JP5840875B2 - The optical device wafer processing method - Google Patents

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本発明は、基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、基板の裏面に金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法に関する。 The present invention, a second dividing a plurality formed in a direction crossing the plurality of first dividing line and the first dividing lines optical device layer is laminated on the surface of the substrate extending in a predetermined direction optical devices are formed in a plurality of regions partitioned by the line, to the optical device wafer processing method in which a metal film is coated on the rear surface of the substrate.

光デバイス製造工程においては、略円板形状であるサファイア基板や炭化珪素基板等の基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体からなる光デバイス層が被覆され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。 In the optical device manufacturing processes, the first dividing optical device layer made of gallium nitride-based compound semiconductor on a surface of a substrate such as a sapphire substrate or a silicon carbide substrate of the plurality extending in a predetermined direction is coated a substantially disk shape line and the first division line and intersections of the plurality which are formed in a direction second dividing light-emitting diode into a plurality of regions partitioned by the line, the optical device wafer to form an optical device such as a laser diode Configure. そして、光デバイスウエーハを第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。 Then, it manufactures individual optical devices by dividing the area where the optical device is formed by cutting the optical device wafer along the first dividing line and the second dividing line.

上述した光デバイスウエーハを第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って分割する分割方法として、光デバイスウエーハを構成する基板に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工することにより破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成された第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている。 As the division method of dividing along the optical device wafer as described above in the first dividing line and a second division lines, a pulse laser beam having an absorption wavelength to the substrate constituting the optical device wafer first dividing lines and then irradiated along the second dividing lines to form a laser processed groove serving as a starting point for rupture by ablation processing, a first split laser processed groove serving as a starting point for the fracture formed how to fracturing by applying an external force along the planned line and the second dividing line has been proposed. (例えば、特許文献1参照。) (E.g., see Patent Document 1.)

また、光デバイスウエーハを第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って分割する方法として、光デバイスウエーハを構成する基板に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を合わせ第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って破断の起点となる改質層を連続的に形成し、この破断の起点となる改質層が形成された第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って外力を付与することにより、ウエーハを分割する方法が提案されている。 Further, as a method for dividing the optical device wafer along the first dividing line and the second division lines, condensing a pulsed laser beam having a transmission wavelength to the substrate constituting the optical device wafer therein irradiated along the first dividing line and a second dividing lines combined points, reforming layer serving as a starting point for rupture along the first dividing line and a second division line in the substrate continuously forming, by applying an external force along the first division lines modified layer serving as a starting point for fracture is formed and the second dividing line, proposed a method of dividing the wafer It is. (例えば、特許文献2参照。) (E.g., see Patent Document 2.)

近年、光デバイスの輝度を向上させるために、光デバイスウエーハを構成する基板の裏面にアルミニウムや金等の金属を1μm程度の厚みで被覆した光デバイスウエーハが実用化されている。 Recently, in order to improve the brightness of an optical device, an optical device wafer that a metal such as aluminum or gold on the back surface of the substrate constituting the optical device wafer coated with 1μm thickness of approximately has been put to practical use. このように基板の裏面に金属膜が被覆された光デバイスウエーハを第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインに沿って分割するためには、先ず基板の裏面に被覆された金属膜側から第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、金属膜を第1の分割予定ラインおよび第2の分割予定ラインと対応して除去している。 Thus the optical device wafer on which the metal film is coated on the rear surface of the substrate to divide along the first dividing line and the second division lines, first metal film side which is coated on the rear surface of the substrate a laser beam is irradiated to a region corresponding to the first dividing line and a second division lines from, and removing the metal film corresponding to the first division lines and the second dividing line.

特開平10−305420号公報 JP 10-305420 discloses 特許第3408805号公報 Patent No. 3408805 Publication

而して、基板の裏面に被覆された金属膜側から第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射して金属膜を第1の分割予定ラインと対応して除去した後に、第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射する際に、第1の分割予定ラインと対応する交差領域においては既に金属膜が除去されているので、レーザー光線が基板を透過して基板の表面に形成された光デバイス層に照射され、光デバイス層にダメージが生じ光デバイスの品質を低下させるという問題がある。 And Thus, after removing the metal film from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate by irradiating a laser beam to the region corresponding to the first division line corresponding to the first division line, the second when irradiating the dividing line with the corresponding laser beam to the region, since already the metal film is removed in the intersection region corresponding to the first division line, laser beam is transmitted through the substrate to the surface of the substrate is irradiated to the optical device layer which is formed, there is a problem that damage to the optical device layers reduce the quality of the resulting optical device.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、光デバイス層にダメージを与えることなく基板の裏面に被覆された金属膜における分割予定ラインと対応する領域を除去することができる光デバイスウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, the principal technical problem is to remove the region corresponding to the dividing lines in the metal film coated on the back surface of the substrate without damaging the optical device layer and to provide a method of processing an optical device wafer that can.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に該光デバイスの輝度を向上させる金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、 To solve the above object, according to the present invention, a direction crossing the plurality of first dividing line and the first dividing lines optical device layer is laminated on the surface of the substrate extending in a predetermined direction optical devices are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of second dividing lines formed in the machining of the optical device wafer on which the metal film to improve the brightness of which is coated of the light device on the back of the substrate there is provided a method,
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the first division line, by removing the metal film along the first dividing line first a first metal film removing step of forming a laser processed groove,
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the second division line, by removing the metal film along the second dividing line second It includes a second metal film removing step of forming a laser processed groove, a,
該第2の金属膜除去工程は、該第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、 The second metal layer removal step, for applying a laser beam except for the intersections of the first laser machining groove formed in the first metal film removing step,
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。 The optical device wafer processing method, characterized in that there is provided.

また、本発明によれば、基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に該光デバイスの輝度を向上させる金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、 Further, according to the present invention, a plurality formed in a direction crossing the plurality of first dividing line and the first dividing lines optical device layer is laminated on the surface of the substrate extending in a predetermined direction optical devices are formed in a plurality of regions partitioned by two dividing lines, the metal film to improve the brightness of the light device on the back of the substrate is a method for processing a coated optical device wafer,
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the first division line, by removing the metal film along the first dividing line first a first metal film removing step of forming a laser processed groove,
該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the second division line, by removing the metal film along the second dividing line second It includes a second metal film removing step of forming a laser processed groove, a,
該第1の金属膜除去工程は、該第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、 First metal film removal step, for applying a laser beam except for the intersections of the corresponding region and the second dividing line,
ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法が提供される。 The optical device wafer processing method, characterized in that there is provided.

上記第2の金属膜除去工程を実施した後に、基板の裏面側から基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第1のレーザー加工溝および第2のレーザー加工溝に沿って照射し、基板の内部に第1のレーザー加工溝および第2のレーザー加工溝に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。 After performing the second metal film removing step, applying a laser beam having a transmission wavelength to the substrate from the back side of the substrate along a first laser processed groove and the second laser groove, the substrate inside along the first laser processed groove and the second laser processed groove implementing a modified layer forming step of forming a modified layer of.

本発明によれば、第2の金属膜除去工程は、第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、第1のレーザー加工溝によって除去された交差領域にはレーザー光線が照射されないため、レーザー光線が基板の表面に形成された光デバイス層に照射されることはなく、光デバイス層にダメージを与えることが防止できる。 According to the present invention, the second metal film removing step, since except for the intersections of the first laser machining groove formed in the first metal film removing step for applying a laser beam, a first laser processing since laser beam is in the intersection area that is removed by the groove is not irradiated, the laser beam is not to be irradiated onto the optical device layer which is formed on the surface of the substrate, it is possible to prevent damage to the optical device layer.
また、本発明によれば、第1の金属膜除去工程は、第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、その後、第2の金属膜除去工程において第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射する際に第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域には金属膜が存在しているため、レーザー光線が基板の表面に形成された光デバイス層に照射されることはなく、光デバイス層にダメージを与えることが防止できる。 Further, according to the present invention, the first metal film removing step, since except for the intersections of the region corresponding to the second division line applying a laser beam, then, in the second metal film removing step since the intersection region of the first laser machining groove formed in the first metal film removing step when irradiating a laser beam to the region corresponding to the second division lines are present metal film, laser There is not to be irradiated to the optical device layer which is formed on the surface of the substrate, it is possible to prevent damage to the optical device layer.

本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図。 Sectional view showing an enlarged perspective view and a main part of the optical device wafer to be processed by the optical device wafer processing method according to the present invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における保護部材貼着工程を示す説明図。 Explanatory view showing a protection member attaching step in the optical device wafer processing method according to the invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 Main part perspective view of a laser processing apparatus for performing a first metal film removing step and the second metal film removing step in the optical device wafer processing method according to the invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における第1の実施形態の第1の金属膜除去工程を示す説明図。 Explanatory view showing a first metal film removing step of the first embodiment in the optical device wafer processing method according to the invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における第1の実施形態の第2の金属膜除去工程を示す説明図。 Explanatory view showing a second metal film removing step of the first embodiment in the optical device wafer processing method according to the invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における第2の実施形態の第1の金属膜除去工程を示す説明図。 Explanatory view showing a first metal film removing step of the second embodiment of the optical device wafer processing method according to the present invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における第2の実施形態の第2の金属膜除去工程を示す説明図。 Explanatory view showing a second metal film removing step of the second embodiment of the optical device wafer processing method according to the present invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。 Main part perspective view of a laser processing apparatus for performing a modified layer forming step in the optical device wafer processing method according to the invention. 本発明による光デバイスウエーハの加工方法における改質層形成工程を示す説明図。 Explanatory view showing a modified layer forming step in the optical device wafer processing method according to the invention.

以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Preferred embodiments of the wafer processing method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図1の(a)および(b)には、ウエーハとしての光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。 The in FIGS. 1 (a) and (b), the cross-sectional view showing an enlarged perspective view and a main part of an optical device wafer as a wafer. 図1の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ2は、例えば厚みが100μmのサファイア基板20の表面20aにn型窒化物半導体層211およびp型窒化物半導体層212とからなる光デバイス層(エピ層)21が例えば10μmの厚みで積層されている。 Optical device wafer 2 shown in (a) and (b) of FIG. 1, for example, an optical thickness of n-type nitride semiconductor layer 211 and the p-type nitride semiconductor layer 212 on the surface 20a of 100μm sapphire substrate 20 of the device layers are laminated in (epi layer) 21 is, for example 10μm thickness. そして、光デバイス層(エピ層)21は所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ライン221と該第1の分割予定ライン221と交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ライン222によって区画された複数の領域に発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイス23が形成されている。 Then, the optical device layer (epi layer) 21 is a plurality of first dividing lines 221 and a plurality of second dividing lines formed in a direction intersecting the first dividing line 221 extending in a predetermined direction emitting diode into a plurality of regions partitioned, the optical device 23 such as a laser diode is formed by 222. また、サファイア基板20の裏面20bには、アルミニウム、金等の金属膜24が金属蒸着によって被覆されて形成されている。 Further, on the back surface 20b of the sapphire substrate 20, aluminum, the metal film 24 of gold or the like is formed is covered with metal deposition. この金属膜24の厚みは、図示の実施形態においては1μmに設定されている。 The thickness of the metal film 24 is set to 1μm in the illustrated embodiment. なお、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の外周には結晶方位を表すノッチ201が形成されている。 Incidentally, the outer periphery of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is formed a notch 201 that represents the crystal orientation. 以下、この光デバイスウエーハ2を第1の分割予定ライン221および第2の分割予定ライン222に沿って加工する方法について説明する。 The following describes a method of processing along the optical device wafer 2 to the first dividing line 221 and the second division lines 222.

先ず、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス23を保護するために、光デバイスウエーハ2の表面2aに保護部材を貼着する保護部材貼着工程を実施する。 First, in order to protect the optical devices 23 formed on the surface 20a of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2, to implement the protection member attaching step of attaching a protective member on the surface 2a of the optical device wafer 2 . 即ち、図2に示すように光デバイスウエーハ2の表面2aにポリ塩化ビニル(PVC)等のシート材からなる保護部材としての保護テープTを貼着する。 That is, adhering the protective tape T as a protective member on the surface 2a of the optical device wafer 2 made of sheet material of polyvinyl chloride (PVC) or the like as shown in FIG.

上述した保護部材貼着工程を実施したならば、サファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24側から第1の分割予定ライン221と対応する領域にレーザー光線を照射し、第1の分割予定ライン221に沿って金属膜24を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程、およびサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24側から第2の分割予定ライン222と対応する領域にレーザー光線を照射し、第2の分割予定ライン222に沿って金属膜24を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程を実施する。 After performing the protective member attaching step described above, a laser beam is irradiated to a region corresponding metal film 24 side, which is coated on the rear surface 20b of the sapphire substrate 20 and the first dividing line 221, the first dividing first metal film removing step of forming a first laser processed groove by removing the metal film 24 along the line 221, and split from the coated metal film 24 side of the second to the rear surface 20b of the sapphire substrate 20 a laser beam is irradiated to a region corresponding to a planned line 222, a second metal film removing step of forming a second laser processed groove carried by removing the metal film 24 along the second dividing line 222 . この第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程は、図3に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。 The first metal film removing step and the second metal film removing step is carried out by using a laser processing apparatus 3 shown in FIG. 図3に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。 The laser processing apparatus shown in FIG. 3. 3, holding a chuck table 31 for holding a workpiece, a laser beam application means 32 for applying a laser beam to the workpiece held on the chuck table 31, on the chuck table 31 and imaging means 33 for imaging the workpiece that is. チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図3において矢印Xで示す加工送り方向に移動せしめられるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図3において矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。 The chuck table 31 is so constituted as to suction a workpiece, together moved in the processing-feed direction indicated by the arrow X in FIG. 3 by the feeding means, not shown, in FIG. 3 by the indexing means (not shown) It is adapted to be moved in the indexing direction indicated by the arrow Y.

上記レーザー光線照射手段32は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング321を含んでいる。 The above laser beam application means 32 includes a casing 321 arranged substantially horizontally cylindrical shape. ケーシング321内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。 In the casing 321 a pulse laser beam oscillation means having a pulsed laser beam oscillator and repetition frequency setting means (not shown) is disposed. 上記ケーシング321の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器322が装着されている。 The front end of the casing 321, the pulsed laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillation means condenser 322 for condensing is mounted. なお、レーザー光線照射手段32は、集光器322によって集光されるパルスレーザー光線の集光点位置を調整するための集光点位置調整手段(図示せず)を備えている。 Incidentally, the laser beam application means 32 has a focal position adjusting means for adjusting the focal position of the pulsed laser beam to be focused by the condenser 322 (not shown).

上記レーザー光線照射手段32を構成するケーシング321の先端部に装着された撮像手段33は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。 Imaging means 33 mounted on the front end portion of the casing 321 constituting the above laser beam application means 32, out of the normal imaging device for imaging the visible light in the illustrated embodiment (CCD), infrared rays onto the workpiece an infrared illuminating means for illuminating, is composed of an optical system for capturing infrared radiation applied, the imaging device that outputs an electric signal corresponding to infrared radiation captured by the optical system (CCD) for by the infrared illuminating means and it sends to control means not shown an image signal obtained by imaging. なお、図示しない制御手段のメモリには、上記図1に示す光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層(エピ層)21に設けられた複数の第1の分割予定ライン221および複数の第2の分割予定ライン222の座標値(設計値)がノッチ201を基準として格納されている。 Incidentally, the control means (not shown) in the memory, optical device layer which is formed on the surface 20a of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 shown in FIG. 1 (epi layer) of a plurality provided in 21 first dividing lines 221 and a plurality of coordinate values ​​of the second division lines 222 (design value) is stored notch 201 as a reference.

上述したレーザー加工装置3を用いて上記第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施するには、図3に示すようにチャックテーブル31上に光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに貼着された保護テープT側を載置する。 To implement the first metal film removing step and the second metal film removing step using a laser processing apparatus 3 described above, sapphire constituting the optical device wafer 2 on the chuck table 31 as shown in FIG. 3 placing the protective tape T side adhered to the surface 20a of the substrate 20. そして、図示しない吸引手段を作動することにより、光デバイスウエーハ2を保護テープTを介してチャックテーブル31上に保持する(ウエーハ保持工程)。 By activating the suction means (not shown), the optical device wafer 2 through the protective tape T is held on the chuck table 31 (wafer holding step). 従って、チャックテーブル31に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24が上側となる。 Accordingly, the optical device wafer 2 held on the chuck table 31, the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 thereof is directed upwards.

上述したウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。 After performing the above-mentioned wafer holding step, the chuck table 31 with the optical device wafer 2 sucked and held is positioned directly below the imaging unit 33 by the feeding means, not shown. チャックテーブル31が撮像手段33の直下に位置付けられると、撮像手段33および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ2が所定の座標値に位置付けられているか否可のアライメント作業を実行する。 When the chuck table 31 is positioned directly below the imaging means 33, the optical device wafer 2 alignment work or not allowed is positioned at the predetermined coordinate value by the imaging means 33 and the control means (not shown). 即ち、撮像手段33は、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の外周に形成されたノッチ201を撮像し、その画像信号を図示しない制御手段に送る。 That is, the imaging unit 33, a notch 201 formed in the outer periphery of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 captured and sent to a control means (not shown) the image signal. そして、図示しない制御手段は、撮像手段33から送られた画像信号に基づいてノッチ201が所定の座標値に位置しているか否かを判定し、ノッチ201が所定の座標値に位置していない場合には、チャックテーブル31を回動してノッチ201を所定の座標値に位置付けるように調整し、設計値から第1の分割予定ライン221、第2の分割予定ライン222を検出する(アライメント工程)。 The control means (not shown) determines whether or not the notch 201 is positioned at a predetermined coordinate value based on the image signal transmitted from the imaging unit 33, the notch 201 is not positioned in a predetermined coordinate value in this case, the chuck table 31 rotates adjusted to position the notch 201 to a predetermined coordinate value, the first dividing lines 221 from the design value, detecting a second dividing line 222 (alignment step ).

以上のようにしてアライメント工程を実施したならば、上記第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施する。 After performing the alignment process as described above, to implement the first metal film removing step and the second metal film removing step. この第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程の第1の実施形態について、図4および図5を参照して説明する。 A first embodiment of the first metal film removing step and the second metal film removing step will be described with reference to FIGS.
即ち、図4の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン221の一端(図4の(a)において左端)に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。 That is, the chuck table 31 as shown in the FIGS. 4 (a) moves to a laser beam application area where the condenser 322 is located in the laser beam application means 32, the predetermined first dividing line 221 one end (in FIG. 4 positioning a coordinate value corresponding to the left end) right below the condenser 322 of the laser beam application means 32 in (a). 次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図4の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Next, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 31 while applying a laser beam from the condenser 322 of the laser beam application means 32 in FIG. 4 (a) at a predetermined machining feed rate. そして、図4の(b)で示すように第1の分割予定ライン221の他端(図4の(b)において右端)が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。 Then, when reaches the position directly below the condenser 322 (the right end in FIG. 4 (b)) the other end of the first dividing line 221 as shown by (b) in FIG. 4, stopping of the pulsed laser beam to stop the movement of the chuck table 31 as well as. この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図4の(a)に示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。 In the first metal film removing step, the pulsed laser beam converging point P of FIGS. 4 (a) to the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown fit to the vicinity of the upper surface. この結果、図4の(b)で示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第1の分割予定ライン221と対応する領域が除去されて第1のレーザー加工溝241が形成される(第1の金属膜除去工程)。 As a result, the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown in FIG. 4 (b), a region corresponding to the first division line 221 is removed first laser processed groove 241 is formed (first metal film removing step).

なお、上記第1の金属膜除去工程は、例えば以下の加工条件で行われる。 Incidentally, the first metal film removing step is carried out, for example, under the following processing conditions.
レーザー光線の波長 :355nm Wavelength of the laser beam: 355nm
繰り返し周波数 :40kHz Repetition frequency: 40kHz
平均出力 :0.5〜2W(金属膜24の金属によって異なる) Average Output: 0.5~2W (varies with the metal of the metal film 24)
集光スポット径 :50μm Focused spot diameter: 50μm
加工送り速度 :300mm/秒 Processing-feed rate: 300mm / sec.

このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1の分割予定ライン221に沿って上記第1の金属膜除去工程を実施したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめる。 Thus, if along the first dividing lines 221 of all formed in the optical device wafer 2 was carried out the first metal film removing step, the chuck table 31 allowed to 90 degrees rotation. そして、第2の分割予定ライン222と対応する領域にレーザー光線を照射し、第2の分割予定ライン222に沿って金属膜24を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程を実施する。 Then, a laser beam is irradiated to a region corresponding to the second division lines 222, a second metal forming the second laser processed groove by removing the metal film 24 along the second dividing line 222 implementing the film removing step.

第2の金属膜除去工程は、図5の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第2の分割予定ライン222の一端(図5の(a)において左端)に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。 Second metal film removing step, the chuck table 31 as shown in FIG. 5 (a) moves to a laser beam application area where the condenser 322 is located in the laser beam application means 32, a predetermined second dividing lines position 222 of the end coordinate value corresponding to (of FIG. 5 left end in (a)) right below the condenser 322 of the laser beam application means 32. 次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Next, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 31 while applying a laser beam from the condenser 322 of the laser beam application means 32 in FIG. 5 (a) at a predetermined machining feed rate. そして、上記第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域が集光器322の直下に達したらパルスレーザー光線の照射を停止し、第1のレーザー加工溝241との交差領域が集光器322の直下を越えたらパルスレーザー光線を再度照射する。 The intersections of the first laser processed groove 241 formed in the first metal film removal process stops irradiation of the pulsed laser beam reaches the right below the condenser 322, the first laser groove 241 intersections of the irradiates the pulse laser beam Once beyond the right below the condenser 322 again. このようにして、パルスレーザー光線の照射と停止を繰り返し、図5の(b)で示すように第2の分割予定ライン222の他端(図5の(b)において右端)が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。 In this manner, repeatedly stopping the irradiation of the pulse laser beam, of the second division lines 222 as shown in FIG. 5 (b) the other end (in FIG. 5 (b) the right end) of the condenser 322 Upon reaching a position immediately below, to stop the movement of the chuck table 31 is stopped of the pulse laser beam. この第2の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図5の(a)に示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。 In the second metal film removing step, the pulsed laser beam converging point P of FIGS. 5 (a) to the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown fit to the vicinity of the upper surface. この結果、図5の(c)で示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域を除いて第2の分割予定ライン222と対応する領域が除去されて第2のレーザー加工溝242が形成される(第2の金属膜除去工程)。 As a result, the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown in (c) of FIG. 5, a first laser which is formed in the first metal film removing step second laser processed groove 242 is formed in a region corresponding to the second dividing line 222 is removed except the area of ​​intersection between the machined groove 241 (second metal film removing step). なお、第2の金属膜除去工程によって形成される第2のレーザー加工溝242は、図5の(d)で示すように第1のレーザー加工溝241と僅かに重合してもよく、また、図5の(e)で示すように第1のレーザー加工溝241と僅かに離れていてもよい。 The second laser groove 242 formed by the second metal film removing step may be slightly polymerized with the first laser processed groove 241 as shown in (d) of FIG. 5, also, it may be slightly spaced apart from the first laser processed groove 241 as shown by (e) in FIG.

このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2の分割予定ライン222に沿って上記第2の金属膜除去工程を実施する。 In this manner, carrying out the second metal film removing step along all of the second division lines 222 formed in the optical device wafer 2. なお、第2の金属膜除去工程の加工条件は、上記第1の金属膜除去工程の加工条件と同一でよい。 The processing conditions of the second metal film removing step can be the same as the processing conditions of the first metal film removing step.

以上のように第1の実施形態における第2の金属膜除去工程は、第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域を除いてレーザー光線を照射するので、第1のレーザー加工溝241によって除去された交差領域にはレーザー光線が照射されないため、パルスレーザー光線がサファイア基板20を透過して表面20aに形成された光デバイス層21に照射されることはなく、光デバイス層21にダメージを与えることが防止できる。 The second metal film removal process in the first embodiment as described above, since with the exception of the intersections of the first laser processed groove 241 formed in the first metal film removing step for applying a laser beam, since the intersection region is removed by the first laser groove 241 is laser not irradiated, not the pulse laser beam is irradiated to the optical device layer 21 formed on the surface 20a passes through the sapphire substrate 20, the light it is possible to prevent damage to the device layer 21.

次に、第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程の第2の実施形態について説明する。 Next, a description will be given of a second embodiment of the first metal film removing step and the second metal film removing step.
この第2の実施形態においては、第1の金属膜除去工程は第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する。 In the second embodiment, the first metal film removing step for applying a laser beam except for the intersections of the region corresponding to the second division lines 222. 第2の実施形態における第1の金属膜除去工程は、図6の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1の分割予定ライン221の一端(図6の(a)において左端)に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。 The first metal film removing step in the second embodiment, the chuck table 31 as shown in (a) of FIG. 6 moves to a laser beam application area where the condenser 322 is located in the laser beam application means 32, a predetermined a coordinate value corresponding to one end of the first division lines 221 (left end in FIG. 6 (a)) positioned right below the condenser 322 of the laser beam application means 32. 次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図6の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Next, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 31 while applying a laser beam from the condenser 322 of the laser beam application means 32 in FIG. 6 (a) at a predetermined machining feed rate. そして、上記第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域が集光器322の直下に達したらパルスレーザー光線の照射を停止し、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域が集光器322の直下を越えたらパルスレーザー光線を再度照射する。 The intersection between the intersections of the second division lines 222 to the corresponding region stops irradiation of the pulsed laser beam reaches the right below the condenser 322, a region corresponding to the second division lines 222 region is irradiated with a pulsed laser beam Once beyond the right below the condenser 322 again. このようにして、パルスレーザー光線の照射と停止を繰り返し、図6の(b)で示すように第2の分割予定ライン222の他端(図6の(b)において右端)が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。 In this manner, repeatedly stopping the irradiation of the pulse laser beam, of the second division lines 222 as shown in FIG. 6 (b) the other end (in FIG. 6 (b) the right end) of the condenser 322 Upon reaching a position immediately below, to stop the movement of the chuck table 31 is stopped of the pulse laser beam. この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図6の(a)に示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。 In the first metal film removing step, the pulsed laser beam converging point P of FIGS. 6 (a) to the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown fit to the vicinity of the upper surface. この結果、図6の(b)で示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いて第1の分割予定ライン221と対応する領域が除去されて第1のレーザー加工溝241が形成される(第1の金属膜除去工程)。 As a result, the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown in (b) of FIG. 6, intersections of the region corresponding to the second division lines 222 first laser processed groove 241 is formed corresponding area is removed with the first division lines 221 with the exception of (first metal film removing step).

このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1の分割予定ライン221に沿って上記第1の金属膜除去工程を実施したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめる。 Thus, if along the first dividing lines 221 of all formed in the optical device wafer 2 was carried out the first metal film removing step, the chuck table 31 allowed to 90 degrees rotation. そして、第2の分割予定ライン222と対応する領域にレーザー光線を照射し、第2の分割予定ライン222に沿って金属膜24を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程を実施する。 Then, a laser beam is irradiated to a region corresponding to the second division lines 222, a second metal forming the second laser processed groove by removing the metal film 24 along the second dividing line 222 implementing the film removing step.

第2の実施形態における第2の金属膜除去工程は、図7の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第2の分割予定ライン222の一端(図7の(a)において左端)に対応する座標値をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。 The second metal film removing step in the second embodiment, the chuck table 31 as shown in FIG. 7 (a) moves to a laser beam application area where the condenser 322 is located in the laser beam application means 32, a predetermined a coordinate value corresponding to one end of the second division lines 222 (left end in FIG. 7 (a)) positioned right below the condenser 322 of the laser beam application means 32. 次に、レーザー光線照射手段32の集光器322からレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図7の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Next, it allowed to move in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 31 while applying a laser beam from the condenser 322 of the laser beam application means 32 in FIG. 7 (a) at a predetermined machining feed rate. そして、図7の(b)で示すように第2の分割予定ライン222の他端(図7の(b)において右端)が集光器322の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。 Then, when reaches the position directly below the condenser 322 (the right end in in FIG. 7 (b)) and the other end of the second dividing line 222 as shown in FIG. 7 (b), stopping of the pulsed laser beam to stop the movement of the chuck table 31 as well as. この第1の金属膜除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを図7の(a)に示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24の上面付近に合わせる。 In the first metal film removing step, the pulsed laser beam converging point P 7 of (a) to the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown fit to the vicinity of the upper surface. この結果、図7の(b)で示すように光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24は、第2の分割予定ライン222と対応する領域が除去されて第2のレーザー加工溝242が形成される(第2の金属膜除去工程)。 As a result, the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 as shown in (b) of FIG. 7, a region corresponding to the second division lines 222 is removed second laser processed groove 242 is formed (second metal film removing step). このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2の分割予定ライン222に沿って上記第2の金属膜除去工程を実施する。 In this manner, carrying out the second metal film removing step along all of the second division lines 222 formed in the optical device wafer 2.

以上のように第2の実施形態における第1の金属膜除去工程は、第2の分割予定ライン222と対応する領域との交差領域を除いてパルスレーザー光線を照射するので、その後、第2の金属膜除去工程において第2の分割予定ライン222と対応する領域にパルスレーザー光線を照射する際に第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝241との交差領域には金属膜が存在しているため、パルスレーザー光線がサファイア基板20の表面20aに形成された光デバイス層21に照射されることはなく、光デバイス層21にダメージを与えることが防止できる。 The first metal film removal process in the second embodiment as described above, since irradiating the pulse laser beam except for the intersections of the region corresponding to the second division lines 222, then the second metal a first metal film at the intersection between the laser processed groove 241 formed in the first metal film removing step when irradiating the second dividing line 222 with a corresponding pulse laser beam to a region in the film removing step due to the presence, but not the pulse laser beam is irradiated to the optical device layer 21 formed on the surface 20a of the sapphire substrate 20, it is possible to prevent damage to the optical device layer 21.

上述したように第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程を実施したならば、後に、サファイア基板20の裏面20b側からサファイア基板20に対して透過性を有する波長のレーザー光線を第1のレーザー加工溝241および第2のレーザー加工溝242に沿って照射し、サファイア基板20の内部に第1のレーザー加工溝241および第2のレーザー加工溝242に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。 If the first metal film removing step and the second metal film removing step as described above was performed, later, a laser beam having a transmission wavelength to the sapphire substrate 20 from the rear surface 20b side of the sapphire substrate 20 second irradiated along a laser processed groove 241 and the second laser processed groove 242 to form a modified layer along a first laser processed groove 241 and the second laser processed groove 242 in the interior of the sapphire substrate 20 implementing the modified layer forming step. この改質層形成工程は、図8に示すレーザー加工装置30を用いて実施する。 This modified layer forming step is performed by using a laser processing apparatus 30 shown in FIG. 図8に示すレーザー加工装置30は、照射するパルスレーザー光線以外は上記図3に示すレーザー加工装置3と実質的に同様な構成であるため、同一部材には同一符号を付して、その説明は省略する。 The laser processing apparatus 30 shown in FIG. 8, except for the pulsed laser beam applied is a laser processing apparatus 3 substantially similar to the configuration shown in FIG. 3, the same members are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

上述したレーザー加工装置30を用いて、改質層形成工程を実施するには、先ず図8に示すレーザー加工装置30のチャックテーブル31上に上記第1の金属膜除去工程および第2の金属膜除去工程が実施された光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の表面20aに貼着された保護テープT側を載置する。 Using a laser processing apparatus 30 described above, to implement the modified layer forming step, first the on the chuck table 31 of the laser processing apparatus 30 shown in FIG. 8 the first metal film removing step and the second metal film removing step places the bonded been protective tape T side surface 20a of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 was performed. そして、図示しない吸引手段を作動することにより、光デバイスウエーハ2を保護テープTを介してチャックテーブル31上に保持する(ウエーハ保持工程)。 By activating the suction means (not shown), the optical device wafer 2 through the protective tape T is held on the chuck table 31 (wafer holding step). 従って、チャックテーブル31に保持された光デバイスウエーハ2は、サファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24が上側となる。 Accordingly, the optical device wafer 2 held on the chuck table 31, the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 thereof is directed upwards.

上述したウエーハ保持工程を実施したならば、光デバイスウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない加工送り手段によって撮像手段33の直下に位置付けられる。 After performing the above-mentioned wafer holding step, the chuck table 31 with the optical device wafer 2 sucked and held is positioned directly below the imaging unit 33 by the feeding means, not shown. チャックテーブル31が撮像手段33の直下に位置付けられると、撮像手段33および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ2が所定の座標値に位置付けられているか否可のアライメント作業を実行する。 When the chuck table 31 is positioned directly below the imaging means 33, the optical device wafer 2 alignment work or not allowed is positioned at the predetermined coordinate value by the imaging means 33 and the control means (not shown). 即ち、撮像手段33および図示しない制御手段は、上記第1の金属膜除去工程によって光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24に形成された第1のレーザー加工溝241と、該第1のレーザー加工溝241に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32の集光器322との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する(アライメント工程)。 That is, the imaging means 33 and the control means, a first laser processing that is formed in the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 by the first metal film removing step the groove 241, and executes image processing such as pattern matching for aligning the condenser 322 of the laser beam application means 32 for applying a laser beam along a first laser processed groove 241, the laser beam irradiation position performing the alignment (alignment process). また、上記第2の金属膜除去工程によって光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24に形成された第2のレーザー加工溝242に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。 Further, with respect to the second laser groove 242 formed on the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 by the second metal film removing process, as well laser alignment of the irradiation position is performed.

以上のようにしてチャックテーブル31上に保持された光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の裏面20bに被覆された金属膜24に形成された第1のレーザー加工溝241および第2のレーザー加工溝242を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図9の(a)で示すようにチャックテーブル31をレーザー光線照射手段32の集光器322が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第1のレーザー加工溝241の一端(図9の(a)において左端)をレーザー光線照射手段32の集光器322の直下に位置付ける。 First laser processed groove 241 and the second laser machining formed in the metal film 24 coated on the back surface 20b of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 held on the chuck table 31 as described above detecting a groove 242, if the alignment of the laser beam application position is carried out by moving the chuck table 31 as shown in FIG. 9 (a) to a laser beam application area where the condenser 322 is located in the laser beam application means 32 , position one end of the predetermined first laser processed groove 241 (of FIG. 9 left end in (a)) right below the condenser 322 of the laser beam application means 32. そして、パルスレーザー光線の集光点Pをサファイア基板20の厚み方向中央部に合わせる。 Then, the focal point P of the pulse laser beam in the thickness direction central portion of the sapphire substrate 20. 次に、集光器322からサファイア基板20に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル31を図9の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。 Then, moving in the direction indicated by the arrow X1 of the chuck table 31 while applying a pulse laser beam having a transmission wavelength to the sapphire substrate 20 from the condenser 322 in FIG. 9 (a) at a predetermined machining feed rate allowed to. そして、図9の(b)で示すようにレーザー光線照射手段32の集光器322の照射位置に第1のレーザー加工溝241の他端(図9の(b)において右端)が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル31の移動を停止する。 Then, when (at the right end (b) of FIG. 9) reaches the other end of the first laser processed groove 241 at the irradiation position of the condenser 322 of the laser beam application means 32 as shown in FIG. 9 (b), the pulse to stop the movement of the chuck table 31 stops the irradiation of the laser beam. この結果、光デバイスウエーハ2を構成するサファイア基板20の内部には、図9の(b)に示すように第1のレーザー加工溝241に沿って改質層243が形成される。 As a result, the interior of the sapphire substrate 20 constituting the optical device wafer 2 is modified layer 243 along a first laser processed groove 241 as shown in FIG. 9 (b) is formed. この改質層243は、溶融再固化層として形成される。 The modified layer 243 is formed as a molten resolidified layer.

上記改質層243形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。 Processing conditions in the above modified layer 243 forming step are set as follows, for example.
レーザー光線の波長 :1045nm Wavelength of the laser beam: 1045nm
繰り返し周波数 :100kHz Repetition frequency: 100kHz
平均出力 :0.3W Average output: 0.3W
集光スポット径 :φ1〜2μm Focused spot diameter: φ1~2μm
加工送り速度 :400mm/秒 Processing-feed rate: 400mm / sec.

このようにして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第1の分割予定ライン221に沿って上記改質層形成工程を実行したならば、チャックテーブル31を90度回動せしめる。 Thus, if along the first dividing lines 221 of all formed in the optical device wafer 2 has executed the modified layer forming step, the chuck table 31 allowed to 90 degrees rotation. そして、光デバイスウエーハ2に形成された全ての第2の分割予定ライン222に沿って上記改質層形成工程を実行する。 Then, run the modified layer forming step along all of the second division lines 222 formed in the optical device wafer 2.

上述した改質層形成工程が実施された光デバイスウエーハ2は、外力を付与することにより破断起点となる改質層243が形成された第1の分割予定ライン221および第2の分割予定ライン222に沿って破断し、個々の光デバイスに分割するウエーハ分割工程に搬送される。 Optical device wafer 2 above modified layer forming step is performed, the first dividing lines 221 and second dividing lines modified layer 243 serving as a fracture starting point by applying the external force is formed 222 broken along, it is carried to wafer dividing step of dividing into individual optical devices.

2:光デバイスウエーハ 20:サファイア基板 21:光デバイス層 221:第1の分割予定ライン 222:第2の分割予定ライン 23:光デバイス 24:金属膜 3:レーザー加工装置 30:レーザー加工装置 31:チャックテーブル 32:レーザー光線照射手段 322:集光器 33:撮像手段 2: the optical device wafer 20: sapphire substrate 21: the optical device layer 221: first dividing line 222: second dividing line 23: the optical device 24: metal film 3: laser processing apparatus 30: laser processing apparatus 31: chuck table 32: laser beam irradiation means 322: condenser 33: image pickup means
T:保護テープ T: the protective tape

Claims (3)

  1. 基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に該光デバイスの輝度を向上させる金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、 Optical device layer are sectioned by a plurality of first dividing line and a plurality formed in a direction intersecting the first dividing line second dividing lines are stacked and extending in a predetermined direction on the surface of the substrate optical devices into a plurality of regions are formed, a metal film to improve the brightness of the light device on the back of the substrate is a method for processing a coated optical device wafer,
    該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the first division line, by removing the metal film along the first dividing line first a first metal film removing step of forming a laser processed groove,
    該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the second division line, by removing the metal film along the second dividing line second It includes a second metal film removing step of forming a laser processed groove, a,
    該第2の金属膜除去工程は、該第1の金属膜除去工程において形成された第1のレーザー加工溝との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、 The second metal layer removal step, for applying a laser beam except for the intersections of the first laser machining groove formed in the first metal film removing step,
    ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 The optical device wafer processing method, characterized in that.
  2. 基板の表面に光デバイス層が積層され所定の方向に延びる複数の第1の分割予定ラインと該第1の分割予定ラインと交差する方向に形成された複数の第2の分割予定ラインによって区画された複数の領域に光デバイスが形成され、該基板の裏面に該光デバイスの輝度を向上させる金属膜が被覆された光デバイスウエーハの加工方法であって、 Optical device layer are sectioned by a plurality of first dividing line and a plurality formed in a direction intersecting the first dividing line second dividing lines are stacked and extending in a predetermined direction on the surface of the substrate optical devices into a plurality of regions are formed, a metal film to improve the brightness of the light device on the back of the substrate is a method for processing a coated optical device wafer,
    該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第1の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第1の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第1のレーザー加工溝を形成する第1の金属膜除去工程と、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the first division line, by removing the metal film along the first dividing line first a first metal film removing step of forming a laser processed groove,
    該基板の裏面に被覆された金属膜側から該第2の分割予定ラインと対応する領域にレーザー光線を照射し、該第2の分割予定ラインに沿って該金属膜を除去することにより第2のレーザー加工溝を形成する第2の金属膜除去工程と、を含み、 A laser beam is irradiated from the metal film side which is coated on the rear surface of the substrate in a region corresponding to the second division line, by removing the metal film along the second dividing line second It includes a second metal film removing step of forming a laser processed groove, a,
    該第1の金属膜除去工程は、該第2の分割予定ラインと対応する領域との交差領域を除いてレーザー光線を照射する、 First metal film removal step, for applying a laser beam except for the intersections of the corresponding region and the second dividing line,
    ことを特徴とする光デバイスウエーハの加工方法。 The optical device wafer processing method, characterized in that.
  3. 該第2の金属膜除去工程を実施した後に、該基板の裏面側から該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線を該第1のレーザー加工溝および該第2のレーザー加工溝に沿って照射し、該基板の内部に該第1のレーザー加工溝および該第2のレーザー加工溝に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する、請求項1又は2記載の光デバイスウエーハの加工方法。 After performing the second metal film removing step, along the laser processed groove of laser processed groove and the second first a laser beam having a transmission wavelength to the back surface side of the substrate of the substrate irradiated, implementing a modified layer forming step of forming a modified layer along the interior laser processed groove and the second laser processed groove of the first substrate, an optical device according to claim 1 or 2, wherein the wafer processing method.
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