JP5799656B2 - Power transmission system - Google Patents

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本発明は電界結合により電力を伝送する電力伝送システムに関するものである。 The present invention relates to power transmission system that transmits power through electric field coupling.

二つの装置を近接させて装置間で電力を伝送する代表的なシステムとして、送電装置の一次コイルから受電装置の二次コイルに磁界を利用して電力を伝送する磁界結合方式の電力伝送システムが知られている。しかし、磁界結合で電力を伝送する場合、各コイルを通る磁束の大きさが起電力に大きく影響するため、一次コイルと二次コイルとの相対位置関係に高い精度が要求される。また、コイルを利用するため、装置の小型化が困難である。   As a typical system for transmitting power between two devices in close proximity to each other, there is a magnetic field coupling type power transmission system that uses a magnetic field to transmit power from a primary coil of a power transmission device to a secondary coil of a power reception device. Are known. However, when power is transmitted by magnetic field coupling, since the magnitude of magnetic flux passing through each coil greatly affects the electromotive force, high accuracy is required for the relative positional relationship between the primary coil and the secondary coil. In addition, since the coil is used, it is difficult to reduce the size of the apparatus.

一方、特許文献1〜3に記載されているような準静電界を利用して送電ユニット側の結合用電極から負荷ユニット側の結合用電極に電力を伝送する電界結合方式のワイヤレス電力伝送システムも知られている。このシステムでは、送電装置の結合電極から受電装置の結合電極に電界を介して電力が伝送される。この方式は、結合電極の相対位置精度が比較的緩く、また、結合電極の小型・薄型化が可能である。   On the other hand, there is also an electric field coupling type wireless power transmission system that transmits electric power from a coupling electrode on the power transmission unit side to a coupling electrode on the load unit side using a quasi-electrostatic field as described in Patent Documents 1 to 3. Are known. In this system, power is transmitted from the coupling electrode of the power transmission apparatus to the coupling electrode of the power reception apparatus via an electric field. In this method, the relative positional accuracy of the coupling electrode is relatively loose, and the coupling electrode can be reduced in size and thickness.

図10は特許文献1の電力伝送システムの基本構成を示す図である。この電力伝送システムは、送電装置と受電装置とで構成される。送電装置には、送電回路1、パッシブ電極2およびアクティブ電極3を備えている。受電装置には、受電回路5、パッシブ電極7およびアクティブ電極6を備えている。そして、送電装置のアクティブ電極3と受電装置のアクティブ電極6とが高電圧電界領域4を介して近接することにより、この二つの電極同士が電界結合する。   FIG. 10 is a diagram showing a basic configuration of the power transmission system of Patent Document 1. In FIG. This power transmission system includes a power transmission device and a power reception device. The power transmission device includes a power transmission circuit 1, a passive electrode 2, and an active electrode 3. The power receiving device includes a power receiving circuit 5, a passive electrode 7, and an active electrode 6. Then, when the active electrode 3 of the power transmission device and the active electrode 6 of the power reception device come close to each other through the high voltage electric field region 4, the two electrodes are subjected to electric field coupling.

特表2009−531009号公報Special table 2009-531009 特開2009−296857号公報JP 2009-296857 A 特開2009−089520号公報JP 2009-089520 A

電界結合型の非接触電力伝送システムにおいては、磁界結合型の非接触電力伝送システムに比べると、送電装置と受電装置が高インピーダンスで結合する。低損失な共振回路を使用しており、結合状態や負荷のインピーダンスの変動により受電装置側の結合電極に過電圧が発生する場合がある。ここで過電圧とは、異常電圧であり、結合電極に掛かる定格電圧を超える電圧である。   In an electric field coupling type non-contact power transmission system, compared with a magnetic field coupling type non-contact power transmission system, a power transmission device and a power reception device are coupled with high impedance. A low-loss resonance circuit is used, and an overvoltage may be generated in the coupling electrode on the power receiving device side due to a coupling state or a variation in load impedance. Here, the overvoltage is an abnormal voltage, which is a voltage exceeding the rated voltage applied to the coupling electrode.

本発明は電界結合型の非接触電力伝送システムにおいて過電圧の発生を防止して、結合電極に掛かる電圧が一定範囲内に抑えられるようにした電力伝送システムを提供することを目的としている。 The present invention is to prevent the occurrence of an overvoltage in the contactless power transmission system of electric field coupling type, it is an object of the voltage applied to the coupling electrode to provide a power transmission system to be suppressed within a certain range.

(1)本発明の受電装置は、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続された高周波高電圧発生回路を備えた送電装置から電力を受電する装置であり、
前記送電装置側結合電極に電気的に結合する受電装置側結合電極、および前記受電装置側結合電極に接続された負荷回路を備え、
前記負荷回路は、前記受電装置側結合電極に接続された降圧トランスと、前記受電装置側結合電極と前記降圧トランスの一次コイルとの間に接続された放電型過電圧保護デバイスとを備えたことを特徴とする。
(1) A power receiving device of the present invention receives power from a power transmission device including a power transmission device side coupling electrode composed of an active electrode and a passive electrode, and a high frequency high voltage generation circuit connected to the power transmission device side coupling electrode. A device that receives power,
A power receiving device side coupling electrode electrically coupled to the power transmission device side coupling electrode, and a load circuit connected to the power receiving device side coupling electrode;
The load circuit includes a step-down transformer connected to the power receiving device side coupling electrode, and a discharge-type overvoltage protection device connected between the power receiving device side coupling electrode and a primary coil of the step-down transformer. Features.

(2)前記放電型過電圧保護デバイスは、絶縁性セラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第1、第2放電電極と、前記空洞部内において前記第1,第2の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたESD保護デバイスであって、
前記放電補助電極は、表面が無機酸化物によりコーティングされた金属粒子と、半導体粒子とを含むことが好ましい。
(2) The discharge-type overvoltage protection device includes: a cavity provided in an insulating ceramic body; first and second discharge electrodes exposed and opposed in the cavity; and the first and second discharge electrodes in the cavity. An ESD protection device comprising a discharge auxiliary electrode provided to electrically connect the two discharge electrodes,
The discharge auxiliary electrode preferably includes metal particles whose surfaces are coated with an inorganic oxide and semiconductor particles.

(3)本発明の電力伝送システムは、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続された高周波高電圧発生回路を備えた送電装置から電力を受電する受電装置と、アクティブ電極とパッシブ電極とで構成され、前記送電装置側結合電極と結合する受電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に高周波の高電圧を印加する高周波高電圧発生回路とを有する送電装置とを備え、
前記送電装置側結合電極の電圧、または前記高周波高電圧発生回路の入力電流を測定し、前記受電装置側結合電極の電圧が前記放電型過電圧保護デバイスの閾電圧を超えて前記放電型過電圧保護デバイスが放電したことに伴う結合電極のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極に誘導される電圧の不連続点を検出し、過電圧制御を行う過電圧制御手段を備えたことを特徴としている。
(3) The power transmission system of the present invention is configured to transmit power from a power transmission device including a power transmission device side coupling electrode composed of an active electrode and a passive electrode, and a high frequency high voltage generation circuit connected to the power transmission device side coupling electrode. A power receiving device for receiving the power, an active electrode and a passive electrode, a power receiving device side coupling electrode coupled to the power transmission device side coupling electrode, and a high frequency high voltage for applying a high frequency high voltage to the power transmission device side coupling electrode A power transmission device having a generation circuit,
The voltage of the power transmission device side coupling electrode or the input current of the high frequency high voltage generation circuit is measured, and the voltage of the power reception device side coupling electrode exceeds the threshold voltage of the discharge type overvoltage protection device, so that the discharge type overvoltage protection device It is characterized by comprising an overvoltage control means for detecting a discontinuous point of the voltage induced in the power transmission device side coupling electrode due to a sudden change in impedance of the coupling electrode due to discharge of the battery and performing overvoltage control.

(4)前記過電圧制御手段は、前記高周波高電圧発生回路の出力電圧を低下させるかまたは電圧出力を停止するものであることが好ましい。 (4) Preferably, the overvoltage control means lowers the output voltage of the high frequency high voltage generation circuit or stops voltage output.

本発明によれば、受電装置側結合電極に誘導される電圧が、閾値電圧を超えると放電型過電圧保護デバイスが放電し短絡するので、受電装置側結合電極および送電装置側結合電極に異常な高電圧が発生するのを防止できる。   According to the present invention, when the voltage induced in the power receiving device side coupling electrode exceeds the threshold voltage, the discharge type overvoltage protection device is discharged and short-circuited. Generation of voltage can be prevented.

特に、放電型過電圧保護デバイスを、ガラスセラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第1、第2放電電極と、空洞部内において前記第1,第2の放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたESD保護デバイスで構成すれば、静電容量が小さく、受電装置側の結合電極の浮遊容量を増大させないので、過電圧保護機能を持つことができるとともに、電力伝送効率を大きくすることができる。   In particular, a discharge-type overvoltage protection device includes a cavity provided in a glass ceramic body, first and second discharge electrodes exposed and opposed in the cavity, and the first and second discharge electrodes in the cavity. If it is composed of an ESD protection device composed of a discharge auxiliary electrode provided so as to be electrically connected, the electrostatic capacity is small and the stray capacitance of the coupling electrode on the power receiving device side is not increased. In addition, the power transmission efficiency can be increased.

図1は第1の実施形態の電力伝送システム401の外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view of a power transmission system 401 according to the first embodiment. 図2(A)は、ジャケット付き端末の正面図、図2(B)は送電装置101にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。2A is a front view of the jacketed terminal, and FIG. 2B is a side view of the power transmitting apparatus 101 with the jacketed terminal placed thereon. 図3は電力伝送システム401の等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the power transmission system 401. 図4は電力伝送システム401の別の等価回路図である。FIG. 4 is another equivalent circuit diagram of the power transmission system 401. 図5は送電装置101のブロック構成図である。FIG. 5 is a block configuration diagram of the power transmission apparatus 101. 図6は、図5に示した制御回路52の処理内容のうち、ESD保護デバイス43の作動による送電装置側の過電圧保護動作についての処理内容を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart showing the processing contents of the overvoltage protection operation on the power transmission apparatus side by the operation of the ESD protection device 43 among the processing contents of the control circuit 52 shown in FIG. 図7(A)、図7(B)は本発明の実施形態の電力伝送システムの動作を示す波形図であり、図8(A)、図8(B)は比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。FIGS. 7A and 7B are waveform diagrams showing the operation of the power transmission system according to the embodiment of the present invention. FIGS. 8A and 8B show the power transmission system of the comparative example. It is a wave form diagram which shows operation | movement. 図8(A)、図8(B)は比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。FIGS. 8A and 8B are waveform diagrams showing the operation of the power transmission system of the comparative example. 図9は放電部の断面構造を拡大して表した模式図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing an enlarged cross-sectional structure of the discharge portion. 図10は特許文献1の電力伝送システムの基本構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a basic configuration of the power transmission system of Patent Document 1. In FIG.

《第1の実施形態》
図1は第1の実施形態の電力伝送システム401の外観斜視図である。この電力伝送システム401は送電装置101および受電装置で構成されている。この例では、端末10とその外周枠に被せられたジャケット201とで受電装置が構成されている。そして、外周枠にジャケット201が被せられた状態の端末10(以下、「ジャケット付き端末」という。)が送電装置101に載置される。後に詳述するが、ジャケット201内には受電回路が構成されていて、ジャケット201内のコネクタを介して受電回路に端末10が接続される。
<< First Embodiment >>
FIG. 1 is an external perspective view of a power transmission system 401 according to the first embodiment. The power transmission system 401 includes a power transmission device 101 and a power reception device. In this example, the terminal 10 and the jacket 201 covered on the outer peripheral frame constitute a power receiving device. Then, the terminal 10 (hereinafter, referred to as “terminal with jacket”) in a state where the outer periphery frame is covered with the jacket 201 is placed on the power transmission apparatus 101. As will be described in detail later, a power receiving circuit is configured in the jacket 201, and the terminal 10 is connected to the power receiving circuit via a connector in the jacket 201.

図2(A)は、ジャケット付き端末の正面図、図2(B)は送電装置101にジャケット付き端末が載置された状態での側面図である。図2(A)に表れているように、端末10の下部に下部ジャケット201Bがスライド式に装着され、端末10の上部に上部ジャケット201Tがスライド式に装着される。下部ジャケットの内部にはコネクタのプラグ47が設けられていて、端末10に下部ジャケット201Bが装着されることによって、プラグ47は端末10の下部に設けられているレセプタクル11に接続される。   2A is a front view of the jacketed terminal, and FIG. 2B is a side view of the power transmitting apparatus 101 with the jacketed terminal placed thereon. As shown in FIG. 2A, the lower jacket 201B is slidably attached to the lower portion of the terminal 10, and the upper jacket 201T is slidably attached to the upper portion of the terminal 10. A connector plug 47 is provided inside the lower jacket. When the lower jacket 201B is mounted on the terminal 10, the plug 47 is connected to the receptacle 11 provided at the lower portion of the terminal 10.

図3は前記電力伝送システム401の等価回路図である。この図3において、送電装置101は、送電回路39、パッシブ電極31およびアクティブ電極32を備えている。このパッシブ電極31およびアクティブ電極32が送電装置側結合電極である。送電回路39は高周波電圧発生回路38、昇圧トランスTGおよびインダクタLG等で構成されている。高周波電圧発生回路38は例えば100kHz〜数10MHzの高周波電圧を発生する。昇圧トランスTGおよびインダクタLGによる昇圧回路は、高周波電圧発生回路38の発生する電圧を昇圧してパッシブ電極31とアクティブ電極32との間に印加する。キャパシタCGはパッシブ電極31とアクティブ電極32とによる容量である。前記昇圧回路とキャパシタCGは共振回路を構成する。   FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the power transmission system 401. In FIG. 3, the power transmission device 101 includes a power transmission circuit 39, a passive electrode 31, and an active electrode 32. The passive electrode 31 and the active electrode 32 are power transmission device side coupling electrodes. The power transmission circuit 39 includes a high-frequency voltage generation circuit 38, a step-up transformer TG, an inductor LG, and the like. The high frequency voltage generation circuit 38 generates a high frequency voltage of, for example, 100 kHz to several tens of MHz. The step-up circuit using the step-up transformer TG and the inductor LG steps up the voltage generated by the high-frequency voltage generation circuit 38 and applies it between the passive electrode 31 and the active electrode 32. The capacitor CG is a capacitance due to the passive electrode 31 and the active electrode 32. The booster circuit and the capacitor CG constitute a resonance circuit.

ジャケット201は、受電回路49、パッシブ電極41およびアクティブ電極42を備えている。このパッシブ電極41およびアクティブ電極42が受電装置側結合電極である。受電回路49は、負荷回路48、ESD保護デバイス43、降圧トランスTLとインダクタLLによる降圧回路等で構成されている。パッシブ電極41とアクティブ電極42との間には、降圧トランスTLおよびインダクタLLによる降圧回路が接続されている。キャパシタCLはパッシブ電極41とアクティブ電極42とによる容量である。前記降圧回路とキャパシタCLは共振回路を構成する。降圧トランスTLの二次側には負荷回路48が接続されている。   The jacket 201 includes a power receiving circuit 49, a passive electrode 41, and an active electrode 42. The passive electrode 41 and the active electrode 42 are power receiving device side coupling electrodes. The power receiving circuit 49 includes a load circuit 48, an ESD protection device 43, a step-down circuit using a step-down transformer TL and an inductor LL, and the like. A step-down circuit using a step-down transformer TL and an inductor LL is connected between the passive electrode 41 and the active electrode 42. The capacitor CL is a capacitance due to the passive electrode 41 and the active electrode 42. The step-down circuit and the capacitor CL constitute a resonance circuit. A load circuit 48 is connected to the secondary side of the step-down transformer TL.

例えば、送電装置に対する受電装置の載置位置が大きくずれた場合に、受電装置の共振状態が定常状態から大きくずれて、送電装置側結合電極31,32の間に過電圧が印加される状態になると、受電装置側結合電極41,42の間に掛かる電圧が上昇する。この受電装置側結合電極41,42の間に掛かる電圧がESD保護デバイス43の閾値電圧(放電開始電圧)を超えると、ESD保護デバイス43は素子内部で放電が生じる。ESD保護デバイス43が放電するとESD保護デバイス43のインピーダンスが非常に小さくなるので、負荷回路48への印加電圧の上昇が抑えられる。   For example, when the mounting position of the power receiving device with respect to the power transmitting device is greatly deviated, the resonance state of the power receiving device is greatly deviated from the steady state, and an overvoltage is applied between the power transmitting device side coupling electrodes 31 and 32. The voltage applied between the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 increases. When the voltage applied between the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 exceeds the threshold voltage (discharge start voltage) of the ESD protection device 43, the ESD protection device 43 is discharged inside the element. When the ESD protection device 43 is discharged, the impedance of the ESD protection device 43 becomes very small, so that an increase in the voltage applied to the load circuit 48 can be suppressed.

図4は電力伝送システム401の別の等価回路図である。この回路は後に示す実験用の回路図でもある。図3に示した結合容量Cmを図4ではキャパシタ素子で表している。これらのキャパシタCG,CL,Cmは、送電装置側パッシブ電極、送電装置側アクティブ電極、受電装置側パッシブ電極、受電置側アクティブ電極の立体的な構造に生じる電界分布から導出される容量成分により定まる。   FIG. 4 is another equivalent circuit diagram of the power transmission system 401. This circuit is also an experimental circuit diagram shown later. The coupling capacitance Cm shown in FIG. 3 is represented by a capacitor element in FIG. These capacitors CG, CL, and Cm are determined by capacitance components derived from the electric field distribution generated in the three-dimensional structure of the power transmitting device side passive electrode, the power transmitting device side active electrode, the power receiving device side passive electrode, and the power receiving device side active electrode. .

送電装置101のインダクタLGとキャパシタCGとによってLC共振回路LC1が構成されている。また、降圧トランスTLの1次側コイルとキャパシタCLとでLC共振回路LC2が構成されている。   The LC resonance circuit LC1 is configured by the inductor LG and the capacitor CG of the power transmission device 101. Further, an LC resonance circuit LC2 is configured by the primary side coil of the step-down transformer TL and the capacitor CL.

降圧トランスTLの2次側には、ダイオードブリッジDBとコンデンサCoによる整流平滑回路および二次電池等の負荷RLで構成される負荷回路が接続されている。   Connected to the secondary side of the step-down transformer TL is a rectifying / smoothing circuit using a diode bridge DB and a capacitor Co and a load circuit composed of a load RL such as a secondary battery.

図5は送電装置101のブロック構成図である。ここで駆動電源回路51は商用電源を入力して例えば一定の直流電圧(例えばDC5V)を発生する電源回路である。制御回路52は次に述べる各部との間で信号を入出力して各部の制御を行う。   FIG. 5 is a block configuration diagram of the power transmission apparatus 101. Here, the drive power supply circuit 51 is a power supply circuit that receives a commercial power supply and generates, for example, a constant DC voltage (for example, DC 5 V). The control circuit 52 controls each unit by inputting / outputting signals to / from each unit described below.

駆動制御回路55は制御回路52から出力される信号に従ってスイッチング回路56のスイッチ素子をスイッチングする。スイッチング回路56は後に示すように昇圧回路37の入力部を交番駆動する。   The drive control circuit 55 switches the switch element of the switching circuit 56 according to the signal output from the control circuit 52. As will be described later, the switching circuit 56 alternately drives the input section of the booster circuit 37.

DCI検出回路53は、スイッチング回路56に流れる駆動電流(すなわち、駆動電源回路51から昇圧回路37への供給電流量)I1を検出する。制御回路52はこの検出信号V(I1)を読み取る。ACV検出回路58は、結合電極31,32間の電圧を容量分圧し、この分圧された交流電圧を整流した直流電圧を検出信号V(V1)として生成する。制御回路52はこの検出信号V(V1)を読み取る。   The DCI detection circuit 53 detects a drive current flowing through the switching circuit 56 (that is, an amount of current supplied from the drive power supply circuit 51 to the booster circuit 37) I1. The control circuit 52 reads this detection signal V (I1). The ACV detection circuit 58 capacitively divides the voltage between the coupling electrodes 31 and 32, and generates a DC voltage obtained by rectifying the divided AC voltage as a detection signal V (V1). The control circuit 52 reads this detection signal V (V1).

図6は、図5に示した制御回路52の処理内容のうち、ESD保護デバイス43の作動による送電装置側の過電圧保護動作についての処理内容を示すフローチャートである。   FIG. 6 is a flowchart showing the processing contents of the overvoltage protection operation on the power transmission apparatus side by the operation of the ESD protection device 43 among the processing contents of the control circuit 52 shown in FIG.

先ず、発生すべき高周波電圧の最適な周波数を検知して、その周波数の高周波電圧を発生するように周波数を定める(S11)。その後、駆動電源回路51は定電圧の給電を開始する(S12)。続いて、ACV検出回路58の検出値V1およびDCI検出回路53の検出値I1を読み取る(S13,S14)。   First, the optimum frequency of the high frequency voltage to be generated is detected, and the frequency is determined so as to generate a high frequency voltage of that frequency (S11). Thereafter, the drive power supply circuit 51 starts feeding a constant voltage (S12). Subsequently, the detection value V1 of the ACV detection circuit 58 and the detection value I1 of the DCI detection circuit 53 are read (S13, S14).

ACV検出回路58の検出値は送電装置側結合電極31,32の印加電圧V1に相当する電圧信号V(V1)である。この送電装置側結合電極31,32の印加電圧V1が所定の閾値V1thを超えるか否かを判定する(S15)。また、入力電流I1が所定の閾値I1thを超えるか否かを判定する。このように、受電装置側結合電極41,42間の電圧V2が放電型過電圧保護デバイスの閾値電圧を超えてESD保護デバイスが放電したことに伴う受電装置側結合電極41,42のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極31,32に誘導される電圧の不連続点を検出する。   The detection value of the ACV detection circuit 58 is a voltage signal V (V1) corresponding to the applied voltage V1 of the power transmission device side coupling electrodes 31 and 32. It is determined whether or not the applied voltage V1 of the power transmission device side coupling electrodes 31 and 32 exceeds a predetermined threshold value V1th (S15). Further, it is determined whether or not the input current I1 exceeds a predetermined threshold value I1th. In this way, the voltage V2 between the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 exceeds the threshold voltage of the discharge type overvoltage protection device and the impedance of the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 is suddenly changed due to the discharge of the ESD protection device. The discontinuous point of the voltage induced to the power transmission apparatus side coupling electrodes 31 and 32 is detected.

ESD保護デバイス43が作動(放電)すれば、送電装置側結合電極31,32の印加電圧V1は上昇し、且つスイッチング回路56に流れる駆動電流I1は増大する。V1>V1th且つI1>I1thの条件を満たせばESD保護デバイス43が作動(放電)したものと見なし、駆動制御回路55の駆動を停止することにより過電圧制御を行う(S17)。   When the ESD protection device 43 is activated (discharged), the voltage V1 applied to the power transmission device side coupling electrodes 31 and 32 increases, and the drive current I1 flowing through the switching circuit 56 increases. If the conditions of V1> V1th and I1> I1th are satisfied, it is considered that the ESD protection device 43 has been activated (discharged), and overdrive control is performed by stopping driving of the drive control circuit 55 (S17).

なお、ESD保護デバイス43が作動したことを検知して駆動制御回路55の駆動を停止すること以外に、駆動制御回路55によるスイッチング回路56のオンデューティ比を小さくして、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2の電圧上昇を抑制するようにしてもよい。   In addition to detecting that the ESD protection device 43 has been activated and stopping driving of the drive control circuit 55, the on-duty ratio of the switching circuit 56 by the drive control circuit 55 is reduced to reduce the power receiving device side coupling electrode 41. , 42 may suppress the voltage increase of the voltage V2.

図7(A)、図7(B)は本発明の実施形態の電力伝送システムの動作を示す波形図であり、図8(A)、図8(B)は比較例の電力伝送システムについての動作を示す波形図である。この比較例の電力伝送システムは前記ESD保護デバイスを設けないものである。いずれの図も縦軸は任意単位電圧である。   FIGS. 7A and 7B are waveform diagrams showing the operation of the power transmission system according to the embodiment of the present invention. FIGS. 8A and 8B show the power transmission system of the comparative example. It is a wave form diagram which shows operation | movement. The power transmission system of this comparative example is not provided with the ESD protection device. In each figure, the vertical axis represents an arbitrary unit voltage.

図7(A)、図8(A)は送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1を次第に上昇させたときの電圧波形図、図7(B)、図8(B)はそのときの受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2の波形図である。   FIGS. 7A and 8A are voltage waveform diagrams when the voltage V1 applied to the power transmission device side coupling electrodes 31 and 32 is gradually increased, and FIGS. 7B and 8B are obtained at that time. It is a wave form diagram of voltage V2 applied to the receiving device side coupling electrodes 41 and.

図7(B)は、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2が時刻toで閾値を超えたことを表している。図7(A)に表れているように、時刻toで送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1が急激に上昇している。これは、図4に示したLC共振回路LC2のインピーダンスの変化による。すなわち、定常状態ではLC共振回路LC2のインピーダンスは高いが、ESD保護デバイス43がオンすることによりLC共振回路LC2のインピーダンスは低下し、インダクタLGと等価的に共振する容量値で構成される共振周波数が駆動周波数に近接し、そのことで送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1は不連続的に変化する。図7(A)に示した例では電圧V1が急激に上昇したが、上記共振周波数が駆動周波数から遠ざかるように変化すると、逆に電圧V1が減少する方向へ不連続的に変化する場合も条件によってはあり得る。   FIG. 7B shows that the voltage V2 applied to the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 exceeds the threshold at time to. As shown in FIG. 7A, the voltage V1 applied to the power transmitting device side coupling electrodes 31 and 32 rapidly increases at time to. This is due to a change in impedance of the LC resonance circuit LC2 shown in FIG. That is, in the steady state, the impedance of the LC resonance circuit LC2 is high, but when the ESD protection device 43 is turned on, the impedance of the LC resonance circuit LC2 is lowered, and the resonance frequency is configured with a capacitance value that resonates equivalently with the inductor LG. Is close to the drive frequency, and as a result, the voltage V1 applied to the power transmission device side coupling electrodes 31, 32 changes discontinuously. In the example shown in FIG. 7A, the voltage V1 rapidly increases. However, if the resonance frequency changes away from the driving frequency, there is a condition that the voltage V1 changes discontinuously in the reverse direction. It can be.

ESD保護デバイス(放電型過電圧保護デバイス)は、降圧トランスの二次コイルの端子間に接続することも考えられるが、受電装置側結合電極の間にESD保護デバイスを接続した方が受電装置側のインピーダンス変化を送電装置側で感度よく検出できるので、好ましい。また、受電装置側結合電極の間すなわち回路のインピーダンスが高い箇所にESD保護デバイスを接続した方が保護動作時に流れる電流が小さくて済むので、電流ストレスが軽減できるという点でも好ましい。なお、ESD保護デバイス43に対して直列に電流制限抵抗を挿入してもよい。   The ESD protection device (discharge overvoltage protection device) may be connected between the terminals of the secondary coil of the step-down transformer, but it is better to connect the ESD protection device between the power receiving device side coupling electrodes. It is preferable because the impedance change can be detected with high sensitivity on the power transmission device side. In addition, it is preferable that an ESD protection device is connected between the power receiving device side coupling electrodes, that is, where the circuit impedance is high, because the current that flows during the protection operation can be reduced, so that the current stress can be reduced. A current limiting resistor may be inserted in series with the ESD protection device 43.

なお、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2は交流電圧であるので、ESD保護デバイス43がオンするような電圧になった以降は、印加される交流電圧の瞬時電圧に応じて放電を断続または継続することになる。図7(A)、図7(B)は実験状態での波形であるので、時刻to以降も送電装置側の電力送電は維持されて、図7(B)において電圧V2は0にならず、ESD保護デバイス43のほぼ閾値電圧を維持している。   Since the voltage V2 applied to the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 is an AC voltage, after the ESD protection device 43 is turned on, the discharge is performed according to the instantaneous voltage of the applied AC voltage. Will be intermittent or continuous. Since FIGS. 7A and 7B are waveforms in the experimental state, the power transmission on the power transmission device side is maintained after time to, and the voltage V2 does not become 0 in FIG. The threshold voltage of the ESD protection device 43 is maintained substantially.

一方、前記ESD保護デバイスが無い場合には、図8(B)に示すように、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2は時刻t1で過電圧状態となる。実験では、電圧V2を次第に上昇させているので、電圧V2はその後も過電圧状態を継続することになる。   On the other hand, when there is no ESD protection device, as shown in FIG. 8B, the voltage V2 applied to the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 becomes an overvoltage state at time t1. In the experiment, since the voltage V2 is gradually increased, the voltage V2 continues to be in an overvoltage state thereafter.

なお、図8(A)と図8(B)を比較すると、送電装置側結合電極31,32に掛かる電圧V1より、受電装置側結合電極41,42に掛かる電圧V2の方が高くなっている。この例では、受電装置側のLC共振回路LC2の共振作用により、V1<V2の関係となっているためである。   8A and 8B, the voltage V2 applied to the power receiving device side coupling electrodes 41 and 42 is higher than the voltage V1 applied to the power transmission device side coupling electrodes 31 and 32. . This is because, in this example, the relationship of V1 <V2 is established due to the resonance action of the LC resonance circuit LC2 on the power receiving device side.

このようにして、電圧V2はESD保護デバイス43の閾値電圧を超えることがないので、負荷回路48内のICチップなどが過電圧から保護される。   Thus, since the voltage V2 does not exceed the threshold voltage of the ESD protection device 43, the IC chip in the load circuit 48 is protected from overvoltage.

ここで、ESD保護デバイス43の構成について示す。図9はESD保護デバイス43の断面構造を表した模式図である。ガラスセラミックなどの絶縁性セラミック層17内に設けられた空洞部18内に露出して対向する第1、第2放電電極16、16が設けられている。第1,第2の放電電極16、16を電気的に接続するように放電補助電極19が設けられている。   Here, the configuration of the ESD protection device 43 will be described. FIG. 9 is a schematic diagram showing a cross-sectional structure of the ESD protection device 43. First and second discharge electrodes 16 and 16 that are exposed and opposed to each other in a cavity 18 provided in an insulating ceramic layer 17 such as glass ceramic are provided. A discharge auxiliary electrode 19 is provided so as to electrically connect the first and second discharge electrodes 16 and 16.

放電補助電極19は、絶縁性被膜により表面がコーティングされた粒子状の金属材料19Aと、粒子状の半導体材料19Bとからなる。ここでは、金属材料19AはCu粒子であり、半導体材料19BはSiC粒子である。また、絶縁性被膜はアルミナ被膜である。   The discharge auxiliary electrode 19 includes a particulate metal material 19A whose surface is coated with an insulating film and a particulate semiconductor material 19B. Here, the metal material 19A is Cu particles, and the semiconductor material 19B is SiC particles. The insulating coating is an alumina coating.

また、ガラス様物質20が、放電補助電極19A,19Bを囲むように形成されている。ガラス様物質20は作為的に形成したものではなく、絶縁性セラミック層17などの周辺部材由来の構成材料などの酸化等の反応によって形成されるものである。   A glass-like substance 20 is formed so as to surround the discharge auxiliary electrodes 19A and 19B. The glass-like substance 20 is not formed artificially, but is formed by a reaction such as oxidation of a constituent material derived from a peripheral member such as the insulating ceramic layer 17.

このESD保護デバイス43の製造方法は以下のとおりである。   The manufacturing method of this ESD protection device 43 is as follows.

(1)セラミック材料の準備
絶縁性セラミック層17の材料となるセラミック材料には、Ba、Al、Siを中心とした組成からなる材料(BAS材)を用いる。各素材を所定の組成になるよう調合、混合し、800-1000℃で仮焼する。得られた仮焼粉末をジルコニアボールミルで粉砕し、セラミック粉末を得る。このセラミック粉末に、トルエン・エキネンなどの有機溶媒を加え混合する。さらにバインダー、可塑剤を加え混合しスラリーを得る。このようにして得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、厚さ50μmのセラミックグリーンシートを得る。
(1) Preparation of Ceramic Material As the ceramic material used as the material of the insulating ceramic layer 17, a material (BAS material) having a composition centered on Ba, Al, and Si is used. Each material is prepared and mixed to a predetermined composition and calcined at 800-1000 ° C. The obtained calcined powder is pulverized with a zirconia ball mill to obtain a ceramic powder. To this ceramic powder, an organic solvent such as toluene and echinene is added and mixed. Furthermore, a binder and a plasticizer are added and mixed to obtain a slurry. The slurry thus obtained is molded by a doctor blade method to obtain a ceramic green sheet having a thickness of 50 μm.

また、放電電極を形成するための電極ペーストを作製する。平均粒径約2μmのCu粉80wt%とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、3本ロールで撹拌、混合することで電極ペーストを得る。   In addition, an electrode paste for forming the discharge electrode is prepared. An electrode paste is obtained by adding a solvent to a binder resin composed of 80 wt% Cu powder having an average particle size of about 2 μm and ethyl cellulose, and stirring and mixing with a three-roll.

空洞18を形成する樹脂ペーストとしてPETに対して有機溶剤を適宜の割合で含む樹脂ペーストを用意する。   A resin paste containing an organic solvent in an appropriate ratio with respect to PET is prepared as a resin paste for forming the cavity 18.

(2)スクリーン印刷による電極、樹脂ペーストの塗布
放電補助電極を形成するための混合ペーストは、表面に平均粒径数nm〜数十nmのAl2O3粉末を付着してなる平均粒径約3μmのCu粉を用意する。このCu粉に平均粒形1μmのSiC粉末を所定の割合で配合する。この配合物に、バインダー樹脂と溶剤を添加し3本ロールで撹拌、混合することで混合ペーストを得る。
(2) Application of electrode and resin paste by screen printing The mixed paste for forming the discharge auxiliary electrode is made of Cu having an average particle diameter of about 3 μm formed by adhering Al2O3 powder having an average particle diameter of several nm to several tens of nm on the surface. Prepare powder. A SiC powder having an average particle shape of 1 μm is blended with the Cu powder at a predetermined ratio. A binder paste and a solvent are added to this blend, and a mixed paste is obtained by stirring and mixing with three rolls.

先ず、混合ペーストを下地のグリーンシートに塗布する。その後、電極および樹脂ペーストを塗布する。   First, the mixed paste is applied to the underlying green sheet. Thereafter, an electrode and a resin paste are applied.

(3)積層、圧着
セラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより積層体を構成する。
(3) Lamination and pressure bonding A ceramic green sheet is stacked and pressure bonded to form a stacked body.

(4)カット、端面電極塗布
次に、積層体を厚み方向に切断し、各素体に分離する。その後、素体14の端面に、焼成後に外部電極15となる電極ペースト(Cuペースト)を塗布する。
(4) Cut, application of end face electrode Next, the laminate is cut in the thickness direction and separated into each element body. Thereafter, an electrode paste (Cu paste) that becomes the external electrode 15 after firing is applied to the end face of the element body 14.

(5)焼成
次いで、N2雰囲気中で焼成し、ESD保護デバイスを得る。
(5) Firing Next, firing is performed in an N 2 atmosphere to obtain an ESD protection device.

(6)めっき
次に、外部電極15の表面に電解Ni-SnめっきによりNi-Snめっき膜を形成する。
(6) Plating Next, a Ni—Sn plating film is formed on the surface of the external electrode 15 by electrolytic Ni—Sn plating.

また、放電補助電極を形成するための金属/セラミックの混合材料は、ペーストとして形成するだけでなく、シート化して配置してもよい。   In addition, the metal / ceramic mixed material for forming the discharge auxiliary electrode may be formed not only as a paste but also as a sheet.

なお、前記放電補助電極は、導電性粒子、絶縁性粒子および半導体粒子の全てを含んでいる必要はなく、導電性粒子とともに絶縁性粒子または半導体粒子を含んで構成されていてもよい。   The auxiliary discharge electrode need not include all of the conductive particles, insulating particles, and semiconductor particles, and may include insulating particles or semiconductor particles together with the conductive particles.

CG,CL,Cm…キャパシタ
Co…コンデンサ
DB…ダイオードブリッジ
LC1,LC2…LC共振回路
LG,LL…インダクタ
RL…負荷
TG…昇圧トランス
TL…降圧トランス
10…端末
11…レセプタクル
14…素体
15…外部電極
16…放電電極
17…絶縁性セラミック層
18…空洞
19…放電補助電極
19A,19B…放電補助電極
20…ガラス様物質
31,32…送電装置側結合電極
37…昇圧回路
38…高周波電圧発生回路
39…送電回路
41,42…受電装置側結合電極
43…ESD保護デバイス
47…プラグ
48…負荷回路
49…受電回路
51…駆動電源回路
52…制御回路
53…DCI検出回路
55…駆動制御回路
56…スイッチング回路
58…ACV検出回路
101…送電装置
201…ジャケット
201B…下部ジャケット
201T…上部ジャケット
401…電力伝送システム
CG, CL, Cm ... Capacitor Co ... Capacitor DB ... Diode bridge LC1, LC2 ... LC resonant circuit LG, LL ... Inductor RL ... Load TG ... Step-up transformer TL ... Step-down transformer 10 ... Terminal 11 ... Receptacle 14 ... Element body 15 ... External Electrode 16 ... Discharge electrode 17 ... Insulating ceramic layer 18 ... Cavity 19 ... Discharge auxiliary electrode 19A, 19B ... Discharge auxiliary electrode 20 ... Glass-like substance 31, 32 ... Power transmission device side coupling electrode 37 ... Boost circuit 38 ... High frequency voltage generation circuit 39 ... Power transmission circuit 41, 42 ... Power receiving device side coupling electrode 43 ... ESD protection device 47 ... Plug 48 ... Load circuit 49 ... Power receiving circuit 51 ... Drive power supply circuit 52 ... Control circuit 53 ... DCI detection circuit 55 ... Drive control circuit 56 ... Switching circuit 58... ACV detection circuit 101... Power transmission device 201. Packet 201T ... the upper jacket 401 ... power transmission system

Claims (6)

アクティブ電極とパッシブ電極とで構成される送電装置側結合電極、および前記送電装置側結合電極に接続され、高周波電圧を供給する送電回路を備えた送電装置と、A power transmission device side coupling electrode composed of an active electrode and a passive electrode, and a power transmission device including a power transmission circuit connected to the power transmission device side coupling electrode and supplying a high-frequency voltage;
アクティブ電極とパッシブ電極とで構成され、前記送電装置側結合電極と結合する受電装置側結合電極、および前記受電装置側結合電極に接続された受電回路を備えた受電装置と、  A power receiving device comprising an active electrode and a passive electrode, and a power receiving device side coupling electrode coupled to the power transmission device side coupling electrode; and a power receiving device comprising a power receiving circuit connected to the power receiving device side coupling electrode;
を備えた電力伝送システムにおいて、In a power transmission system with
前記受電回路は前記受電装置側結合電極の間に接続された放電型過電圧保護デバイスを備え、  The power receiving circuit includes a discharge type overvoltage protection device connected between the power receiving device side coupling electrodes,
前記送電装置側結合電極の電圧、または前記送電回路の入力電流を測定し、前記受電装置側結合電極の電圧が前記放電型過電圧保護デバイスの閾値電圧を超えて前記放電型過電圧保護デバイスが放電したことに伴う前記受電装置側結合電極のインピーダンスの急変に起因して送電装置側結合電極に誘導される電圧の不連続点を検出し、過電圧制御を行う過電圧制御手段を備えた、電力伝送システム。  The voltage of the power transmission device side coupling electrode or the input current of the power transmission circuit is measured, and the voltage of the power reception device side coupling electrode exceeds the threshold voltage of the discharge type overvoltage protection device, and the discharge type overvoltage protection device is discharged. A power transmission system comprising overvoltage control means for detecting a discontinuity in voltage induced in the power transmission device side coupling electrode due to a sudden change in impedance of the power reception device side coupling electrode, and performing overvoltage control.
前記送電装置は、昇圧回路を備え、
前記送電装置側結合電極と前記昇圧回路とは共振回路を構成する、
請求項1に記載の電力伝送システム
The power transmission device includes a booster circuit,
The power transmission device side coupling electrode and the booster circuit constitute a resonance circuit.
The power transmission system according to claim 1.
前記受電装置は、降圧回路を備え、
前記受電装置側結合電極と前記降圧回路とは共振回路を構成する、
請求項2に記載の電力伝送システム
The power receiving device includes a step-down circuit,
The power receiving device side coupling electrode and the step-down circuit constitute a resonance circuit.
The power transmission system according to claim 2.
前記放電型過電圧保護デバイスは、絶縁性セラミック素体内に設けられた空洞部と、空洞部内に露出して対向する第1、第2放電電極と、前記空洞部内において前記第1,第2放電電極を電気的に接続するように設けられた放電補助電極とで構成されたESD保護デバイスであって、
前記放電補助電極は、表面が無機酸化物によりコーティングされた金属粒子と、半導体粒子とを含む、請求項1から3のいずれかに記載の電力伝送システム
The discharge overvoltage protection device includes: a cavity provided in an insulating ceramic body; first and second discharge electrodes exposed and opposed in the cavity; and the first and second discharge electrodes in the cavity. An ESD protection device comprising a discharge auxiliary electrode provided so as to be electrically connected,
4. The power transmission system according to claim 1 , wherein the discharge auxiliary electrode includes metal particles whose surfaces are coated with an inorganic oxide and semiconductor particles . 5.
前記受電回路は、前記放電型過電圧保護デバイスに直列する抵抗素子を備える、請求項1から4の何れかに記載の電力伝送システム。5. The power transmission system according to claim 1, wherein the power reception circuit includes a resistance element in series with the discharge-type overvoltage protection device. 前記過電圧制御手段は、前記送電回路の出力電圧を低下させるかまたは電圧出力を停止する、請求項1から5のいずれかに記載の電力伝送システム。The power transmission system according to any one of claims 1 to 5, wherein the overvoltage control unit lowers an output voltage of the power transmission circuit or stops voltage output.
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