JP6143283B2 - 陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法及び高精度形状創成方法 - Google Patents
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Description
<陽極酸化援用形状創成エッチング方法>
A.形状転写方式
本方式は、通常の形彫り電解加工と同様に、目的形状を反転した工具電極3Aを用い被加工物2に目的形状を転写するものである。電解加工においては被加工物を構成する金属元素が直接陽イオンとして電解液中に溶解して除去加工が進行するのに対し、SiCの陽極酸化援用形状創成エッチング方法においては陽極酸化によるSiC表面の酸化(陽極酸化プロセス)とフッ化水素酸(HF)による溶解除去(溶解プロセス)という2段階のプロセスを経て材料除去が進行する。陽極酸化における酸化レートは、電解液中を流れる電流値によって支配されるが、フッ化水素酸の電離度は大変小さい(0.1以下)ため、フッ化水素酸のみを電解液とした場合には陽極酸化を引き起こす電流値が小さく、十分な酸化レートが得られない。また、フッ化水素酸は金属材料との反応性が非常に高いため、工具電極の腐食による転写形状精度の悪化が懸念される。これらの予想される問題点を解決するため、以下の手段をとる。
B−1.小径電極
本方式は、先端の作用部8の面積が小さく側面を絶縁被覆した小径電極3Bを用いて、電解液と溶解液(エッチャント)の混液である処理液4中で被加工物2の加工面を局所的に陽極酸化させながら溶解し、それを数値制御して形状修正を行うことができるものである。前記小径電極3Bに、電源5からパルス電圧を印加して陽極酸化を制御するが、陽極酸化領域の微小化のためにパルス電圧印加条件を最適化する。
前記小径電極3Bを用いる場合、処理液4中に該小径電極3Bと被加工物2を浸漬して行うのに対し、同軸ノズル電極3Cは処理液4中に浸漬せず、それ自体に処理液4の供給と回収機能を有するものである。つまり、図3に示すように、同軸ノズル電極3Cは、中心に金属棒9からなる工具電極3を有し、該金属棒9の外側に同軸状に内筒10と外筒11を配置して構成し、該同軸ノズル電極3Cの先端を被加工物2に接近させて対向した状態で、前記金属棒9と内筒10の間から処理液4を供給すると同時に、前記内筒10と外筒11の間から処理液4を強制吸引して回収し、前記金属棒9の先端作用部8と被加工物2との間に処理液4を滞在させて、陽極酸化と溶解を同時に行うものである。
陽極酸化援用研磨方法は、単独でも単結晶SiCウエハや単結晶GaNウエハの仕上げ加工として使用できるが、前述の陽極酸化援用形状創成エッチング方法を粗加工とし、本陽極酸化援用研磨方法を仕上げ研磨として用いることにより、難加工材料に対して高精度の形状創成を実現できる。
2 被加工物(SiC基板)、
3 工具電極、
3A 形状転写電極、
3B 小径電極、
3C 同軸ノズル電極、
4 処理液、
5 電源、
6 研磨パッド、
7 電解液、
8 作用部、
9 金属棒、
10 内筒、
11 外筒、
12 電解液、
13 水槽、
14 ワイヤー、
15 電源、
16 酸化膜、
17 架台、
18 小径口、
19 支持板、
20 銅電極、
21 ホルダー、
22 回転棒、
23 ボールスプライン、
24 モータ、
25 プーリ、
26 ベルト、
27 バランサー、
28 錘、
S 目的形状。
Claims (11)
- 電解液の存在下で被加工物を陽極とするとともに、該被加工物に対向して配置した工具電極を陰極として電圧を印加して所定電流密度の電流を流し、被加工物の表面に酸化膜を形成する陽極酸化プロセスと、
表面に酸化膜を形成した被加工物を、該酸化膜の溶解能を有する溶解液に接触させて酸化膜を溶解除去する溶解プロセスと、
を含み、前記電解液と溶解液を混合した処理液を用いて前記陽極酸化プロセスと溶解プロセスを同時に進行させて、前記工具電極の作用部の形状に応じて目的形状を得ることを特徴とする陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法。 - 前記工具電極の作用部が、目的形状の一部又は全部を反転した形状を有し、該工具電極の作用部を被加工物に転写してなる請求項1記載の陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法。
- 前記工具電極の作用部が、被加工物の表面よりも十分に小さなポイント形状を有し、該工具電極の作用部を被加工物の表面に沿って相対的に数値制御走査して、任意の目的形状を創成してなる請求項1記載の陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法。
- 前記工具電極が金属棒であり、該金属棒の外側に同軸状に内筒と外筒を配置して同軸ノズル電極を構成し、該同軸ノズル電極の先端を被加工物に接近させて対向した状態で、前記金属棒と内筒の間から処理液を供給すると同時に、前記内筒と外筒の間から処理液を強制吸引して回収し、前記金属棒の先端作用部と被加工物との間に処理液を滞在させてなる請求項1記載の陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法。
- 前記被加工物が、単結晶SiC、CVD−SiC、焼結SiC、単結晶GaN又はWC等の超硬合金である請求項1〜4何れか1項に記載の陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法。
- 前記溶解液がフッ化水素酸(HF)である請求項1〜5何れか1項に記載の陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法。
- 前記請求項1〜6何れか1項に記載の陽極酸化を援用した形状創成エッチング方法を用いて、被加工物の表面を目的形状に粗加工した後、
電解液の存在下で被加工物を陽極として電圧を印加して所定電流密度の電流を流し、被加工物の表面に酸化膜を形成する陽極酸化プロセスと、
モース硬度が前記被加工物と酸化膜の中間硬度を有する研磨材料を用いて、酸化膜を選択的に研磨除去する研磨プロセスと、
を含み、前記陽極酸化プロセスと研磨プロセスを同時に進行させて、前記被加工物の表面を平坦化加工することを特徴とする陽極酸化を援用した研磨方法を用いて目的形状を仕上げ研磨してなる陽極酸化を援用した高精度形状創成方法。 - 前記研磨プロセスが、電解液中で前記研磨材料を用いた研磨パッドで被加工物の酸化膜を研磨除去するものである請求項7記載の陽極酸化を援用した高精度形状創成方法。
- 前記研磨パッドに電極を内蔵し、該電極を陰極として電圧を印加する請求項8記載の陽極酸化を援用した高精度形状創成方法。
- 前記電解液中に前記研磨材料からなるスラリーを分散含有させる請求項7記載の陽極酸化を援用した高精度形状創成方法。
- 前記研磨プロセスによる研磨レートが前記陽極酸化プロセスによる酸化レートより高い条件で平坦化加工する請求項7〜10何れか1項に記載の陽極酸化を援用した高精度形状創成方法。
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