JP5776808B2 - ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE - Google Patents

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT MATERIAL, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHTING DEVICE AND DISPLAY DEVICE Download PDF

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Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子並びに照明装置及び表示装置に関し、更に詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子に好ましく用いることのできる化合物に関する。   The present invention relates to a material for an organic electroluminescence element, an organic electroluminescence element, a lighting device, and a display device, and more particularly to a compound that can be preferably used for an organic electroluminescence element and an organic electroluminescence element.

従来、発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ(ELD)がある。ELDの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子ともいう)が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。   Conventionally, there is an electroluminescence display (ELD) as a light-emitting electronic display device. Examples of the constituent elements of ELD include inorganic electroluminescent elements and organic electroluminescent elements (hereinafter also referred to as organic EL elements). Inorganic electroluminescent elements have been used as planar light sources, but an alternating high voltage is required to drive the light emitting elements.

一方、有機EL素子は、発光する化合物を含有する発光層を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・リン光)を利用して発光する素子であり、数V〜数十V程度の電圧で発光が可能であり、さらに自己発光型であるために視野角に富み、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。   On the other hand, an organic EL element has a configuration in which a light emitting layer containing a compound that emits light is sandwiched between a cathode and an anode, and injects electrons and holes into the light emitting layer to recombine excitons. This is an element that emits light by utilizing the emission of light (fluorescence / phosphorescence) when this exciton is deactivated, and can emit light at a voltage of several volts to several tens of volts. Therefore, it has a wide viewing angle, and since it is a thin-film type complete solid-state device, it has attracted attention from the viewpoints of space saving and portability.

実用化に向けた有機EL素子の開発としては、プリンストン大より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機EL素子の報告がされ(例えば、非特許文献1参照)、以来、室温で燐光を示す材料の研究が活発になってきて(例えば、特許文献1、非特許文献2参照)いる。   As for development of organic EL elements for practical use, Princeton University has reported organic EL elements that use phosphorescence emission from excited triplets (see, for example, Non-Patent Document 1). Research on the materials shown has become active (see, for example, Patent Document 1 and Non-Patent Document 2).

更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機EL素子では、以前の蛍光発光を利用する素子に比べ原理的に約4倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。例えば多くの化合物がイリジウム錯体系等重金属錯体を中心に合成検討がなされて(例えば、非特許文献3参照)いる。   In addition, recently discovered organic EL devices that use phosphorescence can realize a luminous efficiency that is approximately four times that of previous devices that use fluorescence. Research and development of light-emitting element layer configurations and electrodes are performed all over the world. For example, many compounds have been studied for synthesis centering on heavy metal complexes such as iridium complexes (see, for example, Non-Patent Document 3).

このように大変ポテンシャルの高い方式であるが、リン光発光を利用する有機ELデバイスにおいては、蛍光発光を利用する有機ELデバイスとは大きく異なり、発光中心の位置をコントロールする方法、とりわけ発光層の内部で再結合を行い、いかに発光を安定に行わせることができるかが、素子の効率・寿命を捕らえる上で重要な技術的な課題となっている。   Although this is a very high potential method, the organic EL device using phosphorescence emission is greatly different from the organic EL device using fluorescence emission, and the method for controlling the position of the emission center, particularly the emission layer, is particularly different. An important technical issue in capturing the efficiency and lifetime of the device is how to recombine inside to stably emit light.

そこで近年、発光層に隣接する形で、(発光層の陽極側に位置する)正孔輸送層と(発光層の陰極側に位置する)電子輸送層を備えた多層積層型の素子が良く知られている(例えば、特許文献2参照)。   Therefore, in recent years, multilayer multilayer devices having a hole transport layer (located on the anode side of the light emitting layer) and an electron transport layer (located on the cathode side of the light emitting layer) adjacent to the light emitting layer are well known. (For example, refer to Patent Document 2).

一方、材料の観点からは高いキャリア輸送性や熱的、電気的に安定な材料が求められている。特に青色リン光発光を利用するにあたっては、青色リン光発光性化合物自身が高い三重項励起エネルギー(T1)を有しているために、適用可能な周辺材料の開発と精密な発光中心の制御が強く求められている。   On the other hand, from the viewpoint of materials, high carrier transportability and thermally and electrically stable materials are demanded. In particular, when using blue phosphorescence, since the blue phosphorescent compound itself has high triplet excitation energy (T1), it is possible to develop applicable peripheral materials and precisely control the emission center. There is a strong demand.

例えばリン光発光材料を含有する発光層においては、ホスト材料としてジベンゾチオフェン誘導体を用いる技術(例えば、特許文献3参照)や、正孔注入成分及び/または発光成分として、ジベンゾチオフェン誘導体やジベンゾフラン誘導体を用いる技術(例えば、特許文献2参照)、また、ホスト材料としてジベンゾチオフェンやジベンゾフランを構成する炭素原子の一部が窒素原子に置換した環に、カルバゾリル基がN位で結合した誘導体を用いる技術(例えば特許文献4参照)などが開示されている。   For example, in a light emitting layer containing a phosphorescent light emitting material, a technique using a dibenzothiophene derivative as a host material (for example, see Patent Document 3), a dibenzothiophene derivative or a dibenzofuran derivative as a hole injection component and / or a light emitting component. Technology to be used (see, for example, Patent Document 2), and technology using a derivative in which a carbazolyl group is bonded at the N-position to a ring in which a part of carbon atoms constituting dibenzothiophene or dibenzofuran is substituted with a nitrogen atom as a host material ( For example, see Patent Document 4).

また一方で、大面積化、低コスト化、高生産性に対する要求から、湿式法(ウエットプロセス等ともいう)に対する期待が大きい。真空プロセスでの成膜に比して低温で成膜可能であるため、下層の有機層のダメージを低減でき、さらに発光効率や素子寿命の改善の面からも大きな期待が寄せられている。   On the other hand, expectations for a wet method (also referred to as a wet process) are high due to demands for large area, low cost, and high productivity. Since the film can be formed at a lower temperature than the film formed by the vacuum process, damage to the lower organic layer can be reduced, and further great expectations are given from the viewpoint of improving the light emission efficiency and the device life.

しかしながら、青色リン光発光を利用する有機EL素子においてウェットプロセスによる素子作製を実現するためには、とりわけ発光層に含有されるホスト材料や発光層上に積層される電子輸送材料の成膜性や塗布溶剤に対する溶解性等が課題となる。それゆえ実用上の観点から、現在知られているホスト材料や電子輸送材料では、溶剤に対する溶解性、溶液安定性、駆動電圧等の点で、まだ不十分であり、更なる改良技術が不可欠であることが判ってきた。   However, in order to realize device fabrication by a wet process in an organic EL device using blue phosphorescence emission, in particular, film formation properties of a host material contained in the light emitting layer and an electron transport material laminated on the light emitting layer Solubility in the coating solvent is a problem. Therefore, from a practical point of view, currently known host materials and electron transport materials are still insufficient in terms of solvent solubility, solution stability, driving voltage, etc., and further improvement techniques are indispensable. I know that there is.

米国特許6,097,147号明細書US Pat. No. 6,097,147 特開2005−112765号公報JP 2005-112765 A 特開2007−126403号公報JP 2007-126403 A 米国特許2009/0134784号明細書US 2009/0134784

M.A.Baldo et al.,nature、395巻、151〜154ページ(1998年)M.M. A. Baldo et al. , Nature, 395, 151-154 (1998) M.A.Baldo et al.,nature、403巻、17号、750〜753頁(2000年)M.M. A. Baldo et al. , Nature, 403, 17, 750-753 (2000) S.Lamansky et al.,J.Am.Chem.Soc.,123巻、4304頁(2001年)S. Lamansky et al. , J .; Am. Chem. Soc. 123, 4304 (2001)

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、発光効率が高く、発光寿命が長く、かつ駆動電圧が低い有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置を提供することである。   The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to provide a material for an organic electroluminescence element, an organic electroluminescence element, a display device, and an illumination device that have high luminous efficiency, long emission lifetime, and low driving voltage. Is to provide.

本発明の上記目的は、以下の構成により達成することができる。   The above object of the present invention can be achieved by the following configuration.

1.下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。   1. An organic electroluminescent element material comprising a compound represented by the following general formula (1).

Figure 0005776808
Figure 0005776808

(式中、Ar及びArは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基を表す。Arは6員の芳香族環から導出される基を表し、Arが複数存在する場合、Arで表される6員の芳香族環同士が互いに結合して縮合環を形成していてもよい。n3は0以上の整数を表し、n1及びn2は各々1以上の整数を表し、かつn1+n2+n3は2以上である。n1、n2及びn3がそれぞれ2以上の場合、Ar〜Arはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Arは下記一般式(2)を表す。) (Wherein, Ar 1 and Ar 3 represents a group .Ar 2 represents a group derived from an aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring which is derived from 6-membered aromatic ring, Ar 2 is more present In this case, 6-membered aromatic rings represented by Ar 2 may be bonded to each other to form a condensed ring, n3 represents an integer of 0 or more, and n1 and n2 each represents an integer of 1 or more. N1 + n2 + n3 is 2 or more, and when n1, n2 and n3 are each 2 or more, Ar 1 to Ar 3 may be the same or different, and Ar represents the following general formula (2).

Figure 0005776808
Figure 0005776808

(式中、YはO、Sのいずれかを表し、X、X、X、X、X、X、X及びX、はそれぞれ独立に、=C(R)−または=N−を表すが、少なくとも2つは=N−である。Rは水素原子、置換基または連結部位を表す。) (In the formula, Y represents either O or S, and X 1 , X 2 , X 3 , X 4 , X 5 , X 6 , X 7 and X 8 are each independently = C (R 1 ). -Or = N-, but at least two are = N-, R 1 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site.)

2.前記一般式(2)におけるXまたはXの少なくとも一方は、=C(R1)−で表され、かつRが連結部位を表すことを特徴とする、前記1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 2. 2. The organic electroluminescence device according to 1 above, wherein at least one of X 1 and X 3 in the general formula (2) is represented by ═C (R 1 ) —, and R 1 represents a linking site. Materials.

3.前記一般式(2)が下記一般式(2−a)で表されることを特徴とする、前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。   3. 3. The material for organic electroluminescence elements according to 1 or 2, wherein the general formula (2) is represented by the following general formula (2-a).

Figure 0005776808
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(式中、Y、X、X〜Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X、X〜X及びRと同義の基を表す。X、X〜Xの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。) (In the formula, Y, X 2 and X 4 to X 8 each represent a group having the same meaning as Y, X 2 , X 4 to X 8 and R 1 in the general formula (2). X 2 and X 4 of to X 8, at least two = a N-. * represents a linking site.)

4.前記一般式(2−a)におけるX、X〜Xの内、2つが=N−であることを特徴とする、前記3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 4). 2. The organic electroluminescent element material according to 3 above, wherein two of X 2 and X 4 to X 8 in the general formula (2-a) are = N-.

5.前記一般式(2)が下記一般式(2−b)で表されることを特徴とする、前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。   5. 3. The material for an organic electroluminescent element according to 1 or 2, wherein the general formula (2) is represented by the following general formula (2-b).

Figure 0005776808
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(式中、Y、X〜Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X〜X及びRと同義の基を表す。X〜Xの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。) (In the formula, Y and X 2 to X 7 each represent a group having the same meaning as Y, X 2 to X 7 and R 1 in the general formula (2). At least two of X 2 to X 7 are included. Is = N-, * represents a linking site.)

6.前記一般式(2−b)におけるX〜Xの内、2つが=N−であることを特徴とする、前記5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 6). 6. The organic electroluminescent element material according to 5, wherein two of X 2 to X 7 in the general formula (2-b) are = N—.

7.前記一般式(2)が下記一般式(2−c)で表されることを特徴とする、前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。   7). 3. The material for an organic electroluminescent element according to 1 or 2, wherein the general formula (2) is represented by the following general formula (2-c).

Figure 0005776808
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(式中、Y、X〜X、X、Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X〜X、X、X及びRと同義の基を表す。X〜X、X、Xの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。) (In the formula, Y, X 2 to X 5 , X 7 and X 8 represent the same groups as Y, X 2 to X 5 , X 7 , X 8 and R 1 in the general formula (2), respectively. And at least two of X 2 to X 5 , X 7 and X 8 are ═N—, * represents a linking site.)

8.前記一般式(2−c)におけるX〜X、X及びXの内、2つが=N−であることを特徴とする、前記7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 8). 8. The organic electroluminescent element material according to 7, wherein two of X 2 to X 5 , X 7 and X 8 in the general formula (2-c) are = N—.

9.前記一般式(2)が下記一般式(2−d)で表されることを特徴とする、前記1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。   9. 3. The material for organic electroluminescence elements according to 1 or 2, wherein the general formula (2) is represented by the following general formula (2-d).

Figure 0005776808
Figure 0005776808

(式中、Y、X、X、X、X、X、Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X、X、X、X、X、X及びRと同義の基を表す。X、X、X、X、X及びXの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。) (In the formula, Y, X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 , X 8 are Y, X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 in the general formula (2), respectively. , X 8 and R 1 are the same as defined above, and at least two of X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 and X 8 are ═N—, and * represents a linking site. )

10.前記一般式(2−d)におけるX、X、X、X、X及びXの内、2つが=N−であることを特徴とする、前記9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 10. 10. The organic electroluminescence according to 9, wherein two of X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 and X 8 in the general formula (2-d) are ═N—. Element material.

11.陽極と陰極の間に、リン光発光性化合物を含有する発光層を含む、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも1層が前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。   11. An organic electroluminescence device comprising a plurality of organic compound layers sandwiched between a positive electrode and a negative electrode, comprising a light emitting layer containing a phosphorescent compound, wherein at least one of the organic compound layers is the above-mentioned 1 10. An organic electroluminescence device comprising the organic electroluminescence device material according to any one of 10 above.

12.前記有機化合物層のうち少なくとも1層は電子輸送層であり、かつ、該電子輸送層が、前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有することを特徴とする、前記11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   12 At least one of the organic compound layers is an electron transport layer, and the electron transport layer contains the material for an organic electroluminescence element according to any one of 1 to 10 above. 12. The organic electroluminescence device as described in 11 above.

13.前記発光層がホスト材料とリン光発光性化合物とを含有し、かつ、該ホスト材料が前記1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料からなることを特徴とする、前記11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   13. The light-emitting layer contains a host material and a phosphorescent compound, and the host material is made of the material for an organic electroluminescence device according to any one of 1 to 10, 11. The organic electroluminescence device according to 11.

14.前記リン光発光性化合物の少なくとも1種が、下記一般式(D)で表されることを特徴とする、前記11〜13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   14 14. The organic electroluminescence device according to any one of 11 to 13, wherein at least one of the phosphorescent compounds is represented by the following general formula (D).

Figure 0005776808
Figure 0005776808

(式中、P、Qは各々独立に、炭素原子または窒素原子を表し、AはP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。AはQ−Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P−L−Pは2座の配位子を表し、P、Pは各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。LはP、Pと共に2座の配位子形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。Mは元素周期における8〜10属の金属元素を表す。) (In the formula, P and Q each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A 1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with P—C. A 2 represents Q—. Represents an atomic group that forms an aromatic heterocycle with N. P 1 -L 1 -P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom L 1 represents a group of atoms forming a bidentate ligand with P 1 and P 2 , j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 represents 2 or 3. M 1 represents a metal element of group 8 to 10 in the element period.)

15.前記一般式(D)で表される化合物が下記一般式(D−1)で表される化合物であることを特徴とする、前記14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   15. 15. The organic electroluminescence device as described in 14 above, wherein the compound represented by the general formula (D) is a compound represented by the following general formula (D-1).

Figure 0005776808
Figure 0005776808

(式中、Zは炭化水素環基または複素環基を表す。P、A、P、P、L及びMは、それぞれ、前記一般式(D)で表されるP、A、P、P、L及びMと同義の基を表す。AはN−C=Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表し、−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−または−N=N−である。R01、R02は、各々水素原子または置換基を表す。j1及びj2は前記一般式(D)におけるj1及びj2と同義の整数を表し、j1+j2は2または3である。) (In the formula, Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P, A 1 , P 1 , P 2 , L 1 and M 1 are P, A represented by the general formula (D), respectively. 1 , P 1 , P 2 , L 1, and M 1 each represents the same group as A 1. A 3 represents an atomic group that forms an aromatic heterocycle with N—C═N, and —C (R 01 ) ═C ( R 02 ) —, —N═C (R 02 ) —, —C (R 01 ) ═N— or —N═N—, each of R 01 and R 02 represents a hydrogen atom or a substituent. And j2 represent an integer having the same meaning as j1 and j2 in the general formula (D), and j1 + j2 is 2 or 3.

16.前記一般式(D−1)で表される化合物が下記一般式(D−2)で表される化合物であることを特徴とする、前記15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   16. 16. The organic electroluminescence device as described in 15 above, wherein the compound represented by the general formula (D-1) is a compound represented by the following general formula (D-2).

Figure 0005776808
Figure 0005776808

(式中、Zは芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。ZはC−Cと共に6員の芳香族炭化水素環もしくは、5員または6員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。P、P、L及びMは、それぞれ、前記一般式(D)で表されるP、P、L及びMと同義の基を表す。R03、R04は水素原子または置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。j1及びj2は前記一般式(D)におけるj1及びj2と同義の整数を表し、j1+j2は2または3である。) (In the formula, Z 2 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group. Z 1 represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring together with C—C. Represents an atomic group necessary for forming P 1 , P 2 , L 1, and M 1 , each having the same meaning as P 1 , P 2 , L 1, and M 1 represented by the general formula (D); R 03 and R 04 each represents a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring, j1 and j2 each represent an integer having the same meaning as j1 and j2 in formula (D). , J1 + j2 is 2 or 3.)

17.前記リン光発光性化合物が、Ir又はPt金属を含有する化合物であることを特徴とする、前記11〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   17. 17. The organic electroluminescence device according to any one of 11 to 16, wherein the phosphorescent compound is a compound containing Ir or Pt metal.

18.前記有機化合物層のうち少なくとも2層が湿式法(ウェットプロセス)により成膜、形成される工程を経て製造されたことを特徴とする前記11〜17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   18. 18. The organic electroluminescence device according to any one of 11 to 17, wherein at least two layers of the organic compound layers are manufactured through a process of forming and forming by a wet method (wet process). .

19.白色に発光することを特徴とする前記11〜18のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   19. 19. The organic electroluminescence element according to any one of 11 to 18, wherein the organic electroluminescence element emits white light.

20.前記11〜19のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。   20. 20. An illumination device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 11 to 19.

21.前記11〜19のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。   21. A display device comprising the organic electroluminescence element according to any one of 11 to 19 above.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料により、高い発光輝度を示し、半減寿命が長く、且つ、駆動電圧が低い有機エレクトロルミネッセンス素子、及び該素子を用いた照明装置、表示装置を提供することができた。   The organic electroluminescence element material of the present invention can provide an organic electroluminescence element that exhibits high emission luminance, has a long half-life, and has a low driving voltage, and an illumination device and a display device using the element. .

有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. 表示部Aの模式図である。4 is a schematic diagram of a display unit A. FIG. 画素の模式図である。It is a schematic diagram of a pixel. パッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a passive matrix type full-color display device. 照明装置の概略図である。It is the schematic of an illuminating device. 照明装置の模式図である。It is a schematic diagram of an illuminating device. 有機ELフルカラー表示装置の概略構成図を示す。The schematic block diagram of an organic electroluminescent full color display apparatus is shown.

以下本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   The best mode for carrying out the present invention will be described in detail below, but the present invention is not limited thereto.

本発明者らは、上記課題に鑑み鋭意検討を行った結果、一般式(1)で表される化合物を少なくとも1種用いることにより高い発光輝度を示し、半減寿命が長く、且つ、駆動電圧が低い有機EL素子、及び該有機EL素子を用いた照明装置、表示装置を提供できることを見いし、本発明に至った次第である。   As a result of intensive studies in view of the above-mentioned problems, the present inventors show high emission luminance by using at least one compound represented by the general formula (1), have a long half-life, and have a driving voltage of It has been found that a low organic EL element, and a lighting device and a display device using the organic EL element can be provided, and the present invention has been achieved.

有機EL素子用材料として用いられる化合物として、芳香族炭化水素環や芳香族複素環で構成されたものが多く報告されている。しかしながら、ベンゼン環やピリジン環等のように単環を連結した化合物はガラス転移温度(Tg)が低い、またはTgが高くとも共役長が伸びてしまい、高い3重項励起エネルギー(T1)が必要とされる青色リン光発光性を利用する素子には適用できないなどの課題がある。   Many compounds composed of aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocyclic rings have been reported as compounds used as materials for organic EL devices. However, a compound in which a single ring is linked such as a benzene ring or a pyridine ring has a low glass transition temperature (Tg) or a long conjugate length even if Tg is high, and requires a high triplet excitation energy (T1). There is a problem that it cannot be applied to an element that utilizes blue phosphorescence.

それに対し、有機EL素子用化合物を構成する骨格としてよく用いられているカルバゾール環や、アザカルバゾール環は、3つの環が縮合し、且つ環の平面性も維持されているため、高Tgの化合物を提供することができる。しかし、前記カルバゾールやアザカルバゾールを主骨格とした化合物はLUMOが高く、電子の注入に対して不利な傾向があり、故にそれらを用いた有機EL素子は駆動電圧が高くなりやすい。   On the other hand, a carbazole ring or azacarbazole ring, which is often used as a skeleton constituting a compound for an organic EL device, is a compound having a high Tg because three rings are condensed and the planarity of the ring is maintained. Can be provided. However, the compounds having carbazole or azacarbazole as the main skeleton have a high LUMO and tend to be disadvantageous for electron injection. Therefore, an organic EL device using them tends to have a high driving voltage.

最近ではジベンゾフラン環やジベンゾチオフェン環を主骨格とした化合物も多く提案されている。平面性が高く、また置換基の導入位置を選ぶことでTgを低下させずに他の骨格と連結できるため、高Tgかつ高T1の材料を提供することができる。しかし、酸化や正孔注入に対する安定性には未だ課題があり、さらなる改良が求められていた。   Recently, many compounds having a main skeleton of a dibenzofuran ring or a dibenzothiophene ring have been proposed. Since it has high planarity and can be connected to another skeleton without lowering Tg by selecting the introduction position of the substituent, a material having high Tg and high T1 can be provided. However, there are still problems with stability against oxidation and hole injection, and further improvement has been demanded.

そこで本発明者らが更に検討を重ねたところ、ジベンゾフラン環やジベンゾチオフェン環を構成する炭素原子の一部を窒素原子に置き換えることでイオン化ポテンシャルが下がり、酸化や正孔に対して安定な化合物を提供することが可能となった。また該化合物は環の平面性は維持されており、さらに置換基を導入することによって高いTgと高いT1を有した化合物を提供できる。   Therefore, the present inventors further studied, and as a result, by replacing some of the carbon atoms constituting the dibenzofuran ring and the dibenzothiophene ring with nitrogen atoms, the ionization potential is lowered, and a compound that is stable against oxidation and holes can be obtained. It became possible to provide. Moreover, the planarity of the ring is maintained in the compound, and a compound having a high Tg and a high T1 can be provided by introducing a substituent.

一方、ウェットプロセスに適した材料という観点から見ると、平面性の高すぎる化合物は一般的に溶剤に対する溶解性が低く、さらに製膜化した際に膜内で結晶化しやすいという問題がある。平面性の低い材料は溶解性の点からは好ましいが、化合物自体のTgが低い場合が多い。   On the other hand, from the viewpoint of a material suitable for a wet process, a compound having too high planarity generally has low solubility in a solvent, and further has a problem that it is easily crystallized in the film when it is formed into a film. A material with low planarity is preferable from the viewpoint of solubility, but the Tg of the compound itself is often low.

また、製膜後の膜内のキャリア輸送の点から見ると、分子間の重なりが全くない完全なアモルファス状態の膜よりも、部分的に重なりのある膜の方がキャリア輸送の点から有利である。   Also, from the viewpoint of carrier transport in the film after film formation, a partially overlapping film is more advantageous from the viewpoint of carrier transport than a completely amorphous film having no intermolecular overlap. is there.

そこで、上記の問題を鑑み検討した結果、一般式(1)で表されるように一部窒素原子で置換されたジベンゾフランやジベンゾチオフェンに6員の芳香環を連結させることで、平面性を維持しつつ、溶解性を改良した化合物を提供することが可能になった。また、これらの化合物は一部の平面性が維持されているため膜内では分子間で部分的に重なっており、キャリア輸送の点も改善され、高発光効率、長発光寿命かつ駆動電圧の低い有機EL素子を提供できた。   Therefore, as a result of examination in view of the above problems, planarity is maintained by connecting a 6-membered aromatic ring to dibenzofuran or dibenzothiophene partially substituted with nitrogen atoms as represented by the general formula (1). However, it has become possible to provide compounds with improved solubility. In addition, some of these compounds are partially overlapped in the film because some planarity is maintained, the point of carrier transport is improved, high luminous efficiency, long luminous lifetime, and low driving voltage. An organic EL device could be provided.

尚、有機EL素子を構成する、陽極、陰極及び該陽極と該陰極との間に挟持される有機化合物層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等)については後に詳細に説明する。   The organic compound layer (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, etc.) sandwiched between the anode and the cathode and between the anode and the cathode constituting the organic EL element ) Will be described in detail later.

以下、一般式(1)で表される化合物について説明する。   Hereinafter, the compound represented by the general formula (1) will be described.

一般式(1)において、Ar及びArは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基を表す。 In the general formula (1), Ar 1 and Ar 3 represent groups derived from an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring.

芳香族炭化水素環から導出される基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、ピレン環、クリセン環等からなる群から導出される基が挙げられる。中でもベンゼン環が好ましい。   Examples of the group derived from the aromatic hydrocarbon ring include groups derived from the group consisting of a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a naphthacene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, and the like. Of these, a benzene ring is preferred.

芳香族複素環から導出される基としては、例えば、カルバゾール環、アザカルバゾール環(ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、チアゾール環、シロール環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、チエノチオフェン環、ジベンゾカルバゾール環、ベンゾジチオフェン環、フェナントロリン環、アクリジン環、ベンゾキノリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環(ナフトチオフェン環)、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾフラン環、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾチオフェン環から導出される基等が挙げられる。好ましくは、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾフラン環、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾチオフェン環から導出される基である。   Examples of the group derived from the aromatic heterocycle include a carbazole ring and an azacarbazole ring (here, an azacarbazole ring is a group in which one or more carbon atoms constituting the carbazole ring are replaced with a nitrogen atom). ), Triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyrazine ring, quinoxaline ring, thiophene ring, thiazole ring, silole ring, oxadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring, indole ring, thienothiophene Ring, dibenzocarbazole ring, benzodithiophene ring, phenanthroline ring, acridine ring, benzoquinoline ring, phenazine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, cyclazine ring, kindlin ring, tepenidine ring, quinindrine ring, triphenodithiazine ring, Riphenodioxazine ring, phenanthrazine ring, anthrazine ring, perimidine ring, naphthofuran ring, naphthothiophene ring, benzodifuran ring, benzodithiophene ring, naphthodifuran ring, naphthodithiophene ring, anthrafuran ring, anthradifuran ring, anthrathiophene Ring, anthradithiophene ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, thiophanthrene ring (naphthothiophene ring), dibenzofuran ring in which one or more constituent carbon atoms are replaced by nitrogen atoms, one or more constituent carbon atoms And a group derived from a dibenzothiophene ring in which is replaced by a nitrogen atom. Preferably, a carbazole ring, an azacarbazole ring, a pyridine ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, a dibenzofuran ring in which one or more constituent carbon atoms are replaced with a nitrogen atom, and one or more constituent carbon atoms are replaced with a nitrogen atom And a group derived from a dibenzothiophene ring.

上記の芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基は、各々更に置換基を有していてもよい。置換基として、例えば一般式(2)においてRで表される後述の置換基が挙げられる。 Each group derived from the above aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring may further have a substituent. As a substituent, for example, the general formula (2) is a substituent described later represented by R 1 and the like.

Arは6員の芳香族環から導出される基を表す。芳香族環とは芳香族炭化水素環と芳香族複素環を指し、6員の芳香族環から導出される基としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、テトラジン環等から導出される基等が挙げられる。好ましくはベンゼン環、ピリジン環から導出される基である。 Ar 2 represents a group derived from a 6-membered aromatic ring. An aromatic ring refers to an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and groups derived from a 6-membered aromatic ring include a benzene ring, a pyridine ring, a pyrazine ring, a pyrimidine ring, a pyridazine ring, a triazine ring, Examples include groups derived from a tetrazine ring and the like. A group derived from a benzene ring or a pyridine ring is preferred.

Arが複数存在する場合、Arは同じでも異なっていてもよい。またArが複数存在する場合、Arで表される6員の芳香族環同士が互いに結合して縮合環を形成していてもよい。 When a plurality of Ar 2 are present, Ar 2 may be the same or different. When a plurality of Ar 2 are present, the 6-membered aromatic rings represented by Ar 2 may be bonded to each other to form a condensed ring.

Arで表される6員の芳香族環同士が互いに結合して形成される縮合環としては、例えば、カルバゾール環、アザカルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾフラン環、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾチオフェン環等が挙げられる。 Examples of the condensed ring formed by bonding 6-membered aromatic rings represented by Ar 2 to each other include, for example, a carbazole ring, an azacarbazole ring, a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and one or more carbon atoms constituting the ring. Dibenzofuran ring in which is replaced with a nitrogen atom, dibenzothiophene ring in which one or more of the constituent carbon atoms is replaced with a nitrogen atom, and the like.

また、Arで表される6員の芳香族環から導出される基は、各々更に置換基を有していてもよい。置換基として、例えば一般式(2)においてRで表される後述の置換基が挙げられる。 In addition, each group derived from the 6-membered aromatic ring represented by Ar 2 may further have a substituent. As a substituent, for example, the general formula (2) is a substituent described later represented by R 1 and the like.

n2は1以上を表し、n1及びn3は各々0以上の整数を表す。n1は好ましくは1以上であり、より好ましくは1〜6であり、更に好ましくは1〜4である。n2は好ましくは1〜6であり、より好ましくは1〜4である。n3は好ましくは0〜6であり、より好ましくは0〜4である。n1+n2+n3は2以上であり、好ましくは3〜10であり、より好ましくは3〜6。   n2 represents 1 or more, and n1 and n3 each represents an integer of 0 or more. n1 is preferably 1 or more, more preferably 1 to 6, and still more preferably 1 to 4. n2 is preferably 1 to 6, and more preferably 1 to 4. n3 is preferably 0 to 6, more preferably 0 to 4. n1 + n2 + n3 is 2 or more, preferably 3 to 10, more preferably 3 to 6.

n1、n2及びn3がそれぞれ2以上の場合、Ar〜Arはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。 When n1, n2 and n3 are each 2 or more, Ar 1 to Ar 3 may be the same or different.

Ar〜Arで表される基は、一般式(1)で表される化合物のT1を高く維持するために、非共役で結合していることが好ましい。ここで非共役とは、単結合(一重結合ともいう)と二重結合の繰り返しによって表記できないか、または、芳香族環同士の立体的なねじれ等によって共役が立体的に切断されている場合を意味する。 The groups represented by Ar 1 to Ar 3 are preferably bonded non-conjugatedly in order to keep T1 of the compound represented by the general formula (1) high. The term “non-conjugated” as used herein refers to a case where the single bond (also referred to as a single bond) and a double bond cannot be expressed, or the conjugation is sterically cleaved due to steric twisting of aromatic rings. means.

Arは一般式(2)で表される。一般式(2)において、YはOまたはSを表す。X〜Xは−C(R)=または−N=を表し少なくとも1つは=N−である。 Ar is represented by the general formula (2). In the general formula (2), Y represents O or S. X 1 to X 8 represent —C (R 1 ) ═ or —N═, and at least one is ═N—.

〜Xの内、好ましくは1〜4つが=N−で表され、より好ましくは1〜2つが=N−で表される。 Among X 1 to X 8 , preferably 1 to 4 are represented by ═N—, more preferably 1 to 2 are represented by ═N—.

は水素原子、置換基または連結部位を表す。Rで表される置換基としては、例えば、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等)、シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等)、アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等)、アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等)、芳香族炭化水素基(芳香族炭化水素環基、芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等)、芳香族複素環基(例えば、ピリジン環、ピリミジン環、フラン環、ピロール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラゾール環、ピラジン環、トリアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、キノリン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環、カルバゾール環、アザカルバゾール環(ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)、キノキサリン環、ピリダジン環、トリアジン環、キナゾール環、フタラジン環、シロール環、オキサジアゾール環、チエノチオフェン環、ジベンゾカルバゾール環、ベンゾジチオフェン環、フェナントロリン環、アクリジン環、ベンゾキノリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、チオファントレン環(ナフトチオフェン環)、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾフラン環、構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったジベンゾチオフェン環から導出される基等)、複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等)、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等)、シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等)、アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等)、シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等)、アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等)、アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等)、スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等)、アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等)、アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等)、アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等)、カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等)、ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等)、スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等)、アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等)、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等)、アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、フェニルアミノ基、ナフチルアミノ基、ピリジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、フェニル−ピリジルアミノ基、ジイミダゾリルアミノ基等)、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等)、フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等)、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等)、ホスホノ基、重合性置換基(ビニル基、ビニルエーテル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、スチリル基、エポキシ基等)等が挙げられる。 R 1 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site. Examples of the substituent represented by R 1 include an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, Tetradecyl group, pentadecyl group, etc.), cycloalkyl group (eg, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.), alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.), alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.), aromatic Hydrocarbon group (also called aromatic hydrocarbon ring group, aromatic carbocyclic group, aryl group, etc., for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group , Acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenyl Nylyl group, etc.), aromatic heterocyclic groups (for example, pyridine ring, pyrimidine ring, furan ring, pyrrole ring, imidazole ring, benzimidazole ring, pyrazole ring, pyrazine ring, triazole ring, oxazole ring, benzoxazole ring, thiazole ring , Isoxazole ring, isothiazole ring, thiophene ring, quinoline ring, benzofuran ring, dibenzofuran ring, benzothiophene ring, dibenzothiophene ring, indole ring, carbazole ring, azacarbazole ring (here, azacarbazole ring is the above-mentioned carbazole One or more carbon atoms constituting the ring are replaced by nitrogen atoms), quinoxaline ring, pyridazine ring, triazine ring, quinazole ring, phthalazine ring, silole ring, oxadiazole ring, thienothiophene ring, dibenzocarba Zo Ring, benzodithiophene ring, phenanthroline ring, acridine ring, benzoquinoline ring, phenazine ring, phenanthridine ring, phenanthroline ring, cyclazine ring, kindlin ring, tepenidine ring, quinindrin ring, triphenodithiazine ring, triphenodioxazine ring , Phenanthrazine ring, anthrazine ring, perimidine ring, naphthofuran ring, naphthothiophene ring, benzodifuran ring, benzodithiophene ring, naphthodifuran ring, naphthodithiophene ring, anthrafuran ring, anthradifuran ring, anthrathiophene ring, anthraci Thiophene ring, thianthrene ring, phenoxathiin ring, thiophanthrene ring (naphthothiophene ring), dibenzofuran ring in which one or more constituent carbon atoms are replaced by nitrogen atoms, one or more constituent carbon atoms A group derived from a dibenzothiophene ring substituted with a nitrogen atom), a heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.), an alkoxy group (eg, methoxy group, ethoxy group, propyloxy group) , Pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group, dodecyloxy group, etc.), cycloalkoxy group (eg, cyclopentyloxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryloxy group (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.), Alkylthio groups (for example, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.), cycloalkylthio groups (for example, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.), arylthio groups (for example, Phenylthio group, naphthylthio group, etc.), alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.), aryloxycarbonyl group (eg, Phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.), sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group) , Dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthylaminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.), acyl group (for example, acetyl) Group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc.), acyloxy group (for example, , Acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.), amide group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino) Group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbo Ruamino group, dodecylcarbonylamino group, phenylcarbonylamino group, naphthylcarbonylamino group, etc.), carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexyl). Aminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group, phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.), ureido group (for example, methylureido group, ethylureido) Group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group naphthylureido group, 2-pyridyl Aminoureido groups, etc.), sulfinyl groups (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group) Etc.), alkylsulfonyl groups (for example, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.), arylsulfonyl groups or heteroarylsulfonyl groups (for example, phenylsulfonyl) Group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.), amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino) , Cyclopentylamino group, phenylamino group, naphthylamino group, pyridylamino group, diphenylamino group, phenyl-pyridylamino group, diimidazolylamino group, etc.), halogen atom (eg fluorine atom, chlorine atom, bromine atom etc.), fluoride Hydrocarbon group (for example, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.), cyano group, nitro group, hydroxy group, mercapto group, silyl group (for example, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group) Group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.), phosphono group, polymerizable substituent (vinyl group, vinyl ether group, acryloyl group, methacryloyl group, styryl group, epoxy group, etc.).

また、これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていてもよく、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。   In addition, these substituents may be further substituted with the above substituents, and a plurality of these substituents may be bonded to each other to form a ring.

一般式(2)で表される好ましい構造としては、例えば下記構造が挙げられるが、これらに限定されない。   Examples of a preferable structure represented by the general formula (2) include, but are not limited to, the following structures.

Figure 0005776808
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Yは前記一般式(2)におけるYと同義である。   Y is synonymous with Y in the general formula (2).

一般式(2)において、Arとの連結には下記構造が挙げられる。 In the general formula (2), the following structure is exemplified for the connection with Ar 2 .

Figure 0005776808
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Y及びX〜Xは前記一般式(2)におけるY及びX〜Xと同義である。*はArとの連結部位を表す。 Y and X 1 to X 8 have the same meanings as Y and X 1 to X 8 in the general formula (2). * Represents a linking site with Ar 2 .

一般式(2−1)〜(2−4)の内、より好ましくは一般式(2−1)及び(2−2)である。   Of the general formulas (2-1) to (2-4), the general formulas (2-1) and (2-2) are more preferable.

さらに、一般式(2)は、好ましくは前記一般式(2−a)〜(2−d)で表される。   Furthermore, the general formula (2) is preferably represented by the general formulas (2-a) to (2-d).

一般式(2−a)〜(2−d)はより好ましくは下記一般式で表される。   The general formulas (2-a) to (2-d) are more preferably represented by the following general formula.

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Yは前記一般式(2)におけるYと同義であり、*はArまたはArとの連結部位を表す。 Y has the same meaning as Y in the general formula (2), and * represents a connecting site with Ar 1 or Ar 2 .

一般式(1)で表される化合物は好ましくは分子量400〜2000であり、より好ましくは500〜1500である。   The compound represented by the general formula (1) preferably has a molecular weight of 400 to 2000, more preferably 500 to 1500.

以下、本発明に係る一般式(1)で表される化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of a compound represented by General formula (1) based on this invention is shown, this invention is not limited to these.

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本発明に係る一般式(1)で表される化合物は、国際公開第07/111176号パンフレット、Chem.Mater.2008,20,5951、実験化学講座第5版(日本化学会編)等に記載の公知の方法を参照して合成することができる。   The compound represented by the general formula (1) according to the present invention is disclosed in International Publication No. 07/111176 pamphlet, Chem. Mater. It can be synthesized by referring to known methods described in 2008, 20, 5951, Experimental Chemistry Course 5th Edition (Edited by Chemical Society of Japan).

以下に、代表的な化合物の合成例を示す。   Below, the synthesis example of a typical compound is shown.

Figure 0005776808
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工程1:(中間体1の合成)
窒素雰囲気下、2−ブロモ−3−ヒドロキシピリジン(0.5モル)、2−フルオロフェニルボロン酸(0.5モル)、炭酸カリウム(1.2モル)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(0.025モル)に脱水THF(1L)と水(100ml)を加え、8時間加熱還流を行った。
Step 1: (Synthesis of Intermediate 1)
Under a nitrogen atmosphere, 2-bromo-3-hydroxypyridine (0.5 mol), 2-fluorophenylboronic acid (0.5 mol), potassium carbonate (1.2 mol), tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0 ) (0.025 mol) was added dehydrated THF (1 L) and water (100 ml), and the mixture was heated to reflux for 8 hours.

反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、酢酸エチルを加え、蒸留水で洗浄後、抽出した有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体1を得た。収率は62%だった。   After cooling the reaction solution to room temperature, the insoluble matter is filtered, ethyl acetate is added, washed with distilled water, the extracted organic layer is evaporated under reduced pressure, and the residue is purified by silica gel column chromatography. Intermediate 1 was obtained. The yield was 62%.

得られた中間体1は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。   The structure of the obtained intermediate 1 was confirmed by a nuclear magnetic resonance spectrum and a mass spectrum.

工程2:(中間体2の合成)
窒素雰囲気下、中間体1(0.3モル)と炭酸カリウム(0.3モル)にDMSO(300ml)を加え、150〜170℃で3時間攪拌した。
Step 2: (Synthesis of Intermediate 2)
Under a nitrogen atmosphere, DMSO (300 ml) was added to intermediate 1 (0.3 mol) and potassium carbonate (0.3 mol), and the mixture was stirred at 150 to 170 ° C. for 3 hours.

反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、酢酸エチルを加え、蒸留水で洗浄後、抽出した有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体2を得た。収率は74%だった。   After cooling the reaction solution to room temperature, the insoluble matter is filtered, ethyl acetate is added, washed with distilled water, the extracted organic layer is evaporated under reduced pressure, and the residue is purified by silica gel column chromatography. Intermediate 2 was obtained. The yield was 74%.

得られた中間体2は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。   The structure of the obtained intermediate 2 was confirmed by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.

工程3:(中間体3の合成)
窒素雰囲気下、中間体2(0.2モル)、臭素(0.3モル)に、硫酸(35ml)、蒸留水(100ml)、硫酸銀(65g)を加え、5時間加熱還流を行った。
Step 3: (Synthesis of Intermediate 3)
Under a nitrogen atmosphere, sulfuric acid (35 ml), distilled water (100 ml) and silver sulfate (65 g) were added to intermediate 2 (0.2 mol) and bromine (0.3 mol), and the mixture was heated to reflux for 5 hours.

反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、酢酸エチルを加え、蒸留水で洗浄後、抽出した有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体3を得た。収率は33%だった。   After cooling the reaction solution to room temperature, the insoluble matter is filtered, ethyl acetate is added, washed with distilled water, the extracted organic layer is evaporated under reduced pressure, and the residue is purified by silica gel column chromatography. Intermediate 3 was obtained. The yield was 33%.

得られた中間体3は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。   The structure of the obtained intermediate 3 was confirmed by a nuclear magnetic resonance spectrum and a mass spectrum.

工程4:(例示化合物213の合成)
窒素雰囲気下、中間体3(0.05モル)、中間体4(0.06モル)、炭酸カリウム(0.075モル)、[1,1′−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロリド ジクロロメタン付加物(0.003モル)にDMSO(400ml)を加え、100〜120℃で5時間攪拌した。
Step 4: (Synthesis of Exemplary Compound 213)
Under a nitrogen atmosphere, intermediate 3 (0.05 mol), intermediate 4 (0.06 mol), potassium carbonate (0.075 mol), [1,1′-bis (diphenylphosphino) ferrocene] palladium (II ) Dichloride To the dichloromethane adduct (0.003 mol) was added DMSO (400 ml), and the mixture was stirred at 100 to 120 ° C. for 5 hours.

反応液を室温まで冷却した後、不溶物をろ過し、酢酸エチルを加え、蒸留水で洗浄後、抽出した有機層を減圧下に溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、例示化合物213を得た。収率は58%だった。   After cooling the reaction solution to room temperature, the insoluble matter is filtered, ethyl acetate is added, washed with distilled water, the extracted organic layer is evaporated under reduced pressure, and the residue is purified by silica gel column chromatography. Example compound 213 was obtained. The yield was 58%.

得られた例示化合物213は、核磁気共鳴スペクトル、マススペクトルで構造を確認した。   The structure of the obtained exemplary compound 213 was confirmed by nuclear magnetic resonance spectrum and mass spectrum.

《有機EL素子の製造方法》
有機EL素子の製造方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層(電子注入層)/陰極からなる素子の製造方法について説明する。
<< Method for Manufacturing Organic EL Element >>
As an example of a method for producing an organic EL device, a device comprising an anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / cathode Will be described.

まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10nm〜200nmの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。   First, a desired electrode material, for example, a thin film made of a material for an anode is formed on a suitable substrate so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably 10 nm to 200 nm, thereby producing an anode.

次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、陰極バッファー層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。   Next, a thin film containing an organic compound such as a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, a hole blocking layer, an electron transport layer, or a cathode buffer layer, which is an element material, is formed thereon.

ここで、湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる製膜法を適用してもよい。   Here, as the wet method, there are a spin coating method, a casting method, a die coating method, a blade coating method, a roll coating method, an ink jet method, a printing method, a spray coating method, a curtain coating method, an LB method, etc., but a precise thin film From the viewpoint of high productivity, a method with high roll-to-roll method suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, and a spray coating method is preferable. Different film forming methods may be applied for each layer.

これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を1μm以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機EL素子が得られる。   After the formation of these layers, a thin film made of a cathode material is formed thereon so as to have a thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 50 to 200 nm, and a desired organic EL device can be obtained by providing a cathode. .

また、順序を逆にして、陰極、陰極バッファー層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。   Further, the order can be reversed, and the cathode, cathode buffer layer, electron transport layer, hole blocking layer, light emitting layer, hole transport layer, hole injection layer, and anode can be formed in this order.

このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。尚、印加する交流の波形は任意でよい。   When a DC voltage is applied to the multicolor display device thus obtained, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 V to 40 V with the anode as + and the cathode as-. An alternating voltage may be applied. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

本発明の有機EL素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。   The organic EL device of the present invention is preferably produced from the hole injection layer to the cathode consistently by a single evacuation, but may be taken out halfway and subjected to different film forming methods. At that time, it is necessary to consider that the work is performed in a dry inert gas atmosphere.

《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子の構成層について説明する。本発明において、有機EL素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
<< Constituent layers of organic EL elements >>
The constituent layers of the organic EL element of the present invention will be described. In this invention, although the preferable specific example of the layer structure of an organic EL element is shown below, this invention is not limited to these.

(i)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(ii)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(iii)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極
(iv)陽極/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(v)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vi)陽極//正孔輸送層/陽極バッファー層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
(vii)陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極
発光層は、ユニットを形成して発光層ユニットにすることもある。
(I) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode (ii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (iii) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron Transport layer / cathode (iv) Anode / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (v) Anode / anode buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / hole Blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vi) anode // hole transport layer / anode buffer layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode (vii) anode / anode Buffer layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode buffer layer / cathode The light emitting layer may form a unit to form a light emitting layer unit.

更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよく、中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。本発明の有機EL素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。   Further, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the light emitting layers, and the intermediate layer may include a charge generation layer. The organic EL element of the present invention is preferably a white light emitting layer, and is preferably a lighting device using these.

本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。   Each layer which comprises the organic EL element of this invention is demonstrated.

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層ないであっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
<Light emitting layer>
The light emitting layer according to the present invention is a layer that emits light by recombination of electrons and holes injected from the electrode, the electron transport layer, or the hole transport layer, and the light emitting portion is not a layer of the light emitting layer. May be the interface between the light emitting layer and the adjacent layer.

発光層の膜厚は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜200nmの範囲に調整することが好ましく、更に好ましくは5nm〜100nmの範囲に調整される。   The thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but from the viewpoint of the uniformity of the film to be formed, the application of unnecessary high voltage during light emission, and the improvement of the stability of the emission color with respect to the drive current. It is preferable to adjust to the range of 2 nm-200 nm, More preferably, it adjusts to the range of 5 nm-100 nm.

本発明の有機EL素子の発光層には、ホスト化合物(発光ホストともいう)とゲスト材料としての発光ドーパントの少なくとも1種を含有することが好ましく、ホスト化合物と3種以上の発光ドーパントを含有することがさらに好ましい。以下に発光層に含まれるホスト化合物と発光ドーパント(発光ドーパント化合物ともいう)について説明する。   The light emitting layer of the organic EL device of the present invention preferably contains at least one kind of a host compound (also called a light emitting host) and a light emitting dopant as a guest material, and contains a host compound and three or more kinds of light emitting dopants. More preferably. A host compound and a light emitting dopant (also referred to as a light emitting dopant compound) contained in the light emitting layer will be described below.

(ホスト化合物と発光ドーパント)
(ホスト化合物)
本発明に係るホスト化合物について説明する。
(Host compound and luminescent dopant)
(Host compound)
The host compound according to the present invention will be described.

ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が20%以上であり、かつ室温(25℃)においてリン光発光のリン光量子収率が、0.1未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が0.01未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。   Here, the host compound in the present invention is a phosphorescent quantum yield of phosphorescence emission at a room temperature (25 ° C.) having a mass ratio of 20% or more in the compound contained in the light emitting layer. Is defined as a compound of less than 0.1. The phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the mass ratio in the layer is 20% or more among the compounds contained in a light emitting layer.

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機EL素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。   As the host compound, known host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. Moreover, it becomes possible to mix different light emission by using multiple types of light emission dopants mentioned later, and, thereby, arbitrary luminescent colors can be obtained.

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物(蒸着重合性発光ホスト)でもよい。   The light emitting host used in the present invention may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (deposition polymerization property). Light emitting host).

本発明に係る前記一般式(1)で表される化合物は、本発明に係るホスト化合物として好ましく用いられる。   The compound represented by the general formula (1) according to the present invention is preferably used as the host compound according to the present invention.

本発明に係る前記一般式(1)で表される化合物をホスト化合物として用いられる場合、好ましくはArで表される6員の芳香族環はベンゼン環から導出される基である。 When the compound represented by the general formula (1) according to the present invention is used as a host compound, the 6-membered aromatic ring represented by Ar 2 is preferably a group derived from a benzene ring.

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Tg(ガラス転移温度)である化合物が好ましい。   As the known host compound that may be used in combination, a compound that has a hole transporting ability and an electron transporting ability, prevents the emission of light from becoming longer, and has a high Tg (glass transition temperature) is preferable.

公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。   Specific examples of known host compounds include compounds described in the following documents.

特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報等。   JP-A-2001-257076, 2002-308855, 2001-313179, 2002-319491, 2001-357777, 2002-334786, 2002-8860, 2002-334787, 2002-15871, 2002-334788, 2002-43056, 2002-334789, 2002-75645, 2002-338579, 2002-105445 gazette, 2002-343568 gazette, 2002-141173 gazette, 2002-352957 gazette, 2002-203683 gazette, 2002-363227 gazette, 2002-231453 gazette, No. 003-3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-286061, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. -302516, 2002-305083, 2002-305084, 2002-308837, and the like.

以下、本発明の有機EL素子の発光層のホスト化合物として用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the conventionally well-known compound used as a host compound of the light emitting layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

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(発光ドーパント)
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。
(Luminescent dopant)
The light emitting dopant according to the present invention will be described.

発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント(蛍光性化合物ともいう)、リン光発光性ドーパント(リン光発光体、リン光性化合物、リン光ドーパント等ともいう)を用いることができる。   As the light-emitting dopant, a fluorescent light-emitting dopant (also referred to as a fluorescent compound) or a phosphorescent light-emitting dopant (also referred to as a phosphorescent light emitter, a phosphorescent compound, a phosphorescent dopant, or the like) can be used.

(蛍光発光性ドーパント)
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
(Fluorescent dopant)
As fluorescent dopants, coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes , Polythiophene dyes, rare earth complex phosphors, and the like, and compounds having a high fluorescence quantum yield such as laser dyes.

(リン光発光性ドーパント)
本発明に係るリン光発光性ドーパントについて説明する。
(Phosphorescent dopant)
The phosphorescent dopant according to the present invention will be described.

本発明に係るリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.) and has a phosphorescence quantum yield. The phosphorescence quantum yield is preferably 0.1 or more, although it is defined as a compound of 0.01 or more at 25 ° C.

上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。   The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of Experimental Chemistry Course 4 of the 4th edition. Although the phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, the phosphorescence emitting dopant according to the present invention achieves the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. It only has to be done.

リン光発光性ドーパントの発光は原理としては2種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光発光性ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光発光性ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光性ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光発光性ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。   There are two types of light emission of phosphorescent dopants in principle. One is the recombination of carriers on the host compound to which carriers are transported to generate an excited state of the host compound, and this energy is used as the phosphorescent dopant. The energy transfer type that obtains light emission from the phosphorescent dopant by moving to the phosphor, and the other is that the phosphorescent dopant becomes a carrier trap, and carrier recombination occurs on the phosphorescent dopant to cause phosphorescence emission. In any case, the excited state energy of the phosphorescent dopant is lower than the excited state energy of the host compound.

リン光発光性ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。   The phosphorescent dopant can be appropriately selected from known materials used for the light emitting layer of the organic EL device.

本発明に係るリン光発光性ドーパントとしては、好ましくは元素の周期表で8〜10族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物(白金錯体系化合物)、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。   The phosphorescent dopant according to the present invention is preferably a complex compound containing a group 8-10 metal in the periodic table of elements, more preferably an iridium compound, an osmium compound, or a platinum compound (platinum complex system). Compound) and rare earth complexes, and most preferred is an iridium compound.

本発明に係るリン光発光性ドーパントとしては、前記一般式(D)で表される化合物が好ましく用いられる。   As the phosphorescent dopant according to the present invention, a compound represented by the general formula (D) is preferably used.

一般式(D)において、A1がP−Cと共に形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−テルフェニル環、m−テルフェニル環、p−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。   In the general formula (D), the aromatic hydrocarbon ring that A1 forms with P—C includes a benzene ring, a biphenyl ring, a naphthalene ring, an azulene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, a naphthacene ring, Triphenylene ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphen ring, picene ring, Examples include a pyrene ring, a pyrantolen ring, and anthraanthrene ring.

これらの環は更に、置換基を有していてもよい。置換基として、例えば前述の一般式(2)においてRで表される置換基が挙げられる。 These rings may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituent represented by R 1 in the general formula (2).

一般式(D)において、Aが、P−Cと共に形成する芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環(ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す)、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環等が挙げられる。 In the general formula (D), the aromatic heterocycle formed by A 1 together with P—C includes a furan ring, a thiophene ring, an oxazole ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, a pyrazine ring, and a triazine ring. , Benzimidazole ring, oxadiazole ring, triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, phthalazine ring, carbazole ring, aza Examples thereof include a carbazole ring (here, an azacarbazole ring represents one or more carbon atoms constituting the carbazole ring replaced by a nitrogen atom), a dibenzofuran ring, a dibenzothiophene ring, and the like.

これらの環は更に、置換基を有していてもよい。置換基として、例えば前述の一般式(2)においてRで表される置換基が挙げられる。 These rings may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituent represented by R 1 in the general formula (2).

一般式(D)において、Aが、Q−Nと共に形成する芳香族複素環としては、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。好ましくはAがQ−Nと共に形成する芳香族複素環は5員環である。 In the general formula (D), examples of the aromatic heterocycle formed by A 2 together with QN include an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, a thiadiazole ring, a thiatriazole ring, Examples include isothiazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, pyrazole ring, and triazole ring. Preferably an aromatic heterocyclic ring A 2 form together with Q-N is a 5-membered ring.

これらの環は更に、置換基を有していてもよい。置換基として、例えば前述の一般式(2)においてRで表される置換基が挙げられる。 These rings may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituent represented by R 1 in the general formula (2).

一般式(D)において、P−L−Pで表される2座の配位子の具体例としては、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられる。 In the general formula (D), specific examples of the bidentate ligand represented by P 1 -L 1 -P 2 include phenylpyridine, phenylpyrazole, phenylimidazole, phenyltriazole, phenyltetrazole, pyrazabol, acetylacetone, Examples include picolinic acid.

一般式(D)において、j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3を表す、中でも、j2は0である場合が好ましい。   In the general formula (D), j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, j1 + j2 represents 2 or 3, and j2 is preferably 0.

一般式(D)において、Mは元素周期表における8族〜10族の遷移金属元素(単に遷移金属ともいう)が用いられるが、中でも、イリジウム好ましい。 In the general formula (D), M 1 is a transition metal element of Group 8 to Group 10 (also simply referred to as a transition metal) in the periodic table, and is preferably iridium.

本発明に係る一般式(D)で表される化合物の中でも、一般式(D−1)で表される化合物が好ましい。   Among the compounds represented by the general formula (D) according to the present invention, the compound represented by the general formula (D-1) is preferable.

一般式(D−1)において、Zで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。   In the general formula (D-1), examples of the hydrocarbon ring group represented by Z include a non-aromatic hydrocarbon ring group and an aromatic hydrocarbon ring group, and examples of the non-aromatic hydrocarbon ring group include cyclo A propyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, etc. are mentioned.

芳香族炭化水素環基(芳香族炭化水素基、アリール基等ともいう)としては、例えば、フェニル基、p−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。   As the aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic hydrocarbon group, aryl group, etc.), for example, phenyl group, p-chlorophenyl group, mesityl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group, anthryl group, azulenyl group, Examples include acenaphthenyl group, fluorenyl group, phenanthryl group, indenyl group, pyrenyl group, biphenylyl group and the like.

これらの基は更に、置換基を有してもよい。置換基として、例えば前述の一般式(2)においてRで表される置換基が挙げられる。 These groups may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituent represented by R 1 in the general formula (2).

一般式(D−1)において、Zで表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、1,3−ジオキサン環、1,4−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−1,1−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ[2,2,2]−オクタン環等から導出される基を挙げられる。   In the general formula (D-1), examples of the heterocyclic group represented by Z include a non-aromatic heterocyclic group and an aromatic heterocyclic group. Examples of the non-aromatic heterocyclic group include an epoxy ring. Aziridine ring, thiirane ring, oxetane ring, azetidine ring, thietane ring, tetrahydrofuran ring, dioxolane ring, pyrrolidine ring, pyrazolidine ring, imidazolidine ring, oxazolidine ring, tetrahydrothiophene ring, sulfolane ring, thiazolidine ring, ε-caprolactone ring, ε-caprolactam ring, piperidine ring, hexahydropyridazine ring, hexahydropyrimidine ring, piperazine ring, morpholine ring, tetrahydropyran ring, 1,3-dioxane ring, 1,4-dioxane ring, trioxane ring, tetrahydrothiopyran ring, Thiomorpholine ring, thiomorpholine-1,1-dioxy And groups derived from a side ring, a pyranose ring, a diazabicyclo [2,2,2] -octane ring, and the like.

芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基(例えば、1,2,4−トリアゾール−1−イル基、1,2,3−トリアゾール−1−イル基等)、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基(ここで、アザカルバゾリル基とは、前記カルバゾリル基を構成する炭素原子の1つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す。)、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。   Examples of the aromatic heterocyclic group include pyridyl group, pyrimidinyl group, furyl group, pyrrolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, pyrazolyl group, pyrazinyl group, triazolyl group (for example, 1,2,4-triazol-1-yl). Group, 1,2,3-triazol-1-yl group, etc.), oxazolyl group, benzoxazolyl group, thiazolyl group, isoxazolyl group, isothiazolyl group, furazanyl group, thienyl group, quinolyl group, benzofuryl group, dibenzofuryl group , Benzothienyl group, dibenzothienyl group, indolyl group, carbazolyl group, azacarbazolyl group (here, azacarbazolyl group is a group in which one or more carbon atoms constituting the carbazolyl group are replaced by nitrogen atoms). Quinoxalinyl group, pyridazinyl group, triazinyl , Quinazolinyl group, phthalazinyl group, and the like.

これらのZで表される基は更に、置換基を有してもよい。置換基として、例えば前述の一般式(2)においてRで表される置換基が挙げられる。 These groups represented by Z may further have a substituent. Examples of the substituent include the substituent represented by R 1 in the general formula (2).

好ましくは、Zで表される基は芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基である。   Preferably, the group represented by Z is an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group.

01及びR02で表される置換基としては、一般式(2)においてRで表される置換基等が挙げられる。 Examples of the substituent represented by R 01 and R 02 include the substituent represented by R 1 in the general formula (2).

一般式(D−1)で表される化合物の好ましい態様のひとつとして、一般式(D−2)で表される化合物が挙げられる。   As one of the preferable aspects of the compound represented by general formula (D-1), the compound represented by general formula (D-2) is mentioned.

で表される炭化水素環基、複素環基は、一般式(D−1)においてZで表される炭化水素環基または複素環基として挙げられた基を挙げることができる。これらの基は更に、置換基を有していてもよい。置換基として、例えば一般式(2)においてRで表される前述の置換基が挙げられる。 Examples of the hydrocarbon ring group and heterocyclic group represented by Z 2 include the groups listed as the hydrocarbon ring group or heterocyclic group represented by Z in General Formula (D-1). These groups may further have a substituent. Examples of the substituent include the above-described substituent represented by R 1 in the general formula (2).

好ましくは、Zは芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、Zで表される芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基としては一般式(1)において、Ar及びArで表される基として挙げた基を挙げることができる。 Preferably, Z 2 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group, and the aromatic hydrocarbon ring group or aromatic heterocyclic group represented by Z 2 is Ar 1 in the general formula (1). And groups exemplified as the group represented by Ar 3 .

がC−Cと共に形成する6員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環が好ましい。これらの環は更に置換基を有してもよい。 As the 6-membered aromatic hydrocarbon ring formed by Z 1 together with C—C, a benzene ring is preferable. These rings may further have a substituent.

がC−Cと共に形成する5員または6員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環等が挙げられる。これらの環は更に、置換基を有してもよく、また置換基同士が互いに結合して環を形成してもよい。 Examples of the 5- or 6-membered aromatic heterocycle formed by Z 1 together with C—C include, for example, an oxazole ring, an oxadiazole ring, an oxatriazole ring, an isoxazole ring, a tetrazole ring, a thiadiazole ring, a thiatriazole ring, Examples include isothiazole ring, thiophene ring, furan ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, imidazole ring, pyrazole ring, and triazole ring. These rings may further have a substituent, and the substituents may be bonded to each other to form a ring.

また、Zで表される炭化水素環基または複素環基と、ZがC−Cと共に形成する環が互いに直接、または置換基を介して間接的に結合していてもよい。 Further, the hydrocarbon ring group or heterocyclic group represented by Z 2 and the ring formed by Z 1 together with C—C may be bonded to each other directly or indirectly through a substituent.

03及びR04で表される置換基としては、一般式(2)においてRで表される置換基で挙げた置換基等が挙げられ、これらはさらに置換基で置換されていてもよい。 Examples of the substituent represented by R 03 and R 04 include the substituents exemplified for the substituent represented by R 1 in the general formula (2), and these may be further substituted with a substituent. .

本発明に係る一般式(D)、(D−1)、(D−2)で各々表される化合物は、Eur.J.Chem.2005,1637−1643等に記載の方法で、含窒素環化合物またはイミダゾール化合物に対応するハロゲン化合物を反応させるか、SYNTHESIS 2003,17,2661−2666等に記載の、対応するアミンとグリオキザール、及びアルデヒドと塩化アンモニウムとの反応等を参照することにより合成可能である。   The compounds represented by the general formulas (D), (D-1) and (D-2) according to the present invention are those described in Eur. J. et al. Chem. 2005, 1637-1643 or the like, or a halogen compound corresponding to a nitrogen-containing ring compound or an imidazole compound is reacted, or the corresponding amine, glyoxal, and aldehyde described in SYNTHESIS 2003, 17, 2661-2666, or the like It can be synthesized by referring to the reaction of ammonium chloride with ammonium chloride.

以下、本発明において、好ましく用いることの出来るリン光発光性ドーパントの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the phosphorescent dopant which can be preferably used in this invention is shown, this invention is not limited to these.

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《電荷輸送層:電子輸送層、正孔輸送層》
本発明に係る電荷輸送層としては、電子輸送層、正孔輸送層等が挙げられる。
<< Charge transport layer: electron transport layer, hole transport layer >>
Examples of the charge transport layer according to the present invention include an electron transport layer and a hole transport layer.

以下、本発明に係る電子輸送層、正孔輸送層について詳細に説明する。   Hereinafter, the electron transport layer and the hole transport layer according to the present invention will be described in detail.

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Electron transport layer》
The electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. The electron transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

電子輸送層に用いられる従来公知の材料(以下、電子輸送材料という)の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、を含むアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。   Examples of conventionally known materials used for the electron transport layer (hereinafter referred to as electron transport materials) include heterocyclic tetracarboxylic acid anhydrides such as nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, naphthalene perylene, And azacarbazole derivatives including carbodiimide, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, carboline derivatives, and the like.

従来、電子輸送層に用いられる電子輸送材料(正孔阻止材料を兼ねる)としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。電子輸送材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピリジン誘導体、アザカルバゾール誘導体等が挙げられる。   Conventionally, an electron transport material (also serving as a hole blocking material) used for the electron transport layer only needs to have a function of transmitting electrons injected from the cathode to the light emitting layer. As the electron transport material, any one of conventionally known compounds can be selected and used. For example, nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, Anthraquinodimethane and anthrone derivatives, oxadiazole derivatives, pyridine derivatives, azacarbazole derivatives and the like can be mentioned.

上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。   In the oxadiazole derivative, a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as an electron transport material.

更に、これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used.

また8−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、GaまたはPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。   Also, metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (Alq), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8-quinolinol) aluminum, Tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (Znq), etc., and the central metals of these metal complexes are In, Mg, Cu , Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as an electron transport material.

その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。   In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those having terminal ends substituted with an alkyl group or a sulfonic acid group can be preferably used as the electron transporting material.

また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。   In addition, the distyrylpyrazine derivative exemplified as the material of the light emitting layer can also be used as an electron transport material, and an inorganic semiconductor such as n-type-Si, n-type-SiC, etc. as in the case of the hole injection layer and the hole transport layer. Can also be used as an electron transporting material.

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。   The electron transport layer can be formed by thinning the electron transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method.

電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μm程度、好ましくは5nm〜200nmである。電子輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   Although there is no restriction | limiting in particular about the film thickness of an electron carrying layer, Usually, 5 nm-about 5 micrometers, Preferably it is 5 nm-200 nm. The electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をゲスト材料としてドープしたn性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, an electron transport layer with high n property doped with impurities as a guest material can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J.A. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなn性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use an electron transport layer having such a high n property because an element with lower power consumption can be manufactured.

以下、本発明の有機EL素子の電子輸送層の形成に用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the conventionally well-known compound used for formation of the electron carrying layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

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本発明に係る前記一般式(1)で表される化合物は、本発明に係る電子輸送材料として好ましく用いられる。   The compound represented by the general formula (1) according to the present invention is preferably used as the electron transport material according to the present invention.

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
《Hole transport layer》
The hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. The hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。   The hole transport material has any one of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic. For example, triazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, Examples thereof include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, and conductive polymer oligomers, particularly thiophene oligomers.

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。   The above-mentioned materials can be used as the hole transport material, but it is preferable to use a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound, particularly an aromatic tertiary amine compound.

芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル;N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3−メチルフェニル)−〔1,1′−ビフェニル〕−4,4′−ジアミン(TPD);2,2−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン;N,N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジアミノビフェニル;1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メチルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N′−ジフェニル−N,N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミノビフェニル;N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジアミノジフェニルエーテル;4,4′−ビス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミノ)−4′−〔4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル〕スチルベン;4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベンゼン;3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノスチルベンゼン;N−フェニルカルバゾール、更には米国特許第5,061,569号明細書に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル(NPD)、特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4′,4″−トリス〔N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン(MTDATA)等が挙げられる。   Representative examples of aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl; N, N'-diphenyl-N, N'- Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (TPD); 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane; 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane; N, N, N ′, N′-tetra-p-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl; 1,1-bis (4-di-p-tolyl) Aminophenyl) -4-phenylcyclohexane; bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane; bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane; N, N'-diphenyl-N, N ' − (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl; N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether; 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl; N, N, N-tri (p-tolyl) amine; 4- (di-p-tolylamino) -4 '-[4- (di-p-tolylamino) styryl] stilbene; 4-N, N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene; 3-methoxy-4′-N, N-diphenylaminostilbenzene; N-phenylcarbazole, and also two of those described in US Pat. No. 5,061,569. Having a condensed aromatic ring in the molecule, for example, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl (NPD), JP-A-4-3086 4,4 ', 4 "-tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine in which three triphenylamine units described in Japanese Patent No. 8 are linked in a starburst type ( MTDATA) and the like.

さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、p型−Si、p型−SiC等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。   Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain or these materials are used as a polymer main chain can also be used. In addition, inorganic compounds such as p-type-Si and p-type-SiC can also be used as the hole injection material and the hole transport material.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、所謂p型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。   JP-A-11-251067, J. Org. Huang et. al. A so-called p-type hole transport material as described in a book (Applied Physics Letters 80 (2002), p. 139) can also be used. In the present invention, these materials are preferably used because a light-emitting element with higher efficiency can be obtained.

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、LB法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については、5nm〜5μmの範囲であることが好ましく、更に好ましくは、5nm〜200nmである。この正孔輸送層は上記材料の1種または2種以上からなる一層構造であってもよい。   The hole transport layer can be formed by thinning the hole transport material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, or an LB method. it can. About the film thickness of a positive hole transport layer, it is preferable that it is the range of 5 nm-5 micrometers, More preferably, it is 5 nm-200 nm. The hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.

また、不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。   Alternatively, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175, J. Pat. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.

本発明においては、このようなp性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。   In the present invention, it is preferable to use a hole transport layer having such a high p property because a device with lower power consumption can be produced.

以下、本発明の有機EL素子の正孔輸送層の形成に用いられる従来公知の化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。   Hereinafter, although the specific example of the conventionally well-known compound used for formation of the positive hole transport layer of the organic EL element of this invention is given, this invention is not limited to these.

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《阻止層:正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平11−204258号公報、同11−204359号公報、及び「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の237頁等に記載されている正孔阻止(ホールブロック)層がある。
<Blocking layer: hole blocking layer, electron blocking layer>
The blocking layer is provided as necessary in addition to the basic constituent layer of the organic compound thin film as described above. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258, 11-204359, and “Organic EL elements and their forefront of industrialization” (issued by NTT, Inc. on November 30, 1998). There is a hole blocking (hole blocking) layer.

正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。   The hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense, and is made of a hole blocking material having a function of transporting electrons and a very small ability to transport holes. By blocking the holes, the probability of recombination of electrons and holes can be improved.

また、前述の電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。   Moreover, the structure of the above-mentioned electron carrying layer can be used as a hole-blocking layer concerning this invention as needed.

本発明に係る有機EL素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。   The hole blocking layer of the organic EL device according to the present invention is preferably provided adjacent to the light emitting layer.

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたカルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ピリジン誘導体等を含有することが好ましい。   The hole blocking layer preferably contains the carbazole derivative, azacarbazole derivative, pyridine derivative, or the like mentioned as the host compound.

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。   In the present invention, when a plurality of light emitting layers having different light emission colors are provided, the light emitting layer having the shortest wavelength of light emission is preferably closest to the anode among all the light emitting layers. In this case, it is preferable to additionally provide a hole blocking layer between the shortest wave layer and the light emitting layer next to the anode next to the anode.

更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の50質量%以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが0.3eV以上大きいことが好ましい。   Furthermore, it is preferable that 50% by mass or more of the compound contained in the hole blocking layer provided at the position has an ionization potential of 0.3 eV or more larger than the host compound of the shortest wave emitting layer.

イオン化ポテンシャルは化合物のHOMO(最高被占分子軌道)レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。   The ionization potential is defined by the energy required to emit an electron at the HOMO (highest occupied molecular orbital) level of the compound to the vacuum level, and can be obtained by the following method, for example.

(1)米国Gaussian社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるGaussian98(Gaussian98、Revision A.11.4,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,Pittsburgh PA,2002.)を用い、キーワードとしてB3LYP/6−31G*を用いて構造最適化を行うことにより算出した値(eV単位換算値)の小数点第2位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。   (1) Using Gaussian 98 (Gaussian 98, Revision A.11.4, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., Pittsburgh PA, 2002.), a molecular orbital calculation software manufactured by Gaussian, USA The ionization potential can be obtained as a value obtained by rounding off the second decimal place of the value (eV unit converted value) calculated by performing structural optimization using B3LYP / 6-31G *. This calculation value is effective because the correlation between the calculation value obtained by this method and the experimental value is high.

(2)イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Model AC−1」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。   (2) The ionization potential can also be obtained by a method of directly measuring by photoelectron spectroscopy. For example, a method known as ultraviolet photoelectron spectroscopy can be suitably used by using a low energy electron spectrometer “Model AC-1” manufactured by Riken Keiki Co., Ltd.

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは3nm〜100nmであり、更に好ましくは5nm〜30nmである。   On the other hand, the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense, and is made of a material that has a function of transporting holes and has an extremely small ability to transport electrons, and transports electrons while transporting holes. By blocking, the recombination probability of electrons and holes can be improved. Moreover, the structure of the positive hole transport layer mentioned later can be used as an electron blocking layer as needed. The film thickness of the hole blocking layer and the electron transport layer according to the present invention is preferably 3 nm to 100 nm, and more preferably 5 nm to 30 nm.

《電荷注入層:電子注入層、正孔注入層》
本発明に係る電荷注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。
<< Charge injection layer: electron injection layer, hole injection layer >>
The charge injection layer according to the present invention is provided as necessary, and includes an electron injection layer and a hole injection layer, and as described above, between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer, and the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer. It may be present between.

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されており、正孔注入層(陽極バッファー層)と電子注入層(陰極バッファー層)とがある。   An injection layer is a layer provided between an electrode and an organic layer in order to reduce drive voltage and improve light emission luminance. “Organic EL element and its forefront of industrialization (issued by NTT Corporation on November 30, 1998) 2), Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) in detail, and includes a hole injection layer (anode buffer layer) and an electron injection layer (cathode buffer layer).

陽極バッファー層(正孔注入層)は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。   The details of the anode buffer layer (hole injection layer) are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like. As a specific example, copper phthalocyanine is used. Examples thereof include a phthalocyanine buffer layer represented by an oxide, an oxide buffer layer represented by vanadium oxide, an amorphous carbon buffer layer, and a polymer buffer layer using a conductive polymer such as polyaniline (emeraldine) or polythiophene.

陰極バッファー層(電子注入層)は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層(注入層)はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は0.1nm〜5μmの範囲が好ましい。   The details of the cathode buffer layer (electron injection layer) are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like. Specifically, strontium, aluminum, etc. Metal buffer layer typified by lithium, alkali metal compound buffer layer typified by lithium fluoride, alkaline earth metal compound buffer layer typified by magnesium fluoride, oxide buffer layer typified by aluminum oxide, etc. . The buffer layer (injection layer) is preferably a very thin film, and the film thickness is preferably in the range of 0.1 nm to 5 μm although it depends on the material.

また、陽極バッファー層及び陰極バッファー層に用いられる材料は、他の材料と併用して用いることも可能であり、例えば正孔輸送層や電子輸送層中に混合して用いることも可能である。   In addition, the materials used for the anode buffer layer and the cathode buffer layer can be used in combination with other materials. For example, the materials can be mixed in the hole transport layer or the electron transport layer.

《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
"anode"
As the anode in the organic EL element, an electrode material made of a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a high work function (4 eV or more) is preferably used. Specific examples of such electrode materials include metals such as Au, and conductive transparent materials such as CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, an amorphous material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) capable of forming a transparent conductive film may be used.

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。   For the anode, these electrode materials may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering, and a pattern having a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not so high (about 100 μm or more) A pattern may be formed through a mask having a desired shape at the time of vapor deposition or sputtering of the electrode material.

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。   Or when using the substance which can be apply | coated like an organic electroconductivity compound, wet film-forming methods, such as a printing system and a coating system, can also be used. When light emission is extracted from the anode, it is desirable that the transmittance be greater than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω / □ or less.

更に、膜厚は材料にもよるが、10nm〜1000nmの範囲が好ましく、更に好ましくは10nm〜200nmの範囲である。   Further, although the film thickness depends on the material, the range of 10 nm to 1000 nm is preferable, and the range of 10 nm to 200 nm is more preferable.

《陰極》
陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
"cathode"
As the cathode, a material having a work function (4 eV or less) metal (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof as an electrode material is used.

このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。 Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like.

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。 Among these, from the point of durability against electron injection and oxidation, etc., a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than this, for example, a magnesium / silver mixture, Magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum and the like are preferred.

本発明では、これらの電極物質(導電性材料ともいう)を導電性ペーストとして用いて湿式法により薄膜を形成させ陰極を作製する。   In the present invention, these electrode substances (also referred to as conductive materials) are used as a conductive paste to form a thin film by a wet method to produce a cathode.

陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は、10nm〜5μmの範囲が好ましく、更に好ましくは、50nm〜200nmの範囲で選ばれる。   The sheet resistance as the cathode is preferably several hundred Ω / □ or less, and the film thickness is preferably in the range of 10 nm to 5 μm, more preferably in the range of 50 nm to 200 nm.

尚、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。   In order to transmit the emitted light, if either one of the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or translucent, the light emission luminance is improved, which is convenient.

また、陰極に上記金属を1nm〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。   Moreover, after producing the said metal by the film thickness of 1 nm-20 nm to a cathode, the transparent or semi-transparent cathode can be produced by producing the electroconductive transparent material quoted by description of the anode on it, By applying this, an element in which both the anode and the cathode are transmissive can be manufactured.

《基板》
本発明に係る有機EL素子に用いることのできる基板(以下、基体、基材、支持基板、支持体等とも言う)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。基板側から光を取り出す場合には、基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
"substrate"
As a substrate (hereinafter also referred to as a base, a base material, a support substrate, a support, etc.) that can be used in the organic EL device according to the present invention, there is no particular limitation on the type of glass, plastic, etc., and it is transparent. Or opaque. When extracting light from the substrate side, the substrate is preferably transparent. Examples of the transparent substrate preferably used include glass, quartz, and a transparent resin film. A particularly preferable substrate is a resin film capable of giving flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート(TAC)、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。   Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate, cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (CAP), Cellulose esters such as cellulose acetate phthalate (TAC) and cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), polyphenylene sulfide, polysulfones Cycloolefin resins such as polyetherimide, polyetherketoneimide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethylmethacrylate, acrylic or polyarylate, Arton (trade name, manufactured by JSR) or Appel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals) Can be mentioned.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/(m・24h)以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、10−3ml/(m・24h・MPa)以下、水蒸気透過度が、10−5g/(m・24h)以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both may be formed. Water vapor permeability measured by a method in accordance with JIS K 7129-1992 (25 ± 0.5 ° C., It is preferably a barrier film having a relative humidity (90 ± 2)% RH) of 0.01 g / (m 2 · 24 h) or less, and further, oxygen permeation measured by a method according to JIS K 7126-1987. The film is preferably a high barrier film having a degree of 10 −3 ml / (m 2 · 24 h · MPa) or less and a water vapor permeability of 10 −5 g / (m 2 · 24 h) or less.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。   As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like can be used. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and organic material layers. Although there is no restriction | limiting in particular about the lamination | stacking order of an inorganic layer and an organic layer, It is preferable to laminate | stack both alternately several times.

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。   The method for forming the barrier film is not particularly limited. For example, the vacuum deposition method, the sputtering method, the reactive sputtering method, the molecular beam epitaxy method, the cluster ion beam method, the ion plating method, the plasma polymerization method, the atmospheric pressure plasma weighting. A combination method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, and the like can be used. However, an atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP-A-2004-68143 is particularly preferable.

不透明な基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。   Examples of the opaque substrate include a metal plate such as aluminum and stainless steel, a film, an opaque resin substrate, a ceramic substrate, and the like.

本発明に係る有機EL素子の発光の室温における外部取り出し効率は、1%以上であることが好ましく、より好ましくは5%以上である。   The external extraction efficiency at room temperature of light emission of the organic EL device according to the present invention is preferably 1% or more, more preferably 5% or more.

ここに、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。   Here, the external extraction quantum efficiency (%) = the number of photons emitted to the outside of the organic EL element / the number of electrons sent to the organic EL element × 100.

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機EL素子の発光のλmaxは480nm以下が好ましい。   In addition, a hue improvement filter such as a color filter may be used in combination, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors using a phosphor. In the case of using a color conversion filter, the λmax of light emission of the organic EL element is preferably 480 nm or less.

《封止》
本発明に用いられる有機EL素子の封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
<Sealing>
As a sealing means of the organic EL element used for this invention, the method of adhere | attaching a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive agent can be mentioned, for example.

封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。   As a sealing member, it should just be arrange | positioned so that the display area | region of an organic EL element may be covered, and concave plate shape or flat plate shape may be sufficient. Further, transparency and electrical insulation are not particularly limited.

具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。   Specific examples include a glass plate, a polymer plate / film, and a metal plate / film. Examples of the glass plate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium, and tantalum.

本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。   In the present invention, a polymer film and a metal film can be preferably used because the organic EL element can be thinned.

更には、ポリマーフィルムは、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/(m/24h)以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が、1×10−3ml/(m/24h)以下のものであることが好ましい。 Furthermore, the polymer film has an oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 of 1 × 10 −3 ml / (m 2 / 24h) or less, and is measured by a method according to JIS K 7129-1992. is water vapor transmission rate (25 ± 0.5 ° C., relative humidity (90 ± 2)% RH) is preferably that of 1 × 10 -3 ml / (m 2 / 24h) or less.

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。   For processing the sealing member into a concave shape, sandblasting, chemical etching, or the like is used.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。   Specific examples of the adhesive include photocuring and thermosetting adhesives having reactive vinyl groups such as acrylic acid oligomers and methacrylic acid oligomers, and moisture curing adhesives such as 2-cyanoacrylates. be able to. Moreover, heat | fever and chemical curing types (two-component mixing), such as an epoxy type, can be mentioned. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Moreover, a cationic curing type ultraviolet curing epoxy resin adhesive can be mentioned.

なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。   In addition, since an organic EL element may deteriorate by heat processing, what can be adhesive-hardened from room temperature to 80 degreeC is preferable. A desiccant may be dispersed in the adhesive. Application | coating of the adhesive agent to a sealing part may use commercially available dispenser, and may print like screen printing.

また、有機層を挟み基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。   In addition, it is also possible to suitably form an inorganic or organic layer as a sealing film by covering the electrode and the organic layer on the outer side of the electrode facing the substrate with the organic layer interposed therebetween, and in contact with the substrate. In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing intrusion of elements that cause deterioration of elements such as moisture and oxygen. For example, silicon oxide, silicon dioxide, silicon nitride, or the like may be used. it can.

更に、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシ法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。   Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of organic materials. The method for forming these films is not particularly limited. For example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma A polymerization method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。   In the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorinated hydrocarbon or silicon oil can be injected in the gas phase and liquid phase. preferable. A vacuum is also possible. Moreover, a hygroscopic compound can also be enclosed inside.

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。   Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (for example, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide) and sulfates (for example, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide etc.), perchloric acids (eg perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, and the like), and anhydrous salts are preferably used in sulfates, metal halides, and perchloric acids.

《保護膜、保護板》
有機層を挟み基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
《Protective film, protective plate》
In order to increase the mechanical strength of the element, a protective film or a protective plate may be provided on the outer side of the sealing film on the side facing the substrate with the organic layer interposed therebetween or on the sealing film. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, the mechanical strength is not necessarily high, and thus it is preferable to provide such a protective film and a protective plate. As a material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate / film, metal plate / film, etc. used for the sealing can be used, but the polymer film is light and thin. Is preferably used.

《光取り出し》
有機EL素子は空気よりも屈折率の高い(屈折率が1.7〜2.1程度)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
《Light extraction》
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than that of air (refractive index is about 1.7 to 2.1) and can extract only about 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ greater than the critical angle causes total reflection and cannot be taken out of the device, or between the transparent electrode or light emitting layer and the transparent substrate. This is because the light is totally reflected between the light and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the direction of the element side surface.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(米国特許第4,774,435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(特開昭63−314795号公報)、有機EL素子の側面等に反射面を形成する方法(特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)等がある。   As a method for improving the light extraction efficiency, for example, a method of forming irregularities on the surface of the transparent substrate to prevent total reflection at the interface between the transparent substrate and the air (US Pat. No. 4,774,435), A method for improving efficiency by giving light condensing property to a substrate (Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method for forming a reflective surface on the side surface of an organic EL element (Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), a substrate A method of forming an antireflection film by introducing a flat layer having an intermediate refractive index between the substrate and the light emitter (Japanese Patent Laid-Open No. 62-172691), and lowering the refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter. A method of introducing a flat layer having a structure (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any one of a substrate, a transparent electrode layer, and a light emitting layer (including between the substrate and the outside) No. 283751) .

本発明においては、これらの方法を本発明に係る有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。   In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device according to the present invention. However, a method of introducing a flat layer having a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light emitter, or a substrate, A method of forming a diffraction grating between any layers of the transparent electrode layer and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be suitably used.

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた有機EL素子を得ることができる。   In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an organic EL device having further high luminance or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。   When a medium having a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness longer than the wavelength of light, the light extracted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower.

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましく、更に好ましくは1.35以下であることが好ましい。   Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and a fluorine-based polymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less, more preferably 1.35 or less. .

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。   The thickness of the low refractive index medium is preferably at least twice the wavelength in the medium. This is because the effect of the low refractive index layer is diminished when the thickness of the low refractive index medium is about the wavelength of light and the electromagnetic wave that has exuded by evanescent enters the substrate.

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。   The method of introducing a diffraction grating into an interface or any medium that causes total reflection is characterized by a high effect of improving light extraction efficiency.

この方法は回折格子が1次の回折や2次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。   This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. Light that cannot be emitted due to total internal reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating in any layer or medium (in a transparent substrate or transparent electrode), and the light is removed. I want to take it out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な1次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。   The introduced diffraction grating desirably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because light emitted from the light-emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating having a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.

しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。   However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and light extraction efficiency is increased.

回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間もしくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。   As described above, the position where the diffraction grating is introduced may be in any of the layers or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably in the vicinity of the organic light emitting layer where light is generated.

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度が好ましい。   At this time, the period of the diffraction grating is preferably about 1/2 to 3 times the wavelength of light in the medium.

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。   The arrangement of the diffraction grating is preferably two-dimensionally repeated such as a square lattice, a triangular lattice, or a honeycomb lattice.

《集光シート》
本発明に係る有機EL素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
<Condenser sheet>
The organic EL device according to the present invention can be processed on the light extraction side of the substrate, for example, by providing a microlens array-like structure, or combined with a so-called condensing sheet, for example, in a specific direction, for example, the device light emitting surface. On the other hand, the brightness | luminance in a specific direction can be raised by condensing in a front direction.

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を2次元に配列する。一辺は10μm〜100μmが好ましい。   As an example of the microlens array, quadrangular pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably 10 μm to 100 μm.

これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。   If it becomes smaller than this, the effect of diffraction will generate | occur | produce and color, and if too large, thickness will become thick and is not preferable.

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)等を用いることができる。   As the condensing sheet, for example, a sheet that is put into practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device can be used. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used.

プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。   As the shape of the prism sheet, for example, the base material may be formed by forming a △ -shaped stripe having a vertex angle of 90 degrees and a pitch of 50 μm, or the vertex angle is rounded and the pitch is changed randomly. Other shapes may be used.

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)等を用いることができる。   Moreover, in order to control the light emission angle from a light emitting element, you may use together a light diffusing plate and a film with a condensing sheet. For example, a diffusion film (light-up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

《用途》
本発明の有機EL素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
<Application>
The organic EL element of the present invention can be used as a display device, a display, and various light emission sources. For example, lighting devices (home lighting, interior lighting), clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources of optical storage media, light sources of electrophotographic copying machines, light sources of optical communication processors, light Although the light source of a sensor etc. are mentioned, It is not limited to this, Especially, it can use effectively for the use as a backlight of a liquid crystal display device, and a light source for illumination.

本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。   In the organic EL element of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an ink jet printing method, or the like as needed during film formation. In the case of patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire layer of the element may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. Can do.

本発明の有機EL素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図4.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。   The light emission color of the organic EL device of the present invention and the compound according to the present invention is shown in FIG. 4.16 on page 108 of “New Color Science Handbook” (edited by the Japan Color Society, University of Tokyo Press, 1985). It is determined by the color when the result measured with the total CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) is applied to the CIE chromaticity coordinates.

また、本発明に係る有機EL素子が白色素子の場合には、白色とは、2度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、1000cd/mでのCIE1931表色系における色度が、X=0.33±0.07、Y=0.33±0.1の領域内にあることを言う。 Further, when the organic EL element according to the present invention is a white element, white means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd / m 2 is measured when the front luminance at 2 ° viewing angle is measured by the above method. , X = 0.33 ± 0.07 and Y = 0.33 ± 0.1.

《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機EL素子を具備したものである。
<Display device>
The display device of the present invention will be described. The display device of the present invention comprises the organic EL element of the present invention.

本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。   Although the display device of the present invention may be single color or multicolor, the multicolor display device will be described here. In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only at the time of forming a light emitting layer, and a film can be formed on one surface by vapor deposition, casting, spin coating, ink jet, printing, or the like.

発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。   In the case of patterning only the light emitting layer, the method is not limited. However, the vapor deposition method, the ink jet method, the spin coating method, and the printing method are preferable.

表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。   The configuration of the organic EL element provided in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as necessary.

また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。   Moreover, the manufacturing method of an organic EL element is as having shown to the one aspect | mode of manufacture of the organic EL element of said invention.

得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2V〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。尚、印加する交流の波形は任意でよい。   In the case of applying a DC voltage to the obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2V to 40V with the positive polarity of the anode and the negative polarity of the cathode. Further, even when a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the-state. The alternating current waveform to be applied may be arbitrary.

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。   The multicolor display device can be used as a display device, a display, and various light emission sources. In a display device or display, full-color display is possible by using three types of organic EL elements of blue, red, and green light emission.

表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。   Examples of the display device and display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a character broadcast display, and an information display in an automobile. In particular, it may be used as a display device for reproducing still images and moving images, and the driving method when used as a display device for reproducing moving images may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method.

発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。   Light sources include home lighting, interior lighting, clock and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. The present invention is not limited to these examples.

以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。   FIG. 1 is a schematic view showing an example of a display device composed of organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone that displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B等からなる。   The display 1 includes a display unit A having a plurality of pixels, a control unit B that performs image scanning of the display unit A based on image information, and the like.

制御部Bは表示部Aと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。   The control unit B is electrically connected to the display unit A, and sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line respond to the image data signal by the scanning signal. The image information is sequentially emitted to scan the image and display the image information on the display unit A.

図2は表示部Aの模式図である。   FIG. 2 is a schematic diagram of the display unit A.

表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部と複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。   The display unit A includes a wiring unit including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6, a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.

図においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。   In the figure, the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。   The scanning line 5 and the plurality of data lines 6 in the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are illustrated Not)

画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。   When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.

発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。   Full-color display is possible by appropriately arranging pixels in the red region, the green region, and the blue region on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。   Next, the light emission process of the pixel will be described.

図3は画素の模式図である。   FIG. 3 is a schematic diagram of a pixel.

画素は有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサ13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色、青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。   The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a driving transistor 12, a capacitor 13, and the like. A full color display can be performed by using red, green, and blue light emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels, and juxtaposing them on the same substrate.

図3において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。   In FIG. 3, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 through the data line 6. When a scanning signal is applied from the control unit B to the gate of the switching transistor 11 via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is supplied to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサ13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。   By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the drive of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10, and the power supply line 7 connects to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Current is supplied.

制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサ13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。   When the scanning signal is moved to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, even if the driving of the switching transistor 11 is turned off, the capacitor 13 maintains the potential of the charged image data signal, so that the driving of the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. Until then, the light emission of the organic EL element 10 continues. When the scanning signal is next applied by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.

即ち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。   That is, the light emission of the organic EL element 10 is performed by providing the switching transistor 11 and the drive transistor 12 which are active elements with respect to the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and light emission of the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機EL素子10の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。   Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations by a multi-value image data signal having a plurality of gradation potentials, or by turning on / off a predetermined light emission amount by a binary image data signal. Good. The potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.

本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。   In the present invention, not only the active matrix method described above, but also a passive matrix light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図4はパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図4において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。   FIG. 4 is a schematic diagram of a passive matrix display device. In FIG. 4, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a lattice shape so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.

順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。   When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.

パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。   In the passive matrix system, the pixel 3 has no active element, and the manufacturing cost can be reduced.

《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は上記有機EL素子を有する。
《Lighting device》
The lighting device of the present invention will be described. The illumination device of the present invention has the organic EL element.

本発明の有機EL素子に共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザ発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。   The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. The purpose of use of the organic EL element having such a resonator structure is as follows. The light source of a machine, the light source of an optical communication processing machine, the light source of a photosensor, etc. are mentioned, However, It is not limited to these. Moreover, you may use for the said use by making a laser oscillation.

また、本発明の有機EL素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。   Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or exposure light source, a projection device for projecting an image, or a display for directly viewing a still image or a moving image. It may be used as a device (display).

動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。   The driving method when used as a display device for moving image reproduction may be either a simple matrix (passive matrix) method or an active matrix method. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more organic EL elements of the present invention having different emission colors.

また、本発明の有機EL材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機EL素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の3原色の3つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した2つの発光極大波長を含有したものでもよい。   The organic EL material of the present invention can be applied to an organic EL element that emits substantially white light as a lighting device. A plurality of light emitting colors are simultaneously emitted by a plurality of light emitting materials to obtain white light emission by color mixing. The combination of a plurality of emission colors may include three emission maximum wavelengths of the three primary colors of blue, green, and blue, or two using the relationship of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange, etc. The thing containing the light emission maximum wavelength may be used.

また複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機EL素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。   In addition, a combination of light emitting materials for obtaining a plurality of emission colors is a combination of a plurality of phosphorescent or fluorescent materials, a light emitting material that emits fluorescence or phosphorescence, and light from the light emitting material as excitation light. Any of those combined with a dye material that emits light may be used, but in the white organic EL device according to the present invention, only a combination of a plurality of light-emitting dopants may be mixed.

発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。   It is only necessary to provide a mask only when forming a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, etc., and simply arrange them separately by coating with the mask. Since other layers are common, patterning of the mask or the like is not necessary. In addition, for example, an electrode film can be formed by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an ink jet method, a printing method, or the like, and productivity is also improved.

この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が発光白色である。   According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the elements themselves are luminescent white.

発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、CF(カラーフィルター)特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。   There is no restriction | limiting in particular as a luminescent material used for a light emitting layer, For example, if it is a backlight in a liquid crystal display element, the metal complex which concerns on this invention so that it may suit the wavelength range corresponding to CF (color filter) characteristic, Any one of known luminescent materials may be selected and combined to whiten.

《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
<< One Embodiment of Lighting Device of the Present Invention >>
One aspect of the lighting device of the present invention that includes the organic EL element of the present invention will be described.

本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成することができる。   The non-light emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate, and an epoxy-based photocurable adhesive (LUX TRACK manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is used as a sealing material. LC0629B) is applied, and this is overlaid on the cathode and brought into close contact with the transparent support substrate, irradiated with UV light from the glass substrate side, cured and sealed, and an illumination device as shown in FIGS. Can be formed.

図5は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子101はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。)。   FIG. 5 shows a schematic diagram of a lighting device, and the organic EL element 101 of the present invention is covered with a glass cover 102 (in addition, the sealing operation with the glass cover is to bring the organic EL element 101 into contact with the atmosphere. And a glove box under a nitrogen atmosphere (in an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more).

図6は、照明装置の断面図を示し、図6において、105は陰極、106は有機EL層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。   FIG. 6 shows a cross-sectional view of the lighting device. In FIG. 6, 105 denotes a cathode, 106 denotes an organic EL layer, and 107 denotes a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and a water catching agent 109 is provided.

以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。   EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention in detail, this invention is not limited to these.

また、実施例に用いる化合物の構造を以下に示す。   Moreover, the structure of the compound used for an Example is shown below.

Figure 0005776808
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Figure 0005776808
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実施例1
〈有機EL素子1−1の作製〉
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 1
<Preparation of Organic EL Element 1-1>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として比較化合物1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物としてD−9を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料1を200mg入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料4を200mg入れ真空蒸着装置に取付けた。   This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc) is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of hole transport material 1 is put into another molybdenum resistance heating boat. 200 mg of Comparative Compound 1 as a host compound is placed in a molybdenum resistance heating boat, 100 mg of D-9 as a dopant compound is placed in another molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of the electron transport material 1 is placed in another molybdenum resistance heating boat. Furthermore, 200 mg of the electron transport material 4 was put in another resistance heating boat made of molybdenum and attached to a vacuum deposition apparatus.

次いで真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc is energized and heated, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. To form a 20 nm hole injection layer. Provided.

更に正孔輸送材料1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。   Furthermore, the heating boat containing the hole transport material 1 was energized and heated, and deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm hole transport layer.

更に比較化合物1とD−9の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層を設けた。   Further, the heating boat containing Comparative Compound 1 and D-9 was energized and heated, and co-evaporated on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively, to emit 20 nm. A layer was provided.

更に電子輸送材料1の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚30nmの第1電子輸送層を設けた。   Further, the heating boat containing the electron transport material 1 was energized and heated, and deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a first electron transport layer having a thickness of 30 nm.

更に電子輸送材料4の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記第1電子輸送層上に蒸着して膜厚30nmの第2電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, the heating boat containing the electron transport material 4 was energized and heated, and deposited on the first electron transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a second electron transport layer having a thickness of 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.

《有機EL素子1−2〜1−4の作製》
有機EL素子1−1において、比較化合物1を表1記載の化合物(本発明の化合物18、5、36)に変えた以外は、有機EL素子1−1と同様にして有機EL素子1−2〜1−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-4 >>
In the organic EL device 1-1, the organic EL device 1-2 was changed in the same manner as the organic EL device 1-1 except that the comparative compound 1 was changed to the compounds shown in Table 1 (compounds 18, 5, and 36 of the present invention). ˜1-4 were prepared.

《有機EL素子1−1〜1−4の評価》
得られた有機EL素子1−1〜1−4を評価するに際しては、作製後の各有機EL素子の非発光面をガラスカバーで覆い、ガラスカバーと有機EL素子が作製されたガラス基板とが接触するガラスカバー側の周囲にシール剤としてエポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラクストラックLC0629B)を適用し、これを上記陰極側に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して硬化させ、封止して、上記の図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の経時安定性の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 1-1 to 1-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 1-1 to 1-4, the non-light-emitting surface of each organic EL element after production is covered with a glass cover, and the glass cover and the glass substrate on which the organic EL element is produced are prepared. An epoxy-based photo-curing adhesive (Luxtrac LC0629B manufactured by Toagosei Co., Ltd.) is applied as a sealant around the glass cover side that comes into contact with the transparent support substrate so as to overlap the cathode side, and the glass substrate side. Then, it was cured by irradiating with UV light and sealed, and the lighting device as shown in FIGS. 5 and 6 was formed and evaluated. Next, the following stability over time was evaluated.

(経時安定性)
各有機EL素子を85℃で24時間保存した後、保存前後の室温(約23℃〜25℃)における2.5mA/cmの定電流条件下により駆動したときの各輝度及び各電圧を測定し、各輝度比及び各電圧比を下式に従って求め、これを経時安定性の尺度とした。
(Stability over time)
After each organic EL device was stored at 85 ° C. for 24 hours, each brightness and each voltage were measured when driven under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 at room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) before and after storage. Then, each luminance ratio and each voltage ratio were determined according to the following formulas, and this was used as a measure of stability over time.

輝度比(%)=保存後の輝度(2.5mA/cm)/保存前の輝度(2.5mA/cm)×100
電圧比(%)=保存後の駆動電圧(2.5mA/cm)/保存前の電圧(2.5mA/cm)×100
Luminance ratio (%) = luminance after storage ( 2.5 mA / cm 2 ) / luminance before storage ( 2.5 mA / cm 2 ) × 100
Voltage ratio (%) = drive voltage after storage ( 2.5 mA / cm 2 ) / voltage before storage ( 2.5 mA / cm 2 ) × 100

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例2
《有機EL素子2−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 2
<< Preparation of Organic EL Element 2-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, using a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water, 3000 rpm, A thin film was formed by spin coating under conditions of 30 seconds and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.

この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、50mgの正孔輸送材料2を10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。更に180秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層とした。   The substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution prepared by dissolving 50 mg of the hole transport material 2 in 10 ml of toluene was spin-coated on the hole transport layer at 1500 rpm for 30 seconds on the hole transport layer. Formed. Further, ultraviolet light was irradiated for 180 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking, thereby forming a second hole transport layer having a thickness of about 20 nm.

この第2正孔輸送層上に、100mgの比較化合物2と10mgのD−25とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて600rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約70nmの発光層とした。   On this second hole transport layer, a thin film was formed by spin coating using a solution obtained by dissolving 100 mg of Comparative Compound 2 and 10 mg of D-25 in 10 ml of toluene at 600 rpm for 30 seconds. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer with a film thickness of about 70 nm.

次にこの発光層上に、50mgの電子輸送化合物2を10mlのヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。   Next, a thin film was formed on the light emitting layer by a spin coating method using a solution of 50 mg of the electron transport compound 2 dissolved in 10 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP) at 1000 rpm for 30 seconds. Furthermore, it vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the electron carrying layer with a film thickness of about 30 nm.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に陰極としてアルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子2−1を作製した。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and after the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, lithium fluoride was deposited at 0.4 nm as a cathode buffer layer, and aluminum was deposited at 110 nm as a cathode. Thus, a cathode was formed, and an organic EL element 2-1 was produced.

《有機EL素子2−2〜2−4の作製》
有機EL素子2−1の作製において、比較化合物2を表2記載の化合物(本発明の化合物1、15、37)に変えた以外は同様にして、有機EL素子2−2〜2−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 2-2 to 2-4 >>
In the production of the organic EL element 2-1, the organic EL elements 2-2 to 2-4 were prepared in the same manner except that the comparative compound 2 was changed to the compounds shown in Table 2 (compounds 1, 15, and 37 of the present invention). Produced.

《有機EL素子2−1〜2−4の評価》
得られた有機EL素子2−1〜2−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 2-1 to 2-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 2-1 to 2-4, they were sealed in the same manner as the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1, and illumination as shown in FIGS. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

(外部取り出し量子効率)
有機EL素子を室温(約23℃〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度(L)[cd/m]を測定することにより、外部取り出し量子効率(η)を算出した。
(External quantum efficiency)
By causing the organic EL device to emit light at room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) and a constant current of 2.5 mA / cm 2 , and measuring the light emission luminance (L) [cd / m 2 ] immediately after the start of light emission, The external extraction quantum efficiency (η) was calculated.

ここで、発光輝度の測定はCS−1000(コニカミノルタセンシング製)を用いた。   Here, CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing) was used for measurement of light emission luminance.

外部取り出し量子効率は有機EL素子2−1を100とする相対値で表した。   The external extraction quantum efficiency was expressed as a relative value with the organic EL element 2-1 being 100.

(駆動電圧)
有機EL素子を室温(約23℃〜25℃)、2.5mA/cmの定電流条件下により駆動したときの電圧を各々測定し、測定結果を下記に示すように、有機EL素子2−1(比較例)を100として各々相対値で示した。
(Drive voltage)
Each voltage was measured when the organic EL element was driven at room temperature (about 23 ° C. to 25 ° C.) under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and the measurement results are shown below. 1 (comparative example) is taken as 100, and each is shown as a relative value.

電圧=(各素子の駆動電圧/有機EL素子2−1の駆動電圧)×100
尚、値が小さいほうが比較に対して駆動電圧が低いことを示す。
Voltage = (drive voltage of each element / drive voltage of the organic EL element 2-1) × 100
A smaller value indicates a lower drive voltage for comparison.

(発光寿命)
有機EL素子を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。
(Luminescent life)
The organic EL device continuously emitted light at room temperature under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and the time (τ1 / 2) required to obtain half the initial luminance was measured.

尚、発光寿命は有機EL素子6−1を100と設定する相対値で表した。   In addition, the light emission lifetime was represented by the relative value which sets the organic EL element 6-1 to 100.

得られた結果を下記に示す。   The results obtained are shown below.

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例3
《有機EL素子3−1の作製》
有機EL素子2−1の作製において、正孔輸送材料2の代わりに正孔輸送材料3を用い、比較化合物2とD−25の代わりに、100mgの比較化合物3と、15mgのD−1をトルエンに溶解した溶液を用い、電子輸送材料2の代わりに電子輸送材料3を用いた以外は同様にして、有機EL素子3−1を作製した。
Example 3
<< Production of Organic EL Element 3-1 >>
In the production of the organic EL element 2-1, the hole transport material 3 was used instead of the hole transport material 2, and 100 mg of the comparative compound 3 and 15 mg of D-1 were used instead of the comparative compound 2 and D-25. An organic EL device 3-1 was produced in the same manner except that a solution dissolved in toluene was used and the electron transport material 3 was used instead of the electron transport material 2.

《有機EL素子3−2〜3−4の作製》
有機EL素子3−1の作製において、比較化合物3を表3記載の化合物(本発明の化合物33、38、40)に変えた以外は同様にして、有機EL素子3−2〜3−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 3-2 to 3-4 >>
In the production of the organic EL element 3-1, the organic EL elements 3-2 to 3-4 were prepared in the same manner except that the comparative compound 3 was changed to the compounds shown in Table 3 (compounds 33, 38 and 40 of the present invention). Produced.

《有機EL素子3−1〜3−4の評価》
得られた有機EL素子3−1〜3−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 3-1 to 3-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 3-1 to 3-4, they were sealed in the same manner as the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1, and illumination as shown in FIGS. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

〔電力効率〕
分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタセンシング社製)を用いて、各有機EL素子の正面輝度及び輝度角度依存性を測定し、正面輝度1000cd/mにおける電力効率を求めた。尚、電力効率は有機EL素子3−1の電力効率を100と設定する相対値で表した。
[Power efficiency]
Using a spectral radiance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Sensing Co., Ltd.), the front luminance and luminance angle dependency of each organic EL element were measured, and the power efficiency at a front luminance of 1000 cd / m 2 was obtained. The power efficiency is expressed as a relative value that sets the power efficiency of the organic EL element 3-1 to 100.

〈経時安定性〉
各有機EL素子を60℃、70%RHの条件で一ヶ月保存後、保存前後における各電力効率を求め、各電力効率比を下式に従って求め、これを経時安定性の尺度とした。
<Stability over time>
Each organic EL element was stored at 60 ° C. and 70% RH for one month, then each power efficiency before and after storage was determined, and each power efficiency ratio was determined according to the following formula, which was used as a measure of stability over time.

経時安定性(%)=保存後の電力効率/保存前の電力効率×100   Stability over time (%) = power efficiency after storage / power efficiency before storage x 100

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例4
《有機EL素子4−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 4
<< Preparation of Organic EL Element 4-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, using a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water, 3000 rpm, A thin film was formed by spin coating under conditions of 30 seconds and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.

この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、5mgの正孔輸送材料4と45mgの正孔輸送材料5とを10mlのトルエンに溶解した混合溶液を2000rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。窒素雰囲気下、120℃、90秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約15nmの第2正孔輸送層を形成した。   The substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a mixed solution prepared by dissolving 5 mg of the hole transport material 4 and 45 mg of the hole transport material 5 in 10 ml of toluene on the hole transport layer under the conditions of 2000 rpm and 30 seconds. A thin film was formed by spin coating on the hole transport layer. In a nitrogen atmosphere, ultraviolet light was irradiated at 120 ° C. for 90 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking to form a second hole transport layer having a thickness of about 15 nm.

この第2正孔輸送層上に、100mgの比較化合物4と10mgのD−26とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて600rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約70nmの発光層とした。   On this second hole transport layer, a thin film was formed by spin coating using a solution of 100 mg of Comparative Compound 4 and 10 mg of D-26 dissolved in 10 ml of toluene at 600 rpm for 30 seconds. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer with a film thickness of about 70 nm.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、実施例1記載の電子輸送材料4の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum evaporation apparatus, and after the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing the electron transport material 4 described in Example 1 was energized and heated. Then, an electron transport layer having a film thickness of 30 nm was provided by vapor deposition on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also 110 nm of aluminum was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 4-1.

《有機EL素子4−2〜4−4の作製》
有機EL素子4−1の作製において、比較化合物4を表4記載の化合物(本発明の化合物14、41、42)に変えた以外は同様にして、有機EL素子4−2〜4−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 4-2 to 4-4 >>
In the production of the organic EL element 4-1, the organic EL elements 4-2 to 4-4 were prepared in the same manner except that the comparative compound 4 was changed to the compounds shown in Table 4 (compounds 14, 41 and 42 of the present invention). Produced.

《有機EL素子4−1〜4−4の評価》
得られた有機EL素子4−1〜4−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 4-1 to 4-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 4-1 to 4-4, they were sealed in the same manner as the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1, and illumination as shown in FIGS. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

(電力効率)
実施例3の有機EL素子3−1〜3−4の場合と同様にして電力効率を求めた。
(Power efficiency)
The power efficiency was determined in the same manner as in the case of the organic EL elements 3-1 to 3-4 of Example 3.

(発光寿命)
有機EL素子を室温下、2.5mA/cmの定電流条件下による連続発光を行い、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間(τ1/2)を測定した。
(Luminescent life)
The organic EL device continuously emitted light at room temperature under a constant current condition of 2.5 mA / cm 2 , and the time (τ1 / 2) required to obtain half the initial luminance was measured.

(電圧上昇率)
6mA/cmの一定電流で駆動したときに、初期電圧と180時間後の電圧を測定した。初期電圧に対する100時間後の電圧の相対値を電圧上昇率とした。
(Voltage increase rate)
When driven at a constant current of 6 mA / cm 2 , the initial voltage and the voltage after 180 hours were measured. The relative value of the voltage after 100 hours with respect to the initial voltage was defined as the voltage increase rate.

(発光寿命)
発光寿命については実施例2と同様の方法で評価した。
(Luminescent life)
The light emission lifetime was evaluated by the same method as in Example 2.

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例5
〈有機EL素子5−1の作製〉
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 5
<Preparation of organic EL element 5-1>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass) made of ITO (indium tin oxide) with a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに銅フタロシアニン(CuPc)を200mg入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料6を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてホスト材料1を200mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物としてD−24を100mg入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに比較化合物5を200mg入れ真空蒸着装置に取付けた。   This transparent support substrate is fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum evaporation apparatus, while 200 mg of copper phthalocyanine (CuPc) is put into a molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of hole transport material 6 is put into another molybdenum resistance heating boat. 200 mg of host material 1 as a host compound is placed in a molybdenum resistance heating boat, 100 mg of D-24 as a dopant compound is placed in another molybdenum resistance heating boat, and 200 mg of comparative compound 5 is placed in another molybdenum resistance heating boat in a vacuum. Attached to the vapor deposition equipment.

次いで真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、CuPcの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで透明支持基板に蒸着し20nmの正孔注入層を設けた。 Next, after reducing the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing CuPc is energized and heated, and deposited on a transparent support substrate at a deposition rate of 0.1 nm / sec. To form a 20 nm hole injection layer. Provided.

更に正孔輸送材料6の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで正孔注入層上に蒸着し20nmの正孔輸送層を設けた。   Further, the heating boat containing the hole transport material 6 was energized and heated, and deposited on the hole injection layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide a 20 nm hole transport layer.

更にホスト化合物1とD−24の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/sec、0.006nm/secで前記正孔輸送層上に共蒸着して20nmの発光層を設けた。   Further, the heating boat containing the host compound 1 and D-24 was energized and heated, and co-deposited on the hole transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec and 0.006 nm / sec, respectively, to emit light of 20 nm. A layer was provided.

更に比較化合物5の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/secで前記発光層上に蒸着して膜厚30nmの電子輸送層を設けた。尚、蒸着時の基板温度は室温であった。   Further, the heating boat containing the comparative compound 5 was energized and heated, and deposited on the light emitting layer at a deposition rate of 0.1 nm / sec to provide an electron transport layer having a thickness of 30 nm. In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature.

引き続き、陰極バッファー層としてフッ化リチウム0.5nmを蒸着し、更にアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子1−1を作製した。   Then, 0.5 nm of lithium fluoride was vapor-deposited as a cathode buffer layer, and also aluminum 110nm was vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 1-1 was produced.

《有機EL素子5−2〜5−4の作製》
有機EL素子5−1において、比較化合物5を表5記載の化合物(本発明の化合物25、43、44)に変えた以外は、有機EL素子5−1と同様にして有機EL素子5−2〜5−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 5-2 to 5-4 >>
In the organic EL element 5-1, the organic EL element 5-2 was made in the same manner as the organic EL element 5-1, except that the comparative compound 5 was changed to the compounds shown in Table 5 (compounds 25, 43 and 44 of the present invention). ~ 5-4 were made.

《有機EL素子5−1〜5−4の評価》
得られた有機EL素子5−1〜5−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の測定法に従って、経時安定性の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 5-1 to 5-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 5-1 to 5-4, they were sealed in the same manner as the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1, and illumination as shown in FIGS. A device was formed and evaluated. Subsequently, stability with time was evaluated according to the following measurement method.

(経時安定性)
各有機EL素子を60℃、70%RHの条件で一ヶ月保存後、保存前後の室温(約23℃〜25℃)における2.5mA/cmの定電流条件下により駆動したときの各輝度及び各電圧を測定し、各輝度比及び各電圧比を下式に従って求め、これを経時安定性の尺度とした。
(Stability over time)
Each organic EL element is stored for one month at 60 ° C. and 70% RH, and then driven at a constant current of 2.5 mA / cm 2 at room temperature (approximately 23 ° C. to 25 ° C.) before and after storage. And each voltage was measured, each luminance ratio and each voltage ratio were calculated | required according to the following Formula, and this was made into the scale of temporal stability.

輝度比(%)=保存後の輝度(2.5mA/cm)/保存前の輝度(2.5mA/cm)×100
電圧比(%)=保存後の駆動電圧(2.5mA/cm)/保存前の電圧(2.5mA/cm)×100
Luminance ratio (%) = luminance after storage ( 2.5 mA / cm 2 ) / luminance before storage ( 2.5 mA / cm 2 ) × 100
Voltage ratio (%) = drive voltage after storage ( 2.5 mA / cm 2 ) / voltage before storage ( 2.5 mA / cm 2 ) × 100

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例6
《有機EL素子6−1の作製》
有機EL素子2−1の作製において、正孔輸送材料2の代わりに市販のADS254BE(American Dye Source, Inc製)を用いて、2500rpm、30秒の条件でスピンコーティングし、比較化合物2の代わりにホスト材料2を用い、電子輸送化合物2の代わりに比較化合物6を用いた以外は同様にして、有機EL素子6−1を作製した。
Example 6
<< Production of Organic EL Element 6-1 >>
In the production of the organic EL element 2-1, instead of the hole transport material 2, a commercially available ADS254BE (manufactured by American Dye Source, Inc.) was used, and spin coating was performed at 2500 rpm for 30 seconds. An organic EL device 6-1 was produced in the same manner except that the host material 2 was used and the comparative compound 6 was used instead of the electron transport compound 2.

《有機EL素子6−2〜6−4の作製》
有機EL素子6−1において、比較化合物6を表6記載の化合物(本発明の化合物45、48、50)に変えた以外は、有機EL素子6−1と同様にして有機EL素子6−2〜6−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 6-2 to 6-4 >>
In the organic EL element 6-1, the organic EL element 6-2 was changed in the same manner as the organic EL element 6-1 except that the comparative compound 6 was changed to the compounds shown in Table 6 (compounds 45, 48 and 50 of the present invention). ~ 6-4 were made.

有機EL素子6−2については、比較化合物6の代わりに用いた比較化合物7が所定量のヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に完全に溶解しなかった。   For the organic EL element 6-2, the comparative compound 7 used in place of the comparative compound 6 was not completely dissolved in a predetermined amount of hexafluoroisopropanol (HFIP).

《有機EL素子6−1〜6−4の評価》
得られた有機EL素子6−1〜6−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 6-1 to 6-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 6-1 to 6-4, they were sealed in the same manner as the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1, and illumination as shown in FIGS. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

(外部取り出し量子効率及び発光寿命)
外部取り出し量子効率、駆動電圧及び発光寿命については、実施例2と同様の方法で評価した。
(External extraction quantum efficiency and emission lifetime)
External extraction quantum efficiency, drive voltage, and light emission lifetime were evaluated in the same manner as in Example 2.

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例7
《有機EL素子7−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 7
<< Production of Organic EL Element 7-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, using a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water, 3000 rpm, A thin film was formed by spin coating under conditions of 30 seconds and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.

この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、3mgの正孔輸送材料4と47mgの正孔輸送材料2とを10mlのトルエンに溶解した混合溶液を1500rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。窒素雰囲気下、120℃、90秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの第2正孔輸送層を形成した。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a mixed solution prepared by dissolving 3 mg of the hole transport material 4 and 47 mg of the hole transport material 2 in 10 ml of toluene on the hole transport layer under conditions of 1500 rpm and 30 seconds. A thin film was formed by spin coating on the hole transport layer. In a nitrogen atmosphere, ultraviolet light was irradiated at 120 ° C. for 90 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking to form a second hole transport layer having a thickness of about 20 nm.

この第2正孔輸送層上に、100mgのホスト材料2と15mgのD−26とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、発光層とした。   A thin film was formed on the second hole transport layer by spin coating using a solution of 100 mg of host material 2 and 15 mg of D-26 dissolved in 10 ml of toluene at 1000 rpm for 30 seconds. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer.

次にこの発光層上に、50mgの比較化合物7を10mlのヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。   Next, a thin film was formed on this light emitting layer by spin coating using a solution obtained by dissolving 50 mg of Comparative Compound 7 in 10 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP) at 1000 rpm for 30 seconds. Furthermore, it vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the electron carrying layer with a film thickness of about 30 nm.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に陰極としてアルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子7−1を作製した。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and after the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, lithium fluoride was deposited at 0.4 nm as a cathode buffer layer, and aluminum was deposited at 110 nm as a cathode. Then, a cathode was formed, and an organic EL element 7-1 was produced.

《有機EL素子7−2〜7−4の作製》
有機EL素子7−1の作製において、比較化合物7を表7記載の化合物(本発明の化合物11、51、52)に変えた以外は同様にして、有機EL素子7−2〜7−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 7-2 to 7-4 >>
In the production of the organic EL device 7-1, the organic EL devices 7-2 to 7-4 were prepared in the same manner except that the comparative compound 7 was changed to the compounds shown in Table 7 (compounds 11, 51 and 52 of the present invention). Produced.

《有機EL素子7−1〜7−4の評価》
得られた有機EL素子7−1〜7−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 7-1 to 7-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 7-1 to 7-4, the organic EL elements 1-1 to 1-4 in Example 1 were sealed in the same manner as shown in FIGS. 5 and 6. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

(外部取り出し量子効率及び発光寿命)
外部取り出し量子効率及び発光寿命については、実施例2と同様の方法で評価した。
(External extraction quantum efficiency and emission lifetime)
The external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime were evaluated in the same manner as in Example 2.

(電圧上昇率)
電圧上昇率については、実施例4と同様の方法で評価した。
(Voltage increase rate)
The voltage increase rate was evaluated by the same method as in Example 4.

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例8
《有機EL素子8−1の作製》
有機EL素子7−1の作製において、正孔輸送材料4と正孔輸送材料2の代わりに、60mgの正孔輸送材料3を用い、ホスト材料2の代わりにホスト材料3を用い、D−26の代わりにD−46を用い、比較化合物7の代わりに比較化合物8を用いた以外は同様にして、有機EL素子8−1を作製した。
Example 8
<< Preparation of Organic EL Element 8-1 >>
In the production of the organic EL element 7-1, 60 mg of the hole transport material 3 is used instead of the hole transport material 4 and the hole transport material 2, and the host material 3 is used instead of the host material 2, and D-26 An organic EL device 8-1 was produced in the same manner except that D-46 was used instead of and that Comparative compound 8 was used instead of Comparative compound 7.

《有機EL素子8−2〜8−4の作製》
有機EL素子8−1の作製において、比較化合物8を表8記載の化合物(本発明の化合物2、3、4)に変えた以外は同様にして、有機EL素子8−2〜8−4を作製した。
<< Preparation of organic EL elements 8-2 to 8-4 >>
In the production of the organic EL device 8-1, the organic EL devices 8-2 to 8-4 were prepared in the same manner except that the comparative compound 8 was changed to the compounds shown in Table 8 (compounds 2, 3, and 4 of the present invention). Produced.

《有機EL素子8−1〜8−4の評価》
得られた有機EL素子8−1〜8−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 8-1 to 8-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 8-1 to 8-4, the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1 were sealed in the same manner as shown in FIGS. 5 and 6. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

(外部取り出し量子効率、駆動電圧及び発光寿命)
外部取り出し量子効率、駆動電圧及び発光寿命については、実施例2と同様の方法で評価した。
(External extraction quantum efficiency, driving voltage and light emission lifetime)
External extraction quantum efficiency, drive voltage, and light emission lifetime were evaluated in the same manner as in Example 2.

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例9
《有機EL素子9−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm製膜した基板(NHテクノグラス社製NA−45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
Example 9
<< Production of Organic EL Element 9-1 >>
After patterning on a substrate (NA-45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a 100 mm × 100 mm × 1.1 mm glass substrate as an anode, this ITO transparent electrode was provided. The transparent support substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用い、3000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚20nmの正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, using a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water, 3000 rpm, A thin film was formed by spin coating under conditions of 30 seconds and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a 20 nm-thick hole transport layer.

この基板を窒素雰囲気下に移し、正孔輸送層上に、8mgの正孔輸送材料4と42mgの正孔輸送材料3とを10mlのトルエンに溶解した混合溶液を2000rpm、30秒の条件で正孔輸送層上にスピンコーティングし、薄膜を形成した。窒素雰囲気下、130℃、80秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約15nmの第2正孔輸送層を形成した。   The substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a mixed solution prepared by dissolving 8 mg of the hole transport material 4 and 42 mg of the hole transport material 3 in 10 ml of toluene on the hole transport layer under the conditions of 2000 rpm and 30 seconds. A thin film was formed by spin coating on the hole transport layer. Under a nitrogen atmosphere, ultraviolet light was irradiated at 130 ° C. for 80 seconds to carry out photopolymerization and crosslinking to form a second hole transport layer having a thickness of about 15 nm.

この第2正孔輸送層上に、100mgのホスト材料4と10mgのD−9とを10mlのトルエンに溶解した溶液を用いて1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。60℃で1時間真空乾燥し、発光層とした。   On the second hole transport layer, a thin film was formed by spin coating using a solution obtained by dissolving 100 mg of host material 4 and 10 mg of D-9 in 10 ml of toluene at 1000 rpm for 30 seconds. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer.

次にこの発光層上に、50mgの比較化合物9を10mlのヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP)に溶解した溶液を用いて、1000rpm、30秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した。更に60℃で1時間真空乾燥し、膜厚約30nmの電子輸送層とした。   Next, a thin film was formed on this light emitting layer by spin coating using a solution prepared by dissolving 50 mg of Comparative Compound 9 in 10 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP) at 1000 rpm for 30 seconds. Furthermore, it vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the electron carrying layer with a film thickness of about 30 nm.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、陰極バッファー層としてフッ化リチウムを0.4nm、更に陰極としてアルミニウムを110nm蒸着して陰極を形成し、有機EL素子9−1を作製した。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum deposition apparatus, and after the vacuum chamber was depressurized to 4 × 10 −4 Pa, lithium fluoride was deposited at 0.4 nm as a cathode buffer layer, and aluminum was deposited at 110 nm as a cathode. Then, a cathode was formed, and an organic EL element 9-1 was produced.

《有機EL素子9−2〜9−4の作製》
有機EL素子9−1の作製において、D−9を表9記載の化合物(本発明の化合物D−9、D−24、D−26)に、比較化合物9を表9記載の化合物(本発明の化合物6)に変えた以外は同様にして、有機EL素子9−2〜9−4を作製した。
<< Production of Organic EL Elements 9-2 to 9-4 >>
In the preparation of the organic EL device 9-1, D-9 is a compound described in Table 9 (compounds D-9, D-24, and D-26 of the present invention), and Comparative compound 9 is a compound described in Table 9 (the present invention). Organic EL elements 9-2 to 9-4 were produced in the same manner except that the compound 6) was changed.

《有機EL素子9−1〜9−4の評価》
得られた有機EL素子9−1〜9−4を評価するに際しては、実施例1の有機EL素子1−1〜1−4と同様に封止し、図5、図6に示すような照明装置を形成して評価した。次いで、下記の評価を行った。
<< Evaluation of Organic EL Elements 9-1 to 9-4 >>
When evaluating the obtained organic EL elements 9-1 to 9-4, they were sealed in the same manner as the organic EL elements 1-1 to 1-4 of Example 1, and illumination as shown in FIGS. A device was formed and evaluated. Subsequently, the following evaluation was performed.

(外部取り出し量子効率及び発光寿命)
外部取り出し量子効率及び発光寿命については、実施例2と同様の方法で評価した。
(External extraction quantum efficiency and emission lifetime)
The external extraction quantum efficiency and the light emission lifetime were evaluated in the same manner as in Example 2.

Figure 0005776808
Figure 0005776808

実施例10
《有機ELフルカラー表示装置の作製》
図7は有機ELフルカラー表示装置の概略構成図を示す。陽極としてガラス基板201上にITO透明電極(202)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)に100μmのピッチでパターニングを行った後、このガラス基板上でITO透明電極の間に非感光性ポリイミドの隔壁203(幅20μm、厚さ2.0μm)をフォトリソグラフィーで形成させた。
Example 10
<< Production of organic EL full-color display device >>
FIG. 7 shows a schematic configuration diagram of an organic EL full-color display device. After patterning at a pitch of 100 μm on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) having a 100 nm thick ITO transparent electrode (202) formed on a glass substrate 201 as an anode, non-between the ITO transparent electrodes on this glass substrate. A photosensitive polyimide partition 203 (width 20 μm, thickness 2.0 μm) was formed by photolithography.

ITO電極上ポリイミド隔壁の間に下記組成の正孔注入層組成物を、インクジェットヘッド(エプソン社製;MJ800C)を用いて吐出注入し、紫外光を200秒間照射し、60℃、10分間の乾燥処理により膜厚40nmの正孔注入層204を作製した。   A hole injection layer composition having the following composition is ejected and injected between polyimide partition walls on ITO electrodes using an inkjet head (manufactured by Epson Corporation; MJ800C), irradiated with ultraviolet light for 200 seconds, and dried at 60 ° C. for 10 minutes A hole injection layer 204 having a thickness of 40 nm was produced by the treatment.

この正孔注入層上に、各々下記の青色発光層組成物、緑色発光層組成物、赤色発光層組成物を同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、60℃、10分間乾燥処理し、それぞれの発光層(205B、205G、205R)を形成させた。   On the hole injection layer, the following blue light-emitting layer composition, green light-emitting layer composition, and red light-emitting layer composition were similarly discharged and injected using an inkjet head, and dried at 60 ° C. for 10 minutes. Each light emitting layer (205B, 205G, 205R) was formed.

次に、発光層を覆うように上に化合物例54を20nm蒸着し、更にフッ化リチウムを0.6nm、陰極としてAl(106)を130nm真空蒸着して有機EL素子を作製した。   Next, Compound Example 54 was vapor-deposited to a thickness of 20 nm so as to cover the light-emitting layer, and further lithium fluoride was 0.6 nm and Al (106) was vacuum-deposited as a cathode at 130 nm to produce an organic EL device.

作製した有機EL素子はそれぞれの電極に電圧を印加することにより各々青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることがわかった。   It was found that the produced organic EL element showed blue, green, and red light emission by applying a voltage to each electrode, and could be used as a full-color display device.

(正孔注入層組成物)
正孔輸送材料7 20質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(青色発光層組成物)
ホスト材料2 0.7質量部
D−26 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(緑色発光層組成物)
ホスト材料2 0.7質量部
D−1 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
(赤色発光層組成物)
ホスト材料2 0.7質量部
D−10 0.04質量部
シクロヘキシルベンゼン 50質量部
イソプロピルビフェニル 50質量部
実施例11
《白色の有機EL素子11−1の作製》
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
(Hole injection layer composition)
Hole transport material 7 20 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropylbiphenyl 50 parts by mass (Blue light emitting layer composition)
Host material 2 0.7 parts by mass D-26 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropyl biphenyl 50 parts by mass (green light emitting layer composition)
Host material 2 0.7 parts by mass D-1 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropyl biphenyl 50 parts by mass (red light emitting layer composition)
Host material 2 0.7 parts by mass D-10 0.04 parts by mass Cyclohexylbenzene 50 parts by mass Isopropyl biphenyl 50 parts by mass Example 11
<< Production of White Organic EL Element 11-1 >>
Transparent support provided with this ITO transparent electrode after patterning on a substrate (NH45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) formed by depositing 100 nm of ITO (indium tin oxide) on a glass substrate of 100 mm × 100 mm × 1.1 mm as an anode The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes.

この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を3000rpm、30秒でスピンコート法により成膜した後、200℃にて1時間乾燥し、膜厚30nmの第一正孔輸送層を設けた。   On this transparent support substrate, a solution obtained by diluting poly (3,4-ethylenedioxythiophene) -polystyrene sulfonate (PEDOT / PSS, Bayer, Baytron P Al 4083) to 70% with pure water at 3000 rpm for 30 seconds. Then, the film was formed by spin coating and then dried at 200 ° C. for 1 hour to provide a first hole transport layer having a thickness of 30 nm.

この基板を窒素雰囲気下に移し、第一正孔輸送層上に、70mgの正孔輸送材料2を10mlのトルエンに溶解した溶液を1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。110℃、100秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行った後、60℃で1時間真空乾燥し第2正孔輸送層とした。   This substrate was transferred to a nitrogen atmosphere, and a solution of 70 mg of the hole transport material 2 dissolved in 10 ml of toluene was formed on the first hole transport layer by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds. After irradiation with ultraviolet light at 110 ° C. for 100 seconds to perform photopolymerization / crosslinking, vacuum drying was performed at 60 ° C. for 1 hour to form a second hole transport layer.

次に、ホスト材料3(60mg)、D−6(0.3mg)、D−24(3.0mg)をトルエン6mlに溶解した溶液を用い、1000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した。60℃で1時間真空乾燥し発光層とした。   Next, using a solution prepared by dissolving host material 3 (60 mg), D-6 (0.3 mg), and D-24 (3.0 mg) in 6 ml of toluene, a spin coating method was performed at 1000 rpm for 30 seconds. Filmed. It vacuum-dried at 60 degreeC for 1 hour, and was set as the light emitting layer.

更に、化合物例9(25mg)をヘキサフルオロイソプロパノール(HFIP) 5mlに溶解した溶液を用い、1500rpm、30秒の条件下、スピンコート法により成膜した後、60℃で1時間真空乾燥し電子輸送層とした。   Furthermore, using a solution obtained by dissolving Compound Example 9 (25 mg) in 5 ml of hexafluoroisopropanol (HFIP), a film was formed by spin coating at 1500 rpm for 30 seconds, and then vacuum-dried at 60 ° C. for 1 hour for electron transport. Layered.

続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートにAlqを200mg入れ、真空蒸着装置に取り付けた。真空槽を4×10−4Paまで減圧した後、Alqの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒で前記電子輸送層の上に蒸着して、更に膜厚40nmの第2の電子輸送層を設けた。 Subsequently, this substrate was fixed to a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, and 200 mg of Alq 3 was put into a molybdenum resistance heating boat and attached to the vacuum vapor deposition apparatus. After reducing the pressure of the vacuum chamber to 4 × 10 −4 Pa, the heating boat containing Alq 3 was energized and heated, and deposited on the electron transport layer at a deposition rate of 0.1 nm / second to further form a film. A second electron transport layer having a thickness of 40 nm was provided.

尚、蒸着時の基板温度は室温であった。引き続き、フッ化カリウム0.5nm及びアルミニウム110nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子11−1を作製した。   In addition, the substrate temperature at the time of vapor deposition was room temperature. Then, 0.5 nm of potassium fluoride and 110 nm of aluminum were vapor-deposited, the cathode was formed, and the organic EL element 11-1 was produced.

この素子に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが判った。尚、例示の他の化合物に置き換えても同様に白色の発光が得られることが判った。   When this element was energized, almost white light was obtained, and it was found that it could be used as a lighting device. In addition, it turned out that white light emission is obtained similarly even if it replaces with the other compound of illustration.

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサ
A 表示部
B 制御部
101 有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機EL層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
201 ガラス基板
202 ITO透明電極
203 隔壁
204 正孔注入層
205B、205G、205R 発光層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Display 3 Pixel 5 Scan line 6 Data line 7 Power supply line 10 Organic EL element 11 Switching transistor 12 Drive transistor 13 Capacitor A Display part B Control part 101 Organic EL element 102 Glass cover 105 Cathode 106 Organic EL layer 107 Glass substrate with a transparent electrode 108 Nitrogen gas 109 Water trapping agent 201 Glass substrate 202 ITO transparent electrode 203 Partition wall 204 Hole injection layer 205B, 205G, 205R Light emitting layer

Claims (21)

下記一般式(1)で表される化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
Figure 0005776808
(式中、Ar及びArは芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される基を表す。Arは6員の芳香族環から導出される基を表し、Arが複数存在する場合、Arで表される6員の芳香族環同士が互いに結合して縮合環を形成していてもよい。n3は0以上の整数を表し、n1及びn2は各々1以上の整数を表し、かつn1+n2+n3は2以上である。n1、n2及びn3がそれぞれ2以上の場合、Ar〜Arはそれぞれ同じでも異なっていてもよい。Arは下記一般式(2)を表す。)
Figure 0005776808
(式中、YはO、Sのいずれかを表し、X、X、X、X、X、X、X及びX、はそれぞれ独立に、=C(R)−または=N−を表すが、少なくとも2つは=N−である。Rは水素原子、置換基または連結部位を表す。)
An organic electroluminescent element material comprising a compound represented by the following general formula (1).
Figure 0005776808
(Wherein, Ar 1 and Ar 3 represents a group .Ar 2 represents a group derived from an aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring which is derived from 6-membered aromatic ring, Ar 2 is more present In this case, 6-membered aromatic rings represented by Ar 2 may be bonded to each other to form a condensed ring, n3 represents an integer of 0 or more, and n1 and n2 each represents an integer of 1 or more. N1 + n2 + n3 is 2 or more, and when n1, n2 and n3 are each 2 or more, Ar 1 to Ar 3 may be the same or different, and Ar represents the following general formula (2).
Figure 0005776808
(In the formula, Y represents either O or S, and X 1 , X 2 , X 3 , X 4 , X 5 , X 6 , X 7 and X 8 are each independently = C (R 1 ). -Or = N-, but at least two are = N-, R 1 represents a hydrogen atom, a substituent or a linking site.)
前記一般式(2)におけるXまたはXの少なくとも一方は、=C(R)−で表され、かつRが連結部位を表すことを特徴とする、請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 2. The organic electro of claim 1, wherein at least one of X 1 and X 3 in the general formula (2) is represented by ═C (R 1 ) —, and R 1 represents a linking site. Materials for luminescence elements. 前記一般式(2)が下記一般式(2−a)で表されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
Figure 0005776808
(式中、Y、X、X〜Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X、X〜X及びRと同義の基を表す。X、X〜Xの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。)
The said general formula (2) is represented by the following general formula (2-a), The organic electroluminescent element material of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 0005776808
(In the formula, Y, X 2 and X 4 to X 8 each represent a group having the same meaning as Y, X 2 , X 4 to X 8 and R 1 in the general formula (2). X 2 and X 4 of to X 8, at least two = a N-. * represents a linking site.)
前記一般式(2−a)におけるX、X〜Xの内、2つが=N−であることを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 The organic electroluminescent element material according to claim 3, wherein two of X 2 and X 4 to X 8 in the general formula (2-a) are = N-. 前記一般式(2)が下記一般式(2−b)で表されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
Figure 0005776808
(式中、Y、X〜Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X〜X及びRと同義の基を表す。X〜Xの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。)
The said general formula (2) is represented by the following general formula (2-b), The organic electroluminescent element material of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 0005776808
(In the formula, Y and X 2 to X 7 each represent a group having the same meaning as Y, X 2 to X 7 and R 1 in the general formula (2). At least two of X 2 to X 7 are included. Is = N-, * represents a linking site.)
前記一般式(2−b)におけるX〜Xの内、2つが=N−であることを特徴とする、請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 The organic electroluminescent element material according to claim 5, wherein two of X 2 to X 7 in the general formula (2-b) are = N-. 前記一般式(2)が下記一般式(2−c)で表されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
Figure 0005776808
(式中、Y、X〜X、X、Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X〜X、X、X及びRと同義の基を表す。X〜X、X、Xの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。)
The said general formula (2) is represented by the following general formula (2-c), The organic electroluminescent element material of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
Figure 0005776808
(In the formula, Y, X 2 to X 5 , X 7 and X 8 represent the same groups as Y, X 2 to X 5 , X 7 , X 8 and R 1 in the general formula (2), respectively. And at least two of X 2 to X 5 , X 7 and X 8 are ═N—, * represents a linking site.)
前記一般式(2−c)におけるX〜X、X及びXの内、2つが=N−であることを特徴とする、請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 The organic electroluminescent element material according to claim 7, wherein two of X 2 to X 5 , X 7 and X 8 in the general formula (2-c) are = N—. 前記一般式(2)が下記一般式(2−d)で表されることを特徴とする、請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
Figure 0005776808
(式中、Y、X、X、X、X、X、Xは、それぞれ、前記一般式(2)のY、X、X、X、X、X、X及びRと同義の基を表す。X、X、X、X、X及びXの内、少なくとも2つは=N−である。*は連結部位を表す。)
The organic electroluminescent element material according to claim 1, wherein the general formula (2) is represented by the following general formula (2-d).
Figure 0005776808
(In the formula, Y, X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 , X 8 are Y, X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 in the general formula (2), respectively. , X 8 and R 1 are the same as defined above, and at least two of X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 and X 8 are ═N—, and * represents a linking site. )
前記一般式(2−d)におけるX、X、X、X、X及びXの内、2つが=N−であることを特徴とする、請求項9に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。 10. The organic electro of claim 9, wherein two of X 1 , X 2 , X 4 , X 5 , X 7 and X 8 in the general formula (2-d) are ═N—. Materials for luminescence elements. 陽極と陰極の間に、リン光発光性化合物を含有する発光層を含む、複数の有機化合物層が挟持されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該有機化合物層の少なくとも1層が請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。   An organic electroluminescence device comprising a plurality of organic compound layers sandwiched between a positive electrode and a negative electrode, and comprising a light emitting layer containing a phosphorescent compound, wherein at least one of the organic compound layers is claim 1. The organic electroluminescent element characterized by containing the material for organic electroluminescent elements of any one of 10-10. 前記有機化合物層のうち少なくとも1層は電子輸送層であり、かつ、該電子輸送層が、請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含有することを特徴とする、請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   At least 1 layer is an electron carrying layer among the said organic compound layers, and this electron carrying layer contains the organic electroluminescent element material of any one of Claims 1-10, It is characterized by the above-mentioned. The organic electroluminescent element according to claim 11. 前記発光層がホスト材料とリン光発光性化合物とを含有し、かつ、該ホスト材料が請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料からなることを特徴とする、請求項11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The light emitting layer contains a host material and a phosphorescent compound, and the host material is made of the material for an organic electroluminescence element according to any one of claims 1 to 10, The organic electroluminescent element according to claim 11. 前記リン光発光性化合物の少なくとも1種が、下記一般式(D)で表されることを特徴とする、請求項11〜13のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005776808
(式中、P、Qは各々独立に、炭素原子または窒素原子を表し、AはP−Cと共に芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する原子群を表す。AはQ−Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。P−L−Pは2座の配位子を表し、P、Pは各々独立に炭素原子、窒素原子、または酸素原子を表す。LはP、Pと共に2座の配位子形成する原子群を表す。j1は1〜3の整数を表し、j2は0〜2の整数を表すが、j1+j2は2または3である。Mは元素周期における8〜10属の金属元素を表す。)
14. The organic electroluminescent element according to claim 11, wherein at least one of the phosphorescent compounds is represented by the following general formula (D).
Figure 0005776808
(In the formula, P and Q each independently represent a carbon atom or a nitrogen atom, and A 1 represents an atomic group that forms an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring together with P—C. A 2 represents Q—. Represents an atomic group that forms an aromatic heterocycle with N. P 1 -L 1 -P 2 represents a bidentate ligand, and P 1 and P 2 each independently represent a carbon atom, a nitrogen atom, or an oxygen atom L 1 represents a group of atoms forming a bidentate ligand with P 1 and P 2 , j1 represents an integer of 1 to 3, j2 represents an integer of 0 to 2, and j1 + j2 represents 2 or 3. M 1 represents a metal element of group 8 to 10 in the element period.)
前記一般式(D)で表される化合物が下記一般式(D−1)で表される化合物であることを特徴とする、請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005776808
(式中、Zは炭化水素環基または複素環基を表す。P、A、P、P、L及びMは、それぞれ、前記一般式(D)で表されるP、A、P、P、L及びMと同義の基を表す。AはN−C=Nと共に芳香族複素環を形成する原子群を表し、−C(R01)=C(R02)−、−N=C(R02)−、−C(R01)=N−または−N=N−である。R01、R02は、各々水素原子または置換基を表す。j1及びj2は前記一般式(D)におけるj1及びj2と同義の整数を表し、j1+j2は2または3である。)
The organic electroluminescent device according to claim 14, wherein the compound represented by the general formula (D) is a compound represented by the following general formula (D-1).
Figure 0005776808
(In the formula, Z represents a hydrocarbon ring group or a heterocyclic group. P, A 1 , P 1 , P 2 , L 1 and M 1 are P, A represented by the general formula (D), respectively. 1 , P 1 , P 2 , L 1, and M 1 each represents the same group as A 1. A 3 represents an atomic group that forms an aromatic heterocycle with N—C═N, and —C (R 01 ) ═C ( R 02 ) —, —N═C (R 02 ) —, —C (R 01 ) ═N— or —N═N—, each of R 01 and R 02 represents a hydrogen atom or a substituent. And j2 represent an integer having the same meaning as j1 and j2 in the general formula (D), and j1 + j2 is 2 or 3.
前記一般式(D−1)で表される化合物が下記一般式(D−2)で表される化合物であることを特徴とする、請求項15に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0005776808
(式中、Zは芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。ZはC−Cと共に6員の芳香族炭化水素環もしくは、5員または6員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。P、P、L及びMは、それぞれ、前記一般式(D)で表されるP、P、L及びMと同義の基を表す。R03、R04は水素原子または置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。j1及びj2は前記一般式(D)におけるj1及びj2と同義の整数を表し、j1+j2は2または3である。)
The organic electroluminescent element according to claim 15, wherein the compound represented by the general formula (D-1) is a compound represented by the following general formula (D-2).
Figure 0005776808
(In the formula, Z 2 represents an aromatic hydrocarbon ring group or an aromatic heterocyclic group. Z 1 represents a 6-membered aromatic hydrocarbon ring or a 5-membered or 6-membered aromatic heterocyclic ring together with C—C. Represents an atomic group necessary for forming P 1 , P 2 , L 1, and M 1 , each having the same meaning as P 1 , P 2 , L 1, and M 1 represented by the general formula (D); R 03 and R 04 each represents a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring, j1 and j2 each represent an integer having the same meaning as j1 and j2 in formula (D). , J1 + j2 is 2 or 3.)
前記リン光発光性化合物が、Ir又はPt金属を含有する化合物であることを特徴とする、請求項11〜16のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to any one of claims 11 to 16, wherein the phosphorescent compound is a compound containing Ir or Pt metal. 前記有機化合物層のうち少なくとも2層が湿式法(ウェットプロセス)により成膜、形成される工程を経て製造されたことを特徴とする請求項11〜17のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence according to any one of claims 11 to 17, wherein at least two layers of the organic compound layers are manufactured through a step of forming and forming a film by a wet method (wet process). element. 白色に発光することを特徴とする請求項11〜18のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence element according to claim 11, which emits white light. 請求項11〜19のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。   An illuminating device comprising the organic electroluminescent element according to any one of claims 11 to 19. 請求項11〜19のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。   A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 11.
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