JP5920510B1 - 磁石部材 - Google Patents

Abstract

【課題】耐食性と高い硬度とを有する磁石部材を提供する。【解決手段】磁石部材２は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む希土類磁石４と、ニッケル及びリンを含み、希土類磁石４を覆う第一膜６と、ニッケルを含み、第一膜６を覆う第二膜８と、を備え、第一膜６が非晶質であり、第二膜８が結晶質であり、第一膜の厚み６ａ及び第二膜の厚み８ａの合計が、１０μｍ未満である。【選択図】図１

Description

本発明は磁石部材に関する。

希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ（鉄等）及びホウ素Ｂを含むＲ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石は、磁気特性に優れるため、様々な分野で実用されている。しかしながら、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の主成分である希土類元素Ｒ及び遷移金属元素Ｔは酸化され易い。したがって、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石は他の磁石に比べて腐食し易い。腐食は磁気特性の劣化及びばらつきを招く。Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石の耐食性を向上させる方法として、耐食性を有する保護膜により希土類磁石の表面を覆う方法が従来から知られている。保護膜としては、ニッケルめっき膜又はニッケル合金めっき膜が従来から知られている（下記特許文献１及び２参照。）。以下では、場合により、Ｒ−Ｔ−Ｂ系希土類磁石を単に「希土類磁石」と記す。保護膜で覆われた希土類磁石を、「磁石部材」と記す。

特開平８−３７６３号公報 特開２００１−２３０１０６号公報

磁石部材が、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ）のように、小さく薄い電子機器に搭載される場合、小さく薄い磁石部材が要求される。しかし、磁石部材が小さく薄いほど、磁石部材の磁束密度は低下してしまう。保護膜を均一に薄くして、磁石部材における希土類磁石自体の体積の割合を増やすことにより、磁束密度の低下を抑制することができる。しかし、保護膜が薄いほど、磁石部材の耐食性は劣化してしまう。したがって、保護膜が薄いにもかかわらず、耐食性に優れた磁石部材が求められる。例えば、保護膜の厚みが１０μｍ未満であるにもかかわらず、耐食性に優れた磁石部材が求められる。

また、磁石部材が、他の部材と接触したり擦れ合ったりする場合、衝撃又は摩擦によって磁石部材の保護膜が破損して、保護膜に由来する微小な破片が発生する。この破片は他の部材を汚染するゴミ（パーティクル）となる。例えば、磁石部材が、ＨＤＤのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）に用いられる場合、磁石部材はヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）のコイル部と接触したり擦れ合ったりする。その結果、保護膜が破損して、保護膜に由来する微小なゴミ（パーティクル）が磁気ディスクの表面を汚染したり傷付けたりする。したがって、耐衝撃性及び耐摩耗性に優れた磁石部材が求められる。磁石部材の耐衝撃性及び耐摩耗性を向上させるためには、磁石部材の硬度を高めなければならない。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、耐食性と高い硬度とを有する磁石部材を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る磁石部材は、希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む希土類磁石と、ニッケル及びリンを含み、希土類磁石を直接覆う第一膜と、ニッケルを含み、第一膜を直接覆う第二膜と、を備え、第一膜が非晶質であり、第二膜が結晶質であり、第一膜の厚み及び第二膜の厚みの合計が、１０μｍ未満である。

本発明の一側面においては、第二膜がリンを含んでよく、第一膜におけるリンの濃度（含有率）が、９．９〜１９．２原子％であってよく、第二膜におけるリンの濃度（含有率）が、０．９〜７．１原子％であってよい。

本発明の一側面においては、第一膜の厚みが、０．５〜１．６μｍであってよく、第二膜の厚みが、１．０〜８．８μｍであってよく、第二膜の厚みが、第一膜の厚みの２倍以上１１倍以下であってよい。

本発明の一側面においては、第二膜が、無電解ニッケルめっきにより形成されてよい。

本発明によれば、耐食性と高い硬度とを有する磁石部材が提供される。

図１中のａ（図１ａ）は、本発明の一実施形態に係る磁石部材の模式的斜視図であり、図１中のｂ（図１ｂ）は、図１ａに示すｂ−ｂ線に沿った磁石部材の模式的断面図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の好適な一実施形態について説明する。各図面において、同一又は同等の構成要素には同一の符号を付す。本発明は下記実施形態に限定されるものではない。

図１ａに示すように、本実施形態に係る磁石部材２は、例えば扇形の板であってよい。ただし、磁石部材２の形状は扇形に限定されない。例えば、磁石部材２は、略直方体、又は略円板であってもよい。図１ｂに示すように、磁石部材２は、希土類磁石４と、希土類磁石４の表面を覆う第一膜６と、第一膜６の表面を覆う第二膜８、とを備える。第一膜６及び第二膜８は、希土類磁石４を保護し、希土類磁石４の腐食（例えば酸化）を抑制する。以下では、第一膜６及び第二膜８からなる二重の膜を、「保護膜」と記す場合がある。第一膜６は、希土類磁石４の表面の一部又は全体を覆っていてよい。第二膜８は、第一膜６の表面の一部又は全体を覆っていてよい。第二膜８の一部が、希土類磁石４の表面の一部を直接覆っていてもよい。希土類磁石４の表面全体が、第一膜６又は第二膜８のいずれかによって完全に覆われていてよい。つまり、希土類磁石４の表面全体が全く露出していなくてよい。磁石部材２全体の寸法は、例えば、縦４〜５０ｍｍ×横５〜１００ｍｍ×厚み０．５〜１０ｍｍであってよい。磁石部材２全体の厚みとは、図１ａのｂ−ｂ線方向における磁石部材２の幅と言い換えてよい。

希土類磁石４は、希土類元素Ｒ、遷移金属元素Ｔ及びホウ素Ｂを含有する。希土類元素Ｒは、Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ及びＬｕからなる群より選ばれる少なくとも一種であればよい。遷移金属元素Ｔは、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくともいずか又は両方であってよい。希土類磁石４は、必要に応じて、Ｍｎ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ｖ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｓｉ，Ｃｕ，Ａｌ及びＢｉから群より選ばれる少なくとも一種の元素を更に含んでもよい。希土類磁石４自体は、一般的な方法によって調製してよい。例えば、上元素を含有する原料粉末を成形して焼結することにより、希土類磁石４自体が調製される。

第一膜６は、ニッケル（Ｎｉ）及びリン（Ｐ）を含み、非晶質（アモルファス）である。第二膜８は、ニッケルを含み、結晶質である。第一膜６の厚み６ａ及び第二膜８の厚み８ａの合計は、１０μｍ未満である。第一膜６の厚み６ａ及び第二膜８の厚み８ａの合計は、１μｍ以上１０μｍ未満であってよく、１．１μｍ以上９．９μｍ以下であってもよく、１．５μｍ以上９．６μｍ以下であってもよい。第一膜６の厚み６ａは平均値であってよい。第二膜８の厚み８ａも平均値であってよい。

本実施形態では、保護膜が薄いため、磁石部材２における希土類磁石４の体積の割合が大きい。したがって、磁石部材２は高い残留磁束密度を有することができる。また本実施形態では、保護膜が薄くとも、磁石部材２が耐食性と高い硬度とを有することができる。磁石部材２の硬度とは、保護膜の硬度、又は第二膜８の硬度と言い換えてよい。

仮に第一膜６が結晶質であり、第二膜８が非晶質である場合、磁石部材２の硬度が低下する。結晶質膜に比べて硬度が低い非晶質膜が磁石部材の最表面に位置するからである。仮に第一膜６及び第二膜８のいずれも結晶質である場合、磁石部材２の耐食性が劣化する。結晶質膜の結晶粒界は、希土類磁石４を腐食させる成分（例えば水分）の侵入経路となるからである。仮に第一膜６及び第二膜８のいずれも非晶質である場合、磁石部材２の硬度が低下する。結晶質膜に比べて硬度が低い非晶質膜が磁石部材の最表面に位置するからである。

第一膜６は、ニッケル及びリンのみからなっていてよい。第一膜６におけるリン以外の残部は、ニッケルのみであってよい。第一膜６におけるリンの濃度は、８．７〜２０．２原子％、９．９〜１９．２原子％、又は１０〜１９原子％であってよい。第一膜６におけるリンの濃度が９．９〜１９．２原子％である場合、耐食性が向上し易い。第二膜８は、Ｎｉのみからなっていてよい。第二膜８は、リンを含まなくてよい。第二膜８は、リンを含んでもよい。第二膜８におけるリン以外の残部は、ニッケルのみであってよい。第二膜８がリンを含む場合の磁石部材２の耐食性は、第二膜８がリンを含まない場合の磁石部材２の耐食性よりも優れる。第二膜８におけるリンの濃度は、０〜７．８原子％、０．９〜７．１原子％、又は１〜７原子％であってよい。第二膜８におけるリンの濃度が０．９原子％以上である場合、耐食性が向上し易い。第二膜８におけるリンの濃度が７．１原子％以下である場合、硬度が高まり易い。第一膜６又は第二膜８は、ニッケル及びリン以外に、例えば、ホウ素又は硫黄を含んでもよい。

第一膜６の厚み６ａは、０．３〜１．９μｍ、０．５〜１．６μｍ、又は０．５〜１．５μｍであってよい。第一膜６の厚み６ａが０．５〜１．６μｍである場合、耐食性が向上し易い。第二膜８の厚み８ａは、０．６〜９．１μｍ、１．０〜８．８μｍ、又は１．０〜８．５μｍであってよい。第二膜８の厚み８ａが１．０〜８．８μｍである場合、耐食性が向上し易い。第二膜８の厚み８ａがＴ２であり、第一膜６の厚み６ａがＴ１であるとき、Ｔ２／Ｔ１は２〜１１、又は２〜１０であってよい。Ｔ２／Ｔ１が２〜１１である場合、耐食性が向上し易い。

第一膜６は、例えば、無電解ニッケルめっきにより形成してよい。無電解ニッケルめっきにより、均一な厚みの第一膜６を形成し易い。第一膜６中のリンは、めっき液に含まれる還元剤である次亜リン酸塩（例えば、次亜リン酸ナトリウム）に由来する。したがって、めっき液における次亜リン酸塩の含有率の調整により、第一膜６におけるリンの濃度を自在に制御することができる。めっき液における次亜リン酸塩の含有率が高いほど、第一膜６におけるリンの濃度が高くなり易い。第一膜６におけるリンの濃度が高いほど、第一膜６が非晶質になり易い。無電解ニッケルめっき条件を調整することにより、第一膜６の厚みを自在に制御することができる。調整される無電解ニッケルめっき条件は、例えば、めっき液におけるニッケルの含有率、還元剤の含有率、めっき液の温度、めっき液のｐＨ、又は希土類磁石４をめっき液（めっき浴）に浸漬する時間等であってよい。還元剤として、次亜リン酸塩に加えて、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）又はヒドラジンをめっき液に添加してもよい。第一膜６は、例えば、電解ニッケルめっきにより形成してもよい。電解ニッケルめっきにより形成される第一膜６中のリンは、電解めっき液中に添加する亜リン酸に由来する。したがって、亜リン酸の添加量により、第一膜６におけるリンの濃度を自在に制御することができる。電解ニッケルめっき条件を調整することにより、第一膜６の厚みを自在に制御することができる。調整される電解ニッケルめっき条件は、めっき液におけるニッケルの含有率、めっき液の温度、めっき液のｐＨ、希土類磁石４における電流密度、又はめっき液に電流を流す時間等であってよい。

第二膜８は、例えば、無電解ニッケルめっきにより形成してよい。無電解ニッケルめっきにより形成された第二膜８の厚みは均一になり易い。第二膜８の厚みが均一であるほど、第二膜８が第一膜６又は希土類磁石４を斑なく覆うので、磁石部材２の耐食性が向上し易い。対照的に、電解ニッケルめっきにより形成された第二膜８の厚みは均一になり難い。第二膜８中のリンの濃度の制御に関する点を除いて、第一膜６と同様の無電解ニッケルめっきにより、第二膜８を形成してよい。第二膜８用のめっき液における次亜リン酸塩の含有率は、第一膜６用のめっき液における次亜リン酸塩の含有率よりも低くてよい。めっき液における次亜リン酸塩の含有率が低いほど、第二膜８におけるリンの濃度が低くなり易い。第二膜８におけるリンの濃度が低いほど、第一膜６が結晶質になり易い。リンを含有しない第二膜８を無電解ニッケルめっきにより形成する場合、例えば、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）又はヒドラジンのように、リンを含有しない還元剤を用いればよい。第二膜８は、例えば、電解ニッケルめっきにより形成してもよい。第二膜８中のリンの濃度の制御に関する点を除いて、第一膜６と同様の電解ニッケルめっきにより、第二膜８を形成してよい。

電解ニッケルめっき又は無電解ニッケルめっき以外の方法で、第二膜８を形成してもよい。例えば、非晶質の第一膜６の表面のみを局所的に４００〜６００℃で加熱して、第一膜６の表面のみを結晶質の第二膜８に変化させてもよい。

上述した磁石部材２は、例えば、ＶＣＭ、永久磁石同期モータ(ＩＰＭモータ、若しくはＳＰＭモータ)、リニア同期モータ又は振動モータ等に用いてよい。

以下、本発明の内容を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
Ｎｄ、Ｆｅ及びＢを含む希土類磁石を準備した。希土類磁石は直方体状の板であった。希土類磁石の寸法は、縦２０ｍｍ×横３４．５ｍｍ×厚み０．７ｍｍであった。

希土類磁石を、脱脂液に５分浸漬し、純水で洗浄した。続いて、希土類磁石を、１．０体積％の硝酸を含む水溶液に２分浸漬し、純水で再び洗浄した。続いて、希土類磁石を、Ｐｄイオンを含む水溶液に５分浸漬し、純水で再び洗浄した。

硫酸ニッケル、及び次亜リン酸ナトリウムを含む無電解ニッケルめっき液（第一めっき液）を調製した。上記の処理を経た希土類磁石を、第一めっき液に１０分浸漬した。続いて、第一めっき液から取り出した希土類磁石を純水で洗浄した。このような無電解ニッケルめっきにより、希土類磁石と、希土類磁石の表面全体を覆う第一膜と、を備える試料Ａを得た。

Ｘ線回折（ＸＲＤ）装置により、試料ＡのＸ線回折パターンを測定した。ＸＲＤ装置としては、ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ社製のＸ’ＰＥＲＴ ＰＲＯ ＭＰＤを用いた。ＸＲＤパターンにおいて、ニッケルの結晶格子の（１１１）面に固有の急峻なピーク（ｓｈａｒｐなピーク）がある場合、第一膜の結晶構造は結晶質である。ニッケルの結晶格子の（１１１）面に由来するピークが緩やか（ｂｒｏａｄ）である場合、第一膜の結晶構造は非晶質である。第一膜の結晶構造を、下記表１に示す。

上記第一膜の表面の中央に位置する１点におけるリンの濃度を、レーザアブレーション誘導結合プラズマ質量分析（ＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳ）により測定した。ＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳ装置としては、横河アナリティカルシステムズ社製のＡｇｉｌｅｎｔ７５００ｓを用いた。第一膜におけるリンの濃度を、下記表１に示す。

上記第一膜の表面上の１５点において、第一膜の厚みを蛍光Ｘ線膜厚計により測定した。これ等の測定値から第一膜の厚みの平均値Ｔ１を算出した。蛍光Ｘ線膜厚計としては、Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ製のＳＦＴ９３００を用いた。Ｔ１を、下記表１に示す。

第一めっき液よりも次亜リン酸ナトリウムの含有率が低い無電解ニッケルめっき液（第二めっき液）を調製した。上記試料Ａを、第二めっき液に２０分浸漬した。続いて、第二めっき液から取り出した試料を純水で洗浄した。洗浄後の試料を、９０℃で１時間乾燥した。このような無電解ニッケルめっきにより、希土類磁石と、希土類磁石の表面全体を覆う第一膜と、第一膜の表面全体を覆う第二膜と、を備える実施例１の磁石部材を得た。

実施例１の磁石部材の表面（つまり、第二膜の表面）の中央に位置する１点におけるリンの濃度を、上記のＬＡ−ＩＣＰ−ＭＳにより測定した。第二膜におけるリンの濃度を、下記表１に示す。

第二膜の表面の表面上の１５点において、第一膜の厚み及び第二膜の厚みの合計を上記の蛍光Ｘ線膜厚計により測定した。これ等の測定値から、第一膜の厚み及び第二膜の厚みの合計の平均値（Ｔ１＋Ｔ２）を算出した。（Ｔ１＋Ｔ２）及びＴ１から、第二膜の厚みの平均値Ｔ２を算出した。Ｔ１及びＴ２から、Ｔ２／Ｔ１を算出した。Ｔ２、（Ｔ１＋Ｔ２）及びＴ２／Ｔ１を、下記表１に示す。

第一膜及び第二膜に覆われていない別の希土類磁石を準備した。別の希土類磁石は、上記実施例１の磁石部材の作製に用いたものと同じ寸法、形状及び組成を有するものであった。この希土類磁石を、脱脂液に５分浸漬し、純水で洗浄した。続いて、希土類磁石を、１．０ｖｏｌ％の硝酸を含む水溶液に２分浸漬し、純水で再び洗浄した。続いて、希土類磁石を、Ｐｄイオンを含む水溶液に５分浸漬し、純水で再び洗浄した。希土類磁石を、上記の第二めっき液に１２０分浸漬した。続いて、第二めっき液から取り出した希土類磁石を純水で洗浄した。このような無電解ニッケルめっきにより、希土類磁石と、希土類磁石の表面全体を直接覆う第二膜と、を備える試料Ｂを得た。

試料ＢのＸＲＤパターンを上記と同じ装置で測定した。上記と同様の方法で第二膜の結晶構造を特定した。第二膜の結晶構造を、下記表１に示す。試料Ｂを用いて特定された第二膜の結晶構造は、実施例１の磁石部材が備える第二膜の結晶構造と同じものとみなされる。

（実施例２〜１９、及び比較例１〜３）
下記の事項を除いて実施例１と同様の方法で、実施例２〜１９、及び比較例１〜３其々の磁石部材を作製した。実施例１と同様の方法で、実施例２〜１９、及び比較例１〜３其々の磁石部材についての測定を行った。各磁石部材についての測定結果を下記表に示す。

各実施例及び比較例３では、第一めっき液における次亜リン酸ナトリウムの含有率を０．３〜０．５ｍｏｌ／Ｌの範囲内で調整することにより、非晶質である第一膜を形成した。

各実施例（実施例１０を除く。）及び比較例２は、第二めっき液における次亜リン酸ナトリウムの含有率を０．１〜０．３ｍｏｌ／Ｌの範囲内で調整することにより、結晶質である第二膜を形成した。

実施例１０では、還元剤として、次亜リン酸ナトリウムではなく、ジメチルアミンボランを第二めっき液へ添加した。

比較例１及び２では、上記実施例に比べて次亜リン酸ナトリウムの含有率が低い第一めっき液を用いることにより、結晶質である第一膜を形成した。比較例１及び３では、上記実施例に比べて次亜リン酸ナトリウムの含有率が高い第二めっき液を用いることにより、非晶質である第二膜を形成した。

実施例及び比較例のいずれにおいても、希土類磁石を第一めっき液中に浸漬する時間の調整により、第一膜の厚み（Ｔ１）を制御した。第一めっき液における浸漬時間が長いほど、第一膜は厚くなりやり易い。実施例及び比較例のいずれにおいても、試料Ａを第二めっき液中に浸漬する時間の調整により、第二膜の厚み（Ｔ２）を制御した。第二めっき液における浸漬時間が長いほど、第二膜は厚くなりやり易い。

［耐食性の評価］
実施例及び比較例其々の磁石部材の耐食性を、以下のプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ； Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）により評価した。

ＰＣＴでは、各磁石部材を恒温槽内に所定の時間設置した。恒温槽内の気圧を１．７×１０^５Ｐａに維持し、恒温槽内の温度を１２０℃に維持し、恒温槽内の湿度を１００％ＲＨに維持した。

実施例及び比較例其々のＰＣＴの評価を下記表に示す。なお、下記表中のＰＣＴの欄に記載のＡ、Ｂ及びＣは其々以下の事を意味する。評価結果がＡ又はＢである磁石部材は、耐食性に優れる。評価結果がＡである磁石部材は、評価結果がＢである磁石部材よりも、耐食性に優れる。評価結果がＣである磁石部材は、耐食性に劣り、実用に耐えない。

Ａとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから２０時間経過した時点において、第一膜及び第二膜の磁石部材からの剥離、並びに磁石部材表面の変色のいずれも起こらなかったことを意味する。当然、評価がＡである磁石部材は、下記Ｂ及びＣには該当しない。
Ｂとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから２０時間経過した時点において、第一膜若しくは第二膜の磁石部材からの剥離、又は磁石部材表面の変色が確認されたことを意味する。当然、評価がＢである磁石部材は、下記Ｃには概当しない。
Ｃとは、磁石部材が恒温槽内に設置されてから１０時間経過した時点において、第一膜若しくは第二膜の磁石部材からの剥離、又は磁石部材表面の変色が確認されたことを意味する。

［硬度の評価］
実施例及び比較例其々の磁石部材のビッカース硬さを、以下の試験によって測定した。

試験には、ダイヤモンドからなる圧子を用いた。圧子の先端の形状は、対面角αが約１３６°である正四角錐であった。圧子の先端を、０．０５Ｎで１０秒間、各磁石部材の表面に対して略垂直に押し付けた。続いて、各磁石部材の表面に生じた四辺形の圧痕の２つの対角線の長さを測定した。測定結果に基づき、下記式から、各磁石部材のビッカース硬さ（ＨＶ）を算出した。
ビッカース硬さ＝０．１８９１×Ｆ[Ｎ]/ｄ^２[ｍｍ^２]
上記式中、Ｆ[Ｎ]は０．０５Ｎである。つまり、Ｆは、圧子の先端が磁石部材の表面に及ぼした力（荷重）である。ｄは、圧痕の２つの対角線の長さの平均値である。

各磁石部材のビッカース硬さの評価を下記表に示す。なお、下記表中のビッカース硬さの欄に記載のＡ、Ｂ及びＣは其々以下の事を意味する。磁石部材の硬度が高いほど、磁石部材は耐摩耗性に優れる。評価結果がＣである磁石部材は、耐摩耗性に劣り、実用に耐えない。

Ａとは、ビッカース硬さがＨＶ７５０以上であることを意味する。
Ｂとは、ビッカース硬さがＨＶ５００以上ＨＶ７５０未満であることを意味する。
Ｃとは、ビッカース硬さがＨＶ５００未満であることを意味する。

［総合評価］
実施例及び比較例其々の総合評価を、下記表に示す。なお、下記表中の総合評価の欄に記載のＡ’、Ｂ’及びＣ’は其々以下の事を意味する。総合評価がＣ’である磁石部材は、実用に耐えない。

Ａ’とは、ＰＣＴの評価及びビッカース硬さの評価のいずれもＡであることを意味する。
Ｂ’とは、ＰＣＴの評価及びビッカース硬さの評価のいずれもＣではなく、ＰＣＴの評価及びビッカース硬さの評価のうち少なくとも一方がＢであることを意味する。
Ｃ’とは、ＰＣＴの評価及びビッカース硬さの評価のうち少なくとも一方がＣであることを意味する。

本発明の一側面に係る磁石部材は、例えば、ＨＤＤが備えるＶＣＭ用の永久磁石に適用される。

２…磁石部材、４…希土類磁石、６…第一膜、６ａ…第一膜の厚み、８…第二膜、８ａ…第二膜の厚み。

Claims (4)

1. 希土類元素、遷移金属元素及びホウ素を含む希土類磁石と、
   ニッケル及びリンを含み、前記希土類磁石を直接覆う第一膜と、
   ニッケルを含み、前記第一膜を直接覆う第二膜と、
   を備え、
   前記第一膜が非晶質であり、
   前記第二膜が結晶質であり、
   前記第一膜の厚み及び前記第二膜の厚みの合計が、１０μｍ未満である、
   磁石部材。
2. 前記第二膜がリンを含み、
   前記第一膜におけるリンの濃度が、９．９〜１９．２原子％であり、
   前記第二膜におけるリンの濃度が、０．９〜７．１原子％である、
   請求項１に記載の磁石部材。
3. 前記第一膜の厚みが、０．５〜１．６μｍであり、
   前記第二膜の厚みが、１．０〜８．８μｍであり、
   前記第二膜の厚みが、前記第一膜の厚みの２倍以上１１倍以下である、
   請求項１又は２に記載の磁石部材。
4. 前記第一膜が前記希土類磁石の表面全体を直接覆い、
   前記第二膜が前記第一膜の表面全体を直接覆う、
   請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁石部材。

Images