JP5723591B2 - 熱電変換材料と電界印加型熱電変換素子 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 51
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 15
- 229910001291 heusler alloy Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910008487 TiSn Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 Bi—Te Chemical class 0.000 description 1
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 1
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/854—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising only metals
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- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/17—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the structure or configuration of the cell or thermocouple forming the device
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Description
従来知られている熱電変換材料としては、
(1)Bi−Te、Si−Ge、Zn−Sb等の半導体化合物やスクッテルダイト構造をもつ化合物で形成されるもの、
(2)NaCoO2を代表とする酸化物で形成されるもの
(3)ZrNiSn等のハーフホイスラー構造を有する化合物などが知られている。
A:周期表において第4周期から第6周期の第7元素族から第10元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
B:周期表において第4周期から第6周期の第4元素族から第6元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
C:周期表において第3周期から第6周期の第13元素族と第14元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
A:周期表において第4周期から第6周期の第7元素族から第10元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
B:周期表において第4周期から第6周期の第4元素族から第6元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
C:周期表において第3周期から第6周期の第13元素族と第14元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
バッファー層201には、Ta、Ru、Ti、Zrなどが使用される。シード層202には、V、Cr、Wなどの体心立方(bcc)構造を有する材料やMgO、MgZnOなどを使用することが望ましい。シード層202にこのような材料を適用することにより、安定してB2あるいはL21構造を有するホイスラー合金膜の形成が可能である。また、ホイスラー合金膜を製膜する際に300℃以上で基板を加熱したり、製膜後に300℃以上で熱処理をすることによっても安定してB2あるいはL21構造を有するホイスラー合金膜の形成が可能である。特にL21構造を有するFe2TiSnにおいて非常に大きな性能指数Zが得られる。
A:周期表において第4周期から第6周期の第7元素族から第10元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
B:周期表において第4周期から第6周期の第4元素族から第6元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
C:周期表において第3周期から第6周期の第13元素族と第14元素族に属する元素であり、それらの元素単体あるいは2個以上の複数元素で構成される。
Claims (8)
- Ta、Ru、TiまたはZrを含むバッファ層の直上に形成され、MgOまたはMgZnOからなるシード層と、
前記シード層の直上に形成されたホイスラー合金膜と、
前記ホイスラー合金膜内に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出すための1対の電極と、
前記1対の電極の間に形成された絶縁膜と、
前記ホイスラー合金に、前記絶縁膜を介して、電界あるいは電圧を印加するためのゲート電極を備えることを特徴とする熱電変換素子。 - Ta、Ru、TiまたはZrを含むバッファ層の直上に形成され、MgOまたはMgZnOからなるシード層と、
前記シード層の直上に形成されたホイスラー合金膜と、
前記ホイスラー合金膜内に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出すための1対の電極と、
前記1対の電極の間に形成された絶縁膜と、
前記1対の電極間に発生する電圧を、前記絶縁膜を介して前記ホイスラー合金膜に印加するための電極を備えることを特徴とする熱電変換素子。 - 請求項1または請求項2に記載の熱電変換素子において、
前記ホイスラー合金膜はL21の結晶構造であることを特徴とする熱電変換素子。 - 請求項1乃至請求項3いずれかに記載の熱電変換素子において、
前記ホイスラー合金膜はFe2TiSnであることを特徴とする熱電変換素子。 - Ta、Ru、TiまたはZrを含むバッファ層の直上に形成され、MgOまたはMgZnOからなる複数のシード層と、
前記複数のシード層それぞれの直上に形成された複数個のホイスラー合金膜と、
前記複数個のホイスラー合金膜内に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出すための複数個の1対の電極と、
前記1対の電極の間それぞれに形成された絶縁膜と、
前記複数個のホイスラー合金それぞれに、それぞれの前記絶縁膜を介して、電界あるいは電圧を印加するための複数個のゲート電極を備えることを特徴とする熱電変換素子。 - Ta、Ru、TiまたはZrを含むバッファ層の直上に形成され、MgOまたはMgZnOからなる複数のシード層と、
前記複数のシード層それぞれの直上に形成された複数個のホイスラー合金膜と、
前記複数個のホイスラー合金膜内に生じる温度勾配に応じて起電力を取り出すための複数個の1対の電極と、
前記1対の電極の間それぞれに形成された絶縁膜と、
それぞれの前記1対の電極間に発生する電圧を、それぞれの前記絶縁膜を介して前記ホイスラー合金膜に印加するための複数個の電極を備えることを特徴とする熱電変換素子。 - 請求項5または請求項6に記載の熱電変換素子において、
前記複数個のホイスラー合金膜はL21の結晶構造であることを特徴とする熱電変換素子。 - 請求項5乃至請求項7何れかに記載の熱電変換素子において、
前記ホイスラー合金膜はFe2TiSnであることを特徴とする熱電変換素子。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010291527A JP5723591B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 熱電変換材料と電界印加型熱電変換素子 |
US13/338,740 US20120160288A1 (en) | 2010-12-28 | 2011-12-28 | Thermoelectric conversion device |
US14/635,764 US9559280B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-03-02 | Thermoelectric conversion device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010291527A JP5723591B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 熱電変換材料と電界印加型熱電変換素子 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012138539A JP2012138539A (ja) | 2012-07-19 |
JP2012138539A5 JP2012138539A5 (ja) | 2013-03-28 |
JP5723591B2 true JP5723591B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=46315220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010291527A Expired - Fee Related JP5723591B2 (ja) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | 熱電変換材料と電界印加型熱電変換素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120160288A1 (ja) |
JP (1) | JP5723591B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035148A1 (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-14 | 株式会社日立製作所 | 熱電変換素子及びそれを用いた熱電変換モジュール |
DE102013004173B3 (de) * | 2013-03-11 | 2014-03-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Thermogenerator zur Erzeugung elektrischer Energie aus thermischer Energie sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2018135286A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | 日立金属株式会社 | p型熱電変換材料、熱電変換モジュール及びp型熱電変換材料の製造方法 |
JP6859805B2 (ja) * | 2017-03-30 | 2021-04-14 | Tdk株式会社 | 積層体、熱電変換素子 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0669549A (ja) * | 1992-08-14 | 1994-03-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電装置 |
JP4167761B2 (ja) * | 1998-08-14 | 2008-10-22 | 本田技研工業株式会社 | 熱電変換素子及び熱電変換モジュール |
WO2003019681A1 (fr) | 2001-08-23 | 2003-03-06 | Nagoya Industrial Science Research Institute | Matiere de transduction thermoelectrique, procede de preparation de cette derniere et transducteur thermoelectrique |
JP3607249B2 (ja) | 2001-12-28 | 2005-01-05 | 株式会社東芝 | 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換素子 |
JP2004119648A (ja) | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Toshiba Corp | p型熱電変換材料及びそれを用いた熱電変換素子 |
JP3923041B2 (ja) | 2003-10-06 | 2007-05-30 | 株式会社東芝 | 熱電変換材料及びこれを用いた熱電変換素子 |
EP1738381A2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-01-03 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for producing a heusler alloy, a half heusler alloy , a filled skutterudite based alloy and thermoelectric converion system using them |
US8816184B2 (en) * | 2005-12-01 | 2014-08-26 | Raytheon Company | Thermoelectric bias voltage generator |
JP4858976B2 (ja) | 2007-01-31 | 2012-01-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 複合化した熱電変換材料 |
JP2008218640A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Tohoku Univ | トンネル磁気抵抗効果素子 |
JP4872050B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2012-02-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 熱電素子 |
JP5413646B2 (ja) * | 2009-03-26 | 2014-02-12 | 国立大学法人東北大学 | ホイスラー合金材料、磁気抵抗素子および磁気デバイス |
-
2010
- 2010-12-28 JP JP2010291527A patent/JP5723591B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-12-28 US US13/338,740 patent/US20120160288A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-03-02 US US14/635,764 patent/US9559280B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012138539A (ja) | 2012-07-19 |
US20120160288A1 (en) | 2012-06-28 |
US20150280095A1 (en) | 2015-10-01 |
US9559280B2 (en) | 2017-01-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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