JP6143137B2 - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
hC=(yC1−yC0)/φ ……(13)
hD=(xD1−xD0)/φ ……(15)
上式(12)、(13)からわかるように、ウエハステージWSTのピッチング量をφxとすると、ウエハステージWSTのピッチングに伴う、Yエンコーダ70A,70Cのアッベ誤差ΔAA、ΔACは、次式(16)、(17)で表せる。
ΔAC=hC・φx ……(17)
ΔAD=hD・φy ……(19)
CY=r’・ey’ …(20b)
ここで、ex’,ey’は、ウエハステージWSTにのった相対座標系(X’,Y’,θz’)におけるX’,Y’単位ベクトルで、基準座標系(X,Y,θz)におけるX,Y単位ベクトルex,eyと、次式(21)の関係がある。
CY=−(p−X)sinθz+(q−Y)cosθz ……(22b)
C2=−(p2−X)sinθz+(q2−Y)cosθz ……(23b)
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz ……(23c)
C4=X+p4・cosθz−q4・sinθz ……(24)
上式(24)において、p4、q4は、エンコーダEnc4のX座標値、Y座標値である。エンコーダEnc4のY座標値q4として前述のヘッド位置のキャリブレーションの際に取得した計測ビームの照射点の位置情報が、エンコーダEnc4のX座標値p4としては、計測ビームの照射点の設計上の位置情報が、メモリ34内からそれぞれ読み出されて用いられる。
C3= (p3−X)cosθz+(q3−Y)sinθz …(23c)
C4= (p4−X)cosθz+(q4−Y)sinθz …(23d)
なお、4つめのエンコーダがYヘッドの場合には、理論式(23d)の代わりに次の理論式(23e)を用いた連立方程式(23b)(23c)(23e)を用いれば良い。
本実施形態では、ウエハステージWSTの3自由度(X,Y,θz)方向の位置座標を計測するために、常時、エンコーダシステム70A〜70Dを構成するXエンコーダ(ヘッド)及びYエンコーダ(ヘッド)の内、少なくとも1つのXヘッドと少なくとも2つのYヘッドを含む少なくとも3つのヘッドを使用している。そのため、ウエハステージWSTの移動に伴って使用するヘッドを切り換える際には、切り換えの前後でステージ位置の計測結果を連続につなぐために、3つのヘッドの組み合わせから別の3つのヘッドの組み合わせへと切り換える方式を採用している。この方式を、第1方式と呼ぶことにする。
CY4=−(p4−X)sinθz+(q4−Y)cosθz ……(25b)
ここで、(p3,q3),(p4,q4)はYヘッド64C3,64C4のX,Y設置位置(より正確には計測点(検出点)のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64C3,64C4のY設置位置は等しい(q3=q4)と仮定する。この仮定の下、上式(25a)(25b)より、次式(26)が得られる。
従って、後に停止される第1ヘッド64C3の計測値を上式(26)の右辺のCY3に代入して、左辺のCY4を求めることにより、新たに使用する第2ヘッド64C4の計測値を予測することができる。
ここで、(pA,qA)はYヘッド64AのX,Y設置位置(より正確には計測点のX,Y位置)である。簡単のため、Yヘッド64AのY設置位置qAは、Yヘッド64C3,64C4のY設置位置q3,q4と等しい(qA=q3=q4)と仮定する。
ただし、定数c=(p3−p4)/(qA−q3)と置いた。従って、Yヘッド64C3,64Aの計測値のそれぞれを上式(27)の右辺のCY3,CYAに代入して左辺のCY4を求めることにより、新たに使用するYヘッド64C4の計測値を予測することができる。
Claims (56)
- 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系から離れて配置され、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して互いに位置が異なる複数の検出領域でそれぞれ前記基板のマークを検出可能なマーク検出系と、
前記投影光学系の上方に配置され、前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージと、
前記第1ステージを駆動する第1モータを有する第1駆動系と、
前記第1ステージの位置情報を計測する第1計測システムと、
前記投影光学系の下方に配置され、前記基板を保持する第2ステージと、
前記第2ステージを駆動する第2モータを有する第2駆動系と、
前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記第2ステージの上方かつ前記投影光学系の下端側に設けられ、前記ヘッドを介して前記格子部の反射型格子に計測ビームを照射し、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報を計測する第2計測システムと、
前記第1、第2計測システムの計測情報に基づいて前記第1、第2駆動系をそれぞれ制御する制御装置と、を備え、
前記基板の露光動作および前記マーク検出系による前記マークの検出動作でそれぞれ、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記制御装置は、前記検出動作において、前記所定面内で前記第1方向と直交する第2方向に関して互いに位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように前記第2駆動系を制御し、前記露光動作において、前記所定面と直交する第3方向に関する、前記第2ステージの位置制御又は位置合わせのための基準面あるいは前記露光動作において前記基板が一致する基準面の位置と、前記格子部の反射型格子の位置との差に起因して生じる前記第2計測システムの計測誤差を補償しつつ、前記マーク検出系の検出情報に基づいて前記基板のアライメントが行われるとともに、前記照明光に対して前記マスクと前記基板をそれぞれ相対移動する前記基板の走査露光が行われるように前記第1、第2駆動系を制御し、
前記第2ステージの移動によって、前記第2ステージの前記位置情報の計測に用いられる前記複数のヘッドの1つが前記複数のヘッドと異なる別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって、前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換前に用いられる前記複数のヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切換後に前記別のヘッドを使って前記第2ステージの移動を制御するための補正情報が取得される露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記第2ステージの移動によって、前記格子部と対向する前記ヘッドが3つのヘッドと4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光装置。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記第2ステージはその上面に基準マークを有し、
前記制御装置は、前記マーク検出系によって前記基準マークを検出するために、前記複数の検出領域の1つに前記基準マークが配置されるように前記第2駆動系を制御し、
前記基準マークの検出動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測され、前記露光動作において、前記基準マークの検出情報が用いられる露光装置。 - 請求項3に記載の露光装置において、
前記第2ステージはその上面にスリットパターンを有し、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像を、前記スリットパターンを介して検出する空間像計測装置を、さらに備え、
前記制御装置は、前記マーク像が前記スリットパターン上に投影されるように前記第2駆動系を制御し、
前記マーク像の検出動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測され、前記露光動作において、前記マーク像の検出情報が用いられる露光装置。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記マーク像の検出動作における前記第2計測システムの計測情報と前記マーク像の検出情報は前記アライメントに用いられる露光装置。 - 請求項4又は5に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて配置され、前記第3方向に関する前記基板の位置情報を検出する位置検出系を、さらに備え、
前記制御装置は、前記第3方向に関して互いに異なる位置でそれぞれ、前記スリットパターンを介して前記マーク像が検出されるように前記第2駆動系を制御し、
前記位置検出系の検出情報に基づいて前記投影光学系と液浸領域の液体を介して投影されるパターン像と前記基板との相対位置関係を調整する前記基板のフォーカス・レベリング制御において、前記マーク像の検出情報が用いられる露光装置。 - 請求項6に記載の露光装置において、
前記マーク検出系と前記位置検出系は、前記第2方向に関して前記投影光学系の一側に離れて配置され、
前記位置検出系による前記基板の検出動作はその少なくとも一部が、前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して行われる露光装置。 - 請求項4〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2ステージはその上面の凹部内に設けられ、前記基板を保持するホルダを有し、
前記基準マークおよび前記スリットパターンは、前記凹部と異なる前記上面の開口内に配置される計測部材に設けられる露光装置。 - 請求項4〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系の複数の光学素子のうち最も像面側に配置されるレンズを囲むように設けられ、前記投影光学系の下に液体で液浸領域を形成するノズルユニットを、さらに備え、
前記投影光学系と前記液浸領域の液体を介して前記基板が露光されるとともに、前記投影光学系と前記液浸領域の液体を介して前記マーク像が前記スリットパターン上に投影される露光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、少なくとも前記第1方向に関して前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域の一部が前記第2方向に関して位置が可変である露光装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域の一部が移動可能であり、前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように、前記複数の検出領域のうち残りの検出領域に対して前記一部の検出領域が相対移動される露光装置。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域にそれぞれ検出光を照射する複数の光学系と、前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように前記複数の光学系の一部を移動する駆動部とを有する露光装置。 - 請求項13に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記駆動部によって移動される前記光学系の位置情報を計測するセンサを有する露光装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記基板のマークの検出動作において、前記第2方向に関して互いに異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数と、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数との少なくとも一方が異なる露光装置。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2計測システムはそれぞれエンコーダシステムを有し、
前記第2計測システムは、前記第1、第2、第3方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報を計測する露光装置。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項17に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ前記反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記ヘッドの切換は、前記切換前に用いられる3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2ステージの移動によって、前記反射型格子と対向する前記複数のヘッドの個数が変化する露光装置。 - 請求項19に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ前記反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記第2計測システムは、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報を計測可能である露光装置。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記マーク検出系は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、前記反射型格子が2次元格子であり、かつ前記所定面とほぼ平行となるように配置され、
前記第2ステージは、前記ヘッドが設けられるとともに、前記格子部の下方で移動される露光装置。 - 請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系の複数の光学素子のうち最も像面側に配置されるレンズを囲むように設けられ、前記照明光が通過する前記レンズの射出面が液浸領域の液体と接するように前記投影光学系の下に前記液浸領域を形成するノズルユニットを、さらに備え、
前記投影光学系と前記液浸領域の液体を介して前記基板が露光され、前記マーク検出系によって液体を介さず前記基板のマークが検出される露光装置。 - 請求項24に記載の露光装置において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に配置される露光装置。 - 請求項24又は25に記載の露光装置において、
前記ノズルユニットは、前記液体の供給口および回収口と、前記レンズの射出面より低く配置される下面と、を有し、前記供給口を介して前記液浸領域に液体を供給するとともに、前記回収口を介して前記液浸領域の液体を回収する露光装置。 - 請求項24〜26のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第2ステージは、前記液浸領域と接触可能な上面と、前記上面の凹部内に設けられるホルダと、を有し、前記基板の表面が前記上面と実質的に同一面となるように前記凹部内で前記基板を保持するとともに、前記上面によって、前記基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部を維持可能である露光装置。 - 請求項24〜27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ノズルユニットは、前記投影光学系を支持するフレーム部材または前記フレーム部材と異なるフレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基準面は、前記投影光学系の像面である露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜29のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系から離れて配置され、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して互いに位置が異なる複数の検出領域を有するマーク検出系の下方で、前記所定面内で前記第1方向と直交する第2方向に関して互いに位置が異なる前記基板の複数のマークが前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出されるように、前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動することと、
前記投影光学系の上方に配置され、前記照明光で照明されるマスクを保持する第1ステージの位置情報を第1計測システムで計測することと、
前記第2ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記第2ステージの上方かつ前記投影光学系の下端側に設けられ、前記ヘッドを介して前記格子部の反射型格子に計測ビームを照射する第2計測システムの、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記投影光学系の下方に配置され、前記基板を保持する第2ステージの位置情報を計測することと、
前記第1、第2計測システムの計測情報に基づいて前記第1、第2ステージをそれぞれ移動することと、を含み、
前記基板の露光動作および前記マーク検出系による前記マークの検出動作でそれぞれ、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記露光動作において、前記所定面と直交する第3方向に関する、前記第2ステージの位置制御又は位置合わせのための基準面あるいは前記露光動作において前記基板が一致する基準面の位置と、前記格子部の反射型格子の位置との差に起因して生じる前記第2計測システムの計測誤差を補償しつつ、前記マーク検出系の検出情報に基づいて前記基板のアライメントが行われるとともに、前記照明光に対して前記マスクと前記基板をそれぞれ相対移動する前記基板の走査露光が行われるように前記第1、第2ステージが移動され、
前記第2ステージの移動によって、前記第2ステージの前記位置情報の計測に用いられる前記複数のヘッドの1つが前記複数のヘッドと異なる別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって、前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換前に用いられる前記複数のヘッドによって計測される位置情報に基づいて、前記切換後に前記別のヘッドを使って前記第2ステージの移動を制御するための補正情報が取得される露光方法。 - 請求項31に記載の露光方法において、
前記第2ステージの移動によって、前記格子部と対向する前記ヘッドが3つのヘッドと4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光方法。 - 請求項31又は32に記載の露光方法において、
前記マーク検出系によって前記第2ステージの基準マークを検出するために、前記複数の検出領域の1つに前記基準マークが配置されるように前記第2ステージが移動され、
前記基準マークの検出動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測され、前記露光動作において、前記基準マークの検出情報が用いられる露光方法。 - 請求項33に記載の露光方法において、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像を、前記第2ステージのスリットパターンを介して検出するために、前記マーク像が前記スリットパターン上に投影されるように前記第2ステージが移動され、
前記マーク像の検出動作において、前記第2計測システムによって前記第2ステージの位置情報が計測され、前記露光動作において、前記マーク像の検出情報が用いられる露光方法。 - 請求項34に記載の露光方法において、
前記マーク像の検出動作における前記第2計測システムの計測情報と前記マーク像の検出情報は前記アライメントに用いられる露光方法。 - 請求項34又は35に記載の露光方法において、
前記投影光学系から離れて配置される位置検出系によって、前記第3方向に関する前記基板の位置情報が検出され、
前記第3方向に関して互いに異なる位置でそれぞれ、前記スリットパターンを介して前記マーク像が検出されるように前記第2ステージが移動され、
前記位置検出系の検出情報に基づいて前記投影光学系と液浸領域の液体を介して投影されるパターン像と前記基板との相対位置関係を調整する前記基板のフォーカス・レベリング制御において、前記マーク像の検出情報が用いられる露光方法。 - 請求項36に記載の露光方法において、
前記マーク検出系と前記位置検出系は、前記第2方向に関して前記投影光学系の一側に離れて配置され、
前記位置検出系による前記基板の検出動作はその少なくとも一部が、前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して行われる露光方法。 - 請求項34〜37のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記第2ステージの上面の凹部内で保持され、
前記基準マークおよび前記スリットパターンは、前記凹部と異なる前記上面の開口内に配置される計測部材に設けられる露光方法。 - 請求項34〜38のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系の複数の光学素子のうち最も像面側に配置されるレンズを囲むように設けられるノズルユニットによって、前記投影光学系の下に液体で液浸領域が形成され、
前記投影光学系と前記液浸領域の液体を介して前記基板が露光されるとともに、前記投影光学系と前記液浸領域の液体を介して前記マーク像が前記スリットパターン上に投影される露光方法。 - 請求項31〜39のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記第1方向に関して前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が調整される露光方法。 - 請求項40に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域の一部は、前記第2方向に関して位置が可変である露光方法。 - 請求項31〜41のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記基板のマークの検出動作において、前記第2方向に関して互いに異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数と、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数との少なくとも一方が異なる露光方法。 - 請求項31〜42のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2計測システムはそれぞれエンコーダシステムを有し、
前記第2計測システムによって、前記第1、第2、第3方向を含む6自由度方向に関する前記第2ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項31〜43のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項44に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ前記反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記ヘッドの切換は、前記切換前に用いられる3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項31〜45のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第2ステージの移動によって、前記反射型格子と対向する前記複数のヘッドの個数が変化する露光方法。 - 請求項46に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ前記反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記第2ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項31〜47のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記マーク検出系および前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系を支持するフレーム部材に設けられる露光方法。 - 請求項31〜48のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、前記反射型格子が2次元格子であり、かつ前記所定面とほぼ平行となるように配置され、
前記第2ステージは、前記ヘッドが設けられるとともに、前記格子部の下方で移動される露光方法。 - 請求項31〜49のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系の複数の光学素子のうち最も像面側に配置されるレンズを囲むように設けられるノズルユニットによって、前記照明光が通過する前記レンズの射出面が液浸領域の液体と接するように前記投影光学系の下に前記液浸領域が形成され、
前記投影光学系と前記液浸領域の液体を介して前記基板が露光され、前記マーク検出系によって液体を介さず前記基板のマークが検出される露光方法。 - 請求項50に記載の露光方法において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に配置される露光方法。 - 請求項50又は51に記載の露光方法において、
前記ノズルユニットは、前記液体の供給口および回収口と、前記レンズの射出面より低く配置される下面と、を有し、前記供給口を介して前記液浸領域に液体が供給されるとともに、前記回収口を介して前記液浸領域の液体が回収される露光方法。 - 請求項50〜52のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板はその表面が前記第2ステージの上面と実質的に同一面となるように前記上面の凹部内で保持され、前記上面によって、前記基板の表面から外れる前記液浸領域の少なくとも一部が維持される露光方法。 - 請求項50〜53のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ノズルユニットは、前記投影光学系を支持するフレーム部材または前記フレーム部材と異なるフレーム部材に設けられる露光方法。 - 請求項31〜54のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基準面は、前記投影光学系の像面である露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項31〜55のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006237465 | 2006-09-01 | ||
JP2006237465 | 2006-09-01 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016004105A Division JP6056992B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016180090A Division JP6332649B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-09-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016136267A JP2016136267A (ja) | 2016-07-28 |
JP6143137B2 true JP6143137B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=39157185
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533143A Expired - Fee Related JP5486189B2 (ja) | 2006-09-01 | 2007-09-03 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245035A Expired - Fee Related JP5686126B2 (ja) | 2006-09-01 | 2012-11-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014016312A Expired - Fee Related JP5761659B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-01-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014160956A Expired - Fee Related JP5783502B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-08-07 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002314A Expired - Fee Related JP5863155B2 (ja) | 2006-09-01 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127310A Expired - Fee Related JP6015985B2 (ja) | 2006-09-01 | 2015-06-25 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004105A Expired - Fee Related JP6056992B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016031587A Expired - Fee Related JP6143137B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-02-23 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016180090A Expired - Fee Related JP6332649B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-09-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018083348A Expired - Fee Related JP6583755B2 (ja) | 2006-09-01 | 2018-04-24 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008533143A Expired - Fee Related JP5486189B2 (ja) | 2006-09-01 | 2007-09-03 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245035A Expired - Fee Related JP5686126B2 (ja) | 2006-09-01 | 2012-11-07 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014016312A Expired - Fee Related JP5761659B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-01-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014160956A Expired - Fee Related JP5783502B2 (ja) | 2006-09-01 | 2014-08-07 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002314A Expired - Fee Related JP5863155B2 (ja) | 2006-09-01 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127310A Expired - Fee Related JP6015985B2 (ja) | 2006-09-01 | 2015-06-25 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004105A Expired - Fee Related JP6056992B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016180090A Expired - Fee Related JP6332649B2 (ja) | 2006-09-01 | 2016-09-15 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018083348A Expired - Fee Related JP6583755B2 (ja) | 2006-09-01 | 2018-04-24 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8860925B2 (ja) |
EP (3) | EP3361317A1 (ja) |
JP (10) | JP5486189B2 (ja) |
KR (10) | KR101764094B1 (ja) |
CN (3) | CN102749812B (ja) |
HK (4) | HK1173231A1 (ja) |
SG (2) | SG10201407218XA (ja) |
TW (9) | TW201809913A (ja) |
WO (1) | WO2008029758A1 (ja) |
Families Citing this family (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI590005B (zh) * | 2006-08-31 | 2017-07-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20080094592A1 (en) | 2006-08-31 | 2008-04-24 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
TW201809913A (zh) | 2006-09-01 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
KR20180085820A (ko) | 2006-09-01 | 2018-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US8194232B2 (en) | 2007-07-24 | 2012-06-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, position control method and position control system, and device manufacturing method |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
KR101497862B1 (ko) | 2007-12-28 | 2015-03-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP5057235B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 較正方法、露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置 |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
TW201003053A (en) * | 2008-07-10 | 2010-01-16 | Nikon Corp | Deformation measuring apparatus, exposure apparatus, jig for deformation measuring apparatus, position measuring method and device manufacturing method |
US8508735B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8325325B2 (en) * | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
DE102009032210B4 (de) | 2009-07-03 | 2011-06-09 | Kleo Ag | Bearbeitungsanlage |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8514395B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-08-20 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8493547B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110075120A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US20110085150A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
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- 2007-09-03 TW TW106143966A patent/TW201809913A/zh unknown
- 2007-09-03 JP JP2008533143A patent/JP5486189B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 KR KR1020167006822A patent/KR101764094B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 TW TW104139625A patent/TW201610608A/zh unknown
- 2007-09-03 KR KR1020087026016A patent/KR101452524B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020147036517A patent/KR101604564B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 SG SG10201407218XA patent/SG10201407218XA/en unknown
- 2007-09-03 TW TW103138504A patent/TWI510871B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 WO PCT/JP2007/067124 patent/WO2008029758A1/ja active Application Filing
- 2007-09-03 EP EP18165854.3A patent/EP3361317A1/en not_active Withdrawn
- 2007-09-03 CN CN201210228940.7A patent/CN102749812B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 TW TW105135034A patent/TWI574125B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 EP EP07806597.6A patent/EP2071614B1/en not_active Not-in-force
- 2007-09-03 TW TW106111117A patent/TWI623825B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 KR KR1020137021543A patent/KR101442449B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020187014582A patent/KR20180058861A/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 KR KR1020157028037A patent/KR101660668B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 CN CN2007800098332A patent/CN101405837B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 KR KR1020147036516A patent/KR101626244B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 CN CN201210229301.2A patent/CN102749813B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-03 TW TW103138507A patent/TWI531873B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 SG SG2011061389A patent/SG174740A1/en unknown
- 2007-09-03 TW TW105117028A patent/TWI584082B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 EP EP15185014.6A patent/EP2993523B1/en not_active Not-in-force
- 2007-09-03 KR KR1020147024517A patent/KR101529851B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 TW TW096132716A patent/TWI531866B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 KR KR1020177021004A patent/KR101892410B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-03 TW TW105117029A patent/TWI600979B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-03 KR KR1020147014450A patent/KR101477471B1/ko active IP Right Grant
- 2007-09-04 US US11/896,577 patent/US8860925B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-11-07 JP JP2012245035A patent/JP5686126B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-01-10 HK HK13100397.4A patent/HK1173231A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2013-01-10 HK HK13100400.9A patent/HK1173232A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-01-31 JP JP2014016312A patent/JP5761659B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-07 JP JP2014160956A patent/JP5783502B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-14 US US14/459,757 patent/US9874822B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002314A patent/JP5863155B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 JP JP2015127310A patent/JP6015985B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2016
- 2016-01-13 JP JP2016004105A patent/JP6056992B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-02-23 JP JP2016031587A patent/JP6143137B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-31 HK HK16106140.8A patent/HK1218168A1/zh not_active IP Right Cessation
- 2016-09-15 JP JP2016180090A patent/JP6332649B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2017
- 2017-12-13 US US15/840,358 patent/US10289010B2/en not_active Expired - Fee Related
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2018
- 2018-04-24 JP JP2018083348A patent/JP6583755B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2018-09-10 HK HK18111630.3A patent/HK1252345A1/zh unknown
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161130 |
|
A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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