JP5872557B2 - 大規模グラフェンシート、それを組み込んだ物、組成物、方法および装置 - Google Patents
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Description
本出願書類では、2010年8月11日に提出された米国の仮出願番号第61/372,875号の利点を請求し、その全体が本明細書に組み込まれるものである。
本発明は、防衛先端研究製品機関(Defense Advanced Research Products Agency(DARPA))により授与されたHR0011−09−C−0013という政府支援の下で発明されたものである。本政府は本発明における一定の権利を有する。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある(国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む)。
(先行技術文献)
(特許文献)
(特許文献1) 米国特許出願公開第2010/0051897号明細書
(特許文献2) 米国特許出願公開第2010/0021708号明細書
(特許文献3) 米国特許出願公開第2010/0224851号明細書
(特許文献4) 米国特許出願公開第2010/0127312号明細書
(特許文献5) 米国特許出願公開第2009/0140801号明細書
図1a−bは、それぞれ低倍率と高倍率での未処理銅箔の光学画像である。前記銅表面はおよそ数十マイクロメートルの間隔で多数の平行線からなる方向性のある構造を示す。前記光学顕微鏡の焦点面を調整することにより、前記銅における溝が凹断面であることは他者の報告により既に確認されている。せん断/延伸方向に平行して走る線からなる溝は前記銅箔を作製するために使用される平面圧延工程の間に生成されると考えられていた。図1bはまた、前記銅表面上に粒子(典型的なサイズは〜50μm)および粒界の存在を示す。
メタン(純度99.999%)、アルゴン(99.999%)および水素(99.999%)を含むガスはGTS−Welco Incから購入される。銅箔(厚さ50または25μm)はAlfa Aesar IncまたはMcMaster−Carr Incから購入された。グラフェン成長の直前に、銅箔は酸化被膜除去のために5分間超音波分解により浄化される。100%エタノール、アセトン、FeCl3・6H2OおよびHCIなどの化学製品その他明記されていないすべての化学製品を含む溶剤はThermo Fisher Scientific Incから購入される。すべての化学製品は明記されていない限り、さらなる精製処理なく使用される。
前記銅箔は、自作の電気化学セルを使用して電解研磨される(図2d)。前記銅表面は第1にサンドペーパーで粗く研磨され、その後微細金属研磨ペーストで研磨し、続けてエタノールの中での超音波分解による浄化を行った。前記乾燥銅箔は次に金属線にはんだづけされ、その背面、端および角はシリコンゲルで覆われる。そして、前記銅箔は800mlビーカーに配置され、当該ビーカーは300mlのH3PO4(80%)および100mlのPEG(分子量400、Sigma Aldrich Co.から入手)の溶液を含有する。前記銅箔および大型銅板はそれぞれ、作用電極(+)および対電極(−)として使用された。1.5〜2.0Vの電圧が前記研磨工程の間〜0.5時間維持された。研磨の直後、前記銅箔は大量の脱イオン水および超音波分解で洗浄された。前記金属表面に残存するあらゆる酸は、さらに1%アンモニア溶液およびエタノールでの洗浄により中和され、続いてN2で乾燥された。その後、前記シリコンゲルは切断または除去された。前記浄化銅箔は、大気による後の酸化を防止するためエタノールに貯蔵された。前記電解研磨工程という平坦化メカニズムは、主に以下の事実に依存する。すなわち、前記電流密度(およびゆえにエッチ速度)が前記陽極表面全域で多様に異なり、高い曲率を有する突起領域(たとえば、図2dの地点A)では他の領域(地点B)と比較して高いため、前記銅箔の表面は電解研磨により平坦化され、均一化されるという事実である。
AFM画像化はDI 3000(Digital Instruments Inc.)においてタッピングモードで行われた。
CVDグラフェン成長は1インチの石英管を反応チャンバとして有する燃焼室内で行われる。典型的な成長は次の工程から成る。(1)前記切断銅箔を前記石英管に積載し、前記システムにAr(600sccm)/H2(明記ない限り10sccm)を10分間流し、その後反応ガスフロー二者をそれぞれの割合で前記工程の残りを通して継続する工程。(2)前記燃焼室を800℃まで加熱し、前記銅箔を20分間アニールして前記表面上の有機物および酸化物を除去する工程。(3)前記温度を1000℃まで上昇させ、前記望ましいメタン流量を本明細書の他の箇所に記載するように開始する工程。(4)前記反応時間に達した後、前記石英管を前記加熱領域から押し出して前記サンプルを急速に冷却し、その後前記メタン流量を遮断する工程。前記サンプルは室温まで冷却された後取り出された。
本方法を使用して、前記グラフェンをアセトンに耐性を示す基板へ移動することができる。〜300nmのポリメチルメタクリレート保護薄膜(PMMA C4 950、Microchem Corp.から)は、前記成長基板の前記研磨された面上に成長したグラフェンフィルム上で回転塗布され、その後160℃で20分間焼き出され、前記溶剤を除去した。前記銅基板の背面(研磨されていない)上のグラフェンは45W電力で2〜5分間の酸素反応性イオンエッチ(RIE)により除去された。前記サンプルは次に、60℃に維持された0.05g/mlの塩化鉄溶液で、銅面を下方に向けながら浮上した。前記銅は3〜10時間かけて徐々にエッチングされた。前記グラフェン/PMMAフィルムは、脱イオン水を含有するシャーレ内に移動することにより洗浄され、1N HC1溶液に浮上し、0.5時間維持され、別の洗浄のために脱イオン水を含有するシャーレに移動された。前記フィルムは次に、酸化シリコンウエハー(酸化層の厚さ300nm)に掬い上げられたが、このとき前記PMMA面が上方を向いていた。前記サンプルは徐々に乾燥され、〜30分間70℃まで加熱され乾燥された。前記フィルムの前記基板により強度に付着させるため、PMMAの別の層が前記サンプル表面に適用され、60℃で20分間焼き出された。最後に、前記PMMA保護層は、前記サンプルを一晩大量のアセトン55℃に浸漬することにより除去された。
PDMSスタンプを使用する本方法は、前記グラフェンを任意の基板に移動させることに使用される。Sylgard 184プレポリマー20対硬化剤1の割合で測量し、プラスチックカップの中に投入された。前記成分は、2分間前記混合物が泡沫で満たされるまで撹拌することにより完全に混合され、前記泡沫はその後真空デ−ガシング(de−gasing)により除去された。前記混合物はゆっくりとシャーレ内のグラフェン/銅箔サンプルの前記表面(研磨された面を上方に向ける)上に注入され、前記PDMSは真空オーブン70℃で1時間硬化された。鋭利なメスが前記箔の周囲を切断することに使用された。次に、前記銅箔の背面(研磨されていない)上の前記グラフェンは、45W電力で2〜5分間の酸素反応性イオンエッチ(RIE)により除去された。前記サンプルは次に、60℃に維持された0.05g/mlの塩化鉄溶液で、銅面を下方に向けながら浮上した。前記銅は3〜10時間かけてエッチングされ、その後大量の脱イオン水、そして1N HC1溶液、再度大量の脱イオン水で浄化された。前記スタンプは徐々に乾燥された後、基板上に正面を下に向けて配置され、数秒間前記スタンプの表面全体にわたって等圧力が適用された。前記スタンプはその後取り上げられ、前記グラフェンフィルムが新規基板に残存することとなる。本方法により移動したサンプルの例は図7に示す。
SiO2/SiまたはPDMS基板上のグラフェンサンプルのラマンスペクトルは、対物100xの514nm励起波長レーザーを使用して得られた。単層グラフェンは、その独特のラマン・サインにより特定された。すなわち、ストロークGピークを1583cm−1で、単一対称2Dバンドを2700cm−1で有したのである(単層および二重層グラフェンフィルムの代表的ラマンスペクトルについては図8を参照)。
金属源およびドレイン電極、ならびにグラフェンリボンは、PMMAをe−ビームレジストとして使用する電子ビーム描画によりパターン描画された。第1に光学顕微鏡は、既製基準杭からなる30nm酸化シリコン基板上の単層グラフェンフィルムを検索するために使用された。厚さ300nmのPMMA(PMMA C4 950、Microchem Corp.から)フィルムは、前記製造業者から提供された標準手続およびパラメータを使用した回転塗布が適用された。電子ビームパターン描画は、30kVで動作するJOEL SEM 6400、およびElphy Plusコントローラを使用して照射量500μA/cm2で行われた。続けて、1対3のメチルイソブチルケトン(MIBK、Microchem Corp.)およびイソプロピルアルコールの溶液の中で発現された。その後、クロム(3nm)および金(50nm、いずれもR.D. Mathis Co.から)は気圧10−7トルの熱蒸着内の前記基板上に堆積された。前記堆積されたフィルムは取り上げられ、12時間アセトン風呂に投入し、イソプロピルアルコールで広範囲に浄化された。これにより生成された前記電気接触を伴って、上記と同じ電子ビーム描画工程をもう1回、および酸素反応性イオンエッチが使用され、ソースおよびドレイン電極の組毎に接合するグラフェンの単離されたチャネルをパターン描画した。
装置は3端子トランジスタ構造で、前記p++がドープされたシリコンウエハーがグローバルバックゲートとして使用された。ソース、ドレインおよびゲート電極は個々のプローブを使用して、Labviewを使用して制御された個別仕様の小信号プローブステーションで接触された。データ取得カード(National Instruments)はソース・ドレイン電圧を出力するために使用され、Keithley 6517A流速計は前記ソース・ドレイン電流を読取り、前記ゲート電圧を出力するために使用された。
Claims (21)
- グラフェン材を作製する方法であって、
前記方法は、平坦化された金属基板上にグラフェンシートを成長させる工程を有し、
前記成長は前記金属基板を、2000ppm未満で存在する炭化水素ガスに接触させることにより達成されるものである、方法。 - 請求項1記載の方法において、前記金属基板は電解研磨され、機械的に研磨され、化学的に研磨され、またはそのいずれかの組み合わせにより研磨されたものである方法。
- 請求項2記載の方法において、前記金属基板は電解研磨されたものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記金属基板は実質的に炭素に対して非反応性である方法。
- 請求項1記載の方法において、前記金属基板は銅、ロジウム、ルテニウム、イリジウム、プラチナ、コバルト、ニッケルまたはそのいずれかの組み合わせを有するものである方法。
- 請求項5記載の方法において、前記金属基板は銅を有するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記炭化水素ガスはメタンを有するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記接触は50〜2000℃で生じるものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記接触は100〜1500℃で生じるものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記接触は500〜1100℃で生じるものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記炭化水素ガスは1000ppm未満で存在するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記炭化水素ガスは500ppm未満で存在するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記炭化水素ガスは100ppm未満で存在するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記炭化水素ガスは50ppm未満で存在するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記接触は常圧、常圧未満の気圧、または常圧を超える気圧で生じるものである方法。
- 請求項1記載の方法において、この方法は、さらに、前記グラフェンシートを単離する工程を有するものである方法。
- 請求項16記載の方法において、前記単離する工程は前記グラフェンシートの少なくとも一部を露出するために前記金属基板の少なくとも一部を取り除く工程を有するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記金属基板は絶縁体または半導体の上に配置されるものである方法。
- 請求項18記載の方法において、前記半導体はシリコンを有するものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記平坦化された金属基板の粗度は平坦化されていない金属基板と比較して少なくとも2倍削減されるものである方法。
- 請求項1記載の方法において、前記平坦化された金属基板の粗度は平坦化されていない金属基板と比較して少なくとも5倍削減されるものである方法。
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CN103409728A (zh) * | 2013-07-17 | 2013-11-27 | 苏州艾特斯环保材料有限公司 | 一种化学气相沉积制备石墨烯的方法 |
CN103365004B (zh) * | 2013-07-26 | 2016-04-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 透明导电层、具有该透明导电层的cf基板及其制备方法 |
CA2958208C (en) | 2014-08-18 | 2020-02-18 | Garmor Inc. | Graphite oxide entrainment in cement and asphalt composite |
EP2993697A1 (en) * | 2014-09-04 | 2016-03-09 | IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik | Graphene-base transistor having germanium-graphene-germanium stack |
KR102371295B1 (ko) * | 2015-02-16 | 2022-03-07 | 삼성전자주식회사 | 확산 방지층을 포함하는 층 구조물 및 그 제조방법 |
US10351711B2 (en) | 2015-03-23 | 2019-07-16 | Garmor Inc. | Engineered composite structure using graphene oxide |
WO2016167981A1 (en) | 2015-04-13 | 2016-10-20 | Garmor Inc. | Graphite oxide reinforced fiber in hosts such as concrete or asphalt |
US11482348B2 (en) | 2015-06-09 | 2022-10-25 | Asbury Graphite Of North Carolina, Inc. | Graphite oxide and polyacrylonitrile based composite |
US10378798B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-08-13 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Electromagnetic pumping of particle dispersion |
WO2017053204A1 (en) | 2015-09-21 | 2017-03-30 | Garmor Inc. | Low-cost, high-performance composite bipolar plate |
US11718529B1 (en) * | 2015-11-23 | 2023-08-08 | Paronyan Tereza M | Graphene networks and methods for synthesis and use of the same |
CN105679678A (zh) * | 2016-03-18 | 2016-06-15 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种石墨烯薄膜晶体管的制备方法 |
ES2664784B1 (es) * | 2016-10-20 | 2019-02-04 | Institut Quim De Sarria Cets Fundacio Privada | Procedimiento de fabricacion de una suspension de particulas de grafeno y suspension correspondiente |
US11214658B2 (en) | 2016-10-26 | 2022-01-04 | Garmor Inc. | Additive coated particles for low cost high performance materials |
CN106340598A (zh) * | 2016-11-10 | 2017-01-18 | 过冬 | 一种oled复合电极材料的制备方法 |
CN106435727B (zh) * | 2016-11-17 | 2019-01-01 | 北京大学 | 一种洁净转移制备高完整度悬空石墨烯的方法 |
US11791061B2 (en) | 2019-09-12 | 2023-10-17 | Asbury Graphite North Carolina, Inc. | Conductive high strength extrudable ultra high molecular weight polymer graphene oxide composite |
CA3155395A1 (en) * | 2019-10-24 | 2021-04-29 | Vladimir Mancevski | Methods and compositions for producing graphene polyurethane foams |
KR102265089B1 (ko) * | 2019-12-17 | 2021-06-14 | 순천대학교 산학협력단 | 전도성 제어가 가능한 그래핀 합성방법 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH710862B1 (de) | 1999-11-26 | 2016-09-15 | Imerys Graphite & Carbon Switzerland Sa | Verfahren zur Herstellung von Graphitpulvern mit erhöhter Schüttdichte. |
US7906229B2 (en) * | 2007-03-08 | 2011-03-15 | Amit Goyal | Semiconductor-based, large-area, flexible, electronic devices |
WO2005084172A2 (en) * | 2003-10-03 | 2005-09-15 | College Of William & Mary | Carbon nanostructures and methods of making and using the same |
KR20090026568A (ko) | 2007-09-10 | 2009-03-13 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
KR100923304B1 (ko) * | 2007-10-29 | 2009-10-23 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
KR101622306B1 (ko) | 2009-10-29 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 그라펜 시트, 이를 포함하는 그라펜 기재 및 그의 제조방법 |
US8646683B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-02-11 | Koplar Interactive Systems International L.L.C. | Method and system for device notification |
US8659009B2 (en) * | 2007-11-02 | 2014-02-25 | The Trustees Of Columbia University In The City Of New York | Locally gated graphene nanostructures and methods of making and using |
KR101344493B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | 단결정 그라펜 시트 및 그의 제조방법 |
WO2009119641A1 (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-01 | 学校法人早稲田大学 | 単原子膜の製造方法 |
US8535553B2 (en) * | 2008-04-14 | 2013-09-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Large-area single- and few-layer graphene on arbitrary substrates |
CN101285175B (zh) * | 2008-05-29 | 2010-07-21 | 中国科学院化学研究所 | 化学气相沉积法制备石墨烯的方法 |
US7858989B2 (en) * | 2008-08-29 | 2010-12-28 | Globalfoundries Inc. | Device and process of forming device with device structure formed in trench and graphene layer formed thereover |
JP5626948B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-11-19 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | グラフェン被覆部材の製造方法 |
US9388048B1 (en) * | 2008-10-08 | 2016-07-12 | University Of Southern California | Synthesis of graphene by chemical vapor deposition |
US8487296B2 (en) * | 2008-11-26 | 2013-07-16 | New Jersey Institute Of Technology | Graphene deposition and graphenated substrates |
US8309438B2 (en) * | 2009-03-03 | 2012-11-13 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Synthesizing graphene from metal-carbon solutions using ion implantation |
US20120161098A1 (en) * | 2009-08-20 | 2012-06-28 | Nec Corporation | Substrate, manufacturing method of substrate, semiconductor element, and manufacturing method of semiconductor element |
WO2011046415A2 (ko) | 2009-10-16 | 2011-04-21 | 성균관대학교산학협력단 | 그래핀의 롤투롤 전사 방법, 그에 의한 그래핀 롤, 및 그래핀의 롤투롤 전사 장치 |
KR101611422B1 (ko) | 2009-11-17 | 2016-04-12 | 삼성전자주식회사 | 그래핀과 나노구조체의 복합 구조체 및 그 제조방법 |
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