出するガス:チッ素ガスとSOガスとの混合ガス
酸化硫黄ガスの吹き付け期間:冷却工程において760℃〜710℃(ガラス板13のTg+100℃〜Tg+50℃)の温度領域の全域
酸化硫黄ガスの吹き付け量:122mL/m
なお、ガラス板に対して吹き付けられる酸化硫黄ガスの単位面積あたりの吹き付け量は、上式Vol/(V×W)に基いて計算した。
(実施例2)
酸化硫黄ガスの吹き付け量を131mL/mとしたこと以外は、実施例1と同様にしてガラス板を作製した。
(実施例3)
酸化硫黄ガスの吹き付け量を192mL/mとしたこと以外は、実施例1と同様にしてガラス板を作製した。
(実施例4)
酸化硫黄ガスの吹き付け量を206mL/mとしたこと以外は、実施例1と同様にしてガラス板を作製した。
(実施例5)
酸化硫黄ガスの吹き付け量を423mL/mとしたこと以外は、実施例1と同様にしてガラス板を作製した。
(実施例6)
以下の条件としたこと以外は、実施例1と同様にしてガラス板を作製した。
ガラス板のガラス組成:SiO:58.3質量%、Al:9.0質量%、MgO:2.0質量%、CaO:2.0質量%、SrO:7.0質量%、BaO:9.0質量%、NaO:4.0質量%、KO:5.0質量%、ZrO;3.5質量%、Fe:0.1質量%、SO:0.1質量%
ガラス板のガラス転移温度(Tg):640℃
酸化硫黄ガスの吹き付け量:22mL/m
(比較例1)
以下の条件としたこと以外は、実施例1と同様にしてガラス板を作製した。
酸化硫黄ガスの吹き付け期間:冷却工程において710℃未満〜560℃(ガラス板13のTg+50℃未満〜Tg−100℃)の温度領域の全域
酸化硫黄ガスの吹き付け量:392mL/m
(比較例2)
酸化硫黄ガスの吹き付け量を431mL/mとしたこと以外は、比較例1と同様にしてガラス板を作製した。
(比較例3)
酸化硫黄ガスの吹き付け量を610mL/mとしたこと以外は、比較例1と同様にしてガラス板を作製した。
(ヤケ(曇り)の評価)
実施例1〜6及び比較例1〜3のそれぞれにおいて作製したガラス板を、10質量%のシュウ酸水溶液に1分間浸漬した後に、ガラス板の表面にヤケ(曇り)が発生しているか否かを目視により確認した。結果を表1に示す。
(表面欠陥の評価)
実施例1〜6及び比較例1〜3のそれぞれにおいて作製したガラス板の1000mm×1000mmの領域に存在する単位面積あたりの500μm以上の欠陥の数を、光学顕微鏡を用いてカウントした。結果を、表1に示す。
Figure 0006281318
表1に示される結果から、ガラス板のTg+50℃以上の温度領域の少なくとも一部において酸化硫黄ガスをガラス板に吹き付けることにより、ヤケ(曇り)が生じにくいガラス板を製造できることが分かる。酸化硫黄ガス吹付機構により冷却工程においてガラス板に対して吹き付けられる酸化硫黄ガスの単位面積あたりの吹き付け量を、200mL/m以下とすることにより表面欠陥の発生を抑制できることが分かる。
1 製造装置
10 成形部
11 冷却室
12 溶融ガラス
13 ガラス板
15 酸化硫黄ガス吹付機構

Claims (9)

  1. アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiOの含有量が60質量%以下であるガラス板を製造する方法であって、
    溶融ガラスを板状に成形し、ガラス板を得る成形工程と、
    前記ガラス板を冷却する冷却工程と、
    を備え、
    前記冷却工程において、(前記ガラス板のガラス転移温度+100℃)〜(前記ガラス板のガラス転移温度+50℃)の温度領域の全域にわたって、前記ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける、ガラス板の製造方法。
  2. アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiO の含有量が55質量%以下であるガラス板を製造する方法であって、
    溶融ガラスを板状に成形し、ガラス板を得る成形工程と、
    前記ガラス板を冷却する冷却工程と、
    を備え、
    前記冷却工程において、前記ガラス板のガラス転移温度+50℃以上の温度領域の少なくとも一部で、前記ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付け、
    前記冷却工程における酸化硫黄ガスの単位面積あたりに対する吹き付け量が100mL/m 以上である、ガラス板の製造方法。
  3. 前記冷却工程において、(前記ガラス板のガラス転移温度+100℃)〜(前記ガラス板のガラス転移温度+50℃)の温度領域の少なくとも一部で、前記ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける、請求項に記載のガラス板の製造方法。
  4. 前記冷却工程において、(前記ガラス板のガラス転移温度+100℃)〜(前記ガラス板のガラス転移温度+50℃)の温度領域の全域にわたって、前記ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける、請求項に記載のガラス板の製造方法。
  5. 前記冷却工程における酸化硫黄ガスの単位面積あたりに対する吹き付け量が200mL/m以下である、請求項2〜4のいずれか一項に記載のガラス板の製造方法。
  6. 前記酸化硫黄ガスが、SOガス及びSOガスの少なくとも一方である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のガラス板の製造方法。
  7. 前記成形工程において、前記溶融ガラスをフロート法により板状に成形する、請求項1〜6のいずれか一項に記載のガラス板の製造方法。
  8. アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiOの含有量が60質量%以下であるガラス板を製造するための装置であって、
    溶融ガラスから成形されたガラス板を冷却する冷却室と、
    前記冷却室に配されており、(前記ガラス板のガラス転移温度+100℃)〜(前記ガラス板のガラス転移温度+50℃)の温度領域の全域において、前記ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける酸化硫黄ガス吹付機構と、
    を備える、ガラス板の製造装置。
  9. アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの少なくとも一方を含み、SiO の含有量が55質量%以下であるガラス板を製造するための装置であって、
    溶融ガラスから成形されたガラス板を冷却する冷却室と、
    前記冷却室に配されており、前記ガラス板のガラス転移温度+50℃以上の温度領域の少なくとも一部において、酸化硫黄ガスの単位面積あたりに対する吹き付け量が100mL/m 以上となるように前記ガラス板に酸化硫黄ガスを吹き付ける酸化硫黄ガス吹付機構と、
    を備える、ガラス板の製造装置。
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