JP5860303B2 - Wiring board and manufacturing method thereof - Google Patents
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Description
本発明は、半導体素子などの電子部品を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a wiring board used for mounting an electronic component such as a semiconductor element and a manufacturing method thereof.
従来、半導体素子などの電子部品を搭載するための配線基板として、ビルドアップ法により形成された配線基板がある。図7は、従来の配線基板の一例を示す概略断面図である。 Conventionally, there is a wiring board formed by a build-up method as a wiring board for mounting an electronic component such as a semiconductor element. FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional wiring board.
図7に示すように、従来の配線基板100は、コア用の絶縁板101の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁層102が積層されている。
As shown in FIG. 7, a
コア用の絶縁板101の上面から下面にかけては複数のスルーホール103が形成されており、スルーホール103の内面には銅めっき層から成るスルーホール導体104が被着されている。また、コア用の絶縁板101の上下面にはスルーホール導体104に接続された銅箔から成る第1導体層105が被着されている。さらに、スルーホール103の内部には埋め込み樹脂106が充填されており、この埋め込み樹脂106上および第1導体層105上に銅めっき層から成る第2導体層107が被着されている。これらのスルーホール導体104、第1導体層105および第2導体層107によりコア用の配線導体が形成されている。
A plurality of through
また、各ビルドアップ用の絶縁層102には、複数のビアホール108が形成されており、ビアホール108内は銅めっきから成るビア導体109で充填されているとともに、各ビルドアップ用の絶縁層102の表面にはビア導体109と一体的に形成されたビルドアップ用の配線導体110が被着されている。このビルドアップ用の配線導体110は、ビア導体109を介して上述の第2導体層107に接続している。さらに、上側の最外層のビルドアップ用の絶縁層102に被着されたビルドアップ用の配線導体110の一部は、半導体素子などの電子部品Eの電極Tに、例えば半田バンプB1を介して電気的に接続される電子部品接続パッド111として機能する。また、下側の最外層のビルドアップ用の絶縁層102に被着されたビルドアップ用の配線導体110の一部は、外部電気回路基板の配線導体に、例えば半田バンプB2を介して電気的に接続される外部接続パッド112として機能する。
Each
さらに、最外層のビルドアップ用の絶縁層102およびその上のビルドアップ用の配線導体110上には、上述の電子部品接続パッド111および外部接続パッド112を露出させる開口部を有するソルダーレジスト層113が被覆されている。そして、電子部品接続パッド111と電子部品Eの電極Tとが半田バンプB1を介して電気的に接続される。また、外部接続パッド112と図示しない外部電気回路基板の配線導体とが半田バンプB2を介して電気的に接続される。
Furthermore, a
このような従来の配線基板100の製造方法について、図8〜図10を基にして説明する。まず、図8(a)に示すように、ガラス繊維にエポキシ樹脂等の電気絶縁材料を含浸させて成る樹脂基板101Pの上下面に、上述の第1導体層105用の銅箔105Pが積層された両面銅張り板120を準備する。樹脂基板の厚みは50〜400μm程度であり、銅箔105Pの厚みは2〜18μm程度である。
A method for manufacturing such a
次に、図8(b)に示すように、両面銅張り板120の上面から下面にかけてスルーホール103を形成することでコア用の絶縁板101を形成する。スルーホール103は、例えばドリル加工により形成され、直径は50〜300μm程度である。
Next, as shown in FIG. 8B, the core
次に、図8(c)に示すように、スルーホール103の内面および銅箔105Pの表面に、無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させてスルーホール導体104となる銅めっき層104Pを形成する。電解銅めっき層の厚みは0.1〜1.0μm程度であり、電解銅めっき層の厚みは10〜30μm程度である。
Next, as shown in FIG. 8 (c), an electroless copper plating layer and an electrolytic copper plating layer are sequentially deposited on the inner surface of the through
次に、図8(d)に示すように、銅めっき層104Pが被着されたスルーホール103内に孔埋め樹脂106を充填する。
Next, as shown in FIG. 8D, a hole-filling
次に、図8(e)に示すように、孔埋め樹脂106の上下端および銅めっき層104Pの上下面を研磨して平坦化する。この研磨により銅箔105Pの厚みが2〜15μm程度になるようにする。このとき、スルーホール導体104と銅箔105Pとは電気的に接続された状態で残っている。
Next, as shown in FIG. 8E, the upper and lower ends of the hole-filling
次に、図9(f)に示すように、平坦化された銅箔105Pの表面およびスルーホール導体104の上下の端面および孔埋め樹脂106の上下の端面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させて第2導体層107用の銅めっき層107Pを形成する。第2導体層107用の銅めっき層107Pを構成する無電解銅めっき層の厚みは0.1〜1.0μm程度であり、電解銅めっき層の厚みは10〜30μm程度である。
Next, as shown in FIG. 9F, the electroless copper plating layer and the electrolytic copper plating are applied to the surface of the
次に、図9(g)に示すように、スルーホール103上およびその周囲に形成するスルーホールランド用のマスクパターンを含む所定パターンのエッチングレジスト層131を銅めっき層107P上に被着形成する。
Next, as shown in FIG. 9G, an
次に、図9(h)に示すように、エッチングレジスト層131から露出する銅めっき層107Pおよびその下の銅箔105Pをエッチング除去する。これにより、エッチングレジスト層131のパターンに対応した形状の配線導体が形成される。
Next, as shown in FIG. 9H, the
次に、図9(i)に示すように、第2導体層107上からエッチングレジスト層131を剥離除去する。これにより、スルーホール導体104、第1導体層105、および第2導体層107から成るコア用の配線導体が形成される。
Next, as shown in FIG. 9I, the
次に、図9(j)に示すように、コア用の配線導体が形成されたコア用の絶縁板101の上下面に、ビルドアップ用の絶縁層102となる樹脂層102Pを積層する。樹脂層102Pは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成り、厚みは20〜50μm程度である。
Next, as shown in FIG. 9 (j), a
次に、図10(k)に示すように、樹脂層102Pに上述の第2導体層107を底面とするビアホール108を形成することで、ビルドアップ用の絶縁層102を形成する。ビアホール108は、例えばレーザ加工により形成される。
Next, as shown in FIG. 10 (k), a
次に、図10(l)に示すように、ビアホール108内にビア導体109を形成するとともに、ビルドアップ用の絶縁層102表面にビア導体109と一体的にビルドアップ用の配線導体110を形成する。ビルドアップ用の配線導体110は公知のセミアディティブ法を用いて形成される。
Next, as shown in FIG. 10L, a
次に、図10(m)に示すように、必要な数のビルドアップ用の絶縁層102とビルドアップ用の配線導体110とを交互に積層していき、最外層のビルドアップ用の絶縁層102およびビルドアップ用の配線導体110の上にソルダーレジスト層113を被着形成することで、従来の配線基板100が完成する。
Next, as shown in FIG. 10 (m), a necessary number of build-up insulating
ところで近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化が進む中、それらに使用される配線基板にも高密度配線化が要求されている。このような高密度な微細配線の要求に答えるため、コア用の配線導体においてもその幅や間隔を30μm以下の微細なものにする要求が高まっている。 In recent years, as electronic devices typified by portable game machines and communication devices have become more sophisticated, high-density wiring is also required for wiring boards used for them. In order to meet the demand for such high-density fine wiring, there is an increasing demand for the core wiring conductor to have a fine width and interval of 30 μm or less.
ところが、上述の従来の配線基板100においては、コア用の配線導体を形成する場合、コア用の絶縁板101上に積層された厚みが2〜15μm程度の銅箔105P上に、厚みが10〜30μm程度の銅めっき層107Pを被着させた後、その上に形成したエッチングレジスト層131から露出する銅めっき層107Pおよびその下の銅箔105Pを所定のパターンにエッチング除去するサブトラクティブ法により形成されることから、エッチングの際に、銅めっき層107Pおよび銅箔105Pがその厚みに応じて横方向にも極めて大きくエッチングされるので、コア用の絶縁板101の上下面に、例えば幅や間隔が30μm以下の微細な配線パターンを含むコア用の配線導体を形成することは困難であった。
However, in the above-described
本発明は、コア用の配線導体において、その幅や間隔が30μm以下の微細な配線パターンを含む配線基板およびその製造方法を提供することを課題とする。 An object of the present invention is to provide a wiring board including a fine wiring pattern having a width and interval of 30 μm or less in a core wiring conductor and a method for manufacturing the same.
本発明における配線基板は、上下に貫通するスルーホールを有する絶縁板と、スルーホールを充填するめっき導体から成るスルーホール導体と、スルーホール導体と電気的に接続するようにスルーホールの周囲の絶縁板上下面にサブトラクティブ法により形成された銅箔から成るスルーホールランドと、絶縁板の上下面にセミアディティブ法により形成されためっき導体から成る配線導体と、を具備する配線基板であって、スルーホール導体は、スルーホール導体の上下両端の中央部に凹部を有するようにスルーホールを充填しているとともに、凹部が配線導体を形成するめっき導体と同時に形成されためっき導体により充填されていることを特徴とするものである。
The wiring board according to the present invention includes an insulating plate having a through-hole penetrating vertically, a through-hole conductor made of a plated conductor filling the through-hole, and an insulation around the through-hole so as to be electrically connected to the through-hole conductor. A wiring board comprising through-hole lands made of copper foil formed on the upper and lower surfaces of the plate by a subtractive method, and wiring conductors made of plated conductors formed on the upper and lower surfaces of the insulating plate by a semi-additive method , The through-hole conductor is filled with a through-hole so as to have a recess at the center of the upper and lower ends of the through-hole conductor, and the recess is filled with a plating conductor formed simultaneously with the plating conductor forming the wiring conductor. It is characterized by this.
本発明における配線基板の製造方法は、上下面に銅箔が被着された絶縁板に上下に貫通するスルーホールを形成する工程と、スルーホール内にめっき導体から成るスルーホール導体を充填する工程と、絶縁板の上下面におけるスルーホールの周囲にスルーホール導体と電気的に接続する銅箔から成るスルーホールランドをサブトラクティブ法により形成する工程と、絶縁板の上下面に延在するめっき導体から成る配線導体をセミアディティブ法により形成する工程と、を含む配線基板の製造方法であって、スルーホール導体を充填する工程において、スルーホールの上下両端に凹部が形成されるようにスルーホール内の高さ方向の中央部を前記スルーホール導体で充填するとともに、配線導体を形成する工程において、凹部を、配線導体を形成するめっき導体と同時に形成されためっき導体により充填することを特徴とするものである。
The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of forming a through-hole penetrating vertically in an insulating plate having copper foils attached to the upper and lower surfaces, and a step of filling a through-hole conductor made of a plating conductor in the through-hole. And a step of forming through-hole lands made of copper foil electrically connected to the through-hole conductor around the through-holes on the upper and lower surfaces of the insulating plate by a subtractive method, and a plated conductor extending on the upper and lower surfaces of the insulating plate Forming a wiring conductor comprising a semi-additive method, and in the step of filling the through-hole conductor, the through-hole is formed so that recesses are formed at both upper and lower ends of the through-hole. In the process of forming the wiring conductor, the concave portion is formed into the wiring conductor. It is characterized in that the filling by the plating conductor formed simultaneously with plating conductors.
本発明の配線基板およびその製造方法によれば、コア用の絶縁板上において、スルーホール導体に接続するスルーホールランドは微細加工が困難なサブトラクティブ法により形成されるものの、コア用の配線導体については、微細加工が可能なセミアディティブ法により形成されることから、その幅や間隔が30μm以下の微細パターンを有する配線基板およびその製造方法を提供することができる。 According to the wiring board and the method of manufacturing the same of the present invention, the through-hole land connected to the through-hole conductor is formed on the insulating plate for the core by the subtractive method, which is difficult to finely process. Is formed by a semi-additive method capable of microfabrication, it is possible to provide a wiring board having a fine pattern with a width and interval of 30 μm or less and a method for manufacturing the same.
次に、本発明の配線基板およびその製造方法の実施形態の一例を図1〜図4を基にして詳細に説明する。 Next, an example of an embodiment of the wiring board and the manufacturing method thereof according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
図1(a)は本発明における配線基板20の概略断面図を示し、図1(b)に配線基板20における特定層の要部拡大断面図を示す。本例の配線基板20は、コア用の配線導体7が被着されたコア用の絶縁板1の両主面にビルドアップ用の絶縁層2が複数層ずつ積層されて成る。
FIG. 1A shows a schematic cross-sectional view of a
コア用の絶縁板1は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成り、厚みは50〜400μm程度である。
The
コア用の絶縁板1の上面から下面にかけては直径が50〜300μmの複数のスルーホール3が形成されている。スルーホール3の内には銅めっき層から成るスルーホール導体4が充填形成されている。また、コア用の絶縁板1の上下面にはスルーホール導体4に接続されたスルーホールランド5が被着されている。スルーホールランド5の厚みは2〜15μm程度であり、直径はスルーホール3の直径よりも70〜150μm程度大きいものとなっている。
A plurality of through
スルーホール導体4およびスルーホールランド5およびコア用の絶縁板1の上には、スルーホール導体4およびスルーホールランド5を覆う蓋めっき6と、幅や間隔が30μm以下の微細なパターンを有するコア用の配線導体7とがセミアディティブ法により形成されている。これらの蓋めっき6およびコア用の配線導体7は、厚みが10〜30μm程度の銅めっき層から成り、セミアディティブ法により形成されているので、コア用の絶縁板1の両面に幅や間隔が30μm以下の微細なパターンを形成することができる。これにより、本発明の配線基板20によればコア用の配線導体7の幅や間隔を30μm以下とした微細配線を有する配線基板を提供することができる。
On the through-
ビルドアップ用の絶縁層2は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料からなり、その上面から下面にかけて貫通するビアホール8が複数形成されている。ビルドアップ用の絶縁層2の厚みは10〜50μm程度である。また、各ビアホール8の直径は、30〜100μm程度である。さらに、各ビアホール8内には銅めっきから成るビア導体9が充填されているとともに、各ビルドアップ用の絶縁層2表面にはビア導体9と一体的に形成されたビルドアップ用の配線導体10が銅めっきにより被着されている。そして、ビルドアップ用の配線導体10は、ビア導体9の一部を介して上述の蓋めっき6やコア用の配線導体7に接続している。なお、ビルドアップ用の配線導体10をコア用の配線導体7にビアホール8を介して接続する場合、ビアホール8の直下のコア用の絶縁板1上にスルーホールランド5と同じ銅箔から成るビアランド11をサブトラクティブ法により形成しておき、その上をコア用の配線導体7で覆うようにしておくことが好ましい。
The build-up insulating
また、ビルドアップ用の配線導体10のうち、配線基板20の上面側の最外層のビルドアップ用の絶縁層2上に被着された一部は、電子部品Eの端子Tに、例えば半田バンプB1を介してフリップチップ接続により電気的に接続される電子部品接続パッド12を形成している。これらの電子部品接続パッド12はその外周部がソルダーレジスト層13で被覆されているとともに、中央部がソルダーレジスト層13から露出しており、この露出部が半田バンプB1を介して電子部品Eの端子Tと電気的に接続される。
A part of the build-up
さらに、ビルドアップ用の配線導体10のうち、配線基板20の下面側の最外層のビルドアップ用の絶縁層2上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に、例えば半田バンプB2を介して電気的に接続される外部接続パッド14を形成している。これらの外部接続パッド14はその外周部がソルダーレジスト層13で被覆されているとともに、中央部がソルダーレジスト層13から露出しており、この露出部が半田バンプB2を介して外部電気回路基板の配線導体と電気的に接続される。
Further, a part of the
ソルダーレジスト層13はエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る。配線基板20の上面側に設けられたソルダーレジスト層13には、最外層のビルドアップ用の配線導体10の一部を電子部品Eの電極Tと接続される電子部品接続パッド12として露出させる開口部が形成されており、下面側に設けられたソルダーレジスト層13には、最外層のビルドアップ用の配線導体10の一部を外部電気回路基板の配線導体と接続される外部接続パッド14として露出させる開口部が形成されている。
The solder resist
次に、本発明の配線基板20の製造方法の一例について、図2〜図4を基にして詳細に説明する。なお、図2〜図4において図1と同様の箇所には同様の符号を付して説明する。
Next, an example of the manufacturing method of the
まず、図2(a)に示すように、ガラス繊維にエポキシ樹脂等の電気絶縁材料を含浸させて成る樹脂基板1Pの上下面に、銅箔5Pが積層された両面銅張り板30を準備する。樹脂基板1Pの厚みは50〜400μm程度であり、銅箔5Pの厚みは2〜18μm程度である。なお、銅箔5Pにおける樹脂基板1Pと密着する面は、十点平均高さRzが0.10〜7.0μm程度の粗面になっている。
First, as shown in FIG. 2A, a double-sided copper-clad
次に、図2(b)に示すように、両面銅張り板30にドリル加工やレーザ加工によりスルーホール3を穿孔することでコア用の絶縁板1を形成する。スルーホール3の直径は50〜300μm程度である。スルーホール3穿孔後は、過マンガン酸カリウム等を含む水溶液でデスミア処理することが好ましい。
Next, as shown in FIG. 2B, the
次に、図2(c)に示すように、スルーホール3内および上下の銅箔5P表面に無電解銅めっき層および電解銅めっき層を順次被着させることでスルーホール3内をめっき導体層4Pで充填するとともに、銅箔5P表面にめっき導体層4Pを形成する。無電解銅めっき層の厚みは0.1〜1μm程度、電解銅めっき層の厚みは5〜50μm程度とする。
Next, as shown in FIG. 2 (c), an electroless copper plating layer and an electrolytic copper plating layer are sequentially deposited in the through
次に、図2(d)に示すように、スルーホール3および銅箔5P上に被着させためっき導体層4Pを、銅箔5Pが2〜15μmの厚みでコア用の絶縁板1の上下面に残存するように研磨して平坦化する。これにより、スルーホール3内にスルーホール導体4が形成される。
Next, as shown in FIG. 2 (d), the plated
次に、図2(e)に示すように、銅箔5Pおよびスルーホール導体4上にスルーホールランド5およびビアランド11に対応したパターンのエッチングレジスト層31を被着する。エッチングレジスト層31は、例えば感光性樹脂から成るドライフィルムレジストを銅箔5Pおよびスルーホール導体4上に貼着するとともに上記所定のパターンに露光および現像することにより形成される。
Next, as shown in FIG. 2E, an etching resist
次に、図3(f)に示すように、エッチングレジスト層31から露出する銅箔5Pをエッチング除去する。エッチングには塩化第二鉄等を含むエッチング液を用いればよい。このとき、スルーホールランド5およびビアランド11に対応する部位の銅箔5Pのみが残る。
Next, as shown in FIG. 3F, the
次に、図3(g)に示すように、スルーホールランド5およびビアランド11に対応する部分の表面に残ったエッチングレジスト層31を剥離除去する。
Next, as shown in FIG. 3G, the etching resist
次に、露出するコア用の絶縁板1の上下面およびスルーホール導体4の端面およびスルーホールランド5およびビアランド11の表面に、図示しない無電解銅めっきを0.1〜1.0μm程度の厚みに被着させた後、図3(h)に示すように、その無電解銅めっき上に蓋めっき6およびコア用の配線導体7に対応する形状の開口パターンを有するめっきレジスト層32を被着させる。
Next, electroless copper plating (not shown) is formed on the upper and lower surfaces of the exposed insulating
次に、図3(i)に示すように、めっきレジスト層32から露出する無電解銅めっき層上に蓋めっき6およびコア用の配線導体7に対応したパターンの電解銅めっき6Pおよび7Pを被着させる。電解銅めっき6Pおよび7Pの厚みは10〜30μm程度である。
Next, as shown in FIG. 3I,
次に、図3(j)に示すように、めっきレジスト層32を剥離除去した後、めっきレジスト層32の下にあった無電解銅めっきをエッチング除去することによって、蓋めっき6およびコア用の配線導体7を形成する。めっきレジスト層32の剥離には水酸化ナトリウム等を含む剥離液を用いればよい。このような、蓋めっき6およびコア用の配線導体7を形成するする方法は、いわゆるセミアディティブ法と呼ばれる方法であり、蓋めっき6およびコア用の配線導体7を形成する際にめっきレジスト層32の下にあった無電解銅めっきの厚み分だけをエッチング除去すればよいので、蓋めっき6およびコア用の配線導体7が横方向に大きくエッチングされることはない。したがって、配線の幅や間隔が30μm以下のパターンを有するコア用の配線導体7を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 3 (j), after the plating resist
次に、図4(k)に示すように、コア用の絶縁板1の上下面に蓋めっき6およびコア用の配線導体7を覆うようにしてビルドアップ用の絶縁層2用の樹脂層2Pを積層する。樹脂層2Pは、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂とシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する電気絶縁材料であり、20〜50μmの厚みである。コア用の絶縁板1の表面に樹脂層2Pを被着するには、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂組成物を含有する樹脂フィルムを真空プレス機を用いてコア用の絶縁板1の表面に貼着した後、熱硬化させればよい。
Next, as shown in FIG. 4 (k), the
次に、図4(l)に示すように、樹脂層2Pにレーザ加工により蓋めっき6またはコア用の配線導体7を底面とするビアホール8を形成することでビルドアップ用の絶縁層2を形成する。ビアホール8の直径は30〜100μm程度である。
Next, as shown in FIG. 4L, the build-up insulating
次に、図4(m)に示すように、ビアホール8内に銅めっきから成るビア導体9を充填させるとともにビルドアップ用の絶縁層2の表面にビア導体9と一体的に形成されたビルドアップ用の配線導体10を被着する。ビルドアップ用の配線導体10は公知のセミアディティブ法を用いて形成すればよい。
Next, as shown in FIG. 4 (m), the via
以降は、図4(n)に示すように、同様にしてビルドアップ用の絶縁層2と、ビルドアップ用の配線導体10とを必要な層数だけ交互に積層し、さらにその上に電子部品接続パッド12および外部接続パッド14が露出する開口部を有するソルダーレジスト層13を被着することで配線基板20が形成される。ソルダーレジスト層13は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂組成物およびシリカ等の無機絶縁フィラーを含有する未硬化の感光性樹脂シートまたは樹脂ペーストを、最外層のビルドアップ用の絶縁層2およびビルドアップ用の配線導体10上に被着させるとともに所定のパターンに露光および現像した後、熱硬化させることにより形成される。
Thereafter, as shown in FIG. 4 (n), the build-up insulating
このように、本発明の配線基板の製造方法によれば、コア用の配線導体の幅や間隔を30μm以下の微細配線を有する配線基板を提供することができる。 As described above, according to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, it is possible to provide a wiring board having fine wiring with a core wiring conductor having a width and interval of 30 μm or less.
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば上述の配線基板20の実施形態の一例を示す図1においては、スルーホール3はスルーホール導体4のみで充填されているが、図5に示す配線基板40のように、スルーホール導体4の上下両端の中央部に凹部4aが形成されているとともに、この凹部4aが蓋めっき6用のめっき導体で充填されていてもよい。この場合、スルーホール導体4を形成するためのめっき導体層4Pの厚みが薄くて済む。これにより、めっき導体層4Pが厚い場合に比べて先述の研磨工程に要する時間を短縮することができる。また、めっき導体層4Pの厚みが10μm以下の特に薄い場合には、めっき導体層4Pの表面が略平坦であるため、研磨工程を省略することもできる。
In addition, this invention is not limited to an example of above-mentioned embodiment, A various change is possible if it is a range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in FIG. 1 showing an example of the embodiment of the
このような配線基板40は、以下のようにして形成される。まず、上述した図2(a)〜図2(b)の工程を経た後、図6(a)に示すように、めっき導体層4Pをスルーホール3の高さ方向の中央部が充填されるとともにスルーホール3の上下両端に凹部4aが形成される程度に薄く析出させる。この場合、スルーホール3内に充填されためっき導体層4Pの上下両端に凹部4aが形成されるが、この凹部4aは、後述する電解銅めっき6Pにより充填すればよい。このように、導体層4Pを薄く析出させることで、めっき導体層4Pが厚い場合に比べて先述の研磨工程に要する時間を短縮することができる。また、めっき導体層4Pの厚みが10μm以下の特に薄い場合には、めっき導体層4Pの表面が略平坦であるため、研磨工程を省略することもできる。
Such a
次に、図6(b)に示すように、導体層4P上にスルーホールランド5およびビアランド11に対応したパターンのエッチングレジスト層31を被着した後、
図6(c)に示すように、エッチングレジスト層31から露出するめっき導体層4Pおよびその下の銅箔5Pをエッチング除去する。これにより、スルーホール3内に、上下端面に凹部4aを有するスルーホール導体4が形成されるとともに、スルーホール3の周囲の上下面に、スルーホール導体4と電気的に接続されたスルーホールランド5が形成される。
Next, as shown in FIG. 6B, after depositing an etching resist
As shown in FIG. 6C, the
次に、エッチングレジスト31を除去するとともに露出するコア用の絶縁板1の上下面およびスルーホール導体4の端面およびスルーホールランド5およびビアランド11の表面に、図示しない無電解銅めっきを0.1〜1.0μm程度の厚みに被着させた後、図6(d)に示すように、その無電解銅めっき上に蓋めっき6およびコア用の配線導体7に対応する形状の開口パターンを有するめっきレジスト層32を被着させる。
Next, electroless copper plating (not shown) is applied to the upper and lower surfaces of the
次に、図6(e)に示すように、めっきレジスト層32から露出する無電解銅めっき層上に蓋めっき6およびコア用の配線導体7に対応したパターンの電解銅めっき6Pおよび7Pを被着させる。このとき、電解銅めっき6Pの一部が凹部4aを充填するように被着させる。電解銅めっき6Pおよび7Pの厚みは10〜30μm程度である。
Next, as shown in FIG. 6 (e),
以降は、先述の図3(j)〜図4(n)で示した同様の工程を行なうことで図5に示すような、コア用の配線導体の幅や間隔を30μm以下の微細配線を有する配線基板40を提供することができる。
Thereafter, by performing the same steps shown in FIGS. 3 (j) to 4 (n), the core wiring conductor has fine wiring with a width and interval of 30 μm or less as shown in FIG. The
1 絶縁板
3 スルーホール
4 スルーホール導体
5 スルーホールランド
5P 銅箔
7 配線導体
20 配線基板
DESCRIPTION OF
Claims (2)
A step of forming a through-hole penetrating vertically in an insulating plate having copper foils on the upper and lower surfaces, a step of filling a through-hole conductor made of a plating conductor in the through-hole, Forming a through-hole land made of the copper foil electrically connected to the through-hole conductor around the through-hole by a subtractive method; and a wiring conductor made of a plated conductor extending on the upper and lower surfaces of the insulating plate Forming a semiconductor substrate by a semi-additive method , wherein in the step of filling the through-hole conductor, a height in the through-hole is formed so that recesses are formed at both upper and lower ends of the through-hole. In the step of filling the central portion in the vertical direction with the through-hole conductor and forming the wiring conductor, the concave portion Method for manufacturing a wiring board, which comprises filling a plating conductor formed simultaneously with plating conductor forming the body.
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