JP6089484B2 - One side polishing method of the wafer - Google Patents

One side polishing method of the wafer

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JP6089484B2 JP2012175255A JP2012175255A JP6089484B2 JP 6089484 B2 JP6089484 B2 JP 6089484B2 JP 2012175255 A JP2012175255 A JP 2012175255A JP 2012175255 A JP2012175255 A JP 2012175255A JP 6089484 B2 JP6089484 B2 JP 6089484B2
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Description

本発明は、接着剤によってプレートに固定したシリコン等の半導体ウェーハの片面を鏡面研磨するウェーハの片面研磨方法に関する。 The present invention, one side of a semiconductor wafer such as silicon secured to the plate about the single side polishing method for a wafer to mirror polishing with an adhesive.

単結晶インゴットをスライスしたシリコン等の半導体ウェーハは、平面研削(ラッピング)工程、エッチング工程、鏡面研磨(ポリッシング)工程を経て、最終洗浄されることにより、ポリッシュドウェーハに加工される。 A semiconductor wafer such as silicon obtained by slicing a single crystal ingot, surface grinding (lapping) step, an etching step, after the mirror polishing (polishing) step, by being final wash is processed into polished wafers. このうち、エッチング工程後の鏡面研磨工程の一態様として、接着剤によってプレートに固定したウェーハの片面を、定盤に設けられた研磨布に接触させて、プレートおよび定盤を回転させることによってウェーハの片面を研磨する方法がある。 Among them, the wafer as an embodiment of the mirror-polishing process after the etching step, the one surface of the wafer fixed to the plate by an adhesive, in contact with the polishing pad provided on the surface plate, by rotating the plate and the surface plate there is a method of polishing one side of.

この際用いられる接着剤には、グリコールフタレート系樹脂、エポキシ系樹脂、ケトン系樹脂などの非パラフィン系樹脂が知られており、中でもビスフェノールA型エポキシ樹脂が多く用いられている。 The adhesive used in this case, glycol phthalate resins, epoxy resins, are known non-paraffinic resins such as ketone resins, are widely used among them bisphenol A type epoxy resin. また、特許文献1には、軟化点が65〜95℃の範囲にあるノボラック型エポキシ樹脂および溶剤からなる接着剤を用いることにより、片面研磨後にウェーハをプレートから容易に剥離でき、かつ、剥離後のプレートの洗浄(接着剤の除去)を容易に行なうことができることが記載されている。 In Patent Document 1, by using an adhesive having a softening point is a novolac type epoxy resin and a solvent in the range of 65 to 95 ° C., the wafer can be easily peeled from the plate after single-side polishing, and, after peeling it is described that can be performed in the washing of the plates (removal of adhesive) easily.

特開平4−111314号公報 JP-4-111314 discloses

一般に片面研磨を行うと、ウェーハの面内中心部に比べて外周部の研磨量が大きくなる、いわゆる外周ダレが生じる傾向にある。 In general, performing a single-side polishing, the polishing amount of the peripheral portion is larger than the plane center of the wafer, they tend to so-called peripheral sag occurs. しかし、一枚のウェーハからより多くのデバイスを作製する観点から、この外周ダレを抑制し、ウェーハ外周部でも高い平坦度を維持するように研磨することが求められている。 However, from the viewpoint of making more devices from a single wafer, to suppress this peripheral sag, there is a need for polishing so as to maintain high flatness in the wafer peripheral portion.

しかしながら、本発明者らは、従来の接着剤を用いてウェーハをプレートに固定して片面研磨を行った場合、片面研磨後のウェーハ外周部の平坦度は十分ではなく、これを改善できる余地があるとの認識を持つに至った。 However, the present inventors have found that when performing single-sided polishing to secure the wafer to the plate using a conventional adhesive, the flatness of the wafer outer peripheral portion after single-side polishing is not sufficient, is room for improving this I came to have a recognition of that there.

そこで本発明は、上記課題に鑑み、ウェーハ外周部の平坦度を改善することが可能なウェーハの片面研磨方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a wafer single side polishing method which can improve the flatness of the wafer outer peripheral portion.

従来、ウェーハをプレートに固定する接着剤の物性と、研磨後のウェーハ外周部の平坦度との関係は知られておらず、ウェーハ外周部の平坦度を改善するという観点からの接着剤の選定は行なわれてこなかった。 Conventionally, the properties of the adhesive for securing the wafer to the plate, the relationship between the flatness of the wafer outer peripheral portion after the polishing is not known, the selection of adhesive from the viewpoint of improving the flatness of the wafer outer peripheral portion It has not been carried out. 特許文献1でも、片面研磨後の剥離性および洗浄性に着目しているに過ぎない。 Even Patent Document 1, merely by focusing the removability and the cleaning property after single-side polishing. そこで、本発明者らは、接着剤の物性に着目して、上記目的を達成すべく鋭意検討したところ、軟化点および100℃における流動粘度がそれぞれ所定の条件を満たす固形分を有する接着剤を用いてウェーハをプレートに固定して片面研磨を行った場合に、ウェーハ外周部の平坦度が特に改善されることを見出した。 Accordingly, the inventors have focused on the physical properties of the adhesive, and the roller was intensely studied to achieve the above object, the adhesive flow viscosity at the softening point and 100 ° C., each having a predetermined condition is satisfied solids when performing single-sided polishing to secure the wafer to the plate using, it found that flatness of the wafer outer peripheral portion is particularly improved.

以上の知見に基づき完成した本発明の要旨構成は以下のとおりである。 Summary and construction of the present invention accomplished based on the above findings is as follows.
本発明のウェーハの片面研磨方法は、接着剤によってプレートに固定したウェーハの片面を、定盤に設けられた研磨布に接触させて、前記プレートおよび前記定盤を回転させることによって前記ウェーハの片面を研磨するウェーハの片面研磨方法であって、前記接着剤の固形分は、軟化点が70〜76℃の範囲内であり、100℃における流動粘度が20000〜35000cPの範囲内である(ただし、軟化点が72.8℃であり、かつ、流動粘度が110℃において10000cP超え、120℃において3850cP、130℃において1850cP、及び140℃において900cPである場合を除く)ことを特徴とする。 Side polishing method for a wafer of the present invention, one side of the wafer fixed to the plate by an adhesive, in contact with the polishing pad provided on the surface plate, one side of the wafer by rotating the plate and the plate a single side polishing method for a wafer for polishing, the solids content of the adhesive has a softening point in the range of 70 to 76 ° C., the flow viscosity at 100 ° C. is in the range of 20000~35000CP (provided that softening point is 72.8 ° C., and, beyond 10000cP in flow viscosity is 110 ° C., unless a 900cP in 1850CP, and 140 ° C. in 3850cP, 130 ℃ at 120 ° C.) can be characterized.

また本発明では、前記ウェーハの他面に前記接着剤を塗布し、加熱した前記プレートに前記接着剤を接触させて、前記接着剤の固形分を溶融させた後、前記プレートを冷却することにより、前記接着剤の固形分を固化し、前記ウェーハを前記プレートに固定することが好ましい。 In the present invention also the adhesive is applied to the other surface of the wafer, the contacting the adhesive to a heated the plates were, after melting the solid content of the adhesive, Rukoto to cool the plate Accordingly, solidifying the solid content of the adhesive, it is preferable to fix the wafer to the plate.

本発明のウェーハの片面研磨方法によれば、ウェーハをプレートに固定する接着剤として、所定の軟化点および流動粘度の固形分を有する接着剤を用いたので、ウェーハ外周部の平坦度を改善することができる。 According to single side polishing method for a wafer of the present invention, as an adhesive for securing the wafer to the plate, so using an adhesive having a solid content of a predetermined softening point and flow viscosity, improve the flatness of the wafer outer peripheral portion be able to.

本発明に従うウェーハの片面研磨方法を実施する片面研磨装置の模式斜視図である。 Side polishing method for a wafer according to the present invention is a schematic perspective view of a single-side polishing apparatus for carrying out. (A)〜(C)は、本発明に従うウェーハの片面研磨方法の工程を説明する模式断面図である。 (A) ~ (C) are schematic sectional views illustrating a process of single-side polishing method for a wafer according to the present invention.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to accompanying drawings.

図1は、本発明に従うウェーハの片面研磨方法を実施する片面研磨装置の模式斜視図である。 Figure 1 is a schematic perspective view of a single-side polishing apparatus for carrying out the single-side polishing method for a wafer according to the present invention. 片面研磨装置は、ウェーハを固定する例えばセラミック製のプレート12と、このプレート12を保持するヘッド20とを有する。 Single-side polishing apparatus includes a plate 12, for example made of ceramic fixing the wafer, and a head 20 for holding the plate 12. 図1では見えないが、各プレート12には、例えば5枚といった複数枚のウェーハが固定される。 Although not visible in Figure 1, each plate 12, a plurality of wafers such five example is fixed. また、片面研磨装置は、プレート12と対向して、表面に研磨布18を設けた定盤16を有する。 Furthermore, single-side polishing apparatus, the plate 12 opposite the, has a plate 16 having a polishing cloth 18 on the surface. プレート12に固定したウェーハを研磨布18に接触させて、ヘッド20およびプレート12と、定盤16とをともに回転させ、研磨布上に研磨液を供給しながら、ウェーハの片面を研磨する。 The fixed wafer to plate 12 in contact with the polishing cloth 18, the head 20 and the plate 12, both rotate the surface plate 16, while supplying a polishing liquid onto the polishing cloth to polish one side of the wafer. 1つの定盤20内に複数(図1では4つ)のプレート12を配することにより、一度に多数のウェーハを同時に片面研磨することができる。 By arranging the one surface plate 20 in the plate 12 a plurality (four in FIG. 1), it is possible to single-side polishing multiple wafers simultaneously at a time.

図2を用いて、本発明に従うウェーハの片面研磨方法の工程を説明する。 With reference to FIG. 2, illustrating a process of single-side polishing method for a wafer according to the present invention. 図2では、ウェーハ10の両面のうち、研磨面を片面(おもて面)10A、接着剤塗布面を他面(裏面)10Bとする。 In Figure 2, of the both surfaces of the wafer 10, the polishing surface one side (front surface) 10A, the adhesive coated surface and the other surface (back surface) 10B. まず、図2(A)右図に示すように、スピンコーティング法により、ウェーハの他面10Bに接着剤を塗布する。 First, as shown in FIG. 2 (A) the right figure, by a spin coating method, applying an adhesive to the other surface 10B of the wafer. 塗布する段階での接着剤は、固形成分となる樹脂と、溶剤とを少なくとも含む。 The adhesive at the stage of coating includes a resin as a solid component, and a solvent at least. 一方で、図2(A)左図に示すように、プレート12は例えばホットプレートによって約100℃に加熱される。 On the other hand, as shown in FIG. 2 (A) left, plate 12 is heated to about 100 ° C., for example, by a hot plate. そして、図2(A)中央図に示すように、加熱したプレート12に接着剤14を接触させる。 Then, as shown in FIG. 2 (A) middle panel, contacting the adhesive 14 to the heated plate 12. すると、プレート12から接着剤14に伝わる熱によって、溶剤が蒸発するとともに樹脂は溶融する。 Then, the heat transmitted from the plate 12 to the adhesive 14, the resin with the solvent evaporates melts. その後、プレート12を冷却することにより、樹脂が固化し、ウェーハ10がプレート12に固定される。 Thereafter, by cooling the plate 12, the resin is solidified, the wafer 10 is fixed to the plate 12. 接着剤14の厚さは特に限定されないが、0.5〜2μm程度とすることができる。 The thickness of the adhesive 14 is not particularly limited, it may be about 0.5 to 2 [mu] m.

なお、ウェーハの他面10Bに接着剤を塗布後、ウェーハ10を加熱することにより接着剤の溶媒を蒸発させ、その後、加熱したプレート12に接着剤14を接触させて、樹脂(固形分)を溶融させてもよい。 Incidentally, after applying an adhesive to the other surface 10B of the wafer, the solvent of the adhesive is evaporated by heating the wafer 10, and thereafter, contacting the adhesive 14 to the heated plate 12, the resin (solid) it may be melted.

続いて図2(B)に示すように、接着剤14によってプレート12に固定したウェーハの片面10Aを、定盤16に設けられた研磨布18に接触させて、プレート12および定盤16を回転させることによって、ウェーハの片面10Aを研磨する。 Subsequently, as shown in FIG. 2 (B), the one side 10A of the wafer fixed to the plate 12 by an adhesive 14, in contact with the polishing pad 18 provided on the surface plate 16, rotates the plate 12 and plate 16 by, polishing the one surface 10A of the wafer. その後、図2(C)に示すように、プレート12をヘッド20から取り外し、水洗、水切りを行なう。 Thereafter, as shown in FIG. 2 (C), remove the plate 12 from the head 20, performs washing, draining. その後は図示しないが、剃刀などによってプレート12からウェーハ10を剥離し、ウェーハ10は洗浄後、平坦度測定に供される。 Although thereafter not illustrated, separating the wafer 10 from the plate 12 such as by a razor, the wafer 10 is washed, it is subjected to the flatness measurement. プレート12には接着剤を除去する洗浄を行い、プレート12は乾燥後、再度ウェーハの片面研磨に用いられる。 The plate 12 was cleaned to remove the adhesive, the plate 12 is dried, used for single side polishing again wafer.

ここで、本発明に従う片面研磨方法の特徴は、固形分の軟化点が70〜76℃の範囲内であり、固形分の100℃における流動粘度が20000〜35000cPの範囲内である接着剤を用いることである。 Here, characteristics of the single-side polishing method according to the present invention, the softening point of the solid content is in the range of 70 to 76 ° C., the flow viscosity at 100 ° C. of solids an adhesive is in the range of 20000~35000cP it is. 本発明者らは、このような接着剤を用いてウェーハ10をプレート12に固定して片面研磨を行った場合に、ウェーハ外周部の平坦度が特に改善されることを見出した。 The present inventors have found that when performing single-sided polishing to secure the wafer 10 to the plate 12 with such adhesives has been found that flatness of the wafer outer peripheral portion is particularly improved. このような顕著な効果が奏される作用は必ずしも明らかではないが、固形分となる樹脂がプレート12の熱により溶融する際の流動性が適正化されて、ウェーハの他面10Bの外周部への接着剤の局在が抑制され、ウェーハの他面10Bに均一な厚さの接着剤の層を形成できるためと考えられる。 Such remarkable effect is not necessarily clear effect is exerted, is fluidity optimized when the resin as a solid content is melted by the heat of the plate 12, the outer peripheral portion of the other surface 10B of the wafer the localization of the adhesive suppressed, probably because capable of forming a layer of adhesive having a uniform thickness on the other surface 10B of the wafer. すなわち、本発明は、単に軟化点のみに着目するのではなく、固形分の100℃における流動粘度にも着目し、その両者を最適化するという新たな着想に基づき完成された発明である。 That is, the present invention is not simply to focus only on the softening point, also focuses on the flow viscosity at 100 ° C. of solids is completed invention based on the new concept of optimizing both. 固形分の軟化点または固形分の100℃における流動粘度が上記範囲を外れた接着剤を用いた場合、接着剤の固形分となる樹脂が溶融する際の流動性が適正でないため、ウェーハ外周部の平坦度が劣る。 If flow viscosity at 100 ° C. of softening point or the solid content of the solids using an adhesive outside the above range, the resin serving as the solid content of the adhesive is not appropriate fluidity during melting, the wafer outer peripheral portion the flatness of the poor. なお、本発明は固形分の100℃における流動粘度を特徴とするものであり、プレート12が必ずしも100℃に加熱されることに限定されず、例えば120℃に加熱してもよい。 The present invention is characterized in flow viscosity at 100 ° C. of solids, not limited to the plate 12 is heated necessarily 100 ° C., for example, may be heated to 120 ° C..

本明細書において、接着剤の固形分の「軟化点」とは、JIS K2207(環球法)に従い試料を規定条件下で加熱したとき、試料が規定距離まで垂れ下がるときの温度を意味する。 As used herein, "softening point" of the solid content of the adhesive, upon heating the sample in a defined condition according to JIS K2207 (ring and ball method), refers to the temperature at which the sample hangs down to the specified distance. また、接着剤の固形分の「流動粘度」とは、フローテスター定温法にて設定温度(例えば100℃)・設定圧力下(例えば大気圧)で試料がノズルを通過する速度から算出した粘度を意味する。 Further, the "flow viscosity" of the solid content of the adhesive, the viscosity sample is calculated from the velocity through the nozzle in the configuration at a flow tester constant temperature method temperature (e.g. 100 ° C.) · Setting under pressure (e.g. atmospheric pressure) means. そして、例えば、島津製作所の流動特性評価装置(フローテスター)により求めることができる。 Then, for example, it can be determined by a Shimadzu flow characteristics evaluation apparatus (Flow Tester). これらの軟化点および流動粘度は、塗布する段階での接着剤から溶剤を蒸発・除去し、固形分のみとした状態で測定する。 These softening point and the flow viscosity, the solvent was evaporated and removed from the adhesive at the stage of coating, it is measured in a state of only the solid matter.

本発明の片面研磨方法の結果、ウェーハ外周部の平坦度はSFQRで0.100μm以下、さらには0.080μm以下とすることができる。 Results of single-side polishing method of the present invention, flatness of the wafer outer peripheral portion is 0.100μm or less SFQR, yet may be less 0.080 [mu] m. ここで、SFQR(Site Front least sQuares Range)とは、SEMI規格にかかる、ウェーハ外周部の平坦度を示す指標である。 Here, the SFQR (Site Front least sQuares Range), according to the SEMI standard is an index indicating the flatness of the wafer outer peripheral portion. このSFQRは、具体的にはウェーハから所定寸法の矩形状のサンプルを複数取得し、取得した各サンプルについて最小二乗法により求められた基準面からの+側および−側のそれぞれの最大変位量の絶対値の和を算出することにより求めるものである。 This SFQR is specifically a predetermined size from the wafer a rectangular sample obtains a plurality, obtained from the reference plane determined by the least squares method for each sample + side and - a respective maximum displacement of the side and requests by calculating the sum of absolute values. 本明細書におけるSFQRは、ウェーハ外周端から2mmの領域内において、22mm×22mmのサイトを、ADE社製平坦度測定器(UltraScan9800)により測定した値とする。 SFQR herein, in 2mm in the region from the wafer outer peripheral edge, a 22 mm × 22 mm of the site, a value measured by ADE Co. flatness measuring instrument (UltraScan9800).

接着剤の固形成分となる樹脂は特に限定されないが、天然樹脂のロジン系(例えばアクリル化ロジン)や、合成樹脂のウレタン系やエポキシ系などの1種または複数種を挙げることができる。 Although the resin as the solid component of the adhesive is not particularly limited, it is a rosin-based natural resins or (e.g. acrylated rosin), of one or more of a urethane-based or epoxy-based synthetic resin. また、これらの樹脂は周知の任意の合成法により得ることができる。 Further, any of these resins are obtained by any known synthetic methods.

また、使用する樹脂の数平均分子量が大きい樹脂ほど、軟化点および流動粘度が高くなる傾向もあるため、各樹脂の配合割合を変えるだけでなく、数平均分子量を調整することによって、接着剤の固形分の軟化点や流動粘度を適宜調整することができる。 Further, as the resin number-average molecular weight is large resin used, since some tendency to softening point and the flow viscosity is high, not only changing the proportions of the resin, by adjusting the number average molecular weight, the adhesive softening point and the flow viscosity of the solids can be appropriately adjusted.

塗布する段階での接着剤に含まれる溶剤の種類は特に限定されず、例えばアセトン、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、メチルイソブチルケトン、トルエンなどの有機溶媒、あるいは、これらとエチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒との混合溶媒とすることができる。 The type of solvent contained in the adhesive at the stage of coating is not particularly limited, for example, acetone, ethanol, methanol, isopropyl alcohol, methyl isobutyl ketone, an organic solvent, or they ethylene glycol monoethyl ether, such as toluene, ethylene glycol monoethyl ether acetate, can be a mixed solvent of an ether solvent such as diethylene glycol dimethyl ether.

塗布する段階での接着剤に占める固形成分となる樹脂の割合は、10〜35%とすることが好ましい。 Ratio of resin to be solid component occupying the adhesive at the stage of coating is preferably set to 10 to 35%. 10%未満の場合、ウェーハへの塗布時に膜厚が薄く、膜切れが発生するおそれがあり、35%超えの場合、固形分が結晶化したり、ウェーハへの塗布時に膜厚が大きくなり、膜厚むらが発生しやすくなるおそれがあるからである。 If less than 10%, thin film thickness when applied to the wafer, there is a possibility that the film breakage may occur in the case of more than 35%, or solids crystallized, thickness is increased at the time of application to the wafer, film the thickness unevenness is because there is a risk that is likely to occur.

接着剤は、樹脂および溶剤に加えて、随意に他の添加剤を含んでもよい。 Adhesive, in addition to the resin and a solvent, optionally may include other additives. 添加剤としては、変性ロジン、ノニオン界面活性剤などが挙げられる。 As the additive, modified rosin, and the like nonionic surface active agents. その場合、塗布する段階での接着剤に占める添加剤の合計含有量は、接着剤としての機能を阻害しない範囲であればよく、例えば1%以内とすることが好ましい。 In that case, the total content of the additive occupying the adhesive at the stage of coating may be within a range that does not inhibit the function of the adhesive is preferably, for example, within 1%.

本発明で用いる塗布する段階での接着剤は、上記の溶剤に各種樹脂および添加剤を加え、加熱することにより樹脂を溶剤に溶解させて、得ることができる。 The adhesive at the stage of coating used in the present invention, various resins and additives in addition to the above solvent, a resin dissolved in a solvent by heating, can be obtained.

本発明においては、図2(A)でウェーハ10をプレート12に固定するに先立ち、ウェーハの他面10B、すなわち図2(A)右図に示す接着剤塗布面を研磨することが好ましい。 In the present invention, prior to securing the wafer 10 to the plate 12 in FIG. 2 (A), the other surface 10B of the wafer, that is to polish the adhesive coated surface shown in FIG. 2 (A) right figure preferable. 研磨によりウェーハの他面10Bの表面粗さを低減することで、接着剤の固形分となる樹脂がプレート12の熱により溶融する際の流動性がより適正化されて、ウェーハ外周部の平坦度をより改善することができるからである。 Polished by by reducing the surface roughness of the wafer other surface 10B, resin as a solid content of the adhesive is flowable and more optimized when melted by the heat of the plate 12, the flatness of the wafer outer peripheral portion This is because it is possible to further improve.

通常、エッチング工程後のウェーハの他面10Bの表面粗さ(二乗平均平方根Rq)は、4000〜4500Å程度となる。 Usually, the surface roughness of the other surface 10B of the wafer after the etching step (root mean square Rq) it becomes about 4000~4500A. そのため、ウェーハの他面10Bを鏡面研磨することにより、その表面粗さ(Rq)を、好ましくは2000Å以下、より好ましくは1500Å以下とする。 Therefore, the other surface 10B of the wafer by mirror polishing, the surface roughness (Rq), preferably 2000Å or less, and more preferably 1500Å or less.

プレート12の材質や寸法は特に限定されないが、材質は、例えばセラミック、などとすることができ、寸法は、例えば直径576mmの円盤状とすることができる。 The material and dimensions of the plate 12 is not particularly limited, a material, for example ceramic, can be, eg, dimensions, for example, be a disk having a diameter of 576mm. また、研磨布18の種類は限定されない。 In addition, the type of polishing cloth 18 is not limited. 例えば、単層式の研磨布でもよいし、研磨布層の裏面にスポンジ層が形成された2層式の研磨布でもよい。 For example, it may be a polishing cloth of a single layer type, may be a polishing cloth of a two-layer type sponge layer is formed on the back surface of the polishing cloth layer. 単層式における研磨布および2層式における研磨布層としては、例えば、ウレタンフォームなどの合成樹脂発泡体からなる研磨布、ポリエステル繊維製の不織布にウレタン樹脂を含浸させた硬質なベロアタイプの研磨布、不織布の基布の上にウレタン樹脂を発泡させたスエードパッドなどを採用することができる。 The polishing cloth layer in the polishing pad and two-layer in the single-layer type, for example, the polishing of the polishing pad, hard velor type impregnated with urethane resin a polyester fiber nonwoven fabric made of a synthetic resin foam such as urethane foam fabric, can be employed as suede pad foamed urethane resin on a base fabric of the nonwoven fabric. 研磨圧力、定盤およびプレートの回転速度、研磨液の種類などの、その他の研磨条件も特に限定されず、任意の条件とすることができる。 Polishing pressure, the platen and plate rotational speed of, such as the type of the polishing liquid, and other polishing conditions are not particularly limited and can be any conditions.

(実験例1) (Experiment 1)
エッチング工程後のRqが4500Å程度のシリコンウェーハ(直径:200mm)を用意し、ウェーハの裏面を研磨してRqを1500Åとした。 Rq after the etching process is 4500Å about a silicon wafer (diameter: 200 mm) was prepared, the Rq was 1500Å by polishing the back surface of the wafer. シリコンウェーハの裏面に後述の接着剤を塗布した。 The adhesive was applied below the back surface of the silicon wafer. 100℃に加熱したセラミック製のプレートにシリコンウェーハを押しつけ、その後冷却し、接着剤によりシリコンウェーハをプレートに固定した。 Pressing a silicon wafer to a ceramic plate heated to 100 ° C., and then cooled to fix the silicon wafer to the plate by an adhesive. その後、不織布の研磨布を定盤の表面に設置した、図1に示す片面研磨装置によりシリコンウェーハのおもて面に対して鏡面研磨を行った。 It was then placed a polishing pad of the nonwoven fabric on the surface of the platen were mirror polished against the front surface of the silicon wafer by single-side polishing apparatus shown in FIG. なお、1枚のプレートには5枚のシリコンウェーハを固定し、1回の片面研磨により5枚×4プレートのシリコンウェーハを加工した。 Note that the one plate is fixed to 5 silicon wafers were processed silicon wafers five × 4 plates by single side polishing once. 研磨条件は以下のとおりとした。 The polishing conditions were as follows.
研磨圧力:300g/cm Polishing pressure: 300g / cm 2
研磨時間:300秒 研磨液:アルカリ研磨液(コロイダルシリカ含有) Polishing time: 300 seconds polishing liquid: alkaline polishing liquid (colloidal silica-containing)

用いた接着剤について説明する。 It will be described adhesive used. 接着剤の固形分としては、天然樹脂であるロジン係剤を用い、添加する誘導体割合や樹脂の数平均分子量などを調整して、表1に示すような固形分の軟化点および流動粘度が異なる接着剤を用意した。 The solids content of the adhesive, using a rosin engagement agent is a natural resin, such as by adjusting the number average molecular weight of the added derivative ratio and resin, the softening point and the flow viscosity of the solids shown in Table 1 differ It was prepared adhesive. なお、いずれの接着剤も溶剤(メタノール、メチルイソブチルケトン、トルエンの混合液)に溶解し、接着剤に占める樹脂の割合は20%としたものである。 Incidentally, dissolved in one of the adhesive is also a solvent (methanol, methyl isobutyl ketone, a mixed solution of toluene), the ratio of the resin occupying the adhesive is obtained by 20%.

それぞれの接着剤を用いた場合について、シリコンウェーハのおもて面の外周部のSFQRを既述の方法により測定した。 For the case of using each adhesive was measured SFQR of the outer peripheral portion of the front surface of the silicon wafer by the method described above. 5枚×4プレートの平均値を表1に示す。 Mean value of five × 4 plates are shown in Table 1.

表1から明らかなように、軟化点および100℃における流動粘度がともに本発明の規定する範囲内の場合には、SFQRが0.100μm以下という高平坦度を得ることができ、SFQRが0.090μm以下となる特に好ましい場合もあった。 As is evident from Table 1, in the case of the range of flow viscosity at the softening point and 100 ° C. defines the both the present invention can be SFQR obtain a high flatness of less 0.100 .mu.m, SFQR is 0. 090μm was also especially preferred is as follows. 一方、軟化点および100℃における流動粘度の少なくとも片方が本発明の規定する範囲を外れる場合、SFQRが0.100μm超えとなり平坦度に劣った。 On the other hand, at least one of the flow viscosity at the softening point and 100 ° C. may deviate from the ranges stipulated in the present invention, SFQR was poor flatness becomes greater than 0.100 .mu.m.

本発明によれば、ウェーハ外周部の平坦度を改善することが可能なウェーハの片面研磨方法を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a single-side polishing method for a wafer capable of improving the flatness of the wafer outer peripheral portion.

10 ウェーハ 10A ウェーハの片面(研磨面) 10 wafer 10A one side of the wafer (polished surface)
10B ウェーハの他面(接着剤塗布面) Other surfaces of 10B wafer (adhesive coated surface)
12 プレート 14 接着剤 16 定盤 18 研磨布 20 ヘッド 12 plate 14 adhesive 16 surface plate 18 polishing cloth 20 head

Claims (2)

  1. 接着剤によってプレートに固定したウェーハの片面を、定盤に設けられた研磨布に接触させて、前記プレートおよび前記定盤を回転させることによって前記ウェーハの片面を研磨するウェーハの片面研磨方法であって、 One side of the adhesive is fixed to the plate wafer, in contact with the polishing pad provided on the surface plate, a single-sided polishing process of a wafer for polishing the one surface of the wafer by rotating the plate and the plate Te,
    前記接着剤の固形分は、軟化点が70〜76℃の範囲内であり、100℃における流動粘度が20000〜35000cPの範囲内である(ただし、軟化点が72.8℃であり、かつ、流動粘度が110℃において10000cP超え、120℃において3850cP、130℃において1850cP、及び140℃において900cPである場合を除く)ことを特徴とするウェーハの片面研磨方法。 The solids content of the adhesive is within a softening point of 70 to 76 ° C., the flow viscosity at 100 ° C. is in the range of 20000~35000CP (provided that the softening point is 72.8 ° C., and, beyond 10000cP in flow viscosity 110 ℃, 1850cP in 3850cP, 130 ℃ at 120 ° C., and unless it is 900cP at 140 ° C.) single side polishing method for a wafer, characterized in that.
  2. 前記ウェーハの他面に前記接着剤を塗布し、加熱した前記プレートに前記接着剤を接触させて、前記接着剤の固形分を溶融させた後、前記プレートを冷却することにより、前記接着剤の固形分を固化し、前記ウェーハを前記プレートに固定する請求項1に記載のウェーハの片面研磨方法。 The adhesive is applied to the other surface of the wafer, the contacting the adhesive to a heated the plates were, after melting the solid content of the adhesive, the Rukoto to cool the plate, the adhesive the solids solidified, single side polishing method for a wafer according to claim 1 for fixing the wafer to the plate.
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