JP5896607B2 - Wafer manufacturing method and wafer transport method - Google Patents

Wafer manufacturing method and wafer transport method Download PDF

Info

Publication number
JP5896607B2
JP5896607B2 JP2011051991A JP2011051991A JP5896607B2 JP 5896607 B2 JP5896607 B2 JP 5896607B2 JP 2011051991 A JP2011051991 A JP 2011051991A JP 2011051991 A JP2011051991 A JP 2011051991A JP 5896607 B2 JP5896607 B2 JP 5896607B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
grinding
support
annular convex
peripheral
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011051991A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2012190931A (en
Inventor
森 俊
俊 森
Original Assignee
株式会社ディスコ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ディスコ filed Critical 株式会社ディスコ
Priority to JP2011051991A priority Critical patent/JP5896607B2/en
Publication of JP2012190931A publication Critical patent/JP2012190931A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5896607B2 publication Critical patent/JP5896607B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを有するウエーハの製造方法及び該ウエーハを搬送するウエーハの搬送方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wafer having a circular concave portion and an annular convex portion surrounding the circular concave portion, and a wafer conveying method for conveying the wafer.
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された各領域にIC、LSI等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切削装置で切削することにより、半導体ウエーハは個々の半導体チップ(デバイス)に分割される。   In a semiconductor device manufacturing process, a plurality of regions are partitioned by dividing lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a substantially wafer-shaped semiconductor wafer, and ICs, LSIs, and the like are divided into the partitioned regions. Form the device. Then, the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips (devices) by cutting the semiconductor wafer along a street with a cutting device.
個々のチップに分割されるウエーハは、ストリートに沿って切削する前に裏面を研削されて所定の厚さに加工される。近年、電気機器の軽量化、小型化を達成するために、ウエーハの厚さをより薄く、例えば50μm程度にすることが要求されている。   A wafer to be divided into individual chips is ground to a predetermined thickness by grinding the back surface before cutting along the street. In recent years, in order to achieve a reduction in weight and size of electrical equipment, it has been required to make the wafer thinner, for example, about 50 μm.
このように薄く形成されたウエーハは取り扱いが困難になり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウエーハのデバイス領域に対応する裏面のみを研削し、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に対応するウエーハの裏面に環状凸部(環状補強部)を形成する研削方法が特開2007−19461号公報で提案されている。   Such thin wafers are difficult to handle and may be damaged during transportation. Therefore, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-19461 discloses a grinding method in which only the back surface corresponding to the device region of the wafer is ground and an annular convex portion (annular reinforcing portion) is formed on the back surface of the wafer corresponding to the outer peripheral surplus region surrounding the device region. Proposed in the gazette.
このような研削方法により研削されたウエーハは、デバイス領域に対応するウエーハの裏面に円形凹部を有し、円形凹部は補強部として作用する環状凸部により囲繞されており、このような形状のウエーハを搬送する際には、従来は円形凹部の底面を吸着パッドにより直接吸着して搬送していた。   A wafer ground by such a grinding method has a circular concave portion on the back surface of the wafer corresponding to the device region, and the circular concave portion is surrounded by an annular convex portion acting as a reinforcing portion. Conventionally, the bottom surface of the circular recess is directly sucked by a suction pad and transported.
特開2007−19461号公報JP 2007-19461 A
ところで、ウエーハのデバイスが個別半導体デバイスの場合、円形凹部の底面に電極となる金属膜を形成する。このようなウエーハでは、円形凹部を直接吸着パッドで吸着して搬送すると、吸着パッドとの接触により異物(コンタミ)が円形凹部に付着して金属膜形成時に問題となる。   By the way, when the wafer device is an individual semiconductor device, a metal film serving as an electrode is formed on the bottom surface of the circular recess. In such a wafer, when the circular recess is directly sucked and transported by the suction pad, foreign matter (contamination) adheres to the circular recess due to contact with the suction pad, which causes a problem when the metal film is formed.
一方、ベルヌーイパッドを用いた非接触搬送では、発生する負圧でウエーハの円形凹部の部分が撓んで環状凸部と円形凹部との境界から破損してしまう恐れがあるとともに、搬送時にウエーハが横滑りすることによる搬送の難しさもある。   On the other hand, in non-contact conveyance using a Bernoulli pad, the negative concave portion of the wafer may bend due to the negative pressure generated and be damaged from the boundary between the circular convex portion and the circular concave portion. There is also difficulty in transporting.
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、上述した従来の問題点を解決したウエーハの製造方法及びウエーハの搬送方法を提供することである。 The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wafer and a method for transporting a wafer that solve the above-described conventional problems.
請求項1記載の発明によると、円形凹部と該円形凹部を囲繞する所定の幅を有する環状凸部とが裏面に形成され、該環状凸部の内周壁に局所的に複数の円弧状のへこみ部を有するウエーハの製造方法であって、該複数の円弧状のへこみ部は、研削ホイールを用いて該環状凸部を内周側から研削し、該環状凸部の幅を該所定の幅より小さい幅とすることにより形成されることを特徴とするウエーハの製造方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, the circular concave portion and the annular convex portion having a predetermined width surrounding the circular concave portion are formed on the back surface , and a plurality of arc-shaped indentations are locally formed on the inner peripheral wall of the annular convex portion. A method of manufacturing a wafer having a portion , wherein the plurality of arc-shaped indentations are obtained by grinding the annular convex portion from the inner peripheral side using a grinding wheel, and reducing the width of the annular convex portion from the predetermined width. A method for manufacturing a wafer is provided, wherein the wafer is formed by having a small width.
請求項2記載の発明によると、請求項1記載のウエーハの製造方法によって製造されたウエーハをウエーハ搬送機構により搬送するウエーハの搬送方法であって、該ウエーハ搬送機構は、旋回アームと、該旋回アームの先端に取り付けられたヘッド部と、該ヘッド部に該円弧状のへこみ部に対応して半径方向に伸縮自在に装着された複数の支持部材と、該複数の支持部材の先端にそれぞれ装着された複数の支持指とを有し、該複数の支持部材をそれぞれ半径方向に伸ばすことにより該複数の支持指を該複数の円弧状のへこみ部にそれぞれ挿入し、該ヘッド部を該旋回アームに対して回転させて該複数の支持指を該円弧状のへこみ部に摩擦接触させ、該複数の支持指で前記環状凸部の前記内周壁を支持した状態でウエーハを搬送することを特徴とするウエーハの搬送方法が提供される。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a wafer transport method for transporting a wafer manufactured by the wafer manufacturing method according to the first aspect by a wafer transport mechanism, the wafer transport mechanism comprising: a swivel arm; A head portion attached to the tip of the arm, a plurality of support members attached to the head portion so as to expand and contract in a radial direction corresponding to the arc-shaped depression, and attached to the tips of the plurality of support members, respectively. A plurality of support fingers, and the plurality of support members are inserted into the plurality of arc-shaped depressions by extending the plurality of support members in the radial direction, respectively, and the head portion is moved to the swivel arm. The plurality of support fingers are brought into frictional contact with the arcuate recesses, and the wafer is conveyed with the plurality of support fingers supporting the inner peripheral wall of the annular convex portion. Method of transporting wafers to is provided.
請求項1記載の発明によると、ウエーハの搬送時に円形凹部の底面に異物(コンタミ)が付着することがなく、また搬送中に環状凸部と円形凹部との境界から破損する恐れが低減された裏面に円形凹部と該円形凹部を囲繞する環状凸部とを備えるウエーハの製造方法が提供される。 According to the first aspect of the present invention, foreign matter (contamination) does not adhere to the bottom surface of the circular concave portion during wafer conveyance, and the possibility of breakage from the boundary between the annular convex portion and the circular concave portion during conveyance is reduced. Provided is a wafer manufacturing method including a circular concave portion and an annular convex portion surrounding the circular concave portion on a back surface.
請求項2記載の発明によると、円形凹部の底面に異物(コンタミ)を付着させる恐れがなく、また搬送中に環状凸部と円形凹部との境界から破損する恐れが低減されたウエーハの搬送方法が提供される。   According to the second aspect of the present invention, there is no risk of foreign matter (contamination) adhering to the bottom surface of the circular concave portion, and the wafer transport method in which the risk of breakage from the boundary between the annular convex portion and the circular concave portion during transport is reduced. Is provided.
半導体ウエーハの表面側斜視図である。It is a surface side perspective view of a semiconductor wafer. 表面に保護テープが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。It is a back surface side perspective view of the semiconductor wafer by which the protective tape was stuck on the surface. 本発明のウエーハの搬送方法を実施するのに適した研削装置の斜視図である。1 is a perspective view of a grinding apparatus suitable for carrying out the wafer transport method of the present invention. ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)の要部斜視図である。It is a principal part perspective view of a wafer carrying-out mechanism (unloading arm). デバイス領域に対応するウエーハの裏面を研削する様子を示す斜視図である。It is a perspective view which shows a mode that the back surface of the wafer corresponding to a device area | region is ground. 図5の研削方法の説明図である。It is explanatory drawing of the grinding method of FIG. 図5及び図6の研削方法によりウエーハの裏面が研削されたウエーハの縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the wafer by which the back surface of the wafer was ground by the grinding method of FIG.5 and FIG.6. 第1実施形態のウエーハを形成する方法を説明する平面図である。It is a top view explaining the method of forming the wafer of 1st Embodiment. 第1実施形態のウエーハの平面図である。It is a top view of the wafer of a 1st embodiment. 第2実施形態のウエーハの平面図である。It is a top view of the wafer of a 2nd embodiment. 図11(A)はウエーハの搬送方法を説明する平面図、図11(B)はその一部断面側面図である。FIG. 11A is a plan view for explaining a method of transporting a wafer, and FIG. 11B is a partial sectional side view thereof. 図12(A)はウエーハの搬送方法を説明する平面図、図12(B)はその一部断面側面図である。FIG. 12A is a plan view for explaining a wafer transport method, and FIG. 12B is a partial sectional side view thereof. 図13(A)はウエーハの搬送方法を説明する平面図、図13(B)はその一部断面側面図である。FIG. 13A is a plan view for explaining a method for transporting a wafer, and FIG. 13B is a partial sectional side view thereof.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1は所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハの斜視図である。図1に示す半導体ウエーハ11は、例えば厚さが700μmのシリコンウエーハから成っており、表面11aに複数のストリート13が格子状に形成されているとともに、該複数のストリート13によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス15が形成されている。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a semiconductor wafer before being processed to a predetermined thickness. The semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 700 μm, and a plurality of streets 13 are formed in a lattice shape on the surface 11a, and a plurality of streets partitioned by the plurality of streets 13 are formed. A device 15 such as an IC or LSI is formed in the region.
このように構成された半導体ウエーハ11は、デバイス15が形成されているデバイス領域17と、デバイス領域17を囲繞する外周余剰領域19を備えている。また、半導体ウエーハ11の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ21が形成されている。   The semiconductor wafer 11 configured as described above includes a device region 17 in which the device 15 is formed, and an outer peripheral surplus region 19 that surrounds the device region 17. A notch 21 is formed on the outer periphery of the semiconductor wafer 11 as a mark indicating the crystal orientation of the silicon wafer.
半導体ウエーハ11の表面11aには、保護テープ貼着工程により保護テープ23が貼着される。従って、半導体ウエーハ11の表面11aは保護テープ23によって保護され、図2に示すように裏面11bが露出する形態となる。   A protective tape 23 is attached to the surface 11a of the semiconductor wafer 11 by a protective tape attaching process. Therefore, the front surface 11a of the semiconductor wafer 11 is protected by the protective tape 23, and the back surface 11b is exposed as shown in FIG.
図3を参照すると、本発明第1実施形態に係るウエーハを形成する方法およびウエーハの搬送方法を実施するのに適した研削装置2の斜視図が示されている。4は研削装置2のベースであり、ベース4の後方にはコラム6が立設されている。このコラム6には、上下方向に伸びる一対のガイドレール8が固定されている。   Referring to FIG. 3, there is shown a perspective view of a grinding apparatus 2 suitable for carrying out the wafer forming method and the wafer transport method according to the first embodiment of the present invention. Reference numeral 4 denotes a base of the grinding apparatus 2, and a column 6 is erected on the rear side of the base 4. A pair of guide rails 8 extending in the vertical direction are fixed to the column 6.
この一対のガイドレール8に沿って研削ユニット(研削手段)10が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット10は、研削ユニット10のハウジング20を支持する支持ブラケット34が一対のガイドレール8に沿って上下方向に移動する移動基台12に取り付けられている。   A grinding unit (grinding means) 10 is mounted along the pair of guide rails 8 so as to be movable in the vertical direction. In the grinding unit 10, a support bracket 34 that supports the housing 20 of the grinding unit 10 is attached to the moving base 12 that moves in the vertical direction along the pair of guide rails 8.
研削ユニット10はハウジング20と、ハウジング20中に回転可能に収容されたスピンドル22と、スピンドル22を回転駆動するモータ24と、スピンドル22の先端に固定されたホイールマウント26と、ホイールマウント26に着脱可能に装着された研削ホイール28を含んでいる。   The grinding unit 10 includes a housing 20, a spindle 22 rotatably accommodated in the housing 20, a motor 24 that rotationally drives the spindle 22, a wheel mount 26 fixed to the tip of the spindle 22, and a detachable attachment to the wheel mount 26. It includes a grinding wheel 28 which is mounted as possible.
研削ユニット10は、研削ユニット10を一対の案内レール8に沿って上下方向に移動するボールねじ14とパルスモータ16とから構成される研削ユニット送り機構18を備えている。パルスモータ16を駆動すると、ボールねじ14が回転し、移動基台12が上下方向に移動される。   The grinding unit 10 includes a grinding unit feed mechanism 18 including a ball screw 14 and a pulse motor 16 that move the grinding unit 10 up and down along a pair of guide rails 8. When the pulse motor 16 is driven, the ball screw 14 rotates and the moving base 12 is moved in the vertical direction.
ベース4の中間部分にはチャックテーブル38を備えたチャックテーブル機構36が配設されている。チャックテーブル38は図示しないチャックテーブル移動機構により、ウエーハ搬入・搬出領域と研削ユニット10に対向する切削領域との間でY軸方向に移動される。40はチャックテーブル機構36をカバーする蛇腹である。   A chuck table mechanism 36 having a chuck table 38 is disposed at an intermediate portion of the base 4. The chuck table 38 is moved in the Y-axis direction between a wafer carry-in / carry-out region and a cutting region facing the grinding unit 10 by a chuck table moving mechanism (not shown). A bellows 40 covers the chuck table mechanism 36.
ベース4の前側部分には2個のカセット載置台42,44が一体的に形成されており、カセット載置台42上には研削前のウエーハを収容するカセット46が載置され、カセット載置台44上には研削後のウエーハを収容するカセット48が載置される。   Two cassette mounting tables 42 and 44 are integrally formed on the front portion of the base 4, and a cassette 46 for storing a wafer before grinding is mounted on the cassette mounting table 42. A cassette 48 for accommodating the wafer after grinding is placed on the top.
2個のカセット載置台42,44に加えて、ベース4の前側部分にはウエーハ搬送ロボット50と、複数の位置決めピン54を有する位置決め機構52と、ウエーハ搬入機構(ローディングアーム)56と、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)58と、スピンナテーブル61を有するスピンナ洗浄ユニット60が配設されている。   In addition to the two cassette mounting tables 42 and 44, a wafer transfer robot 50, a positioning mechanism 52 having a plurality of positioning pins 54, a wafer loading mechanism (loading arm) 56, and a wafer carry-out are provided on the front side portion of the base 4. A mechanism (unloading arm) 58 and a spinner cleaning unit 60 having a spinner table 61 are provided.
図4を参照すると、ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)58の要部斜視図が示されている。ウエーハ搬出機構58は、旋回アーム62と、旋回アーム62の先端に取り付けられたヘッド部64と、ヘッド部64に装着された伸縮可能な一対の支持部材66,68と、支持部材66,68の先端に装着された支持指70とから構成される。   Referring to FIG. 4, a perspective view of a main part of a wafer unloading mechanism (unloading arm) 58 is shown. The wafer carry-out mechanism 58 includes a swivel arm 62, a head part 64 attached to the tip of the swivel arm 62, a pair of extendable support members 66 and 68 attached to the head part 64, and support members 66 and 68. It is comprised from the support finger 70 with which the front-end | tip was mounted | worn.
支持指70はゴム等の弾性部材から形成されるのが好ましい。一対の支持部材66,68は、例えばヘッド部64中に収容されたエアシリンダによりヘッド部64に対して伸縮される。   The support finger 70 is preferably formed from an elastic member such as rubber. The pair of support members 66 and 68 are expanded and contracted with respect to the head portion 64 by, for example, an air cylinder accommodated in the head portion 64.
次に、図5乃至図7を参照して、半導体ウエーハ11の裏面11bに円形凹部と円形凹部を囲繞する環状凸部とを形成する研削方法について説明する。図5に示すように、研削ホイール28は基台30と、基台30の下端外周に環状に配設された複数の研削砥石28を含んでいる。   Next, a grinding method for forming a circular concave portion and an annular convex portion surrounding the circular concave portion on the back surface 11b of the semiconductor wafer 11 will be described with reference to FIGS. As shown in FIG. 5, the grinding wheel 28 includes a base 30 and a plurality of grinding wheels 28 arranged annularly on the outer periphery of the lower end of the base 30.
ウエーハ11は保護テープ23側がチャックテーブル38により吸引保持され、ウエーハ11の裏面11bが研削砥石32に対向してセットされる。ここで、チャックテーブル38に保持されたウエーハ11と研削ホイール28に装着された研削砥石32との関係について図6を参照して説明する。   The wafer 11 is suction-held on the protective tape 23 side by the chuck table 38, and the back surface 11 b of the wafer 11 is set to face the grinding wheel 32. Here, the relationship between the wafer 11 held on the chuck table 38 and the grinding wheel 32 mounted on the grinding wheel 28 will be described with reference to FIG.
チャックテーブル38の回転中心P1と環状に配設された研削砥石32の回転中心P2は偏心しており、研削砥石32の外径はウエーハ11のデバイス領域17と外周余剰領域19との境界線25の直径より小さく境界線25の半径より大きい寸法に設定され、環状に配設された研削砥石32がチャックテーブル38の回転中心P1を通過するような関係になっている。   The rotation center P1 of the chuck table 38 and the rotation center P2 of the grinding wheel 32 arranged in an annular shape are eccentric, and the outer diameter of the grinding wheel 32 is the boundary line 25 between the device region 17 of the wafer 11 and the outer peripheral surplus region 19. The relationship is such that the grinding wheel 32 which is smaller than the diameter and larger than the radius of the boundary line 25 and which is annularly arranged passes through the rotation center P 1 of the chuck table 38.
図5に示すように、チャックテーブル38を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール28を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、研削ユニット送り機構18を作動して研削ホイール28の研削砥石32をウエーハ11の裏面に接触させる。そして、切削ホイール28を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。   As shown in FIG. 5, while rotating the chuck table 38 in the direction indicated by arrow a at 300 rpm, for example, the grinding wheel 28 is rotated in the direction indicated by arrow b at, for example, 6000 rpm, and the grinding unit feed mechanism 18 is operated. The grinding wheel 32 of the grinding wheel 28 is brought into contact with the back surface of the wafer 11. Then, the cutting wheel 28 is ground by a predetermined amount at a predetermined grinding feed speed.
その結果、半導体ウエーハ11の裏面には、図7に示すように、デバイス領域17に対応する領域が研削除去されて所定厚さ(例えば50μm)の円形凹部72が形成されるとともに、外周余剰領域19に対応する領域は残存されて外周余剰領域19を含む環状凸部74が形成される。   As a result, on the back surface of the semiconductor wafer 11, as shown in FIG. 7, a region corresponding to the device region 17 is ground and removed to form a circular recess 72 having a predetermined thickness (for example, 50 μm), and an outer peripheral surplus region. The region corresponding to 19 is left, and an annular convex portion 74 including the outer peripheral surplus region 19 is formed.
図8を参照すると、本発明第1実施形態のウエーハを形成する方法を説明する平面図が示されている。この形成方法は、図5乃至図7に示した円形凹部研削工程で使用した研削ホイール28を使用する。   Referring to FIG. 8, there is shown a plan view illustrating a method for forming a wafer according to the first embodiment of the present invention. This forming method uses the grinding wheel 28 used in the circular recess grinding step shown in FIGS.
即ち、研削ホイール28を矢印b方向に例えば6000rpmで回転しつつ、チャックテーブル38を回転させずに矢印Y方向に移動して、研削ホイール28の研削砥石32を環状凸部74の内周壁74aに接触させる。   That is, while rotating the grinding wheel 28 in the direction of arrow b at, for example, 6000 rpm, the chuck table 38 is moved in the direction of arrow Y without rotating, and the grinding wheel 32 of the grinding wheel 28 is moved to the inner peripheral wall 74a of the annular protrusion 74. Make contact.
チャックテーブル38を矢印Y方向に加工送りしながら環状凸部74を内周壁74a側から研削して環状凸部74の内周にへこみ部76を形成する。更に、へこみ部76の反対側の環状凸部74の内周にも図9に示すようにへこみ部76を形成する。図9で環状凸部74は所定幅W1を有している。   The annular convex portion 74 is ground from the inner peripheral wall 74 a side while the chuck table 38 is processed and fed in the arrow Y direction to form a dent 76 on the inner periphery of the annular convex portion 74. Further, as shown in FIG. 9, a dent 76 is formed on the inner periphery of the annular convex portion 74 on the opposite side of the dent 76. In FIG. 9, the annular protrusion 74 has a predetermined width W1.
図10を参照すると、本発明第2実施形態のウエーハ11Aの平面図が示されている。本実施形態のウエーハ11Aは環状凸部74の内周壁74aに3個のへこみ部78を有している。   Referring to FIG. 10, a plan view of a wafer 11A according to the second embodiment of the present invention is shown. The wafer 11 </ b> A of the present embodiment has three indentations 78 on the inner peripheral wall 74 a of the annular protrusion 74.
へこみ部78の形成は、研削ホイール28よりも小径の研削ホイールをホイールマウント26に装着して実施する。へこみ部78の形成方法は図8を参照して説明したへこみ部76の形成と同様である。   The indentation 78 is formed by attaching a grinding wheel having a smaller diameter than the grinding wheel 28 to the wheel mount 26. The formation method of the dent part 78 is the same as the formation of the dent part 76 described with reference to FIG.
次に、図11乃至図13を参照して、環状凸部74の内周壁74aに二つのへこみ部76を有する第1実施形態のウエーハ11の搬送方法について説明する。へこみ部76の形成の終了したウエーハ11は、チャックテーブル移動機構を駆動することによりウエーハ搬入・搬出領域に移動されて、ウエーハ搬出機構58によりチャックテーブル38から搬出される。   Next, with reference to FIG. 11 thru | or FIG. 13, the conveyance method of the wafer 11 of 1st Embodiment which has the two recessed parts 76 in the internal peripheral wall 74a of the cyclic | annular convex part 74 is demonstrated. After the formation of the indented portion 76, the wafer 11 is moved to the wafer carry-in / out region by driving the chuck table moving mechanism, and is carried out from the chuck table 38 by the wafer carry-out mechanism 58.
この搬出方法(搬送方法)について図11乃至図13を参照して説明する。尚、図11乃至図13において、(A)に示した平面図と、(B)に示した一部断面側面図とでは、図示を明瞭にするために旋回アーム62を互いに90度回転して示している。   This unloading method (conveying method) will be described with reference to FIGS. In FIGS. 11 to 13, in the plan view shown in FIG. 11A and the partial cross-sectional side view shown in FIG. Show.
図11に示すように、ウエーハ搬出機構58の支持部材66,68を縮めた状態で旋回アーム62を下降し、支持部材66,68の先端の支持指70をウエーハ11の円形凹部72中に挿入する。   As shown in FIG. 11, the swing arm 62 is lowered with the support members 66 and 68 of the wafer carry-out mechanism 58 contracted, and the support fingers 70 at the tips of the support members 66 and 68 are inserted into the circular recesses 72 of the wafer 11. To do.
そして、ヘッド部64に収容されているエアシリンダを駆動して支持部材66,68を図12(B)で矢印Aで示すように伸長し、支持指70がへこみ部76に接触する寸前でエアシリンダの駆動を停止する。   Then, the air cylinder accommodated in the head portion 64 is driven to extend the support members 66 and 68 as indicated by an arrow A in FIG. 12B, and the air just before the support finger 70 contacts the indented portion 76. Stop driving the cylinder.
この状態で図13に示すように、ヘッド部64を旋回アーム62に対して矢印B方向に僅かばかり回転すると、支持指70がへこみ部76に摩擦接触し、支持指70でウエーハ11を支持することができる。   In this state, as shown in FIG. 13, when the head portion 64 is slightly rotated in the direction of arrow B with respect to the turning arm 62, the support finger 70 comes into frictional contact with the indented portion 76, and the wafer 11 is supported by the support finger 70. be able to.
チャックテーブル38の吸引保持を解除してから、支持指70で環状凸部74のへこみ部76を支持した状態で旋回アーム62を上昇してから、図3で反時計周り方向に旋回し、スピンナ洗浄ユニット60のスピンナテーブル61までウエーハ11を搬送し、エアシリンダにより支持部材66,68をヘッド部64に引き込むことにより、ウエーハ11をスピンナテーブル61に載置する。   After the suction holding of the chuck table 38 is released, the turning arm 62 is raised with the supporting finger 70 supporting the indented portion 76 of the annular convex portion 74, and then turned counterclockwise in FIG. The wafer 11 is transported to the spinner table 61 of the cleaning unit 60, and the support members 66 and 68 are pulled into the head portion 64 by the air cylinder, so that the wafer 11 is placed on the spinner table 61.
スピンナ洗浄ユニット60でウエーハ11を洗浄及びスピン乾燥した後、ウエーハ搬送ロボット50で洗浄後のウエーハ11を吸引保持してカセット48の所定位置に挿入する。   After the wafer 11 is cleaned and spin-dried by the spinner cleaning unit 60, the cleaned wafer 11 is sucked and held by the wafer transfer robot 50 and inserted into a predetermined position of the cassette 48.
上述した実施形態では、本発明を半導体ウエーハ11に適用した例について説明したが、ウエーハは半導体ウエーハに限定されるものではなく、サファイアウエーハ、SiCウエーハ等の他のウエーハも含むものである。   In the above-described embodiment, the example in which the present invention is applied to the semiconductor wafer 11 has been described. However, the wafer is not limited to the semiconductor wafer, and includes other wafers such as a sapphire wafer and a SiC wafer.
また、図1に示した半導体ウエーハ11はその表面11aに複数のデバイス15が形成されているが、本発明のウエーハは表面にデバイスを有しないインゴットから切り出されたウエーハを含むものである。   Further, the semiconductor wafer 11 shown in FIG. 1 has a plurality of devices 15 formed on its surface 11a, but the wafer of the present invention includes a wafer cut from an ingot having no device on the surface.
尚、上述した第1及び第2実施形態のウエーハ11,11Aでは、環状凸部74の内周壁にへこみ部を2個及び3個形成した例について説明したが、へこみ部の数はこれらに限定されるものではない。図10に示した第2実施形態のウエーハ11Aを搬送する場合には、ウエーハ搬出機構58は3個の支持部材をへこみ部78の角度に対応して設ける必要がある。   In addition, in the wafers 11 and 11A of the first and second embodiments described above, the example in which two and three dent portions are formed on the inner peripheral wall of the annular convex portion 74 has been described, but the number of the dent portions is limited to these. Is not to be done. When transporting the wafer 11 </ b> A of the second embodiment shown in FIG. 10, the wafer carry-out mechanism 58 needs to provide three support members corresponding to the angle of the indented portion 78.
2 研削装置
10 研削ユニット
11 半導体ウエーハ
17 デバイス領域
19 外周余剰領域
28 研削ホイール
32 研削砥石
38 チャックテーブル
58 ウエーハ搬出機構(アンローディングアーム)
62 旋回アーム
64 ヘッド部
66,68 支持部材
70 支持指
72 円形凹部
74 環状凸部
74b 内周壁
76,78 へこみ部
2 Grinding apparatus 10 Grinding unit 11 Semiconductor wafer 17 Device area 19 Peripheral surplus area 28 Grinding wheel 32 Grinding wheel 38 Chuck table 58 Wafer unloading mechanism (unloading arm)
62 Revolving arm 64 Head portion 66, 68 Support member 70 Support finger 72 Circular recess 74 Annular protrusion 74b Inner peripheral wall 76, 78 Recessed portion

Claims (2)

  1. 円形凹部と該円形凹部を囲繞する所定の幅を有する環状凸部とが裏面に形成され、該環状凸部の内周壁に局所的に複数の円弧状のへこみ部を有するウエーハの製造方法であって、
    該複数の円弧状のへこみ部は、研削ホイールを用いて該環状凸部を内周側から研削し、該環状凸部の幅を該所定の幅より小さい幅とすることにより形成されることを特徴とするウエーハの製造方法
    This is a method for manufacturing a wafer in which a circular concave portion and an annular convex portion having a predetermined width surrounding the circular concave portion are formed on the back surface, and a plurality of arc-shaped concave portions are locally provided on the inner peripheral wall of the annular convex portion. And
    The plurality of arc-shaped indentations are formed by grinding the annular projection from the inner peripheral side using a grinding wheel, and setting the width of the annular projection to a width smaller than the predetermined width. A method for producing a wafer.
  2. 請求項1記載のウエーハの製造方法によって製造されたウエーハをウエーハ搬送機構により搬送するウエーハの搬送方法であって、
    該ウエーハ搬送機構は、旋回アームと、該旋回アームの先端に取り付けられたヘッド部と、該ヘッド部に該円弧状のへこみ部に対応して半径方向に伸縮自在に装着された複数の支持部材と、該複数の支持部材の先端にそれぞれ装着された複数の支持指とを有し、
    該複数の支持部材をそれぞれ半径方向に伸ばすことにより該複数の支持指を該複数の円弧状のへこみ部にそれぞれ挿入し、該ヘッド部を該旋回アームに対して回転させて該複数の支持指を該円弧状のへこみ部に摩擦接触させ、該複数の支持指で前記環状凸部の前記内周壁を支持した状態でウエーハを搬送することを特徴とするウエーハの搬送方法。
    A wafer transport method for transporting a wafer manufactured by the wafer manufacturing method according to claim 1 by a wafer transport mechanism,
    The wafer transport mechanism includes a swivel arm, a head portion attached to the tip of the swivel arm, and a plurality of support members mounted on the head portion so as to be expandable and contractable in a radial direction corresponding to the arcuate recess. And a plurality of support fingers respectively attached to the tips of the plurality of support members,
    The plurality of support fingers are respectively inserted into the plurality of arc-shaped depressions by extending the plurality of support members in the radial direction, and the head unit is rotated with respect to the swivel arm to thereby support the plurality of support fingers. The wafer is transported in a state in which the wafer is transported in a state in which the inner peripheral wall of the annular convex portion is supported by the plurality of support fingers.
JP2011051991A 2011-03-09 2011-03-09 Wafer manufacturing method and wafer transport method Active JP5896607B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011051991A JP5896607B2 (en) 2011-03-09 2011-03-09 Wafer manufacturing method and wafer transport method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011051991A JP5896607B2 (en) 2011-03-09 2011-03-09 Wafer manufacturing method and wafer transport method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012190931A JP2012190931A (en) 2012-10-04
JP5896607B2 true JP5896607B2 (en) 2016-03-30

Family

ID=47083794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011051991A Active JP5896607B2 (en) 2011-03-09 2011-03-09 Wafer manufacturing method and wafer transport method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5896607B2 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008033006A (en) * 2006-07-28 2008-02-14 Victor Co Of Japan Ltd Substrate and method for conveying the same
JP4986568B2 (en) * 2006-10-11 2012-07-25 株式会社ディスコ Wafer grinding method
JP5081643B2 (en) * 2008-01-23 2012-11-28 株式会社ディスコ Wafer processing method
WO2009141740A2 (en) * 2008-05-23 2009-11-26 Florian Bieck Semiconductor wafer and method for producing the same
JP5261030B2 (en) * 2008-05-29 2013-08-14 リンテック株式会社 Semiconductor wafer transfer method
JP5394659B2 (en) * 2008-06-05 2014-01-22 リンテック株式会社 Semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012190931A (en) 2012-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5500942B2 (en) Wafer processing method
JP2009125915A (en) Grinding wheel mounting mechanism
JP5877663B2 (en) Wafer grinding method
KR101757932B1 (en) Wafer transfer mechanism
JP2011054808A (en) Method of processing wafer, and wafer processed by the same
JP2015056510A (en) Processing method of device wafer
JP5430975B2 (en) Work processing method and work processing apparatus
JP5101267B2 (en) Wafer processing method
JP5184242B2 (en) Semiconductor wafer processing equipment
JP2012190930A (en) Wafer and transfer method of wafer
JP2009194217A (en) Device for conveying plate-like object
JP5441587B2 (en) Wafer processing method
JP5306928B2 (en) Wafer transfer device
JP2011108746A (en) Method for processing wafer
JP5896607B2 (en) Wafer manufacturing method and wafer transport method
JP2012146889A (en) Method for grinding wafer
JP2011071288A (en) Method of processing wafer
JP2010094789A (en) Grinding wheel
JP5455609B2 (en) Grinding apparatus and wafer grinding method using the grinding apparatus
JP2011071287A (en) Method of processing wafer
JP5700988B2 (en) Wafer grinding method
JP2011060841A (en) Grinding device
JP2011023618A (en) Wafer cleaning apparatus
JP2011071289A (en) Method of processing wafer
JP2010074003A (en) Grinder and wafer grinding method

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140219

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150414

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160119

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20160301

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160301

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5896607

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250