JP6121148B2 - 改善された照射範囲を有する放射線検出装置 - Google Patents
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Description
− フォトデテクターにより与えられた電流を、ロードを用いて第1の電気変数(a first electrical variable)に変換するように構成された制御回路と、
− フォトデテクターと制御回路とを含むピクセルであって、分析回路と接続するように設計された出力端子が設けられたピクセルと、
− 第1の動作状態(a first operating condition)においてフォトデテクターの複数の端子の間に第1の電位差を与えるように構成され、且つ、第2の動作状態においてフォトデテクターの複数の端子のうちの1つがフローティング電位になるように構成されたフォトデテクターのバイアス装置と、
− フォトデテクターが第1の動作モードにあるときは、制御回路をピクセルの出力端子とフォトデテクターとに接続し、フォトデテクターが第2の動作モードにあるときは、制御回路を遮断する(disconnecting)ように構成された接続回路と、
− フォトデテクターをピクセルの出力端子と接続し、且つ、フォトデテクターが第1の動作モードにあるときは遮断状態になるように構成され、フォトデテクターが第2の動作モードにあるときは導通状態となるように構成されたスイッチと、
− ロードに印加された電圧をしきい値に対して比較するように構成され、且つ、その比較に応じて第1の信号又は第2の信号を供給するように構成された比較器であって、接続回路とスイッチとに接続されている比較器と。
ISATはフォトダイオードの飽和電流を示す。
Tはフォトダイオードのケルビン温度を示す。
κはボルツマン定数を示す。
qはクーロン単位で示される電荷量を示す。
nは、フォトダイオードの理想係数を示す。
Claims (7)
- 電磁放射線を検出するための検出装置であって、
− 2つの端子が設けられたフォトデテクター(1)と、
− 前記フォトデテクター(1)により与えられた電流を、ロード(5)を用いて第1の電気変数に変換するように構成された制御回路(3)と、
− 前記フォトデテクター(1)と前記制御回路(3)とを含むピクセルであって、分析回路(4)と接続するように設計された出力端子(8)が設けられたピクセルと、
を備え、
− 第1の動作状態において前記フォトデテクター(1)の複数の前記端子の間に第1の電位差を与えるように構成され、且つ、第2の動作状態において前記フォトデテクターの前記複数の端子のうちの1つがフローティング電位になるように構成された前記フォトデテクター(1)のバイアス回路(2、3、6、7)と、
− 前記フォトデテクター(1)が前記第1の動作状態にあるときは、前記制御回路(3)を前記ピクセルの前記出力端子(8)と前記フォトデテクター(1)とに接続するように構成され、且つ、前記フォトデテクター(1)が前記第2の動作状態にあるときは、前記フォトデテクター(1)と前記制御回路(3)との接続及び前記出力端子(8)と前記制御回路(3)との接続を遮断するように構成された接続回路と、
− 前記フォトデテクター(1)を前記ピクセルの前記出力端子(8)と接続し、且つ、前記フォトデテクター(1)が前記第1の動作モードにあるときは遮断状態になるように構成され、前記フォトデテクター(1)が前記第2の動作モードにあるときは導通状態となるように構成されたスイッチ(9)と、
− 前記ロードに印加された電圧をしきい値に対して比較するように構成され、且つ、その比較に応じて第1の信号又は第2の信号を供給するように構成された比較器(10)であって、前記制御回路(3)を接続/遮断する前記接続回路と前記スイッチ(9)とに接続されている比較器と、
を備える検出装置。 - 前記比較器(10)は、前記ロード(5)の前記複数の端子の間の電圧が前記しきい値(Vthreshold)に達していない間には、前記制御回路(3)が前記フォトデテクター(1)と前記ピクセルの前記出力端子(8)とに接続され、前記ロード(5)の前記複数の端子の電圧が前記しきい値に達した場合には、前記制御回路(3)が前記ピクセルの前記出力端子(8)と接続されるように、構成されている請求項1に記載の検出装置。
- 前記接続回路(6、7)は、前記フォトデテクター(1)と前記制御回路(3)との間に接続された第1のスイッチ(6)を備える、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の検出装置。
- 前記制御回路(3)は、バイアストランジスタ(11)を有する直接注入回路であり、前記バイアストランジスタは、前記フォトデテクター(1)と接続された第1の端子と、前記ロード(5)と接続された第2の端子とを有し、前記バイアストランジスタ(11)は前記接続回路の一部を形成し、前記バイアストランジスタ(11)のゲート電極は前記比較器(10)と接続されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の検出装置。
- 前記接続回路は、前記制御回路(3)と前記ピクセルの前記出力端子(8)との間に接続された第2のスイッチ(7)を備える、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか1つに記載の検出装置。
- 前記ロード(5)は容量性ロードであって、第1の端子を有する集積容量(CINT)を備え、前記第1の端子は、前記第1の端子に固定電位を印加するように構成された回路に接続され、前記比較器(10)は前記集積容量(CINT)の第2の端子に接続されている、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1つに記載の検出装置。
- 前記比較器(10)は前記分析回路(4)と接続された出力端子を備え、前記フォトデテクター(1)の動作モードを前記分析回路(4)に伝えるように構成されている、ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1つに記載の検出装置。
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