JP5925981B1 - 表面処理銅箔及びその製造方法、プリント配線板用銅張積層板、並びにプリント配線板 - Google Patents
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Abstract
Description
前記銅箔の少なくとも片面に設けられ、水素濃度1〜35原子%及び/又は炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる表面処理層と、
を備えた、表面処理銅箔が提供される。
銅箔を用意する工程と、
前記銅箔の少なくとも片面に、水素濃度1〜35原子%及び/又は炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる表面処理層を物理気相成膜又は化学気相成膜により形成する工程と、
を含む、方法が提供される。
本発明の表面処理銅箔は、銅箔と、この銅箔の少なくとも片面に設けられる表面処理層とを備えてなる。所望により、表面処理層は銅箔の両面に設けられてもよい。そして、表面処理層は、水素濃度1〜35原子%及び/又は炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる層である。このように所定の濃度で水素及び/又は炭素を添加したシリコン系表面処理層を形成することにより、スパッタリング等の蒸着法により形成されたような極めて平坦な銅箔表面であっても樹脂層との高い密着強度を実現可能であり、しかも、プリント配線基板のファインピッチ化に適した望ましい絶縁抵抗を有する表面処理層を備えた銅箔を提供することができる。
本発明による表面処理銅箔は、上述した銅箔を用意し、該銅箔の少なくとも片面に、水素濃度1〜35原子%及び/又は炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる表面処理層を物理気相成膜又は化学気相成膜により形成することにより製造することができる。所望により表面処理層を銅箔の両面に形成してもよいのは前述したとおりである。
本発明の好ましい態様によれば、本発明の表面処理銅箔と、該表面処理層に密着して設けられる樹脂層とを備えた、プリント配線板用銅張積層板が提供される。表面処理銅箔は樹脂層の片面に設けられてもよいし、両面に設けられてもよい。
本発明の表面処理銅箔はプリント配線板の作製に用いられるのが好ましい。すなわち、本発明によれば、表面処理銅箔に由来する層構成を備えたプリント配線板も提供される。この場合、プリント配線板は、樹脂層と、水素濃度1〜35原子%及び/又は炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる層と、銅層とがこの順に積層された層構成を含んでなる。主としてシリコンからなる層は本発明の表面処理銅箔のシリコン系表面処理層に由来する層であり、銅層は本発明の表面処理銅箔の銅箔に由来する層である。また、樹脂層については銅張積層板に関して上述したとおりである。いずれにしても、プリント配線板は、本発明の表面処理銅箔を用いること以外は、公知の層構成が採用可能である。プリント配線板に関する具体例としては、プリプレグの片面又は両面に本発明の表面処理銅箔を接着させ硬化した積層体(CCL)とした上で回路形成した片面又は両面プリント配線板や、これらを多層化した多層プリント配線板等が挙げられる。また、他の具体例としては、樹脂フィルム上に本発明の表面処理銅箔を形成して回路を形成するフレキシブル・プリント配線板、COF、TABテープ等も挙げられる。さらに他の具体例としては、本発明の表面処理銅箔に上述の樹脂層を塗布した樹脂付銅箔(RCC)を形成し、樹脂層を絶縁接着材層として上述のプリント基板に積層した後、表面処理銅箔を配線層の全部又は一部としてモディファイド・セミアディティブ(MSAP)法、サブトラクティブ法等の手法で回路を形成したビルドアップ配線板や、半導体集積回路上へ樹脂付銅箔の積層と回路形成を交互に繰りかえすダイレクト・ビルドアップ・オン・ウェハー等が挙げられる。より発展的な具体例として、上記樹脂付銅箔を基材に積層し回路形成したアンテナ素子、接着剤層を介してガラスや樹脂フィルムに積層しパターンを形成したパネル・ディスプレイ用電子材料や窓ガラス用電子材料、本発明の表面処理銅箔に導電性接着剤を塗布した電磁波シールド・フィルム等も挙げられる。
(1)キャリア付銅箔の作製
図1に示されるように、キャリア12としての電解銅箔上に耐熱金属層14、剥離層16、極薄銅箔層18及び表面処理層20をこの順に成膜してキャリア付銅箔10を作製し、さらにキャリア付銅箔10にプライマー樹脂層22を形成してキャリア付銅箔24を得た。このとき、表面処理層20の成膜は表1及び2に示される各種条件に従い行った。具体的な手順は以下のとおりである。
厚さ18μm、算術平均粗さRa60〜70nmの光沢面を有する電解銅箔(三井金属鉱業株式会社製)をキャリア12として用意した。このキャリアを酸洗処理した。この酸洗処理は、キャリアを硫酸濃度150g/l、液温30℃の希硫酸溶液に30秒間浸漬して表面酸化被膜を除去し、水洗後、乾燥することにより行った。
酸洗処理後のキャリア12(電解銅箔)の光沢面側に、耐熱金属層14として10nm換算厚さのチタン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置:巻き取り型DCスパッタリング装置(日本真空技術株式会社製、SPW−155)
‐ ターゲット:300mm×1700mmサイズのチタンターゲット
‐ 到達真空度Pu:1×10−4Pa未満
‐ スパッタリング圧PAr:0.1Pa
‐ スパッタリング電力:30kW
耐熱金属層14(チタン層)の上に、剥離層16として2nm換算厚さの炭素層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。
‐ 装置:巻き取り型DCスパッタリング装置(日本真空技術株式会社製、SPW−155)
‐ ターゲット:300mm×1700mmサイズの炭素ターゲット
‐ 到達真空度Pu:1×10−4Pa未満
‐ スパッタリング圧PAr:0.4Pa
‐ スパッタリング電力:20kW
剥離層16(炭素層)の上に、膜厚250nmの極薄銅箔層18を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成した。得られた極薄銅箔層は、算術平均粗さ(Ra)46nmの表面を有していた。
‐ 装置:巻き取り型DCスパッタリング装置(日本真空技術株式会社製、SPW−155)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)の銅ターゲット
‐ 到達真空度Pu:1×10−4Pa未満
‐ ガス:アルゴンガス(流量:100sccm)
‐ スパッタリング圧:0.45Pa
‐ スパッタリング電力:1.0kW(3.1W/cm2)
極薄銅箔層18の上に、表面処理層20としてシリコン層を以下の装置及び条件でスパッタリングにより形成して、キャリア付銅箔を作製した。
‐ 装置:巻き取り型DCスパッタリング装置(日本真空技術株式会社製、SPW−155)
‐ ターゲット:直径8インチ(203.2mm)のホウ素を200ppmドープしたシリコンターゲット
‐ 到達真空度Pu:1×10−4Pa未満
‐ ガス:アルゴンガス(流量:100sccm)
メタンガス(流量:0〜3.0sccm)
‐ スパッタリング圧:0.45Pa
‐ スパッタリング電力:250W(0.8W/cm2)
評価サンプルとして、表面処理層上にプライマー樹脂層を形成したサンプルと、表面処理層上にプライマー樹脂層を形成しないサンプルを用いた。プライマー樹脂層を形成したサンプルの作製は次のように行った。まず、o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、YDCN−704)、溶剤に可溶な芳香族ポリアミド樹脂ポリマーと溶剤との混合ワニス(日本化薬株式会社製、BPAM−155)を原料として用意した。この混合ワニスに、硬化剤としてのフェノール樹脂(大日本インキ株式会社製、VH−4170)及び硬化促進剤(四国化成工業株式会社製、2E4MZ)を添加して、以下に示される配合割合を持つ樹脂組成物を得た。
<樹脂組成物の配合割合>
‐ o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂:38重量部
‐ 芳香族ポリアミド樹脂ポリマー:50重量部
‐ フェノール樹脂:18重量部
‐ 硬化促進剤:0.1重量部
図2に示されるように、上記キャリア付銅箔24と樹脂基材26とを用いて、銅張積層板28を以下のようにして作製した。
ガラスクロス入りビスマレイミド・トリアジン樹脂からなるプリプレグ(三菱ガス化学社製、GHPL−830NS、厚さ45μm)を4枚積層し樹脂基材26を作製した。
上述の樹脂基材26の両面(図2では簡略化のため片面の積層のみを示した)をキャリア付銅箔24で挟み、プレス温度:220℃、プレス時間:90分、圧力:40MPaの条件で樹脂基材26とキャリア付銅箔24とを積層した。こうしてキャリア付銅張積層体25を得た。
キャリア付銅張積層体25の剥離層16から、キャリア12を手動で剥離して、極薄銅箔層18の表面を露出させた。なお、耐熱金属層14および剥離層16はキャリア12(電解銅箔)側に付着された状態で剥離された。こうして銅張積層板28を得た。
こうして得られた銅張積層板について、(3a)剥離強度の評価、(3c)微細配線パターン形成の評価、及び(3d)STEM−EDSによる界面観察及び元素マッピング測定を行った。また、上記銅張積層板が有する表面処理層と同等の表面処理層を別途作製して(3b)表面処理層の絶縁抵抗の評価も行った。具体的には以下のとおりである。
図3に示されるように、銅張積層板28から剥離強度測定用サンプル32を作製し、極薄銅箔18の表面処理層20とプライマー樹脂層22の剥離強度を評価した。剥離強度測定用サンプル32は、銅張積層板28に硫酸銅めっき液を用いて厚さ18μmの電気銅めっき30を形成し、その後パターン形成して作製した。また、パターン形成は、形成した電気銅めっきを10mm幅でマスキングし、塩化第二銅水溶液でエッチングすることにより行った。
<評価基準>
A:400gf/cm以上
B:300gf/cm以上400gf/cm未満
C:300gf/cm未満
例1〜15の各々に対応した表面処理層の絶縁抵抗測定用サンプルを作製して、絶縁抵抗の評価を行った。絶縁抵抗測定用サンプルの作製は、ガラス基板(コーニング社製、#1737)上に、上述した「(1e)表面処理層の形成」に記載される条件と同様の条件で厚さ100nmの表面処理層(シリコン層)を形成することにより行った。こうして得られた測定用サンプルを、半導体デバイス・アナライザ(アジレントテクノロジー社製、B1500A)を用いて四端子法による測定に付し、得られた比抵抗値ρ(Ω・cm)を6nmの膜厚に換算した、(ρ×100/6)なるシート抵抗値(Ω・□)を絶縁抵抗の評価指標として採用した。また、得られたシート抵抗値を以下の基準に従いA、B及びCの3段階で評価した。結果は表1及び2に示されるとおりであった。
<評価基準>
A:1.0×1012Ω/□以上
B:1.0×1010Ω/□以上1×1012Ω/□未満
C:1.0×1010Ω/□未満
図4に示されるように各例で得られた銅張積層板28に微細配線パターン38を形成して、パターン加工性の評価を行った。まず、微細配線パターン評価用サンプルを以下のようにして作製した。
銅張積層板28の極薄銅箔層18上にポジ型フォトレジスト(東京応化工業社製、TMMRP−W1000T)を塗布した。
フォトレジストを塗布した銅張積層板28を以下の条件で露光処理した。
‐ パターン:Line/Space=2/2μm、パターン長2mm
‐ ガラスマスク:クロム蒸着マスク
‐ 露光量:180mJ/cm2(波長:365nm換算値、水銀スペクトル線)
露光処理した銅張積層板28を以下の条件で現像処理して、フォトレジスト34を図4
(a)に示されるようにパターニングした。
‐ 現像液:TMAH水溶液(東京応化工業社製、NMD−3)
‐ 温度:23℃
‐ 処理方法:ディップ1分×2回
現像処理によりパターニングが施された銅張積層板28の極薄銅箔層18上に図4(b)に示されるように電気銅めっき36を硫酸銅めっき液により2μmの厚さで形成した。
電気銅めっき36が施された銅張積層板28から以下の条件でフォトレジスト34を剥離して図4(c)に示される状態とした。
‐ 剥離液:ST106水溶液(東京応化工業社製)
‐ 温度:60℃
‐ 時間:5分
フォトレジスト34を剥離した銅張積層板28を以下の条件で銅エッチングを行い、図4(d)に示されるように微細配線パターン38を形成した。
‐ エッチング液:硫酸過水系エッチング液(メック社製、QE7300)
‐ 処理方法:ディップ
‐ 温度:30℃
‐ 時間:30秒
得られた微細配線パターンの外観を光学顕微鏡(1750倍)にて観察して、配線の剥がれの不良発生率を確認した。不良発生率を以下の評価基準に従って評価した。
<評価基準>
A:不良発生率5%未満(最良)
B:不良発生率6〜10%(良)
C:不良発生率11〜20%(許容可)
D:不良発生率21%以上(不良)
例5(実施例)で作製された、プライマー樹脂層22の塗布されたキャリア付銅張積層板25において、キャリア12、極薄銅箔層18、表面処理層20及びプライマー樹脂層22の界面をSTEM−EDSにより観察したところ、図6Aに示される画像が得られた。図6Aの上側にある画像が、下側にある写真の円で囲った界面部分の拡大画像である。この拡大画像で示される界面部分のSi元素マッピング画像を図6Bに、この界面部分のCu元素マッピング画像を図6Cに示す。これらの画像の比較から明らかなように、極薄銅箔層18の表面にはシリコン系表面処理層20が形成されていることが分かる。
Claims (13)
- 銅箔と、
前記銅箔の少なくとも片面に設けられ、水素濃度1〜35原子%及び炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる表面処理層と、
を備えた、表面処理銅箔。 - 前記表面処理銅箔がプリント配線板用銅張積層板の製造に用いられるものであり、該製造において、前記表面処理層に樹脂層が積層されることになる、請求項1に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層が0.1〜100nmの厚さを有する、請求項1又は2に記載の表面処理銅箔。
- 前記銅箔の前記表面処理層側の表面が、JIS B 0601−2001に準拠して測定される、100nm以下の算術平均粗さRaを有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層の水素濃度が10〜30原子%である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記表面処理層の炭素濃度が3〜13原子%である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記銅箔が50〜1000nmの厚さを有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と、該表面処理層に密着して設けられる樹脂層とを備えた、プリント配線板用銅張積層板。
- 樹脂層と、水素濃度1〜35原子%及び炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる層と、銅層とがこの順に積層された層構成を含む、プリント配線板。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の表面処理銅箔の製造方法であって、
銅箔を用意する工程と、
前記銅箔の少なくとも片面に、水素濃度1〜35原子%及び炭素濃度1〜15原子%の主としてシリコンからなる表面処理層を物理気相成膜又は化学気相成膜により形成する工程と、
を含む、方法。 - 前記表面処理層が物理気相成膜により形成され、該物理気相成膜がスパッタリングにより行われる、請求項10に記載の方法。
- 前記物理気相成膜が、シリコンターゲット及び/又はシリコンカーバイドターゲットを用い、非酸化性雰囲気下、炭素源及び水素源を含む少なくとも1種の添加成分とともに行われる、請求項10又は11に記載の方法。
- 前記添加成分が、メタン、エタン、プロパン、ブタン、アセチレン、及びテトラエトキシシランからなる群から選択される少なくとも1種のガスを原料とする、請求項12に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
JP6246857B2 (ja) * | 2016-05-24 | 2017-12-13 | Jx金属株式会社 | ロール状積層体、ロール状積層体の製造方法、積層体の製造方法、ビルドアップ基板の製造方法、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法 |
TWI655263B (zh) * | 2017-12-27 | 2019-04-01 | 台燿科技股份有限公司 | 黏著劑組合物及其應用 |
KR102613885B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2023-12-15 | 미쓰이금속광업주식회사 | 캐리어를 구비한 구리박 |
KR102640972B1 (ko) * | 2021-05-28 | 2024-02-23 | 부산대학교 산학협력단 | 실리콘이 코팅 된 구리 제조방법, 이를 이용한 실리콘이 코팅된 산화방지용 구리 및 이를 이용한 반도체 장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05279870A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-26 | Nissin Electric Co Ltd | メタライジングフィルム及びメタライジングフィルムの製造方法 |
JP2005219258A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 金属化ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2007030326A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂付銅箔、プリント配線板製造用積層体及び多層プリント配線板 |
JP2007098732A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法並びにその表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
JP2008311328A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Hyomen Shori System:Kk | フレキシブル回路基板およびその製造方法 |
JP2010149294A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toyobo Co Ltd | 表面処理銅箔および銅張積層体 |
JP2010201620A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 銅張積層板及びその製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3314405B2 (ja) * | 1992-04-03 | 2002-08-12 | 日新電機株式会社 | フィルムコンデンサ |
US5403620A (en) * | 1992-10-13 | 1995-04-04 | Regents Of The University Of California | Catalysis in organometallic CVD of thin metal films |
JP3632256B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2005-03-23 | 株式会社デンソー | 窒化シリコン膜を有する半導体装置の製造方法 |
TW442693B (en) * | 1997-02-24 | 2001-06-23 | Seiko Epson Corp | Color filter and its manufacturing method |
US6649032B2 (en) * | 2001-05-21 | 2003-11-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for sputtering silicon films using hydrogen gas mixtures |
US7608928B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-10-27 | Jsr Corporation | Laminated body and semiconductor device |
TW200836609A (en) * | 2007-02-16 | 2008-09-01 | Metal Finishing System Co Ltd | Flexible circuit board and process for producing the same |
JP4884298B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2012-02-29 | 日本化薬株式会社 | 樹脂層付き銅箔 |
US20110146787A1 (en) * | 2008-05-28 | 2011-06-23 | Sebastien Allen | Silicon carbide-based antireflective coating |
JP5255349B2 (ja) | 2008-07-11 | 2013-08-07 | 三井金属鉱業株式会社 | 表面処理銅箔 |
JP5156784B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2013-03-06 | Jx日鉱日石金属株式会社 | プリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層体 |
US8512809B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-08-20 | General Electric Company | Method of processing multilayer film |
KR101307296B1 (ko) * | 2010-06-22 | 2013-09-11 | 니폰샤신인사츠가부시키가이샤 | 방청성이 우수한 협소 프레임 터치 입력 시트와 그 제조 방법 |
US9765271B2 (en) * | 2012-06-27 | 2017-09-19 | James J. Myrick | Nanoparticles, compositions, manufacture and applications |
JP5481591B1 (ja) * | 2012-09-11 | 2014-04-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付き銅箔 |
CN107031143A (zh) * | 2013-03-04 | 2017-08-11 | Jx日矿日石金属株式会社 | 附载体铜箔、使用其的覆铜积层板、印刷配线板、电子机器及印刷配线板的制造方法 |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05279870A (ja) * | 1992-04-03 | 1993-10-26 | Nissin Electric Co Ltd | メタライジングフィルム及びメタライジングフィルムの製造方法 |
JP2005219258A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Mitsubishi Shindoh Co Ltd | 金属化ポリイミドフィルムおよびその製造方法 |
JP2007030326A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | 樹脂付銅箔、プリント配線板製造用積層体及び多層プリント配線板 |
JP2007098732A (ja) * | 2005-10-03 | 2007-04-19 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔の製造方法並びにその表面処理銅箔を用いた銅張積層板 |
JP2008311328A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Hyomen Shori System:Kk | フレキシブル回路基板およびその製造方法 |
JP2010149294A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toyobo Co Ltd | 表面処理銅箔および銅張積層体 |
JP2010201620A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-16 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 銅張積層板及びその製造方法 |
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