JP5933672B2 - Organic light emitting display device and image quality compensation method thereof - Google Patents

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Description

本発明は、アクティブマトリクス型の有機発光表示装置に関し、特に、有機発光表示装置とその画質補償方法に関する。   The present invention relates to an active matrix organic light emitting display device, and more particularly, to an organic light emitting display device and a method for compensating image quality thereof.

アクティブマトリクス型の有機発光表示装置は、自ら発光する有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode:以下、「OLED」という)を含み、応答速度が速く、発光効率、輝度及び視野角が大きい、という長所を有している。   Active matrix organic light emitting display devices include organic light emitting diodes (hereinafter referred to as “OLEDs”) that emit light themselves, and have the advantages of fast response speed, high luminous efficiency, brightness, and viewing angle. Have.

自発光素子であるOLEDは、アノード電極及びカソード電極と、これらの間に形成された有機化合物層(HIL、HTL、EML、ETL、EIL)を含む。有機化合物層は、正孔注入層(Hole Injection layer、HIL)、正孔輸送層(Hole transport layer、HTL)、発光層(Emission layer、EML)、電子輸送層(Electron transport layer、ETL)、電子注入層(Electron Injection layer、EIL)からなる。アノード電極とカソード電極に駆動電圧が印加されると、正孔輸送層(HTL)を通過した正孔及び電子輸送層(ETL)を通過した電子が発光層(EML)に移動して励起子を形成し、その結果、発光層(EML)から可視光が発生する。   An OLED that is a self-luminous element includes an anode electrode and a cathode electrode, and an organic compound layer (HIL, HTL, EML, ETL, EIL) formed therebetween. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer (EML), an electron transport layer (ETL), an electron It consists of an injection layer (Electron Injection layer, EIL). When a driving voltage is applied to the anode and cathode electrodes, the holes that have passed through the hole transport layer (HTL) and the electrons that have passed through the electron transport layer (ETL) move to the light emitting layer (EML), thereby excitons. As a result, visible light is generated from the light emitting layer (EML).

有機発光表示装置は、OLEDをそれぞれ含む画素をマトリクス形態で配列し、ビデオデータの階調に応じて、画素の輝度を調節する。画素の各々は、OLEDに流れる駆動電流を制御するための駆動TFT(Thin Film Transistor)を含む。しきい値電圧、移動度などのような駆動TFTの電気的特性は、全ての画素で同じように設計されることが望ましいが、実際には、プロセス条件、駆動環境等により、画素ごとに駆動TFTの電気的特性は不均一である。このような理由から、同じデータ電圧に応じた駆動電流は、画素ごとに変わり、その結果、画素間の輝度ばらつきが発生することになる。この問題を解決するために、各画素からの駆動TFTの特性パラメータ(しきい値電圧、移動度)をセンシングし、センシング結果に基づいて入力データを適切に補償することで、輝度不均一を減少させる画質補償技術が知られている。   In the organic light emitting display device, pixels each including an OLED are arranged in a matrix form, and the luminance of the pixels is adjusted according to the gradation of video data. Each of the pixels includes a driving TFT (Thin Film Transistor) for controlling a driving current flowing through the OLED. Although it is desirable that the electrical characteristics of the driving TFT, such as threshold voltage and mobility, be designed to be the same for all pixels, in practice, driving is performed for each pixel depending on process conditions, driving environment, and the like. The electrical characteristics of the TFT are not uniform. For this reason, the drive current corresponding to the same data voltage changes for each pixel, and as a result, luminance variation occurs between the pixels. In order to solve this problem, brightness characteristic non-uniformity is reduced by sensing drive TFT characteristic parameters (threshold voltage, mobility) from each pixel and appropriately compensating the input data based on the sensing result. An image quality compensation technique is known.

従来の画質補償技術では、駆動TFTのしきい値電圧の変化量と、駆動TFTの移動度の変化量とをセンシングする方法及び期間は、それぞれ異なる。   In the conventional image quality compensation technique, the method and period for sensing the amount of change in the threshold voltage of the driving TFT and the amount of change in the mobility of the driving TFT are different.

駆動TFT(DT)のしきい値電圧(Vth)の変化を抽出するためのセンシング方法1は、図1及び図2Aに示すように、駆動TFT(DT)をソースフォロワ(Source Follower)方式で動作させた後、駆動TFT(DT)のソース電圧(Vs)をセンシング電圧(VsenA)として検出し、このセンシング電圧(VsenA)に基づいて駆動TFT(DT)のしきい値電圧の変化量を検出する。駆動TFTのしきい値電圧の変化量は、センシング電圧(VsenA)の大きさに応じて決定され、これにより、データの補償のためのオフセット値が求まる。このようなセンシング方法1では、ソースフォロワ(Source Follower)方式で動作される駆動TFT(DT)のゲート‐ソース間電圧(Vgs)が飽和状態(saturation state)に達した(つまり、駆動TFT(DT)のドレイン‐ソース間の電流がゼロになる時)後に、センシング動作が行われなければならないので、センシングに要する時間が長く、センシング速度が遅いという特徴がある。このようなセンシング方法1をスローモード(Slow mode)センシング方法と称する。   The sensing method 1 for extracting the change in the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT) operates the driving TFT (DT) in a source follower system as shown in FIGS. 1 and 2A. Then, the source voltage (Vs) of the driving TFT (DT) is detected as a sensing voltage (VsenA), and the amount of change in the threshold voltage of the driving TFT (DT) is detected based on the sensing voltage (VsenA). . The amount of change in the threshold voltage of the driving TFT is determined according to the magnitude of the sensing voltage (VsenA), and thereby an offset value for data compensation is obtained. In such a sensing method 1, the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT (DT) operated by the source follower method has reached a saturation state (that is, the driving TFT (DT ) Since the sensing operation must be performed after the drain-source current becomes zero), the sensing time is long and the sensing speed is slow. Such a sensing method 1 is referred to as a slow mode sensing method.

駆動TFT(DT)の移動度(μ)の変化を抽出するためのセンシング方法2は、図1及び図2Bに示すように、駆動TFT(DT)のしきい値電圧(Vth)を除外した電流能力の特性を規定するために、駆動TFT(DT)のゲートに駆動TFT(DT)のしきい電圧より高い一定電圧(Vdata+X、ここで、Xは、オフセット値の補償に応じた電圧)を印加して駆動TFT(DT)をターンオンさせる。この状態で、一定時間の間に充電された駆動TFT(DT)のソース電圧(Vs)をセンシング電圧(VsenB)として検出する。駆動TFTの移動度の変化量は、センシング電圧(VsenB)の大きさに応じて決定され、これにより、データの補償のためのゲイン値が求められる。センシング方法2は、駆動TFTがターンオンされた状態で行われるので、センシングに要する時間が短く、センシング速度が速いという特徴がある。このようなセンシング方法2をファストモード(Fast mode)センシング方法と称する。   As shown in FIGS. 1 and 2B, the sensing method 2 for extracting the change in the mobility (μ) of the driving TFT (DT) is a current excluding the threshold voltage (Vth) of the driving TFT (DT). In order to define the performance characteristics, a constant voltage (Vdata + X, where X is a voltage corresponding to the compensation of the offset value) higher than the threshold voltage of the driving TFT (DT) is applied to the gate of the driving TFT (DT). Then, the driving TFT (DT) is turned on. In this state, the source voltage (Vs) of the driving TFT (DT) charged for a predetermined time is detected as a sensing voltage (VsenB). The amount of change in the mobility of the driving TFT is determined according to the magnitude of the sensing voltage (VsenB), thereby obtaining a gain value for data compensation. Since the sensing method 2 is performed in a state where the driving TFT is turned on, the sensing method has a feature that the time required for sensing is short and the sensing speed is fast. Such a sensing method 2 is referred to as a fast mode sensing method.

スローモードセンシング方法は、そのセンシング速度が遅いため、十分なセンシング期間が必要である。つまり、駆動TFTのしきい値電圧センシング用のスローモードセンシング方法は、ユーザーに認知されることなく、十分センシング時間を割り当てることができるように、第1センシング期間の間、すなわち、ユーザーからのパワーオフコマンド信号に応答して映像表示が終了した後から駆動電源がオフになる前まで実行されるしかない。反面、駆動TFTの移動度センシング用のファストモードセンシング方法は、そのセンシング速度が速いため、第2センシング期間の間、すなわち、ユーザーからのパワーオンコマンド信号に応答して駆動電源がオンされた以後から映像表示が行われる前、または画像表示駆動期間内の垂直ブランク期間で行うことができる。   The slow mode sensing method requires a sufficient sensing period since its sensing speed is slow. In other words, the slow mode sensing method for sensing the threshold voltage of the driving TFT is able to allocate a sufficient sensing time without being recognized by the user, that is, the power from the user. It can only be executed after the video display is completed in response to the off command signal and before the drive power is turned off. On the other hand, the fast mode sensing method for sensing the mobility of the driving TFT has a high sensing speed. Therefore, during the second sensing period, that is, after the driving power is turned on in response to the power-on command signal from the user. Before the video display is performed, or during the vertical blank period within the image display drive period.

第1センシング期間に更新(UPDATE)されるオフセット値と第2センシング期間に更新されるゲイン値は、互いに影響を及ぼす。つまり、ゲイン値は、オフセット値が反映されたデータ電圧に基づいて求められる。したがって、パワーオフ過程で更新されたオフセット値は、以後パワーオン以後のゲイン値を決定する際に使用できるように不揮発性メモリに記憶させなければならない。このように、従来の画質補償技術では、しきい値電圧の変化量と移動度の変化量を調べるために、互いに異なるセンシング方法を採用しなければならなかったため、センシングに多くの時間がかかり、オフセット値を記憶させるための追加の不揮発性メモリがさらに必要となり、メモリの使用量が増加する問題がある。   The offset value updated in the first sensing period (UPDATE) and the gain value updated in the second sensing period influence each other. That is, the gain value is obtained based on the data voltage reflecting the offset value. Therefore, the offset value updated in the power-off process must be stored in the nonvolatile memory so that it can be used when determining the gain value after power-on. In this way, in the conventional image quality compensation technology, in order to examine the amount of change in threshold voltage and the amount of change in mobility, it was necessary to employ different sensing methods from each other, so sensing took a lot of time, An additional non-volatile memory for storing the offset value is further required, which increases the amount of memory used.

一方、しきい値電圧の変化量をセンシングするには多くの時間がかかるので、隣接する画像のフレームとの間に配置されて画像が非表示される比較的短い垂直ブランク期間では、しきい値電圧の変化量をセンシングすることは不可能である。したがって、表示装置を長時間駆動して画像表示を継続する場合、従来の画質補償技術は、しきい値電圧の変化量に基づいてオフセット値を更新することができず、その結果、駆動時間の経過によるしきい値電圧の変化の特性を適切に補償することができなくなる。   On the other hand, since it takes a lot of time to sense the amount of change in the threshold voltage, in the relatively short vertical blank period in which the image is not displayed by being placed between adjacent image frames, the threshold voltage It is impossible to sense the amount of voltage change. Therefore, when the display device is driven for a long time and the image display is continued, the conventional image quality compensation technique cannot update the offset value based on the amount of change in the threshold voltage. It becomes impossible to appropriately compensate for the characteristic of the change in threshold voltage over time.

図3は、駆動時間の経過に応じて駆動TFTの移動度(μ)だけでなく、しきい値電圧(Vth)まで変動することを示している。長時間駆動によって表示パネルの温度が上昇するときに、実際の駆動TFTは、移動度(μ)及びしきい値電圧(Vth)の双方が変動する特性を有する。もちろん、温度に応じた駆動TFTのしきい値電圧(Vth)の変化量は、移動度(μ)の変化量に比べ小さい。しかし、高階調に比べ、低階調では、しきい値電圧(Vth)の変化量が小さくても、画素電流の変化に及ぼす影響が相対的で大きいので、駆動TFTのしきい値電圧(Vth)の変化量が重要となる。図3から分かるように、画素の電流変化率は、低階調では、しきい値電圧(Vth)の変化量に大きく依存する。例えば、31階調レベルの低階調では、しきい値電圧(Vth)の変動による画素の電流変化率が約55%水準であり、移動度(μ)の変動による画素の電流変化率である37%に比べ大きい。しきい値電圧(Vth)の変動が適切に補償されない場合、電流不均一現象がもたらされるので、短い時間内に移動度(μ)の補償だけでなく、しきい値電圧(Vth)補償まで行うことができる新たな方法が求められる。   FIG. 3 shows not only the mobility (μ) of the driving TFT but also the threshold voltage (Vth) as the driving time elapses. When the temperature of the display panel rises due to long-time driving, an actual driving TFT has a characteristic that both mobility (μ) and threshold voltage (Vth) fluctuate. Of course, the change amount of the threshold voltage (Vth) of the driving TFT according to the temperature is smaller than the change amount of the mobility (μ). However, since the influence on the change in the pixel current is relatively large even if the change amount of the threshold voltage (Vth) is small in the low gradation compared with the high gradation, the threshold voltage (Vth) of the driving TFT is large. ) Is important. As can be seen from FIG. 3, the current change rate of the pixel greatly depends on the change amount of the threshold voltage (Vth) at a low gradation. For example, in the low gradation of the 31 gradation level, the current change rate of the pixel due to the variation of the threshold voltage (Vth) is about 55%, and the current change rate of the pixel due to the variation of the mobility (μ). Larger than 37%. If the variation of the threshold voltage (Vth) is not properly compensated, a current non-uniformity phenomenon is caused. Therefore, not only the mobility (μ) but also the threshold voltage (Vth) compensation is performed within a short time. There is a need for new ways to do this.

したがって、本発明の目的は、センシングに必要な時間とメモリ使用量を削減し、補償の正確度を高めることが可能な有機発光表示装置とその画質補償方法を提供することにある。   Accordingly, it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display device and an image quality compensation method thereof that can reduce the time and memory usage required for sensing and increase the accuracy of compensation.

前記目的を達成するために、本発明に係る有機発光表示装置は、
映像を表示する複数の画素を含み、各画素がOLED、前記OLEDに接続された駆動TFT、前記OLEDにデータ信号を供給するためのスイッチTFTを含む有機発光表示装置において、前記各画素から前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングするセンシング部と前記移動度の変化量に基づいて前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得するための補償値計算部と、前記センシングされた移動度の変化量と、前記獲得されたしきい値電圧の変化量とに基づいて、前記データ信号を調整するデータ補償部とを備える。
In order to achieve the above object, an organic light emitting display device according to the present invention includes:
In an organic light emitting display device including a plurality of pixels for displaying an image, each pixel including an OLED, a driving TFT connected to the OLED, and a switch TFT for supplying a data signal to the OLED, the driving from each pixel A sensing unit for sensing a change in mobility of the TFT; a compensation value calculating unit for obtaining a change in the threshold voltage of the driving TFT based on the change in mobility; and the sensed mobility And a data compensation unit that adjusts the data signal based on the obtained change amount of the threshold voltage.

前記センシング部は、前記駆動TFTのゲートに前記駆動TFTのしきい値電圧より高い一定電圧を印加して前記駆動TFTをターンオンさせ、この状態で一定時間の間に充電された前記駆動TFTのソース電圧を予め定められたセンシング期間内においてセンシング電圧で検出する。   The sensing unit applies a constant voltage higher than a threshold voltage of the driving TFT to the gate of the driving TFT to turn on the driving TFT, and in this state, the source of the driving TFT charged for a certain time The voltage is detected by the sensing voltage within a predetermined sensing period.

前記センシング部は駆動電源がオンされてから映像表示がなされる前の非表示期間、または画像表示期間中の垂直ブランク期間の間の前記移動度の変化量をセンシングする。   The sensing unit senses the amount of change in mobility during a non-display period before video display is performed after the drive power is turned on, or during a vertical blank period during an image display period.

前記補償値計算部は、前記駆動TFTのソース及びドレインの間の電流によって前記駆動TFTが飽和状態で動作する前に、前記しきい値電圧の変化量を獲得する。   The compensation value calculation unit obtains a change amount of the threshold voltage before the driving TFT operates in a saturated state due to a current between the source and drain of the driving TFT.

前記補償値計算部は、前記駆動TFTの移動度の変化量としきい値電圧の変化量との間の相関関係の関数式または、ルックアップテーブルに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量から前記しきい値電圧の変化量を求める。   The compensation value calculation unit may calculate the amount of change in the mobility of the driving TFT based on a functional expression of a correlation between the amount of change in the mobility of the driving TFT and the amount of change in the threshold voltage or a lookup table. From this, the amount of change in the threshold voltage is obtained.

本発明による有機発光表示装置は、前記センシングされた移動度の変化量に基づいて、データ補償のためのゲイン値を求めるためのゲイン値算出部と、前記獲得されたしきい値電圧の変化量に基づいて、データの補償のためのオフセット値を求めるためのオフセット値算出部をさらに備え、前記データ補償部は、前記ゲイン値とオフセット値に基づいて、前記データ信号を調整する。   An organic light emitting display according to the present invention includes a gain value calculation unit for obtaining a gain value for data compensation based on the sensed change in mobility, and the obtained change in threshold voltage. And an offset value calculation unit for obtaining an offset value for data compensation, and the data compensation unit adjusts the data signal based on the gain value and the offset value.

本発明による有機発光表示装置は、前記センシング部が、前記駆動TFTに印加される第1及び第2データ電圧に応じて前記駆動TFTから第1及び第2の出力電圧をさらにセンシングし、前記補償値計算部が、前記第1及び第2の出力電圧と前記第1及び第2データ電圧との間の機能的相関関係を求め、前記第1及び第2データ電圧の前記機能的相関関係を示す第1グラフの第1傾きを求め、前記駆動TFTに印加される基準データ電圧に対する基準出力電圧を示す基準グラフの基準傾きを求め、前記第1傾きと前記基準傾きに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量を求める。   In the organic light emitting display device according to the present invention, the sensing unit further senses the first and second output voltages from the driving TFT according to first and second data voltages applied to the driving TFT, and the compensation is performed. A value calculation unit obtains a functional correlation between the first and second output voltages and the first and second data voltages, and indicates the functional correlation between the first and second data voltages. A first slope of a first graph is obtained, a reference slope of a reference graph indicating a reference output voltage with respect to a reference data voltage applied to the drive TFT is obtained, and based on the first slope and the reference slope, the drive TFT Find the amount of change in mobility.

前記補償値計算部は、前記第1及び第2データ電圧の一軸上で、前記第1グラフの第1切片を求め、前記一軸上で、前記基準グラフの基準切片を求め、前記第1切片と前記基準切片間の差に基づいて、前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求める。   The compensation value calculation unit obtains a first intercept of the first graph on one axis of the first and second data voltages, obtains a reference intercept of the reference graph on the one axis, and Based on the difference between the reference intercepts, a change amount of the threshold voltage of the driving TFT is obtained.

また、本発明の実施の形態に基づいて映像を表示する複数の画素を含み、
各画素がOLED、前記OLEDに接続された駆動TFT、前記OLEDにデータ信号を供給するためのスイッチTFTを含む有機発光表示装置の画質補償方法は、前記各画素から前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングする段階と、前記移動度の変化量に基づいて前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得する段階と、前記センシングされた移動度の変化量と前記獲得されたしきい値電圧の変化量とに基づいて、前記データ信号を調整する段階とを含む。
In addition, according to the embodiment of the present invention, including a plurality of pixels for displaying video,
Each pixel has an OLED, a driving TFT connected to the OLED, and a switch TFT for supplying a data signal to the OLED. Sensing the amount; obtaining a threshold voltage change amount of the driving TFT based on the mobility change amount; and the sensed mobility change amount and the acquired threshold value. Adjusting the data signal based on the amount of change in voltage.

第1に、本発明は、センシング速度が速い移動度センシング方法でしきい値電圧の変化量まで知ることができ、メモリ使用量とロジック・サイズ、及びセンシングにかかる時間を大幅に減少させることができる。   First, the present invention can know the amount of change in threshold voltage by a mobility sensing method with a high sensing speed, and can greatly reduce the amount of memory used, logic size, and sensing time. it can.

第2に、本発明は、移動度補償としきい値電圧補償を1つのプロセス内で実行するため、TFTの実際のパラメータの変動特性を正確に補償することができ、補償能力を最大化することができる。   Second, since the present invention performs mobility compensation and threshold voltage compensation in one process, it can accurately compensate for the variation characteristics of the actual parameters of the TFT and maximize the compensation capability. Can do.

第3に、本発明は、移動度補償としきい値電圧補償を1つのプロセス内で実行するため、補償プロセスが簡素化され、これは、ユーザーの利便性を増大させる。   Third, since the present invention performs mobility compensation and threshold voltage compensation in one process, the compensation process is simplified, which increases user convenience.

第4に、本発明は、移動度補償としきい値電圧補償が1つのプロセス内で実行されるため、従来技術に比べ移動度の変化量補償のための補償値のマージンを十分に確保することができる。図16のように継続的な画像表示駆動により劣化が3Yほど発生して、初期状態から駆動TFTの移動度及びしきい値電圧がそれぞれ2YとYほど追加補償するべき場合を仮定して、従来技術に対比される本発明の効果をさらに説明すると次の通りである。   Fourthly, according to the present invention, mobility compensation and threshold voltage compensation are performed in one process, so that a sufficient margin of compensation value for mobility variation compensation is ensured as compared with the prior art. Can do. As shown in FIG. 16, it is assumed that the deterioration is caused by continuous image display driving by about 3Y, and the mobility and threshold voltage of the driving TFT should be additionally compensated by 2Y and Y from the initial state, respectively. The effects of the present invention compared with the technology will be further described as follows.

従来の画質補償技術では、駆動TFTのしきい値電圧の変化量の補償を、図9の第2非表示区間(X2)で行わざるを得ないため、画像表示区間(X0)から発生される3Yほどの劣化を補償するために、初期状態から3Yほど移動度だけを追加補償するしかない。従来技術では、移動度補償のための補償値のマージンを確保し難い。   In the conventional image quality compensation technique, the amount of change in the threshold voltage of the driving TFT must be compensated for in the second non-display section (X2) of FIG. 9, and thus is generated from the image display section (X0). In order to compensate for the deterioration of about 3Y, only the mobility of about 3Y from the initial state must be additionally compensated. In the prior art, it is difficult to secure a margin of compensation value for mobility compensation.

反面、本発明では、駆動TFTのしきい値電圧の変化量の補償が、図9の第1非表示区間(X1)または画像表示区間(X0)で駆動TFTの移動度補償と共に行われることがあり、初期状態から駆動TFTの移動度及びしきい値電圧をそれぞれ2YとYほど追加補償することができる。本発明では、移動度補償のための補償値のマージンを確保しやすいものとなる。   On the other hand, in the present invention, the compensation of the change amount of the threshold voltage of the driving TFT is performed together with the mobility compensation of the driving TFT in the first non-display section (X1) or the image display section (X0) of FIG. In addition, the mobility and threshold voltage of the driving TFT can be additionally compensated by 2Y and Y, respectively, from the initial state. In the present invention, it becomes easy to secure a margin of a compensation value for mobility compensation.

従来の画質補償技術を示す図である。It is a figure which shows the conventional image quality compensation technique. 従来の画質補償技術で駆動TFTのしきい値電圧の変化を抽出するためのセンシングの原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of sensing for extracting the change of the threshold voltage of a drive TFT with the conventional image quality compensation technique. 従来の画質補償技術で駆動TFTの移動度の変化を抽出するためのセンシングの原理を示す図である。It is a figure which shows the principle of sensing for extracting the change of the mobility of a drive TFT with the conventional image quality compensation technique. 駆動時間の経過に応じて、駆動TFTの移動度だけでなく、しきい値電圧まで変動することを示す図である。It is a figure which shows not only the mobility of a drive TFT but a threshold voltage is fluctuate | varied according to progress of drive time. 本発明の実施の形態に係る有機発光表示装置を示すブロック図である。1 is a block diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention. 図4の表示パネルに形成された画素アレイを示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a pixel array formed in the display panel of FIG. 4. 外部補償用画素の具体的な構成と、タイミングコントローラ、データ駆動回路と画素間の接続構造を示す図である。It is a figure which shows the specific structure of the pixel for external compensation, and the connection structure between a timing controller, a data drive circuit, and a pixel. センシング駆動時のファストモードセンシングを実現することができるセンシング用の第1及び第2ゲートパルスとサンプリングと初期化制御信号のタイミングを示す図である。It is a figure which shows the timing of the 1st and 2nd gate pulse for sensing which can implement | achieve fast mode sensing at the time of a sensing drive, sampling, and an initialization control signal. 画像表示駆動時の、画像表示用の第1及び第2ゲートパルスとサンプリングと初期化制御信号のタイミングを示す図である。It is a figure which shows the timing of the 1st and 2nd gate pulse for image display at the time of image display drive, sampling, and an initialization control signal. 画像表示区間とその両側に配置された非表示の区間を示す図である。It is a figure which shows the non-display area arrange | positioned at the image display area and its both sides. 本発明に係る有機発光表示装置の画質補償方法を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating a method of compensating image quality of an organic light emitting display device according to the present invention. 本発明の適用時の、駆動TFTの特性曲線の整合度を示す図である。It is a figure which shows the matching degree of the characteristic curve of a drive TFT at the time of application of this invention. 本発明に係る有機発光表示装置の画質補償装置を示す図である。1 is a diagram illustrating an image quality compensation device of an organic light emitting display device according to the present invention. センシング電圧に基づいて求められるN次関数式を利用して、しきい値電圧の変化量を獲得する一例を示す図である。It is a figure which shows an example which acquires the variation | change_quantity of a threshold voltage using the Nth-order function formula calculated | required based on a sensing voltage. センシング電圧に基づいて求められるN次関数式を利用して、しきい値電圧の変化量を獲得する一例を示す図である。It is a figure which shows an example which acquires the variation | change_quantity of a threshold voltage using the Nth-order function formula calculated | required based on a sensing voltage. センシング電圧に基づいて移動度の変化量を求め、予め設定されたルックアップテーブルの移動度の変化量−しきい値電圧の間の変化量の相関関係を利用して、しきい値電圧の変化量を獲得する一例を示す図である。The amount of change in mobility is obtained based on the sensing voltage, and the change in threshold voltage is calculated using the correlation between the amount of change in mobility and the threshold voltage in a preset lookup table. It is a figure which shows an example which acquires quantity. 本発明の1つの効果として、移動度の変化を補償するためのゲイン値のマージンが増加する原理を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the principle that the margin of the gain value for compensating the change of a mobility increases as one effect of this invention.

以下、図4乃至図16を参照して本発明の望ましい実施の形態に対して説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS.

図4は本発明の実施の形態に係る画質補償装置を含む有機発光表示装置を示し、図5は図4の表示パネルに形成された画素アレイを示す。   FIG. 4 shows an organic light emitting display device including an image quality compensation device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 shows a pixel array formed on the display panel of FIG.

図4及び図5を参照すると、本発明の実施の形態に係る有機発光表示装置は、表示パネル10、データ駆動回路12、ゲート駆動回路13、及びタイミングコントローラ11を備える。   4 and 5, the OLED display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a display panel 10, a data driving circuit 12, a gate driving circuit 13, and a timing controller 11.

表示パネル10には、複数のデータライン14と複数のゲートライン16とが交差され、この交差領域ごとに画素(P)がマトリックス状に配置される。データライン14は、m(mは正の整数)個のデータ電圧供給ライン(14A_1乃至14A_m)とm個のセンシング電圧リードアウトライン(14B_1乃至14B_m)を含む。そして、ゲートライン15は、n(nは正の整数)個の第1ゲートライン(15A_1乃至15A_n)とn個の第2ゲートライン(15B_1乃至15B_n)を含む。   In the display panel 10, a plurality of data lines 14 and a plurality of gate lines 16 intersect, and pixels (P) are arranged in a matrix in each intersecting region. The data line 14 includes m (m is a positive integer) data voltage supply lines (14A_1 to 14A_m) and m sensing voltage lead lines (14B_1 to 14B_m). The gate line 15 includes n (n is a positive integer) first gate lines (15A_1 to 15A_n) and n second gate lines (15B_1 to 15B_n).

画素(P)のそれぞれは、図示しない電源発生部からの高電位駆動電圧(EVDD)と低電位駆動電圧(EVSS)の供給を受ける。本発明の画素(P)は、外部補償のためのOLED、駆動TFT、第1及び第2スイッチTFT、及びストレージキャパシタを含むことができる。画素(P)を構成するTFTはp型で実現されるか、または、n型で実現することができる。また、画素(P)を構成するTFTの半導体層は、アモルファスシリコンや、ポリシリコン、または酸化物を含むことができる。   Each of the pixels (P) is supplied with a high potential drive voltage (EVDD) and a low potential drive voltage (EVSS) from a power generation unit (not shown). The pixel (P) of the present invention may include an OLED for external compensation, a driving TFT, first and second switch TFTs, and a storage capacitor. The TFT constituting the pixel (P) can be realized by p-type or n-type. Further, the semiconductor layer of the TFT constituting the pixel (P) can contain amorphous silicon, polysilicon, or oxide.

各画素(P)は、データ電圧供給ライン(14A_1乃至14A_m)のいずれか1つに接続され、センシング電圧リードアウトライン(14B_1乃至14B_m)のいずれか1つに接続され、第1ゲートライン(15A_1乃至15A_n)のいずれか1つに接続され、そして第2ゲートライン(15B_1乃至15B_n)のいずれか1つに接続される。駆動TFTの移動度の変化量としきい値電圧の変化量を検出するためのセンシング駆動時に、画素(P)は、第1ゲートライン(15A_1乃至15A_n)からライン順次方式で供給されるセンシング用の第1ゲートパルス、及び第2ゲートライン(15B_1乃至15B_n)からライン順次方式で供給されるセンシング用の第2ゲートパルスに応答し、1水平ライン分ずつ(L#1〜L#n)順次動作して、センシング電圧リードアウトライン(14B_1乃至14B_m)を介してセンシング電圧を出力する。画像表示のための画像表示駆動時に、画素(P)は、第1ゲートライン(15A_1乃至15A_n)からライン順次方式で供給される画像表示用の第1ゲートパルス、及び第2ゲートライン(15B_1乃至15B_n)からライン順次方式で供給される画像表示用の第2ゲートパルスに応答し、1水平ライン分ずつ(L#1〜L#n)順次動作し、データ電圧供給ライン(14A_1乃至14A_m)を介して画像表示用のデータ電圧の入力を受ける。   Each pixel (P) is connected to any one of the data voltage supply lines (14A_1 to 14A_m), is connected to any one of the sensing voltage lead-out lines (14B_1 to 14B_m), and is connected to the first gate line (15A_1 to 15A_1). 15A_n) and is connected to any one of the second gate lines (15B_1 to 15B_n). At the time of sensing driving for detecting the amount of change in the mobility of the driving TFT and the amount of change in the threshold voltage, the pixel (P) is supplied from the first gate lines (15A_1 to 15A_n) in a line sequential manner. In response to the first gate pulse and the second gate pulse for sensing supplied from the second gate lines (15B_1 to 15B_n) in a line sequential manner, the operation is sequentially performed by one horizontal line (L # 1 to L # n). Then, the sensing voltage is output via the sensing voltage lead-out line (14B_1 to 14B_m). At the time of image display driving for image display, the pixel (P) is supplied with a first gate pulse for image display and a second gate line (15B_1 to 15B_1 to 15A_n) supplied from the first gate line (15A_1 to 15A_n) in a line sequential manner. 15B_n) responds to the second gate pulse for image display supplied by the line sequential method, and sequentially operates by one horizontal line (L # 1 to L # n), and the data voltage supply lines (14A_1 to 14A_m) The input of the data voltage for image display is received.

データ駆動回路12は、センシング駆動時に、タイミングコントローラ11からのデータ制御信号(DDC)に基づいて、センシング用の第1ゲートパルスに同期されるセンシング用のデータ電圧を画素(P)に供給するとともに、センシング電圧リードアウトライン(14B_1乃至14B_m)を介して表示パネル10から入力されるセンシング電圧をデジタル値に変換してタイミングコントローラ11に供給する。データ駆動回路12は、画像表示駆動時に、データ制御信号(DDC)に基づいて、タイミングコントローラ11から入力されるデジタル補償データ(MDATA)を画像表示用のデータ電圧に変換した後、その画像表示用データ電圧を画像表示用の第1ゲートパルスに同期させてデータ電圧供給ライン(14A_1乃至14A_m)に供給する。   The data driving circuit 12 supplies a sensing data voltage synchronized with the first gate pulse for sensing to the pixel (P) based on a data control signal (DDC) from the timing controller 11 during sensing driving. The sensing voltage input from the display panel 10 via the sensing voltage lead lines (14B_1 to 14B_m) is converted into a digital value and supplied to the timing controller 11. The data drive circuit 12 converts the digital compensation data (MDATA) input from the timing controller 11 into a data voltage for image display based on the data control signal (DDC) and drives the image display during image display drive. The data voltage is supplied to the data voltage supply lines (14A_1 to 14A_m) in synchronization with the first gate pulse for image display.

ゲート駆動回路13は、タイミングコントローラ11からのゲート制御信号(GDC)に基づいてゲートパルスを発生する。ゲートパルスは、センシング用の第1ゲートパルス、センシング用の第2ゲートパルス、及び画像表示用の第1ゲートパルス、画像表示用の第2ゲートパルスを含むことができる。ゲート駆動回路13は、センシング駆動時に、センシング用の第1ゲートパルスを、ライン順次方式で第1ゲートライン(15A_1乃至15A_n)に供給するとともに、センシング用の第2ゲートパルスを、ライン順次方式で第2ゲートライン(15B_1乃至15B_n)に供給することができる。ゲート駆動回路13は、画像表示駆動時に、画像表示用の第1ゲートパルスを、ライン順次方式で第1ゲートライン(15A_1乃至15A_n)に供給するとともに、画像表示用の第2ゲートパルスを、ライン順次方式で第2ゲートライン(15B_1乃至15B_n)に供給することができる。ゲート駆動回路13は、GIP(Gate−driver In Panel)方式によって、表示パネル10上に直接形成することができる。   The gate drive circuit 13 generates a gate pulse based on a gate control signal (GDC) from the timing controller 11. The gate pulse may include a first gate pulse for sensing, a second gate pulse for sensing, a first gate pulse for image display, and a second gate pulse for image display. The gate driving circuit 13 supplies a first gate pulse for sensing to the first gate lines (15A_1 to 15A_n) in a line sequential manner during sensing driving, and a second gate pulse for sensing in a line sequential manner. The second gate lines 15B_1 to 15B_n can be supplied. The gate driving circuit 13 supplies a first gate pulse for image display to the first gate lines (15A_1 to 15A_n) in a line sequential manner at the time of image display driving, and also supplies a second gate pulse for image display to the line. The second gate lines 15B_1 to 15B_n can be sequentially supplied. The gate driving circuit 13 can be directly formed on the display panel 10 by a GIP (Gate-Driver In Panel) method.

タイミングコントローラ11は、垂直同期信号(VsYnc)、水平同期信号(HsYnc)、ドットクロック信号(DCLK)及びデータイネーブル信号(DE)などのタイミング信号に基づいて、データ駆動回路12の動作タイミングを制御するためのデータ制御信号(DDC)と、ゲート駆動回路13の動作タイミングを制御するためのゲート制御信号(GDC)を発生する。また、タイミングコントローラ11は、データ駆動回路12から供給されるデジタルセンシング電圧値を参照して、入力デジタルビデオデータ(DATA)を変調することにより、駆動TFTのしきい値電圧の変化と移動度の変化を補償するためのデジタル補償データ(MDATA)の発生後、このデジタル補償データ(MDATA)をデータ駆動回路12に供給する。   The timing controller 11 controls the operation timing of the data driving circuit 12 based on timing signals such as a vertical synchronization signal (VsYnc), a horizontal synchronization signal (HsYnc), a dot clock signal (DCLK), and a data enable signal (DE). A data control signal (DDC) for generating a gate control signal and a gate control signal (GDC) for controlling the operation timing of the gate driving circuit 13 are generated. Further, the timing controller 11 refers to the digital sensing voltage value supplied from the data driving circuit 12 and modulates the input digital video data (DATA), thereby changing the threshold voltage of the driving TFT and the mobility. After the digital compensation data (MDATA) for compensating for the change is generated, the digital compensation data (MDATA) is supplied to the data driving circuit 12.

タイミングコントローラ11は、センシング駆動時に、各画素からファストモードセンシング方法によって、少なくとも一つ以上のセンシング電圧が得られるように、データ駆動回路12とゲート駆動回路13の動作タイミングを制御する。また、タイミングコントローラ11は、データ駆動回路12から入力されるデジタルセンシング電圧(Vsen)に基づいて、駆動TFTの移動度の変化量を導出し、次いで、得られた移動度の変化量に基づいて、駆動TFTのしきい値電圧の変化量を導出する。タイミングコントローラ11は、駆動TFTのしきい値電圧の変化を補償するためのオフセット値と、駆動TFTの移動度の変化を補償するためのゲイン値を決定した後、このゲイン値とオフセット値を入力デジタルビデオデータ(DATA)に適用して、画素に印加されるデジタル補償データ(MDATA)を生成する。   The timing controller 11 controls the operation timing of the data driving circuit 12 and the gate driving circuit 13 so that at least one sensing voltage can be obtained from each pixel by a fast mode sensing method during sensing driving. In addition, the timing controller 11 derives the amount of change in mobility of the drive TFT based on the digital sensing voltage (Vsen) input from the data drive circuit 12, and then, based on the obtained amount of change in mobility. The amount of change in the threshold voltage of the driving TFT is derived. The timing controller 11 determines an offset value for compensating for a change in the threshold voltage of the driving TFT and a gain value for compensating for a change in the mobility of the driving TFT, and then inputs the gain value and the offset value. Applied to digital video data (DATA), digital compensation data (MDATA) applied to the pixel is generated.

メモリ20は、移動度の変化量導出の基準となる基準電圧、オフセット値とゲイン値の決定の基準となる基準補償値を記憶することができる。   The memory 20 can store a reference voltage serving as a reference for deriving the amount of change in mobility, and a reference compensation value serving as a reference for determining an offset value and a gain value.

図6は、外部補償用の画素の具体的な構成と共に、タイミングコントローラ及びデータ駆動回路と画素との間の接続構造を示す。図7は、センシング駆動時のファストモードセンシングを実現することができるセンシング用の第1及び第2ゲートパルスと、サンプリングと、初期化制御信号のタイミングを示す。図8は、画像表示駆動時に、画像表示用の第1及び第2ゲートパルス、サンプリング、及び初期化制御信号のタイミングを示す。図9は、画像表示区間とその両側に配置された非表示区間を示す。   FIG. 6 shows a specific structure of a pixel for external compensation, and a connection structure between the timing controller and the data driving circuit and the pixel. FIG. 7 shows the timings of the first and second gate pulses for sensing that can realize fast mode sensing during sensing driving, sampling, and an initialization control signal. FIG. 8 shows timings of first and second gate pulses for image display, sampling, and initialization control signals during image display driving. FIG. 9 shows an image display section and non-display sections arranged on both sides thereof.

図6を参照すると、画素(P)は、OLED、駆動TFT(DT)、ストレージキャパシタ(Cst)、第1スイッチTFT(ST)、及び第2スイッチTFT(ST2)を備えることができる。   Referring to FIG. 6, the pixel (P) may include an OLED, a driving TFT (DT), a storage capacitor (Cst), a first switch TFT (ST), and a second switch TFT (ST2).

OLEDは、第2ノード(N2)に接続されたアノード電極と、低電位駆動電圧(EVSS)の入力端に接続されたカソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に位置する有機化合物層を含む。   The OLED has an anode electrode connected to the second node (N2), a cathode electrode connected to the input terminal of the low potential drive voltage (EVSS), and an organic compound layer positioned between the anode electrode and the cathode electrode. Including.

駆動TFT(DT)は、ゲートーソース間電圧(Vgs)に応じて、OLEDに流れる電流(Ioled)を制御する。駆動TFT(DT)は、第1ノード(N1)に接続されたゲート電極、高電位駆動電圧(EVDD)の入力端に接続されたドレイン電極、及び第2ノード(N2)に接続されたソース電極を備える。   The driving TFT (DT) controls the current (Ioled) flowing through the OLED according to the gate-source voltage (Vgs). The driving TFT (DT) includes a gate electrode connected to the first node (N1), a drain electrode connected to the input terminal of the high potential driving voltage (EVDD), and a source electrode connected to the second node (N2). Is provided.

ストレージキャパシタ(Cst)は、第1ノード(N1)と第2ノード(N2)との間に接続される。   The storage capacitor (Cst) is connected between the first node (N1) and the second node (N2).

第1スイッチTFT(ST1)は、センシング駆動時に、センシング用の第1ゲートパルス(図7のSCAN)に応答して、データ電圧供給ライン(14A)に充電されたセンシング用データ電圧(駆動TFTのしきい値電圧より高い一定電圧)を第1ノード(N1)に印加する。第1スイッチTFT(ST1)は、画像表示駆動時に、画像表示用の第1ゲートパルス(図8のSCAN)に応答して、データ電圧供給ライン(14A)に充電された画像表示用のデータ電圧(Vdata、駆動TFTのしきい値電圧の変化と移動度の変化が補償されたデータ電圧)を第1ノード(N1)に印加して、駆動TFTをターンオンさせる。第1スイッチTFT(ST1)は、第1ゲートライン(15A)に接続されたゲート電極、データ電圧供給ライン(14A)に接続されたドレイン電極、及び第1ノード(N1)に接続されたソース電極を備える。   The first switch TFT (ST1) responds to the first gate pulse for sensing (SCAN in FIG. 7) during sensing driving, and the data voltage for sensing (of the driving TFT) charged in the data voltage supply line (14A). A constant voltage higher than the threshold voltage) is applied to the first node (N1). The first switch TFT (ST1) is a data voltage for image display charged in the data voltage supply line (14A) in response to the first gate pulse for image display (SCAN in FIG. 8) during image display drive. (Vdata, a data voltage in which a change in threshold voltage of the driving TFT and a change in mobility are compensated) are applied to the first node (N1) to turn on the driving TFT. The first switch TFT (ST1) includes a gate electrode connected to the first gate line (15A), a drain electrode connected to the data voltage supply line (14A), and a source electrode connected to the first node (N1). Is provided.

第2スイッチTFT(ST2)は、センシング駆動時に、センシング用第2ゲートパルス(図7のSEN)に応答して、第2ノード(N2)とセンシング電圧リードアウトライン(14B)との間の電流の流れをスイッチングすることにより、第2ノード(N2)のソース電圧をセンシング電圧リードアウトライン(14B)のセンシングキャパシタ(CX)で保持する。第2スイッチTFT(ST2)は、画像表示駆動時に、画像表示用の第2ゲートパルス(図8のSEN)に応答して、第2ノード(N2)とセンシング電圧リードアウトライン(14B)との間の電流の流れをスイッチングすることにより、駆動TFT(DT)のソース電圧を初期化電圧(Vpre)でリセットする。第2スイッチTFT(ST2)のゲート電極は、第2ゲートライン(15B)に接続され、第2スイッチTFT(ST2)のドレイン電極は、第2ノード(N2)に接続され、第2スイッチTFT(ST2)のソース電極は、センシング電圧リードアウトライン(14B)に接続される。   The second switch TFT (ST2) responds to the second gate pulse for sensing (SEN in FIG. 7) during sensing driving in response to the current between the second node (N2) and the sensing voltage readout line (14B). By switching the flow, the source voltage of the second node (N2) is held by the sensing capacitor (CX) of the sensing voltage lead line (14B). The second switch TFT (ST2) is connected between the second node (N2) and the sensing voltage lead-out line (14B) in response to the second gate pulse for image display (SEN in FIG. 8) during image display drive. By switching the current flow, the source voltage of the driving TFT (DT) is reset with the initialization voltage (Vpre). The gate electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the second gate line (15B), the drain electrode of the second switch TFT (ST2) is connected to the second node (N2), and the second switch TFT ( The source electrode of ST2) is connected to the sensing voltage lead-out line (14B).

データ駆動回路12は、データ電圧供給ライン(14A)及びセンシング電圧リードアウトライン(14B)を介して画素(P)に接続されている。センシング電圧リードアウトライン(14B)には、第2ノード(N2)のソース電圧をセンシング電圧(Vsen)で保持するためのセンシングキャパシタ(CX)が形成されることができる。データ駆動回路12は、デジタル‐アナログコンバータ(DAC)、アナログ‐デジタル・コンバータ(ADC)、初期化スイッチ(SW1)、及びサンプリング・スイッチ(SW2)などを含む。   The data driving circuit 12 is connected to the pixel (P) through the data voltage supply line (14A) and the sensing voltage lead-out line (14B). A sensing capacitor (CX) for holding the source voltage of the second node (N2) at the sensing voltage (Vsen) may be formed in the sensing voltage lead line (14B). The data driving circuit 12 includes a digital-analog converter (DAC), an analog-digital converter (ADC), an initialization switch (SW1), a sampling switch (SW2), and the like.

DACは、センシング駆動時のタイミングコントローラ11の制御下にセンシング用のデータ電圧(Vdata)を生成して、データ電圧供給ライン(14A)に出力することができる。DACは、画像表示駆動時のタイミングコントローラ11の制御下にデジタル補償データを画像表示用のデータ電圧(Vdata)に変換して、データ電圧供給ライン(14A)に出力することができる。   The DAC can generate a data voltage (Vdata) for sensing under the control of the timing controller 11 during sensing driving, and output the data voltage to the data voltage supply line (14A). The DAC can convert the digital compensation data into a data voltage (Vdata) for image display under the control of the timing controller 11 at the time of image display driving, and output it to the data voltage supply line (14A).

初期化スイッチ(SW1)は、初期化制御信号(図7及び図8のSPRE)に応答して初期化電圧(Vpre)入力端とセンシング電圧リードアウトライン(14B)との間の電流の流れをスイッチングする。サンプリングスイッチ(SW2)は、センシング駆動時のサンプリング制御信号(図7のSSAM)に応答して、センシング電圧リードアウトライン(14B)とADCとの間の電流の流れをスイッチングして、一定時間の間、センシング電圧リードアウトライン(14B)のセンシングキャパシタ(CX)で保持された駆動TFT(DT)のソース電圧をセンシング電圧としてADCに供給する。ADCは、センシングキャパシタ(CX)で保持されたアナログセンシング電圧をデジタル値(Vsen)に変換してタイミングコントローラ11に供給する。サンプリングスイッチ(SW2)は、画像表示駆動時のサンプリング制御信号(図8のSSAM)に応答して、継続してターンオフ状態を維持する。   The initialization switch (SW1) switches a current flow between the input terminal of the initialization voltage (Vpre) and the sensing voltage readout line (14B) in response to an initialization control signal (SPRE in FIGS. 7 and 8). To do. The sampling switch (SW2) switches the flow of current between the sensing voltage lead-out line (14B) and the ADC in response to a sampling control signal (SSAM in FIG. 7) at the time of sensing driving, for a certain period of time. The source voltage of the driving TFT (DT) held by the sensing capacitor (CX) of the sensing voltage lead line (14B) is supplied to the ADC as a sensing voltage. The ADC converts the analog sensing voltage held by the sensing capacitor (CX) into a digital value (Vsen) and supplies it to the timing controller 11. The sampling switch (SW2) continuously maintains the turn-off state in response to a sampling control signal (SSAM in FIG. 8) during image display driving.

図6及び図7を参照してセンシング駆動時画素(P)の動作を説明すると次の通りである。   The operation of the sensing driving pixel (P) will be described with reference to FIGS. 6 and 7 as follows.

本発明のファストモードセンシング方法によるセンシング駆動は、プログラミング期間(Tpg)、センシング及び保持期間(Tsen)、及びサンプリング期間(Tsam)を含む。   The sensing driving according to the fast mode sensing method of the present invention includes a programming period (Tpg), a sensing and holding period (Tsen), and a sampling period (Tsam).

プログラミング期間(Tpg)では、駆動TFT(DT)をターンオンさせるために、駆動TFT(DT)のゲート―ソース間電圧が設定される。このため、センシング用の第1及び第2ゲートパルス(SCAN、SEN)並びに初期化制御信号(SPRE)は、オンレベルで入力され、サンプリング制御信号(SSAM)はオフレベルで入力される。これにより、第1スイッチTFT(ST1)は、オンされて、センシング用のデータ電圧を第1ノード(N1)に供給し、第1スイッチ(SW1)と第2スイッチTFT(ST2)は、オンされて、初期化電圧(Vpre)を第2ノード(N2)に供給する。このとき、第2スイッチ(SW2)はオフになっている。   In the programming period (Tpg), the gate-source voltage of the driving TFT (DT) is set to turn on the driving TFT (DT). For this reason, the first and second gate pulses (SCAN, SEN) and the initialization control signal (SPRE) for sensing are input at an on level, and the sampling control signal (SSAM) is input at an off level. As a result, the first switch TFT (ST1) is turned on to supply the data voltage for sensing to the first node (N1), and the first switch (SW1) and the second switch TFT (ST2) are turned on. Then, the initialization voltage (Vpre) is supplied to the second node (N2). At this time, the second switch (SW2) is off.

センシング&保持期間(Tsen)は、駆動TFT(DT)に流れる電流(Ids)によって駆動TFT(DT)のソース電圧が増加されることをセンシング及び保持する。センシング&保持期間(Tsen)では、正確なセンシングのための駆動TFT(DT)のゲート―ソース間電圧が一定に維持されなければならない。このため、センシング用の第1ゲートパルス(SCAN)は、オフレベルで入力され、センシング用の第2ゲートパルス(SEN)は、オンレベルで入力され、初期化制御信号(SPRE)及びサンプリング制御信号(SSAM)もオフレベルで入力される。センシング&保持期間(Tsen)で駆動TFT(DT)を介して流れる電流(Ids)により、第2ノード(N2)の電位は増加し、第2ノード(N2)の充電電圧(ソース電圧)が第2スイッチTFT(ST2)を経由してセンシングキャパシタ(CX)で保持されることになる。   The sensing and holding period (Tsen) senses and holds that the source voltage of the driving TFT (DT) is increased by the current (Ids) flowing through the driving TFT (DT). In the sensing and holding period (Tsen), the gate-source voltage of the driving TFT (DT) for accurate sensing must be kept constant. For this reason, the first gate pulse for sensing (SCAN) is input at an off level, the second gate pulse for sensing (SEN) is input at an on level, and an initialization control signal (SPRE) and a sampling control signal. (SSAM) is also input at an off level. Due to the current (Ids) flowing through the driving TFT (DT) in the sensing and holding period (Tsen), the potential of the second node (N2) increases, and the charging voltage (source voltage) of the second node (N2) becomes the first. It is held by the sensing capacitor (CX) via the two-switch TFT (ST2).

サンプリング期間(Tsam)では、一定時間の間センシングキャパシタ(CX)で保持された駆動TFT(DT)のソース電圧をセンシング電圧としてADCに供給する。このため、センシング用の第1ゲートパルス(SCAN)は、オフレベルで入力され、センシング用の第2ゲートパルス(SEN)とサンプリング制御信号(SSAM)は、オンレベルで入力され、初期化制御信号(SPRE)は、オフレベルで入力される。   In the sampling period (Tsam), the source voltage of the driving TFT (DT) held by the sensing capacitor (CX) for a certain time is supplied to the ADC as a sensing voltage. Therefore, the first gate pulse (SCAN) for sensing is input at an off level, the second gate pulse (SEN) for sensing and the sampling control signal (SSAM) are input at an on level, and an initialization control signal (SPRE) is input at an off level.

本発明は、ファストモードセンシング方法のみを利用してセンシング電圧を得て、このセンシング電圧に基づいて、駆動TFTのしきい値電圧の変化量と移動度の変化量の双方を求める。本発明においては、駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求めるために、従来のスローモードセンシング方法を採用しない。ファストモードセンシング方法は、ソースフォロワ方式のスローモードセンシング方法に比べてセンシング速度が数十倍〜数百倍ほど速いので、本発明において、センシングに所要する時間は大幅に減る。本発明のセンシング駆動はファストモードセンシング方法を採用するために、図9のように、画像表示区間(X0)内に属する垂直ブランク期間(VB)、または、画像表示区間(X0)の前部に配置された第1非表示区間(X1)で行われることができる。本発明は、ファストモードセンシング方法によって得られたセンシング電圧に基づいて駆動TFTのしきい値電圧の変化量までを導出するために、画像表示区間(X0)の後部に配置された第2非表示区間(X2)でセンシング駆動を行う必要がない。ここで、垂直ブランク期間(VB)は、隣接した画像表示フレーム(DF)との間の区間で定義される。第1非表示区間(X1)は、駆動電源イネーブル信号(PEN)の印加時点から数十〜数百フレーム経過するまでの区間で定義され、第2非表示区間(X2)は、駆動電源をディセーブル信号(PDIS)の印加時点から数十〜数百フレーム経過するまでの区間で定義することができる。   The present invention obtains a sensing voltage using only the fast mode sensing method, and obtains both the amount of change in the threshold voltage and the amount of change in mobility of the driving TFT based on the sensing voltage. In the present invention, the conventional slow mode sensing method is not employed in order to obtain the change amount of the threshold voltage of the driving TFT. In the fast mode sensing method, the sensing speed is several tens to several hundreds times faster than the source follower type slow mode sensing method. Therefore, in the present invention, the time required for sensing is greatly reduced. Since the sensing drive of the present invention employs the fast mode sensing method, as shown in FIG. 9, the vertical blank period (VB) belonging to the image display section (X0) or the front of the image display section (X0) is used. It can be performed in the arranged first non-display section (X1). The present invention provides a second non-display arranged at the rear of the image display section (X0) in order to derive up to the threshold voltage change amount of the driving TFT based on the sensing voltage obtained by the fast mode sensing method. There is no need to perform sensing drive in the section (X2). Here, the vertical blank period (VB) is defined as a section between adjacent image display frames (DF). The first non-display period (X1) is defined as a period from the time when the drive power supply enable signal (PEN) is applied until several tens to several hundred frames elapses, and the second non-display period (X2) is the drive power supply disabled. It can be defined in a section from the time of application of the disable signal (PDIS) until several tens to several hundred frames elapse.

一方、このようなセンシング駆動を介して駆動TFTのしきい値電圧の変化と移動度の変化を補償するための補償値が決定されると、補償データ電圧を画素に印加して画像を表示する画像表示駆動が行われる。   On the other hand, when a compensation value for compensating for a change in threshold voltage and a change in mobility of the driving TFT is determined through such sensing driving, the compensation data voltage is applied to the pixel to display an image. Image display driving is performed.

図6及び図8を参照して画像表示駆動時画素(P)の動作を説明すると次の通りである。   The operation of the image display driving pixel (P) will be described with reference to FIG. 6 and FIG.

本発明の画像表示駆動は、第一期間、第二期間、第三期間に分けて行われる。   The image display drive according to the present invention is performed in a first period, a second period, and a third period.

第一期間で、第1スイッチ(SW1)と第2スイッチTFT(ST2)はオンされ、第2ノード(N2)を初期化電圧(Vpre)にリセットさせる。   In the first period, the first switch (SW1) and the second switch TFT (ST2) are turned on, and the second node (N2) is reset to the initialization voltage (Vpre).

第二期間で、第1スイッチTFT(ST1)は、オンされて補償用データ電圧(Vdata)を第1ノード(N1)に供給する。この時、第2ノード(N2)は、第2スイッチTFT(ST2)を介して初期化電圧(Vpre)を維持している。したがって、この期間で駆動TFT(DT)のゲート−ソース間電圧(Vgs)は、所望するレベルにプログラミングされる。   In the second period, the first switch TFT (ST1) is turned on to supply the compensation data voltage (Vdata) to the first node (N1). At this time, the second node (N2) maintains the initialization voltage (Vpre) via the second switch TFT (ST2). Accordingly, the gate-source voltage (Vgs) of the driving TFT (DT) is programmed to a desired level during this period.

第三期間で、第1及び第2スイッチTFT(ST1、ST2)がオフされ、駆動TFT(DT)は、プログラミングされたレベルで駆動電流(Ioled)を発生させ、OLEDに印加する。OLEDは、駆動電流(Ioled)に対応する明るさで発光して階調を表示する。   In the third period, the first and second switch TFTs (ST1, ST2) are turned off, and the driving TFT (DT) generates a driving current (Ioled) at a programmed level and applies it to the OLED. The OLED emits light with brightness corresponding to the driving current (Ioled) and displays gradation.

図10は、本発明に係る有機発光表示装置の画質補償方法を示す。そして、図11は、本発明の適用時に駆動TFTの特性曲線の整合度を示す。   FIG. 10 illustrates an image quality compensation method for an organic light emitting display device according to the present invention. FIG. 11 shows the matching degree of the characteristic curve of the driving TFT when the present invention is applied.

図10を参照すると、本発明は、前述したように、画像を表示する前に(図9のX1)、または、画像表示中(図9のX0中のVB)に、ファストモードセンシング方法によってセンシング電圧を得る。このセンシング電圧に基づいて、移動度の変化量をセンシングした後、この移動度の変化量に応じたしきい値電圧の変化量を獲得する。本発明は、しきい値電圧の変化量を獲得するために、移動度の変化量センシング時に求められた関数式を利用し、あるいは、予め設定されたルックアップテーブルの移動度の変化量−しきい値電圧の変化量の間の相関関係を利用することもできる。移動度の変化量は、ゲイン値の補正と算出の基礎となり、算出されたゲイン値は、メモリに記憶される。しきい値電圧の変化量は、オフセット値補正と、算出の基礎となり、算出されたオフセット値は、メモリに記憶される。   Referring to FIG. 10, according to the present invention, as described above, sensing is performed by the fast mode sensing method before displaying an image (X1 in FIG. 9) or during image display (VB in X0 in FIG. 9). Get voltage. After sensing the amount of change in mobility based on the sensing voltage, the amount of change in threshold voltage corresponding to the amount of change in mobility is acquired. In the present invention, in order to obtain the change amount of the threshold voltage, a function formula obtained at the time of sensing the change amount of the mobility is used, or the change amount of the mobility of the preset lookup table is used. It is also possible to use the correlation between the threshold voltage variations. The amount of change in mobility is the basis for gain value correction and calculation, and the calculated gain value is stored in a memory. The amount of change in the threshold voltage is the basis for offset value correction and calculation, and the calculated offset value is stored in the memory.

本発明は、センシング速度が速い移動度センシング方法でしきい値電圧の変化量まで知ることができ、ロジックのサイズを減少させることができる。従来では、初期オフセット値とは別に駆動オフ過程(図9のX2)で得られたオフセット値を保持するための追加のメモリ容量がさらに必要だったが、本発明は、移動度補償としきい値電圧補償を1つのプロセス(図9のX1、図9のX0の中のVB)内で同時に進行することができるので、追加のメモリ容量を必要としない。本発明は、メモリの第1記憶領域に初期ゲイン値を継続して保持させるか、または初期ゲイン値を新しい値で更新することができ、メモリの第2記憶領域に初期オフセット値を継続して保持させるか、または初期オフセット値を新しい値で更新することができる。   According to the present invention, the amount of change in threshold voltage can be known by a mobility sensing method having a high sensing speed, and the size of logic can be reduced. Conventionally, in addition to the initial offset value, an additional memory capacity for holding the offset value obtained in the drive-off process (X2 in FIG. 9) is further required. Since voltage compensation can proceed simultaneously in one process (X1 in FIG. 9, VB in X0 in FIG. 9), no additional memory capacity is required. According to the present invention, the initial gain value can be continuously held in the first storage area of the memory, or the initial gain value can be updated with a new value, and the initial offset value can be continuously updated in the second storage area of the memory. It can be retained or the initial offset value can be updated with a new value.

本発明は、移動度補償としきい値電圧補償を1つのプロセス内で実行するため、TFTの実際のパラメータの変動特性を正確に補償することができ、補償能力を最大化することができる。   Since the present invention performs mobility compensation and threshold voltage compensation in one process, the actual parameter variation characteristics of the TFT can be accurately compensated, and the compensation capability can be maximized.

例えば、図11の(A)で、温度上昇に伴って移動度(μ)の増加としきい値電圧(Vth)の減少が発生したと仮定すると、1番の初期TFT特性曲線は、2番の中間TFT特性曲線を経て、3番の最終TFT特性曲線に変わることになる。   For example, in FIG. 11A, assuming that the mobility (μ) increases and the threshold voltage (Vth) decreases as the temperature rises, the first initial TFT characteristic curve is the second. Through the intermediate TFT characteristic curve, the third TFT characteristic curve is changed.

ところで、従来のように長時間駆動によって移動度(μ)の補償だけ行われる場合、1番の初期のTFT特性曲線は、図11の(B)のように、目標値から外れた4番の最終TFT特性曲線に歪曲されるようになるこのようなエラーは、しきい値電圧(Vth)の変化を考慮することなく、ただ移動度(μ)の変化だけで電流変動が発生したと認識したことから始まる。このような移動度(μ)の補償は比較的高階調を対象に行われるので、高階調以外の中間階調と低階調での補償の偏差が大きくなる問題がある。これに対し、本発明は、移動度(μ)の補償としきい値電圧(Vth)の補償を一プロセス内ですべて実行するので、図11の(A)に近い結果を得ることができる。   By the way, when only the mobility (μ) is compensated by long-time driving as in the prior art, the first initial TFT characteristic curve is the fourth that deviates from the target value as shown in FIG. It was recognized that such an error that would be distorted in the final TFT characteristic curve was caused by a current fluctuation only by a change in mobility (μ) without considering a change in threshold voltage (Vth). It starts with that. Since such mobility (μ) compensation is performed for a relatively high gradation, there is a problem that a deviation in compensation between the intermediate gradation other than the high gradation and the low gradation becomes large. On the other hand, according to the present invention, the mobility (μ) compensation and the threshold voltage (Vth) compensation are all performed in one process, so that a result close to (A) in FIG. 11 can be obtained.

図12は、本発明に係る有機発光表示装置の画質補償装置を示す。図13及び図14は、センシング電圧に基づいて求められるN次関数式を利用して、しきい値電圧の変化量を獲得する一例を示す。図15は、センシング電圧に基づいて移動度の変化量を求め、予め設定されたルックアップテーブルの移動度の変化量−しきい値電圧の変化量の相関関係を利用して、しきい値電圧の変化量を獲得する一例を示す。そして、図16は、本発明の一の効果として、移動度の変化を補償するためのゲイン値のマージンが増加する原理を示す。   FIG. 12 illustrates an image quality compensation device for an organic light emitting display device according to the present invention. FIG. 13 and FIG. 14 show an example in which the amount of change in the threshold voltage is obtained using an Nth order function equation obtained based on the sensing voltage. FIG. 15 shows the change in mobility based on the sensing voltage, and the threshold voltage is calculated using the correlation between the change in mobility in the lookup table and the change in threshold voltage. An example of acquiring the amount of change is shown. FIG. 16 shows the principle that the gain value margin for compensating for the change in mobility increases as one effect of the present invention.

図12を参照すると、本発明に係る有機発光表示装置の画質補償装置は、センシング部30、補償パラメータ決定部40、データ補償部50を含む。センシング部30は、前述したデータ駆動回路12に含まれることができ、補償パラメータ決定部40と、データ補償部50は、前述したタイミングコントローラ11に含まれることができる。   Referring to FIG. 12, the image quality compensation device of the organic light emitting display device according to the present invention includes a sensing unit 30, a compensation parameter determination unit 40, and a data compensation unit 50. The sensing unit 30 can be included in the data driving circuit 12 described above, and the compensation parameter determination unit 40 and the data compensation unit 50 can be included in the timing controller 11 described above.

センシング部30は、表示パネルに形成された各画素からのファストモードセンシング方法に応じて、少なくとも一つ以上のセンシング電圧(Vsen)の入力を受ける。   The sensing unit 30 receives at least one sensing voltage (Vsen) according to a fast mode sensing method from each pixel formed on the display panel.

補償パラメータ決定部40は、センシング電圧(Vsen)に基づいて画素に含まれた駆動TFTの移動度の変化量を導出し、前記移動度の変化量に基づいて、駆動TFTのしきい値電圧の変化を補償するためのオフセット値(OSV)と駆動TFTの移動度の変化を補償するためのゲイン値(GV)を決定する。そのために、補償パラメータ決定部40は、補償値計算部41、オフセット値算出部42、ゲイン値算出部43を含む。   The compensation parameter determination unit 40 derives the amount of change in mobility of the driving TFT included in the pixel based on the sensing voltage (Vsen), and determines the threshold voltage of the driving TFT based on the amount of change in mobility. An offset value (OSV) for compensating for the change and a gain value (GV) for compensating for the change in mobility of the driving TFT are determined. For this purpose, the compensation parameter determination unit 40 includes a compensation value calculation unit 41, an offset value calculation unit 42, and a gain value calculation unit 43.

補償値計算部41は、センシング電圧(Vsen)に基づいて駆動TFTの移動度の変化量を求め、駆動TFTの移動度の変化量に応じて駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求めた後、しきい値電圧の変化量に応じての補償値1を導出し、移動度の変化量に応じて補償値2を導出する。補償値計算部41は、補償値1と補償値2を導出するために、図13及び図14に示すように関数式を利用し、あるいは、図15のようにルックアップテーブルを利用することができる。   The compensation value calculation unit 41 obtains the change amount of the mobility of the drive TFT based on the sensing voltage (Vsen), and obtains the change amount of the threshold voltage of the drive TFT according to the change amount of the mobility of the drive TFT. Thereafter, a compensation value 1 is derived according to the amount of change in threshold voltage, and a compensation value 2 is derived according to the amount of change in mobility. In order to derive the compensation value 1 and the compensation value 2, the compensation value calculation unit 41 can use a function expression as shown in FIGS. 13 and 14, or can use a look-up table as shown in FIG. it can.

まず、図13及び図14を参照すると、補償値計算部41は、センシング電圧(Vsen)に基づいて駆動TFTの移動度の変化量を求めるためのN(Nは正の整数)次の関数式を導出し、このN次関数式を利用して駆動TFTのしきい値電圧の変化量までも計算することができる。N次関数式を導出するための補償値計算部41は、同じ画素に互いに異なるレベルのセンシング用のデータ電圧をN回印加してN個のセンシング電圧(Vsen)を得て、センシング用のデータ電圧とセンシング電圧を互いに対応させる座標点を求めることができる。   First, referring to FIG. 13 and FIG. 14, the compensation value calculation unit 41 is a function function of N (N is a positive integer) order for obtaining the change amount of the mobility of the driving TFT based on the sensing voltage (Vsen). Can be calculated up to the amount of change in the threshold voltage of the driving TFT using this Nth order function formula. The compensation value calculation unit 41 for deriving the Nth order function formula applies N different sensing data voltages to the same pixel N times to obtain N sensing voltages (Vsen), and obtains sensing data. A coordinate point that corresponds the voltage and the sensing voltage to each other can be obtained.

例えば、補償値計算部41は、図13の第1及び第2センシング用データ電圧(V1、V2)に対応する初期のセンシング値(Vout1、Vout2)を介して、P1、P2を有するグラフ1(G1)に該当される1次関数式1を計算する。ここで、初期センシング値(Vout1、Vout2)は、製品出荷段階でセンシングされ、メモリに予め記憶されている。そして、補償値計算部41は、センシング駆動時に、第1及び第2のセンシング用のデータ電圧(V1、V2)を画素に再び印加してそれに対応する第1及び第2センシング電圧(Vsen1、Vsen2)を得て、これを介してP3、P4を有するグラフ2(G2)に該当される1次関数式2を計算する。そして、補償値計算部41は、関数式1及び2の傾きの差を求め、その結果を駆動TFTの移動度の変化量として算出し、この算出結果に基づいて、駆動TFTのしきい値電圧の変化量を計算する。つまり、補償値計算部41は、グラフ2(G2)をグラフ1(G1)の方向に平行移動させ、グラフ1(G1)とX切片を共有するグラフ3(G3)を調べ、グラフ1と3(G1、G3)との間の傾き差を駆動TFTの移動度の変化量として算出し、グラフ2及び3(G2、G3)との間のX切片差を駆動TFTのしきい値電圧の変化量(Vth_Shift)として算出する。図13に表記された「Vth_Init」は、駆動TFTの初期しきい値電圧を示す。一方、補償値計算部41は、図14のように3回のセンシングを通じて得られた2次関数式を介して、駆動TFTの移動度の変化量としきい値電圧の変化量を計算することもできる。   For example, the compensation value calculation unit 41 has a graph 1 (P1 and P2) having initial sensing values (Vout1, Vout2) corresponding to the first and second sensing data voltages (V1, V2) in FIG. A linear function equation 1 corresponding to G1) is calculated. Here, the initial sensing values (Vout1, Vout2) are sensed at the product shipment stage and stored in advance in the memory. Then, the compensation value calculation unit 41 applies the first and second sensing data voltages (V1, V2) to the pixels again during sensing driving, and the corresponding first and second sensing voltages (Vsen1, Vsen2). ), And a linear function equation 2 corresponding to the graph 2 (G2) having P3 and P4 is calculated through this. Then, the compensation value calculation unit 41 obtains the difference between the slopes of the functional expressions 1 and 2, calculates the result as the amount of change in the mobility of the driving TFT, and based on this calculation result, the threshold voltage of the driving TFT. Calculate the amount of change. That is, the compensation value calculation unit 41 translates the graph 2 (G2) in the direction of the graph 1 (G1), examines the graph 3 (G3) sharing the X-intercept with the graph 1 (G1), and the graphs 1 and 3 The gradient difference between (G1, G3) is calculated as the amount of change in the mobility of the driving TFT, and the X-intercept difference between graphs 2 and 3 (G2, G3) is the change in the threshold voltage of the driving TFT. Calculated as a quantity (Vth_Shift). “Vth_Init” shown in FIG. 13 indicates an initial threshold voltage of the driving TFT. On the other hand, the compensation value calculation unit 41 may calculate the amount of change in the mobility of the driving TFT and the amount of change in the threshold voltage through a quadratic function obtained through three sensing operations as shown in FIG. it can.

次に、図15を参照すると、補償値計算部41は、温度変化による駆動TFTの移動度の変化量としきい値電圧の変化量の相関関係をルックアップテーブルに予め記憶し、メモリ20から読み込んだ基準電圧(Vref)とセンシング電圧(Vsen)との間の偏差に応じて駆動TFTの移動度の変化量が求められると、ルックアップテーブルの相関関係を利用して駆動TFTの移動度の変化量から駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求めることができる。   Next, referring to FIG. 15, the compensation value calculation unit 41 stores in advance a correlation between the change amount of the mobility of the driving TFT and the change amount of the threshold voltage due to a temperature change in a lookup table, and reads it from the memory 20. When the amount of change in the mobility of the driving TFT is determined according to the deviation between the reference voltage (Vref) and the sensing voltage (Vsen), the change in the mobility of the driving TFT is made using the correlation of the lookup table. The amount of change in the threshold voltage of the driving TFT can be obtained from the amount.

このように補償値1と補償値2とが導出されると、オフセット値算出部42は、メモリ20から読み込んだ基準補償値1と補償値1とを互いに比較して、オフセット値を算出し、ゲイン値算出部43は、メモリ20から読み込んだ基準補償値2と補償値2とを互いに比較してゲイン値を算出する。   When the compensation value 1 and the compensation value 2 are derived in this way, the offset value calculation unit 42 compares the reference compensation value 1 and the compensation value 1 read from the memory 20 with each other to calculate the offset value, The gain value calculation unit 43 compares the reference compensation value 2 and the compensation value 2 read from the memory 20 with each other to calculate a gain value.

ここで、基準補償値1は、予め設定された初期補償値で固定されるか、または、一定のセンシング周期ごとに、前記補償値1に更新され、このとき、N−1回目の周期で計算された補償値1がN回目の周期での基準補償値1に選択することができる。同様に、基準補償値2は、予め設定された初期補償値で固定されるか、または、一定のセンシング周期ごとに、前記補償値2に更新され、このとき、N−1回目の周期で計算された補償値2がN回目の周期での基準補償値2に選択することができる。   Here, the reference compensation value 1 is fixed at a preset initial compensation value, or is updated to the compensation value 1 every fixed sensing period, and at this time, calculated in the (N-1) th period. The compensated compensation value 1 can be selected as the reference compensation value 1 in the Nth cycle. Similarly, the reference compensation value 2 is fixed at a preset initial compensation value, or is updated to the compensation value 2 every fixed sensing period, and at this time, calculated in the (N-1) th period. The compensated compensation value 2 can be selected as the reference compensation value 2 in the Nth cycle.

データ補償部50は、ゲイン値とオフセット値を入力デジタルビデオデータ(DATA)に適用し、画素に印加されるデジタル補償データ(MDATA)を生成する。具体的には、データ補償部50は、ゲイン値を入力デジタルビデオデータ(DATA)の階調値に乗算し、その乗算結果にオフセット値を加えることにより、デジタル補償データ(MDATA)を生成することができる。   The data compensation unit 50 applies the gain value and the offset value to the input digital video data (DATA), and generates digital compensation data (MDATA) applied to the pixel. Specifically, the data compensator 50 generates digital compensation data (MDATA) by multiplying the gradation value of the input digital video data (DATA) by the gain value and adding an offset value to the multiplication result. Can do.

以上説明した内容を通じて、当業者であれば本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載した内容に限定されるのではなく特許請求の範囲によって決められなければならない。   From the contents described above, it will be understood by those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the detailed description of the specification, but should be determined by the claims.

Claims (14)

  1. 映像を表示する複数の画素を含み、各画素がOLED、前記OLEDに接続された駆動TFT、前記OLEDにデータ信号を供給するためのスイッチTFTを含む有機発光表示装置において、
    前記各画素から前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングするセンシング部と、
    前記移動度の変化量に基づいて前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得するための補償値計算部と、
    前記センシングされた移動度の変化量と、前記獲得されたしきい値電圧の変化量に基づいて、
    前記データ信号を調整するデータ補償部と、
    を備え
    前記センシング部は、前記駆動TFTに印加される第1及び第2データ電圧に応じて前記駆動TFTから第1及び第2出力電圧をさらにセンシングし、
    前記補償値計算部は、
    前記第1及び第2出力電圧と前記第1及び第2データ電圧との間の機能的相関関係を求め、
    前記第1及び第2データ電圧の前記機能的相関関係を示す第1グラフの第1傾きを求め、
    前記駆動TFTに印加される基準データ電圧の基準出力電圧を示す基準グラフの基準傾きを求め、
    前記第1傾きと前記基準傾きに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量を求めること、
    前記第1及び第2データ電圧の一軸上で、前記第1グラフの第1切片を求め、
    前記一軸上で、前記基準グラフの基準切片を求め、
    前記第1切片と前記基準切片の間の差に基づいて、前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求めること
    を特徴とする、有機発光表示装置。
    In an organic light emitting display device including a plurality of pixels for displaying an image, each pixel including an OLED, a driving TFT connected to the OLED, and a switch TFT for supplying a data signal to the OLED.
    A sensing unit for sensing the amount of change in mobility of the driving TFT from each pixel;
    A compensation value calculating unit for obtaining a change amount of the threshold voltage of the driving TFT based on the change amount of the mobility;
    Based on the sensed change in mobility and the obtained change in threshold voltage,
    A data compensator for adjusting the data signal;
    Equipped with a,
    The sensing unit further senses first and second output voltages from the driving TFT according to first and second data voltages applied to the driving TFT,
    The compensation value calculation unit
    Determining a functional correlation between the first and second output voltages and the first and second data voltages;
    Determining a first slope of a first graph indicating the functional correlation of the first and second data voltages;
    A reference slope of a reference graph indicating a reference output voltage of a reference data voltage applied to the driving TFT is obtained,
    Obtaining a change in mobility of the driving TFT based on the first inclination and the reference inclination;
    Determining a first intercept of the first graph on one axis of the first and second data voltages;
    Obtaining a reference intercept of the reference graph on the one axis;
    An organic light emitting display device , wherein a change amount of a threshold voltage of the driving TFT is obtained based on a difference between the first intercept and the reference intercept .
  2. 前記センシング部は、
    前記駆動TFTのゲートに前記駆動TFTのしきい値電圧より高い一定電圧を印加して前記駆動TFTをターンオンさせ、この状態で一定時間の間に充電された前記駆動TFTのソース電圧を予め決められたセンシング期間内にセンシング電圧として検出することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
    The sensing unit is
    A constant voltage higher than the threshold voltage of the driving TFT is applied to the gate of the driving TFT to turn on the driving TFT. In this state, the source voltage of the driving TFT charged for a predetermined time is determined in advance. The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the organic light emitting display device detects the sensing voltage within a sensing period.
  3. 前記センシング部は、
    駆動電源がオンされてから映像表示がなされる前の非表示期間、または画像表示期間中の垂直ブランク期間中に前記移動度の変化量をセンシングすることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
    The sensing unit is
    The amount of change in the mobility is sensed during a non-display period before video display is performed after the drive power is turned on, or during a vertical blank period during an image display period. Organic light-emitting display device.
  4. 前記補償値計算部は、
    前記駆動TFTのソースとドレインとの間の電流によって前記駆動TFTが飽和状態で動作する前に、前記しきい値電圧の変化量を獲得することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
    The compensation value calculation unit
    2. The organic light emitting device according to claim 1, wherein a change amount of the threshold voltage is acquired before the driving TFT operates in a saturated state by a current between a source and a drain of the driving TFT. 3. Display device.
  5. 前記補償値計算部は、
    前記駆動TFTの移動度の変化量としきい値電圧の変化量との間の相関関係の関数式、または、ルックアップテーブルに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量から前記しきい値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
    The compensation value calculation unit
    Based on the functional expression of the correlation between the change amount of the mobility of the driving TFT and the change amount of the threshold voltage, or the lookup table, the threshold voltage is calculated from the change amount of the mobility of the driving TFT. The organic light-emitting display device according to claim 1, wherein the amount of change is calculated.
  6. 前記センシングされた移動度の変化量に基づいて、データ補償のためのゲイン値を求めるためのゲイン値算出部と、
    前記獲得されたしきい値電圧の変化量に基づいて、データの補償のためのオフセット値を求めるためのオフセット値算出部をさらに備え、
    前記データ補償部は、前記ゲイン値とオフセット値に基づいて、前記データ信号を調整することを特徴とする、請求項1に記載の有機発光表示装置。
    A gain value calculation unit for obtaining a gain value for data compensation based on the sensed change in mobility;
    An offset value calculation unit for obtaining an offset value for data compensation based on the obtained threshold voltage change amount;
    The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the data compensation unit adjusts the data signal based on the gain value and the offset value.
  7. 映像を表示する複数の画素を含み、各画素がOLED、前記OLEDに接続された駆動TFT、前記OLEDにデータ信号を供給するためのスイッチTFTを含む有機発光表示装置の画質補償方法において、
    前記各画素から前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングする段階と、
    前記移動度の変化量に基づいて前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得する段階と、
    前記センシングされた移動度の変化量と、前記獲得されたしきい値電圧の変化量に基づいて、前記データ信号を調整する段階と、
    前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングする段階は、
    前記駆動TFTに第1及び第2データ電圧を印加する段階と、
    前記駆動TFTから第1及び第2の出力電圧をセンシングする段階と、
    前記第1及び第2出力電圧と前記第1及び第2データ電圧との間の機能的相関関係を求める段階と、
    前記第1及び第2データ電圧の前記機能的相関関係を示す第1グラフの第1傾きを求める段階と、
    前記駆動TFTに印加される基準データ電圧の基準出力電圧を示す基準グラフの基準傾きを求める段階と、
    前記第1傾きと前記基準傾きに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量を求める段階と、前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得する段階は、
    前記第1及び第2データ電圧の一軸上で、前記第1グラフの第1切片を求める段階と、
    前記一軸上で、前記基準グラフの基準切片を求める段階と、
    前記第1切片と前記基準切片との間の差に基づいて、前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求める段階と、
    を含むことを特徴とする、有機発光表示装置の画質補償方法。
    In an image quality compensation method of an organic light emitting display device including a plurality of pixels for displaying an image, each pixel including an OLED, a driving TFT connected to the OLED, and a switch TFT for supplying a data signal to the OLED.
    Sensing the amount of change in mobility of the drive TFT from each pixel;
    Obtaining a threshold voltage change amount of the driving TFT based on the mobility change amount;
    Adjusting the data signal based on the sensed change in mobility and the obtained threshold voltage change;
    The step of sensing the amount of change in mobility of the driving TFT comprises:
    Applying first and second data voltages to the driving TFT;
    Sensing first and second output voltages from the drive TFT;
    Determining a functional correlation between the first and second output voltages and the first and second data voltages;
    Determining a first slope of a first graph indicating the functional correlation of the first and second data voltages;
    Obtaining a reference slope of a reference graph indicating a reference output voltage of a reference data voltage applied to the driving TFT;
    Obtaining a change in mobility of the driving TFT based on the first slope and the reference slope, and obtaining a change in the threshold voltage of the driving TFT;
    Obtaining a first intercept of the first graph on one axis of the first and second data voltages;
    Obtaining a reference intercept of the reference graph on the one axis;
    Obtaining a change amount of a threshold voltage of the driving TFT based on a difference between the first intercept and the reference intercept;
    An image quality compensation method for an organic light emitting display device, comprising:
  8. 前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングする段階は、
    前記駆動TFTのゲートに前記駆動TFTのしきい値電圧より高い一定電圧を印加して駆動TFTをターンオンさせ、この状態で一定時間の間に充電された前記駆動TFTのソース電圧を予め定められたセンシング期間内にてセンシング電圧で検出することを特徴とする、請求項に記載の有機発光表示装置の画質補償方法。
    The step of sensing the amount of change in mobility of the driving TFT comprises:
    A constant voltage higher than the threshold voltage of the driving TFT is applied to the gate of the driving TFT to turn on the driving TFT. In this state, the source voltage of the driving TFT charged for a predetermined time is determined in advance. The image quality compensation method for an organic light emitting display device according to claim 7 , wherein detection is performed with a sensing voltage within a sensing period.
  9. 前記駆動TFTの移動度の変化量をセンシングする段階は、
    駆動電源がオンされてから映像表示がなされる前の非表示期間、または画像表示期間中の垂直ブランク期間の間の前記移動度の変化量をセンシングすることを特徴とする、請求項に記載の有機発光表示装置の画質補償方法。
    The step of sensing the amount of change in mobility of the driving TFT comprises:
    Characterized by sensing the amount of change in the mobility between the vertical blank period in the non-display period or the image display period, before the image is displayed from the driving power source is turned on, according to claim 7 Image quality compensation method for organic light emitting display devices.
  10. 前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得する段階は、
    前記駆動TFTのソースとドレインとの間の電流によって駆動TFTが飽和状態で動作する前に、前記しきい値電圧の変化量を獲得することを特徴とする、請求項に記載の有機発光表示装置の画質補償方法。
    The step of obtaining the amount of change in the threshold voltage of the driving TFT includes:
    8. The organic light emitting display according to claim 7 , wherein a change amount of the threshold voltage is acquired before the driving TFT operates in a saturated state by a current between a source and a drain of the driving TFT. Device image quality compensation method.
  11. 前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を獲得する段階は、
    前記駆動TFTの移動度の変化量としきい値電圧の変化量との間の相関関係の関数式、
    または、ルックアップテーブルに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量から前記しきい値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項に記載の有機発光表示装置の画質補償方法。
    The step of obtaining the amount of change in the threshold voltage of the driving TFT includes:
    A functional expression of the correlation between the change in mobility of the driving TFT and the change in threshold voltage;
    8. The image quality compensation method for an organic light emitting display device according to claim 7 , wherein the change amount of the threshold voltage is obtained from the change amount of mobility of the driving TFT based on a lookup table.
  12. 前記センシングされた移動度の変化量に基づいて、データ補償のためのゲイン値を求める段階と、
    前記獲得されたしきい値電圧の変化量に基づいて、データの補償のためのオフセット値を求める段階をさらに含み、
    前記データ信号は、前記ゲイン値とオフセット値に基づいて調整されることを特徴とする、請求項に記載の有機発光表示装置の画質補償方法。
    Obtaining a gain value for data compensation based on the sensed change in mobility;
    Determining an offset value for data compensation based on the obtained threshold voltage variation;
    The method of claim 7 , wherein the data signal is adjusted based on the gain value and the offset value.
  13. 映像を表示する複数の画素を含み、各画素がOLED、前記OLEDに接続された駆動TFT、前記OLEDにデータ信号を供給するためのスイッチTFTを含む有機発光表示装置の画質補償方法において、
    前記駆動TFTに第1及び第2データ電圧を印加する段階と、
    前記駆動TFTから第1及び第2の出力電圧をセンシングする段階と、
    前記第1及び第2の出力電圧と前記第1及び第2データ電圧との間の機能的相関関係を求める段階と、
    前記第1及び第2データ電圧の前記機能的相関関係を示す第1グラフの第1傾きを求める段階と、
    前記駆動TFTに印加される基準データ電圧の基準出力電圧を示す基準グラフの基準傾きを求める段階と、
    前記第1傾きと前記基準傾きに基づいて、前記駆動TFTの移動度の変化量を求める段階と、
    前記第1及び第2データ電圧の一軸上で、前記第1グラフの第1切片を求める段階と、
    前記一軸上で、前記基準グラフの基準切片を求める段階と、
    前記第1切片と前記基準切片との間の差に基づいて、前記駆動TFTのしきい値電圧の変化量を求める段階と、
    を含むことを特徴とする有機発光表示装置の画質補償方法。
    In an image quality compensation method of an organic light emitting display device including a plurality of pixels for displaying an image, each pixel including an OLED, a driving TFT connected to the OLED, and a switch TFT for supplying a data signal to the OLED.
    Applying first and second data voltages to the driving TFT;
    Sensing first and second output voltages from the drive TFT;
    Determining a functional correlation between the first and second output voltages and the first and second data voltages;
    Determining a first slope of a first graph indicating the functional correlation of the first and second data voltages;
    Obtaining a reference slope of a reference graph indicating a reference output voltage of a reference data voltage applied to the driving TFT;
    Obtaining a change in mobility of the driving TFT based on the first inclination and the reference inclination;
    Obtaining a first intercept of the first graph on one axis of the first and second data voltages;
    Obtaining a reference intercept of the reference graph on the one axis;
    Obtaining a change amount of a threshold voltage of the driving TFT based on a difference between the first intercept and the reference intercept;
    An image quality compensation method for an organic light emitting display device, comprising:
  14. 前記移動度の変化量と前記しきい値電圧の変化量に基づいて、前記データ信号を調整する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項13に記載の有機発光表示装置の画質補償方法。 The method of claim 13 , further comprising adjusting the data signal based on the amount of change in mobility and the amount of change in the threshold voltage.
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