JP5826341B2 - 硬化物の製造方法 - Google Patents
硬化物の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5826341B2 JP5826341B2 JP2014167330A JP2014167330A JP5826341B2 JP 5826341 B2 JP5826341 B2 JP 5826341B2 JP 2014167330 A JP2014167330 A JP 2014167330A JP 2014167330 A JP2014167330 A JP 2014167330A JP 5826341 B2 JP5826341 B2 JP 5826341B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- alkali
- meth
- compound
- acid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 CCC(C)NC(*)(C(C)(CC)C(C)(C)NC(C(C)(C)CC)(*=C)*=C)PC(O*)=O Chemical compound CCC(C)NC(*)(C(C)(CC)C(C)(C)NC(C(C)(C)CC)(*=C)*=C)PC(O*)=O 0.000 description 2
- RJGSEUXYVIVUCI-UHFFFAOYSA-N CCC(C)(C(C)(C)I)N(C)I Chemical compound CCC(C)(C(C)(C)I)N(C)I RJGSEUXYVIVUCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/04—Polysiloxanes
- C09D183/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
- C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F290/00—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
- C08F290/08—Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated side groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
- C08G77/04—Polysiloxanes
- C08G77/20—Polysiloxanes containing silicon bound to unsaturated aliphatic groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
- C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
- C08L83/04—Polysiloxanes
- C08L83/06—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
- C09D163/04—Epoxynovolacs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D167/00—Coating compositions based on polyesters obtained by reactions forming a carboxylic ester link in the main chain; Coating compositions based on derivatives of such polymers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D175/00—Coating compositions based on polyureas or polyurethanes; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D175/04—Polyurethanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/033—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, e.g. vinyl polymers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
- G03F7/032—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders
- G03F7/035—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with binders the binders being polyurethanes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0388—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable with ethylenic or acetylenic bands in the side chains of the photopolymer
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F230/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal
- C08F230/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal
- C08F230/08—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon
- C08F230/085—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and containing phosphorus, selenium, tellurium or a metal containing a metal containing silicon the monomer being a polymerisable silane, e.g. (meth)acryloyloxy trialkoxy silanes or vinyl trialkoxysilanes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
Description
酸価が10mgKOH/g〜200mgKOH/gであるアルカリ可溶性樹脂(B);及び
光重合開始剤(C)
を含む感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物であって、該(A)成分若しくは(B)成分は、光重合性不飽和二重結合基を有するか、又は該感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物は、光重合性不飽和二重結合を有する化合物(D)をさらに含む、前記感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
下記一般式(I):
R1R2 aSi(R3)3−a (I)
{式中、R1は、カルボキシル基又はジカルボン酸無水物基を含む炭素原子数が4〜20の一価の有機基であり、R2はメチル基であり、R3は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びイソプロポキシ基から成る群より選ばれる少なくとも1種の一価の有機基、水酸基、又は塩素(Cl)であり、そしてaは、0又は1の整数である。}
で表されるシラン化合物(A−1)と
下記一般式(II):
R4 bR5 cSi(R3)4−b−c (II)
{式中、R4及びR5は、光重合性不飽和二重結合基若しくは重合性環状エーテル結合基を含む炭素原子数が2〜20の基、炭素原子数が6〜20のアリール基、炭素原子数が2〜20のアルキルアリール基、メルカプト基若しくはアミノ基で置換されていてもよい炭素原子数が1〜20のアルキル基、炭素原子数が5〜20のシクロアルキル基、又はカルボキシル基若しくはジカルボン酸無水物基を含む炭素原子数が4〜20の基であり、R4とR5は、同一でも異なっていてもよく、さらに共有結合を介して互いに結ばれていてもよく、R3は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びイソプロポキシ基から成る群より選ばれる少なくとも1種の一価の有機基、水酸基、又はClであり、bは、0〜2より選ばれる整数であり、cは、0又は1の整数であり、そしてb+cは、2を超えることは無い。}
で表されるシラン化合物(A−2)
との反応によって得られる、[1]又は[2]に記載の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
前記シラン化合物(A−1);
前記シラン化合物(A−2);及び
下記一般式(III):
R6 2Si(OH)2 (III)
{式中、R6は、炭素原子数が6〜20のアリール基、炭素原子数が2〜20のアルキルアリール基、又はメルカプト基若しくはアミノ基で置換されていてもよい炭素原子数が1〜20のアルキル基、又は炭素原子数が5〜20のシクロアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、そして共有結合を介して互いに結ばれていてもよい。}
で表されるシランジオール化合物(A−3)
を触媒の存在下で反応させることによって得られる、[1]〜[3]のいずれか1項に記載の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
三次元架橋度(T)=(AT3+AQ3+AQ4*2)/{(AM0+AM1)+(AD0+AD1+AD2)+(AT0+AT1+AT2+AT3)+(AQ0+AQ1+AQ2+AQ3+AQ4)} (式IV)
により算出される三次元架橋度(T)が、0.15以下である、[1]〜[11]のいずれか1項に記載の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
三次元架橋度(T’)=(AT3)/(AT0+AT1+AT2+AT3) (式V)
により算出される三次元架橋度(T’)が、0.3以下である、[1]〜[11]のいずれか1項に記載の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
1質量%〜98質量%の前記アルカリ可溶性シリコーン樹脂(A);
1質量%〜50質量%の前記アルカリ可溶性樹脂(B);及び
0.01質量%〜15質量%の前記光重合開始剤(C)
を含む、[1]〜[13]のいずれか1項に記載の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
1質量%〜98質量%の前記アルカリ可溶性シリコーン樹脂(A);
1質量%〜50質量%の前記アルカリ可溶性樹脂(B);
0.01質量%〜15質量%の前記光重合開始剤(C);及び
5質量%〜45質量%の前記光重合性不飽和二重結合を有する化合物(D)
を含む、[1]〜[14]のいずれか1項に記載の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物。
三次元架橋度(T)=(AT3+AQ3+AQ4*2)/{(AM0+AM1)+(AD0+AD1+AD2)+(AT0+AT1+AT2+AT3)+(AQ0+AQ1+AQ2+AQ3+AQ4)} (式IV)
により算出される三次元架橋度(T)が、0.2以下である、前記硬化物。
三次元架橋度(T’)=(AT3)/(AT0+AT1+AT2+AT3) (式V)
により算出される三次元架橋度(T’)が、0.45以下である、前記硬化物。
本発明の感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物は、
1分子内にカルボキシル基又はジカルボン酸無水物基を有するアルカリ可溶性シリコーン樹脂(A)、
酸価が10〜200mgKOH/gであるアルカリ可溶性樹脂(B)、及び
光重合開始剤(C)
を含み、(A)成分若しくは(B)成分は光重合性不飽和二重結合基を有するか、又は感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物は、
光重合性不飽和二重結合を有する化合物(D)
をさらに含む。
アルカリ可溶性シリコーン樹脂(A)は、1分子内にカルボキシル基又はジカルボン酸無水物基を有する。アルカリ可溶性シリコーン樹脂(A)は、シリコーン樹脂の構造中にカルボキシル基又はジカルボン酸無水物基を有することにより、シリコーン樹脂のアルカリ溶解性を向上させ、現像後の残渣を抑制し、そして良好なパターン形成性を付与できる。
(A−1)下記一般式(I)で表されるシラン化合物と
(A−2)下記一般式(II)で表されるシラン化合物
との反応によって得られるものであることが、樹脂設計及び作製法の容易性の観点から好ましい。
R1R2 aSi(R3)3−a ・・・(I)
{式中、R1は、カルボキシル基又はジカルボン酸無水物基を含む炭素原子数が4〜20の一価の有機基であり、R2はメチル基であり、R3は、それぞれ独立に、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基から成る群より選ばれる少なくとも1種の一価の有機基、水酸基、又は塩素(Cl)であり、そしてaは、0又は1の整数である。}
R4 bR5 cSi(R3)4−b−c ・・・(II)
{式中、R4及びR5は、それぞれ独立に、光重合性不飽和二重結合基若しくは重合性環状エーテル結合基を含む炭素原子数が2〜20の基、炭素原子数が6〜20のアリール基、炭素原子数が2〜20のアルキルアリール基、メルカプト基若しくはアミノ基で置換されていてもよい炭素原子数が1〜20のアルキル基、炭素原子数が5〜20のシクロアルキル基、又はカルボキシル基若しくはジカルボン酸無水物基を含む炭素原子数が4〜20の基であり、R4とR5は、同一でも異なっていてもよく、さらに共有結合を介して互いに結ばれていてもよく、R3は、それぞれ独立に、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基及びイソプロポキシ基から成る群より選ばれる少なくとも1種の一価の有機基、水酸基、又はClであり、bは、0〜2より選ばれる整数であり、cは、0又は1の整数であり、そしてb+cは、2を超えることは無い。}
(A−1)上記一般式(I)で表されるカルボキシル基及び/又は酸無水物基を含むアルコキシシラン
(A−2)上記一般式(II)で表されるアルコキシシラン、及び
(A−3)下記一般式(III)で表されるシランジオール化合物
を、触媒の存在下で、反応させるか、又は好ましくは積極的に水を添加することなく縮合させる方法により得られる。
R6 2Si(OH)2 ・・・(III)
{式中、R6は、それぞれ独立に、炭素原子数が6〜20のアリール基、又は炭素原子数が2〜20のアルキルアリール基、炭素原子数が1〜20のアルキル基、又は炭素原子数が5〜20のシクロアルキル基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、そして共有結合を介して互いに結ばれていてもよい。}
アルカリ可溶性樹脂(B)は、アルカリ可溶性基を有し、酸価が10〜200mgKOH/gであるアルカリ可溶性樹脂である。
(1)重合性不飽和二重結合を有する化合物の反応により得られる反応物を主体に構成されるビニル重合体、
(2)エポキシ基と水酸基との付加反応物を主体に構成されるエポキシ重合体、
(3)フェノールとホルムアルデヒドとの反応物を主体に構成される芳香族メチレン重合体、
(4)ジアルコールとジイソシアネートとの反応物を主体に構成されるウレタン重合体、及び
(5)ジカルボン酸とジエポキシドの反応物を主体に構成されるエステル重合体
から成る群より選ばれる少なくとも1種の重合体であることが好ましい。なお、上記重合体(1)〜(5)において、主体とは、その成分を分子内に70モル%以上含有することをいう。
(1)重合性不飽和二重結合の反応物を主体に構成されるビニル重合体
例えば、下記一般式(4)又は下記一般式(6)で表される、カルボキシル基含有ビニル重合体が挙げられる。
で表される1価の有機基、又は水素であり、Rfは、炭素原子数1〜20の直鎖状、分岐鎖状又は環状の1価の有機基であり、Rhは、メチル基又は水素であり、mは、1〜500から選ばれる整数であり、そしてnは、10〜1,000から選ばれる整数である。}
(i)α,β−不飽和カルボン酸の中から選ばれる少なくとも1種の化合物(a)と、アルキル(メタ)アクリレート、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリルアミドとその窒素上の水素をアルキル基又はアルコキシ基に置換した化合物、スチレン及びスチレン誘導体、(メタ)アクリロニトリル、及び(メタ)アクリル酸グリシジルの中から選ばれる少なくとも1種の化合物(b)をビニル共重合する方法。
(ii)前記化合物(a)と前記化合物(b)をビニル共重合した後、ビニル重合物のカルボキシル基と、1分子中にエポキシ基と(メタ)アクリル基を有する化合物の中から選ばれる少なくとも1種の化合物(c)を付加反応させる方法。
(iii)前記化合物(b)と前記化合物(c)をビニル重合した後、ビニル重合物のエポキシ基と前記化合物(a)とを付加反応させ、さらに生成した水酸基にジカルボン酸無水物(d)を付加反応させる方法。
重合体としては、例えば、下記式(7)で表される、カルボキシル基含有エポキシ重合体が挙げられる。
重合体(3)としては、例えば、一般式(9)で表される、ノボラック型フェノール重合体が挙げられる。
重合体(4)としては、例えば、下記式(10)で表される、カルボキシル基含有ウレタン重合体が挙げられる。
(1)ジアルコール化合物:ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノール類、水添ビスフェノールA、水添ビスフェノールF、水添ビスフェノールS等の水添ビスフェノール類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノールの両末端エチレンオキサイド(エチレンオキサイドモル数1〜10)付加物、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノールの両末端プロピレンオキサイド(プロピレンオキサイドモル数1〜10)付加物、水添ビスフェノールA、水添ビスフェノールF、水添ビスフェノールS等のビスフェノールの両末端エチレンオキサイド(エチレンオキサイドモル数1〜10)付加物、水添ビスフェノールA、水添ビスフェノールF、水添ビスフェノールS等のビスフェノールの両末端プロピレンオキサイド(プロピレンオキサイドモル数1〜10)付加物、アルキル(C2〜C10)ジアルコール、ポリエチレングリコール(エチレンオキサイドモル数1〜10)、ポリプロピレングリコール(プロピレンオキサイドモル数1〜10)、水酸基末端液状ポリブタジエン(Poly bd、出光興産社製)、水酸基末端ポリオレフィン系ポリオール(エポール、出光興産社製)、水酸基末端液状ポリブタジエン水添化物(ポリテールH、三菱化学社製)、ポリカーボネートジオール(デュラノールT−5651、旭化成ケミカルズ社製)等;
重合体(5)としては、例えば、下記式(11)で表されるカルボキシル基含有エステル重合体が挙げられる。
光重合開始剤(C)は、感光性パターン形成を付与する目的で、添加されることが重要である。
(1)ベンゾフェノン誘導体:例えば、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン
光重合性不飽和二重結合を有する化合物(D)は、1分子内に少なくとも1個の光重合性不飽和二重結合基を含む重合性モノマーである。本発明の実施形態では、感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物中の(A)成分若しくは(B)成分が、光重合性不飽和二重結合基を有するか、又は感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物が(D)光重合性不飽和二重結合を有する化合物をさらに含む。
本発明の実施形態では、感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物に(E)溶剤を添加して、その粘度を調整することが好ましい。好適な溶剤としては、例えば、下記(1)〜(6)の溶剤などが挙げられる:
(1)脂肪族アルコール:例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、iso−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、1−ペンタノール、イソアミルアルコール、s−アミルアルコール、t−アミルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、1−ヘキサノール、2−エチル−1−ブタノール、4−メチル−2−ペンタノール、イソヘキシルアルコール、メチル−1−ペンタノール、s−ヘキサノール、1−ヘプタノール、イソヘプチルアルコール、2,3−ジメチル−1−ペンタノール、1−オクタノール、2−エチルヘキサノール、イソオクチルアルコール、2−オクタノール、3−オクタノール、1−ノナノール、イソノニルアルコール、3,5,5−トリメチルヘキサノール、1−デカノール、イソデシルアルコール、3,7−ジメチル−1−オクタノール、1−ヘンデカノール、1−ドデカノール、イソドデシルアルコール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ヘキシノール
ヒンダードアミン系安定剤(F)は、ラジカル捕捉作用を有するアミン系化合物であり、下記一般式で表される基を含む化合物である。
感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物は、上記成分(A)〜(F)に加えて、その他の添加剤を含むことが好ましい。その他の添加剤としては、例えば、シランカップリング剤(J)、紫外線吸収剤(K)、重合禁止剤、酸化防止剤、界面活性剤、可塑剤などが挙げられる。
感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の露光・現像後の硬化膜と基板との密着性を向上させるために、シランカップリング剤(J)を感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物に添加することが好ましい。
感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の耐光性を向上させ、現像時の残渣を低減するために、紫外線吸収剤(K)を感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物に含有させてもよい。紫外線吸収剤(K)としては、例えば、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物などを挙げることができる。より詳細には、紫外線吸収剤(K)としては、例えば、2−(2,4−ジヒドロキシフェニル)−4,6−ビス(2,4−ジメチルフェニル)−1,3,5−トリアジンと(2−エチルヘキシル)−グリシド酸エステルの反応生成物(BASF社製 TINUVIN405)、2−(2Hベンゾトリアゾール−2−イル)フェノール、2−(2Hベンゾトリアゾール−2−イル)−4,6−t−ペンチルフェノール、2−(2Hベンゾトリアゾール−2−イル)−4−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)フェノール、2−(2Hベンゾトリアゾール−2−イル)−6−ドデシル−4−メチルフェノール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−メタクリロキシエチルフェニル)−2H−ベンゾトリアゾール、2−ヒドロキシ―4−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。
感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の熱安定性及び保存安定性を向上させるために、感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物に、ラジカル重合禁止剤を含有させてもよい。このような重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、N−ニトロソジフェニルアミン、p−tert−ブチルカテコール、フェノチアジン、N−フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、1,2−シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、2,6−ジ−tert−ブチル−p−メチルフェノール、5−ニトロソ−8−ヒドロキシキノリン、1−ニトロソ−2−ナフトール、2−ニトロソ−1−ナフトール、2−ニトロソ−5−(N−エチル−N−スルフォプロピルアミノ)フェノール、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシアミンアンモニウム塩、N−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、N−ニトロソ−N−(1−ナフチル)ヒドロキシルアミンアンモニウム塩、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジtert−ブチル)フェニルメタン等を用いることができる。
感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の酸素存在下での熱安定性を向上させるために、酸化防止剤を添加することができる。このような酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系、リン系、ラクトン系、ビタミンE系、イオウ系のもの等が挙げられる。
感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の塗布適性、及び乾燥後の膜平滑性を確保するために、界面活性剤を感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物に含有させてもよい。界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシエチレンアルキルエーテル類、又はポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールアルキルエーテル類、又はポリオキシエチレンエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類、メガファックF171,172,173(大日本インキ製)、フロラードFC430,431(住友スリーエム製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382,SC−101,102,103,104,105(旭硝子製)などのフッ素系界面活性剤、DBE−712,DBE821(ダイセル・サイテック社製)などのシリコーン系界面活性剤などを挙げることができる。
さらに、感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物には、必要に応じて可塑剤等の添加剤を含有させてもよい。このような添加剤としては、例えばジエチルフタレート等のフタル酸エステル類、o−トルエンスルホン酸アミド、p−トルエンスルホン酸アミド、クエン酸トリブチル、クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリ−n−プロピル、アセチルクエン酸トリ−n−ブチル、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコールアルキルエーテル、ポリプロピレングリコールアルキルエーテル等が挙げられる。
本発明に用いられる感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の酸価は、現像後の残渣の低減、硬化膜の耐クラック性の観点から、酸価は、0.1mgKOH/g以上が好ましく、より好ましくは1mgKOH/g以上、さらに好ましくは5mgKOH/g以上であり、一方で、パターンの密着性の観点から、酸価は、200mgKOH/g以下が好ましく、より好ましくは170mgKOH/gモル以下、さらに好ましくは150mgKOH/g以下である。
三次元架橋度(T)=(AT3+AQ3+AQ4*2)/{(AM0+AM1)+(AD0+AD1+AD2)+(AT0+AT1+AT2+AT3)+(AQ0+AQ1+AQ2+AQ3+AQ4)} (式IV)
三次元架橋度(T’)=(AT3)/(AT0+AT1+AT2+AT3) (式V)
本発明に用いられる感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物を硬化させて成る硬化物において、厚み10μmの該硬化物の大気下、220℃、及び3時間ベーク後の400nmの波長における光の透過率は、70%以上であることが好ましい。
より限定されるものではない。なお、下記実施例28は、単なる参考例である。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−1の合成)
500mlのナス型フラスコ中にシランジオール化合物としてDPD(ジフェニルシランジオール) 0.67モル(144.2g)、アルコキシシラン化合物としてMEMO(3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン) 0.47モル(116.7g)、ジカルボン酸無水物構造を含むアルコキシシラン化合物として(3−トリメトキシシリルプロピル)無水コハク酸 0.20モル(52.5g)、触媒として水酸化バリウム 0.0015モル(0.28g)を仕込んだ。冷却器をナスフラスコに取り付けた状態で、オイルバスを用いて、室温から100℃まで徐々に昇温し、100℃で発生メタノールによるリフラックスを確認後、1時間同温度でリフラックスを継続させた。その後、冷却器を外してコールドトラップと真空ポンプに接続し、メタノールを徐々に減圧しながら突沸が起こらないように除去した。真空度が1〜3torr程度になったら、100℃で攪拌しながら真空引きを10時間継続し、その後徐々に常圧に戻して、透明なアルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−1、40℃における粘度は80Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−2の合成)
500mlのナス型フラスコ中にシランジオール化合物としてDPD(ジフェニルシランジオール) 0.67モル(144.2g)、アルコキシシラン化合物としてMEMO(3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン) 0.54モル(134.1g)、ジカルボン酸無水物構造を含むアルコキシシラン化合物として(3−トリメトキシシリルプロピル)無水コハク酸 0.13モル(34.1g)、触媒として水酸化バリウム 0.0015モル(0.28g)を仕込んだ。冷却器をナスフラスコに取り付けた状態で、オイルバスを用いて、室温から100℃まで徐々に昇温し、100℃で発生メタノールによるリフラックスを確認後、1時間同温度でリフラックスを継続させた。その後、冷却器を外してコールドトラップと真空ポンプに接続し、メタノールを徐々に減圧しながら突沸が起こらないように除去した。真空度が1〜3torr程度になったら、100℃で攪拌しながら真空引きを10時間継続し、その後徐々に常圧に戻して、透明なアルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−2、40℃における粘度は70Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−3の合成)
合成例1におけるDPDをDCPD(ジシクロペンチルシランジオール)とした以外は合成例1と同様にして、アルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−3、40℃における粘度は20Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−4の合成)
合成例1におけるMEMOをフェニルトリメトキシシランとした以外は合成例1と同様にして、アルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−4、40℃における粘度は100Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−5の合成)
合成例1におけるMEMOを3−グリシドキシプロピルトリメトキシシランとした以外は合成例1と同様にして、アルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−5、40℃における粘度は140Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−6の合成)
500mlのナス型フラスコ中にアルコキシシラン化合物としてフェニルトリメトキシシラン 0.67モル(132.9g)、アルコキシシラン化合物としてMEDMO(3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン) 0.47モル(122.4g)、ジカルボン酸無水物構造を含むアルコキシシラン化合物として(3−トリメトキシシリルプロピル)無水コハク酸 0.20モル(52.5g)、イソプロピルアルコール 70gを添加し、蒸留水 70.0g、36%塩酸 0.1g、イソプロピルアルコール 30gを混合した水溶液を室温で拡販しながら滴下した。その後、冷却器をナスフラスコに取り付けた状態で、70℃で5時間撹拌した。その後、冷却器を外してコールドトラップと真空ポンプに接続し、メタノール及びイソプロピルアルコールを徐々に減圧しながら突沸が起こらないように除去した。真空度が1〜3torr程度になったら、100℃で攪拌しながら真空引きを1時間継続し、その後徐々に常圧に戻して、透明なアルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−6、40℃における粘度は120Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−7の合成)
合成例1における(3−トリメトキシシリルプロピル)無水コハク酸をフェニルトリメトキシシランとした以外は合成例1と同様にして、シリコーン樹脂(P−7、40℃における粘度は40Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−8の合成)
500mlのナス型フラスコ中に(a)シランジオール化合物としてDPD(ジフェニルシランジオール) 0.10モル(21.5g)、アルコキシシラン化合物としてMEDMO(3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン) 0.10モル(24.8g)、ジカルボン酸無水物構造を含むアルコキシシラン化合物として(3−トリメトキシシリルプロピル)無水コハク酸 1.1モル(288.5g)、イソプロピルアルコール 70gを添加し、蒸留水 70.0g、36%塩酸 0.1g、イソプロピルアルコール 30gを混合した水溶液を室温で拡販しながら滴下した。その後、冷却器をナスフラスコに取り付けた状態で、70℃で5時間撹拌した。その後、冷却器を外してコールドトラップと真空ポンプに接続し、メタノール及びイソプロピルアルコールを徐々に減圧しながら突沸が起こらないように除去した。真空度が1〜3torr程度になったら、100℃で攪拌しながら真空引きを1時間継続し、その後徐々に常圧に戻して、透明なアルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−8、40℃における粘度は420Poise)を得た。
(アルカリ可溶性シリコーン樹脂P−9の合成)
300mlのナス型フラスコ中に(a)アルコキシシラン化合物としてジメトキシジフェニルシラン 0.214モル(52.33g)、MEMO(3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン) 0.150モル(37.22g)、ジカルボン酸無水物構造を含むアルコキシシラン化合物として(3−トリメトキシシリルプロピル)無水コハク酸 0.0642モル(18.53g)、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA) 86gを添加し、蒸留水 7.7g、5mol/L塩酸 1.0gを混合した水溶液を室温で撹拌しながら滴下した。その後、冷却器をナスフラスコに取り付けた状態で、95℃で2時間撹拌した。その後、冷却器を外してコールドトラップと真空ポンプに接続し、メタノール、水及びPGMEAを徐々に減圧しながら突沸が起こらないように除去した。真空度が6hPa程度になったら、攪拌しながら真空引きを2時間継続し、その後徐々に常圧に戻して、透明なアルカリ可溶性シリコーン樹脂(P−9、40℃における粘度は200Poise以上)を得た。
(感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の調製)
表2〜4に示すように各種成分を調製、混合した。これを孔径2.5ミクロンのPP製フィルターで加圧ろ過し、液状組成物を得た。
Irg819:イルガキュア(IRGACURE)819
EA−1020:エポキシアクリレート“NKオリゴEA−1020”(新中村化学工業社製)
BPE500:エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート”BPE500”(新中村化学工業社製)
M−510:多塩基酸変性アクリルオリゴマー”アロニックスM−510”(東亞合成社製)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
TIN405:チヌビン(TINUVIN)405
Irg245:イルガノックス(IRGANOX)245
MEMO:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
実施例1〜25及び比較例1〜2で得られたワニス状組成物について、以下の項目について評価し、結果を表5〜7に示した。
得られた液状組成物を、あらかじめアルカリ水溶液で洗浄したガラス基板上にスピンコート後、95℃のプリベークにより溶剤を揮発させた。得られた塗膜を有するガラス基板に対し、テストパターン付きレチクルを通して、i線ステッパー露光機(ニコン製 型式名NSR2005i8A)により、露光量400mJ/cm2を露光した。ここで、露光は大気中にて行った。その後、アルカリ現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製デベロッパー、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用い、23℃、30秒×2回の条件下で現像し、純水にてリンスを行い、塗膜の未露光部を除去した。なお、塗膜の厚さは、現像後に10μmになるように、スピンコート時の回転数を調整した。得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。
A : パターン間に現像残りが確認されない。
B : パターン間に一部現像残りが確認される。
C : パターン館の現像残りが多い。
上記で得られたパターンの断面SEM観察をし、下記基準で評価した。
A : パターンが垂直または順テーパーで形成されている。
B : パターンの一部がゆがみ又は逆テーパーになっている。
C : パターンが、ゆがみ又は逆テーパーで形成されている。
上記のプリベークで得られた塗膜厚みと、上記大気中(酸素存在下)での露光及びアルカリ現像を経て得られたパターンの厚みの比率を残膜率と定義し、以下のように評価した。
残膜率=(アルカリ現像後のパターン厚み/塗工し溶剤除去後の塗膜厚み)×100 (%)
アルカリ現像後に得られた塗膜を大気下及び220℃で30分間ベークし、分光光度計UV−1600PC(島津社製)を用い、リファレンス部に塗膜のないガラス基板を置き、800nm〜300nmの光透過率を測定し、400nmの光透過率を確認した。
アルカリ現像後に得られた塗膜を大気下及び220℃で180分間ベークし、目視にて塗膜にクラックが発生していないか確認した。
A : クラックは確認されない。
B : クラックが稀に発生。
C : クラックが発生。
アルカリ現像後に得られた塗膜を大気下及び220℃で180分間ベークし、分光光度計を用い、リファレンス部に塗膜のないガラス基板を置いて、400nmの光透過率を測定した。
(感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物の調製)
表8に示すように各種成分を調製、混合した。これを孔径2.5ミクロンのPP製フィルターで加圧ろ過し、液状組成物を得た。
Irg819:イルガキュア(IRGACURE)819
EA1020:エポキシアクリレート“NKオリゴEA1020”(新中村化学工業社製)
A−14G:ポリエチレングリコール(EO)ジアクリレート(EO鎖の繰り返しは14個、新中村化学社製)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
TIN405:チヌビン(TINUVIN)405
TIN152:2,4−ビス[N−ブチル−N−(1−シクロヘキシロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−4−イル)アミノ]−6−(2−ヒドロキシエチルアミン)−1,3,5−トリアジン(TINUVIN152、BASF社製)
ACMO:3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越化学工業社製)
実施例26〜28、及び比較例1の組成物について以下の評価を行った。組成物の液状29Si−NMRをそれぞれ図1〜4に、FT−IRスペクトルを、それぞれ図5〜8に示す。
日本電子株式会社製JNM−GSX400を用いて以下の条件で測定した。
OBNUC :29Si
EXMOD :BCMA
OBFEQ :79.30MHz
OBSET :115kHz
OBFIN :10583Hz
POINT :32768
FREQU :32051.2Hz
SCAN :20,000回
ACQTM :0.499sec
PD :1.2sec
PW1 :5.6us
TEMP :室温(23℃)
化学シフト規準 : テトラメチルシラン 0ppm
試料は、サンプル0.75g、テトラメチルシラン1v/v%含有重クロロホルム1g、トリス(2,4−ペンタンジオナト)クロム(III)0.02gを十分に混合したものを、5mmφのサンプル管に約4cmの高さまで入れ、準備した。
HORIBA社製FT−720を用い、測定サンプルをNaCl結晶板に挟み、以下の条件で測定した。
積算回数:20回
分解能:2um
範囲:400〜4000cm−1
得られた液状組成物を、Moスパッタシリコン基板(Mo膜厚180nm)上にスピンコート後、95℃のプリベークにより溶剤を揮発させた。得られた塗膜を有するMoスパッタシリコン基板に対し、テストパターン付きレチクルを通して、i線ステッパー露光機(ニコン製 型式名NSR2005i8A)により、露光量300mJ/cm2を露光した。ここで、露光は大気中にて行った。その後、アルカリ現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製デベロッパー、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用い、23℃、30秒×2回の条件下で現像し、純水にてリンスを行い、塗膜の未露光部を除去した。得られたパターン付きMoスパッタシリコン基板を220℃で空気中、30分間ベークし、硬化物付き基板を準備した。
実施例26〜28、及び比較例1で得られたワニス状組成物について、以下の項目について評価し、結果を表9に示した。また、実施例26〜28、及び比較例1の硬化物の固体29Si−NMRスペクトルをそれぞれ図9〜12に示し、そして実施例26〜28、及び比較例1の硬化物のDMAのTanδ曲線を図13〜16に示す。
基板上に製膜されたサンプルを、スパチュラを用いて削り取り、固体29Si−NMRスペクトル測定を行った。測定条件は以下のとおりである。
装置:Bruker BioSpin社製DSX400
核種 :29Si
共鳴周波数 :79.49MHz
NMR管 :7mmφ
測定法 :HD/MAS 法
データポイント数 :8K
スペクトル幅 :35kHz
パルス幅 :5.5μsec (90°パルス)
繰り返し時間 :30sec
積算 :2,000回
測定温度 :室温(25℃)
MAS :5,000Hz
化学シフト規準 : シリコンゴム −22.4ppm
試料量 :200mg
バイブロンを用いたDMA法によりガラス転移温度を以下の方法により測定した。測定したTanδ曲線の極大ピークをガラス転移温度とした。
(サンプル作成)
AlをスパッタしたSi基板上に、現像後の厚さが10〜20umになるように成膜し、得られた硬化物付き基板を220℃30分、空気中でベークした。ベーク後、ダイシングソーにより幅3mmになるようにハーフカットを行い、10%塩酸に24時間浸漬後、蒸留水で3回洗浄し、その後風乾することにより、幅3mmのバイブロン測定用自立膜を作製した。
DMAはRHEOVIBRON(RHEO−1021、DDV−01FP)を用い、あらかじめ測定部を液体窒素で冷却し、−150℃〜400℃まで、5℃/分の速度で測定した。測定試料は上記幅3mmの自立膜を長さ3cmにカットして使用した。加振周波数は単一波形110Hz、加振振幅は振幅16μm、プリロード3.0gfとして試験を行った。
得られた硬化物付き基板を冷熱衝撃試験(T/C)機に投入し、クラック、ハガレの有無を確認した。試験条件はエスペック社製TSE−11を用いて、−40℃、15分と+125℃、15分を1サイクルとして、試験を行った。
A:50サイクルでハガレ、クラックなし
B:6〜50サイクルでハガレ、クラック発生
C:5サイクル以下でハガレ、クラック発生
下記表10で表されるアルカリ可溶性有機樹脂(O−1〜O−15)を調製するか、又は準備した。
下記表11〜13に示すように各種成分を調製、混合した。これを孔径2.5ミクロンのポリプロピレン(PP)製フィルターで加圧ろ過し、実施例29〜50及び比較例3〜5に関する液状組成物を得た。
TIN.144:チヌビン(TINUVIN)144(BASF社製)
TIN.152:チヌビン(TINUVIN)152(BASF社製)
TIN.622:チヌビン(TINUVIN)622(BASF社製)
SAB.119:サボスタブ(SABOSTAB)UV119(SABO社製)
TIN.XT 855 FF:チヌビン(TINUVIN)XT 855 FF(BASF社製)
Irg.819:イルガキュア(IRGACURE)819(BASF社製)
Luc.TPO:ラシリン(Lucirin)TPO
EA1020:エポキシアクリレート“NKオリゴEA1020”(新中村化学工業社製)
BPE500:エトキシ化ビスフェノールAジメタクリレート”BPE500”(新中村化学工業社製)
A600:ポリエチレングリコール#600ジアクリレート”A600”(新中村化学工業社製)
M510:多塩基酸変性アクリルオリゴマー”アロニックスM510”(東亞合成社製)
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
TIN.405:チヌビン(TINUVIN)405(BASF社製)
MEMO:3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)
AcMO:3−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン(信越シリコーン社製)
t−ブチルカテコール:ターシャリブチルカテコール
MEHQ:メチルヒドロキノン
実施例29〜50及び比較例3〜5で得られたワニス状組成物について、以下の項目について評価し、結果を表14〜16に示した。
得られた液状組成物を、あらかじめアルカリ水溶液で洗浄したガラス基板上にスピンコート後、95℃のプリベークにより溶剤を揮発させた。得られた塗膜を有するガラス基板に対し、テストパターン付きレチクルを通して、i線ステッパー露光機(ニコン製 型式名NSR2005i8A)により、露光量400mJ/cm2を露光した。ここで、露光は大気中にて行った。その後、アルカリ現像液(AZエレクトロニックマテリアルズ社製デベロッパー、2.38%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液)を用い、23℃、30秒×2回の条件下で現像し、純水にてリンスを行い、塗膜の未露光部を除去して、膜厚10μmのパターンを得た。得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、下記基準で評価した。
A : パターンを10サンプル作成し、10サンプルのすべてがパターン間に現像残りが確認されない。
B : パターンを10サンプル作成し、8又は9サンプルはパターン間に現像残りが確認されないが、1又は2サンプルのパターン間にごくわずかに現像残りが確認される。
C : パターンを10サンプル作成し、1又は2サンプルはパターン間に現像残りが確認されないが、8又は9サンプルのパターン間にわずかに現像残りが確認される。
D : パターンを10サンプル作成し、10サンプルのすべてがパターン間に現像残りが確認される。
上記で得られたパターンの断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、下記基準で評価した。
A : パターンを10サンプル作成し、10サンプルのすべてのパターンが垂直または順テーパーで形成されている。
B : パターンを10サンプル作成し、8又は9サンプルはパターンが垂直または順テーパーで形成されているが、1又は2サンプルはパターンのごく一部がゆがみ又は逆テーパーになっている。
C : パターンを10サンプル作成し、1又は2サンプルはパターンが垂直または順テーパーで形成されているが、8又は9サンプルはパターンの一部がゆがみ又は逆テーパーになっている。
D : パターンを10サンプル作成し、10サンプルのすべてのパターンがゆがみ又は逆テーパーになっている。
アルカリ現像後に得られた膜厚10μmの塗膜を大気下及び220℃で30分間ベークし、分光光度計UV−1600PC(島津社製)を用い、リファレンス部に塗膜のないガラス基板を置き、800nm〜300nmの光透過率を測定し、400nmの光透過率を確認した。
アルカリ現像後に得られた塗膜を大気下及び220℃で360分間ベークし、目視にて塗膜にクラックが発生していないか確認した。
A : 塗膜を10サンプル作成し、10サンプルのすべての塗膜にクラックが発生しない。
B : 塗膜を10サンプル作成し、8又は9サンプルの塗膜にクラックが発生しないが、1又は2サンプルの塗膜にごくわずかにクラックが発生する。
C : 塗膜を10サンプル作成し、1又は2サンプルの塗膜にクラックが発生しないが、8又は9サンプルの塗膜にわずかにクラックが発生する。
D : 塗膜を10サンプル作成し、10サンプルのすべての塗膜にクラックが発生する。
アルカリ現像後に得られた膜厚10μmの塗膜を大気下及び220℃で360分間ベークし、分光光度計UV−1600PC(島津社製)を用い、リファレンス部に塗膜のないガラス基板を置いて、400nmの光透過率を測定した。
Claims (7)
- ポリオルガノシロキサン(G)、該ポリオルガノシロキサン(G)以外のアルカリ可溶性樹脂(H)、及び光重合開始剤(C)を含む樹脂組成物を硬化させて成る硬化物の製造方法であって、
該ポリオルガノシロキサン(G)は、アルコキシシラン化合物とシランジオール化合物を触媒の存在下で反応させることによって得られ、かつ
該硬化物の固体29Si-NMRスペクトルにおける積分比から下記式(IV):
三次元架橋度(T)=(AT3+AQ3+AQ4*2)/{(AM0+AM1)+(AD0+AD1+AD2)+(AT0+AT1+AT2+AT3)+(AQ0+AQ1+AQ2+AQ3+AQ4)} (式IV)
により算出される三次元架橋度(T)が、0.2以下である、前記硬化物の製造方法。 - ポリオルガノシロキサン(G)、該ポリオルガノシロキサン(G)以外のアルカリ可溶性樹脂(H)、及び光重合開始剤(C)を含む樹脂組成物を硬化させて成る硬化物の製造方法であって、
該ポリオルガノシロキサン(G)は、アルコキシシラン化合物とシランジオール化合物を触媒の存在下で反応させることによって得られ、かつ
該硬化物の固体29Si-NMRスペクトルにおける積分比から下記式(V):
三次元架橋度(T’)=(AT3)/(AT0+AT1+AT2+AT3) (式V)
により算出される三次元架橋度(T’)が、0.45以下である、前記硬化物の製造方法。 - 前記ポリオルガノシロキサン(G)は、カルボン酸基又はカルボン酸無水物基を有するシラン化合物を縮合させて成る、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記ポリオルガノシロキサン(G)は、ケイ素(Si)原子のうち酸素(O)原子と結合している数が二つである成分、及び/又はSi原子のうちO原子と結合している数が三つである成分を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記樹脂組成物は、ヒンダードアミン系安定剤(F)、光架橋性モノマー(I)、シランカップリング剤(J)及び紫外線吸収剤(K)から成る群から選択される少なくとも1つをさらに含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 動的粘弾性測定(DMA)によって算出される前記硬化物のガラス転移温度(Tg)が、80℃以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記硬化物は、10μmの厚みを有し、そして前記硬化物の大気下、220℃、及び3時間ベーク後の条件下での400nmの波長における光の透過率が、70%以上である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014167330A JP5826341B2 (ja) | 2011-08-31 | 2014-08-20 | 硬化物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011189890 | 2011-08-31 | ||
JP2011189890 | 2011-08-31 | ||
JP2012096947 | 2012-04-20 | ||
JP2012096947 | 2012-04-20 | ||
JP2014167330A JP5826341B2 (ja) | 2011-08-31 | 2014-08-20 | 硬化物の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013531441A Division JP5647733B2 (ja) | 2011-08-31 | 2012-08-31 | 感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014222367A JP2014222367A (ja) | 2014-11-27 |
JP5826341B2 true JP5826341B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=47756459
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013531441A Expired - Fee Related JP5647733B2 (ja) | 2011-08-31 | 2012-08-31 | 感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物 |
JP2014167330A Expired - Fee Related JP5826341B2 (ja) | 2011-08-31 | 2014-08-20 | 硬化物の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013531441A Expired - Fee Related JP5647733B2 (ja) | 2011-08-31 | 2012-08-31 | 感光性アルカリ可溶シリコーン樹脂組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140193632A1 (ja) |
EP (2) | EP2752712A4 (ja) |
JP (2) | JP5647733B2 (ja) |
KR (1) | KR101614627B1 (ja) |
CN (1) | CN103765313A (ja) |
TW (2) | TWI470352B (ja) |
WO (1) | WO2013031985A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2752712A4 (en) * | 2011-08-31 | 2014-12-03 | Asahi Kasei E Materials Corp | LENS-SENSITIVE ALKALILOUS SILICONE RESIN COMPOSITION |
KR20150074090A (ko) * | 2012-10-19 | 2015-07-01 | 미쯔비시 레이온 가부시끼가이샤 | 광경화성 수지 조성물, 적층 시트, 적층 성형품 및 적층 성형품의 제조 방법 |
JP6062876B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2017-01-18 | 富士フイルム株式会社 | 透明樹脂層形成用組成物、透明樹脂層、固体撮像素子およびオプトエレクトロニクスデバイス |
CN104238271B (zh) * | 2013-06-14 | 2020-01-03 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 能低温固化的负型感光性组合物 |
JP6466087B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2019-02-06 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 低温硬化可能なネガ型感光性組成物 |
JP6255806B2 (ja) * | 2013-09-04 | 2018-01-10 | Jsr株式会社 | ゲート絶縁膜、感放射線性樹脂組成物、硬化膜、ゲート絶縁膜の形成方法、半導体素子および表示装置 |
KR102272540B1 (ko) * | 2013-09-20 | 2021-07-02 | 린텍 가부시키가이샤 | 경화성 조성물, 경화물 및 경화성 조성물의 사용 방법 |
JP2015152726A (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 三洋化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
TWI559078B (zh) * | 2014-08-07 | 2016-11-21 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性樹脂組成物及其應用 |
WO2016052636A1 (ja) * | 2014-10-02 | 2016-04-07 | 株式会社カネカ | 活性エネルギー線硬化性組成物 |
US9833450B2 (en) * | 2015-02-19 | 2017-12-05 | Lixte Biotechnology, Inc. | Oxabicycloheptanes and oxabicycloheptenes for the treatment of depressive and stress disorders |
KR101717536B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2017-03-17 | (주)테크피아 | 접착 복합형 반경화 형광체 시트 및 이의 제조방법 |
US9442377B1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-09-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Wet-strippable silicon-containing antireflectant |
KR102504338B1 (ko) * | 2015-12-03 | 2023-02-28 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 유기 절연막 |
JP7077947B2 (ja) * | 2017-08-02 | 2022-05-31 | 東レ株式会社 | シロキサン樹脂組成物、それを用いた接着剤、表示装置、半導体装置および照明装置 |
KR20200079231A (ko) * | 2017-11-21 | 2020-07-02 | 도레이 카부시키가이샤 | 실록산 수지 조성물, 경화막 및 표시장치 |
CN108003271B (zh) * | 2017-12-25 | 2020-06-16 | 广东三求光固材料股份有限公司 | 一种碱溶型抗电镀光敏树脂及其制备方法与应用 |
JP7021046B2 (ja) * | 2018-10-22 | 2022-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 付加硬化型シリコーン組成物、シリコーン硬化物、及び、光学素子 |
JP7218149B2 (ja) * | 2018-10-26 | 2023-02-06 | 旭化成株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性樹脂積層体、パターン製造方法及び硬化膜パターン製造方法 |
JP7099355B2 (ja) * | 2019-02-18 | 2022-07-12 | 信越化学工業株式会社 | 熱硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
JP7295666B2 (ja) * | 2019-03-13 | 2023-06-21 | 東京応化工業株式会社 | 感光性樹脂組成物、感光性ドライフィルム、感光性ドライフィルムの製造方法、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法、及びめっき造形物の製造方法 |
JP6962958B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2021-11-05 | 株式会社タムラ製作所 | 感光性樹脂組成物 |
JP2021026029A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | ネガ型感光性組成物 |
JP7382196B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2023-11-16 | サカタインクス株式会社 | 皮膜形成用組成物、該皮膜形成用組成物を塗工してなる積層体、該積層体を用いてなるタッチパネル、及び、硬化皮膜の形成方法 |
KR20210068709A (ko) * | 2019-12-02 | 2021-06-10 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 포지티브형 감광성 수지 조성물 및 이로부터 제조된 경화막 |
JPWO2022085389A1 (ja) * | 2020-10-19 | 2022-04-28 | ||
WO2023048016A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 東レ株式会社 | 樹脂組成物、遮光膜、および隔壁付き基板 |
CN116693938A (zh) * | 2022-02-24 | 2023-09-05 | 天津利安隆新材料股份有限公司 | 反应型复合光稳定剂及其应用、光稳定改性高分子材料 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2826940B2 (ja) | 1992-07-22 | 1998-11-18 | 旭化成工業株式会社 | i線露光用感光性組成物 |
JP2004198906A (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Sumitomo Chem Co Ltd | 感光性組成物 |
JP2005134439A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Asahi Glass Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びその硬化物 |
JP5063915B2 (ja) | 2006-04-04 | 2012-10-31 | アトミクス株式会社 | 紫外線硬化型コーティング用組成物およびこれを被覆してなる樹脂被覆品 |
JP5078475B2 (ja) * | 2007-07-11 | 2012-11-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポリオルガノシロキサン |
JP4392464B2 (ja) * | 2008-01-15 | 2010-01-06 | 積水化学工業株式会社 | レジスト材料及び積層体 |
JP5181725B2 (ja) | 2008-02-27 | 2013-04-10 | 日本ゼオン株式会社 | 感光性樹脂組成物、積層体及びその製造方法並びに電子部品 |
JP5136777B2 (ja) * | 2008-04-25 | 2013-02-06 | 信越化学工業株式会社 | ポリオルガノシロキサン化合物、これを含む樹脂組成物及びこれらのパターン形成方法 |
JP2010039056A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 感光性組成物及びパターン膜の製造方法 |
JP2010039052A (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-18 | Sekisui Chem Co Ltd | 感光性組成物及びパターン膜の製造方法 |
JP2010061744A (ja) | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Sony Corp | コンテンツ記録装置および方法、撮像装置、並びにコンピュータ・プログラム |
CN102197339B (zh) * | 2008-11-07 | 2015-03-04 | 住友电木株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性粘接膜以及光接收装置 |
WO2010061744A1 (ja) | 2008-11-27 | 2010-06-03 | 東レ株式会社 | シロキサン樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用保護膜 |
CN101963757B (zh) * | 2009-07-25 | 2012-11-21 | 比亚迪股份有限公司 | 一种有机硅改性碱溶性光敏树脂及其制备方法和一种油墨组合物 |
TWI485184B (zh) * | 2009-08-26 | 2015-05-21 | Nippon Steel & Sumikin Chem Co | An alkali soluble silicone resin-containing alkali-soluble resin and a photosensitive resin composition, and a cured product using a photosensitive resin composition |
JP5514566B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2014-06-04 | 三洋化成工業株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
JP5449080B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、パターン形成材料、並びに、これを用いた感光性膜、パターン形成方法、パターン膜、低屈折率膜、光学デバイス、及び、固体撮像素子 |
SG189383A1 (en) * | 2010-10-14 | 2013-05-31 | Asahi Kasei E Materials Corp | Photosensitive resin composition and method for producing same |
JP5729329B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-06-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物、並びに硬化膜及びその形成方法 |
EP2752712A4 (en) * | 2011-08-31 | 2014-12-03 | Asahi Kasei E Materials Corp | LENS-SENSITIVE ALKALILOUS SILICONE RESIN COMPOSITION |
-
2012
- 2012-08-31 EP EP12828562.4A patent/EP2752712A4/en not_active Withdrawn
- 2012-08-31 TW TW101131922A patent/TWI470352B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-31 WO PCT/JP2012/072247 patent/WO2013031985A1/ja active Application Filing
- 2012-08-31 CN CN201280042563.6A patent/CN103765313A/zh active Pending
- 2012-08-31 TW TW103128347A patent/TWI553409B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-08-31 JP JP2013531441A patent/JP5647733B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-08-31 US US14/241,700 patent/US20140193632A1/en not_active Abandoned
- 2012-08-31 KR KR1020147005204A patent/KR101614627B1/ko active IP Right Grant
- 2012-08-31 EP EP14001209.7A patent/EP2805999A1/en not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-08-20 JP JP2014167330A patent/JP5826341B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201314362A (zh) | 2013-04-01 |
EP2805999A1 (en) | 2014-11-26 |
US20140193632A1 (en) | 2014-07-10 |
TW201445253A (zh) | 2014-12-01 |
TWI470352B (zh) | 2015-01-21 |
EP2752712A4 (en) | 2014-12-03 |
EP2752712A1 (en) | 2014-07-09 |
KR101614627B1 (ko) | 2016-04-21 |
JPWO2013031985A1 (ja) | 2015-03-23 |
TWI553409B (zh) | 2016-10-11 |
WO2013031985A1 (ja) | 2013-03-07 |
CN103765313A (zh) | 2014-04-30 |
JP5647733B2 (ja) | 2015-01-07 |
JP2014222367A (ja) | 2014-11-27 |
KR20140043488A (ko) | 2014-04-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5826341B2 (ja) | 硬化物の製造方法 | |
JP5886420B2 (ja) | ラジカル架橋性基を有するポリシロキサン組成物 | |
JP5589387B2 (ja) | シロキサン樹脂組成物およびそれを用いたタッチパネル用保護膜 | |
JP5212571B2 (ja) | タッチパネル部材 | |
EP2133744B1 (en) | Photosensitive resin composition | |
JP5671936B2 (ja) | ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた硬化膜 | |
JP5078475B2 (ja) | ポリオルガノシロキサン | |
JP2019104836A (ja) | オルガノポリシロキサン化合物およびそれを含む活性エネルギー線硬化性組成物 | |
JP6022870B2 (ja) | 感光性樹脂組成物 | |
JP2008203613A (ja) | ポリオルガノシロキサン組成物 | |
JP4932528B2 (ja) | 硬化レリーフパターン付き基材の製造方法 | |
WO2023100991A1 (ja) | シルセスキオキサン誘導体、硬化性組成物、ハードコート剤、硬化物、ハードコート及び基材 | |
JP2014237771A (ja) | シリコーン重合体 | |
JP5142622B2 (ja) | ポリオルガノシロキサン組成物 | |
JP2008141137A (ja) | 半導体装置用絶縁膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140820 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5826341 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |