JP6164732B2 - BaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 29
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 15
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 5
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 4
- 101100167360 Drosophila melanogaster chb gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910015365 Au—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000001615 p wave Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004122 SrSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002447 crystallographic data Methods 0.000 description 1
- 230000005288 electromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
Description
ところで、2つの電子から成るクーパー対は一般に軌道角運動量を有する。そして、空間反転対称性を有する通常の超伝導体では、この軌道部分の波数依存性(すなわち超伝導ギャップの波数依存性)はパリティで分類され、スピン1重項状態(軌道部分は偶パリティ)ならばs波、d波、g波、…、スピン3重項状態(軌道部分は奇パリティ)ならばp波、f波、h波、…の対称性を持った対状態が実現する。
(スピン3重項成分の軌道部分の角運動量)=(スピン1重項成分の軌道部分の角運動量)+(反対称スピン軌道相互作用に対応した角運動量)
そこで、スピン3重項成分の角運動量は混合するスピン1重項成分のそれより必ず大きい。スピン軌道相互作用が波数kについて1次ならば、s波+p波、d波+f波、g波+h波、…の組み合わせが実現する。
また、本発明は、上記超伝導体を提供する物質がBaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3であることに鑑み、新規のBaNiSn3型結晶構造物質を提供することを目的とする。
SrAuSi3
で表されると共に、その結晶がHermann−Mauguinの記号でI4mmで表され、体心正方格子の原点と中心にストロンチウムが位置し、金を中心としたピラミッド構造の5配位多面体の各頂点を第1類型のケイ素(Si(1):ピラミッド頂点)と第2類型のケイ素(Si(2):ピラミッド底面)とで構成することを特徴とする。
また、空間反転対称性の破れた超伝導の他の可能性としては、特殊な電磁気効果が理論的に示唆されている。例えば、超伝導電流による磁化誘起(超伝導体に電流を流すと磁石になる)やスピン分極による超伝導電流誘起(磁場を与えると超伝導電流が発生する)などがある。これらは、スピントロニクス応用に繋がる可能性がある。このように、空間反転対称性の破れた超伝導は、従来の超伝導とは全く異なるものである可能性がある。
SrAuSi3は、高圧安定相である。原料、SrSi2、Au、Siの定比混合粉末を、6GPa程度の圧力の下、1500℃程度の温度で約1時間程度反応させ、室温にクエンチすることで、準安定相として常温・常圧下で取り出すことができる。この高圧合成過程に於いては、通常用いられる金や白金のカプセルは、高温で、原料や生成物と化学反応するため、使用できない。原料混合粉末の成型ペレットを、圧力媒体のh-BN(六方晶窒化硼素)に直接埋め込むことで、良質の試料を作製することができる。
粉末X線回折測定により、上記の条件で合成した試料が、SrAuSi3単相に近い試料であることが分かる。リートベルト解析を行ったところ、SrAuSi3の結晶構造は、既知物質のCeRhSi3やCeIrSi3と同様、BaNiSn3型(空間群:I4mm)であることが分かった。図1に、X線回折パターン(リートベルト解析パターン)、表1に、構造解析から得られた原子座標と結晶学的データ、リートベルト解析のR因子などを示した。
図3は、電気抵抗の温度依存性である。低温で、電気抵抗がゼロになる超伝導転移が観測できる(Tc(on set)=1.75K、Tc(0)=1.6K)。挿入図は広域(T=300−0.6K)の電気抵抗の温度変化である。金属的な温度依存性を示している。
図4は、磁化率の温度依存性である。約T=1.6K以下でマイスナー反磁性が観測できる。試料の超伝導体積分率は、ゼロ磁場下冷却(ZFC)シグナルの場合、約76%(T=0.46K)であり、バルク超伝導であることが分かる。SrAuSi3の超伝導転移は、CeRhSi3やCeIrSi3とは異なり、常圧下で起こる。
当業者においては、Srは同じアルカリ土類のCaやBaなど、希土類のCeなどで置き換えることで、超伝導物質が得られる理論的な可能性がある。また、Kなどのアルカリ金属も、Srを置き換えることで、超伝導物質が得られる理論的な可能性がある。R原子は、結晶構造のスペーサー的な役目をするだけで、電子状態にはあまり重要ではない。
したがって、RAuSi3又はR−Au−Si三元系の金属間化合物超伝導体(R=アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素)において、超伝導物質が得られる理論的な可能性がある。
(i)SrサイトをCaやBaなどの他のアルカリ土類金属元素(2A属元素)やアルカリ金属元素(1A属元素)、希土類元素(ランタノイド元素)で置換した物質、
(ii)AuサイトをAg、Cuなどの他の1B属元素や遷移金属元素で置換した物質、
(iii)SiサイトをGeやSn等の4B属元素、PやAs等のニクトゲン(5B属元素)、S等のカルコゲン(6B属元素)等で置換した物質、あるいは、
(iv)上記(i)から(iii)の元素置換を複合的に施した物質。
Claims (1)
- 組成が式:
SrAuSi3
で表されると共に、その結晶がHermann−Mauguinの記号でI4mmで表され、
体心正方格子の原点と中心にストロンチウムが位置し、
金を中心としたピラミッド構造の5配位多面体の各頂点を第1類型のケイ素(Si(1):ピラミッド頂点)と第2類型のケイ素(Si(2):ピラミッド底面)とで構成することを特徴とするBaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013147442A JP6164732B2 (ja) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | BaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013147442A JP6164732B2 (ja) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | BaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015020915A JP2015020915A (ja) | 2015-02-02 |
JP6164732B2 true JP6164732B2 (ja) | 2017-07-19 |
Family
ID=52485676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013147442A Expired - Fee Related JP6164732B2 (ja) | 2013-07-16 | 2013-07-16 | BaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6164732B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5846632B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2016-01-20 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | 酸化物超伝導薄膜 |
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---|---|
JP2015020915A (ja) | 2015-02-02 |
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