JP5864049B2 - グラフェン基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係るグラフェン基板の製造方法は、導電性又は半導体基板上においてグラフェン炭素源を電解重合し、グラフェン層を形成する形成工程を包含している。
R1は、水素原子又は置換されていてもよい炭化水素基を表している。R1における炭化水素基として、好ましくは、炭素数1〜4の直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基及び炭素数2〜4の直鎖状又は分枝鎖状のアルケニル基が挙げられる。R1におけるアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n‐ブチル基、sec‐ブチル基、tert‐ブチル基等が挙げられ、R1におけるアルケニル基の例としては、エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ブタジエニル基等が挙げられる。
本発明に係るグラフェン基板は、導電性又は半導体基板の表面にグラフェン層が直接付着している。すなわち、上述したグラフェン基板の製造方法は、本発明に係るグラフェン基板を製造するための方法の一実施形態であり、本発明にかかるグラフェン基板の一実施形態は、上述した実施の形態の説明に準ずる。
Claims (1)
- 導電性又は半導体基板上においてグラフェン炭素源を電解重合し、グラフェン層を形成する形成工程を包含し、
前記導電性又は半導体基板の表面には、パターニングされたレジストマスクが形成されており、
前記形成工程の後に、レジスト材料に応じた溶液を用いて、前記レジストマスクを除去する除去工程をさらに包含し、
前記グラフェン炭素源は、下記一般式(1)−1又は(1)−2に示される化合物であり、
前記形成工程において、前記グラフェン炭素源の溶液に前記導電性又は半導体基板を浸漬して、当該導電性又は半導体基板に電圧を印加し、
前記レジストマスクが除去された前記導電性又は半導体基板を、不活性ガスと水素ガスとの混合ガスが存在する還元雰囲気下において焼成する焼成工程をさらに包含する
ことを特徴とするグラフェン基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011250942A JP5864049B2 (ja) | 2011-11-16 | 2011-11-16 | グラフェン基板の製造方法 |
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JP2011250942A JP5864049B2 (ja) | 2011-11-16 | 2011-11-16 | グラフェン基板の製造方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP2013103873A JP2013103873A (ja) | 2013-05-30 |
JP5864049B2 true JP5864049B2 (ja) | 2016-02-17 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5864049B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01282110A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-14 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高密度・高強度カーボンの製造方法および半導体用カーボン治具 |
JPH10188951A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Komatsu Ltd | 電極板およびその製造方法 |
JP2006273645A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Bridgestone Corp | 有機物の連続焼成装置及び連続焼成方法、炭素材料並びにそれを用いた触媒構造体、固体高分子型燃料電池用電極及び固体高分子型燃料電池 |
US8164089B2 (en) * | 2009-10-08 | 2012-04-24 | Xerox Corporation | Electronic device |
JP5920808B2 (ja) * | 2010-08-29 | 2016-05-18 | 学校法人 芝浦工業大学 | 配線パターンの形成方法 |
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2011
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Publication number | Publication date |
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JP2013103873A (ja) | 2013-05-30 |
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