JP5870140B2 - 双方向フォトサイリスタチップ、ソリッドステートリレー - Google Patents
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Description
1つの半導体チップの表面に、互いに離間して形成された第1フォトサイリスタ部および第2フォトサイリスタ部を備え、
上記各フォトサイリスタ部は、一方向に延在すると共にN型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域と、N型またはP型のうち他方の導電型を持つ基板と、上記アノード拡散領域に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域と、このゲート拡散領域内に上記アノード拡散領域に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域とを含むPNPN部を有しており、
上記アノード拡散領域と上記ゲート拡散領域とにおける互いに対向する二つの側辺と、上記カソード拡散領域における上記アノード拡散領域と対向する側辺とのうち、少なくとも何れか一つの側辺の平面形状が、上記アノード拡散領域から上記ゲート拡散領域および上記カソード拡散領域に向かって供給される電流が、上記アノード拡散領域の延在方向である上記一方向の中央部へ集中するのを緩和する形状になっており、
上記カソード拡散領域における上記アノード拡散領域と対向する第1の側辺の平面形状は、上記ゲート拡散領域における上記アノード拡散領域と対向する第2の側辺から上記第1の側辺までの上記一方向と直交する他方向への距離が、上記一方向の中央部において最大になるような形状になっており、
上記カソード拡散領域は上記一方向の中央部で二分割されており、互いに対向する分割面には、当該分割面の間隔が上記ゲート拡散領域の上記第2の側辺からの上記他方向への距離に応じて小さくなるように傾斜が設けられている
ことを特徴としている。
上記この発明の双方向フォトサイリスタチップと、LEDとで構成された光点孤カプラと、
スナバ回路と
で構成されていることを特徴としている。
図1は、本実施の形態の双方向フォトサイリスタチップにおける概略パターンレイアウトを示し、図2は図1におけるD‐D'矢視断面概略図である。
本実施の形態の双方向フォトサイリスタチップにおける基本のパターンレイアウトは、上記第1実施の形態において図1に示すパターンレイアウトと同じである。また、基本の縦断面図は、上記第1実施の形態において図2に示すD‐D'矢視断面概略図と同じである。
本実施の形態においては、上記第1実施の形態の場合と同様に、上記カソード拡散領域45におけるアノード拡散領域43に対向する側辺の形状を変更することによって、上記チップの上記第1方向中央部への電流集中を緩和するものである。
本実施の形態においては、上記ゲート拡散領域44におけるアノード拡散領域43に対向する側辺44bの形状を変更することによって、上記チップの上記第1方向中央部への電流集中を緩和するものである。
本実施の形態においては、上記ゲート拡散領域44およびカソード拡散領域45におけるアノード拡散領域43に対向する側辺44b,45aの形状を変更することによって、上記チップの上記第1方向中央部への電流集中を緩和するものである。
本実施の形態においては、上記アノード拡散領域43におけるゲート拡散領域44に対向する側辺43bの形状を変更することによって、上記チップの上記第1方向中央部への電流集中を緩和するものである。
本実施の形態においては、上記アノード拡散領域43におけるゲート拡散領域44に対向する側辺43bと、ゲート拡散領域44およびカソード拡散領域45におけるアノード拡散領域43に対向する側辺44b,45aとの形状を変更することによって、上記チップの上記第1方向中央部への電流集中を緩和するものである。
本実施の形態においては、上記アノード拡散領域43上のAl電極43aとカソード拡散領域45上のAl電極44aに対するAuワイヤ48a,48a’を接続する位置によって、上記チップの上記第1方向中央部への電流集中を緩和するものである。
本実施の形態は、上記第1実施の形態から上記第8実施の形態までの何れかにおける双方向フォトサイリスタチップを用いた光点孤カプラ、および、その光点孤カプラを用いたSSRに関する。
1つの半導体チップの表面に、互いに離間して形成されている第1フォトサイリスタ部42aおよび第2フォトサイリスタ部42bを備え、
上記各フォトサイリスタ部42a,42bは、一方向に延在すると共にN型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域43と、N型またはP型のうち他方の導電型を持つ基板41と、上記アノード拡散領域43に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域44と、このゲート拡散領域44内に上記アノード拡散領域43に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域45とを含むPNPN部を有しており、
上記アノード拡散領域43と上記ゲート拡散領域44とにおける互いに対向する二つの側辺43b,44bと、上記カソード拡散領域45における上記アノード拡散領域43と対向する側辺45aとのうち、少なくとも何れか一つの側辺の平面形状が、上記アノード拡散領域43から上記ゲート拡散領域44および上記カソード拡散領域45に向かって供給される電流が、上記アノード拡散領域43の延在方向である上記一方向の中央部へ集中するのを緩和する形状になっている
ことを特徴としている。
上記カソード拡散領域45における上記アノード拡散領域43と対向する第1の側辺45aの平面形状は、上記ゲート拡散領域44における上記アノード拡散領域43と対向する第2の側辺44bから上記第1の側辺45aまでの上記一方向と直交する他方向への距離が、上記一方向の中央部において最大になるような形状になっている。
上記カソード拡散領域45は上記一方向の中央部で二分割されており、互いに対向する分割面52a,52bには、当該分割面52a,52bの間隔が上記ゲート拡散領域44の上記第2の側辺44bからの上記他方向への距離に応じて小さくなるように傾斜が設けられている。
上記カソード拡散領域45における上記第1の側辺45aの平面形状は、上記一方向の中央部における上記ゲート拡散領域44の上記第2の側辺44bからの上記他方向への距離が上記一方向両端部よりも長くなるように、上記中央部が窪んだ円弧状の形状になっている。
上記ゲート拡散領域44における上記第2の側辺44bの平面形状は、上記一方向の中央部における上記アノード拡散領域43からの上記他方向への距離が上記一方向両端部よりも長くなるように、上記中央部が窪んだ円弧状の形状になっており、
上記カソード拡散領域45における上記中央部が窪んだ円弧状の上記第1の側辺45aと、上記ゲート拡散領域44における上記中央部が窪んだ円弧状の上記第2の側辺44bとの上記他方向への距離は、上記一方向全域に亘って等しくなっている。
上記ゲート拡散領域44における上記アノード拡散領域43と対向している第3の側辺44bの平面形状は、上記カソード拡散領域45における上記アノード拡散領域43と対向している第4の側辺からの上記一方向と直交する他方向への距離が、上記一方向の中央部において両端部よりも長くなるように、上記中央部が突出した円弧状の形状になっている。
上記アノード拡散領域43における上記ゲート拡散領域44に対向している第5の側辺43bの平面形状は、上記ゲート拡散領域44における上記アノード拡散領域43と対向している第6の側辺からの上記他方向への距離が、上記一方向の中央部において両端部よりも長くなるように、上記中央部が窪んだ円弧状の形状になっている。
上記半導体チップにおける上記一方向の中央を通り、且つ上記他方に延在するチップセンターラインLCを設定し、
上記チップセンターラインLCから上記カソード拡散領域45の両端面までの距離のうちの最短距離をLとし、
上記チップセンターラインLCに平行な線分であって、上記チップセンターラインLCから上記一方向に距離L/2だけ離間している第1の線分G‐G’および第2の線分H‐H’を設定し
た場合に、
上記アノード拡散領域43における上記第1の線分G‐G’と上記第2の線分H‐H’との交差位置を、上記アノード拡散領域43に対してワイヤボンディングを行う際にワイヤの先端を接続する接続位置とする一方、
上記カソード拡散領域45における上記第1の線分G‐G’と上記第2の線分H‐H’との交差位置を、上記カソード拡散領域45に対してワイヤボンディングを行う際にワイヤの先端を接続する接続位置とする。
上記この発明の双方向フォトサイリスタチップとLEDとで構成されていることを特徴としている。
上記この発明の光点孤カプラとスナバ回路とで構成されていることを特徴としている。
2…双方向フォトサイリスタ、
3…光点弧カプラ、
7…スナバ回路、
41…N型シリコン基板
42a…第1フォトサイリスタ
42b…第2フォトサイリスタ
43…P型アノード拡散領域
43a,44a,47a…Al電極
43b…アノード拡散領域の側辺
44…P型ゲート拡散領域
44b…ゲート拡散領域の側辺
45…N型カソード拡散領域
45a…カソード拡散領域の側辺
46…P型ゲート抵抗領域
47…高濃度N型拡散領域
48a,48b,48a’,48b’…Auワイヤ
T1,T2…リードフレーム
49…少数キャリア
50…切り欠き部
50a…切り欠き部の中央壁
50b,50c…切り欠き部の両側壁
51a…第1カソード拡散領域
51b…第2カソード拡散領域
52a,52b…端面
53a,53b,54a,54b…Auワイヤ用の金属ボール
Claims (2)
- 1つの半導体チップの表面に、互いに離間して形成された第1フォトサイリスタ部および第2フォトサイリスタ部を備え、
上記各フォトサイリスタ部は、一方向に延在すると共にN型またはP型のうち一方の導電型を持つアノード拡散領域と、N型またはP型のうち他方の導電型を持つ基板と、上記アノード拡散領域に対向する上記一方の導電型を持つゲート拡散領域と、このゲート拡散領域内に上記アノード拡散領域に対向して形成されると共に上記他方の導電型を持つカソード拡散領域とを含むPNPN部を有しており、
上記アノード拡散領域と上記ゲート拡散領域とにおける互いに対向する二つの側辺と、上記カソード拡散領域における上記アノード拡散領域と対向する側辺とのうち、少なくとも何れか一つの側辺の平面形状が、上記アノード拡散領域から上記ゲート拡散領域および上記カソード拡散領域に向かって供給される電流が、上記アノード拡散領域の延在方向である上記一方向の中央部へ集中するのを緩和する形状になっており、
上記カソード拡散領域における上記アノード拡散領域と対向する第1の側辺の平面形状は、上記ゲート拡散領域における上記アノード拡散領域と対向する第2の側辺から上記第1の側辺までの上記一方向と直交する他方向への距離が、上記一方向の中央部において最大になるような形状になっており、
上記カソード拡散領域は上記一方向の中央部で二分割されており、互いに対向する分割面には、当該分割面の間隔が上記ゲート拡散領域の上記第2の側辺からの上記他方向への距離に応じて小さくなるように傾斜が設けられている
ことを特徴とする双方向フォトサイリスタチップ。 - 請求項1に記載の双方向フォトサイリスタチップと、発光ダイオードとで構成された光点孤カプラと、
スナバ回路と
で構成されていることを特徴とするソリッドステートリレー。
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