JP5958914B2 - 透過型ebsd法 - Google Patents
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Description
1a 回折電子線
1b 透過電子線
2 試料に入射する電子線の光軸に垂直な面
3 EBSDパターン検出器
3a 蛍光スクリーン
4 対物レンズ
6a 電子線源
6b 集束レンズ
6c 対物絞り
7,7a 反射板
7b 試料に入射する電子線の光軸に垂直な面(:トラップ)
8 凹部(:トラップ)
α 試料に入射する電子線の光軸に垂直な面と、試料とのなす角度
WD 対物レンズの下端から試料の測定部位までの距離
Claims (4)
- 電子線源と、
該電子線源から放出する電子線を集束する集束レンズと、
電子線をさらに集束することにより試料上に電子プローブを形成する対物レンズと、
試料上で電子プローブを走査する走査コイルと、
入射する電子線により試料から生じる電子線後方散乱回折(electron back scattering diffraction:EBSD)パターンを蛍光スクリーンで取得するEBSDパターン検出器と、
試料ホルダーと
を備える走査電子顕微鏡を使用して、試料に入射する電子線により試料を透過して生じるEBSDパターンに基づき結晶方位を解析する透過型EBSD法であって、
電子線の加速電圧は、15kV以上であり、
試料は、結晶性薄膜であり、
EBSDパターンを形成する回折電子線の強度の変化が大きいときは、前記試料を透過した回折電子線以外の透過電子線が、EBSDパターン検出器の蛍光スクリーンに到達するように、回折電子線以外の透過電子線を反射する反射板を備える試料ホルダーを使用して結晶方位を解析し、
EBSDパターンを形成する回折電子線の強度の変化が小さいときは、前記試料を透過した回折電子線以外の透過電子線が、EBSDパターン検出器の蛍光スクリーンに到達しないように、回折電子線以外の透過電子線を反射する反射板、または回折電子線以外の透過電子線を捕捉するトラップを備える試料ホルダーを使用して結晶方位を解析する
透過型EBSD法。 - 前記試料に入射する電子線の光軸に垂直な面と試料とのなす角度αが30°〜80°である請求項1に記載の透過型EBSD法。
- 前記試料に入射する電子線の光軸に垂直な面と試料とのなす角度αが30°〜60°である請求項1又は2に記載の透過型EBSD法。
- 前記対物レンズの下端から試料の測定部位までの距離WDが3mm〜9mmである請求項1〜3のいずれかに記載の透過型EBSD法。
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